KR102303066B1 - 챔버 내부의 유동을 확산시키는 것에 의한 더 낮은 입자 수 및 더 양호한 웨이퍼 품질을 위한 효과적이고 새로운 설계 - Google Patents

챔버 내부의 유동을 확산시키는 것에 의한 더 낮은 입자 수 및 더 양호한 웨이퍼 품질을 위한 효과적이고 새로운 설계 Download PDF

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Abstract

본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 처리 챔버의 저부에 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트를 갖는 처리 챔버에 관한 것이다. 하나 이상의 가스 유입 포트를 통해 처리 챔버 내로 유동하는 가스는 하나 이상의 가스 유입 포트 각각의 위에 위치된 플레이트에 의해, 또는 하나 이상의 가스 유입 포트 각각의 각진 개구에 의해, 처리 챔버의 하부 측벽을 따라 지향된다. 하나 이상의 가스 유입 포트 및 플레이트들은 처리 챔버의 한 단부에 위치될 수 있고, 가스 유동은 플레이트들 또는 각진 개구들에 의해 처리 챔버의 대향 단부에 위치된 배기 포트를 향해 지향된다. 따라서, 처리 챔버의 리드로부터 입자들을 이탈시키지 않고서 더 많은 가스가 처리 챔버 내로 유동될 수 있다.

Description

챔버 내부의 유동을 확산시키는 것에 의한 더 낮은 입자 수 및 더 양호한 웨이퍼 품질을 위한 효과적이고 새로운 설계{EFFECTIVE AND NOVEL DESIGN FOR LOWER PARTICLE COUNT AND BETTER WAFER QUALITY BY DIFFUSING THE FLOW INSIDE THE CHAMBER}
본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 반도체 기판을 처리하기 위한 장치들 및 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 명세서에 설명된 실시예들은 처리 챔버의 저부에 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트를 갖는 처리 챔버에 관한 것이다.
집적 회로 및 평판 디스플레이 제조의 분야에서, 다양한 설계 구조물들을 형성하기 위해, 복수의 퇴적 및 에칭 프로세스가 하나 이상의 프로세스 챔버 사이에서 기판 상에 순차적으로 수행된다. 기판 처리 시스템은 에칭, 물리적 기상 증착(PVD), 화학적 기상 증착(CVD), 질화, 챔버 세정 및 컨디셔닝 등과 같은 이러한 프로세스들을 수행하기 위한 복수의 챔버를 구비할 수 있다. 프로세스들 중 다수는 진공 조건 하에서 처리 챔버 내에서 수행될 수 있고, 처리 챔버는 기판을 처리 챔버로부터 제거할 때 또는 처리 챔버의 유지보수 동안 대기압으로 가압될 수 있다. 추가로, 프로세스 단계들 사이에서 처리 챔버의 퍼징이 수행될 수 있다.
종래에, 처리 챔버, 예컨대 질화를 위해 사용되는 처리 챔버를 가압하기 위한, 또는 퍼지 가스를 도입하기 위한 포트가 처리 챔버의 리드 상에 위치된다. 처리 챔버 내에 배치된 기판 상의 입자 오염은 리드 노즐 패턴을 나타내는 것으로 밝혀졌고, 이는 오염의 근원이 리드 내에 위치된 포트임을 나타낸다. 추가로, 포트의 개구는 제한되므로, 처리 챔버 내로 유동되는 퍼지 또는 가압 가스의 유량은 느리고, 이는 긴 퍼지 및 가압 시간을 초래한다.
그러므로, 기판 상의 입자 오염을 증가시키지 않으면서 퍼지 또는 가압 가스의 유량을 증가시키기 위해 개선된 장치가 필요하다.
일 실시예에서, 처리 챔버는 저부; 저부 상에 배치된 하부 측벽; 하부 측벽 상에 배치된 상부 측벽; 상부 측벽 상에 배치된 리드; 리드 상에 배치된 프로세스 가스 주입 포트; 및 퍼지 가스 또는 가압 가스를 처리 챔버 내로 도입하기 위해 저부 내에 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트를 포함한다. 하나 이상의 가스 유입 포트는 하부 측벽에 인접한다. 처리 챔버는 저부에 결합된 배기 인클로저를 더 포함한다.
다른 실시예에서, 처리 챔버는 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 저부; 및 저부 상에 배치된 하부 측벽을 포함한다. 하부 측벽은 제1 영역 및 제2 영역을 갖는다. 처리 챔버는 하부 측벽의 제1 영역 상에 배치된 상부 측벽; 상부 측벽 상에 배치된 리드; 리드 상에 배치된 프로세스 가스 주입 포트; 및 퍼지 가스 또는 가압 가스를 처리 챔버 내로 도입하기 위해 저부의 제1 영역 내에 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트를 더 포함한다. 하나 이상의 가스 유입 포트는 하부 측벽의 제1 영역에 인접한다. 처리 챔버는 저부의 제2 영역에 결합된 배기 인클로저를 더 포함한다.
다른 실시예에서, 처리 챔버는 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 저부; 및 저부 상에 배치된 하부 측벽을 포함한다. 하부 측벽은 제1 영역 및 제2 영역을 갖는다. 처리 챔버는 하부 측벽의 제1 영역 상에 배치된 상부 측벽; 상부 측벽 상에 배치된 리드; 리드 상에 배치된 프로세스 가스 주입 포트; 및 퍼지 가스 또는 가압 가스를 처리 챔버 내로 도입하기 위해 저부의 제1 영역 내에 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트를 더 포함한다. 하나 이상의 가스 유입 포트는 하부 측벽의 제1 영역에 인접한다. 처리 챔버는 처리 챔버 내에 배치된 하나 이상의 플레이트를 더 포함한다. 하나 이상의 플레이트 중의 각각의 플레이트는 하나 이상의 가스 유입 포트 중의 대응하는 가스 유입 포트 위에 배치된다. 처리 챔버는 저부의 제2 영역에 결합된 배기 인클로저를 더 포함한다.
