CN111124176B - 一种触控面板制程方法及触控面板 - Google Patents

一种触控面板制程方法及触控面板 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供一种触控面板的制程方法，该制程方法包括：提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面；在所述第一面设置触控电极；在所述触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层，所述保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂；在所述保护层外侧照射第一紫外光以降低所述保护层材料分解温度；对所述玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤以去除所述保护层材料。本发明专利与传统制程方法相比，可有效避免破片及腐蚀等风险，提升产品良率及品质。

Description

一种触控面板制程方法及触控面板
技术领域
本申请涉及触控显示技术领域，具体涉及一种触控面板制程方法及触控面板。
背景技术
触控显示技术可根据触控结构在显示器件中的位置分为内嵌式(in Cell)及外挂式(on Cell)两大类。传统外挂式触控结构(Touch on cell)制程方法在触控单元制作完成后偏贴偏光片前，需要通过湿式制程再加工进行保护层材料的去除。常用保护层材料再加工去除液一般为碱性溶液，对玻璃及元件封胶等材料都有一定的腐蚀性，因而传统的保护层材料再加工去除法，不可避免地会对触控单元产生一些损害。
发明内容
本申请实施例提供一种触控面板制程方法，能够简化制程并有效避免对触控单元造成损害。
本申请提供一种制程方法，包括：
提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面设置触控电极；
在所述触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层，所述保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂；
在所述保护层外侧照射第一紫外光以降低所述保护层材料分解温度；
对所述玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤以去除所述保护层材料，其中，所述烘烤温度为100℃至140℃，所述烘烤时间为60分钟至120分钟。
在一些实施例中，所述在所述触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层之后，包括：
在所述玻璃基板的第二面设置有透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上设置有对位标记并喷涂绝缘层；
根据所述对位标记使得所述玻璃基板与阵列基板进行对位；
在所述阵列基板与所述绝缘层之间灌注液晶并通过密封胶框密封。
在一些实施例中，所述在所述玻璃基板的第二面设置有透明导电薄膜，包括：
通过物理气相沉积的方式将透明导电薄膜溅射在所述玻璃基板的第二面，所述透明导电薄膜的厚度为1000A至1500A。
在一些实施例中，所述在所述保护层外侧照射第一紫外光以降低所述保护层材料分解温度之后，包括：
通过第二紫外光照射所述液晶以形成聚合物稳定垂直排列液晶，所述第二紫外光的波长为313nm至365nm，所述第二紫外光总积光量为4000mj以上。
在一些实施例中，所述在所述透明导电薄膜上设置有对位标记，包括：通过镭射激光的方式形成所述对位标记。
在一些实施例中，所述第一紫外光波长为350nm至380nm，所述第一紫外光总积光量为3000mj以上。
在一些实施例中，所述在所述触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层之后，包括：
在所述玻璃基板的第二面设置有对位标记并喷涂绝缘层；
对所述绝缘层进行摩擦以实现液晶的配向；
根据所述对位标记使得所述玻璃基板与阵列基板进行对位；
在所述阵列基板与所述绝缘层之间灌注液晶并通过密封胶框密封。
本申请提供一种触控面板，包括：
玻璃基板，所述玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面；
触控电极，所述触控电极设置在所述第一面上；
保护层，所述保护层设置在所述触控电极上，所述保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂，所述保护层的材料在紫外光照射后分解温度降低，在紫外光照射后对所述玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤以去除所述保护层材料，其中，所述烘烤温度为100℃至140℃，所述烘烤时间为60分钟至120分钟。
在一些实施例中，所述的触控面板还包括阵列基板，所述阵列基板设置在所述第二面，所述阵列基板与所述玻璃基板之间设置有液晶，所述阵列基板包括玻璃衬底、彩色滤光片以及像素电极，所述玻璃衬底具有第一表面和第二表面，所述彩色滤光片设置在所述第一表面，所述像素电极设置在所述彩色滤光片远离所述第二表面的一侧。
