JPH0648685Y2 - 霧化薄膜形成装置 - Google Patents
霧化薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0648685Y2 JPH0648685Y2 JP7816089U JP7816089U JPH0648685Y2 JP H0648685 Y2 JPH0648685 Y2 JP H0648685Y2 JP 7816089 U JP7816089 U JP 7816089U JP 7816089 U JP7816089 U JP 7816089U JP H0648685 Y2 JPH0648685 Y2 JP H0648685Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- substrate
- film
- nozzle
- thin film
- Prior art date
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、霧化した原料溶液を、加熱された基板に吹き
付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置に関し、特に基
板の幅方向の膜厚のばらつきが小さな透明導電膜を形成
することができる装置に関する。
付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置に関し、特に基
板の幅方向の膜厚のばらつきが小さな透明導電膜を形成
することができる装置に関する。
［従来の技術］ 太陽電池、液晶表示装置、プラズマ表示装置等に用いら
れる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジウム錫の薄膜に
より形成される。この透明導電膜は、霧化装置によって
生じた原料溶液の霧を、成膜用ノズルから加熱された基
板に向けて放出し、加熱された基板上で反応、成膜させ
る。
れる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジウム錫の薄膜に
より形成される。この透明導電膜は、霧化装置によって
生じた原料溶液の霧を、成膜用ノズルから加熱された基
板に向けて放出し、加熱された基板上で反応、成膜させ
る。
この方法で透明導電膜を形成する場合に用いられている
従来の霧化薄膜形成装置の一例を、第５図と第６図に基
づいて説明する。
従来の霧化薄膜形成装置の一例を、第５図と第６図に基
づいて説明する。
この霧化薄膜形成装置では、霧化器１によって原料溶液
を霧化し、これを成膜用ノズル３の吐出口３から放出さ
せる。成膜用ノズル３の吐出口3aの上方には、成膜室４
が設けられ、そこに霧化された原料溶液が漂う。上記基
板６は、その表面が上記成膜室４の天面を形成するよ
う、成膜室４の上を順次連なりながら第５図において、
左から右へと保持されながら搬送される。この成膜室４
で天面を形成する位置にある基板６は、均熱板７を介し
て背後のヒーター８によって所定の温度に加熱される。
を霧化し、これを成膜用ノズル３の吐出口３から放出さ
せる。成膜用ノズル３の吐出口3aの上方には、成膜室４
が設けられ、そこに霧化された原料溶液が漂う。上記基
板６は、その表面が上記成膜室４の天面を形成するよ
う、成膜室４の上を順次連なりながら第５図において、
左から右へと保持されながら搬送される。この成膜室４
で天面を形成する位置にある基板６は、均熱板７を介し
て背後のヒーター８によって所定の温度に加熱される。
この装置には、基板入口19側からガラス板等の基板６を
導入し、成膜室４を経て基板出口20から導出されるよう
順次搬送される。成膜室４では、成膜用ノズル３の吐出
口3aが下側から基板４の下面に向けて設けられ、これか
ら成膜室４に放出された霧状の原料溶液は、排出口５に
向けて緩やかに流れ、その間に基板６の表面に接触す
る。そして、基板６の表面で、溶液中の原料が空気中の
酸素、或いは原料溶液中の水分と反応し、上記基板６の
表面に酸化物の薄膜が形成される。また、基板６の表面
の成膜に寄与しなかった霧は、排出口５から排出され
る。
導入し、成膜室４を経て基板出口20から導出されるよう
順次搬送される。成膜室４では、成膜用ノズル３の吐出
口3aが下側から基板４の下面に向けて設けられ、これか
ら成膜室４に放出された霧状の原料溶液は、排出口５に
向けて緩やかに流れ、その間に基板６の表面に接触す
る。そして、基板６の表面で、溶液中の原料が空気中の
酸素、或いは原料溶液中の水分と反応し、上記基板６の
