JP2010225718A - 被処理体の離脱方法および被処理体処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被処理体のずれを抑制しつつ、静電チャック上から被処理体を離脱、しかも短時間で離脱することが可能な被処理体の離脱方法を提供すること。
【解決手段】処理室1を排気する排気機構4に伝熱ガス供給流路3を、伝熱ガス排気流路8を介して接続し、静電チャック2の表面と被処理体Wの裏面との間から、伝熱ガス供給流路3および伝熱ガス排気流路8を介して伝熱ガスを排気する工程と、処理室1内に不活性ガスを供給する工程と、静電チャック2の表面と被処理体Wの裏面との間の圧力が、処理室1内の圧力以下とされた状態で被処理体Wの静電吸着を解除して、被処理体Wを静電チャック2上から離脱させる。
【選択図】図1
【解決手段】処理室1を排気する排気機構4に伝熱ガス供給流路3を、伝熱ガス排気流路8を介して接続し、静電チャック2の表面と被処理体Wの裏面との間から、伝熱ガス供給流路3および伝熱ガス排気流路8を介して伝熱ガスを排気する工程と、処理室1内に不活性ガスを供給する工程と、静電チャック2の表面と被処理体Wの裏面との間の圧力が、処理室1内の圧力以下とされた状態で被処理体Wの静電吸着を解除して、被処理体Wを静電チャック2上から離脱させる。
【選択図】図1
Description
この発明は、被処理体の離脱方法および被処理体処理装置に係わり、特に、静電吸着電極上から被処理体を離脱させる被処理体の離脱方法およびこの離脱方法を利用した被処理体処理装置に関する。
半導体装置等の製造過程では、被処理体である半導体ウエハに対して、ドライエッチング、スパッタリング、CVD等のプラズマ処理が行われる。例えば、処理室内に一対の平行平板電極(上部および下部電極)を配置し、下部電極として機能するサセプタ(基板載置台)にウエハを載置した後、処理ガスを処理室内に導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周波電力を印加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスのプラズマを形成してウエハに対してプラズマ処理を施す。この際、ウエハは、サセプタ上に設けられた静電吸着電極によって、例えば、クーロン力を利用して吸着固定できるようになっている。
ところで、ウエハに対する伝熱を促進するため、ヘリウム(He)等の伝熱ガスをウエハの裏面側に供給することが行なわれている(例えば、特許文献1)。伝熱ガスは、サセプタと静電吸着電極からなる静電チャックを貫通して形成された伝熱ガス供給流路を介して、静電チャックの表面とウエハの裏面との間に導入される。
伝熱ガスを静電チャックの表面とウエハの裏面との間に導入する構成では、処理の間、静電チャックの表面とウエハの裏面との間の圧力が、処理室内の圧力よりも高くなる。一例を挙げるならば、処理室内の圧力は、おおよそ0.1Torrのところ、静電チャックの表面とウエハの裏面との間の圧力は、おおよそ10Torrとなる。このような状態で、ウエハの静電吸着を解除してしまうと、ウエハが浮き上がり、ずれてしまう。
このようなずれを抑制するために、静電チャックの表面と被処理体の裏面との空間を、処理室に連通して伝熱ガスを排気することで、静電チャックの表面と被処理体の裏面との間の圧力を処理室内の圧力と同じとし、圧力差が無くなってから静電吸着を解除する、という方法が試みられている。
しかしながら、静電チャックの表面と被処理体の裏面との間の圧力が、処理室内の圧力と同じになるまでに、長い時間がかかってしまう、という事情がある。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、被処理体のずれを抑制しつつ、静電チャック上から被処理体を離脱、しかも短時間で離脱することが可能な被処理体の離脱方法、及びこの離脱方法を実行することが可能な被処理体処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、この発明の第1の態様に係る被処理体の離脱方法は、被処理体に処理を施す処理室内に設けられた静電チャック上から前記被処理体を離脱させる被処理体の離脱方法であって、前記被処理体を静電チャック上に載置して、前記被処理体の静電吸着を開始する工程と、前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間に、伝熱ガス供給流路を介して伝熱ガスを供給する工程と、前記被処理体に処理を施す工程と、前記処理室を排気する排気機構に前記伝熱ガス供給流路を、伝熱ガス排気流路を介して接続し、前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間から、前記伝熱ガス供給流路および前記伝熱ガス排気流路を介して前記伝熱ガスを排気する工程と、前記処理室内に不活性ガスを供給する工程と、前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間の圧力が、前記処理室内の圧力以下とされた状態で前記被処理体の静電吸着を解除して、前記被処理体を前記静電チャック上から離脱させる工程と、を具備する。