위에서 언급된 본 개시내용의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 예시적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 되며, 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있다는 점에 주목해야 한다.
도 1은 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 처리 챔버의 개략적인 사시도이다.
도 2a는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 각진 개구를 갖는 가스 유입 포트의 개략적인 측면도이다.
도 2b는 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 슬릿형 개구를 갖는 가스 유입 포트의 개략적인 상부도이다.
도 3은 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 처리 챔버의 개략적인 사시도이다.
도 4는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른, 도 1에 도시된 처리 챔버의 저부의 일부분의 개략적인 상부도이다.
도 5는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 스크류 커버의 개략적인 사시도이다.
도 6a는 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른, 도 1에 도시된 처리 챔버의 저부의 일부분의 개략적인 상부도이다.
도 6b는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른, 도 6a에 도시된 처리 챔버의 저부의 일부분의 개략적인 하부도이다.
도 7a는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 플레이트의 개략적인 사시도이다.
도 7b는 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 플레이트의 개략적인 사시도이다.
도 8은 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 리테이너의 개략적인 사시도이다.
도 9는 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 처리 챔버의 개략적인 사시도이다.
도 10은 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 처리 챔버의 개략적인 사시도이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 처리 챔버의 개략적인 사시도이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지정하기 위해 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가의 언급 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 처리 챔버의 저부에 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트를 갖는 처리 챔버에 관한 것이다. 하나 이상의 가스 유입 포트를 통해 처리 챔버 내로 유동하는 가스는 하나 이상의 가스 유입 포트 각각의 위에 위치된 플레이트에 의해, 또는 하나 이상의 가스 유입 포트 각각의 각진 개구(angled opening)에 의해, 처리 챔버의 하부 측벽을 따라 지향된다. 하나 이상의 가스 유입 포트 및 플레이트들은 처리 챔버의 한 단부에 위치될 수 있고, 가스 유동은 플레이트들 또는 각진 개구들에 의해 처리 챔버의 대향 단부에 위치된 배기 포트를 향해 지향된다. 따라서, 처리 챔버의 리드로부터 입자들을 이탈(dislodging)시키지 않고서 더 많은 가스가 처리 챔버 내로 유동될 수 있다.
도 1은 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 개략적인 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 처리 챔버(100)는 저부(115), 저부(115) 상에 배치된 하부 측벽(107), 하부 측벽(107) 상에 배치된 상부 측벽(106), 상부 측벽(106) 상에 배치된 리드(102), 및 리드(102) 상에 배치된 프로세스 가스 주입 포트(104)를 포함한다. 처리 챔버(100)는 질화 챔버와 같은 임의의 적절한 진공 처리 챔버일 수 있다. 기판(120)은 상부 측벽(106)에 의해 둘러싸인 위치에서 처리 챔버(100) 내에 배치된다. 기판(120)은 처리 챔버(100) 내에 배치된 기판 지지체(126)에 의해 지지될 수 있다. 슬릿 밸브 도어(105)는 처리 챔버(100)의 안팎으로 기판(120)을 이송하기 위한 슬릿 밸브 개구를 밀봉하기 위해 상부 측벽(106) 내에 위치된다. 하부 측벽(107)은 상부 측벽(106) 및 슬릿 밸브 도어(105) 아래에 배치된다. 상부 측벽(106)은 원형이거나 원형이 아닐 수 있다. 도 1의 실시예에서, 상부 측벽(106)은 원형이다. 하부 측벽(107)은 제1 영역(109) 및 제2 영역(111)을 포함한다. 상부 측벽(106)은 하부 측벽(107)의 제1 영역(109) 상에 배치된다. 제1 영역(109)은 상부 측벽(106) 바로 아래에 위치되고, 제2 영역(111)은 상부 측벽(106)을 넘어 측 방향으로 연장된다. 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)은 반원형이고, 상부 측벽(106)의 직경과 실질적으로 동일한 직경을 가질 수 있다. 하부 측벽(107)의 제2 영역(111)은 또한 반원형이고, 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)의 직경과 동일하거나 그보다 작은 직경을 가질 수 있다. 도 1에서, 반원형 제2 영역(111)의 직경은 제1 영역(109)의 직경보다 작다. 하부 측벽(107)은 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)과 제2 영역(111)을 연결하는 2개의 연결 영역(130)을 포함할 수 있다. 하부 측벽(107)의 연결 영역들(130)은 선형일 수 있다. 처리 챔버(100)의 저부(115)는 제1 영역(108), 제2 영역(114), 및 연결 영역들(132)을 갖는다. 저부(115)의 제1 영역(108)은 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)에 결합되고, 저부(115)의 제2 영역(114)은 하부 측벽(107)의 제2 영역(111)에 결합되고, 연결 영역들(132)은 하부 측벽(107)의 연결 영역들(130)에 결합된다. 배기 인클로저(122)는 저부(115)의 제2 영역(114)에 결합되고, 가스 유출구(116)는 처리 챔버(100) 내부의 가스들이 처리 챔버(100)를 빠져나가는 것을 허용하기 위해 배기 인클로저(122) 상에 위치된다. 가스 유출구(116)는 처리 챔버(100) 내부에 진공 조건을 생성하기 위해 진공 펌프(도시되지 않음)에 연결될 수 있다.
전형적으로, 처리 챔버(100)를 퍼징하기 위한 퍼지 가스, 또는 처리 챔버(100)를 가압하기 위한 불활성 가스는 프로세스 가스 주입 포트(104)를 통해 처리 챔버(100)에 도입된다. 그러나, 많은 경우에, 프로세스 가스 주입 포트(104)의 개구는 제한되고, 따라서, 처리 챔버(100)에 도입되는 퍼지 가스 또는 가압 가스의 유량은 느리다. 추가로, 퍼지 또는 가압 가스가 프로세스 가스 주입 포트(104)를 통해 처리 챔버(100)에 도입됨에 따라, 특히 포트(104)를 통한 퍼지 가스 또는 가압 가스의 유량이 증가되는 경우, 처리 챔버(100)의 리드(102) 상에 축적되는 입자들이 기판(120) 상에 떨어진다.
