JP6145279B2 - ガス導入配管接続構造及びこれを用いた熱処理装置 - Google Patents
ガス導入配管接続構造及びこれを用いた熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6145279B2 JP6145279B2 JP2013021790A JP2013021790A JP6145279B2 JP 6145279 B2 JP6145279 B2 JP 6145279B2 JP 2013021790 A JP2013021790 A JP 2013021790A JP 2013021790 A JP2013021790 A JP 2013021790A JP 6145279 B2 JP6145279 B2 JP 6145279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas introduction
- introduction pipe
- pattern
- gas
- predetermined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 305
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 71
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 27
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 25
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 25
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 8
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Description
前記ガス導入部に、前記複数のガス導入配管に対応して設けられた複数のガス導入配管被接続部と、
前記複数のガス導入配管の各先端に設けられ、前記ガス導入配管を前記ガス導入配管被接続部に固定接続するための複数のガス導入配管接続機構と、を有し、
前記複数のガス導入配管被接続部及び前記複数のガス導入配管接続機構は、互いに対応する前記ガス導入配管接続機構及び前記ガス導入配管被接続部のみが1対1で接続可能な誤接続防止構造を有し、
前記ガス導入配管接続機構は、ナットとC−リングとを含み、
前記誤接続防止構造は、互いに対応する前記ガス導入配管被接続部に前記ガス導入配管接続機構が接続される際、前記ガス導入配管被接続部の第1の面に設けられた所定の突出パターンと、前記ガス導入配管接続機構の前記C−リングの該第1の面と対向する第2の面に設けられ、該所定の突出パターンに該第2の面を突き抜けさせる所定の突き抜け許容パターンであり、該所定の突出パターンと該所定の突き抜け許容パターンとの係合により誤接続を防止しながら前記ナットによる固定接続が可能な構造である。
円筒状の処理容器と、
前記被処理体を前記処理容器内に保持する保持手段と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内に複数種類のガスを供給するための複数のガス供給源と、
該複数のガス供給源から前記複数種類のガスを前記処理容器内に導入するための複数のガス導入配管と、
前記ガス導入配管接続構造と、を有する。
10 ガス導入配管接続構造
26 ウエハボート
58 加熱手段
70 ポートブロック
71 接続穴
71a 雌ねじ形成部
72 突出パターン形成面
73 ピン挿入孔
74 ピン
75 突出パターン
80 ボトムフランジ
81 ガス導入穴
82 溝
83 平坦部
84 溝パターン
100 ガス導入配管
101 リテーナ
102 ナット
103 雄ねじ形成部
110 C−リング
111 取付部
112 パターン形成部
113 切り欠きパターン形成面
114 切り欠き
115 切り欠きパターン
Claims (7)
- 処理容器内に複数種類のガスを導入するために、前記処理容器の所定のガス導入部に複数のガス導入配管を接続するガス導入配管接続構造であって、
前記ガス導入部に、前記複数のガス導入配管に対応して設けられた複数のガス導入配管被接続部と、
前記複数のガス導入配管の各先端に設けられ、前記ガス導入配管を前記ガス導入配管被接続部に固定接続するための複数のガス導入配管接続機構と、を有し、
前記複数のガス導入配管被接続部及び前記複数のガス導入配管接続機構は、互いに対応する前記ガス導入配管接続機構及び前記ガス導入配管被接続部のみが1対1で接続可能な誤接続防止構造を有し、
前記ガス導入配管接続機構は、ナットとC−リングとを含み、
前記誤接続防止構造は、互いに対応する前記ガス導入配管被接続部に前記ガス導入配管接続機構が接続される際、前記ガス導入配管被接続部の第1の面に設けられた所定の突出パターンと、前記ガス導入配管接続機構の前記C−リングの該第1の面と対向する第2の面に設けられ、該所定の突出パターンに該第2の面を突き抜けさせる所定の突き抜け許容パターンであり、該所定の突出パターンと該所定の突き抜け許容パターンとの一致により誤接続を防止しながら前記ナットによる固定接続が可能な構造であるガス導入配管接続構造。 - 前記所定の突出パターンは、前記第1の面に設けられたピンからなるパターンであり、
前記所定の突き抜け許容パターンは、前記所定の突出パターンに対応して前記第2の面に形成された切り欠きパターンである請求項1に記載のガス導入配管接続構造。 - 前記第1の面には、配列された複数のピン挿入孔が設けられ、
前記ピンは、前記複数のピン挿入孔の所定箇所に挿入されて前記所定の突出パターンを形成する請求項2に記載のガス導入配管接続構造。 - 前記所定の突出パターン及び前記所定の突き抜け許容パターンは、互いに対応する前記複数のガス導入配管被接続部及び前記複数のガス導入配管接続機構のペア毎にそれぞれ異なる請求項1乃至3のいずれか一項に記載のガス導入配管接続構造。
- 前記処理容器は円筒形状を有し、
前記ガス導入部は前記処理容器の底部に設けられ、側面に複数のガス導入穴が形成されたボトムフランジであり、
前記複数のガス導入配管被接続部は、各々が前記ガス導入配管接続機構を内嵌可能な接続穴及び前記第1の面を有し、
前記第1の面に設けられた前記複数のピン挿入孔は貫通孔であり、該貫通孔に装着された前記ピンは前記ボトムフランジ側にも前記所定の突出パターンを形成し、
前記ボトムフランジは、前記複数のガス導入穴の各々の近傍表面に、前記所定の突出パターンが挿入可能な所定の溝パターンを有し、
前記複数のガス導入配管被接続部は、前記所定の突出パターンと前記所定の溝パターンとが互いに対応するように、前記複数のガス導入穴の各々に対応して設けられた請求項3に記載のガス導入配管接続構造。 - 前記ガス導入配管被接続部は、内周にねじ山が形成された穴状の雌ねじ形成部を有し、
前記ガス導入配管接続機構は、該雌ねじ形成部に挿入されて螺合するねじ山が外周に形成された雄ねじ形成部を有する請求項1乃至5のいずれか一項に記載のガス導入配管接続構造。 - 被処理体に熱処理を行う熱処理装置であって、
円筒状の処理容器と、
前記被処理体を前記処理容器内に保持する保持手段と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内に複数種類のガスを供給するための複数のガス供給源と、
該複数のガス供給源から前記複数種類のガスを前記処理容器内に導入するための複数のガス導入配管と、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のガス導入配管接続構造と、を有する熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013021790A JP6145279B2 (ja) | 2013-02-06 | 2013-02-06 | ガス導入配管接続構造及びこれを用いた熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013021790A JP6145279B2 (ja) | 2013-02-06 | 2013-02-06 | ガス導入配管接続構造及びこれを用いた熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014152833A JP2014152833A (ja) | 2014-08-25 |
