JPH0627349B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0627349B2 JPH0627349B2 JP4358390A JP4358390A JPH0627349B2 JP H0627349 B2 JPH0627349 B2 JP H0627349B2 JP 4358390 A JP4358390 A JP 4358390A JP 4358390 A JP4358390 A JP 4358390A JP H0627349 B2 JPH0627349 B2 JP H0627349B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- thin film
- substrate
- forming chamber
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、霧化した原料溶液を加熱した基板の成膜面に
吹き付け、そこに薄膜を形成する装置に関する。
吹き付け、そこに薄膜を形成する装置に関する。
［従来の技術］ 従来、この種の薄膜形成法及びその装置は、例えば特開
昭６１−６９９６２号等に示される様に、予め調合した
薄膜作製用原料溶液を霧化器（アトマイザ）により霧化
し、薄膜を形成する基板の表面に接触させて薄膜を形成
する。すなわち、これを第３図と第４図によって説明す
ると、薄膜を形成させるために予め調合した原料溶液を
霧化する霧化器１が備えられ、この霧化器１の上方には
上に向けて前記原料溶液の霧を放出するノズル３が設け
られている。また、このノズル３の上方に成膜室４が形
成され、その底部には、その中に霧を導入する前記ノズ
ル３とその中の霧を排出する排気口５とが間隔をおいて
接続されている。
昭６１−６９９６２号等に示される様に、予め調合した
薄膜作製用原料溶液を霧化器（アトマイザ）により霧化
し、薄膜を形成する基板の表面に接触させて薄膜を形成
する。すなわち、これを第３図と第４図によって説明す
ると、薄膜を形成させるために予め調合した原料溶液を
霧化する霧化器１が備えられ、この霧化器１の上方には
上に向けて前記原料溶液の霧を放出するノズル３が設け
られている。また、このノズル３の上方に成膜室４が形
成され、その底部には、その中に霧を導入する前記ノズ
ル３とその中の霧を排出する排気口５とが間隔をおいて
接続されている。
前記成膜室４の内部に、表面に薄膜を形成する基板６
が、第４図に示された一対のガイド枠７、７よって一列
に配列され、その成膜面を下に向けて成膜室４の中をそ
の長手方向に沿って一定の速度で送られる。
が、第４図に示された一対のガイド枠７、７よって一列
に配列され、その成膜面を下に向けて成膜室４の中をそ
の長手方向に沿って一定の速度で送られる。
この様な、従来技術の薄膜作製方法及びその装置では、
前記霧化器１により噴霧された霧状の原料溶液がノズル
３に導かれ、前記成膜室４を通って排気口５に導かれ
る。
前記霧化器１により噴霧された霧状の原料溶液がノズル
３に導かれ、前記成膜室４を通って排気口５に導かれ
る。
表面に薄膜を形成する基板６は、その背面に設けられた
ヒータ７によって加熱され、霧状の原料溶液が前記成膜
室４を通過する過程で、加熱された前記基板６の表面に
接触すると、そこで溶液中の原料が霧に含まれる水分や
空気中の酸素と反応し、前記基板６の表面上に薄い酸化
物の薄膜が形成される。
ヒータ７によって加熱され、霧状の原料溶液が前記成膜
室４を通過する過程で、加熱された前記基板６の表面に
接触すると、そこで溶液中の原料が霧に含まれる水分や
空気中の酸素と反応し、前記基板６の表面上に薄い酸化
物の薄膜が形成される。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、前記従来技術の薄膜作製装置では、前記基板６
の表面上に吹き付けられた霧状の原料溶液が前記基板６
の成膜面に接触するだけでなく、成膜室の床面にも接触
してそこに酸化物が析出し、堆積する。この堆積した酸
化物は、微粉末となって成膜室４の中で飛散し、基板６
の成膜面にこれが付着する。そうすると、薄膜のピンホ
ールの原因となる。また、堆積した酸化錫膜によって霧
の流れが乱され、基板６の成膜面に形成された薄膜に、
基板６の移動方向に沿った筋状の膜厚のむらが生じるこ
とがある。こうした不都合を避けるためには、成膜室４