表面に酸化物の薄膜が形成される。また、基板６の表面
の成膜に寄与しなかった霧は、排出口５から排出され
る。
第６図で示すように、成膜用ノズル３は一方に長い吐出
口3aを有し、この吐出口3aの長手方向が成膜室４の幅方
向、つまり基板６が搬送される方向に対して直交する方
向に向けられている。
口3aを有し、この吐出口3aの長手方向が成膜室４の幅方
向、つまり基板６が搬送される方向に対して直交する方
向に向けられている。
［考案が解決しようとする課題］ しかし、上記従来の装置でガラス板等の基板６の表面に
透明導電膜を形成した場合、第７図（ｃ）で示されたよ
うに、基板の中央部の透明導電膜の膜厚が厚く、両側部
の透明導電膜の膜厚がこれに比べて極端に薄くなるとい
う欠点があった。これは、成膜室４の中を流れる霧は、
成膜室４の側壁の抵抗を受けて、特に成膜室４の後方部
において両側部での霧の単位流路断面積当りの流量が中
央部に比べて少なくなるためと考えられる。
透明導電膜を形成した場合、第７図（ｃ）で示されたよ
うに、基板の中央部の透明導電膜の膜厚が厚く、両側部
の透明導電膜の膜厚がこれに比べて極端に薄くなるとい
う欠点があった。これは、成膜室４の中を流れる霧は、
成膜室４の側壁の抵抗を受けて、特に成膜室４の後方部
において両側部での霧の単位流路断面積当りの流量が中
央部に比べて少なくなるためと考えられる。
このような透明導電膜の膜厚の不均一状態が生じると、
基板６の両側に干渉縞が現れ、外観上好ましくないばか
りでなく、特に膜厚の薄い基板６の両側部では、透明導
電膜として必要な特性が得られない。このため、膜厚の
薄い基板６の両側部分を除去して使用している。例えば
これまでは、基板６の中央部の膜厚に対して±５％の膜
厚の違いが生じる両側の部分を除去して使用している
が、上記従来の装置でガラス基板上に酸化錫膜を形成し
た場合に、この基準で除去されるのは、成膜中に保持さ
れる基板６の両端の部分を除いた有効成膜幅の約30％に
も及ぶ。従って、実際に使用できるのは、基板６の有効
成膜幅の約70％に過ぎず、製品の歩留りが悪いという欠
点があった。
基板６の両側に干渉縞が現れ、外観上好ましくないばか
りでなく、特に膜厚の薄い基板６の両側部では、透明導
電膜として必要な特性が得られない。このため、膜厚の
薄い基板６の両側部分を除去して使用している。例えば
これまでは、基板６の中央部の膜厚に対して±５％の膜
厚の違いが生じる両側の部分を除去して使用している
が、上記従来の装置でガラス基板上に酸化錫膜を形成し
た場合に、この基準で除去されるのは、成膜中に保持さ
れる基板６の両端の部分を除いた有効成膜幅の約30％に
も及ぶ。従って、実際に使用できるのは、基板６の有効
成膜幅の約70％に過ぎず、製品の歩留りが悪いという欠
点があった。
本考案の目的は、上記課題を解消することのできる霧化
薄膜形成装置を提供する事にある。
薄膜形成装置を提供する事にある。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するための本考案による手段
の要旨は、薄膜の原料溶液を霧化する霧化器１と、原料
溶液の霧の吐出口3aを上方に向けて開口させた成膜用ノ
ズル３と、同成膜用ノズル３の吐出口3aの上を通過する
よう一方向に搬送される基板６を天面とする成膜室４
と、成膜室４にある上記基板６を加熱する手段とからな
る霧化薄膜形成装置において、上記成膜室４の幅方向に
沿って長く開口した成膜用ノズル３の吐出口3aと上記霧
化器１との間に、霧の流れを規制する仕切部材13が設け
られ、この仕切部材13の単位面積当りの霧の通路面積が
成膜用ノズル３の中央部より両側部が広い霧化薄膜形成
装置である。
の要旨は、薄膜の原料溶液を霧化する霧化器１と、原料
溶液の霧の吐出口3aを上方に向けて開口させた成膜用ノ
ズル３と、同成膜用ノズル３の吐出口3aの上を通過する
よう一方向に搬送される基板６を天面とする成膜室４
と、成膜室４にある上記基板６を加熱する手段とからな
る霧化薄膜形成装置において、上記成膜室４の幅方向に
沿って長く開口した成膜用ノズル３の吐出口3aと上記霧
化器１との間に、霧の流れを規制する仕切部材13が設け
られ、この仕切部材13の単位面積当りの霧の通路面積が
成膜用ノズル３の中央部より両側部が広い霧化薄膜形成
装置である。
［作用］ 上記本考案による霧化薄膜形成装置では、成膜室４の幅
方向に沿って長く開口した成膜用ノズル３の吐出口3aと
霧化器１との間に、霧の流れを規制する仕切部材13が設
けられ、この仕切部材13の単位面積当りの霧の通路面積
が成膜用ノズル３の中央部より両側部が広いため、成膜
