RU2342989C1 - Плазмохимическая установка для модифицирования поверхности листовых материалов - Google Patents
Плазмохимическая установка для модифицирования поверхности листовых материалов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2342989C1 RU2342989C1 RU2007120175/15A RU2007120175A RU2342989C1 RU 2342989 C1 RU2342989 C1 RU 2342989C1 RU 2007120175/15 A RU2007120175/15 A RU 2007120175/15A RU 2007120175 A RU2007120175 A RU 2007120175A RU 2342989 C1 RU2342989 C1 RU 2342989C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- sheet
- electrodes
- reactor
- reaction vessel
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для модификации поверхности листовых носителей ультрадисперсных веществ, полимерных мембран, нетканых материалов, бумаги. Плазмохимическая установка содержит металлическую вакуумную камеру 1 с реакционной емкостью из диэлектрического материала, соединенную с откачной системой. Реакционная емкость выполнена в виде цилиндрического стакана 4 с диэлектрической крышкой 5, в нижней части которого имеется отверстие для ввода плазмообразующей среды и вакуумирования емкости. Ввод плазмообразующей среды производится через вертикально расположенную диэлектрическую трубку 6 с отверстиями по ее длине, оканчивающуюся распределителем потока 7, также имеющим отверстия. Электроды 8 представляют собой перфорированные алюминиевые пластины, расположенные по образующей цилиндрического стакана. Предложенное изобретение позволяет эффективно обрабатывать поверхность листовых образцов с большой площадью поверхности, находящихся в статических условиях, при относительно большой степени заполнения объема реакционной камеры. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл.
Description
Изобретение относится к аппаратурному сопровождению технологических процессов плазмохимического модифицирования поверхности материалов, в частности к модифицированию листовых материалов (листовых носителей ультрадисперсных веществ, полимерных мембран, нетканых материалов типа фильтров Петрянова, бумаги и т.д.).
Модифицирование придает материалам новый комплекс поверхностных свойств.
В настоящее время известны установки для модифицирования поверхностей различных материалов в низкотемпературной плазме тлеющего разряда, в том числе рулонных ([1] RU 2190484, 2002; [2] RU 2016157, 1994), порошкообразных ([3] US 2004149169, 2004; [4] EP 0254424 1988), единичных изделий разной формы и размеров ([5] RU 2070349 1996, [6] RU 1438069, 1994).
Недостатком известных решений является то, что они не позволяют равномерно модифицировать всю поверхность образцов, находящихся в процессе обработки в статических условиях.
Во всех известных установках имеются приспособления, позволяющие перемещать обрабатываемые объекты в процессе обработки, что является необходимым условием равномерного поверхностного модифицирования. Так, в [1, 2] объект (металлическая или диэлектрическая лента) протягивается через зону разряда с помощью лентопротяжного механизма. Порошкообразные объекты [3, 4] обрабатывают в подвижных реакторах (вращение или вибрация). Для равномерной обработки единичных объектов разной формы (кремниевых подложек [5], резинотехнических изделий [6]) в соответствующих установках имеются возможности для вращения изделий.
Наиболее близким к заявляемому изобретению является устройство ([8] RU 2167136, 2001), которое можно рассматривать в качестве прототипа. Устройство по прототипу (реактор) создано для модифицирования порошков. Недостатком реактора по прототипу является то, что он не позволяет получать равномерного модифицирования всей поверхности листовых образцов, находящихся в процессе обработки в статических условиях.
Для проведения процессов поверхностного модифицирования листовых материалов предлагается установка, общий вид которой представлен на фотографии (см. фиг.1), в которой реализована конструкция реактора, отличающаяся от вышеуказанного решения тем, что она позволяет равномерно обрабатывать листовые образцы, находящиеся в статическом положении в процессе плазмохимической обработки.
Установка состоит из четырех блоков: блока реактора, откачной системы, системы напуска плазмообразующих сред и источника возбуждения разряда. Откачная система имеет основную и байпасную линии. Основными элементами откачной системы являются форвакуумный и турбомолекулярный насосы, ловушки, охлаждаемые жидким азотом, запорные вентили, вентили тонкой регулировки потока напускаемой среды, фильтр тонкого улавливания отходящих продуктов реакций. В систему напуска входят резервуары для неполимеризующихся газов и органических полимеризующихся сред, запорные и регулировочные вентили. В качестве источника питания используют либо высоковольтный трансформатор промышленной частоты (50 Гц), либо источник питания частотой 1 кГц.
На фиг.2 схематически представлен один из вариантов основного блока установки - реактора. Реактор объемом около 100 л представляет собой металлическую вакуумную камеру (1), выполненную в виде вертикального стакана, в верхней части которого находится крышка (2), снабженная фланцем с вакуумным уплотнением (3). Внутри вакуумной камеры находится реакционная емкость объемом около 70 л, выполненная из диэлектрического материала. Реакционная емкость представляет собой вертикальный стакан (4) со съемной верхней частью (5). В центре нижней части реакционной емкости имеется отверстие, которое служит для вакуумирования реакционной емкости и формирования потока плазмообразующей среды. Ввод плазмообразующих сред из системы напуска в реакционную емкость осуществляется через вертикально расположенную диэлектрическую трубку (6) с отверстиями по ее длине. Продолжением трубки является распределитель потока (7), выполненный в данном варианте в виде крестовины, также снабженный отверстиями. Трубка с крестовиной обеспечивает равномерное распределение плазмообразующей среды и служит для формирования однородного по плотности потока плазмообразующей среды через весь объем реакционной емкости. Электроды (8), представляющие собой перфорированные алюминиевые пластины, крепятся на внутренней цилиндрической поверхности реакционной емкости. Токоподвод к ним обеспечивается с помощью контактов, соединенных через герметичные и электроизолированные от корпуса вакуумной камеры токовводы (9) с источником питания тлеющего разряда. Реакционная емкость снабжена системой крепления (10) листовых образцов (11). В одном опыте можно обрабатывать от пяти до семи листовых образцов размером до 200×300 мм. Через патрубок (12) вакуумная камера соединяется с откачной системой. Вакуумная камера снабжена датчиками измерения давления (13). Для визуального и инструментального наблюдения вакуумная камера имеет окно (14).
Процесс проводят в проточном режиме, то есть при постоянном потоке плазмообразующей среды через объем реактора. После загрузки образцов в реакционную емкость (то есть после закрепления их в держателе в стационарном состоянии) систему откачивают до давления около 10-4 Торр и затем через систему напуска вводят в реакционную емкость плазмообразующую среду. В течение 3-5 мин реакционную емкость "промывают" рабочей газовой средой при давлении 0.5-1 Торр, после чего переключают вакуумирование на байпасную линию и с помощью двух вентилей тонкой регулировки устанавливают требуемые значения давления и скорости потока плазмообразующей среды. После установления заданного давления и скорости потока плазмообразующего газа на электроды подают напряжение и возбуждают тлеющий разряд. В процессе эксперимента параметры разряда (рабочее давление газовой среды и величину разрядного тока) поддерживают постоянными.
В качестве плазмообразующих сред использовали воздух (неполимеризующаяся газовая среда) и тетрафторэтилен (полимеризующаяся среда).
Эффективность (равномерность) обработки листовых образцов в предлагаемом реакторе оценивали двумя методами. Методом ИК-спектроскопии в варианте МНПВО (спектрофотометр Перкин-Эльмер, модель 580) осуществляли качественную оценку эффективности обработки. Для этого анализировали область валентных колебаний карбонильных групп в области 1700 см-1 в случае обработки воздушной плазмой и область деформационных колебаний C-F связей (700-800 см-1). Количественную оценку эффективности обработки проводили путем измерения равновесных краевых углов смачивания гониометрическим методом в установке, снабженной горизонтальным микроскопом МГ-1. Точность измерения составляет ±1 град.
Сущность изобретения может быть проиллюстрирована конкретными примерами выполнения, реализованными в вышеописанном устройстве.