の壁面に堆積した酸化錫を頻繁に取り除かなければなら
ず、このメンテナンスのため、装置の稼働率が低くなる
という課題があった。
の表面上に吹き付けられた霧状の原料溶液が前記基板６
の成膜面に接触するだけでなく、成膜室の床面にも接触
してそこに酸化物が析出し、堆積する。この堆積した酸
化物は、微粉末となって成膜室４の中で飛散し、基板６
の成膜面にこれが付着する。そうすると、薄膜のピンホ
ールの原因となる。また、堆積した酸化錫膜によって霧
の流れが乱され、基板６の成膜面に形成された薄膜に、
基板６の移動方向に沿った筋状の膜厚のむらが生じるこ
とがある。こうした不都合を避けるためには、成膜室４
の壁面に堆積した酸化錫を頻繁に取り除かなければなら
ず、このメンテナンスのため、装置の稼働率が低くなる
という課題があった。
さらに、従来の装置では、基板６の１列状態で成膜され
るため、生産性が低く、また、成膜室に導入される霧状
の原料溶液が、酸化物として成膜室の壁面に堆積し、無
駄に廃棄されるため、投入する原料に対する薄膜の収率
が低いという課題があった。
るため、生産性が低く、また、成膜室に導入される霧状
の原料溶液が、酸化物として成膜室の壁面に堆積し、無
駄に廃棄されるため、投入する原料に対する薄膜の収率
が低いという課題があった。
そこで本発明は、前記の従来技術における問題点に鑑
み、高稼働率、高生産性が実現できる薄膜形成装置を提
供することにある。
み、高稼働率、高生産性が実現できる薄膜形成装置を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］ すなわち、前記の目的を達成するため、本発明において
採用した手段の要旨は、薄膜を形成する基板の成膜面
が、成膜室側に向くよう、同基板を案内する手段と、薄
膜作製用原料溶液を霧化する霧化器と、該霧化器で発生
した霧状の原料溶液を前記成膜室の中に導入する導入口
と、前記成膜室の中の霧を排気する排気口と、前記基板
の成膜面を所定の温度に加熱するヒータとを備えて成る
薄膜形成装置において、前記基板の案内手段が２列の基
板の成膜面が成膜室で互いに対向するようこれら基板を
案内するものであり、案内手段により案内される基板の
成膜面の間に、前記霧化器に接続された霧の導入口と、
成膜室の霧を排気する排気口とが配置されている薄膜形
成装置である。
採用した手段の要旨は、薄膜を形成する基板の成膜面
が、成膜室側に向くよう、同基板を案内する手段と、薄
膜作製用原料溶液を霧化する霧化器と、該霧化器で発生
した霧状の原料溶液を前記成膜室の中に導入する導入口
と、前記成膜室の中の霧を排気する排気口と、前記基板
の成膜面を所定の温度に加熱するヒータとを備えて成る
薄膜形成装置において、前記基板の案内手段が２列の基
板の成膜面が成膜室で互いに対向するようこれら基板を
案内するものであり、案内手段により案内される基板の
成膜面の間に、前記霧化器に接続された霧の導入口と、
成膜室の霧を排気する排気口とが配置されている薄膜形
成装置である。
［作 用］ 前記の本発明による薄膜形成装置では、２列の基板を成
膜室の中で対向して配置したことにより、成膜室の主要
な壁面を形成する基板の成膜面は、絶えず移動して成膜
室から送り出されてしまうので、酸化錫膜の成膜室の壁
面への堆積が総体的に少なくなる。さらに、これまで成
膜室の底面に堆積していた酸化錫の分が基板の成膜面に
薄膜として形成されるため、薄膜の生産性、投入原料に
対する収率が向上する。
膜室の中で対向して配置したことにより、成膜室の主要
な壁面を形成する基板の成膜面は、絶えず移動して成膜
室から送り出されてしまうので、酸化錫膜の成膜室の壁
面への堆積が総体的に少なくなる。さらに、これまで成
膜室の底面に堆積していた酸化錫の分が基板の成膜面に
薄膜として形成されるため、薄膜の生産性、投入原料に
対する収率が向上する。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について、第１図と第２図を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
成膜室１４には、第２図の断面図に示されるように、成
膜面に薄膜を形成する基板１６の両側部を保持して案内
するガイド枠１７が上下に合計２組設けられ、これによ
って２列の基板１６、１６が、第１図において左から右
へと案内される。第１図から明かなように、これら２列
