JPH0461075B2 - - Google Patents
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- JPH0461075B2 JPH0461075B2 JP17049089A JP17049089A JPH0461075B2 JP H0461075 B2 JPH0461075 B2 JP H0461075B2 JP 17049089 A JP17049089 A JP 17049089A JP 17049089 A JP17049089 A JP 17049089A JP H0461075 B2 JPH0461075 B2 JP H0461075B2
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- film forming
- substrate
- forming chamber
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、霧化した原料溶液を、加熱された基
板に吹き付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置
に関し、特に基板の幅方向の膜厚のばらつきが小
さな透明導電膜を形成することができる装置に関
する。
板に吹き付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置
に関し、特に基板の幅方向の膜厚のばらつきが小
さな透明導電膜を形成することができる装置に関
する。
[従来の技術]
太陽電池、液晶表示装置、プラズマ表示装置等
に用いられる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジ
ウム錫の薄膜により形成される。この透明導電膜
は、霧化装置によつて生じた原料溶液の霧を、成
膜用ノズルから加熱された基板に向けて放出し、
加熱された基板上で反応、成膜させる。
に用いられる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジ
ウム錫の薄膜により形成される。この透明導電膜
は、霧化装置によつて生じた原料溶液の霧を、成
膜用ノズルから加熱された基板に向けて放出し、
加熱された基板上で反応、成膜させる。
この方法で透明導電膜を形成する場合に、従来
用いられている霧化薄膜形成装置の一例を、第7
図に基づいて説明する。
用いられている霧化薄膜形成装置の一例を、第7
図に基づいて説明する。
この霧化薄膜形成装置では、霧化器1によつて
原料溶液を霧化し、これを成膜用ノズル3のスリ
ツト状の吐出口3aから放出させる。成膜用ノズ
ル3の吐出口3aの上方には、成膜室4が設けら
れ、そこに霧化された原料溶液が漂う。上記基板
6は、その表面が上記成膜室4の天面を形成する
ように、成膜室4の上を順次連なりながら第7図
において、左から右へと保持されながら搬送され
る。この成膜室4で天面を形成する位置にある基
板6は、均熱板7を介して背後のヒーター8によ
つて所定の温度に加熱される。
原料溶液を霧化し、これを成膜用ノズル3のスリ
ツト状の吐出口3aから放出させる。成膜用ノズ
ル3の吐出口3aの上方には、成膜室4が設けら
れ、そこに霧化された原料溶液が漂う。上記基板
6は、その表面が上記成膜室4の天面を形成する
ように、成膜室4の上を順次連なりながら第7図
において、左から右へと保持されながら搬送され
る。この成膜室4で天面を形成する位置にある基
板6は、均熱板7を介して背後のヒーター8によ
つて所定の温度に加熱される。
この装置には、基板入口19側からガラス板等
の基板6を導入し、成膜室4を経て基板出口20
から導出されるよう順次搬送される。成膜室4で
は、成膜用ノズル3の先端が基板6の主面に近接
して設けられ、これから成膜室4に放出された霧
状の原料溶液は、排出口5に向けて緩やかに流
れ、その間に基板6の表面に接触する。そして、
基板6の表面で、溶液中の原料が空気中の酸素、
或いは原料溶液中の水分と反応し、上記基板6の
表面に酸化物の薄膜が形成される。また、基板6
の表面の成膜に寄与しなかつた霧は、排出口5か
ら排出される。
の基板6を導入し、成膜室4を経て基板出口20
から導出されるよう順次搬送される。成膜室4で
は、成膜用ノズル3の先端が基板6の主面に近接
して設けられ、これから成膜室4に放出された霧
状の原料溶液は、排出口5に向けて緩やかに流
れ、その間に基板6の表面に接触する。そして、
