JPH03247773A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ （ 本発明は、霧化した原料溶液を加熱した基板の成膜面に
吹き（＝Ｉけ、そこに薄膜を形成する装置に関する。

［従来の技術］ 従来、この種の薄膜形成法及びその装ｍは、例えば特開
昭６１−６９９６２号等？こ示される様に、予め調合し
た薄膜作製用原料溶液を霧化器（アトマイザ）により霧
化し、薄膜を形成する基板の表面に接触させて薄膜を形
成する。すなわち、これを第３図と第４図によって説明
すると、薄膜を形成させるためにＴめ調合した原料溶液
を霧化する霧化器１が備えられ、この霧化器１の上方に
は上に向けて前記原料溶液の霧を放出するノズル３が設
けられている。また１、このノズル３の上方に成膜室４
が形成され、そＱ底部には、その中に霧を導入する前記
ノズル３とその中の霧を排出する排気口５とが間隔をお
いて接続されている。

前記成膜室４の内部に、表面に薄膜を形成する基板６が
、第４図に示された一対のガイド枠７．７よって一列に
配列され、その成膜面を下に向けて成膜室４の中をその
長平方向に沿って一定の速度で送られる。

この様な、従来技術の薄膜作製方法及びその装置では、
前記霧化器１により噴霧された霧状の原料溶液がノズル
３に導かれ、前記成膜室４を通って排気口５に導かれる
。

表面に薄膜を形成する基板６は、その背面に設けられた
ヒータ７によって加熱され、霧状の原料溶液が前記成膜
室４を通過する過程で、加熱された前記基板６の表面に
接触すると、そこで溶液中の原料が霧に含まれる水分や
空気中の酸素と反応し、前記基板６の表面上に薄い酸化
物の薄膜が形成される。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前記従来技術の薄膜作製装置では、前記基板６
の表面上に吹き付けられた霧状の原料溶液のが前記基板
６の成膜面に接触するだけでなく、成膜室の床面にも接
触してそこに酸化物が析出し、堆積する。この堆積した
酸化物は、微粉末となって成膜室４の中で飛散し、基板
６の成膜面にこれが付着する。そうすると、薄膜のピン
ホールの原因となる。また、堆積した酸化錫膜によって
霧の流れが乱され、基板６の成膜面に形成された薄膜に
、基板６の移動方向に沿った筋状の膜厚のむらが生しる
ことがある。

こうした不都合を避けるためには、成膜室４の壁面に堆
積した酸化錫を頻繁に取り除かなければならず、このメ
ンテナンスのため、装置の稼働率が低くなるという課題
があった。

さらに、従来の装置では、基板６が１列状態で成膜され
るため、生産性が低く、また、成膜室に導入される霧状
の原料溶液が、酸化物として成膜室の壁面に堆積し、無
駄に廃棄されるため、投入する原料に対する薄膜の収率
が低いという課題があった。

そこで本発明は、前記の従来技術における問題点に鑑み
、高稼働率、高生産性が実現できる薄膜形成装置を提供
することにある。

［課題を解決するための手段］ すなわち、前記の目的を達成するため、本発明において
採用した手段の要旨は、薄膜を形成する基板の成膜面が
、成膜室側に向くよう、同基板を案内する手段と、薄膜
作製用原料溶液を霧化する霧化器と、該霧化器で発生し
た霧状の原料溶液を前記成膜室の中に導入する導入口と
、前記成膜室の中の霧を排気する排気口と、前記基板の
成膜面を所定の温度に加熱するヒータとを備えて成る薄
膜形成装置において、前記基板の案内手段が２列の基板
の成膜面が成膜室で互いに対向するようこれら基板を案
内するものであり、案内手段により案内される基板の成
膜面の間に、前記霧化器に接続された霧の導入口と、成
膜室の霧を排気する排気口とが配置されている薄膜形成
装置である。

［作　　　用］ 前記の本発明による薄膜形成装置では、２列の基板を成
膜室の中で対向して配置したことにより、成膜室の主要
な壁面を形成する基板の成膜面は、絶えず移動して成膜
室から送り出されてしまうので、酸化錫膜の成膜室の壁
面への堆積が総体的に少なくなる。さらに、これまで成
膜室の底面に堆積していた酸化錫の分が基板の成膜面に
薄膜として形成されるため、薄膜の生産性、投入原料に
対する収率が向上する。