の基板１６、１６は、それらの成膜面が前記成膜室１４
の天面と床面を各々形成するよう対向しており、図示し
ない基板の送り機構により、第１図において右から左へ
と一定の速度で移動される。前記基板１６の成膜面の背
後には、均熱板１８、１８を介してヒータ１９、１９が
設けられ、前記基板１６、１６の成膜面が所定の温度に
加熱される。
膜面に薄膜を形成する基板１６の両側部を保持して案内
するガイド枠１７が上下に合計２組設けられ、これによ
って２列の基板１６、１６が、第１図において左から右
へと案内される。第１図から明かなように、これら２列
の基板１６、１６は、それらの成膜面が前記成膜室１４
の天面と床面を各々形成するよう対向しており、図示し
ない基板の送り機構により、第１図において右から左へ
と一定の速度で移動される。前記基板１６の成膜面の背
後には、均熱板１８、１８を介してヒータ１９、１９が
設けられ、前記基板１６、１６の成膜面が所定の温度に
加熱される。
前記基板１６、１６が対向した区間に、適当な距離をお
いて、霧の導入ダクト１３と霧の排気ダクト１５と基板
１６がガイド枠１７、１７と直交する方向に配置されて
いる。これら導入ダクト１３と排気ダクト１５は、共に
断面Ｃ字形の霧の通路からなり、その側面に開口した霧
の導入口１３ａと霧の排気口１５ａとが互いに対向して
配置されている。第２図に示すように、薄膜の原料溶液
を霧化する霧化器１１が備えられとおり、この霧化器１
１は、前記霧の導入ダクト１３に接続されている。これ
により、前記霧化器１１から供給された霧状の原料溶液
は、導入ダクト１３に送られ、その導入口１３ａから前
記成膜室１４の中に導入され、同成膜室１４内を通過し
た後、排気口１５ａから排気ダクト１５に入り、これを
通して成膜室１４から排出される。
いて、霧の導入ダクト１３と霧の排気ダクト１５と基板
１６がガイド枠１７、１７と直交する方向に配置されて
いる。これら導入ダクト１３と排気ダクト１５は、共に
断面Ｃ字形の霧の通路からなり、その側面に開口した霧
の導入口１３ａと霧の排気口１５ａとが互いに対向して
配置されている。第２図に示すように、薄膜の原料溶液
を霧化する霧化器１１が備えられとおり、この霧化器１
１は、前記霧の導入ダクト１３に接続されている。これ
により、前記霧化器１１から供給された霧状の原料溶液
は、導入ダクト１３に送られ、その導入口１３ａから前
記成膜室１４の中に導入され、同成膜室１４内を通過し
た後、排気口１５ａから排気ダクト１５に入り、これを
通して成膜室１４から排出される。
なお、上記基板１６、１６が対向している区間におい
て、前記導入ダクト１３の導入口１３ａと排気ダクト１
５の排気口１５ａとが対向している区間が成膜室１４、
その手前が常温下で導入された基板１６の成膜面を、成
膜に必要な温度まで加熱する予備加熱室１０、その先が
基板１６を取り出す前に同基板１６を徐冷する徐冷室１
２である。
て、前記導入ダクト１３の導入口１３ａと排気ダクト１
５の排気口１５ａとが対向している区間が成膜室１４、
その手前が常温下で導入された基板１６の成膜面を、成
膜に必要な温度まで加熱する予備加熱室１０、その先が
基板１６を取り出す前に同基板１６を徐冷する徐冷室１
２である。
以上に述べた薄膜形成装置では、前記霧化器１１で発生
した霧状の原料溶液が、前記導入ダクト１３のの導入口
１３ａから成膜室１４の中に導入され、この霧が成膜室
１４の中で所定の温度に加熱された前記基板１６の成膜
面に接触し、例えば霧に含まれる成膜原料が水分や酸素
と反応し、酸化錫膜等の薄膜が成膜される。
した霧状の原料溶液が、前記導入ダクト１３のの導入口
１３ａから成膜室１４の中に導入され、この霧が成膜室
１４の中で所定の温度に加熱された前記基板１６の成膜
面に接触し、例えば霧に含まれる成膜原料が水分や酸素
と反応し、酸化錫膜等の薄膜が成膜される。
なお、以上の実施例では、基板１６、１６を上下に対向
させて、これらを水平に案内する場合について説明した
が、基板を水平方向或は斜めに対向させ、これらを水
平、斜め或は垂直に案内することができることはもちろ
んである。
させて、これらを水平に案内する場合について説明した
が、基板を水平方向或は斜めに対向させ、これらを水
平、斜め或は垂直に案内することができることはもちろ
んである。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、壁面