基板6の表面で、溶液中の原料が空気中の酸素、
或いは原料溶液中の水分と反応し、上記基板6の
表面に酸化物の薄膜が形成される。また、基板6
の表面の成膜に寄与しなかつた霧は、排出口5か
ら排出される。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記従来の装置でガラス板等の基板6
の表面に透明導電膜を形成した場合、第9図dで
示されたように、基板の中央部の透明導電膜の膜
厚が厚く、両側部の透明導電膜の膜厚がこれに比
べて極端に薄くなるという欠点があつた。これ
は、成膜室4の中を流れる霧は、成膜室4の側壁
の抵抗を受けて、特に成膜室4の後方部において
両側部での霧の単位流路断面積当りの流量が中央
部に比べて少なくなるためと考えられる。
の表面に透明導電膜を形成した場合、第9図dで
示されたように、基板の中央部の透明導電膜の膜
厚が厚く、両側部の透明導電膜の膜厚がこれに比
べて極端に薄くなるという欠点があつた。これ
は、成膜室4の中を流れる霧は、成膜室4の側壁
の抵抗を受けて、特に成膜室4の後方部において
両側部での霧の単位流路断面積当りの流量が中央
部に比べて少なくなるためと考えられる。
このような透明導電膜の膜厚の不均一状態が生
じると、基板6の両側に干渉縞が現れ、外観上好
ましくないばかりでなく、特に膜厚の薄い基板6
の両側部では、透明導電膜として必要な特性が得
られない。このため、膜厚の薄い基板6の両側部
分を除去して使用している。例えばこれまでは、
基板6の中央部の膜厚に対して±5%の膜厚の違
いが生じる両側の部分を除去して使用している
が、上記従来の装置でガラス基板上に酸化錫膜を
形成した場合に、この基準で除去されるのは、成
膜中に保持される基板6の両端の部分を除いた有
効成膜幅の約30%にも及ぶ。従つて、実際に使用
できるのは、基板6の有効成膜幅の約70%に過ぎ
ず、製品の歩留りが悪いという欠点があつた。
じると、基板6の両側に干渉縞が現れ、外観上好
ましくないばかりでなく、特に膜厚の薄い基板6
の両側部では、透明導電膜として必要な特性が得
られない。このため、膜厚の薄い基板6の両側部
分を除去して使用している。例えばこれまでは、
基板6の中央部の膜厚に対して±5%の膜厚の違
いが生じる両側の部分を除去して使用している
が、上記従来の装置でガラス基板上に酸化錫膜を
形成した場合に、この基準で除去されるのは、成
膜中に保持される基板6の両端の部分を除いた有
効成膜幅の約30%にも及ぶ。従つて、実際に使用
できるのは、基板6の有効成膜幅の約70%に過ぎ
ず、製品の歩留りが悪いという欠点があつた。
本発明の目的は、上記課題を解消することので
きる霧化薄膜形成装置を提供する事にある。
きる霧化薄膜形成装置を提供する事にある。
[課題を解消するための手段]
すなわち、上記目的を達成するための本発明に
よる手段の要旨は、薄膜の原料溶液を霧化する霧
化器1と、原料溶液の霧の吐出口3aを上方に向
けて開口させた成膜用ノズル3と、同成膜用ノズ
ル3の吐出口3aの上を通過するよう一方向に搬
送される基板6を天面とする成膜室4と、成膜室
4にある上記基板6を加熱する手段とからなる霧
化薄膜形成装置において、成膜室4の中に、成膜
室4の上部と両側部の少なくとも何れか一方にの
み霧の通路を限定する遮蔽部材13を設けた霧化
薄膜形成装置である。
よる手段の要旨は、薄膜の原料溶液を霧化する霧
化器1と、原料溶液の霧の吐出口3aを上方に向
けて開口させた成膜用ノズル3と、同成膜用ノズ
ル3の吐出口3aの上を通過するよう一方向に搬
送される基板6を天面とする成膜室4と、成膜室
4にある上記基板6を加熱する手段とからなる霧
化薄膜形成装置において、成膜室4の中に、成膜
室4の上部と両側部の少なくとも何れか一方にの
み霧の通路を限定する遮蔽部材13を設けた霧化
薄膜形成装置である。
[作用]
成膜用ノズル3から成膜室4に放出された霧
は、成膜室4の中を層流となつて排出口5側へ流
れていく。ここで、成膜室4の中に遮蔽部材13
を設けて、成膜室4の一部における霧の通路を上
部に限定した場合、ここで霧の通路が急に狭くな
るため、霧の流れが乱れ、中央部の霧が両側上部
へと逃げる。このため、霧の流量が比較的少なか
つた成膜室4の両側部にも或る程度の霧が回り込
む。また、霧の通路を成膜室の両側に限定した場
合は、成膜室4の中央を流れる霧が途中で停止さ
れて両側に回り込む。
は、成膜室4の中を層流となつて排出口5側へ流
れていく。ここで、成膜室4の中に遮蔽部材13
