KR20110130481A - 피처리체의 이탈 방법 및 피처리체 처리 장치 - Google Patents

피처리체의 이탈 방법 및 피처리체 처리 장치 Download PDF

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다카시 사쿠마
데츠야 미야시타
노부키 기무라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

정전척 위로부터 피처리체를 이탈시키는 피처리체의 이탈 방법을 개시한다. 이 이탈 방법은, 처리실을 배기하는 배기 기구에 전열 가스 공급 유로를, 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 접속하여, 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 사이에서, 전열 가스 공급 유로 및 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 전열 가스를 배기하는 공정과, 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함한다. 그리고, 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 사이의 압력이, 처리실 내의 압력 이하로 된 상태에서 피처리체의 정전 흡착을 해제하여, 피처리체를 정전척 위로부터 이탈시킨다.

Description

피처리체의 이탈 방법 및 피처리체 처리 장치{METHOD FOR REMOVING SUBJECT TO BE PROCESSED, AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBJECT TO BE PROCESSED}
본 발명은, 피처리체의 이탈 방법 및 이 이탈 방법을 이용한 피처리체 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치 등의 제조 과정에서는, 피처리체인 반도체 웨어퍼에 대하여, 건식 에칭, 스퍼터링, CVD 등의 플라즈마 처리가 행해진다. 예컨대, 처리실 내에 한 쌍의 평행 평판 전극(상부 및 하부 전극)을 배치하고, 하부 전극으로서 기능하는 서셉터(기판 탑재대)에 웨이퍼를 탑재한 후, 처리 가스를 처리실 내에 도입함과 아울러, 전극의 적어도 한쪽에 고주파 전력을 인가하여 전극 사이에 고주파 전계를 형성하고, 이 고주파 전계에 의해 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼에 대하여 플라즈마 처리를 실시한다. 이 때, 웨이퍼는, 서셉터 상에 마련된 정전 흡착 전극에 의해서, 예컨대, 쿨롱력을 이용하여 흡착 고정할 수 있도록 되어 있다.
그런데, 웨이퍼에 대한 전열을 촉진하기 위해, 헬륨(He) 등의 전열 가스를 웨이퍼의 이면측에 공급하는 것이 행해지고 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제2005-136350호 공보). 전열 가스는, 서셉터와 정전 흡착 전극으로 이루어지는 정전척을 관통하여 형성된 전열 가스 공급 유로를 거쳐서, 정전척의 표면과 웨이퍼의 이면과의 사이에 도입된다.
전열 가스를 정전척의 표면과 웨이퍼의 이면과의 사이에 도입하는 구성에서는, 처리 동안, 정전척의 표면과 웨이퍼의 이면과의 사이의 압력이, 처리실 내의 압력보다도 높아진다. 일례를 들면, 처리실 내의 압력은, 대략 0.1 Torr인 곳, 정전척의 표면과 웨이퍼의 이면과의 사이의 압력은, 대략 10 Torr로 된다. 이러한 상태에서, 웨이퍼의 정전 흡착을 해제하게 되면, 웨이퍼가 부상하여, 어긋나게 된다.
이러한 어긋남을 억제하기 위해서, 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 공간을, 처리실에 연통해서 전열 가스를 배기함으로써, 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 사이의 압력을 처리실 내의 압력과 동일한 것으로 하여, 압력 차이가 없어지고 나서 정전 흡착을 해제한다고 하는 방법이 시도되어 있다.