В качестве объектов обработки служили образцы полиэтиленовой и полиэтилентерефталатной (лавсановой) пленки размером 200×300 мм, толщиной 150-250 мкм. Одновременно обрабатывали пять листов. Оценивали равномерность обработки двух крайних, наиболее близко расположенных к элекродам, листов и листа, расположенного в центре. Измерения проводили в девяти точках (местах) на каждом листе.
В табл.1 приведены результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтиленовой пленки этиленгликолем после обработки в сравнительно «мягких» условиях.
Таблица 1 | |||||||||
Результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтиленовой пленки этиленгликолем. Условия обработки в реакторе с двумя электродами: воздушная плазма, давление 7×10-2 Торр, скорость потока 8 см3 (НУ)/мин, ток разряда 30 мА, время обработки 3 мин | |||||||||
Θо, град. | |||||||||
Крайний левый лист | Центральный лист | Крайний правый лист | |||||||
Л | Ц | П | Л | Ц | П | Л | Ц | П | |
Верх | 51 | 53 | 51 | 54 | 54.5 | 54 | 50 | 50 | 51 |
Центр | 51 | 51 | 52 | 54 | 54.5 | 54 | 50 | 52 | 51 |
Низ | 50 | 53 | 52 | 53.5 | 54 | 54 | 51 | 51 | 51 |
Примечания: | |||||||||
1. Равновесный краевой угол смачивания необработанной полиэтиленовой пленки этиленгликолем составляет 76 град. | |||||||||
2. Л - левый край листа, Ц - центр листа, П - правый край листа. |
В табл.2 приведены результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтиленовой пленки этиленгликолем после обработки в сравнительно «жестких» условиях.
Таблица 2 | |||||||||
Результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтиленовой пленки этиленгликолем. Условия обработки в реакторе с двумя электродами: воздушная плазма, давление 8×10-2 Торр, скорость потока 5 см3 (НУ)/мин, ток разряда 50 мА, время обработки 15 мин | |||||||||
Θo, град. | |||||||||
Крайний левый лист | Центральный лист | Крайний правый лист | |||||||
Л | Ц | П | Л | Ц | П | Л | Ц | П | |
Верх | 20 | 20 | 20 | 20 | 20.5 | 19.5 | 20 | 19.5 | 19.5 |
Центр | 19.5 | 21.5 | 21.5 | 21 | 21.5 | 21 | 20 | 20 | 20 |
Низ | 20 | 19.5 | 20.5 | 20 | 21 | 20 | 19.5 | 19.5 | 19.5 |
Примечания: 1. Равновесный краевой угол смачивания необработанной полиэтиленовой пленки этиленгликолем составляет 76 град. |
|||||||||
2. Л - левый край листа, Ц - центр листа, П - правый край листа. |
В табл.3 приведены результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтиленовой пленки этиленгликолем после обработки при сравнительно «жестких» условиях в реакторе с четырьмя парами электродов, то есть восемью секциями.
Таблица 3 | |||||||||
Результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтиленовой пленки этиленгликолем. Условия обработки в реакционной емкости (реакторе) с четырьмя парами электродов: воздушная плазма, давление 8×10-2 Торр, скорость потока 5 см3 (НУ)/мин, ток разряда 50 мА, время обработки 15 мин | |||||||||
Θо, град. | |||||||||
Крайний левый лист | Центральный лист | Крайний правый лист | |||||||
Л | Ц | П | Л | Ц | П | Л | Ц | П | |
Верх | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 19.5 | 20 | 20 | 19.5 |
Центр | 20 | 20 | 20 | 20 | 20.5 | 20 | 20 | 20 | 20 |
Низ | 20 | 20.5 | 20 | 20 | 20 | 20 | 19.5 | 20 | 20 |
Примечания: | |||||||||
1. Равновесный краевой угол смачивания необработанной полиэтиленовой пленки этиленгликолем составляет 76 град. | |||||||||
2. Л - левый край листа, Ц - центр листа, П - правый край листа. |
Обработка полиэтиленовой пленки в реакционной емкости (реакторе) с тремя парами электродов (т.е. шестью секциями) приводит к результатам, близким к показанным в табл.3.