を設けて、成膜室4の一部における霧の通路を上
部に限定した場合、ここで霧の通路が急に狭くな
るため、霧の流れが乱れ、中央部の霧が両側上部
へと逃げる。このため、霧の流量が比較的少なか
つた成膜室4の両側部にも或る程度の霧が回り込
む。また、霧の通路を成膜室の両側に限定した場
合は、成膜室4の中央を流れる霧が途中で停止さ
れて両側に回り込む。
このため、成膜室4の遮蔽部材13より先で基
板6の両側部に霧が接触する機会が多くなり、成
膜される透明導電膜の膜厚が基板6の両側で厚く
なる。これにより、基板6の幅方向における透明
導電膜の膜厚が平均化される。
板6の両側部に霧が接触する機会が多くなり、成
膜される透明導電膜の膜厚が基板6の両側で厚く
なる。これにより、基板6の幅方向における透明
導電膜の膜厚が平均化される。
[実施例]
次に、第1図〜第6図を参照しながら、本発明
の実施例について具体的に説明する。
の実施例について具体的に説明する。
これら図面において、ガラス板等の基板6が両
側を保持された状態で図において左から右へと搬
送される。基板入口19から基板出口20に至る
基板6の搬送経路には、当該基板6を天面とし、
両側及び底面をフレーム11,12で囲まれたト
ンネル状の予備加熱室13、成膜室4及び基板搬
出室10が順次連続して形成されている。
側を保持された状態で図において左から右へと搬
送される。基板入口19から基板出口20に至る
基板6の搬送経路には、当該基板6を天面とし、
両側及び底面をフレーム11,12で囲まれたト
ンネル状の予備加熱室13、成膜室4及び基板搬
出室10が順次連続して形成されている。
薄膜形成用の原料溶液を霧化する霧化器1を
備え、この霧化器1の上方には上に向けて成膜用
ノズル3が延長して設けられ、この成膜用ノズル
3の上に上記成膜室4が配置されている。上記霧
化器1に於いて霧化された原料溶液の霧は、上記
ノズル3の吐出口3aから成膜室4の中に放出さ
れる。成膜室4の基板搬出室10寄り側には、排
気路5が形成され、基板6の表面の薄膜の成膜に
寄与しなかつた霧状の原料溶液がこの排気路5か
ら排出される。
備え、この霧化器1の上方には上に向けて成膜用
ノズル3が延長して設けられ、この成膜用ノズル
3の上に上記成膜室4が配置されている。上記霧
化器1に於いて霧化された原料溶液の霧は、上記
ノズル3の吐出口3aから成膜室4の中に放出さ
れる。成膜室4の基板搬出室10寄り側には、排
気路5が形成され、基板6の表面の薄膜の成膜に
寄与しなかつた霧状の原料溶液がこの排気路5か
ら排出される。
予備加熱室13、成膜室4及び基板搬出室10
において、搬送される基板6の上面側には熱伝導
良好な均熱板7が設けられ、さらにその背後にヒ
ーター8が設けられている。このヒーター8が発
熱することにより、上記均熱板7を介して基板6
が加熱される。
において、搬送される基板6の上面側には熱伝導
良好な均熱板7が設けられ、さらにその背後にヒ
ーター8が設けられている。このヒーター8が発
熱することにより、上記均熱板7を介して基板6
が加熱される。
本発明では、上記成膜室4の中に、その霧の通
路を上部及び両側部の少なくとも何れか一方に限
定するための遮蔽部材13を設ける。この遮蔽部
材13は、成膜室4の中央部と両側部との霧の流
量の差が大きくなる成膜室4の後方部に設けるの
がよい。上記遮蔽部材13とその配置の具体例を
図示の実施例により説明する。
路を上部及び両側部の少なくとも何れか一方に限
定するための遮蔽部材13を設ける。この遮蔽部
材13は、成膜室4の中央部と両側部との霧の流
量の差が大きくなる成膜室4の後方部に設けるの
がよい。上記遮蔽部材13とその配置の具体例を
図示の実施例により説明する。
まず、第1図と第2図に示された実施例では、
成膜室4の底面を形成するフレーム12の上に遮
蔽部材13が設置されており、この遮蔽部材13
は、成膜室4の全幅に亙つて形成されると共に、
上面が霧の流れる方向に順次段階的に高くなる階
段状のものからなつている。そして、各段の段差
の部分には、勾配が設けれている。この実施例で
は、遮蔽部材13の段差の部分で霧の流れが乱さ
れるため、単なる立方体形のものに比べて膜厚の
均一化の効果が大きい。
成膜室4の底面を形成するフレーム12の上に遮
蔽部材13が設置されており、この遮蔽部材13
は、成膜室4の全幅に亙つて形成されると共に、
上面が霧の流れる方向に順次段階的に高くなる階
段状のものからなつている。そして、各段の段差
