JPH06102829B2 - 放電反応処理装置 - Google Patents
放電反応処理装置Info
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- JPH06102829B2 JPH06102829B2 JP59060194A JP6019484A JPH06102829B2 JP H06102829 B2 JPH06102829 B2 JP H06102829B2 JP 59060194 A JP59060194 A JP 59060194A JP 6019484 A JP6019484 A JP 6019484A JP H06102829 B2 JPH06102829 B2 JP H06102829B2
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- substrates
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は気体の放電反応を利用して，被処理基板上に膜
堆積，エッチングその他の処理を施す放電反応処理装置
の改良に関し，殊に被処理基板表面に急速に均一な処理
を施すことを目的とする。
堆積，エッチングその他の処理を施す放電反応処理装置
の改良に関し，殊に被処理基板表面に急速に均一な処理
を施すことを目的とする。
以下本発明の放電反応処理装置をマグネトロンスパッタ
リング装置で代表させて説明する。
リング装置で代表させて説明する。
LSI等の半導体装置，磁気ディスク等の磁気記録装置，
等の製造にはスパッタリング装置が重用されているが，
被処理基板上に迅速な処理を施すために近時はマグネト
ロン方式のスパッタリング装置が多用されている。
等の製造にはスパッタリング装置が重用されているが，
被処理基板上に迅速な処理を施すために近時はマグネト
ロン方式のスパッタリング装置が多用されている。
これらスパッタリング装置による処理で問題となるの
が，基板表面における処理の均一性である。複数の被処
理基板がいちどきにもしくは連続的に処理されるとき
は，基板同志の間でも処理が均一に揃うことが要求され
る。
が，基板表面における処理の均一性である。複数の被処
理基板がいちどきにもしくは連続的に処理されるとき
は，基板同志の間でも処理が均一に揃うことが要求され
る。
例えば，磁気ディスクでは円盤状の基板の表面に極めて
均一な膜付け処理を施すことが必要である。
均一な膜付け処理を施すことが必要である。
磁気ディスクを磁気ディスクコントローラにかけて磁気
記録再生を行なうとき，もし円周方向の膜厚分布に不均
一さがあると，それは直ちにノイズ等の不具合の原因に
なるためである。
記録再生を行なうとき，もし円周方向の膜厚分布に不均
一さがあると，それは直ちにノイズ等の不具合の原因に
なるためである。
従来の磁気ディスクの膜付け処理は，ディスク基板を基
板キャリア上に固定し，これをプレーナ・マグネトロン
・カソードに平行に直線的に移動させながらスパッタリ
ング膜付け処理するか，もしくはディスク基板を基板保
持具上に載置したものをプレーナー・マグネトロン・カ
ソードに対面させ，これを回転させながらスパッタリン
グ処理することをしていた。そのため前者では基板上の
膜厚分布の均一さ，斎一さ即ち膜特性の均一さは必ずし
も充分ではなく，後者では量産性に問題があった。そし
てこの膜厚の均一性，斎一性，量産性の向上をめざして
装置の改良，殊にマグネトロン・カソードの形状，構造
に様々の工夫がなされたが問題はなお残っていた。
板キャリア上に固定し，これをプレーナ・マグネトロン
・カソードに平行に直線的に移動させながらスパッタリ
ング膜付け処理するか，もしくはディスク基板を基板保
持具上に載置したものをプレーナー・マグネトロン・カ
ソードに対面させ，これを回転させながらスパッタリン
グ処理することをしていた。そのため前者では基板上の
膜厚分布の均一さ，斎一さ即ち膜特性の均一さは必ずし
も充分ではなく，後者では量産性に問題があった。そし
てこの膜厚の均一性，斎一性，量産性の向上をめざして
装置の改良，殊にマグネトロン・カソードの形状，構造
に様々の工夫がなされたが問題はなお残っていた。
本発明はこれを解決するものである。
以下，実施例によって本発明を図示説明する。第１図は
本発明の実施例の磁気ディスクの記録媒体の磁性薄膜々
付け処理装置の概要の平面図を示す。１は仕込室であっ
てディスク基板101等を載せた基板キャリア10を設置し
たのち，図示しないガス導入系，真空ポンプ系で所定圧
に調整される。その間に処理室２内では，基板キャリヤ
