SU1763521A1 - Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений - Google Patents

Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений Download PDF

Info

Publication number
SU1763521A1
SU1763521A1 SU904882932A SU4882932A SU1763521A1 SU 1763521 A1 SU1763521 A1 SU 1763521A1 SU 904882932 A SU904882932 A SU 904882932A SU 4882932 A SU4882932 A SU 4882932A SU 1763521 A1 SU1763521 A1 SU 1763521A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
evaporator
trap
ratio
cross
evaporation
Prior art date
Application number
SU904882932A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Львович Друзь
Юрий Николаевич Евтухов
Original Assignee
Институт Полупроводников Ан Усср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Полупроводников Ан Усср filed Critical Институт Полупроводников Ан Усср
Priority to SU904882932A priority Critical patent/SU1763521A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1763521A1 publication Critical patent/SU1763521A1/ru

Links

Landscapes

  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract

Использование: Электронна  техника, а именно конструкции испарителей, используемых при получении пленочных полупроводниковых материалов из хелатных металлоорганических соединений (МОС). Сущность изобретени : в испарителе закрытого типа, содержащем корпус 1, входные и выходные патрубки 3 над поверхностью испарени ,соосно с ней и испарителем, расположен защитный экран 5 с зазором по отношению к поверхности испарени , составл ющим 0,2-3 см, а форма экрана, поверхности испарени  и сечени  подобны. Отношение площади поперечного сечени  испарител  составл ет 2,75-30, а к площади поверхности испарени  1,05-2, нижн   часть выходного патрубка выполнена в виде ловушки твердых продуктов, а отношение площади поперечного сечени  ловушки к суммарной площади ее выходных отверстий составл ет 3-35, при этом отношение рассто ни  от линии центров выходных отверстий до дна ловушки к диаметру поперечного сечени  ловушки 2-20. СП с о со ел ю

