CN116978818A - 扩散腔室内部的气流的设计 - Google Patents

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Abstract

本文描述的实施方式通常关于一种处理腔室，其具有位于处理腔室的底部处的一个或多个进气端口。经由一个或多个进气端口进入处理腔室的气体通过位于一个或多个进气端口的每一个上方的板或通过一个或多个进气端口的每一个的成角度的开口而沿着处理腔室的下侧壁引导。一个或多个进气端口和板可位于处理腔室的一端，且气流通过板或成角度的开口而被引导朝向位于处理腔室的相对端处的排气端口。因此，更多的气体可流入处理腔室而不会从处理腔室的盖子上逐出颗粒。

Description

扩散腔室内部的气流的设计
本申请是申请日为2017年1月25日、申请号为201780042800.1、发明名称为“通过扩散腔室内部的气流而得的较低粒子计数及较佳晶片品质的有效且新颖的设计”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本文所述的实施方式通常关于用于处理半导体基板的设备和方法。更具体地，本文所述的实施方式关于一种处理腔室，具有位于处理腔室的底部处的一个或多个进气端口。
背景技术
在集成电路和平板显示器制造的领域中，在一个或多个处理腔室中的基板上依次执行多个沉积和蚀刻工艺，以形成各种设计结构。基板处理系统可配备有多个腔室以用于执行这些工艺，诸如蚀刻、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、氮化、腔室清洁和调节等。许多工艺可在真空条件下在处理腔室中执行，且当从处理腔室移除基板或在处理腔室的维护期间，处理腔室可被加压到大气压力。此外，可在处理步骤之间执行处理腔室的净化。
传统地，用于引入净化气体或用于加压处理腔室(诸如用于氮化的处理腔室)的端口位于处理腔室的盖上。已经发现，设置在处理腔室内的基板上的颗粒污染呈现盖喷嘴的图案，这表示污染源是位于盖中的端口。此外，端口的开口受到限制，因此流入处理腔室的净化或加压气体的流速慢，导致长的净化和加压时间。
因此，需要改进的设备来增加净化或加压气体的流速，而不增加基板上的颗粒污染。
发明内容
在一个实施方式中，一种处理腔室包括：底部；下侧壁，设置在底部上；上侧壁，设置在下侧壁上；盖，设置在上侧壁上；处理气体注入端口，设置在盖上；及一个或多个进气端口，位于底部中，用于将净化气体或加压气体引入到处理腔室中。一个或多个进气端口与下侧壁相邻。处理腔室进一步包括：排气外壳，耦接到底部。
在另一个实施方式中，一种处理腔室包括：底部，具有第一区域和第二区域；及下侧壁，设置在底部上。下侧壁具有第一区域和第二区域。处理腔室进一步包括：上侧壁，设置在下侧壁的第一区域上；盖，设置在上侧壁上；处理气体注入端口，设置在盖上；及一个或多个进气端口，位于底部的第一区域中，用于将净化气体或加压气体引入到处理腔室中。一个或多个进气端口邻近下侧壁的第一区域。处理腔室进一步包括：排气外壳，耦接到底部的第二区域。
在另一个实施方式中，一种处理腔室包括：底部，具有第一区域和第二区域；及下侧壁，设置在底部上。下侧壁具有第一区域和第二区域。处理腔室进一步包括：上侧壁，设置在下侧壁的第一区域上；盖，设置在上侧壁上；处理气体注入端口，设置在盖上；及一个或多个进气端口，位于底部的第一区域中，用于将净化气体或加压气体引入到处理腔室中。一个或多个进气端口邻近下侧壁的第一区域。处理腔室进一步包括：一个或多个板，设置在处理腔室内。一个或多个板的每一板设置在一个或多个进气端口的对应进气端口的上方。处理腔室进一步包括：排气外壳，耦接到底部的第二区域。
附图说明
使得可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式而获得对简要概述于上的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式图示在附随的附图中。然而，应当注意附随的附图仅图示了示例性实施方式，且因此不被认为是限制其范围，可容许其他等效的实施方式。
图1是根据本文所述的一个实施方式的处理腔室的示意性透视图。
图2A是根据本文所述的一个实施方式的具有成角度的开口的进气端口的示意性侧视图。
图2B是根据本文所述的另一实施方式的具有狭缝状开口的进气端口的示意性顶视图。