10aに載置されたディスク基板101a等に対し，マグネト
ロン・スパッタリング膜付け処理が施される。この処理
は，キャリヤ10aを軌道11にそって矢印201方向に移動さ
せつゝ行なうもので，具体内容は後述する。
本発明の実施例の磁気ディスクの記録媒体の磁性薄膜々
付け処理装置の概要の平面図を示す。１は仕込室であっ
てディスク基板101等を載せた基板キャリア10を設置し
たのち，図示しないガス導入系，真空ポンプ系で所定圧
に調整される。その間に処理室２内では，基板キャリヤ
10aに載置されたディスク基板101a等に対し，マグネト
ロン・スパッタリング膜付け処理が施される。この処理
は，キャリヤ10aを軌道11にそって矢印201方向に移動さ
せつゝ行なうもので，具体内容は後述する。
基板キャリヤ10aが駆道11aの位置に到着し処理が終る
と，仕切バルブ23が開かれて，すでに先述の仕込室１と
同様に所定圧に調整されている取出室３の11bの位置
に，基板キャリヤ10aが送り込まれる。
と，仕切バルブ23が開かれて，すでに先述の仕込室１と
同様に所定圧に調整されている取出室３の11bの位置
に，基板キャリヤ10aが送り込まれる。
これと前後して仕込室の新しい基板キャリヤ10が，仕切
バルブ12を開いて処理室２の10aの位置に送入され，そ
のあとスパッタリング処理が再開される。
バルブ12を開いて処理室２の10aの位置に送入され，そ
のあとスパッタリング処理が再開される。
基板を載せた基板キャリヤを外気から仕込室１に持込む
作業及び取出室３から基板，基板キャリヤを外気に取出
す作業は，仕切バルブ12と23が閉鎖され，処理室２内で
スパッタリング処理が施されている間に行なわれる。
作業及び取出室３から基板，基板キャリヤを外気に取出
す作業は，仕切バルブ12と23が閉鎖され，処理室２内で
スパッタリング処理が施されている間に行なわれる。
処理室２に付属する諸装置，即ちガス導入系，真空ポン
プ系，電源等は図示していない。20はプレーナー・マグ
ネトロン・カソードである。
プ系，電源等は図示していない。20はプレーナー・マグ
ネトロン・カソードである。
第２図は基板キャリヤ10の拡大正面図であって,4個のデ
ィスク基板101〜104が搭載されている状態を示す。第３
図はこれと同じ拡大率で示したプレーナー・マグネトロ
ン・カソード20と，その正面の軌道11上に置かれた仮想
基板面上のスパッタリング膜付けの膜厚分布201の図の
例である。膜厚Ｈは中央の正面Ａ部分で厚く，端部の正
面B1,B2部分で薄くなっている。カソードの形状，構造
を工夫すると曲線201が改善出来るが，なお均一性が不
充分であることは先述の通りである。
ィスク基板101〜104が搭載されている状態を示す。第３
図はこれと同じ拡大率で示したプレーナー・マグネトロ
ン・カソード20と，その正面の軌道11上に置かれた仮想
基板面上のスパッタリング膜付けの膜厚分布201の図の
例である。膜厚Ｈは中央の正面Ａ部分で厚く，端部の正
面B1,B2部分で薄くなっている。カソードの形状，構造
を工夫すると曲線201が改善出来るが，なお均一性が不
充分であることは先述の通りである。
第４図はこの実施例の装置の要部を簡略化して示すもの
である。図で基板キャリヤ10の上端にはラック14が植え
られており，矢印201の移動は，このラック14に噛み合
うキャリヤ駆動用ピニオン（群）40で行なわれる。
である。図で基板キャリヤ10の上端にはラック14が植え
られており，矢印201の移動は，このラック14に噛み合
うキャリヤ駆動用ピニオン（群）40で行なわれる。
ピニオン（群）40の軸は処理室２の壁に固定されてお
り，ピニオン（群）40は図示しない電動機で回転駆動さ
れている。処理室２の底の軌道上には，カソード20の幅
よりもやゝ大きい長さでラック50が敷設されている，こ
れにピニオン51が噛み合っている。ピニオン51の軸は基
板キャリヤ10に固定されており，ピニオン51の回転は図
示しない歯車系を経由してＶ溝車42を回転させる。８個
のＶ溝車41はアイドリングしている。但し,V溝車41,42
の軸はすべて基板キャリヤ10に固定されており，ディス
ク基板101〜104はこれららＶ溝車のＶ溝にて第５図のよ
うに挿入保持され，摩擦力で回転駆動されるようになっ
ている。
り，ピニオン（群）40は図示しない電動機で回転駆動さ
れている。処理室２の底の軌道上には，カソード20の幅
よりもやゝ大きい長さでラック50が敷設されている，こ
れにピニオン51が噛み合っている。ピニオン51の軸は基
板キャリヤ10に固定されており，ピニオン51の回転は図