리드(102) 상에 축적된 입자들이 기판(120) 상에 떨어지게 하지 않으면서 처리 챔버(100) 내로 유동하는 퍼지 또는 가압 가스의 유량을 증가시키기 위해, 퍼지 가스 또는 가압 가스를 처리 챔버(100)에 도입하기 위한 가스 유입구(110)가 저부(115)의 제1 영역(108) 내에 위치될 수 있다. 가스 유입구(110)는 가스 패널(도시되지 않음)과 같은 가스 소스로부터 퍼지 가스 또는 가압 가스를 수용하기 위한 도관(112)을 포함한다. 확산기(도시되지 않음)는 가스 유입구(110) 내부에 배치될 수 있다. 가스 유입구(110)는 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)에 인접한 가스 유입 포트(124)에서 저부(115)의 제1 영역(108)에 결합된다. 가스 유입 포트(124)는 가스가 기판 지지체(126)를 향해 유동하는 것을 막기 위해 챔버의 주연부에 위치된다. 따라서, 기판 지지체(126)가 퍼지 가스 또는 가압 가스의 유동 경로로부터 반경 방향 내측에 위치된 에지(128)를 갖기 때문에, 퍼지 가스 또는 가압 가스는 가스 유입구(110)로부터 리드(102)을 향하여 처리 챔버(100) 내로 유동되고 기판 지지체(126)에 충돌하지 않는다. 일부 실시예들에서, 가스 유입구(110)로부터 처리 챔버(100)에 도입되는 가스는 리드(102) 상의 입자들이 떨어지게 하지 않는 속도로 리드(102)에 충돌할 수 있다. 가스의 속도를 증가시키지 않고서 가스 유입구(110)를 통해 처리 챔버(100) 내로 유동하는 가스의 양을 증가시키기 위해, 가스 팽창 디바이스(113)가 이용될 수 있다. 가스 팽창 디바이스(113)는 도 1에 도시된 바와 같이 가스 유입구(110)에 결합되거나 가스 유입구(110)의 내부에 배치될 수 있다. 가스 팽창 디바이스(113)는 임의의 적절한 가스 팽창 디바이스일 수 있다. 가스 팽창 디바이스(113)를 이용하면, 처리 챔버(100)에 도입되는 퍼지 가스 또는 가압 가스의 양은 증가되는 한편, 처리 챔버(100) 내로 유동하는 퍼지 가스 또는 가압 가스의 속도는 증가되지 않는다. 그 결과로서, 퍼지 가스 또는 가압 가스가 처리 챔버(100)의 리드(102)에 충돌하더라도, 가스의 느린 속도로 인해 리드(102) 상의 입자들은 가스 유입구(110)를 통해 도입된 가스에 의해 리드(102)로부터 이탈되지 않는다.
일부 실시예들에서, 가스 팽창 디바이스(113)는 생략되고, 리드(102)로부터 입자들을 이탈시키지 않고서 가스 유입구(110)를 통해 처리 챔버(100) 내로 유동하는 가스의 양을 증가시키기 위해, 처리 챔버(100) 내부의 가스 유입구(110)의 개구가 이용될 수 있다. 도 2a는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 각진 개구(angled opening)(202)를 갖는 가스 유입구(110)의 개략적인 측면도이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 각진 개구(202)는 처리 챔버(100)의 기준 평면(201)과 각도 A를 형성할 수 있다. 처리 챔버의 기준 평면(201)은 기판(120)의 처리 표면에 실질적으로 평행할 수 있다. 퍼지 가스 또는 가압 가스(204)를 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)으로부터 제2 영역(111)을 향하는 것과 같이, 하부 측벽(107)의 제2 영역(111)을 향하여 지향시키기 위해, 각도 A는 0도보다 클 수 있다. 즉, 퍼지 가스 또는 가압 가스는 하부 측벽(107)의 연결 영역들(130) 중 하나를 따라 유동하도록 지향된다. 하부 측벽(107)은 기판(120)을 둘러싸는 상부 측벽(106) 아래에 위치되고, 그에 의해 하부 측벽(107)을 따라 유동하는 퍼지 가스 또는 가압 가스는 기판(120)에 충돌하지 않는다. 따라서, 가스가 직접적으로 처리 챔버의 리드(102)를 향해 유동하지 않기 때문에, 가스 유입구(110)를 통해 처리 챔버(100) 내로 유동하는 가스의 속도가 증가될 수 있다. 각진 개구(202)는 원형 또는 임의의 다른 적절한 형상일 수 있다.
도 2b는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 슬릿형 개구(206)를 갖는 가스 유입구(110)의 개략적인 상부도이다. 일 실시예에서, 슬릿형 개구(206)는 도 1에 도시된 가스 유입 포트(124)이다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 슬릿형 개구(206)의 면적은 가스 유입구(110)의 개구의 면적과 같은 원형 개구보다 크다. 따라서, 퍼지 가스 또는 가압 가스의 속도를 증가시키지 않고서, 더 많은 퍼지 가스 또는 가압 가스가 슬릿형 개구(206)를 통해 처리 챔버(100) 내로 유동할 수 있다. 슬릿형 개구(206)는 하부 측벽(107)에 인접할 수 있고, 하부 측벽(107)의 방위각을 형상추종하는 만곡 형상(curved shape)을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 슬릿형 개구(206)는 평면형일 수 있는데, 즉 슬릿형 개구(206)는 기준 평면(201)과 약 0도의 각도를 형성한다. 다른 실시예들에서, 슬릿형 개구(206)는 도 2a에 도시된 바와 같이 각질 수 있다.