图3是根据本文所述的另一实施方式的处理腔室的示意性透视图。
图4是根据本文所述的一个实施方式的图1中所示的处理腔室的底部的一部分的示意性顶视图。
图5是根据本文所述的一个实施方式的螺钉盖的示意性透视图。
图6A是根据本文所述的另一实施方式的图1中所示的处理腔室的底部的一部分的示意性顶视图。
图6B是根据本文所述的一个实施方式的图6A中所示的处理腔室的底部的一部分的示意性底视图。
图7A是根据本文所述的一个实施方式的板的示意性透视图。
图7B是根据本文所述的另一实施方式的板的示意性透视图。
图8是根据本文所述的一个实施方式的保持器的示意性透视图。
图9是根据本文所述的另一实施方式的处理腔室的示意性透视图。
图10是根据本文所述的另一实施方式的处理腔室的示意性透视图。
图11A至图11C是根据本文所述的实施方式的处理腔室的示意性透视图。
为促进理解，在可能的情况下，使用相同的元件符号来表示与共用于附图的相同元件。应设想一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式中，而无需进一步赘述。
具体实施方式
本文所述的实施方式通常关于一种处理腔室，具有位于处理腔室的底部处的一个或多个进气端口。经由一个或多个进气端口进入处理腔室的气体通过位于一个或多个进气端口的每一个的上方的板或通过一个或多个进气端口的每一个的成角度的开口而沿着处理腔室的下侧壁引导。一个或多个进气端口和板可位于处理腔室的一端，且气流通过板或成角度的开口而被引导朝向位于处理腔室的相对端处的排气端口。因此，更多的气体可流入处理腔室而不会从处理腔室的盖子上逐出(dislodge)颗粒。
图1是根据本文所述的一个实施方式的处理腔室100的示意性透视图。如图1中所示，处理腔室100包括底部115，设置在底部115上的下侧壁107，设置在下侧壁107上的上侧壁106，设置在上侧壁106上的盖102，及设置在盖102上的处理气体注入端口104。处理腔室100可为任何合适的真空处理腔室，诸如氮化室。基板120放置在处理腔室100中的位于由上侧壁106所包围的位置处。基板120可由设置在处理腔室100中的基板支撑件126所支撑。狭缝阀门105位于上侧壁106中以用于密封狭缝阀开口，所述狭缝阀开口用于将基板120传送进入和传送离开处理腔室100。下侧壁107设置在上侧壁106和狭缝阀门105的下方。上侧壁106可为圆形的或非圆形的。在图1的实施方式中，上侧壁106是圆形的。下侧壁107包括第一区域109和第二区域111。上侧壁106设置在下侧壁107的第一区域109上。第一区域109位于上侧壁106的正下方，且第二区域111横向延伸超过上侧壁106。下侧壁107的第一区域109是半圆形的，且可具有与上侧壁106的直径实质相同的直径。下侧壁107的第二区域111也是半圆形的，且可具有与下侧壁107的第一区域109的直径相同的直径或比下侧壁107的第一区域109的直径小的直径。在图1中，半圆形的第二区域111的直径小于第一区域109的直径。下侧壁107可包括连接下侧壁107的第一区域109和第二区域111的两个连接区域130。下侧壁107的连接区域130可为线性的。处理腔室100的底部115具有第一区域108、第二区域114和连接区域132。底部115的第一区域108耦接到下侧壁107的第一区域109；底部115的第二区域114耦合到下侧壁107的第二区域111；且连接区域132耦接到下侧壁107的连接区域130。排气外壳122耦接到底部115的第二区域114，且气体出口116位于排气外壳122上，用于允许处理腔室100内部的气体离开处理腔室100。气体出口116可连接到真空泵(未图示)，以在处理腔室100内部产生真空状态。
通常，用于净化处理腔室100的净化气体或用于加压处理腔室100的惰性气体经由处理气体注入端口104而引入到处理腔室100中。然而，在许多情况下，处理气体注入端口104的开口受到限制，因此引入到处理腔室100中的净化气体或加压气体的流速是慢的。此外，随着净化或加压气体经由处理气体注入端口104而引入处理腔室100中，特别是若净化气体或加压气体通过端口104的流速增加时，则处理腔室100的盖102上积聚的颗粒落在基板120上。