また、この発明の第2の態様に係る被処理体処理装置は、被処理体に処理を施す処理室と、前記処理室内に設けられ、前記被処理体が載置される静電チャックと、前記静電チャックに設けられ、前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給流路と、前記処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給流路と、前記処理室内を排気する排気機構と、前記伝熱ガス供給流路と前記排気機構とを接続し、前記伝熱ガス供給流路を排気する伝熱ガス排気流路と、前記伝熱ガス供給流路から前記伝熱ガスを排気し、前記不活性ガス供給流路に前記不活性ガスを供給し、前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間の圧力が、前記処理室内の圧力以下とされた状態で、前記被処理体の静電吸着を解除する制御機構と、を具備する。
この発明によれば、被処理体のずれを抑制しつつ、静電チャック上から被処理体を離脱、しかも短時間で離脱することが可能な被処理体の離脱方法、及びこの離脱方法を実行することが可能な被処理体処理装置を提供できる。
以下、添付図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。この説明において、参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。
図1は、この発明の一実施形態に係る被処理体の離脱方法を実行することが可能な被処理体処理装置の一例を概略的に示した断面図である。本例は、被処理体処理装置として、半導体装置の製造に用いられ、例えば、半導体ウエハ(以下ウエハという)に処理を施す被処理体処理装置を例示する。ただし、この発明は半導体ウエハに処理を施す被処理体処理装置に限って適用されるものではない。また、図1においては、処理ガスを処理室1内に導入する、例えば、シャワーヘッドや、処理室1内にプラズマを生成するための、例えば、高周波電源等の図示は省略している。
図1に示すように、被処理体処理装置100は、被処理体、本例ではウエハWに処理を施す処理室1と、処理室1内に設けられ、ウエハWが載置される静電チャック2と、を備えている。この静電チャック2は、例えばAlN等のセラミックから形成され、その内部にウエハWを吸着するための静電吸着電極10を備えている。
静電チャック2には、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給流路3と、伝熱ガスを貯留するガス貯留空間11が形成されている。
処理室1の、例えば、底壁には、排気機構4がメインバルブMVを介して接続されている。本例の排気機構4は、処理室1内に発生した水分を捕獲する、例えば、クライオポンプのように低温とされるウォーターポンプ(WP)41と、メインの排気ポンプであるターボモレキュラーポンプ(TMP)42とを有している。
処理室1の外に設けられた伝熱ガス供給管3aには、伝熱ガスの供給源から、圧力調整バルブ(PCV)5を介して伝熱ガスが供給される。伝熱ガスの例は、不活性ガスであり、ArガスやHeガス等の希ガスや窒素ガスを挙げることができる。伝熱ガス供給管3aは、ガスバルブGV1、GV2、処理室1内に生成されたプラズマによる放電を抑止するプラズマアレスタ6を介して伝熱ガス供給流路3に接続される。
さらに、本例では、処理室1の、例えば、底壁に接続された、処理室1内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管7と、伝熱ガス供給流路3を、例えば、伝熱ガス供給管3aを介して排気機構4に接続する伝熱ガス排気流路8を有している。
伝熱ガス排気流路8の途中には、ガスバルブGV3が配設されており、伝熱ガス排気流路8は、ガスバルブGV3を開閉することにより開閉される。本例の伝熱ガス排気流路8は、ガスバルブGV1とGV2との接続点と、ウォーターポンプ41と、ターボモレキュラーポンプ42との接続点との間に配設される。
制御部9は、マイクロプロセッサ(コンピュータ)からなるプロセスコントローラ91と、オペレータが被処理体処理装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、被処理体処理装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含むユーザーインターフェース92と、被処理体処理装置100で実行される各種処理をプロセスコントローラ91の制御にて実現するための制御プログラムや、各種データ、および処理条件に応じて成膜装置に処理を実行させるためのプログラム、すなわちレシピが格納された記憶部93と、を備えている。
レシピは記憶部93の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクであってもよいし、CD-ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。必要に応じて、任意のレシピを、ユーザーインターフェース92からの指示等にて記憶部93から呼び出し、プロセスコントローラ91に実行させることで、プロセスコントローラ91の制御下で、被処理体処理装置100での処理が行われる。