本申请实施例所提供的触控面板制程方法，包括：提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面；在所述第一面设置触控电极；在所述触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层，所述保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂；在所述保护层外侧照射第一紫外光以降低所述保护层材料分解温度；对所述玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤以去除所述保护层材料。本发明中保护层所用材料在紫外光照射后会降低其分解温度，因此无需进行传统制程方法中的保护层湿式去除制程，从而可有效避免去除时发生的破片及腐蚀等风险，提升产品良率及品质。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的触控面板制程方法的一种流程示意图。
图2为本申请实施例提供的触控面板制程方法的另一种流程示意图。
图3为本申请实施例提供的触控面板制程方法的又一种流程示意图。
图4为本申请实施例提供的触控面板的一种结构示意图。
图5为本申请实施例提供的触控面板的另一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种触控面板的制程方法，以下对触控面板制程方法做详细介绍。请参阅图1，图1是本申请实施例中的触控面板制程方法的一种流程示意图。
101提供一玻璃基板，玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面。
其中，第一面可以为玻璃基板的上表面，第二面可以为玻璃基板的下表面。当然，第一面也可以为玻璃基板的下表面，第二面可以为玻璃基板的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下，默认为第一面为玻璃基板的上表面，第二面为玻璃基板的下表面。
102在第一面设置触控电极。
其中，通过成膜、黄光、蚀刻等制程在玻璃基板上设置触控电极。其中，成膜可以是高温成膜或低温成膜。
黄光是指将硅片等晶片进行涂胶、软烘、曝光、显影、硬烤，使其光刻出一定图形的工艺；蚀刻是指将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。
103在触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层。
其中，保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂。其中，树脂可以是聚甲基乙撑碳酸酯(Poly(propylene carbonate),PPC)。
光酸产生剂(Photo Acid Generator,PAG)是一种光敏感的化合物，在光照下分解产生酸(H+)。
其中，该保护层材料未经紫外光照射时，在温度大于150℃时才开始分解，到200℃至300℃分解完全。经紫外光照射处理后，混合树脂体系在温度大于50℃时即可发生分解，到80℃至120℃时即完全分解。
其中，采用狭缝式涂布机(slit coater)涂布一层保护层材料，并经过真空干燥(Vacuum Constriction Device,VCD)、热烘烤等制程完全去除溶剂，形成一层保护层。其中，热烘烤的温度为100℃至150℃，进一步地，热烘烤的温度可以为100℃、115℃、120℃、135℃或150℃。
狭缝式涂布，是一种在一定压力下，将涂液沿着模具缝隙压出并转移到移动基材上的一种涂布技术。
104在保护层外侧照射第一紫外光以降低所述保护层材料分解温度。
其中，第一紫外光波长为350nm至380nm，第一紫外光总积光量为3000mj以上。
进一步地，第一紫外光波长可以为350nm、365nm、370nm或380nm，第一紫外光总积光量可以为3000mj、4000mj、4500mj、5000mj或7000mj。
其中，紫外光的照射可以使保护层材料中的光酸产生剂产生氢离子，并与树脂发生化学反应，从而降低保护层材料的分解温度。
105对玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤。
其中，烘烤温度为100℃至140℃，烘烤时间为60分钟至120分钟。
进一步地，烘烤温度可以为100℃、110℃、120℃、130℃以及140℃，烘烤时间可以为60分钟、80分钟、100分钟或120分钟。
其中，烘烤可以使保护层材料分解为气体从而完全去除。
本申请提供的触控面板制程方法利用保护层材料经紫外光照射后降低其分解温度的特性，通过紫外光照射再烘烤去除保护层材料，避免了传统制程方法通过湿式制程再加工进行保护层材料的去除发生的破片及腐蚀等风险，提升产品良率及品质；并且简化了触控面板的制程方法，可以降低成本，提升产能。
请参阅图2，图2是本申请实施例中的触控面板制程方法的另一种流程示意图。
201提供一玻璃基板，玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面。
202在第一面设置触控电极。
其中，通过成膜、黄光、蚀刻等制程在玻璃基板上设置触控电极。其中，成膜可以是高温成膜或低温成膜。
203在触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层。
其中，保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂。其中，树脂可以是聚甲基乙撑碳酸酯(Poly(propylene carbonate),PPC)。
其中，该保护层材料未经紫外光照射时，在温度大于150℃时才开始分解，到200℃至300℃分解完全。经紫外光照射处理后，混合树脂体系在温度大于50℃时即可发生分解，到80℃至120℃时即完全分解。