为了增加流入处理腔室100的净化或加压气体的流速，而不导致积聚在盖102上的颗粒落在基板120上，气体入口110可位于底部115的第一区域108中，用于将净化气体或加压气体引入到处理腔室100中。气体入口110包括用于从气体源(诸如气体面板(未图示))接收净化气体或加压气体的导管112。扩散器(未图示)可设置在气体入口110内部。气体入口110在进气端口124处耦接到底部115的第一区域108，进气端口124邻近下侧壁107的第一区域109。进气端口124位于腔室的周边，以避免气体朝向基板支撑件126流动。因此，净化气体或加压气体从气体入口110朝向盖102而流到处理腔室100中，而不撞击在基板支撑件126上，因为基板支撑件126具有从净化气体或加压气体的流动路径径向向内定位的边缘128。在一些实施方式中，从气体入口110引入到处理腔室100中的气体可以以不会以导致盖102上的颗粒掉落的速度撞击在盖102上。为了增加经由气体入口110流入处理腔室100的气体量而不增加气体的速度，可使用气体膨胀装置113。气体膨胀装置113可耦接到气体入口110，如图1中所示，或设置在气体入口110的内部。气体膨胀装置113可为任何合适的气体膨胀装置。利用气体膨胀装置113，当引入到处理腔室100中的净化气体或加压气体的量增加时，流到处理腔室100中的净化气体或加压气体的速度不被增加。结果，即使净化气体或加压气体撞击处理腔室100的盖102，由于气体的慢的速度，盖102上的颗粒也不被经由气体入口110而引入的气体而从盖102逐出。
在一些实施方式中，省略了气体膨胀装置113，且处理腔室100内部的气体入口110的开口可用以增加经由气体入口110流入处理腔室100的气体的量，而不会从盖102逐出颗粒。图2A是根据本文所述的一个实施方式的具有成角度的开口202的气体入口110的示意性侧视图。如图2A中所示，成角度的开口202可与处理腔室100的基础平面201形成角度A。处理腔室的基础平面201可实质平行于基板120的处理表面。角度A可大于零度，以便将净化气体或加压气体204引导朝向下侧壁107的第二区域111，诸如从第一区域109朝向下侧壁107的第二区域111。换句话说，净化气体或加压气体被引导以沿着下侧壁107的连接区域130的一个而流动。下侧壁107位于围绕基板120的上侧壁106的下方，使得沿着下侧壁107流动的净化气体或加压气体不会撞击到基板120上。因此，由于气体不直接朝向处理腔室的盖102流动，可增加经由气体入口110流到处理腔室100中的气体的速度。成角度的开口202可为圆形的或任何其他合适的形状。
图2B是根据本文所述的一个实施方式的具有狭缝状开口206的气体入口110的示意性顶视图。在一个实施方式中，狭缝状开口206是图1中所示的进气端口124。如图2B中所示，狭缝状开口206的面积大于圆形开口，诸如气体入口110的开口的面积。因此，更多的净化气体或加压气体可通过狭缝状开口206流到处理腔室100中，而不增加净化气体或加压气体的速度。狭缝状开口206可与下侧壁107相邻，且可具有符合下侧壁107的方位的弯曲形状。在一些实施方式中，狭缝状开口206可为平面的，即，狭缝状开口206与基础平面201形成大约零度的角度。在其他实施方式中，狭缝状开口206可为成角度的，如图2A中所示。
图3是根据本文所述的另一实施方式的处理腔室100的示意性透视图。如图3中所示，省略了气体膨胀装置113，且板302设置在处理腔室100中的位于进气端口124的上方，进气端口124形成在底部115的第一区域108中。板302用以引导净化气体或加压气体沿着下侧壁107流动。由于流到处理腔室100中的净化气体或加压气体不直接朝向盖102流动，所以可增加气体的速度而不会从盖102逐出颗粒。板302可由任何合适的材料制成，诸如不锈钢、铝、石英、氧化铝或高性能材料(high performance material,HPM)。HPM由化合物Y4Al2O9和固态溶液Y2-xZrxO3(Y2O3-ZrO2固态溶液)所组成。板302可涂布有氧化钇或HPM。在一个实例中，板302由石英所制成。在另一实例中，板302由不锈钢所制成并涂布有氧化钇或HPM。板302可具有任何合适的形状。在一个实例中，板302是矩形的。板302包括面向进气端口124的主表面303。表面303可具有大于进气端口124的表面积。表面303可具有小于或等于进气端口124的表面积。