그러나 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 사이의 압력이, 처리실 내의 압력과 동일하게 될 때까지, 긴 시간이 걸리게 된다고 하는 사정이 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 피처리체의 어긋남을 억제하면서, 정전척 위로부터 피처리체를 이탈하고, 또한 단시간에 이탈하는 것이 가능한 피처리체의 이탈 방법, 및 이 이탈 방법을 실행하는 것이 가능한 피처리체 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제 1 측면에 따른 피처리체의 이탈 방법은, 피처리체에 처리를 실시하는 처리실 내에 마련된 정전척 위로부터 상기 피처리체를 이탈시키는 피처리체의 이탈 방법으로서, 상기 피처리체를 정전척 상에 탑재하여, 상기 피처리체의 정전 흡착을 개시하는 공정과, 상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이에, 전열 가스 공급 유로를 거쳐서 전열 가스를 공급하는 공정과, 상기 피처리체에 처리를 실시하는 공정과, 상기 처리실을 배기하는 배기 기구에 상기 전열 가스 공급 유로를, 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 접속하고, 상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이에서, 상기 전열 가스 공급 유로 및 상기 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 상기 전열 가스를 배기하는 공정과, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 공정과, 상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이의 압력이, 상기 처리실 내의 압력 이하로 된 상태에서 상기 피처리체의 정전 흡착을 해제하여, 상기 피처리체를 상기 정전척 위로부터 이탈시키는 공정을 구비한다.
또한, 본 발명의 제 2 측면에 따른 피처리체 처리 장치는, 피처리체에 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실 내에 마련되어, 상기 피처리체가 탑재되는 정전척과, 상기 정전척에 마련되어, 상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 유로와, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 유로와, 상기 처리실 내를 배기하는 배기 기구와, 상기 전열 가스 공급 유로와 상기 배기 기구를 접속하여, 상기 전열 가스 공급 유로를 배기하는 전열 가스 배기 유로와, 상기 전열 가스 공급 유로로부터 상기 전열 가스를 배기하고, 상기 불활성 가스 공급 유로에 상기 불활성 가스를 공급하여, 상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이의 압력이, 상기 처리실 내의 압력 이하로 된 상태에서, 상기 피처리체의 정전 흡착을 해제하는 제어 기구를 구비한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법을 실행하는 것이 가능한 피처리체 처리 장치의 일례를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 3은 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법을 실행하는 중의 피처리체 처리 장치의 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 이 설명에 있어서, 참조하는 도면 모두에 걸쳐, 동일한 부분에 관해서는 동일한 참조 부호를 부여한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법을 실행하는 것이 가능한 피처리체 처리 장치의 일례를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 본 예는, 피처리체 처리 장치로서, 반도체 장치의 제조에 사용되고, 예컨대, 반도체 웨어퍼(이하 웨이퍼라 함)에 처리를 실시하는 피처리체 처리 장치를 예시한다. 단, 본 발명은 반도체 웨어에 처리를 실시하는 피처리체 처리 장치에 한해서 적용되는 것이 아니다. 또한, 도 1에 있어서는, 처리 가스를 처리실(1) 내에 도입한다, 예컨대, 샤워 헤드나, 처리실(1) 내에 플라즈마를 생성하기 위한, 예컨대, 고주파 전원 등의 도시는 생략하고 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 피처리체 처리 장치(100)는, 피처리체, 본 예에서는 웨이퍼 W에 처리를 실시하는 처리실(1)과, 처리실(1) 내에 마련되어, 웨이퍼 W가 탑재되는 정전척(2)을 구비하고 있다. 이 정전척(2)은, 예컨대 AlN 등의 세라믹으로 형성되어, 그 내부에 웨이퍼 W를 흡착하기 위한 정전 흡착 전극(10)을 구비하고 있다.
정전척(2)에는, 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 유로(3)와, 전열 가스를 저류하는 가스 저류 공간(11)이 형성되어 있다.
처리실(1)의, 예컨대, 바닥벽에는, 배기 기구(4)가 메인 밸브 MV를 거쳐서 접속되어 있다. 책예의 배기 기구(4)는, 처리실(1) 내에 발생한 수분을 포획하는, 예컨대, 크라이오 펌프(cryo pump)와 같이 저온으로 되는 워터 펌프(WP)(41)와, 메인 배기 펌프인 터보 몰리큘 펌프(TMP)(42)를 갖고 있다.