Description

Изобретение относитс  к электронной технике, а именно к конструкции испарителей , используемых при получении пленочных полупроводниковых материалов из хелатных металлоорганических соединений (МО С).
Известны испарители барботажного типа , используемые при получении пленочных полупроводниковых материалов из МОС. Недостатком испарителей такого типа  вл - етс  то, что при их работе происходит захват газом-носителем распыленных капелек МОС, что нарушает состав парогазовой смеси (ПГС), а капельки жидкости, попада  в реакционную зону установки дл  выращи- вани  пленок нарушают режим роста пленок и привод т к образованию в них различных дефектов. Дл  хелатных МОС, которые в расплавленном состо нии  вл ютс  высоков зкими наблюдаетс  также проскок газа, т.е укрупнение пузырьков и их соединение в газовый шнур.
Частично этих осложнений можно избежать , использу  испарители закрытого типа , в которых газ-носитель пропускают над поверхностью расплава хелатных МОС без барбатировани . Подобный испаритель выбран в качестве прототипа.
Недостатком испарителей этого типа, используемых при получении пленочных по- лупрОводниковых материалов из хелатных МОС,  вл етс  попадание твердых продуктов пиролиза в источнике или вблизи него в растущий слой, что приводит к образованию нескольких типов ростовых дефектов. Это можно объ снить физико-химическими особенност ми исходных пленкообразующих соединений хелатных МОС. Хелатные МОС при нормальных услови х, как правило, порошкообразные соединени  с температу- рой плавлени  100-200°С. Температура разложени  этих МОС лежит примерно на 20-100°С выше температуры плавлени  (данные термического анализа). Эффективное испарение этих веществ наблюдаетс  при температуре на выше температуры плавлени , Однако частичное разложение протекает и при температурах ниже температуры разложени , что объ сн етс  каталитическим воздействием валентно-си- левого пол  поверхностей и автокаталитическим механизмом разложени . Рабочие температуры испарител  совпадают, а иногда даже превышают температуру начала разложени  МОС.
Таким образом, при работе испарител , в источнике и вблизи его поверхности протекает нежелательный пиролиз МОС, который может приводить к разложению от сотых до единиц процентов массы источника . Пиролиз, протекающий в жидкой фазе источника, сопровождаетс  выделением газообразных продуктов разложени . Расплав как бы кипит и разбрызгиваетс . Капли МОС попадают в ПГС и транспортируютс  в реакционную зону установки, что нарушает режим роста пленок и приводит к образованию дефектов. Кроме того, у поверхности испарени , и в объеме испарител  протекает гомогенна  реакци  разложени , сопровождающа с  выделением кристаллизуемого материала в газовой фазе в виде песка. Этот песок оседа  на поверхности растущего сло  способствует образованию дополнительных дефектов; вростанию песка в слой, маскированию поверхности (проколы) и др.
Цель изобретени  - повышение качества полученных слоев за счет предотвращени  попадани  твердых продуктов пиролиза в источнике или вблизи него в растущий слой.
На чертеже изображен общий вид испарител  в разрезе.
Испаритель содержит корпус 1, в нижней части которого выполнено углубление 2 дл  помещени  хелатного МОС, и по меньшей мере один входной патрубок 3, через который в него поступает газ-носитель и выходной патрубок 4, через который парогазова  смесь газа-носител  и паров МОС выходит из испарител . Над поверхностью испарени  соосно с ней и испарителем расположен защитный экран 5 с зазором по отношению к поверхности испарени , составл ющим 0,2-3 см. Форма экрана, поверхности испарени  и сечени  испарител  подобны. В случае если они имеют форму многоугольника, соответствующие их стороны параллельны. Отношение площади поперечного сечени  испарител  и площади зазора между экраном и стенкой испарител  составл ет 2,75-30, а к площади поверхности испарени  1,05-2. Нижн   часть выходного патрубка выполнена в виде ловушки твердых продуктов 6, а отношение площади поперечного сечени  ловушки к суммарной площади ее выходных отверстий составл ет 3-35, при этом отношение рассто ни  от линии центров выходных отверстий до дна ловушки к диаметру поперечного сечени  ловушки 2-20. Сверху испаритель герметично закрываетс  крышкой 7.
Испаритель работает следующим образом . После загрузки исходного пленкообразующего соединени  на дно испарител  и его герметизации крышкой 7 испаритель продувают инертнымт газом-носителем и нагревают до температуры эффективного
испарени . При этих услови х в расплаве МОС наблюдаетс  незначительное разложение , которое сопровождаетс  выделением газообразных продуктов, что приводит к кипению и разбрызгиванию источника. Капли расплава отражаютс  экраном и попадают обратно в источник. При этом газообразные продукты пиролиза выдавливают пары МОС из зазора между экраном и поверхностью испарени  в объем испарител . Это снижает концентрацию паров МОС у поверхности испарени , и приводит к снижению вклада гомогенного пиролиза в зазоре . Больша  часть твердых продуктов гомогенного пиролиза в зазоре так же остаетс  в источнике.«
Продукты гомогенного пиролиза, протекающего в объеме испарител  за экраном 5 и часть продуктов из зазора, задержанных экраном, попадают в ловушку 6 и остаетс  на ее дне. Очищенна  ПГС через выходные отверсти  ловушки поступает в реакционную зону к покрываемой подложки (на рис. не показаны) и в результате гетерогенного пиролиза на ее поверхности осаждаетс  слой. Процесс испарени  может продолжатьс  до полного истощени  источника. После этого на дне испарител  остаютс  только твердые продукты пиролиза в виде халькогенидов или оксидов металлов.
В табл. 1 приведены данные по качеству слоев (количество дефектов на единицу площади ), получаемых с использованием предложенного устройства в зависимости от конструктивных особенностей устройства. Получаемые слои - ZnS. Испар емое вещество - диэтилдитиокарбамат цинка - (ДЭДК)22п марки ЧДА. Газ носитель - аргон.
Температура, при которой поддерживаетс  испаритель, т.е. температура эффективного испарени  ( - 280°С (Тплавл. 175°С, Тразл. 312-315°С. В таблице используютс  следующие обозначени , где d - рассто ние между экраном и поверхностью испарени , 5исп/53аз - отношение площади поперечного сечени  испарител  к площади зазора между экраном и стенкой испарител , Зисп./Зпов.исп. - отношение площади поперечного сечени  испарител  к площади поверхности испарени , Злов/S отв - отношение площади поперечного сечени  ловушки к суммарной
площади ее выходных отверстий, I/O - отношение рассто ни  от линии центров выходных отверстий до дна ловушки к диаметру поперечного сечени  ловушки, п - количество
мелких дефектов на единицу поверхности 1 см2 (песок на поверхности сло , твердые продукты гомогенного пиролиза, вросшие в слой, проколы, образовавшиес  вследствие маскировани  поверхности подложки
твердыми продуктами гомогенного пиролиза ), m - количество крупных дефектов (п тна и образовани , оставленные брызгами расплава хелатных МОС) на подлож- мм.
Сравнительные данные по качеству получаемых слоев с использованием предложенного технического решени  и прототипа представлены в табл. 2, где (ДПДТК)2Си - дипропилдитиокарбамит меди, (АцАц)А ацетилацетонат алюмини .
С использованием испарител  могут быть получены следующие слои: CdS, ZnS, CdSe, 1п2$з, Cu2S, PbS, NiS, СгаЗз, Со25з, , ZnO, 1п20з и др.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Испаритель дл  хелатных металлоорга- нических соединений при получении слоев на основе халькогенидов и оксидов металлов , содержащий корпус, входные и выходные патрубки, отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества получаемых слоев путем предотвращени  попадани  твердых продуктов пиролиза в источнике или вблизи него в растущий слой, он снзбжен экраном, установленным над зеркалом испарени  соосно с ним, и испарителем с зазором по отношению к зеркалу испарени , составл ющим 0,2-3 см, формы экрана, зеркала испарени  и сечени  испарител 
    подобны, причем отношение площади поперечного сечени  испарител  к площади зазора между экраном и стенкой испарител  составл ет 2,75-30, а к площади зеркала испарени  1,05-2, нижн   часть выходного
    патрубка выполнена в виде ловушки твердых продуктов, а отношение площади поперечного сечени  ловушки к суммарной площади ее выходных отверстий составл ет 3-35, при этом отношение рассто ни  от
    линии центров выходных отверстий до дна ловушки к диаметру поперечного сечени  ловушки 2-20.
    Таблица 1
    Таблица 2
SU904882932A 1990-11-19 1990-11-19 Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений SU1763521A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904882932A SU1763521A1 (ru) 1990-11-19 1990-11-19 Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904882932A SU1763521A1 (ru) 1990-11-19 1990-11-19 Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1763521A1 true SU1763521A1 (ru) 1992-09-23