图4是根据本文所述的一个实施方式的图1中所示的处理腔室100的底部115的一部分的示意性顶视图。如图4中所示，进气端口124形成在底部115的第一区域108中，第一区域108与下侧壁107的第一区域109相邻，且板302设置在进气端口124的上方，以防止流到处理腔室100中的净化气体或加压气体以高速撞击在盖102上。进气端口124大于处理气体注入端口104(图1)，以允许以比通过处理气体注入端口104可实现的更高的流速将净化气体或加压气体流到处理腔室100中。板302耦接到设置在底部115的第一区域108上的螺钉盖402，以为板302提供稳定性。板302可为具有圆角落404的矩形，如图4中所示。板302可具有任何其他合适的形状。
图5是根据本文所述的一个实施方式的螺钉盖402的示意性透视图。如图5中所示，螺钉盖402可为环形的，且可包括形成在底表面506中的多个凹陷504。螺钉盖402可由任何合适的材料所制成。螺钉盖402可由与板302相同的材料所制成。在一个实例中，螺钉盖402由石英或HPM制成。螺钉盖402可具有小于基板120的直径的内径(图1)。多个凹陷504可覆盖位于底部115中的多个螺钉，且可用以将板302对准在进气端口124的上方。板302可通过任何合适的紧固方法(例如焊接)而耦接到螺钉盖402的上表面508。在一个实施方式中，板302和螺钉盖402是单件式材料。
图6A是根据本文所述的另一实施方式的图1中所示的处理腔室100的底部115的一部分的示意性顶视图。如图6A中所示，进气端口124形成在底部115的第一区域108中，第一区域108与下侧壁107的第一区域109相邻，且板302设置在进气端口124的上方，以防止流到处理腔室100中的净化气体或加压气体以高速而撞击在盖102上。
板302由安置在底部115的第一区域108上的多个支撑件602或其等效元件支撑。支撑件602可在任何合适的位置处耦接到板302，用于支撑和固定板302且用于引导净化气体或加压气体经由进气端口124而进入处理腔室100。支撑件602的厚度界定在板302和底部115之间的间隙，且净化气体或加压气体流过间隙而进到处理腔室100中。在一个实施方式中，如图6A中所示，使用三个支撑件602A、602B、602C。三个支撑件602的第一支撑件602A可沿着底部115的第一区域108的半径而定向，而第二支撑件和第三支撑件602B、602C沿着垂直于对第一支撑件602A进行定向的半径的线而定向，如图6A中所示。第二支撑件和第三支撑件602B、602C可沿着与进气端口124的边缘上的两个点交叉的线而定位。多个支撑件602A、602B、602C可位于进气端口124的边缘处，如图6A中所示，或位于距离进气端口124的边缘一段距离的位置。在一个实施方式中，多个支撑件602A、602B、602C设置在远离进气端口124的边缘一定距离的位置，且支撑件602A、602B、602C被紧固(诸如螺栓固定)到处理腔室100的底部115，用于固定板302。每一支撑件602的厚度可等于或大于螺钉盖402的厚度。在一个实施方式中，支撑件602A、602B、602C的每一个的厚度等于螺钉盖402的厚度，且板302与螺钉盖402接触。在另一个实施方式中，板302、螺钉盖402及支撑件602A、602B、602C是一件式材料。
图6B是根据本文所述的一个实施方式的图6A中所示的处理腔室100的底部115的部分的示意性底视图。如图6B中所示，板302可通过多个支撑件602(图6A)而支撑，且可与螺钉盖402接触。保持器604可位于进气端口124中，用于将板302固定在进气端口124的上方。保持器604可由任何合适的材料所制成。在一个实施方式中，保持器604由铝所制成。保持器604在图8中更详细地描述。板302可被直接紧固(诸如焊接或接合)到底部115。
图7A是根据本文所述的一个实施方式的板302的示意性透视图。如图7A中所示，板包括表面303和形成在表面303上的多个支撑件602。多个支撑件602可由与板302相同的材料所制成。支撑件602可具有适于支撑板302的任何形状。板302可具有适于容纳在处理腔室100中的任何形状。在一个实施方式中，如图7A中所示，支撑件602具有相同的棒状形状。支撑件602可具有不同的形状，以便当板302安装在腔室中时，进一步引导沿着表面303流动的净化气体或加压气体的流动。多个支撑件602可通过任何合适的方法而耦接到表面303。在一个实施方式中，多个支撑件602和板302是单件式材料。为了将板302固定在进气端口124的上方，可在板302的表面303上形成多个柱702。