の部分には、勾配が設けれている。この実施例で
は、遮蔽部材13の段差の部分で霧の流れが乱さ
れるため、単なる立方体形のものに比べて膜厚の
均一化の効果が大きい。
第3図と第4図で示された実施例では、成膜室
4の底面を形成するフレーム12の上に3つの遮
蔽部材13が或る程度の距離をおいて設置されて
おり、この遮蔽部材13は、何れも成膜室4の全
幅に亙つて形成されている。これら遮蔽部材13
の前面部分には、勾配が設けれている。この実施
例では、複数の遮蔽部材13で霧の流れが乱され
るため、遮蔽部材を1個所だけ置いたものに比べ
て膜厚の均一化の効果が大きい。
4の底面を形成するフレーム12の上に3つの遮
蔽部材13が或る程度の距離をおいて設置されて
おり、この遮蔽部材13は、何れも成膜室4の全
幅に亙つて形成されている。これら遮蔽部材13
の前面部分には、勾配が設けれている。この実施
例では、複数の遮蔽部材13で霧の流れが乱され
るため、遮蔽部材を1個所だけ置いたものに比べ
て膜厚の均一化の効果が大きい。
さらに、第5図と第6図で示された実施例で
は、成膜室4の底面を形成するフレーム12の上
に立方体形の遮蔽部材13が設置されており、こ
の遮蔽部材13の高さは、成膜室4の高さほぼ一
杯であるとともに、その幅は成膜室4の幅より狭
く、かつ成膜室4の中央部に設置されている。従
つて、この遮蔽部材13の所では、成膜室4の両
側部のみ霧の通路が開いている。
は、成膜室4の底面を形成するフレーム12の上
に立方体形の遮蔽部材13が設置されており、こ
の遮蔽部材13の高さは、成膜室4の高さほぼ一
杯であるとともに、その幅は成膜室4の幅より狭
く、かつ成膜室4の中央部に設置されている。従
つて、この遮蔽部材13の所では、成膜室4の両
側部のみ霧の通路が開いている。
上記の遮蔽部材13は、他の形状の遮蔽部材1
3と共に組み合わせて使用することもできる。
3と共に組み合わせて使用することもできる。
次に、上記第1図と第2図、第3図と第4図、
第5図と第6図に示された装置により、ガラス基
板6上に透明導電膜として酸化錫膜を形成し、膜
厚の基板6の幅方向にわたる変化を測定し、その
結果を第9図のa〜cに各々示した。この場合、
基板6の両側の成膜中に保持された部分で、霧の
当たらないいわゆるみみの部分は除き、その間の
有効成膜幅200mmの部分の膜厚分布を示した。な
お、原料溶液は、15%のSnCl4と200モル%の
NH4Fと5%のアルコールとの混合溶液を用い、
これを毎時1の割合で霧化し、毎分100の空
気と共に2つの成膜用ノズル3から各々の成膜室
4に放出した。また基板6は、成膜室4を3分で
通過するよう搬送した。
第5図と第6図に示された装置により、ガラス基
板6上に透明導電膜として酸化錫膜を形成し、膜
厚の基板6の幅方向にわたる変化を測定し、その
結果を第9図のa〜cに各々示した。この場合、
基板6の両側の成膜中に保持された部分で、霧の
当たらないいわゆるみみの部分は除き、その間の
有効成膜幅200mmの部分の膜厚分布を示した。な
お、原料溶液は、15%のSnCl4と200モル%の
NH4Fと5%のアルコールとの混合溶液を用い、
これを毎時1の割合で霧化し、毎分100の空
気と共に2つの成膜用ノズル3から各々の成膜室
4に放出した。また基板6は、成膜室4を3分で
通過するよう搬送した。
また、比較のため、成膜室4の遮蔽部材13を
置かない第7図と第8図に示す霧化薄膜形成装置
を用いて、上記各実施例と同じ条件で透明導電膜
を形成し、この基板6の幅方向の膜厚分布を第9
図dに示した。
置かない第7図と第8図に示す霧化薄膜形成装置
を用いて、上記各実施例と同じ条件で透明導電膜
を形成し、この基板6の幅方向の膜厚分布を第9
図dに示した。
これらの結果、第1図と第2図で示された装置
では、形成された透明導電膜の膜厚が基板6の中
央部の膜厚平均値に対して±5%の範囲の膜厚と
なつたのは、基板6の有効成膜幅の中央側の約90
%の部分であた。また、同じく第3図と第4図、
及び第5図と第6図で示された装置では、形成さ
れた透明導電膜の膜厚が基板6の中央部の膜厚平
均値に対して±5%の範囲の膜厚となつたのは、
各々約85%、80%の部分であた。これに対し、第
7図と第8図で示された装置では、形成された透
明導電膜の膜厚が基板6の中央部の膜厚平均値に
対して±5%の範囲の膜厚となつたのは、僅か約
70%の部分であた。
では、形成された透明導電膜の膜厚が基板6の中
央部の膜厚平均値に対して±5%の範囲の膜厚と
なつたのは、基板6の有効成膜幅の中央側の約90