처리실(1)의 외부에 마련된 전열 가스 공급관(3a)에는, 전열 가스의 공급원으로부터, 압력 조정 밸브(PCV)(5)를 거쳐서 전열 가스가 공급된다. 전열 가스의 예는, 불활성 가스이며, Ar 가스나 He 가스 등의 레어 가스나 질소 가스를 들 수 있다. 전열 가스 공급관(3a)는, 가스 밸브 GV1, GV2, 처리실(1) 내에 생성된 플라즈마에 의한 방전을 억지하는 플라즈마 어레스터(6)를 통해서 전열 가스 공급 유로(3)에 접속된다.
또한, 본 예에서는, 처리실(1)의, 예컨대, 바닥벽에 접속된, 처리실(1) 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급관(7)과, 전열 가스 공급 유로(3)를, 예컨대, 전열 가스 공급관(3a)을 거쳐서 배기 기구(4)에 접속하는 전열 가스 배기 유로(8)를 갖고 있다.
전열 가스 배기 유로(8)의 도중에는, 가스 밸브 GV3가 마련되어 있고, 전열 가스 배기 유로(8)는, 가스 밸브 GV3을 개폐하는 것에 의해 개폐된다. 본 예의 전열 가스 배기 유로(8)는, 가스 밸브 GV1와 GV2의 접속점과, 워터 펌프(41)와, 터보 몰리큘 펌프(42)의 접속점과의 사이에 마련된다.
제어부(9)는, 마이크로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러(91)와, 오퍼레이터가 피처리체 처리 장치(100)를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 피처리체 처리 장치(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 포함하는 사용자 인터페이스(92)와, 피처리체 처리 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(91)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이타 및 처리 조건에 따라 성막 장치로 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 레시피가 저장된 기억부(93)를 구비하고 있다.
레시피는 기억부(93) 중의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는, 하드 디스크이더라도 되고, CD-ROM, DVD, 플래시 메모리 등의 가요성의 것이더라도 된다. 또한, 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해서 레시피를 적절하게 전송시키도록 해도 된다. 필요에 따라, 임의의 레시피를, 사용자 인터페이스(92)로부터의 지시 등에 의해 기억부(93)로부터 호출하여, 프로세스 컨트롤러(91)로 실행시킴으로써 프로세스 컨트롤러(91)의 제어 하에서, 피처리체 처리 장치(100)에서의 처리가 행해진다.
다음에 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법의 일례를 설명한다.
도 2는, 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 우선, 웨이퍼 W를 처리실(1) 내에 반입하여, 웨이퍼 W를 정전척(2)상에 탑재한다(시각 t0). 이어서, 정전 흡착 전극(10)에 전압을 인가하여(ON), 웨이퍼 W를 정전척(2)에 정전 흡착시킨다(시각 t1).
다음에 가스 밸브 GV1, GV2를 열고, GV3을 닫으며, 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이에, 전열 가스 공급관(3a)으로부터 전열 가스 공급 유로(3)를 거쳐서 전열 가스를 공급한다(시각 t2). 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이의 압력은, 본 예에서는, 도 2 중의 실선으로 나타낸 바와 같이, 예컨대, 10 Torr로 된다.
다음에 처리실(1) 내에, 플라즈마를 생성함과 아울러 처리 가스를 공급하고, 웨이퍼 W에 대하여, 에칭이나 성막 등의 처리를 실시한다. 처리 중인 처리실(1) 내의 압력은, 본 예에서는, 도 2 중의 파선으로 나타낸 바와 같이, 예컨대, 0.1 Torr로 된다(시각 t3).
웨이퍼 W에 대한 처리가 종료한 후, 처리 가스의 공급을 정지하고, 웨이퍼 W를 정전척(2)으로부터 이탈시키는 시퀀스로 진입한다.