每一柱702可耦接到对应的支撑件602，如图7A中所示。在支撑件602远离进气端口124的边缘一段距离的实施方式中，每一支撑件602是远离对应的柱702的距离。在一个实施方式中，存在有三个支撑件602和三个柱702，如图7A中所示。每一柱702可包括远离对应的支撑件602而延伸的端部704，且端部704可插入到形成在保持器604中的对应开口802(图8)中。换句话说，每一柱702的厚度大于每一支撑件602的厚度，且在每一柱702的厚度和每一支撑件602的厚度之间的差异是端部704的厚度。柱702和支撑件602的厚度被定义为延伸远离板302的表面303。柱702可为圆柱形的，如图7A中所示。柱702可为任何其他合适的形状。柱702可由与支撑件602相同的材料所制成。柱702可以是或可以不是底部115、板302或膨胀装置113的整体部分。
图7B是根据本文所述的另一实施方式的板302的示意性透视图。如图7B中所示，板302具有面向进气端口124的表面303(图4)。在图7B的实施方式中，板302不是矩形的。在图7B中，板302具有两个弯曲侧720和两个平直侧722，且弯曲侧720和平直侧722通过圆角落724而接合。弯曲侧720符合下侧壁107的方位。换句话说，弯曲侧720是以基板支撑件126的中心而置中的圆弧(图1)。两个平直侧722可彼此实质地平行。多个支撑件602和多个柱702可形成在板302的表面303上。一个或多个支撑件602可具有与支撑件602的其余部分不同的形状，以便进一步引导进入到处理腔室100中的净化气体或加压气体的流动。在一个实施方式中，如图7B中所示，支撑件706包括第一部分708和第二部分710。第一部分708可沿着底部115的第一部分108的半径而定向。第二部分710可为棒状的，且沿着板302的长边缘712而设置。第一部分708可在第二部分710的中心处连接到第二部分710。连接区域可为T形的，或可使得从第一部分708弯曲过渡到第二部分710。如图7B中所示，第一部分708可为棒状的，且实质垂直于第二部分710。
图8是根据本文所述的一个实施方式的保持器604的示意性透视图。如图8中所示，保持器604是环，且可包括外边缘806、内边缘808和形成在内边缘808内的开口804。在操作期间，净化或加压气体通过开口804而进入处理腔室。多个开口802可形成在外边缘806和内边缘808之间。开口802可经构造以与板302的对应的第二部分704接合。每一第二部分704可插入到对应的开口802中用于将板302固定在气体注入端口110之上。在一些实施方式中，第二部分704通过紧固件(诸如螺钉)而进一步固定到保持器604上，所述紧固件通过开口802而紧固到第二部分704中。在一个实施方式中，在板302上形成有三个柱702和在保持器604中形成有三个开口802。
图9是根据本文所述的另一实施方式的处理腔室100的示意性透视图。处理腔室100可包括与图1中所示的处理腔室100相同的部件，其中附加的气体入口902位于底部115的第一区域108中。气体入口902可耦接到形成在底部115的第一区域108中的进气端口910，且进气端口910可与下侧壁107的第一区域109相邻。气体入口902可包括用于从气体源(诸如气体面板(未图示))接收净化气体或加压气体的导管904。气体入口902可与气体入口110相同。进气端口124、910可相对于从底部115的第一区域108延伸到第二区域114的轴线908而对称地定位于底部115上。使用用于将净化气体或加压气体引入到处理腔室100中的两个气体入口110、902，来自每一气体入口110、902的气体速度足够慢，因此盖102上的颗粒将不会随着气体撞击在盖102上而掉落，而进入处理7腔室100的气体的量是加倍的。
在一些实施方式中，气体膨胀装置906耦接到气体入口902或设置在气体入口902内，以便进一步增加进入处理腔室100的气体量，而不增加气体的速度。在一些实施方式中，省略了气体膨胀装置906，且气体入口902可具有图2A及/或图2B中所示的开口，以便进一步增加进入处理腔室100的气体量。