도 3은 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 개략적인 사시도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 가스 팽창 디바이스(113)는 생략되고, 플레이트(302)는 저부(115)의 제1 영역(108)에 형성된 가스 유입 포트(124) 위에서 처리 챔버(100) 내에 배치된다. 플레이트(302)는 퍼지 가스 또는 가압 가스를 하부 측벽(107)을 따라 유동하도록 지향시키기 위해 이용된다. 처리 챔버(100) 내로 유동하는 퍼지 가스 또는 가압 가스가 직접적으로 리드(102)를 향해 유동하지 않기 때문에, 리드(102)로부터 입자들을 이탈시키지 않고서도 가스의 속도가 증가될 수 있다. 플레이트(302)는 스테인리스 스틸, 알루미늄, 석영, 알루미나, 또는 고성능 재료(HPM: high performance material)와 같은 임의의 적절한 재료로 제조될 수 있다. HPM은 화합물 Y4Al2O9과 고용체 Y2-xZrxO3(Y2O3-ZrO2 고용체)로 구성된다. 플레이트(302)는 이트리아 또는 HPM으로 코팅될 수 있다. 일례에서, 플레이트(302)는 석영으로 제조된다. 다른 예에서, 플레이트(302)는 스테인레스 스틸로 제조되고, 이트리아 또는 HPM으로 코팅된다. 플레이트(302)는 임의의 적절한 형상을 가질 수 있다. 일례에서, 플레이트(302)는 직사각형이다. 플레이트(302)는 가스 유입 포트(124)를 향하는 주 표면(303)을 포함한다. 표면(303)은 가스 유입 포트(124)보다 큰 표면적을 가질 수 있다. 표면(303)은 가스 유입 포트(124)보다 작거나 그와 동일한 표면적을 가질 수 있다.
도 4는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 도 1에 도시된 처리 챔버(100)의 저부(115)의 일부분의 개략적인 상부도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 가스 유입 포트(124)는 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)에 인접한 저부(115)의 제1 영역(108) 내에 형성되고, 플레이트(302)는 처리 챔버(100) 내로 유동하는 퍼지 가스 또는 가압 가스가 리드(102)에 고속으로 충돌하는 것을 방지하기 위해 가스 유입 포트(124) 위에 배치된다. 가스 유입 포트(124)는 퍼지 가스 또는 가압 가스를 프로세스 가스 주입 포트(104)(도 1)를 통해 달성가능한 것보다 높은 유량으로 처리 챔버(100) 내로 유동시키는 것을 허용하기 위해, 프로세스 가스 주입 포트(104)보다 크다. 플레이트(302)는 플레이트(302)에 대한 안정성을 제공하기 위해 저부(115)의 제1 영역(108) 상에 배치된 스크류 커버(402)에 결합된다. 플레이트(302)는 도 4에 도시된 바와 같이 둥근 코너들(404)을 갖는 직사각형일 수 있다. 플레이트(302)는 임의의 다른 적절한 형상을 가질 수 있다.
도 5는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 스크류 커버(402)의 개략적인 사시도이다. 스크류 커버(402)는 도 5에 도시된 바와 같이 환형일 수 있으며, 저부 표면(506) 내에 형성된 복수의 리세스(504)를 포함할 수 있다. 스크류 커버(402)는 임의의 적절한 재료로 제조될 수 있다. 스크류 커버(402)는 플레이트(302)와 동일한 재료로 제조될 수 있다. 일례에서, 스크류 커버(402)는 석영 또는 HPM으로 제조된다. 스크류 커버(402)는 기판(120)(도 1)의 직경보다 작은 내부 직경을 가질 수 있다. 복수의 리세스(504)는 저부(115) 내에 위치된 복수의 스크류를 덮을 수 있으며, 가스 유입 포트(124) 위에 있도록 플레이트(302)를 정렬하기 위해 사용될 수 있다. 플레이트(302)는 스크류 커버(402)의 상부 표면(508)에 임의의 적절한 체결 방법, 예를 들어 용접에 의해 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 플레이트(302) 및 스크류 커버(402)는 단일의 재료 조각이다.
도 6a는 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른, 도 1에 도시된 처리 챔버(100)의 저부(115)의 일부분의 개략적인 상부도이다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 가스 유입 포트(124)는 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)에 인접한 저부(115)의 제1 영역(108) 내에 형성되고, 플레이트(302)는 처리 챔버(100) 내로 유동되는 퍼지 가스 또는 가압 가스가 리드(102)에 고속으로 충돌하는 것을 방지하기 위해 가스 유입 포트(124) 위에 배치된다.
플레이트(302)는 저부(115)의 제1 영역(108) 상에 놓이는 복수의 지지체(602) 또는 그 등가물에 의해 지지된다. 지지체들(602)은 플레이트(302)를 지지 및 고정하고, 가스 유입 포트(124)를 통해 처리 챔버(100)로 진입하는 퍼지 가스 또는 가압 가스를 지향시키기 위해 임의의 적절한 위치들에서 플레이트(302)에 결합될 수 있다. 지지체들(602)의 두께는 플레이트(302)와 저부(115) 사이에서 갭을 정의하고, 퍼지 가스 또는 가압 가스는 갭을 통해 유동하여 처리 챔버(100) 내로 진입한다. 일 실시예에서, 도 6a에 도시된 바와 같이, 3개의 지지체(602A, 602B, 602C)가 이용된다. 3개의 지지체(602) 중의 제1 지지체(602A)는 저부(115)의 제1 영역(108)의 반경을 따라 배향될 수 있는 한편, 제2 및 제3 지지체들(602B, 602C)은 도 6a에 도시된 바와 같이 제1 지지체(602A)가 배향되는 반경에 수직한 선을 따라 배향된다. 제2 및 제3 지지체들(602B, 602C)은 가스 유입 포트(124)의 에지 상의 두 지점을 가로지르는 선을 따라 위치될 수 있다. 복수의 지지체(602A, 602B, 602C)는 도 6a에 도시된 바와 같이 가스 유입 포트(124)의 에지에 위치될 수 있거나, 가스 유입 포트(124)의 에지로부터 멀리 떨어져서 위치된다. 일 실시예에서, 복수의 지지체(602A, 602B, 602C)는 가스 유입 포트(124)의 에지로부터 멀리 떨어져서 배치되고, 지지체들(602A, 602B, 602C)은 플레이트(302)를 고정하기 위해 처리 챔버(100)의 저부(115)에 예컨대 볼트로 체결된다. 지지체들(602) 각각의 두께는 스크류 커버(402)의 두께와 동일하거나 그보다 클 수 있다. 일 실시예에서, 지지체들(602A, 602B, 602C) 각각의 두께는 스크류 커버(402)의 두께와 동일하고, 플레이트(302)는 스크류 커버(402)와 접촉한다. 다른 실시예에서, 플레이트(302), 스크류 커버(402), 및 지지체들(602A, 602B, 602C)은 하나의 재료 조각이다.