示しない歯車系を経由してＶ溝車42を回転させる。８個
のＶ溝車41はアイドリングしている。但し,V溝車41,42
の軸はすべて基板キャリヤ10に固定されており，ディス
ク基板101〜104はこれららＶ溝車のＶ溝にて第５図のよ
うに挿入保持され，摩擦力で回転駆動されるようになっ
ている。
さて，上述の構造のため，基板キャリヤ10が処理室２に
入ってピニオン（群）40とラック14で駆動され矢印201
の移動がはじまると間もなく，ピニオン51がラック50の
左端に噛み合ってディスク基板101〜104は基板キャリヤ
10上で自転100を開始し，この自転はピニオン51がラッ
ク50の右端から外れるまで続く。スパッタリングによる
膜付け処理はこの間に行なわれるものである。
入ってピニオン（群）40とラック14で駆動され矢印201
の移動がはじまると間もなく，ピニオン51がラック50の
左端に噛み合ってディスク基板101〜104は基板キャリヤ
10上で自転100を開始し，この自転はピニオン51がラッ
ク50の右端から外れるまで続く。スパッタリングによる
膜付け処理はこの間に行なわれるものである。
従って，ディスク基板101〜104への膜付け処理は自転10
0と移動201の複合の中で施され，その膜厚は極めて均一
性の高いものとなる。また、膜を構成する成分が基板の
表面に均一に分布することが期待されるから、斎一性即
ち膜特性の均一性の点でも極めて優れたものとなる。
0と移動201の複合の中で施され，その膜厚は極めて均一
性の高いものとなる。また、膜を構成する成分が基板の
表面に均一に分布することが期待されるから、斎一性即
ち膜特性の均一性の点でも極めて優れたものとなる。
次に，第６図は本発明の別の実施例の要部概略を示すも
のである。図中第４図と同符号は同一構成部品を示す。
この実施例では，第４図のラック50の代りにスプロケッ
ト74,75にかけられたチェーン70が敷設され，ピニオン5
1の代りにスプロケット71がチェーン70に合っている。
そしてスプロケット71の回転は図示しない歯車系を経由
して『内Ｖ溝車』60を回転させている。61,62はともに
アイドリングＶ溝車であるが,V溝車61の軸は遊星リング
63に固定され,V溝車62の軸は内Ｖ溝車60軸及び遊星リン
グ63の軸とともに，基板キャリヤ10の点600に固定され
ている。スプロケット74,75の軸は処理室２に固定さ
れ，このうち74は図示しない電動機で回転駆動されてい
る。この電動機はピニオン40を駆動するものと兼用して
もよい。
のである。図中第４図と同符号は同一構成部品を示す。
この実施例では，第４図のラック50の代りにスプロケッ
ト74,75にかけられたチェーン70が敷設され，ピニオン5
1の代りにスプロケット71がチェーン70に合っている。
そしてスプロケット71の回転は図示しない歯車系を経由
して『内Ｖ溝車』60を回転させている。61,62はともに
アイドリングＶ溝車であるが,V溝車61の軸は遊星リング
63に固定され,V溝車62の軸は内Ｖ溝車60軸及び遊星リン
グ63の軸とともに，基板キャリヤ10の点600に固定され
ている。スプロケット74,75の軸は処理室２に固定さ
れ，このうち74は図示しない電動機で回転駆動されてい
る。この電動機はピニオン40を駆動するものと兼用して
もよい。
さて上述の構成のため，この実施例では，内Ｖ溝車60と
Ｖ溝車61,62の溝に挿入保持されるディスク基板101〜10
4は，摩擦によって公転（矢印500）しつゝ自転（矢印40
0）し，そうしながら同時に移動（矢印201）する。従っ
てこの間に行なわれるスパッタリング膜付けの膜厚の均
一性，斉一性は極めて高いものになる。
Ｖ溝車61,62の溝に挿入保持されるディスク基板101〜10
4は，摩擦によって公転（矢印500）しつゝ自転（矢印40
0）し，そうしながら同時に移動（矢印201）する。従っ
てこの間に行なわれるスパッタリング膜付けの膜厚の均
一性，斉一性は極めて高いものになる。
なお上述の各実施例の移動速度201,自転100又は400,公
転500の速度比は，歯車系，電動機によって自由に選定
できるものである。例えば自転をゼロにして公転のみに
することもできる。
転500の速度比は，歯車系，電動機によって自由に選定
できるものである。例えば自転をゼロにして公転のみに
することもできる。
本発明は以上の通りであって，処理すべき複数の基板を
基板キャリヤ上に載置し、基板キャリヤを処理室に移動
させてその複数の基板を自転又は／及び公転させ，スパ
ッタリング等の放電反応処理によって基板上に所定の処