JP6145279B2 true JP6145279B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=51574898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013021790A Active JP6145279B2 (ja) | 2013-02-06 | 2013-02-06 | ガス導入配管接続構造及びこれを用いた熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6145279B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016176584A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス導入配管接続構造及びこれを用いた基板処理装置 |
JP6706901B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2020-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
SG11201810824UA (en) * | 2016-06-03 | 2019-01-30 | Applied Materials Inc | Effective and novel design for lower particle count and better wafer quality by diffusing the flow inside the chamber |
JP6550029B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2019-07-24 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ノズル基部および半導体装置の製造方法 |
JP6663379B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2020-03-11 | 日立建機株式会社 | 建設機械 |
JP7262740B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2023-04-24 | 株式会社パロマ | 配管接続構造 |
JP7281519B2 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-05-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および処理容器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0780445A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-28 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 浄水器用継手の誤接続防止構造 |
JP2002081589A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nec Kyushu Ltd | 誤接続防止流体コネクタ |
FR2867253B1 (fr) * | 2004-03-05 | 2007-10-12 | Staubli Sa Ets | Raccord de jonction amovible et procede de raccordement correspondant |
JP2007192245A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009047213A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Asahi Breweries Ltd | 接続機構 |
JP5104463B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2012-12-19 | 株式会社デンソー | 燃料噴射装置 |
JP4924676B2 (ja) * | 2009-08-13 | 2012-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスポート構造及び処理装置 |
-
2013
- 2013-02-06 JP JP2013021790A patent/JP6145279B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014152833A (ja) | 2014-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6145279B2 (ja) | ガス導入配管接続構造及びこれを用いた熱処理装置 | |
CN106148916A (zh) | 高温衬底基座模块及其组件 | |
KR102131482B1 (ko) | 처리 장치 | |
US7806383B2 (en) | Slit valve | |
JP6602230B2 (ja) | 石英管保持構造及びこれを用いた熱処理装置 | |
JP6208591B2 (ja) | インジェクタ保持構造及びこれを用いた基板処理装置 | |
US20140251209A1 (en) | Support member and semiconductor manufacturing apparatus | |
JP2016176584A (ja) | ガス導入配管接続構造及びこれを用いた基板処理装置 | |
JP2011001995A (ja) | ガスボックス | |
TWI617761B (zh) | 管接頭方法、管接頭用零件、具備有管接頭用零件的管接頭、流體控制器、流體控制裝置以及半導體製造裝置 | |
KR102274966B1 (ko) | 가스 도입 기구 및 열처리 장치 | |
JP2009088346A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6471938B2 (ja) | 流体供給装置、ライン保持具及び流体供給装置の製造方法 | |
KR20100079218A (ko) | 반도체 제조설비의 가스공급라인 연결장치 | |
JP6619905B1 (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
US11633753B2 (en) | Nozzle installation jig | |
KR20090031814A (ko) | 가스 공급 장치, 반도체 제조 장치 및 가스 공급 장치용 부품 | |
JP7068197B2 (ja) | 連続トウ処理用のゲートバルブ | |
KR20060108794A (ko) | 급속 열처리 장치 | |
KR20110000608U (ko) | 기판 처리 장치 | |
JPH11135447A (ja) | 熱処理装置 | |
KR20150125885A (ko) | 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드 | |
KR20060117587A (ko) | 플랙서블 가스 공급 라인 | |
KR20150125884A (ko) | 유기금속 화학기상 증착장치의 노즐 유닛 | |
KR20070025804A (ko) | 자동 밸브를 갖는 반도체 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150716 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6145279 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |