SU1763521A1 - Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений - Google Patents
Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений Download PDFInfo
- Publication number
- SU1763521A1 SU1763521A1 SU904882932A SU4882932A SU1763521A1 SU 1763521 A1 SU1763521 A1 SU 1763521A1 SU 904882932 A SU904882932 A SU 904882932A SU 4882932 A SU4882932 A SU 4882932A SU 1763521 A1 SU1763521 A1 SU 1763521A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- evaporator
- trap
- ratio
- cross
- evaporation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
Abstract
Использование: Электронна техника, а именно конструкции испарителей, используемых при получении пленочных полупроводниковых материалов из хелатных металлоорганических соединений (МОС). Сущность изобретени : в испарителе закрытого типа, содержащем корпус 1, входные и выходные патрубки 3 над поверхностью испарени ,соосно с ней и испарителем, расположен защитный экран 5 с зазором по отношению к поверхности испарени , составл ющим 0,2-3 см, а форма экрана, поверхности испарени и сечени подобны. Отношение площади поперечного сечени испарител составл ет 2,75-30, а к площади поверхности испарени 1,05-2, нижн часть выходного патрубка выполнена в виде ловушки твердых продуктов, а отношение площади поперечного сечени ловушки к суммарной площади ее выходных отверстий составл ет 3-35, при этом отношение рассто ни от линии центров выходных отверстий до дна ловушки к диаметру поперечного сечени ловушки 2-20. СП с о со ел ю
Description
Изобретение относитс к электронной технике, а именно к конструкции испарителей , используемых при получении пленочных полупроводниковых материалов из хелатных металлоорганических соединений (МО С).
Известны испарители барботажного типа , используемые при получении пленочных полупроводниковых материалов из МОС. Недостатком испарителей такого типа вл - етс то, что при их работе происходит захват газом-носителем распыленных капелек МОС, что нарушает состав парогазовой смеси (ПГС), а капельки жидкости, попада в реакционную зону установки дл выращи- вани пленок нарушают режим роста пленок и привод т к образованию в них различных дефектов. Дл хелатных МОС, которые в расплавленном состо нии вл ютс высоков зкими наблюдаетс также проскок газа, т.е укрупнение пузырьков и их соединение в газовый шнур.
Частично этих осложнений можно избежать , использу испарители закрытого типа , в которых газ-носитель пропускают над поверхностью расплава хелатных МОС без барбатировани . Подобный испаритель выбран в качестве прототипа.
Недостатком испарителей этого типа, используемых при получении пленочных по- лупрОводниковых материалов из хелатных МОС, вл етс попадание твердых продуктов пиролиза в источнике или вблизи него в растущий слой, что приводит к образованию нескольких типов ростовых дефектов. Это можно объ снить физико-химическими особенност ми исходных пленкообразующих соединений хелатных МОС. Хелатные МОС при нормальных услови х, как правило, порошкообразные соединени с температу- рой плавлени 100-200°С. Температура разложени этих МОС лежит примерно на 20-100°С выше температуры плавлени (данные термического анализа). Эффективное испарение этих веществ наблюдаетс при температуре на выше температуры плавлени , Однако частичное разложение протекает и при температурах ниже температуры разложени , что объ сн етс каталитическим воздействием валентно-си- левого пол поверхностей и автокаталитическим механизмом разложени . Рабочие температуры испарител совпадают, а иногда даже превышают температуру начала разложени МОС.
Таким образом, при работе испарител , в источнике и вблизи его поверхности протекает нежелательный пиролиз МОС, который может приводить к разложению от сотых до единиц процентов массы источника . Пиролиз, протекающий в жидкой фазе источника, сопровождаетс выделением газообразных продуктов разложени . Расплав как бы кипит и разбрызгиваетс . Капли МОС попадают в ПГС и транспортируютс в реакционную зону установки, что нарушает режим роста пленок и приводит к образованию дефектов. Кроме того, у поверхности испарени , и в объеме испарител протекает гомогенна реакци разложени , сопровождающа с выделением кристаллизуемого материала в газовой фазе в виде песка. Этот песок оседа на поверхности растущего сло способствует образованию дополнительных дефектов; вростанию песка в слой, маскированию поверхности (проколы) и др.