其中，采用狭缝式涂布机涂布一层保护层材料，并经过VCD真空干燥、热烘烤等制程完全去除溶剂，形成一层保护层。其中，热烘烤的温度为100℃至150℃。
204在所述玻璃基板的第二面设置有透明导电薄膜。
其中，通过物理气相沉积的方式将透明导电薄膜溅射在玻璃基板的第二面，透明导电薄膜的厚度为1000A至1500A。透明导电薄膜(ITO)可用作彩色滤光片(Color filter,CF)侧公共电极(Com电极)。在溅射ITO的过程中，因为有保护层的存在，触控电极不会因为制程中的刮蹭而受到损伤。
物理气相沉积(Physical Vapour Deposition,PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
205在所述透明导电薄膜上设置有对位标记并喷涂绝缘层。
其中，通过镭射激光的方式形成对位标记。镭射激光对位具有高准确度、高敏感度和高识别能力，适用于对大多数材质的膜层进行对位标记。
其中，绝缘层的材料可以是聚酰亚胺、聚酰胺、聚双马来酰亚胺以及聚醚亚胺，包含但不局限于以上几种材料，在此不再赘述。
206根据所述对位标记使得所述玻璃基板与阵列基板进行对位。
其中，阵列基板设置在第二面，阵列基板包括玻璃衬底、彩色滤光片以及像素电极，玻璃衬底具有第一表面和第二表面，彩色滤光片设置在所述第一表面，像素电极设置在所述彩色滤光片远离所述第一表面的一侧。
207在阵列基板与绝缘层之间灌注液晶并通过密封胶框密封。
208在保护层外侧照射第一紫外光。
其中，第一紫外光波长为350nm至380nm，第一紫外光总积光量为3000mj以上。
进一步地，第一紫外光波长可以为350nm、365nm、370nm或380nm，第一紫外光总积光量可以为3000mj、4000mj、4500mj、5000mj或7000mj。
其中，紫外光的照射可以使保护层材料中的光酸产生剂产生氢离子，并与树脂发生化学反应，从而降低保护层材料的分解温度；紫外光照射还可以对框胶进行光固化。
209通过第二紫外光照射所述液晶以形成聚合物稳定垂直排列液晶(PolymerStabilized Vertically Aligned,PSVA)。
其中，第二紫外光的波长为313nm至365nm，第二紫外光总积光量为4000mj以上。
进一步地，第二紫外光的波长可以为313nm、325nm、350nm、365nm，第二紫外光总积光量可以为4000mj、4500mj或5000mj。
210对所述玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤。
其中，烘烤温度为100℃至140℃，烘烤时间为60分钟至120分钟。
进一步地，烘烤温度可以为100℃、110℃、120℃、130℃以及140℃，烘烤时间可以为60分钟、80分钟、100分钟或120分钟。
其中，烘烤可以使保护层材料分解为气体从而完全去除；烘烤还可以对框胶进行热固化。
请参阅图3，图3是本申请实施例中的触控面板制程方法的又一种流程示意图。
301提供一玻璃基板，玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面。
302在第一面设置触控电极。
其中，通过成膜、黄光、蚀刻等制程在玻璃基板上设置触控电极。其中，成膜可以是高温成膜或低温成膜。
303在触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层，保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂。其中，树脂可以是聚甲基乙撑碳酸酯(Poly(propylene carbonate),PPC)。
其中，该保护层材料未经紫外光照射时，在温度大于150℃时才开始分解，到200℃至300℃分解完全。经紫外光照射处理后，混合树脂体系在温度大于50℃时即可发生分解，到80℃至120℃时即完全分解。
其中，采用狭缝式涂布机涂布一层保护层材料，并经过VCD真空干燥、热烘烤等制程完全去除溶剂，形成一层保护层。其中，热烘烤的温度为100℃至150℃。
304在所述玻璃基板的第二面设置有对位标记并喷涂绝缘层。
其中，通过镭射激光的方式形成对位标记。
其中，绝缘层的材料可以是聚酰亚胺。
305对所述绝缘层进行摩擦以实现液晶的配向。
306根据所述对位标记使得所述玻璃基板与阵列基板进行对位。
其中，阵列基板设置在第二面，阵列基板包括玻璃衬底、彩色滤光片以及像素电极，玻璃衬底具有第一表面和第二表面，彩色滤光片设置在所述第一表面，像素电极设置在所述彩色滤光片远离所述第一表面的一侧。
307在阵列基板与绝缘层之间灌注液晶并通过密封胶框密封。
308在保护层外侧照射第一紫外光以降低所述保护层材料分解温度。
其中，第一紫外光波长为350nm至380nm，第一紫外光总积光量为3000mj以上。
进一步地，第一紫外光波长可以为350nm、365nm、370nm或380nm，第一紫外光总积光量可以为3000mj、4000mj、4500mj、5000mj或7000mj。
其中，紫外光的照射可以使保护层材料中的光酸产生剂产生氢离子，并与树脂发生化学反应，从而降低保护层材料的分解温度；紫外光照射还可以对框胶进行光固化。
309对所述玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤以去除所述保护层材料。
其中，烘烤温度为100℃至140℃，烘烤时间为60分钟至120分钟。
进一步地，烘烤温度可以为100℃、110℃、120℃、130℃以及140℃，烘烤时间可以为60分钟、80分钟、100分钟或120分钟。
其中，烘烤可以使保护层材料分解为气体从而完全去除；烘烤还可以对框胶进行热固化。
