JPS59116370A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS59116370A JPS59116370A JP57232929A JP23292982A JPS59116370A JP S59116370 A JPS59116370 A JP S59116370A JP 57232929 A JP57232929 A JP 57232929A JP 23292982 A JP23292982 A JP 23292982A JP S59116370 A JPS59116370 A JP S59116370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- vessel
- thin film
- aperture
- glow discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は真空状態下で薄膜形成を行なう装置に係り、特
に電子写真用円筒ドラムの様な大型の試料表面に薄膜を
形成する装置に関する。
に電子写真用円筒ドラムの様な大型の試料表面に薄膜を
形成する装置に関する。
試料表面に薄膜を形成する装置においては、その試料の
形状２寸法によらず、一般にペルジャーをモータや油圧
等の手段によシ引上げて試料支持台を露出させ、そこに
試料を装着した後、再びペルジャーを下げて真空に排気
することが必要であった。試料寸法が小さいときはペル
ジャー寸法も小さいため、これを上下させることに特に
困難はない。
形状２寸法によらず、一般にペルジャーをモータや油圧
等の手段によシ引上げて試料支持台を露出させ、そこに
試料を装着した後、再びペルジャーを下げて真空に排気
することが必要であった。試料寸法が小さいときはペル
ジャー寸法も小さいため、これを上下させることに特に
困難はない。
しかしながら、試料寸法が大きくなるに従ってペルツヤ
−も大形化するため、これを引上げるだめのストローク
やＭ量が犬となり、装置として極めて大型化してしまう
という欠点があった。例えば試料として外径１３０ ｍ
ｍ 、高さ３００咽の円筒型試料を用いた場合、少くと
も試料の２倍の高さ、即ち６００ｍまでベルツヤ−を吊
上げなければならない。かりに、この試料の温度を室温
以上に上けてから薄膜を被着する場合には、この試料内
部に何らかの加熱機構を設ける必要があるため、試料の
脱着を容易ならしめるためにはこの加熱機構上まで試料
を上げてからベルツヤ−外へ出すことが必要となる。こ
の場合には、試料の３倍の高さ、即ち９００ ＋ｒｒｍ
程度までペルツヤ−を吊上げなければならず、ｉｉｌ述
の欠点は啄めて犬となってしまう。
−も大形化するため、これを引上げるだめのストローク
やＭ量が犬となり、装置として極めて大型化してしまう
という欠点があった。例えば試料として外径１３０ ｍ
ｍ 、高さ３００咽の円筒型試料を用いた場合、少くと
も試料の２倍の高さ、即ち６００ｍまでベルツヤ−を吊
上げなければならない。かりに、この試料の温度を室温
以上に上けてから薄膜を被着する場合には、この試料内
部に何らかの加熱機構を設ける必要があるため、試料の
脱着を容易ならしめるためにはこの加熱機構上まで試料
を上げてからベルツヤ−外へ出すことが必要となる。こ
の場合には、試料の３倍の高さ、即ち９００ ＋ｒｒｍ
程度までペルツヤ−を吊上げなければならず、ｉｉｌ述
の欠点は啄めて犬となってしまう。
本発明は上述した点に鉛与、ペルジャーを上下させるこ
となく試料の脱脂を可能としたフイ膜形成装置を提供す
ることを目的とする。
となく試料の脱脂を可能としたフイ膜形成装置を提供す
ることを目的とする。
本発明においては、ペルツヤ−を含む容器の下面に開口
部を設け、この開口部を外部がら密閉するための弁体上
に試料支持台を設けて外部駆動系によりこの弁体を上下
させることによシ、試料の容器内への挿入および取出し
を行なうようにしたことを特徴とする。
部を設け、この開口部を外部がら密閉するための弁体上
に試料支持台を設けて外部駆動系によりこの弁体を上下
させることによシ、試料の容器内への挿入および取出し
を行なうようにしたことを特徴とする。
〔発明の効果〕
本発明によれば、大型のペルジャー又は反応容器を上下
させるだめの大規模なリフト機構が必要なくなり、装置
全体が小型になる。又、ＲＦ又はＤＣ等の高圧電源から
の電力供給、反応ガス供給、冷却水供給等はほとんど全
てペルジャー又は反応容器を通して行なわれるものであ
るが、ペルジャー又は反応容器が固定となるため、前記
各供給系統に大きなフレキシビリディを持たせる必要も
なくなシ、装置構成上も有利である。又、以上のことは
作業性の向上、保守の各易さという点でも大きな効果と
なる。
させるだめの大規模なリフト機構が必要なくなり、装置
全体が小型になる。又、ＲＦ又はＤＣ等の高圧電源から