본 예에서는, 우선, 메인 밸브 MV, 및 가스 밸브 GV1을 닫고, 가스 밸브 GV3를 연다. 이것에 의해, 전열 가스 공급 유로(3)를, 본 예에서는 전열 가스 공급관(3a), 및 전열 가스 배기 유로(8)를 거쳐서 배기 기구(4)에 접속한다. 전열 가스 공급 유로(3)를, 배기 기구(4)에 접속함으로써, 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이에서, 전열 가스를, 본 예에서는, 전열 가스 공급관(3a), 전열 가스 배기 유로(8)를 거쳐서 전열 가스를 배기한다. 이와 함께, 처리실(1) 내에 불활성 가스 공급관(7)을 거쳐서 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스의 예로서는, Ar 가스를 들 수 있다(시각 t4). 본 예에서는, 예컨대, 메인 밸브 MV가 닫혀져 있는 것에 의해, 처리실(1) 내의 압력은 급속하게 상승한다. 반대로, 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이의 압력은, 전열 가스 공급 유로(3)가 배기 기구(4)에 접속되어 있기 때문에, 하강한다. 이 상태를 도 3에 나타낸다. 즉, 시각 t5에 나타낸 바와 같이, 양자의 압력은 동일하게 되고, 그리고, 역전하여, 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이의 압력이, 처리실(1)의 압력보다도 낮은 상태로 된다.
일 실시 형태에 있어서는, 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이의 압력이, 처리실(1) 내의 압력 이하로 된 상태에서, 웨이퍼 W의 정전 흡착을 해제(OFF)하여, 웨이퍼 W를 정전척(2) 위로부터 이탈시킨다(시각 t5).
웨이퍼 W의 정전 흡착을 해제한 후에는, 처리실(1) 내의 불활성 가스의 공급을 정지함과 아울러, 메인 밸브 MV를 열어, 처리실(1) 내를 배기하고(시각 t6), 처리실(1) 내의 압력 및 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이의 압력이 모두, 거의 0 Torr, 본 예에서는 0.01 Torr로 된 시점(시각 t7)에서 가스 밸브 GV2, GV3을 닫는다. 이 후, 웨이퍼 W를 처리실(1)로부터 반출한다(시각 t8).
이러한 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법이면, 웨이퍼 W가 정전척(2)으로부터 부상하지 않는 상태, 또는 웨이퍼 W가 처리실(1) 내의 압력에 의해서 부착된 상태에서, 정전 흡착을 해제함으로써, 웨이퍼 W의 어긋남을 억제하면서, 정전척(2) 위로부터 웨이퍼 W를 이탈시킬 수 있다.
또한, 메인 밸브 MV를 닫은 상태에서, 처리실(1) 내에 불활성 가스를 공급하기 때문에, 처리실(1) 내의 압력은 급속하게 높아져 간다. 이것에 의해, 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이의 압력이, 처리실(1) 내의 압력 이하로 되는 상태를, 처리실(1) 내에 불활성 가스를 공급하지 않는 경우에 비해, 보다 단시간에 얻을 수 있다. 따라서, 웨이퍼 W의 어긋남을 억제하면서, 정전척(2) 위로부터 웨이퍼 W를 단시간에 이탈하는 것이 가능한 피처리체의 이탈 방법을 얻을 수 있다.
또한, 도 1에 나타낸 피처리체 처리 장치(100)에서는, 전열 가스 공급관(3a)에 플라즈마 어레스터(6)가 개재되어 있다. 플라즈마 어레스터(6)는 세라믹의 비즈를 배관 내에 채운 것으로, 컨덕턴스가 작다. 일반적인 피처리체 처리 장치는, 가스 저류 공간(11)과 전열 가스 공급 유로(3)를 배기할 때에는, 전열 가스 공급관(3a)을 처리실(1)에 접속하여, 처리실(1)을 통해서 배기 기구(4)에 의해 배기한다. 이러한 구성에서는, 가스 저류 공간(11)과 전열 가스 공급 유로(3)는 처리실(1) 내의 압력 미만으로 내려가지는 않는다. 또한, 처리실(1)은 공간이 넓으므로, 압력이 내려가는 데 시간이 걸린다. 또한, 전열 가스 공급관(3a)에 플라즈마 어레스터(6)가 개재되어 있으면, 배기 경로 중의 컨덕턴스가 작기 때문에, 전열 가스 공급 유로(3)의 압력이, 처리실(1)의 압력과 동일하게 될 때까지, 더 긴 시간이 걸리게 된다.