に堆積する酸化物の除去の手数が大幅に少なくなると共
に、高い収率で薄膜を形成することが可能な薄膜形成装
置が提供できる効果がある。
に堆積する酸化物の除去の手数が大幅に少なくなると共
に、高い収率で薄膜を形成することが可能な薄膜形成装
置が提供できる効果がある。
第１図は、本発明の実施例である薄膜形成装置の構造を
説明するための縦断側面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ
線断面図、第３図は、従来例である薄膜形成装置の構造
を説明するための縦断側面図、第４図は、第１図のＢ−
Ｂ線断面図である。 １１……霧化器、１３……霧の導入ダクト、１３ａ……
霧の導入口、１４……成膜室、１５……霧の排気ダク
ト、１５ａ……霧の排気口、１６……基板、１７……ガ
イド枠、１８……均熱板、１９……ヒータ
説明するための縦断側面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ
線断面図、第３図は、従来例である薄膜形成装置の構造
を説明するための縦断側面図、第４図は、第１図のＢ−
Ｂ線断面図である。 １１……霧化器、１３……霧の導入ダクト、１３ａ……
霧の導入口、１４……成膜室、１５……霧の排気ダク
ト、１５ａ……霧の排気口、１６……基板、１７……ガ
イド枠、１８……均熱板、１９……ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 英世 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−90579（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−90580（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】薄膜を形成する基板の成膜面が、成膜室側
に向くよう、同基板を案内する手段と、薄膜作製用原料
溶液を霧化する霧化器と、該霧化器で発生した霧状の原
料溶液を前記成膜室の中に導入する導入口と、前記成膜
室の中の霧を排気する排気口と、前記基板の成膜面を所
定の温度に加熱するヒータとを備えて成る薄膜形成装置
において、前記基板の案内手段が２列の基板の成膜面が
成膜室で互いに対向するようこれら基板を案内するもの
であり、案内手段により案内される基板の成膜面の間
に、前記霧化器に接続された霧の導入口と、成膜室の霧
を排気する排気口とが配置されていることを特徴とする
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358390A JPH0627349B2 (ja) | 1990-02-24 | 1990-02-24 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358390A JPH0627349B2 (ja) | 1990-02-24 | 1990-02-24 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03247773A JPH03247773A (ja) | 1991-11-05 |
| JPH0627349B2 true JPH0627349B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=12667798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4358390A Expired - Lifetime JPH0627349B2 (ja) | 1990-02-24 | 1990-02-24 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627349B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-24 JP JP4358390A patent/JPH0627349B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03247773A (ja) | 1991-11-05 |
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