用ノズル３の吐出口3aからは、中央部より両側部からよ
り多くの霧が吐出される。これにより、成膜用ノズル３
の吐出口3aの真上からその直後の位置では、基板の両側
部での成膜量が大きい。このため、成膜室４を霧が流れ
る過程で、霧が成膜室４の両側の抵抗を受けて、成膜室
４の後方における基板６の両側部の成膜量が少なくて
も、薄膜の組厚が基板６の幅方向に亙って総体的に均一
化される。
方向に沿って長く開口した成膜用ノズル３の吐出口3aと
霧化器１との間に、霧の流れを規制する仕切部材13が設
けられ、この仕切部材13の単位面積当りの霧の通路面積
が成膜用ノズル３の中央部より両側部が広いため、成膜
用ノズル３の吐出口3aからは、中央部より両側部からよ
り多くの霧が吐出される。これにより、成膜用ノズル３
の吐出口3aの真上からその直後の位置では、基板の両側
部での成膜量が大きい。このため、成膜室４を霧が流れ
る過程で、霧が成膜室４の両側の抵抗を受けて、成膜室
４の後方における基板６の両側部の成膜量が少なくて
も、薄膜の組厚が基板６の幅方向に亙って総体的に均一
化される。
［実施例］ 次に、第１図〜第４図を参照しながら、本考案の実施例
について具体的に説明する。
について具体的に説明する。
第１図と第２図に示すように、ガラス板等の基板６が両
側を保持された状態で第１図において左から右、第２図
において手前から奥へと搬送される。基板入口19から基
板出口20に至る基板６の搬送経路には、当該基板６を天
面とし、両側及び底面をフレーム11、12で囲まれたトン
ネル状の予備加熱室13、成膜室４及び基板搬出室10が順
次連続して形成されている。
側を保持された状態で第１図において左から右、第２図
において手前から奥へと搬送される。基板入口19から基
板出口20に至る基板６の搬送経路には、当該基板６を天
面とし、両側及び底面をフレーム11、12で囲まれたトン
ネル状の予備加熱室13、成膜室４及び基板搬出室10が順
次連続して形成されている。
薄膜形成用の原料溶液を霧化する霧化器１を備え、この
霧化器１の上方には上に向けて成膜用ノズル３が延長し
て設けられ、この成膜用ノズル３の上に上記成膜室４が
配置されている。上記霧化器１に於いて霧化された原料
溶液の霧は、上記ノズル３の吐出口3aから成膜室４の中
に放出される。上記成膜用ノズル３の吐出口3aは一方に
長く、この吐出口3aの長手方向が基板６の搬送方向に対
して直交するよう同基板６の下面に向けて開口してい
る。
霧化器１の上方には上に向けて成膜用ノズル３が延長し
て設けられ、この成膜用ノズル３の上に上記成膜室４が
配置されている。上記霧化器１に於いて霧化された原料
溶液の霧は、上記ノズル３の吐出口3aから成膜室４の中
に放出される。上記成膜用ノズル３の吐出口3aは一方に
長く、この吐出口3aの長手方向が基板６の搬送方向に対
して直交するよう同基板６の下面に向けて開口してい
る。
成膜室４の基板搬出室10寄り側には、排気路５が形成さ
れ、基板６の表面の薄膜の成膜に寄与しなかった霧状の
原料溶液がこの排気路５から排出される。
れ、基板６の表面の薄膜の成膜に寄与しなかった霧状の
原料溶液がこの排気路５から排出される。
予備加熱室13、成膜室４及び基板排出室10において、搬
送される基板６の上面側には熱伝導良好な均熱板７が設
けられ、さらにその背後にヒーター８が設けられてい
る。このヒーター８が発熱することにより、上記均熱板
７を介して基板６が加熱される。
送される基板６の上面側には熱伝導良好な均熱板７が設
けられ、さらにその背後にヒーター８が設けられてい
る。このヒーター８が発熱することにより、上記均熱板
７を介して基板６が加熱される。
本考案では、上記成膜室４の幅方向に沿って長く開口し
た成膜用ノズル３の吐出口3aと霧化器１との間に、霧の
流れを規制する仕切部材13が設けられ、この仕切部材13
の単位面積当りの霧の通路面積が成膜室用ノズル３の中
央部より両側部が広くなっている。例えば、第３図で示
した成膜用ノズル３では、仕切部材13は、成膜用ノズル
３の中の霧の通路を中央部のみで遮蔽するよう設けられ
ている。また、第４図で示した成膜用ノズル３では、成
膜用ノズル３の全幅に亙って霧を通過させるための通孔
14、14…が多数開設された仕切部材13が設けられている
が、上記通孔14、14…が成膜用ノズル３の中央部より両
側部により多く開設されている。
た成膜用ノズル３の吐出口3aと霧化器１との間に、霧の
流れを規制する仕切部材13が設けられ、この仕切部材13
の単位面積当りの霧の通路面積が成膜室用ノズル３の中
央部より両側部が広くなっている。例えば、第３図で示