图10是根据本文所述的另一实施方式的处理腔室100的示意性透视图。处理腔室100可包括与图9中所示的处理腔室100相同的部件，具有分别位于气体入口110、902的上方的附加的板302、1002。板1002可与板302相同。在一个实施方式中，两个板302、1002均耦接到图5中所示的螺钉盖402。在另一个实施方式中，板1002通过多个支撑件(诸如图7A中所示的多个支撑件602)而支撑。板1002可通过保持器(诸如图8中所示的保持器604)而固定。通过具有两个气体入口110、902和两个板302、1002，更多气体可以以更高速度进入处理腔室100，而不会撞击在盖102上，导致减少用于净化和加压处理腔室100的时间。两个板302、1002可为单一板而不是两个分开的板，使得单一板可覆盖两个气体入口110、902。
图11A至图11C是根据本文所述的实施方式的处理腔室的示意性透视图。如图11A中所示，处理腔室100包括底部115、下侧壁107、上侧壁106、盖和处理气体注入端口104。处理腔室100也包括气体入口110，气体入口110在进气端口124处耦接到底部115。气体入口110包括耦接到供应管1102的导管112。供应管1102具有第一横截面积1104，气体入口110具有第二横截面积1106，且进气端口124具有第三横截面积1108。在一个实施方式中，第一横截面积1104、第二横截面积1106和第三横截面积1108实质相同。在另一个实施方式中，第一横截面积1104小于第二横截面积1106或第三横截面积1108。第一、第二或第三横截面积1104、1106、1108小于使得净化气体或加压气体可从其中流到处理腔室100中而不会使盖102上的颗粒掉落的面积。为了降低从气体入口110流到处理腔室中的气体的速度，扩散器1110耦接到进气端口124。气体扩散器1110可被下侧壁107包围。气体扩散器1110扩散从气体入口110流到处理腔室100中的气体。因此，即使净化气体或加压气体撞击在处理腔室100的盖102上，由于扩散器1110，盖102上的颗粒也不会被经由气体入口110引入的气体从盖102逐出。
如图11B中所示，处理腔室100包括底部115、下侧壁107、上侧壁106、盖102和处理气体注入端口104。处理腔室100也包括气体入口1112，气体入口1112在进气端口1114处耦接到底部115。气体入口1112包括耦接到供应管1102的导管1116。供应管1102具有第一横截面积1104，气体入口1112具有第二横截面积1118，且进气端口1114具有第三横截面积1120。在一个实施方式中，第一横截面积1104小于第二横截面积1118，第二横截面积1118小于第三横截面积1120。扩散器1122设置在导管1116内，以扩散从供应管1102引入的气体。因为第二横截面积1118大于第一横截面积1104，且第三横截面积1120大于第二横截面积1118，更多的净化气体或加压气体可通过气体入口1112流到处理腔室100中，而不增加净化气体或加压气体的速度。第三横截面积1120足够大以允许净化气体或加压气体流到处理腔室100中，而不会导致盖102上的颗粒掉落。
如图11C中所示，处理腔室100包括底部115、下侧壁107、上侧壁106、盖102和处理气体注入端口104。处理腔室100也包括气体入口1112，气体入口1112在进气端口1124处耦接到底部115。气体入口1112包括耦接到供应管1102的导管1116。供应管1102具有第一横截面积1104，气体入口1112具有第二横截面积1118，且进气端口1124具有第三横截面积1126。在一个实施方式中，第一横截面积1104小于第二横截面积1118，第二横截面积1118小于第三横截面积1126。第三横截面积1126大于第三横截面积1120(图11B)。因为第三横截面积1126大得多，所以更多的净化气体或加压气体可通过气体入口1112流到处理腔室100中，而不增加净化气体或加压气体的速度，而无需使用扩散器。第三横截面积1126足够大以允许净化气体或加压气体流到处理腔室100中，而不会导致盖102上的颗粒掉落。
图11A至图11C各自图示了耦接到处理腔室100的底部115的一个气体入口。在一些实施方式中，两或更多个气体入口可耦接到处理腔室100的底部115。
本文所述的气体入口和进气端口可位于处理腔室的底部、顶部或侧面，以便允许净化气体或加压气体流到处理腔室中而不会导致盖子上的颗粒掉落，且允许更多的净化气体或加压气体通过气体入口流到处理腔室中，而不增加净化气体或加压气体的速度。
尽管上文针对本公开内容的实施方式，可在不背离本公开内容的基板范围得而情况下，设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，且本公开内容的保护范围由随附的权利要求书而决定。