の電力供給、反応ガス供給、冷却水供給等はほとんど全
てペルジャー又は反応容器を通して行なわれるものであ
るが、ペルジャー又は反応容器が固定となるため、前記
各供給系統に大きなフレキシビリディを持たせる必要も
なくなシ、装置構成上も有利である。又、以上のことは
作業性の向上、保守の各易さという点でも大きな効果と
なる。
本発明の実施例を図面を参照して歌１明する。
第１図は一実施例のグロー放電装置の、概略図であシ、
第２図はその試料の脱着時の状態を示す図である。１は
反応容器であシ、その下面２には開口部３が設けられて
いる。開口部３は、試料支持台４をその上面に備えた弁
体５によって例えばバイトン製のＯＩＪソング介して外
部よシ密閉される横這となっている。弁体５は支持棒６
を介して上下、１！ｊＫ ｍＪ 機構（図示せず）に接
続されている。従って上下駆動（ｄ構により、弁体５は
試料脱刑時にＨ二’Ｆ方に下げられ、第２図に示す状態
となる。第２図中、１）が円筒状試料である。弁体５に
は、試料支持台４を回転するだめのモーフ７が取付けら
れている。
第２図はその試料の脱着時の状態を示す図である。１は
反応容器であシ、その下面２には開口部３が設けられて
いる。開口部３は、試料支持台４をその上面に備えた弁
体５によって例えばバイトン製のＯＩＪソング介して外
部よシ密閉される横這となっている。弁体５は支持棒６
を介して上下、１！ｊＫ ｍＪ 機構（図示せず）に接
続されている。従って上下駆動（ｄ構により、弁体５は
試料脱刑時にＨ二’Ｆ方に下げられ、第２図に示す状態
となる。第２図中、１）が円筒状試料である。弁体５に
は、試料支持台４を回転するだめのモーフ７が取付けら
れている。
反１，１、容器１の内部には、ＲＦ （又はＤＣ）屯源
１２からの電力が供稍される円筒状中窒電極８が設けら
れている。この（８）極８の内面、即ち試料に対向する
而には細孔１３が多数設けられており、ガス４人管１４
を介して導入された反応ガスはこの電極８の中望部で混
合されて卸１孔１３から内部に均一に放出されるように
なっている。まだ反応容器上蓋には試料加熱用ヒータ９
が固定されている。反応容器１はダートパルプ１０を介
して真空排気系に接続される。
１２からの電力が供稍される円筒状中窒電極８が設けら
れている。この（８）極８の内面、即ち試料に対向する
而には細孔１３が多数設けられており、ガス４人管１４
を介して導入された反応ガスはこの電極８の中望部で混
合されて卸１孔１３から内部に均一に放出されるように
なっている。まだ反応容器上蓋には試料加熱用ヒータ９
が固定されている。反応容器１はダートパルプ１０を介
して真空排気系に接続される。
この装置ｄにより、亀子写真用の導電性（例えばｈｔ
）円筒にアモルファスＳ１膜を形成する場合を具体的に
説明する。第２図に示す如く、弁体５を下方に下げて、
外径１３０ｍｍ、長さ２７０膿、厚さ２聾のＡ／、製内
筒を試料支持台４に固定する。そして弁体５を上下駆動
系により押上げてｈｔＨ円筒を反応容器１内に挿入し、
開口部３を弁体５によシ密閉する。次に反応容器１内を
排気系によりＩ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒまで排気し、ガ
ス供給系よシモノシラン（５ｉＨ４） ガスを１１００
５ＣＣの流量で反応容器１内に導入して容器内を０．４
Ｔｏｒｒに保持しながら、電極８に１３．５６ＭＨｚ
、 ５０ ＷのＲＦ電力を供給する。このときＡｔ
製円筒はヒータ９により約２００℃に昇温しておく。こ
れによＬＡＡ製円筒上にはＳｉＨ４のグロー放電分解に
よシ約２μｍ／ｈｒの速度でアモルファスＳｉ膜が形成
される。
）円筒にアモルファスＳ１膜を形成する場合を具体的に
説明する。第２図に示す如く、弁体５を下方に下げて、
外径１３０ｍｍ、長さ２７０膿、厚さ２聾のＡ／、製内
筒を試料支持台４に固定する。そして弁体５を上下駆動
系により押上げてｈｔＨ円筒を反応容器１内に挿入し、
開口部３を弁体５によシ密閉する。次に反応容器１内を
排気系によりＩ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒまで排気し、ガ
ス供給系よシモノシラン（５ｉＨ４） ガスを１１００
５ＣＣの流量で反応容器１内に導入して容器内を０．４
Ｔｏｒｒに保持しながら、電極８に１３．５６ＭＨｚ
、 ５０ ＷのＲＦ電力を供給する。このときＡｔ
製円筒はヒータ９により約２００℃に昇温しておく。こ
れによＬＡＡ製円筒上にはＳｉＨ４のグロー放電分解に
よシ約２μｍ／ｈｒの速度でアモルファスＳｉ膜が形成
される。
以上の実施例によれば、反応容器１は上下動の必要がな
く、弁体５をほぼ試料の旨さの範囲で上下動することで
試料の脱着が可能であるため、装置全体は従来より小型
化される。また、電力供給系、ガス供給系等のフレキシ
ビリティも９求されず、作業性も向上する。
