JPH0336276A

JPH0336276A - 霧化薄膜形成装置

Info

Publication number: JPH0336276A
Application number: JP1170489A
Authority: JP
Inventors: Mizuho Imai; 今井　瑞穂; Mikio Sekiguchi; 幹夫関口; Hideyo Iida; 英世飯田
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1989-06-30
Filing date: 1989-06-30
Publication date: 1991-02-15
Also published as: JPH055898B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】０産業上の利用分ｉ１．ｌＦコ本発明は、霧化した原料溶液を、加熱された基板に吹き
付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置に関し、特に予
め樹脂成分を含む膜がパターニングされた基板」二に透
明導電膜を形成する装置に関する。

［従来の技術］太陽電池、液晶表示装置、プラズマ表示装置等に用いら
れる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジウム錫の薄膜に
より形成される。この透明導電膜は、霧化装置（こよっ
て生じた原料溶液の霧を、成膜用ノズルから加熱された
基板に向けて放出し、加熱された基板上で反応、酸膜さ
せる。この際、所定のパターンにパターニングされる。

霧化装置により形成される透明導電膜をパターニングす
る方法は幾つか実施されているが、その代表的な一法と
してリフトオフ法が実施されている。この方法は、ガラ
ス板等の基板上にマスク用ペーストをネガティブパター
ンに従ってスクリーン印刷した後、基板を加熱して上記
マスク用ペーストのバインダー成分を気化或は焼去し、
続いて上記のようにして透明導電膜を形成する。上記マ
スク用ペーストは、例えば、炭酸カルシウム、炭酸バリ
ウム、アルミナ等の無機物と、エチルセルロース、メチ
ルセルロース等の樹脂成分、プチルカリビト−ル、酢酸
ブチル等の高沸点溶剤を含む。

この方法で透明導電膜を形成する場合に、従来用いられ
ている霧化薄膜形成装置近の一例を、第３図に基づいて
説明する。

この霧化薄膜形成装置では、霧化器１によって原料溶液
を霧化し、これを成膜用ノズル３のスリット状の吐出口
３ａから放出させる。成膜用ノズル３の吐出口３ａの上
方には、成１挨室４が設けられ、そこに霧化された原料
溶液が漂う。

上記基板６は、その表面が上記成膜室４の天面を形成す
るよう、成膜室４の上を順次連なりながら第３図におい
て、左から右へと保持されながら搬送される。さらに、
上記成膜室４より手前、つまり第３図において成膜室４
の左側に予備加熱室９が形成されている。この予備加熱
室９から上記成膜室４にわたる位置で天面を形成する位
置にある基＠６は、均熱板７を介して背後のヒーター８
によって所定の温度に加熱される。

この装置には、上記予備加熱室９１’ＴＩ！Ｉから予め
マスク用ペーストを印刷したガラス板等の基板６を導入
し、基板人口１９から予備加熱室９を経て成膜室４を通
過し、基板出口２０から導出されるよう１００次搬送さ
れる。予４１１ｉ加熱室９では、基板６が加熱され、印
刷されたマスク用ペーストの樹脂成分や溶剤が熱（こよ
り分解、蒸発される。

続いて成膜室４では、成膜用ノズル３の先端が基板６の
主面に近接して設けられ、これから成膜室４に放ＬＬｌ
された霧状の原料溶液が基板６０表面に接触する。そう
すると、系板６の表面で、溶？（ｋ中の原料が空気中の
酸素、或いは原料溶液中の水分と反応し、上記基板６の
表面ζこ酸化物の薄膜が形成される。

そして、基板６を基板出口２０から取り出した後、マス
クパターンを除去することにより、所定のパターンの透
明導電膜が残る。

［発明が解決しようとする課題］しかし、上記従来の装置を用いてパターン化された透明
導電膜を形成する場合、マスク用ペーストの樹脂成分や
溶剤を除去する工程と、霧？こより透明導電膜を形成す
る工程とが、はぼ連続したｌ・ンネル状の予備加熱室９
と成膜室４とで連続して行なわれるため、予備加熱室９
で分量１、蒸発した樹脂成分や溶剤の気化ガスが成膜室
４の中に流入する。すると、これが原料溶液の霧に混じ
ることから、形成された透明導電膜に不純物が多く含ま
れるようになる。その結果、形成された透明導電１慢の
抵抗ｆ直が高くなる等の持性の低下を招くという課題が
あった。

本発明の目的は、上記課題を＋ｉｉ’泪することのでき
る霧化薄膜形成袋にｔを提伏する串にある。

［課題をＪｔＷ消するための手段］すなわち、上記目的を達成するための本発明による手段
の要旨は、薄膜の原料溶液を霧化する霧化器１と、原料
溶液の霧の吐出口３ａを上方に向けて開口させた成膜用
ノズル３と、同戚ｊ摸用ノズル３の吐出口３ａの」二を
通過するよう一方向に搬送される基板６を天面とする成
膜室４と、同成膜室４より基板の搬送方向に対して手前
に配置された上記基板６を天面どする予備加熱室９と、
少なくとも上記予備加熱室９から成膜室４に亙って上記
基板６を加熱する手段とからなる霧化薄膜形成装置にお
いて、予備加熱室９と成膜室４との間にその部分の空間
を基板６が通過するに必要最小限の間隙に規制する仕切
部４，１’　１４を設け、上記予備加熱室９を−［１記
仕切部材１４側で一部通じる上下のｉＪｌ！ｉ路１６、
Ｉ７に区分し、下側の通１１ａ１７の基板人口１９側に
空気通路１８を接続してなる霧化薄膜形成装置である。