이 점, 도 1에 나타낸 피처리체 처리 장치(100)에 의하면, 전열 가스 공급관(3a)을 직접 배기 기구(4)에 접속하는 구성을 위해, 전열 가스 공급관(3a)을, 처리실(1)을 거쳐서 배기 기구에 접속하는 구성에 비해, 전열 가스 공급 유로(3)를 처리실(1) 내의 압력 미만으로 낮추는 것도 가능하다. 또한, 배기 기구(4)에 전열 가스 공급관(3a)을 직접적으로 접속하므로, 전열 가스 공급 유로(3)의 배기 능력을 높일 수 있다. 따라서, 플라즈마 어레스터(6)를 구비하고 있었다고 해도, 보다 단시간에 전열 가스 공급 유로(3)를 배기할 수 있다.
이와 같이, 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법에 의하면, 전열 가스 공급관(3a)에 플라즈마 어레스터(6)가 개재된 피처리체 처리 장치(100)에도, 적합하게 적용할 수 있다고 하는 이점도 얻을 수 있다.
또한, 제어부(9)로 상기 시퀀스를 실행시킨다. 즉, 제어부(9)가, 전열 가스 공급 유로(3)로부터 전열 가스를 배기하고, 불활성 가스 공급관(7)에 불활성 가스를 공급하며, 정전척(2)의 표면과 웨이퍼 W의 이면과의 사이의 압력이, 처리실(1) 내의 압력 이하로 된 상태에서, 웨이퍼 W의 정전 흡착을 해제하도록 피처리체 처리 장치(100)를 제어하도록 구성함으로써, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 이탈 방법을 실행할 수 있는 피처리체 처리 장치를 얻을 수 있다.
이상, 본 발명을 일 실시 형태에 따라서 설명했지만, 본 발명은 상기 일 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절하게 변형하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 실시 형태는 상기 일 실시 형태가 유일한 실시 형태도 아니다.
예컨대, 상기 실시 형태에서는, 불활성 가스를 처리실(1)에 공급할 때에 메인 밸브 MV를 닫지만, 불활성 가스를 처리실(1)에 공급하면 처리실(1) 중의 압력은 상승하기 때문에, 이것은 열려져 있더라도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 처리실(1) 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급관(7)을, 처리실(1)의 바닥벽에 접속하도록 했지만, 불활성 가스는, 처리실(1)의 측벽에서 공급되도록 해도 되고, 기존의 불활성 가스의 공급 경로를 이용하여, 예컨대, 처리 가스를 처리실(1) 내에 균일하게 공급하기 위한 샤워 헤드를 거쳐서 공급되도록 해도 된다.
본 발명에 의하면, 피처리체의 어긋남을 억제하면서, 정전척 위로부터 피처리체를 이탈하고, 또한 단시간에 이탈하는 것이 가능한 피처리체의 이탈 방법 및 이 이탈 방법을 실행하는 것이 가능한 피처리체 처리 장치를 제공할 수 있다.