［実　施　例］ 以下、本発明の実施例について、第１図と第２図を参照
しながら説明する。

成膜室１４には、第２図の断面図に示されるように、成
膜面に薄膜を形成する基板Ｉ６の両側部を保持して案内
するガイド枠１７が上下に合計２組設けられ、これによ
って２列の基板１６．１６が、第１図において左から右
へと案内される。第１図から明かなように、これら２列
の基板１６．１６は、それらの成膜面が前記成膜室１４
の天面と床面を各々形成するよう対向しており、図示し
ない基板の送り機構により、第１図において右から左へ
と一定の速度で移動される。前記基板１６の成膜面の背
後には、均熱板１８、Ｉ８を介してヒータ１９．１９が
設けられ、前記基板Ｉ６、Ｉ６の成膜面が所定の温度に
加熱される。

前記基板１６．１６が対向した区間に、適当な距離をお
いて、霧の導入ダクト１３と霧の排気ダクト１５と基板
Ｉ６がガイド枠１７．１７と直交する方向に配置されて
いる。これら導入ダクｌ−１３と排気ダクト１５とは、
共に断面Ｃ字形の箭の通路からなり、その側面に開［１
した霧の導入口１３ａと霧の排気口１５ａとが互いに対
向して配置されている。第２図に示すように、薄膜の原
料溶液を霧化する霧化器１１が備えられとおり、この霧
化器１１は、前記霧の導入ダクト１３に接続されている
。これにより、前記霧化器１１から供給された霧状の原
料溶液は、導入ダクト１３に送られ、その導入口１３ａ
から前記成膜室Ｉ４の中に導入され、開成膜室１４内を
通過した後、排気口１５ａから排気ダクト１５に入り、
これを通して成膜室■４から排出される。

なお、上記基板１６．１６が対向している区＝７ １？ｆｌにおいて、前記導入ダクト１３の導入口１３ａ
と排気ダクト１５の排気口１５ａとが対向している区間
が成膜室１４、その手前が常温下で導入された基板１６
の成膜面と、成膜に必要な温度まで加熱する予備加熱室
１０、その先が基板Ｉ６を取り出す前？こ同基板１６を
徐冷する徐冷室１２である。

以上に述べた薄膜形成装置では、前記霧化器１１で発生
した霧状の原料溶液が、前記導入ダクト１３のの導入口
１３ａから成膜室１４の中に導入され、この霧が成膜室
１４の中で所定の温度に加熱された前記基板１６の成膜
面に接触し、例えば霧に含まれる成膜原料が水分や酸素
と反応し、酸化錫膜等の薄膜が成膜される。

なお、以上の実施例では、基板１６．１６を上下に対向
させて、これらを水平ｌご案内する場合について説明し
たが、基板を水平方向或は斜めに対向させ、これらを水
平、斜め或は垂直に案内することができることはもちろ
んである。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、壁面
に堆積する酸化物の除去の手数が大幅に少なくなると共
に、高い収率で簿膜を形成することが可能な薄膜形成装
置が提供できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例である薄膜形成装置の構造を
説明するための縦断側面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ
線断面図、第３図は、従来例である薄膜形成装置の構造
を説明するための縦断側面図、第４図は、第１図のＢ−
Ｂ線断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 薄膜を形成する基板の成膜面が、成膜室側に向くよう、
   同基板を案内する手段と、薄膜作製用原料溶液を霧化す
   る霧化器と、該霧化器で発生した霧状の原料溶液を前記
   成膜室の中に導入する導入口と、前記成膜室の中の霧を
   排気する排気口と、前記基板の成膜面を所定の温度に加
   熱するヒータとを備えて成る薄膜形成装置において、前
   記基板の案内手段が２列の基板の成膜面が成膜室で互い
   に対向するようこれら基板を案内するものであり、案内
   手段により案内される基板の成膜面の間に、前記霧化器
   に接続された霧の導入口と、成膜室の霧を排気する排気
   口とが配置されていることを特徴とする薄膜形成装置。