本申请实施例提供一种触控面板100，以下对触控面板100做详细介绍。请参阅图4，图4是本申请实施例中的触控面板100的一种结构示意图。其中，触控面板包括玻璃基板11、触控电极12以及保护层13。玻璃基板11包括相对设置的第一面11a和第二面11b，触控电极12设置在所述第一面11a上，保护层13设置在触控电极上，保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂，保护层的材料在紫外光照射后分解温度降低。
请参阅图5，图5是本申请实施例中的触控面板100的另一种结构示意图。
其中，本申请实施例中的触控面板与上述实施例的触控面板的区别在于，本申请实施例中的触控面板还包括阵列基板，阵列基板设置在所述第二面11b，包括玻璃衬底14、彩色滤光片15以及像素电极16。液晶17设置在阵列基板与绝缘层之间并通过密封胶框18密封，玻璃衬底14具有第一表面14a和第二表面14b，彩色滤光片15设置在所述第一表面14a，像素电极16设置在所述彩色滤光片远离所述第一表面14a的一侧。
其中，第一面11a可以为玻璃基板的上表面，第二面11b可以为玻璃基板的下表面。当然，第一面11a也可以为玻璃基板的下表面，第二面11b可以为玻璃基板的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下，默认为第一面11a为玻璃基板的上表面，第二面11b为玻璃基板的下表面。第一表面14a与第二表面14b也同理，在此不再赘述。
本实施例提供的触控面板采用的保护层材料在紫外光照射处理后分解温度降低，可以在光固化过程中同时对保护层材料进行紫外光照射，再进行高温烘烤，热固化框胶的同时可以去除保护层材料。该结构可以简化触控面板制程，提高生产效率和良品率。
以上对本申请实施例提供的触控面板制程方法及触控面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种触控面板的制程方法，其特征在于，包括：
提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面设置触控电极；
在所述触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层，所述保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂；
在所述保护层外侧照射第一紫外光以降低所述保护层材料分解温度；
对所述玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤以去除所述保护层材料，其中，烘烤温度为100℃至140℃，烘烤时间为60分钟至120分钟。
2.根据权利要求1所述的触控面板的制程方法，其特征在于，所述在所述触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层之后，包括：
在所述玻璃基板的第二面设置有透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上设置有对位标记并喷涂绝缘层；
根据所述对位标记使得所述玻璃基板与阵列基板进行对位；
在所述阵列基板与所述绝缘层之间灌注液晶并通过密封胶框密封。
3.根据权利要求2所述的触控面板的制程方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板的第二面设置有透明导电薄膜，包括：
通过物理气相沉积的方式将透明导电薄膜溅射在所述玻璃基板的第二面，所述透明导电薄膜的厚度为1000A至1500A。
4.根据权利要求2所述的触控面板的制程方法，其特征在于，所述在所述保护层外侧照射第一紫外光以降低所述保护层材料分解温度之后，包括：
通过第二紫外光照射所述液晶以形成聚合物稳定垂直排列液晶，所述第二紫外光的波长为313nm至365nm，所述第二紫外光总积光量为4000mj以上。
5.根据权利要求2所述的触控面板的制程方法，其特征在于，所述在所述透明导电薄膜上设置有对位标记，包括：
通过镭射激光的方式形成所述对位标记。
6.根据权利要求1所述的触控面板的制程方法，其特征在于，所述第一紫外光波长为350nm至380nm，所述第一紫外光总积光量为3000mj以上。
7.根据权利要求1所述的触控面板的制程方法，其特征在于，所述在所述触控电极远离所述玻璃基板的一侧设置一层保护层之后，包括：
在所述玻璃基板的第二面设置有对位标记并喷涂绝缘层；
对所述绝缘层进行摩擦以实现液晶的配向；
根据所述对位标记使得所述玻璃基板与阵列基板进行对位；
在所述阵列基板与所述绝缘层之间灌注液晶并通过密封胶框密封。
8.一种触控面板，其特征在于，包括：
玻璃基板，所述玻璃基板包括相对设置的第一面和第二面；
触控电极，所述触控电极设置在所述第一面上；
保护层，所述保护层设置在所述触控电极上，所述保护层的材料包括：树脂、光酸产生剂、溶剂、添加剂以及表面活性剂，所述保护层的材料在紫外光照射后分解温度降低，在紫外光照射后对所述玻璃基板、触控电极以及保护层材料进行烘烤以去除所述保护层材料，其中，烘烤温度为100℃至140℃，烘烤时间为60分钟至120分钟。
9.根据权利要求8所述的触控面板，其特征在于，还包括阵列基板，所述阵列基板设置在所述第二面，所述阵列基板与所述玻璃基板之间设置有液晶，所述阵列基板包括玻璃衬底、彩色滤光片以及像素电极，所述玻璃衬底具有第一表面和第二表面，所述彩色滤光片设置在所述第一表面，所述像素电极设置在所述彩色滤光片远离所述第二表面的一侧。
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