Цель изобретени - повышение качества полученных слоев за счет предотвращени попадани твердых продуктов пиролиза в источнике или вблизи него в растущий слой.
На чертеже изображен общий вид испарител в разрезе.
Испаритель содержит корпус 1, в нижней части которого выполнено углубление 2 дл помещени хелатного МОС, и по меньшей мере один входной патрубок 3, через который в него поступает газ-носитель и выходной патрубок 4, через который парогазова смесь газа-носител и паров МОС выходит из испарител . Над поверхностью испарени соосно с ней и испарителем расположен защитный экран 5 с зазором по отношению к поверхности испарени , составл ющим 0,2-3 см. Форма экрана, поверхности испарени и сечени испарител подобны. В случае если они имеют форму многоугольника, соответствующие их стороны параллельны. Отношение площади поперечного сечени испарител и площади зазора между экраном и стенкой испарител составл ет 2,75-30, а к площади поверхности испарени 1,05-2. Нижн часть выходного патрубка выполнена в виде ловушки твердых продуктов 6, а отношение площади поперечного сечени ловушки к суммарной площади ее выходных отверстий составл ет 3-35, при этом отношение рассто ни от линии центров выходных отверстий до дна ловушки к диаметру поперечного сечени ловушки 2-20. Сверху испаритель герметично закрываетс крышкой 7.
Испаритель работает следующим образом . После загрузки исходного пленкообразующего соединени на дно испарител и его герметизации крышкой 7 испаритель продувают инертнымт газом-носителем и нагревают до температуры эффективного
испарени . При этих услови х в расплаве МОС наблюдаетс незначительное разложение , которое сопровождаетс выделением газообразных продуктов, что приводит к кипению и разбрызгиванию источника. Капли расплава отражаютс экраном и попадают обратно в источник. При этом газообразные продукты пиролиза выдавливают пары МОС из зазора между экраном и поверхностью испарени в объем испарител . Это снижает концентрацию паров МОС у поверхности испарени , и приводит к снижению вклада гомогенного пиролиза в зазоре . Больша часть твердых продуктов гомогенного пиролиза в зазоре так же остаетс в источнике.«
Продукты гомогенного пиролиза, протекающего в объеме испарител за экраном 5 и часть продуктов из зазора, задержанных экраном, попадают в ловушку 6 и остаетс на ее дне. Очищенна ПГС через выходные отверсти ловушки поступает в реакционную зону к покрываемой подложки (на рис. не показаны) и в результате гетерогенного пиролиза на ее поверхности осаждаетс слой. Процесс испарени может продолжатьс до полного истощени источника. После этого на дне испарител остаютс только твердые продукты пиролиза в виде халькогенидов или оксидов металлов.
В табл. 1 приведены данные по качеству слоев (количество дефектов на единицу площади ), получаемых с использованием предложенного устройства в зависимости от конструктивных особенностей устройства. Получаемые слои - ZnS. Испар емое вещество - диэтилдитиокарбамат цинка - (ДЭДК)22п марки ЧДА. Газ носитель - аргон.
Температура, при которой поддерживаетс испаритель, т.е. температура эффективного испарени ( - 280°С (Тплавл. 175°С, Тразл. 312-315°С. В таблице используютс следующие обозначени , где d - рассто ние между экраном и поверхностью испарени , 5исп/53аз - отношение площади поперечного сечени испарител к площади зазора между экраном и стенкой испарител , Зисп./Зпов.исп. - отношение площади поперечного сечени испарител к площади поверхности испарени , Злов/S отв - отношение площади поперечного сечени ловушки к суммарной
площади ее выходных отверстий, I/O - отношение рассто ни от линии центров выходных отверстий до дна ловушки к диаметру поперечного сечени ловушки, п - количество
мелких дефектов на единицу поверхности 1 см2 (песок на поверхности сло , твердые продукты гомогенного пиролиза, вросшие в слой, проколы, образовавшиес вследствие маскировани поверхности подложки
твердыми продуктами гомогенного пиролиза ), m - количество крупных дефектов (п тна и образовани , оставленные брызгами расплава хелатных МОС) на подлож- мм.
Сравнительные данные по качеству получаемых слоев с использованием предложенного технического решени и прототипа представлены в табл. 2, где (ДПДТК)2Си - дипропилдитиокарбамит меди, (АцАц)А ацетилацетонат алюмини .