%の部分であた。また、同じく第3図と第4図、
及び第5図と第6図で示された装置では、形成さ
れた透明導電膜の膜厚が基板6の中央部の膜厚平
均値に対して±5%の範囲の膜厚となつたのは、
各々約85%、80%の部分であた。これに対し、第
7図と第8図で示された装置では、形成された透
明導電膜の膜厚が基板6の中央部の膜厚平均値に
対して±5%の範囲の膜厚となつたのは、僅か約
70%の部分であた。
[発明の効果]
以上説明した通り、本発明の装置によれば、基
板6の幅方向にわたる透明導電膜の膜厚分布を均
一化することができ、これにより使用可能な透明
導電膜の割合が大きくなるため、生産性の向上を
図ることができるという優れた効果が得られる。
板6の幅方向にわたる透明導電膜の膜厚分布を均
一化することができ、これにより使用可能な透明
導電膜の割合が大きくなるため、生産性の向上を
図ることができるという優れた効果が得られる。
第1図は、本発明の各実施例を示す霧化薄膜形
成装置の概略縦断側面図、第2図は、第1図のA
−A線断面図、第3図は、本発明の各実施例を示
す霧化薄膜形成装置の概略縦断側面図、第4図
は、第3図のB−B線断面図、第5図は、本発明
の各実施例を示す霧化薄膜形成装置の概略縦断側
面図、第6図は、第5図のC−C線断面図、第7
図は、従来例を示す霧化薄膜形成装置の概略縦断
側面図、第8図は、第7図のD−D線断面図、第
9図a〜dは、上記各装置における基板上の位置
と形成された透明導電膜の膜厚との関係の概略を
示すグラフである。 1……霧化器、3……成膜用ノズル、3a……
成膜用ノズルの吐出口、4……成膜室、7……均
熱板、8……ヒータ、13……遮蔽部材。
成装置の概略縦断側面図、第2図は、第1図のA
−A線断面図、第3図は、本発明の各実施例を示
す霧化薄膜形成装置の概略縦断側面図、第4図
は、第3図のB−B線断面図、第5図は、本発明
の各実施例を示す霧化薄膜形成装置の概略縦断側
面図、第6図は、第5図のC−C線断面図、第7
図は、従来例を示す霧化薄膜形成装置の概略縦断
側面図、第8図は、第7図のD−D線断面図、第
9図a〜dは、上記各装置における基板上の位置
と形成された透明導電膜の膜厚との関係の概略を
示すグラフである。 1……霧化器、3……成膜用ノズル、3a……
成膜用ノズルの吐出口、4……成膜室、7……均
熱板、8……ヒータ、13……遮蔽部材。
Claims (1)
- 1 薄膜の原料溶液を霧化する霧化器1と、原料
溶液の霧の吐出口3aを上方に向けて開口させた
成膜用ノズル3と、同成膜用ノズル3の吐出口3
aの上を通過するよう一方向に搬送される基板6
を天面とする成膜室4と、成膜室4にある上記基
板6を加熱する手段とからなる霧化薄膜形成装置
において、成膜室4の中に、成膜室4の上部と両
側部の少なくとも何れか一方にのみ霧の通路を限
定する遮蔽部材13を設けたことを特徴とする霧
化薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17049089A JPH0336277A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17049089A JPH0336277A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0336277A JPH0336277A (ja) | 1991-02-15 |
JPH0461075B2 true JPH0461075B2 (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=15905929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17049089A Granted JPH0336277A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0336277A (ja) |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP17049089A patent/JPH0336277A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0336277A (ja) | 1991-02-15 |
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