Family

ID=21545486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904882932A SU1763521A1 (ru) 1990-11-19 1990-11-19 Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1763521A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Гришин В.М. и др. Аппаратура дл диффузии и энитаксии. Обзоры по электронной технике. 1975, вып. 3, с. 282. Друзь Б.Л. и др. Газотранспортна установка дл выращивани пленок с использованием хелатных металлоорганических соединений, ПТЭ, 1988, № 5, с. 247. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20030116091A1 (en) Chemical vapor deposition vaporizer
US5835678A (en) Liquid vaporizer system and method
US5835677A (en) Liquid vaporizer system and method
US8529985B2 (en) Method for liquid precursor atomization
US3852098A (en) Method for increasing rate of coating using vaporized reactants
FI61859B (fi) Saett att bilda ett enhetligt oeverdrag av metall eller en metallfoerening pao ytan av ett glasunderlag och anordning foer att bilda ett dylikt oeverdrag
DE3516840A1 (de) Verfahren zur herstellung titansilicid-haltiger filme auf substraten und solchermassen hergestellte filme und zusammengesetzte gegenstaende
CA2027761A1 (en) Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
DE4323056A1 (de) Chemisches Aufdampfen von Eisen, Ruthenium und Osmium
DE2941843A1 (de) Verfahren zur herstellung einer zinnoxidschicht auf einem heissen glassubstrat
NL9200415A (nl) Werkwijze voor het omzetten van een vloeistofstroom in een gasstroom, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
WO2005078781A1 (ja) 成膜装置
US20060275542A1 (en) Deposition of uniform layer of desired material
US20050205696A1 (en) Deposition apparatus and method
JP3893177B2 (ja) 気化装置、cvd装置及び薄膜製造方法
SU1763521A1 (ru) Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений
CA1339999C (fr) Procede et dispositif ameliores pour le revetement d'un substrat tel un ruban de verre, par un produit pulverulent
CA1334910C (en) Apparatus for coating a substrate
AU622350B2 (en) Thin film forming apparatus
JP6269990B2 (ja) 積層体およびそれの製造方法
KR100525227B1 (ko) 발수성 부재의 제조방법 및 잉크젯헤드의 제조방법
US5738721A (en) Liquid precursor and method for forming a cubic-phase passivating/buffer film
US7410900B2 (en) Metallisation
JPS6075574A (ja) 溶融金属蒸発源装置
JP2595054B2 (ja) 金属酸化物薄膜の形成法