도 6b는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른, 도 6a에 도시된 처리 챔버(100)의 저부(115)의 일부분의 개략적인 하부도이다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 플레이트(302)는 복수의 지지체(602)(도 6a)에 의해 지지될 수 있고, 스크류 커버(402)와 접촉할 수 있다. 리테이너(604)는 플레이트(302)를 가스 유입 포트(124) 위에 고정하기 위해 가스 유입 포트(124) 내에 위치될 수 있다. 리테이너(604)는 임의의 적절한 재료로 제조될 수 있다. 일 실시예에서, 리테이너(604)는 알루미늄으로 제조된다. 리테이너(604)는 도 8에 더 상세히 설명된다. 플레이트(302)는 저부(115)에 용접되거나 접합되는 것과 같이 직접 체결될 수 있다.
도 7a는 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 플레이트(302)의 개략적인 사시도이다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 플레이트는 표면(303), 및 표면(303) 상에 형성된 복수의 지지체(602)를 포함한다. 복수의 지지체(602)는 플레이트(302)와 동일한 재료로 제조될 수 있다. 지지체들(602)은 플레이트(302)를 지지하기에 적합한 임의의 형상을 가질 수 있다. 플레이트(302)는 처리 챔버(100)에 수용하기에 적합한 임의의 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 도 7a에 도시된 바와 같이, 지지체들(602)은 동일한 막대형 형상을 갖는다. 플레이트(302)가 챔버 내에 설치될 때 표면(303)을 따라 유동하는 퍼지 가스 또는 가압 가스의 유동을 추가로 지향시키기 위해, 지지체들(602)은 상이한 형상들을 가질 수 있다. 복수의 지지체(602)는 임의의 적절한 방법에 의해 표면(303)에 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 지지체(602) 및 플레이트(302)는 단일의 재료 조각이다. 플레이트(302)를 가스 유입 포트(124) 위에 고정하기 위해, 복수의 컬럼(702)이 플레이트(302)의 표면(303) 상에 형성될 수 있다. 각각의 컬럼(702)은 도 7a에 도시된 바와 같이 대응하는 지지체(602)에 결합될 수 있다. 지지체들(602)이 가스 유입 포트(124)의 에지로부터 멀리 떨어진 실시예에서, 각각의 지지체(602)는 대응하는 컬럼(702)으로부터 멀리 떨어져 있다. 일 실시예에서, 도 7a에 도시된 바와 같이, 3개의 지지체(602) 및 3개의 컬럼(702)이 존재한다. 각각의 컬럼(702)은 대응하는 지지체(602)로부터 멀리 연장되는 단부(704)를 포함할 수 있으며, 단부(704)는 리테이너(604) 내에 형성된 대응하는 개구(802)(도 8)에 삽입될 수 있다. 즉, 각각의 컬럼(702)은 각각의 지지체(602)의 두께보다 큰 두께를 갖고, 각각의 컬럼(702)의 두께와 각각의 지지체(602)의 두께 사이의 차이는 단부(704)의 두께이다. 컬럼들(702) 및 지지체들(602)의 두께는 플레이트(302)의 표면(303)으로부터 멀리 연장되는 것으로서 정의된다. 컬럼들(702)은 도 7a에 도시된 바와 같이 원통형일 수 있다. 컬럼들(702)은 임의의 다른 적절한 형상일 수 있다. 컬럼들(702)은 지지체들(602)과 동일한 재료로 제조될 수 있다. 컬럼들(702)은 저부(115), 플레이트(302), 또는 팽창 디바이스(113)의 일체형 부분일 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다.
도 7b는 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 플레이트(302)의 개략적인 사시도이다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 플레이트(302)는 가스 유입 포트(124)(도 4)를 향하는 표면(303)을 갖는다. 도 7b의 실시예에서, 플레이트(302)는 직사각형이 아니다. 도 7b에서, 플레이트(302)는 2개의 만곡 측부(720) 및 2개의 직선 측부(722)를 가지며, 만곡 측부들(720)과 직선 측부들(722)은 둥근 코너들(724)에 의해 결합된다. 만곡 측부들(720)은 하부 측벽(107)의 방위각을 형상추종한다. 즉, 만곡 측부들(720)은 기판 지지체(126)(도 1)의 중심에 중심이 있는 원들의 호들이다. 2개의 직선 측부(722)는 서로 실질적으로 평행할 수 있다. 복수의 지지체(602) 및 복수의 컬럼(702)은 플레이트(302)의 표면(303) 상에 형성될 수 있다. 하나 이상의 지지체(602)는 처리 챔버(100) 내로 진입하는 퍼지 가스 또는 가압 가스의 유동을 더 지향시키기 위해 나머지 지지체(602)들과 상이한 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 지지체(706)는 제1 부분(708) 및 제2 부분(710)을 포함한다. 제1 부분(708)은 저부(115)의 제1 영역(108)의 반경을 따라 배향될 수 있다. 제2 부분(710)은 막대형일 수 있고, 플레이트(302)의 긴 에지(712)를 따라 배치될 수 있다. 제1 부분(708)은 제2 부분(710)의 중심에서 제2 부분(710)에 연결될 수 있다. 연결 영역은 T자 형상일 수 있거나, 제1 부분(708)으로부터 제2 부분(710)으로의 만곡된 전이부를 이룰 수 있다. 제1 부분(708)은 도 7b에 도시된 바와 같이 막대 형상일 수 있고 제2 부분(710)에 실질적으로 수직일 수 있다.