С использованием испарител могут быть получены следующие слои: CdS, ZnS, CdSe, 1п2$з, Cu2S, PbS, NiS, СгаЗз, Со25з, , ZnO, 1п20з и др.
Claims (1)
- Формула изобретениИспаритель дл хелатных металлоорга- нических соединений при получении слоев на основе халькогенидов и оксидов металлов , содержащий корпус, входные и выходные патрубки, отличающийс тем, что, с целью повышени качества получаемых слоев путем предотвращени попадани твердых продуктов пиролиза в источнике или вблизи него в растущий слой, он снзбжен экраном, установленным над зеркалом испарени соосно с ним, и испарителем с зазором по отношению к зеркалу испарени , составл ющим 0,2-3 см, формы экрана, зеркала испарени и сечени испарителподобны, причем отношение площади поперечного сечени испарител к площади зазора между экраном и стенкой испарител составл ет 2,75-30, а к площади зеркала испарени 1,05-2, нижн часть выходногопатрубка выполнена в виде ловушки твердых продуктов, а отношение площади поперечного сечени ловушки к суммарной площади ее выходных отверстий составл ет 3-35, при этом отношение рассто ни отлинии центров выходных отверстий до дна ловушки к диаметру поперечного сечени ловушки 2-20.Таблица 1Таблица 2
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904882932A SU1763521A1 (ru) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904882932A SU1763521A1 (ru) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1763521A1 true SU1763521A1 (ru) | 1992-09-23 |
Family
ID=21545486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904882932A SU1763521A1 (ru) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1763521A1 (ru) |
-
1990
- 1990-11-19 SU SU904882932A patent/SU1763521A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Гришин В.М. и др. Аппаратура дл диффузии и энитаксии. Обзоры по электронной технике. 1975, вып. 3, с. 282. Друзь Б.Л. и др. Газотранспортна установка дл выращивани пленок с использованием хелатных металлоорганических соединений, ПТЭ, 1988, № 5, с. 247. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20030116091A1 (en) | Chemical vapor deposition vaporizer | |
US5835678A (en) | Liquid vaporizer system and method | |
US5835677A (en) | Liquid vaporizer system and method | |
US8529985B2 (en) | Method for liquid precursor atomization | |
US3852098A (en) | Method for increasing rate of coating using vaporized reactants | |
FI61859B (fi) | Saett att bilda ett enhetligt oeverdrag av metall eller en metallfoerening pao ytan av ett glasunderlag och anordning foer att bilda ett dylikt oeverdrag | |
DE3516840A1 (de) | Verfahren zur herstellung titansilicid-haltiger filme auf substraten und solchermassen hergestellte filme und zusammengesetzte gegenstaende | |
CA2027761A1 (en) | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition | |
DE4323056A1 (de) | Chemisches Aufdampfen von Eisen, Ruthenium und Osmium | |
DE2941843A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer zinnoxidschicht auf einem heissen glassubstrat | |
NL9200415A (nl) | Werkwijze voor het omzetten van een vloeistofstroom in een gasstroom, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
WO2005078781A1 (ja) | 成膜装置 | |
US20060275542A1 (en) | Deposition of uniform layer of desired material | |
US20050205696A1 (en) | Deposition apparatus and method | |
JP3893177B2 (ja) | 気化装置、cvd装置及び薄膜製造方法 | |
SU1763521A1 (ru) | Испаритель дл хелатных металлоорганических соединений | |
CA1339999C (fr) | Procede et dispositif ameliores pour le revetement d'un substrat tel un ruban de verre, par un produit pulverulent | |
CA1334910C (en) | Apparatus for coating a substrate | |
AU622350B2 (en) | Thin film forming apparatus | |
JP6269990B2 (ja) | 積層体およびそれの製造方法 | |
KR100525227B1 (ko) | 발수성 부재의 제조방법 및 잉크젯헤드의 제조방법 | |
US5738721A (en) | Liquid precursor and method for forming a cubic-phase passivating/buffer film | |
US7410900B2 (en) | Metallisation | |
JPS6075574A (ja) | 溶融金属蒸発源装置 | |
JP2595054B2 (ja) | 金属酸化物薄膜の形成法 |