В табл.4 приведены результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтилентерефталатной пленки водой после обработки в реакционной емкости с двумя электродами (двумя секциями).
Таблица 4 | |||||||||
Результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтилентерефталатной пленки водой. Условия обработки в реакторе с двумя электродами: воздушная плазма, давление 1×10-1 Торр, скорость потока 4 см3 НУ)/мин, ток разряда 30 мА, время обработки 2 мин | |||||||||
Θо, град. | |||||||||
Крайний левый лист | Центральный лист | Крайний правый лист | |||||||
Л | Ц | П | Л | Ц | П | Л | Ц | П | |
Верх | 33 | 33 | 33 | 33.5 | 33.5 | 33.5 | 33 | 34 | 33 |
Центр | 33.5 | 34 | 33 | 34 | 35.5 | 34 | 33 | 34 | 33.5 |
Низ | 33 | 33 | 33 | 33.5 | 33.5 | 34 | 33 | 34 | 33 |
Примечания: | |||||||||
1. Равновесный краевой угол смачивания необработанной полиэтилентерефталатной пленки водой составляет 67 град. | |||||||||
2. Л - левый край листа, Ц - центр листа, П - правый край листа. |
В табл.5 приведены результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтиленовой пленки этиленгликолем. Пленка обработана в реакторе с двумя парами электродов, в качестве плазмообразующей среды использован тетрафторэтилен.
Таблица 5 | |||||||||
Результаты определения равновесных краевых углов смачивания полиэтиленовой пленки водой. Условия обработки в реакторе с двумя парами электродов: плазма в тетрафторэтилене, давление 2×10-1 Торр, скорость потока 3 см3 НУ)/мин, ток разряда 30 мА, время обработки 20 мин | |||||||||
Θо, град. | |||||||||
Крайний левый лист | Центральный лист | Крайний правый лист | |||||||
Л | Ц | П | Л | Ц | П | Л | Ц | П | |
Верх | 88 | 89 | 88 | 90 | 90 | 90 | 88 | 90 | 89 |
Центр | 90 | 91 | 90 | 90.5 | 91.5 | 91 | 90 | 91 | 90 |
Низ | 88 | 89 | 90 | 90 | 90 | 90 | 89 | 89 | 89 |
Примечания: | |||||||||
1. Равновесный краевой угол смачивания необработанной полиэтиленовой пленки водой составляет 79 град. | |||||||||
2. Л - левый край листа, Ц - центр листа, П - правый край листа. |
Приведенные примеры показывают, что равномерность обработки не менее пяти листовых образцов при загрузке их в реакционную камеру с двумя электродами и описанной схемой организации потока плазмообразующей среды через реакционную зону составляет 90-92% (соответственно, отклонение от равномерности - 8-10%). Этот показатель является вполне удовлетворительным для решения многих задач модифицирования поверхности листовых материалов. При увеличении числа пар электродов до 3-4 равномерность обработки повышается до 95-96%.
Таким образом, предлагаемая плазмохимическая установка позволяет эффективно обрабатывать поверхность листовых образцов с большой площадью поверхности, находящихся в статических условиях, при относительно большой степени заполнения объема реакционной емкости.
Claims (2)
1. Плазмохимическая установка для модифицирования поверхности листовых материалов, содержащая металлическую вакуумную камеру с реакционной емкостью из диэлектрического материала, соединенную с откачной системой, с внутренними электродами и токоподводами к ним, систему подачи плазмообразующей среды через соответствующие отверстия, источник возбуждения тлеющего разряда, отличающаяся тем, что реакционная емкость выполнена в виде вертикального цилиндрического стакана с диэлектрической крышкой, в нижней части которого имеется отверстие для ввода плазмообразующей среды и вакуумирования емкости, ввод плазмообразующей среды производится через вертикально расположенную диэлектрическую трубку с отверстиями по ее длине, оканчивающуюся распределителем потока, также имеющим отверстия, электроды представляют собой перфорированные алюминиевые пластины, расположенные по образующей цилиндрического стакана.