도 8은 본 명세서에 설명된 일 실시예에 따른 리테이너(604)의 개략적인 사시도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 리테이너(604)는 링이고, 외부 에지(806), 내부 에지(808), 및 내부 에지(808) 내에 형성된 개구(804)를 포함할 수 있다. 동작 동안, 퍼지 또는 가압 가스는 개구(804)를 통해 처리 챔버에 진입한다. 복수의 개구(802)는 외부 에지(806)와 내부 에지(808) 사이에 형성될 수 있다. 개구들(802)은 플레이트(302)의 대응하는 제2 부분들(704)과 맞물리도록 구성될 수 있다. 각각의 제2 부분(704)은 가스 주입 포트(110) 위에 플레이트(302)를 고정하기 위해 대응하는 개구(802)에 삽입될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 부분들(704)은 개구들(802)을 통해 제2 부분들(704) 내로 체결되는 스크류들과 같은 체결구들에 의해 리테이너(604)에 더 고정된다. 일 실시예에서, 플레이트(302) 상에 형성된 3개의 컬럼(702) 및 리테이너(604) 내에 형성된 3개의 개구(802)가 존재한다.
도 9는 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 개략적인 사시도이다. 처리 챔버(100)는 도 1에 도시된 처리 챔버(100)와 동일한 컴포넌트들을 포함할 수 있고, 추가의 가스 유입구(902)는 저부(115)의 제1 영역(108)에 위치된다. 가스 유입구(902)는 저부(115)의 제1 영역(108) 내에 형성된 가스 유입 포트(910)에 결합될 수 있고, 가스 유입 포트(910)는 하부 측벽(107)의 제1 영역(109)에 인접할 수 있다. 가스 유입구(902)는 가스 패널(도시되지 않음)과 같은 가스 소스로부터의 퍼지 가스 또는 가압 가스를 수용하기 위한 도관(904)을 포함할 수 있다. 가스 유입구(902)는 가스 유입구(110)와 동일할 수 있다. 가스 유입 포트들(124, 910)은 저부(115)의 제1 영역(108)으로부터 제2 영역(114)까지 연장되는 축(908)에 대해 대칭적으로 저부(115) 상에 위치될 수 있다. 퍼지 가스 또는 가압 가스를 처리 챔버(100) 내로 도입하기 위한 2개의 가스 유입구(110, 902)가 있는 경우, 각각의 가스 유입구(110, 902)로부터의 가스의 속도는 가스가 리드(102)에 충돌할 때 리드(102) 상의 입자들이 떨어지지 않을 정도로 충분히 느린 한편, 처리 챔버(100)에 진입하는 가스의 양은 두 배로 된다.
일부 실시예들에서, 가스 팽창 디바이스(906)는 가스의 속도를 증가시키지 않고서 처리 챔버(100)에 진입하는 가스의 양을 더 증가시키기 위해 가스 유입구(902)에 결합되거나 가스 유입구(902) 내에 배치된다. 일부 실시예들에서, 가스 팽창 디바이스(906)는 생략되고, 가스 유입구(902)는 처리 챔버(100)에 진입하는 가스의 양을 더 증가시키기 위해, 도 2a 및/또는 도 2b에 도시된 개구들을 가질 수 있다.
도 10은 본 명세서에 설명된 다른 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 개략적인 사시도이다. 처리 챔버(100)는 도 9에 도시된 처리 챔버(100)와 동일한 컴포넌트들을 포함할 수 있으며, 추가 플레이트들(302, 1002)은 각각 가스 유입구들(110, 902) 위에 위치된다. 플레이트(1002)는 플레이트(302)와 동일할 수 있다. 일 실시예에서, 플레이트(302, 1002) 둘 다는 도 5에 도시된 스크류 커버(402)에 결합된다. 다른 실시예에서, 플레이트(1002)는 도 7a에 도시된 복수의 지지체(602)와 같은 복수의 지지체에 의해 지지된다. 플레이트(1002)는 도 8에 도시된 리테이너(604)와 같은 리테이너에 의해 고정될 수 있다. 2개의 가스 유입구(110, 902) 및 2개의 플레이트(302, 1002)를 가짐으로써, 더 높은 속도의 더 많은 가스가 리드(102)에 충돌하지 않고서 처리 챔버(100)에 진입할 수 있고, 이는 처리 챔버(100)의 퍼지 및 가압 시간의 감소를 야기한다. 2개의 플레이트(302, 1002)는 2개의 개별 플레이트 대신에 단일 플레이트일 수 있고, 그에 의해 단일 플레이트가 가스 유입구들(110, 902) 둘 다를 커버할 수 있게 된다.