次に、この発明の一実施形態に係る被処理体の離脱方法の一例を説明する。
図2は、一実施形態に係る被処理体の離脱方法の一例を示すタイミングチャートである。
図2に示すように、まず、ウエハWを処理室1内に搬入し、ウエハWを静電チャック2上に載置する(時刻t0)。次いで、静電吸着電極10に電圧を印加し(ON)、ウエハWを静電チャック2に静電吸着させる(時刻t1)。
次に、ガスバルブGV1、GV2を開け、GV3を閉じ、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間に、伝熱ガス供給管3aから伝熱ガス供給流路3を介して伝熱ガスを供給する(時刻t2)。静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間の圧力は、本例では、例えば、10Torrとされる。
次に、処理室1内に、プラズマを生成するとともに処理ガスを供給し、ウエハWに対して、エッチングや成膜等の処理を施す。処理中の処理室1内の圧力は、本例では、例えば、0.1Torrとされる(時刻t3)。
ウエハWに対する処理が終了したら、処理ガスの供給を停止し、ウエハWを静電チャック2から離脱させるシーケンスに入る。
本例では、まず、メインバルブMV、及びガスバルブGV1を閉じ、ガスバルブGV3を開ける。これにより、伝熱ガス供給流路3を、本例では伝熱ガス供給管3a、及び伝熱ガス排気流路8を介して排気機構4に接続する。伝熱ガス供給流路3を、排気機構4に接続したことで、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間から、伝熱ガスを、本例では、伝熱ガス供給管3a、伝熱ガス排気流路8を介して伝熱ガスを排気する。これとともに、処理室1内に不活性ガス供給管7を介して不活性ガスを供給する。不活性ガスの例としては、Arガスを挙げることができる(時刻t4)。メインバルブMVが閉じられていることにより、処理室1内の圧力は急速に上がる。反対に、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間の圧力は、伝熱ガス供給流路3が排気機構4に接続されているので、下がる。この状態を図3に示す。やがて、時刻t5に示されるように、両者の圧力は等しくなり、そして、逆転し、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間の圧力が、処理室1の圧力よりも低い状態となる。
一実施形態においては、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間の圧力が、処理室1内の圧力以下とされた状態で、ウエハWの静電吸着を解除(OFF)して、ウエハWを静電チャック2上から離脱させる(時刻t5)。
ウエハWの静電吸着を解除した後は、処理室1内の不活性ガスの供給を止めるとともに、メインバルブMVを開け、処理室1内を排気し(時刻t6)、処理室1内の圧力及び、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間の圧力がともに、ほぼ0Torr、本例では0.01Torrとなった時点(時刻t7)で、ガスバルブGV2、GV3を閉じる。この後、ウエハWを処理室1から搬出する(時刻t8)。
このような一実施形態に係る被処理体の離脱方法であると、ウエハWが静電チャック2から浮き上がらない状態、またはウエハWが処理室1内の圧力によって押さえつけられた状態で、静電吸着を解除することで、ウエハWのずれを抑制しつつ、静電チャック2上からウエハWを離脱させることができる。
しかも、メインバルブMVを閉じた状態で、処理室1内に不活性ガスを供給するので、処理室1内の圧力は急速に高まっていく。これにより、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間の圧力が、処理室1内の圧力以下となる状態を、処理室1内に不活性ガスを供給しない場合に比較して、より短時間で得ることができる。従って、ウエハWのずれを抑制しつつ、静電チャック2上からウエハWを短時間で離脱することが可能な被処理体の離脱方法を得ることができる。
また、図1に示した被処理体処理装置100では、伝熱ガス供給管3aにプラズマアレスタ6が介在されている。プラズマアレスタ6はセラミックのビーズを配管内に詰めたもので、コンダクタンスが小さい。一般的な被処理体処理装置は、ガス貯留空間11と伝熱ガス供給流路3を排気する際には、伝熱ガス供給管3aを処理室1に接続し、処理室1を介して排気機構4により排気する。このような構成では、ガス貯留空間11と伝熱ガス供給流路3は処理室1内の圧力未満に下がることはない。また、処理室1は空間が広いため、圧力が下がるのに時間がかかる。また、伝熱ガス供給管3aにプラズマアレスタ6が介在されていると、排気経路中のコンダクタンスが小さいために、伝熱ガス供給流路3の圧力が、処理室1の圧力と同じになるまで、さらに、長い時間がかかることになる。