理を施すことをその主旨とするもので，処理は実施例の
膜付けのみならず，エツチング，表面清浄化等々にも適
用できるものである。
基板キャリヤ上に載置し、基板キャリヤを処理室に移動
させてその複数の基板を自転又は／及び公転させ，スパ
ッタリング等の放電反応処理によって基板上に所定の処
理を施すことをその主旨とするもので，処理は実施例の
膜付けのみならず，エツチング，表面清浄化等々にも適
用できるものである。
これによって被処理基板表面には従来に比し格段の膜厚
均一性，斎一性をもつ処理を施すことができ，しかも量
産性を損なうことがない。工業上極めて有為の発明であ
る。
均一性，斎一性をもつ処理を施すことができ，しかも量
産性を損なうことがない。工業上極めて有為の発明であ
る。
なお，本発明は上記の実施例に拘束されることなく，複
数の基板の個数，その取付方法，移動・自転・公転の駆
動機構を選ぶことが可能であり，その設計の自由度は高
い。
数の基板の個数，その取付方法，移動・自転・公転の駆
動機構を選ぶことが可能であり，その設計の自由度は高
い。
第１図は本発明の実施例のスパッタリング膜付け装置の
概要を示す平面図。 第２図はそのうちの基板キャリヤ10の拡大正面図。 第３図はプレーナー・マグネトロン・カソード20による
スパッタリング膜付けの膜厚分布の例の図。 第４図はこの装置の要部を簡略化して示す正面図。第５
図は基板をＶ溝車に挿入保持した状態を示す部分図。 第６図は別の実施例の第４図と同様の図。 １……仕込室,2……処理室,3……取出室,10,10a……基
板キャリヤ,11……移動の軌道,101,102,103,104……基
板,40……キャリヤ駆動ピニオン（群）,14,50ラック,51
……ピニオン,70……チェーン,71,74,75……スプロケッ
ト,201……移動,100,400……自転,500……公転,41,42,6
1,62……Ｖ溝車,60……内Ｖ溝車。
概要を示す平面図。 第２図はそのうちの基板キャリヤ10の拡大正面図。 第３図はプレーナー・マグネトロン・カソード20による
スパッタリング膜付けの膜厚分布の例の図。 第４図はこの装置の要部を簡略化して示す正面図。第５
図は基板をＶ溝車に挿入保持した状態を示す部分図。 第６図は別の実施例の第４図と同様の図。 １……仕込室,2……処理室,3……取出室,10,10a……基
板キャリヤ,11……移動の軌道,101,102,103,104……基
板,40……キャリヤ駆動ピニオン（群）,14,50ラック,51
……ピニオン,70……チェーン,71,74,75……スプロケッ
ト,201……移動,100,400……自転,500……公転,41,42,6
1,62……Ｖ溝車,60……内Ｖ溝車。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｆ 1/08 １０２ 8414−4Ｋ
Claims (2)
- 【請求項１】仕込室，処理室，取出室を備え，処理すべ
き基板を基板キャリア上に設置し，該仕込室より連続的
に該基板キャリアを該処理室へ移動させて送り込み該基
板上に気体の放電反応を利用して所定の処理を施してこ
れを取出室に送入する放電反応処理装置において，該基
板キャリアは，複数の基板が載置されて複数の基板を同
時に処理することが可能なものであり，かつ，該処理中
に該複数の基板を該基板キャリア上で同時に自転又は／
及び公転させる機構を備えていることを特徴とする放電
反応処理装置。 - 【請求項２】該自転又は／及び公転させる機構は、基板
キャリアを移動せしめる駆動力によって該複数の基板を
自転又は／及び公転の駆動させるものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の放電反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060194A JPH06102829B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 放電反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060194A JPH06102829B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 放電反応処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60204882A JPS60204882A (ja) | 1985-10-16 |