した成膜用ノズル３では、仕切部材13は、成膜用ノズル
３の中の霧の通路を中央部のみで遮蔽するよう設けられ
ている。また、第４図で示した成膜用ノズル３では、成
膜用ノズル３の全幅に亙って霧を通過させるための通孔
14、14…が多数開設された仕切部材13が設けられている
が、上記通孔14、14…が成膜用ノズル３の中央部より両
側部により多く開設されている。
次に、上記第１図と第２図で示す霧化薄膜形成装置によ
り、ガラス基板６上に透明導電膜として酸化錫膜を形成
し、膜厚の基板６の幅方向にわたる変化を測定した。こ
こでは成膜用ノズル３として第３図と第４図に示された
ものを用い、各々を使用した場合の測定結果を第７図の
（ａ）と（ｂ）に示した。この場合、基板６の両側の成
膜中に保持された部分で、霧の当たらないいわゆるみみ
の部分を除き、その間の有効成膜幅200mmの部分の膜厚
分布を示した。なお、原料溶液は、15％のSnCl4と200モ
ル％のNH4Fと５％のアルコールとの混合溶液を用い、こ
れを毎時１の割合で霧化し、毎分100lの空気と共に成
膜用ノズル３から成膜室４に放出した。また基板６は、
成膜室４を３分で通過するよう搬送した。
り、ガラス基板６上に透明導電膜として酸化錫膜を形成
し、膜厚の基板６の幅方向にわたる変化を測定した。こ
こでは成膜用ノズル３として第３図と第４図に示された
ものを用い、各々を使用した場合の測定結果を第７図の
（ａ）と（ｂ）に示した。この場合、基板６の両側の成
膜中に保持された部分で、霧の当たらないいわゆるみみ
の部分を除き、その間の有効成膜幅200mmの部分の膜厚
分布を示した。なお、原料溶液は、15％のSnCl4と200モ
ル％のNH4Fと５％のアルコールとの混合溶液を用い、こ
れを毎時１の割合で霧化し、毎分100lの空気と共に成
膜用ノズル３から成膜室４に放出した。また基板６は、
成膜室４を３分で通過するよう搬送した。
また、比較のため、第５図と第６図に示す従来の霧化薄
膜形成装置を用いて、上記各実施例と同じ条件で透明導
電膜を形成し、この基板６の幅方向の膜厚分布を第７図
（ｃ）に示した。
膜形成装置を用いて、上記各実施例と同じ条件で透明導
電膜を形成し、この基板６の幅方向の膜厚分布を第７図
（ｃ）に示した。
これらの結果、第１図と第２図で示された装置では、第
３図と第４図に示された成膜用ノズル３の何れを使用し
た場合でも、形成された透明導電膜の膜厚が基板６の中
央部の膜厚平均値に対して±５％の範囲の膜厚となった
のは、基板６の有効成膜幅の中央部約90％の部分であ
た。これに対し、第５図と第６図で示された装置では、
形成された透明導電膜の膜厚が基板６の中央部の膜厚平
均値に対して±５％の範囲の膜厚となったのは、僅か約
70％の部分であた。
３図と第４図に示された成膜用ノズル３の何れを使用し
た場合でも、形成された透明導電膜の膜厚が基板６の中
央部の膜厚平均値に対して±５％の範囲の膜厚となった
のは、基板６の有効成膜幅の中央部約90％の部分であ
た。これに対し、第５図と第６図で示された装置では、
形成された透明導電膜の膜厚が基板６の中央部の膜厚平
均値に対して±５％の範囲の膜厚となったのは、僅か約
70％の部分であた。
［考案の効果］ 以上説明した通り、本考案の装置によれば、基板６の幅
方向にわたる透明導電膜の膜厚分布を均一化することが
でき、これにより使用可能な透明導電膜の割合が大きく
なるため、生産性の向上を図ることができるという優れ
た効果が得られる。
方向にわたる透明導電膜の膜厚分布を均一化することが
でき、これにより使用可能な透明導電膜の割合が大きく
なるため、生産性の向上を図ることができるという優れ
た効果が得られる。
第１図は、本考案の各実施例を示す霧化薄膜形成装置の
概略縦断側面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ位置での断
面図、第３図と第４図は、成膜用ノズルの構造例を示す
一部切欠の斜視図、第５図は、従来例を示す霧化薄膜形
成装置の概略縦断側面図、第６図は、同従来例における
成膜用ノズルの構造例を示す第５図のＢ−Ｂ位置で切断
した斜視図、第７図（ａ）〜（ｃ）は、上記各装置にお
ける基板上の位置と形成された透明導電膜の膜厚との関
係の概略を示すグラフである。 １……霧化器、３……成膜用ノズル、3a……成膜用ノズ
ルの吐出口、４……成膜室、７……均熱板、８……ヒー
タ、13……仕切部材
概略縦断側面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ位置での断
面図、第３図と第４図は、成膜用ノズルの構造例を示す