도 11a 내지 도 11c는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 처리 챔버의 개략적인 사시도이다. 도 11a에 도시된 바와 같이, 처리 챔버(100)는 저부(115), 하부 측벽(107), 상부 측벽(106), 리드, 및 프로세스 가스 주입 포트(104)를 포함한다. 처리 챔버(100)는 또한 가스 유입 포트(124)에서 저부(115)에 결합된 가스 유입구(110)를 포함한다. 가스 유입구(110)는 공급 파이프(1102)에 결합된 도관(112)을 포함한다. 공급 파이프(1102)는 제1 단면적(1104)을 갖고, 가스 유입구(110)는 제2 단면적(1106)을 갖고, 가스 유입 포트(124)는 제3 단면적(1108)을 갖는다. 일 실시예에서, 제1 단면적(1104), 제2 단면적(1106), 및 제3 단면적(1108)은 실질적으로 동일하다. 다른 실시예에서, 제1 단면적(1104)은 제2 단면적(1106) 또는 제3 단면적(1108)보다 작다. 제1, 제2, 또는 제3 단면적(1104, 1106, 1108)은 퍼지 가스 또는 가압 가스가 리드(102) 상의 입자들이 떨어지게 하지 않고서 처리 챔버(100) 내로 유동할 수 있는 면적보다 작다. 가스 유입구(110)로부터 처리 챔버 내로 유동되는 가스의 속도를 감소시키기 위해, 확산기(1110)가 가스 유입 포트(124)에 결합된다. 가스 확산기(1110)는 하부 측벽(107)에 의해 둘러싸일 수 있다. 가스 확산기(1110)는 가스 유입구(110)로부터 처리 챔버(100) 내로 유동하는 가스를 확산시킨다. 따라서, 퍼지 가스 또는 가압 가스가 처리 챔버(100)의 리드(102)에 충돌하더라도, 확산기(1110)로 인해, 리드(102) 상의 입자들은 가스 유입구(110)를 통해 도입되는 가스에 의해 리드(102)로부터 이탈되지 않는다.
도 11b에 도시된 바와 같이, 처리 챔버(100)는 저부(115), 하부 측벽(107), 상부 측벽(106), 리드(102), 및 프로세스 가스 주입 포트(104)를 포함한다. 처리 챔버(100)는 또한 가스 유입 포트(1114)에서 저부(115)에 결합된 가스 유입구(1112)를 포함한다. 가스 유입구(1112)는 공급 파이프(1102)에 결합된 도관(1116)을 포함한다. 공급 파이프(1102)는 제1 단면적(1104)을 갖고, 가스 유입구(1112)는 제2 단면적(1118)을 갖고, 가스 유입 포트(1114)는 제3 단면적(1120)을 갖는다. 일 실시예에서, 제1 단면적(1104)은 제2 단면적(1118)보다 작으며, 제2 단면적은 제3 단면적(1120)보다 작다. 확산기(1122)는 공급 파이프(1102)로부터 도입된 가스를 확산시키기 위해 도관(1116) 내에 배치된다. 제2 단면적(1118)이 제1 단면적(1104)보다 크고, 제3 단면적(1120)은 제2 단면적(1118)보다 크므로, 퍼지 가스 또는 가압 가스의 속도를 증가시키지 않고서, 더 많은 퍼지 가스 또는 가압 가스가 가스 유입구(1112)를 통해 처리 챔버(100) 내로 유동될 수 있다. 제3 단면적(1120)은 퍼지 가스 또는 가압 가스가 리드(102) 상의 입자들이 떨어지게 하지 않고서 처리 챔버(100) 내로 유동하는 것을 허용하기에 충분히 크다.
도 11c에 도시된 바와 같이, 처리 챔버(100)는 저부(115), 하부 측벽(107), 상부 측벽(106), 리드(102), 및 프로세스 가스 주입 포트(104)를 포함한다. 처리 챔버(100)는 또한 가스 유입 포트(1124)에서 저부(115)에 결합된 가스 유입구(1112)를 더 포함한다. 가스 유입구(1112)는 공급 파이프(1102)에 결합된 도관(1116)을 포함한다. 공급 파이프(1102)는 제1 단면적(1104)을 갖고, 가스 유입구(1112)는 제2 단면적(1118)을 갖고, 가스 유입 포트(1124)는 제3 단면적(1126)을 갖는다. 일 실시예에서, 제1 단면적(1104)은 제2 단면적(1118)보다 작으며, 제2 단면적은 제3 단면적(1126)보다 작다. 제3 단면적(1126)은 제3 단면적(1120)(도 11b)보다 크다. 제3 단면적(1126)이 훨씬 더 크므로, 확산기의 이용 없이, 퍼지 가스 또는 가압 가스의 속도를 증가시키지 않고서, 더 많은 퍼지 가스 또는 가압 가스가 가스 유입구(1112)를 통해 처리 챔버(100) 내로 유동될 수 있다. 제3 단면적(1126)은 퍼지 가스 또는 가압 가스가 리드(102) 상의 입자들이 떨어지게 하지 않고서 처리 챔버(100) 내로 유동하는 것을 허용하기에 충분히 크다.
도 11a 내지 도 11c는 각각 처리 챔버(100)의 저부(115)에 결합된 하나의 가스 유입구를 도시한다. 일부 실시예들에서, 2개 이상의 가스 유입구가 처리 챔버(100)의 저부(115)에 결합될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 가스 유입구 및 가스 유입 포트는 퍼지 가스 또는 가압 가스가 리드 상의 입자들이 떨어지게 하지 않고서 처리 챔버 내로 유동하는 것을 허용하고, 퍼지 가스 또는 가압 가스의 속도를 증가시키지 않고서 더 많은 퍼지 가스 또는 가압 가스가 가스 유입구를 통해 처리 챔버 내로 유동하는 것을 허용하기 위해, 처리 챔버의 저부, 최상부, 또는 측부에 위치될 수 있다.