2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что электроды выполнены в виде одной, двух, трех или четырех пар.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007120175/15A RU2342989C1 (ru) | 2007-05-31 | 2007-05-31 | Плазмохимическая установка для модифицирования поверхности листовых материалов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007120175/15A RU2342989C1 (ru) | 2007-05-31 | 2007-05-31 | Плазмохимическая установка для модифицирования поверхности листовых материалов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2342989C1 true RU2342989C1 (ru) | 2009-01-10 |
Family
ID=40374120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007120175/15A RU2342989C1 (ru) | 2007-05-31 | 2007-05-31 | Плазмохимическая установка для модифицирования поверхности листовых материалов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2342989C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU202920U1 (ru) * | 2020-11-16 | 2021-03-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Устройство для получения органических тонкопленочных покрытий в вакууме |
RU2751348C2 (ru) * | 2019-12-19 | 2021-07-13 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Восточно-Сибирский государственный университет технологий и управления" | Установка для модификации поверхности полимеров в низкотемпературной плазме тлеющего разряда |
-
2007
- 2007-05-31 RU RU2007120175/15A patent/RU2342989C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2751348C2 (ru) * | 2019-12-19 | 2021-07-13 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Восточно-Сибирский государственный университет технологий и управления" | Установка для модификации поверхности полимеров в низкотемпературной плазме тлеющего разряда |
RU202920U1 (ru) * | 2020-11-16 | 2021-03-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Устройство для получения органических тонкопленочных покрытий в вакууме |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW323387B (ru) | ||
US20090084409A1 (en) | Cleaning apparatus, cleaning system using cleaning apparatus, cleaning method of substrate-to-be-cleaned | |
KR100884107B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 그것에 사용되는 전극 | |
TW201445628A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
WO2019090890A1 (zh) | 溶液气泡去除装置及涂布机 | |
RU2342989C1 (ru) | Плазмохимическая установка для модифицирования поверхности листовых материалов | |
EP0414859A1 (en) | IMPROVED ENGRAVING CHAMBER WITH GAS DISPERSION MEMBRANE. | |
KR101489041B1 (ko) | 혼합 산 세정 어셈블리 | |
KR101606729B1 (ko) | 홀을 갖는 대상물을 세정하는 장치 | |
CN218291089U (zh) | 一种含有液体供给系统的镀膜设备 | |
CN114072539A (zh) | 镀膜设备和应用 | |
CN114226360B (zh) | 一种电镜样品和样品杆预处理装置 | |
WO2012139527A1 (zh) | 一种半导体处理装置 | |
JPH0129875B2 (ru) | ||
EP1548149A1 (en) | Method for forming thin film, apparatus for forming thin film, and method for monitoring thin film forming process | |
JP2022035213A (ja) | ガスシールタンク、シールガス供給方法、超純水製造装置及び超純水製造方法 | |
KR102303066B1 (ko) | 챔버 내부의 유동을 확산시키는 것에 의한 더 낮은 입자 수 및 더 양호한 웨이퍼 품질을 위한 효과적이고 새로운 설계 | |
JP2010192262A (ja) | プラズマ表面処理装置 | |
JP7397205B2 (ja) | 製膜用霧化装置、製膜装置及び製膜方法 | |
CN202601553U (zh) | 对柔性材料表面改性的卷对卷式辉光放电发生装置 | |
WO2023073879A1 (ja) | プラズマ照射装置及びプラズマ処理液体製造方法 | |
CN116567905A (zh) | 一种循环水控温大面积水网电极dbd材料表面改性装置 | |
CN217149288U (zh) | 一种蒸镀装置 | |
CN212975107U (zh) | 一种聚合物接枝反应装置 | |
RU2748658C1 (ru) | Устройство для осаждения или очистки с подвижной конструкцией и способ его эксплуатации |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090601 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20120727 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140601 |