一部切欠の斜視図、第５図は、従来例を示す霧化薄膜形
成装置の概略縦断側面図、第６図は、同従来例における
成膜用ノズルの構造例を示す第５図のＢ−Ｂ位置で切断
した斜視図、第７図（ａ）〜（ｃ）は、上記各装置にお
ける基板上の位置と形成された透明導電膜の膜厚との関
係の概略を示すグラフである。 １……霧化器、３……成膜用ノズル、3a……成膜用ノズ
ルの吐出口、４……成膜室、７……均熱板、８……ヒー
タ、13……仕切部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 加藤 光明 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)考案者 関口 幹夫 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−69961（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−69962（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】薄膜の原料溶液を霧化する霧化器１と、原
料溶液の霧の吐出口3aを上方に向けて開口させた成膜用
ノズル３と、同成膜用ノズル３の吐出口3aの上を通過す
るよう一方向に搬送される基板６を天面とする成膜室４
と、成膜室４にある上記基板６を加熱する手段とからな
る霧化薄膜形成装置において、上記成膜室４の幅方向に
沿って長く開口した成膜用ノズル３の吐出口3aと上記霧
化器１との間に、霧の流れを規制する仕切部材13が設け
られ、この仕切部材13の単位面積当りの霧の通路面積が
成膜用ノズル３の中央部より両側部が広いことを特徴と
する霧化薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7816089U JPH0648685Y2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7816089U JPH0648685Y2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316613U JPH0316613U (ja) | 1991-02-19 |
| JPH0648685Y2 true JPH0648685Y2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=31621184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7816089U Expired - Lifetime JPH0648685Y2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648685Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09209131A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH09228046A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-02 | Ricoh Co Ltd | 巻き取り式成膜装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4576370B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2010-11-04 | 三菱重工業株式会社 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP7816089U patent/JPH0648685Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09209131A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH09228046A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-02 | Ricoh Co Ltd | 巻き取り式成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316613U (ja) | 1991-02-19 |
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