［作　　　用］Ｇ上記本発明による霧化薄膜形成装置では、予備加熱室９
と成膜室４との間が、基板６が１ｉＴＩ過するに必要最
小限の間隙に規制する仕切部材１４で仕切られているの
で、予備加熱室９で発生した（・Ｍ周成分や溶剤の気化
ガスが成膜室４に流入するのが阻止される。加えて、上
記予Ｄ１１１加熱室９を上記仕切部祠１４側で一部通じ
る上下の通路１６．１７に区分し、下ｆｌｔ！Ｉの通路
１７に空気通路１８を接続しているので、温度の低い外
気が空気ｉＩＴ回路１８から下ｆｌｌ！ｌの通路Ｉ６を
経て、比較的温度の高い上０１すの通路１７へと入り、
上側の通路１７から外部へ流出するという空気の対流れ
が形成される。このため、予備加熱室９で発生した樹脂
成分や溶剤の気化ガスが上記成膜室４に流れ込むことな
く強制的にＦＪ＋除される。

［実　　施　　例コ次に、第１図と第２図を参照しながら、本発１月の実施
例について具体的に説明する。

ガラス板等の基板６が両１１１１１を保持された秋態で
第３図において左から右へと搬送される。基板入口１９
から基板出口２０に至る基板６の搬送経路には、当該基
板６を天面とし、両側及び底面をフレー、、！、１Ｌ１
２で囲まれたｌ・ンネル状の予備加熱室９、成膜室４及
び基板搬出室１０が順次連続して形成されている。

薄膜形成用の原料溶液を霧化する霧化器１を備え、この
霧化器１の上方には上に向けて、成膜用ノズル３が延長
して設けられ、この成１摸用ノズル３の上に上記成膜室
４カ同己置されている。

上記霧化器１に於いて霧化された原料溶液の霧は、上記
ノズル３の吐出口３ａから成膜室４の中に放出される。

成膜室４の基板搬出室１０寄り側には、排気路５が形成
され、基板６の表面の薄膜の成膜に寄与しなかった霧状
の原料溶液がこのＪｕｌ気略５からｆｕｌｌ’出される
。

手心１１１加熱室９、成膜室４及び基板題出室１０にお
いて、搬送される基板６の上面側には熱伝導良好な均熱
板７が設けられ、さらにその背後にヒーター８が設けら
れている。このｌニーター８が発熱することにより、上
記均熱板７を介し一〇− て基板６が加熱される。

上記予４１ｉｉ加熱室９と成膜室４との間に仕切部材１
４が設けられ、ここで基板６の下面ＩＩ＋の間隙１３が
同基板６が通過するに必要最小限の間隙に規制されてい
る。さらに、予備加熱室９の中には同加熱室９を上下の
室１７．１６に仕切る仕切板１５が押入されている。こ
の仕切板１５は上記仕切部桐１４の手前まで導入され、
予備加熱室９において上下に仕切られた室１７．１６は
予備加熱室９の奥で通じている。さらに、下の室１６は
、基板人口１９ｆｌｌすにおいて空気通路１８と接続さ
れている。

既に述べたように、上記予備加熱室９では、上下の室１
７．１８の温度差により、空気通路工８から下の室１６
及び」二の室１７を経て基板入口１９に至る対流が生じ
、これによって予備加熱室９の中で発生したガスが同加
熱室９からｔｅｌ“出される。この場合において、上記
基板人口１８に、上の室１７に通じる煙突状の排気口を
形成すると上記対流が一層助長される。

９− なお、上記の実施例では、予備加熱室９で発生したガス
が対流のみにより拙：気される場合を示したが、例えば
、空気ｉｉＴ＋ｆ８１８側から予備加熱室９の中のガス
を吸引する手段を設置して、適宜強制的に吸引排気する
こともできる。

［発明の効果コ以上説明した通り、本発明の装置によれば、成膜室４に
予備加熱室９で発生したマスク用ペーストに含まれる樹
脂成分や溶剤の気化ガスが浸入して、透明導電膜を形成
する原料溶液の霧に混入しないため、特性の良好な薄膜
を成膜出来るという優れた効果が得られる。

４、図面の簡、ｉ、ｌｉな説明第１図は、本発明の実施例を示す霧化薄膜形成装置の（
僅略縦断側面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線拡大断面
図図、第３図は、従来例を示す霧化薄膜形成装置の概略
縦断側面図、第４図は、第３図のＢ−Ｂ線拡大断面図で
ある。

１・・・霧化器　３・・・成膜用ノズル　３ａ・・・成
膜用ノズルの吐出口　４・・・成膜室　７・・・均熱板
　８１０・・・ヒータ　９・・・予（ｉｌｌｊ；！ｌ［＋熱室　
　１３・・・予備加無室と成膜室との間の間隙　１４・
・・仕切部材１Ｂ、１７・・・予備加熱室の上下の室　
１８・・・空気通路　１９・・・乱板入口

Claims

【特許請求の範囲】

　薄膜の原料溶液を霧化する霧化器１と、原料溶液の霧
の吐出口３ａを上方に向けて開口させた成膜用ノズル３
と、同成膜用ノズル３の吐出口３ａの上を通過するよう
一方向に搬送される基板６を天面とする成膜室４と、同
成膜室４より基板の搬送方向に対して手前に配置された
上記基板６を天面とする予備加熱室９と、少なくとも上
記予備加熱室９から成膜室４に亙って上記基板６を加熱
する手段とからなる霧化薄膜形成装置において、予備加
熱室９と成膜室４との間にその部分の空間を基板６が通
過するに必要最小限の間隙に規制する仕切部材１４を設
け、上記予備加熱室９を上記仕切部材１４側で一部通じ
る上下の通路１６、１７に区分し、下側の通路１７の基
板入口１９側に空気通路１８を接続してなることを特徴
とする霧化薄膜形成装置。