Claims (20)

1.一种处理腔室，包含：
具有椭圆形状的底部；
下侧壁，设置在所述底部上；
上侧壁，设置在所述下侧壁上，所述上侧壁具有圆形；
盖，设置在所述上侧壁上；
处理气体注入端口，设置在所述盖上；
一个或多个进气端口，位于所述底部中且与所述下侧壁相邻；及
排气外壳，耦接到所述底部。
2.根据权利要求1所述的处理腔室，其中所述一个或多个气体入口的每一气体入口具有第一横截面积且所述一个或多个进气端口的每一进气端口具有第二横截面积，其中所述第二横截面积大于所述第一横截面积。
3.根据权利要求2所述的处理腔室，其中所述一个或多个进气端口的每一进气端口是狭缝状开口，所述狭缝状开口符合所述下侧壁的方位。
4.根据权利要求3所述的处理腔室，其中所述狭缝状开口与所述底部形成大约零度的角度。
5.根据权利要求3所述的处理腔室，其中所述狭缝状开口与所述底部形成大于零度的角度。
6.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：
基板支撑件，其中所述基板支撑件具有从所述一个或多个进气端口的边缘径向向内定位的边缘。
7.一种处理腔室，包含：
底部，具有第一区域和第二区域；
下侧壁，设置在所述底部上，其中所述下侧壁具有第一区域和第二区域，其中所述下侧壁的所述第一区域和所述第二区域连接，使得所述下侧壁形成连续的椭圆形；
上侧壁，设置在所述下侧壁的所述第一区域上；
盖，设置在所述上侧壁上；
处理气体注入端口，设置在所述盖上；
一个或多个进气端口，位于所述底部的所述第一区域中，所述一个或多个进气端口被设置为邻近所述下侧壁的所述第一区域；
一个或多个气体入口，所述一个或多个气体入口的每一气体入口耦接到所述一个或多个进气端口的对应的进气端口，并且所述一个或多个气体入口的每一气体入口包括符合所述下侧壁的方位的狭缝状开口；及
排气外壳，耦接到所述底部的所述第二区域。
8.根据权利要求7所述的处理腔室，其中所述狭缝状开口与所述处理腔室的基础平面形成大约零度的角度。
9.根据权利要求8所述的处理腔室，其中所述狭缝状开口与所述处理腔室的基础平面形成大于零度的角度。
10.根据权利要求7所述的处理腔室，其中所述一个或多个进气端口包含两个进气端口。
11.根据权利要求10所述的处理腔室，其中所述两个进气端口相对于从所述底部的所述第一区域延伸到所述底部的所述第二区域的轴线而对称。
12.根据权利要求7所述的处理腔室，进一步包括：
基板支撑件，其中所述基板支撑件具有从所述一个或多个进气端口的边缘径向向内定位的边缘。
13.一种处理腔室，包含：
底部，具有第一区域和第二区域；
下侧壁，设置在所述底部上，其中所述下侧壁具有第一区域和第二区域；
上侧壁，设置在所述下侧壁的所述第一区域上；
盖，设置在所述上侧壁上；
处理气体注入端口，设置在所述盖上；
一个或多个进气端口，位于所述底部的所述第一区域中且邻近所述下侧壁的所述第一区域；
一个或多个板，设置在所述处理腔室内，所述一个或多个板的每一板设置在所述一个或多个进气端口的对应的进气端口的上方，并且所述一个或多个板的每一板通过耦接到所述板的表面的多个支撑件而被支撑；
耦接至所述一个或多个板的多个柱；及
排气外壳，耦接到所述底部的所述第二区域。
14.根据权利要求13所述的处理腔室，其中所述多个支撑件设置在所述底部的所述第一区域上。
15.根据权利要求13所述的处理腔室，其中所述多个支撑件由与所述一个或多个板相同的材料制成。
16.根据权利要求13所述的处理腔室，其中所述多个柱的每一柱的厚度大于所述多个支撑件的每一支撑件的厚度。
17.根据权利要求13所述的处理腔室，其中所述多个柱的每一柱由与所述多个支撑件相同的材料制成。
18.根据权利要求13所述的处理腔室，其中所述一个或多个板的每一者包括面向所述一个或多个进气端口的相应进气端口的主表面，其中所述主表面具有大于所述相应进气端口的横截面积的表面积。
19.根据权利要求13所述的处理腔室，其中所述一个或多个板的每一者包括面向所述一个或多个进气端口的相应进气端口的主表面，其中所述主表面具有小于或等于所述相应进气端口的横截面积的表面积。
20.根据权利要求13所述的处理腔室，其中所述多个板的每一板和所述多个支撑件的对应的支撑件包括单件式材料。
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