Claims (15)

  1. 피처리체에 처리를 실시하는 처리실 내에 마련된 정전척 위로부터 상기 피처리체를 이탈시키는 피처리체의 이탈 방법으로서,
    상기 피처리체를 정전척 상에 탑재하여, 상기 피처리체의 정전 흡착을 개시하는 공정과,
    상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이에, 전열 가스 공급 유로를 거쳐서 전열 가스를 공급하는 공정과,
    상기 피처리체에 처리를 실시하는 공정과,
    상기 처리실을 배기하는 배기 기구에 상기 전열 가스 공급 유로를, 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 접속하고, 상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이로부터, 상기 전열 가스 공급 유로 및 상기 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 상기 전열 가스를 배기하는 공정과,
    상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 공정과,
    상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이의 압력이, 상기 처리실 내의 압력 이하로 된 상태에서 상기 피처리체의 정전 흡착을 해제하여, 상기 피처리체를 상기 정전척 위로부터 이탈시키는 공정
    을 포함하는 피처리체의 이탈 방법.

  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 공정은, 상기 처리실 내의 압력을, 상기 피처리체에 처리를 실시하는 공정 시의 압력보다도 높히는 공정인 피처리체의 이탈 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 공정이, 상기 처리실 내를 배기하는 배기 경로를 차단한 상태에서 행해지는 피처리체의 이탈 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 공정이, 상기 처리실 내를 배기하는 배기 경로를 차단한 상태에서 행해지는 피처리체의 이탈 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전열 가스를 배기하는 공정 시, 상기 전열 가스 공급 유로의 압력을, 상기 처리실 내의 압력 미만으로 낮추는 피처리체의 이탈 방법.
  6. 피처리체에 처리를 실시하는 처리실과,
    상기 처리실 내에 마련되어, 상기 피처리체가 탑재되는 정전척과,
    상기 정전척에 마련되어, 상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 유로와,
    상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 유로와,
    상기 처리실 내를 배기하는 배기 기구와,
    상기 전열 가스 공급 유로와 상기 배기 기구를 접속하여, 상기 전열 가스 공급 유로를 배기하는 전열 가스 배기 유로와,
    상기 전열 가스 공급 유로로부터 상기 전열 가스를 배기하고, 상기 불활성 가스 공급 유로에 상기 불활성 가스를 공급하며, 상기 정전척의 표면과 상기 피처리체의 이면과의 사이의 압력이, 상기 처리실 내의 압력 이하로 된 상태에서, 상기 피처리체의 정전 흡착을 해제하는 제어 기구
    를 포함하는 피처리체 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어 기구가, 상기 불활성 가스 공급 유로에 상기 불활성 가스를 공급하도록 제어하고 있는 동안, 상기 처리실 내의 압력이, 상기 피처리체에 처리를 실시하는 공정 시의 압력보다도 높게 되는 피처리체 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어 기구가, 상기 불활성 가스 공급 유로에 상기 불활성 가스를 공급하도록 제어하고 있는 동안, 상기 처리실을 배기하는 배기 경로가 차단되는 피처리체 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어 기구가, 상기 불활성 가스 공급 유로에 상기 불활성 가스를 공급하도록 제어하고 있는 동안, 상기 처리실을 배기하는 배기 경로가 차단되는 피처리체 처리 장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어 기구가, 상기 전열 가스 공급 유로로부터 상기 전열 가스를 배기하도록 제어하고 있는 동안, 상기 전열 가스 공급 유로의 압력이, 상기 처리실 내의 압력 미만으로 낮아지는 피처리체 처리 장치.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 전열 가스 공급 유로에 접속되는 전열 가스 공급관에, 플라즈마 어레스터(plasma arester)가 개재되어 있는 피처리체 처리 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 전열 가스 공급 유로에 접속되는 전열 가스 공급관에, 플라즈마 어레스터가 개재되어 있는 피처리체 처리 장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 전열 가스 공급 유로에 접속되는 전열 가스 공급관에, 플라즈마 어레스터가 개재되어 있는 피처리체 처리 장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 전열 가스 공급 유로에 접속되는 전열 가스 공급관에, 플라즈마 어레스터가 개재되어 있는 피처리체 처리 장치.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 전열 가스 공급 유로에 접속되는 전열 가스 공급관에, 플라즈마 어레스터가 개재되어 있는 피처리체 처리 장치.
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