상술한 것은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 추가의 실시예들은 그것의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 만들어질 수 있으며, 그것의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 처리 챔버로서,
    타원 형상을 갖는 저부;
    상기 저부 상에 배치된 하부 측벽;
    상기 하부 측벽 상에 배치된 상부 측벽 - 상기 상부 측벽은 원형 형상을 가짐 -;
    상기 상부 측벽 상에 배치된 리드;
    상기 리드 상에 배치된 프로세스 가스 주입 포트;
    상기 저부 내에 상기 하부 측벽에 인접하여 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트; 및
    상기 저부에 결합된 배기 인클로저
    를 포함하는, 처리 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 가스 유입구를 더 포함하고,
    상기 하나 이상의 가스 유입구의 각각의 가스 유입구는 상기 하나 이상의 가스 유입 포트 중의 대응하는 가스 유입 포트에 결합되고,
    상기 하나 이상의 가스 유입구의 각각의 가스 유입구는 제1 단면적을 갖고, 상기 하나 이상의 가스 유입 포트의 각각의 가스 유입 포트는 제2 단면적을 갖고, 상기 제2 단면적은 상기 제1 단면적보다 큰, 처리 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 유입 포트 중의 각각의 가스 유입 포트는 상기 하부 측벽의 방위각을 형상추종하는 슬릿형 개구인, 처리 챔버.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 슬릿형 개구는 상기 저부와 0도의 각도를 형성하는, 처리 챔버.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 슬릿형 개구는 상기 저부와 0도보다 큰 각도를 형성하는, 처리 챔버.
  6. 제1항에 있어서,
    기판 지지체를 더 포함하고,
    상기 기판 지지체는 상기 하나 이상의 가스 유입 포트의 에지로부터 반경 방향 내측에 위치된 에지를 갖는, 처리 챔버.
  7. 처리 챔버로서,
    제1 영역 및 제2 영역을 갖는 저부;
    상기 저부 상에 배치된 하부 측벽 - 상기 하부 측벽은 제1 영역 및 제2 영역을 갖고, 상기 하부 측벽의 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 상기 하부 측벽이 연속적인 타원 형상을 형성하도록 연결됨 -;
    상기 하부 측벽의 상기 제1 영역 상에 배치된 상부 측벽 - 상기 상부 측벽은 원형 형상을 가짐 -;
    상기 상부 측벽 상에 배치된 리드;
    상기 리드 상에 배치된 프로세스 가스 주입 포트;
    상기 저부의 상기 제1 영역 내에 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트 - 상기 하나 이상의 가스 유입 포트는 상기 하부 측벽의 상기 제1 영역에 인접하여 배치됨 -;
    하나 이상의 가스 유입구 - 상기 하나 이상의 가스 유입구의 각각의 가스 유입구는 상기 하나 이상의 가스 유입 포트의 대응하는 가스 유입 포트에 결합되고, 상기 하나 이상의 가스 유입구의 각각의 가스 유입구는 상기 하부 측벽의 방위각을 형상추종하는 슬릿형 개구를 포함함 -; 및
    상기 저부의 상기 제2 영역에 결합된 배기 인클로저
    를 포함하는 처리 챔버.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 슬릿형 개구는 상기 처리 챔버의 기준 평면과 0도의 각도를 형성하는, 처리 챔버.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 슬릿형 개구는 상기 처리 챔버의 기준 평면과 0도보다 큰 각도를 형성하는, 처리 챔버.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 유입 포트는 2개의 가스 유입 포트를 포함하는, 처리 챔버.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 2개의 가스 유입 포트는 상기 저부의 상기 제1 영역으로부터 상기 저부의 상기 제2 영역으로 연장되는 축에 대해 대칭인, 처리 챔버.
  12. 제7항에 있어서,
    기판 지지체를 더 포함하고,
    상기 기판 지지체는 상기 하나 이상의 가스 유입 포트의 에지로부터 반경 방향 내측에 위치된 에지를 갖는, 처리 챔버.
  13. 처리 챔버로서,
    제1 영역 및 제2 영역을 갖는 저부;
    상기 저부 상에 배치된 하부 측벽 - 상기 하부 측벽은 제1 영역 및 제2 영역을 가짐 -;
    상기 하부 측벽의 상기 제1 영역 상에 배치된 상부 측벽;
    상기 상부 측벽 상에 배치된 리드;
    상기 리드 상에 배치된 프로세스 가스 주입 포트;
    상기 저부의 상기 제1 영역 내에 상기 하부 측벽의 상기 제1 영역에 인접하여 위치된 하나 이상의 가스 유입 포트;
    상기 처리 챔버 내에 배치된 하나 이상의 플레이트 - 상기 하나 이상의 플레이트의 각각의 플레이트는 상기 하나 이상의 가스 유입 포트의 대응하는 가스 유입 포트 위에 배치되고, 상기 하나 이상의 플레이트의 각각의 플레이트는 상기 플레이트의 표면에 결합된 복수의 지지체에 의해 지지됨 - ;
    상기 하나 이상의 플레이트를 고정하도록 상기 하나 이상의 플레이트에 결합된 복수의 컬럼; 및
    상기 저부의 상기 제2 영역에 결합된 배기 인클로저
    를 포함하는 처리 챔버.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 지지체는 상기 저부의 상기 제1 영역 상에 배치되는, 처리 챔버.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 지지체는 상기 하나 이상의 플레이트와 동일한 재료로 제조되는, 처리 챔버.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 컬럼의 각각의 컬럼은 상기 복수의 지지체의 각각의 지지체의 두께보다 큰 두께를 갖는, 처리 챔버.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 컬럼의 각각의 컬럼은 상기 복수의 지지체와 동일한 재료로 제조되는, 처리 챔버.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 하나 이상의 플레이트 각각은 상기 하나 이상의 가스 유입 포트의 대응하는 가스 유입 포트를 향하는 주 표면을 포함하고, 상기 주 표면은 상기 대응하는 가스 유입 포트의 단면적보다 큰 표면적을 갖는, 처리 챔버.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 하나 이상의 플레이트 각각은 상기 하나 이상의 가스 유입 포트의 대응하는 가스 유입 포트를 향하는 주 표면을 포함하고, 상기 주 표면은 상기 대응하는 가스 유입 포트의 단면적보다 작거나 그와 동일한 표면적을 갖는, 처리 챔버.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 플레이트의 각각의 플레이트 및 상기 복수의 지지체의 대응하는 지지체는 단일 재료 조각을 포함하는, 처리 챔버.
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