く、弁体５をほぼ試料の旨さの範囲で上下動することで
試料の脱着が可能であるため、装置全体は従来より小型
化される。また、電力供給系、ガス供給系等のフレキシ
ビリティも９求されず、作業性も向上する。
なお本発明はグロー放電装置に限らず、各種の原理によ
る薄膜形成装置に同様に適用して有用である。
る薄膜形成装置に同様に適用して有用である。
第１図は本発明の一実施ＩＰＩＪのグロー放電装置を示
す図、第２図はその装置の試料脱着時の状態を示す図で
ある。 １・・・反応容器、２・・・下面、３・・・開口部、４
・・・試料支持台、５・・・弁体、６・・・支持棒、７
・・・モータ、８・・・円筒状中空電極、９・・ヒータ
、１０・・・ケゝ−トパルブ、１ノ・・・円筒状試料、
１２・・・ＲＦｔ源、１３・・・細孔、１４・・・ガス
導入管。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ＩＩ １ 図 １フ
す図、第２図はその装置の試料脱着時の状態を示す図で
ある。 １・・・反応容器、２・・・下面、３・・・開口部、４
・・・試料支持台、５・・・弁体、６・・・支持棒、７
・・・モータ、８・・・円筒状中空電極、９・・ヒータ
、１０・・・ケゝ−トパルブ、１ノ・・・円筒状試料、
１２・・・ＲＦｔ源、１３・・・細孔、１４・・・ガス
導入管。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ＩＩ １ 図 １フ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ Ａ空に排気された容器内で所定の試料上に薄膜を
形成する装置において、ｎｆＪ記容器の下面に試料挿入
のだめの開口部を有し、この開口部は、ｆｉ１１＋料支
荷台を上面に備えかつ、駆動機構により上下する弁体に
よって前記容器の外部から密閉される構造としたことを
特徴とする薄膜形成装置。 （２） 前１３１２谷器は反応ガス供給手段と酸力供
給手段を備え、反尾、ガスをグロー放電により分解して
試料上に薄膜を形成するものである特許請求の範囲第１
項記載の薄膜形成装置。 （３） 前記試料は電子写真用の導電性円筒ドラムで
ある特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232929A JPS59116370A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232929A JPS59116370A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116370A true JPS59116370A (ja) | 1984-07-05 |
Family
ID=16947051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57232929A Pending JPS59116370A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116370A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58180227A (ja) * | 1982-04-17 | 1983-10-21 | Samuko Internatl Kenkyusho:Kk | 複数の反応室を備えた能率的プラズマ処理装置 |
| JPS5970764A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5970762A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-21 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP57232929A patent/JPS59116370A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58180227A (ja) * | 1982-04-17 | 1983-10-21 | Samuko Internatl Kenkyusho:Kk | 複数の反応室を備えた能率的プラズマ処理装置 |
| JPS5970762A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-21 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5970764A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
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