この点、図1に示した被処理体処理装置100によれば、伝熱ガス供給管3aを直接に排気機構4に接続する構成のため、伝熱ガス供給管3aを、処理室1を介して排気機構に接続する構成に比較して、伝熱ガス供給流路3を処理室1内の圧力未満に下げることもできる。しかも、排気機構4に伝熱ガス供給管3aを直接に接続するから、伝熱ガス供給流路3の排気能力を高めることができる。よって、プラズマアレスタ6を備えていたとしても、より短時間で伝熱ガス供給流路3を排気することができる。
このように、一実施形態に係る被処理体の離脱方法によれば、伝熱ガス供給管3aにプラズマアレスタ6が介在された被処理体処理装置100にも、好適に適用できる、という利点も得ることができる。
また、制御部9に上記シーケンスを実行させる。即ち、制御部9が、伝熱ガス供給流路3から伝熱ガスを排気し、不活性ガス供給管7に不活性ガスを供給し、静電チャック2の表面とウエハWの裏面との間の圧力が、処理室1内の圧力以下とされた状態で、ウエハWの静電吸着を解除するように被処理体処理装置100を制御するように構成することで、この発明の一実施形態に係る被処理体の離脱方法を実行できる被処理体処理装置を得ることができる。
以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形することが可能である。また、この発明の実施形態は上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
例えば、上記実施形態では、不活性ガスを処理室1に供給する際にメインバルブMVを閉じたが、不活性ガスを処理室1に供給すれば処理室1中の圧力は上昇するため、これは開いていてもよい。
また、上記実施形態では、処理室1内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管7を、処理室1の底壁に接続するようにしたが、不活性ガスは、処理室1の側壁から供給されるようにしても良いし、既存の不活性ガスの供給経路を利用して、例えば、処理ガスを処理室1内に均一に供給するためのシャワーヘッドを介して供給されるようにしても良い。
1…処理室、2…静電チャック、3…伝熱ガス供給流路、3a…伝熱ガス供給管、4…排気機構、5…圧力調整バルブ、6…プラズマアレスタ、7…不活性ガス供給管、8…伝熱ガス排気流路、9…制御部、10…静電吸着電極、11…ガス貯留空間。
Claims (5)
- 被処理体に処理を施す処理室内に設けられた静電チャック上から前記被処理体を離脱させる被処理体の離脱方法であって、
前記被処理体を静電チャック上に載置して、前記被処理体の静電吸着を開始する工程と、
前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間に、伝熱ガス供給流路を介して伝熱ガスを供給する工程と、
前記被処理体に処理を施す工程と、
前記処理室を排気する排気機構に前記伝熱ガス供給流路を、伝熱ガス排気流路を介して接続し、前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間から、前記伝熱ガス供給流路および前記伝熱ガス排気流路を介して前記伝熱ガスを排気する工程と、
前記処理室内に不活性ガスを供給する工程と、
前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間の圧力が、前記処理室内の圧力以下とされた状態で前記被処理体の静電吸着を解除して、前記被処理体を前記静電チャック上から離脱させる工程と、
を具備することを特徴とする被処理体の離脱方法。 - 前記処理室内に不活性ガスを供給する工程が、前記処理室内を排気する排気経路を遮断した状態で行われることを特徴とする請求項1に記載の被処理体の離脱方法。
- 被処理体に処理を施す処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記被処理体が載置される静電チャックと、
前記静電チャックに設けられ、前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給流路と、
前記処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給流路と、
前記処理室内を排気する排気機構と、
前記伝熱ガス供給流路と前記排気機構とを接続し、前記伝熱ガス供給流路を排気する伝熱ガス排気流路と、
前記伝熱ガス供給流路から前記伝熱ガスを排気し、前記不活性ガス供給流路に前記不活性ガスを供給し、前記静電チャックの表面と前記被処理体の裏面との間の圧力が、前記処理室内の圧力以下とされた状態で、前記被処理体の静電吸着を解除する制御機構と、
を具備することを特徴とする被処理体処理装置。 - 前記制御機構が、前記不活性ガス供給流路に前記不活性ガスを供給するように制御している間、前記処理室を排気する排気経路を遮断するように制御することを特徴とする請求項3に記載の被処理体処理装置。
- 前記伝熱ガス供給流路に接続される伝熱ガス供給管に、プラズマアレスタが介在されていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の被処理体処理装置。
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