| JPH06102829B2 true JPH06102829B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=13135100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060194A Expired - Lifetime JPH06102829B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 放電反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102829B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190091514A (ko) * | 2016-12-14 | 2019-08-06 | 슈나이더 게엠베하 운트 코. 카게 | 안경 렌즈를 코팅하기 위한 설비, 방법 및 캐리어 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752527B2 (ja) * | 1986-08-18 | 1995-06-05 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
| JPS63199867A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | マグネトロン・スパツタリング方法およびその装置 |
| JPS63282260A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-18 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | スパッタリング装置 |
| US7563725B2 (en) * | 2007-04-05 | 2009-07-21 | Solyndra, Inc. | Method of depositing materials on a non-planar surface |
| JP5283084B2 (ja) | 2007-04-06 | 2013-09-04 | 国立大学法人東北大学 | マグネトロンスパッタ装置 |
| JP2016169401A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 株式会社トプコン | スパッタリング装置 |
| JP7664853B2 (ja) * | 2019-05-07 | 2025-04-18 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト，プフェフィコーン | 処理対象となる被加工物を保持するための可動被加工物キャリア装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743983A (en) * | 1980-08-30 | 1982-03-12 | Shimadzu Corp | Film preparing apparatus |
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| JPS58132755A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Toshiba Corp | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
| JPS58132754A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Toshiba Corp | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59060194A patent/JPH06102829B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190091514A (ko) * | 2016-12-14 | 2019-08-06 | 슈나이더 게엠베하 운트 코. 카게 | 안경 렌즈를 코팅하기 위한 설비, 방법 및 캐리어 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60204882A (ja) | 1985-10-16 |
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