JP2016176584A - ガス導入配管接続構造及びこれを用いた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、螺合締結部材を用いてリテーナを処理容器に締結固定する際、リテーナの供回りを防止できるガス導入配管接続構造及びこれを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理容器４内にガスを導入するために、前記処理容器の所定のガス導入部８０にガス導入配管１００を接続するガス導入配管接続構造であって、前記ガス導入部に設けられ、開口７１を有するガス導入配管被挿入部材７０と、前記ガス導入配管の先端に設けられ、前記ガス導入配管の先端を保持するとともに、前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口に挿入可能なリテーナと、前記ガス導入配管の周囲に設けられ、前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口に挿入されて前記ガス導入配管被挿入部材と螺合締結することにより、前記リテーナを前記ガス導入部に押圧固定可能な締結部材と、を有し、前記ガス導入配管被挿入部材と前記リテーナとは、互いに係止して前記締結部材との供回りを防ぐ係止構造部を有する。
【選択図】図６

Description

本発明は、ガス導入配管接続構造及びこれを用いた基板処理装置に関する。

従来から、基板を処理容器内で加熱処理する熱処理装置において、処理容器にガス導入配管を接続するために、処理容器のガス導入部にポートブロックを設けるとともに、ガス導入配管の先端にリテーナを設け、ポートブロックにリテーナを固定接続することにより、ガス導入配管を処理容器に接続するようにした構成のガス導入配管接続構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。

かかる構成において、ポートブロックは、処理容器内に設けられたインジェクタと連通しており、また、ガスの種類に応じてポートブロックとリテーナとの組み合わせが１対１対応となるような誤接続防止構造が備えられているため、複数のガス導入配管を適切にインジェクタに接続することができる。

特開２０１４−１５２８３３号公報

しかしながら、上述の特許文献１に記載のガス導入配管接続構造では、ポートブロックにリテーナを固定接続する際、リテーナを処理容器に押圧固定するような螺合締結部材を用いて固定するため、ネジ締めの回転時にリテーナも供回りしてしまい、リテーナと処理容器間に設けられたＯ−リングにねじれが発生し、ねじれの回復力が処理容器内部のインジェクタに作用してしまい、長期に亘り熱処理装置を使用している間に、インジェクタに傾きが発生してしまう場合があるという問題があった。処理容器及びインジェクタは石英で構成されているため、インジェクタに傾きが生じると、処理容器との接触又はインジェクタ同士の接触により、パーティクルを発生するおそれがある。

そこで、本発明は、螺合締結部材を用いてリテーナを処理容器に締結固定する際、リテーナの供回りを防止できるガス導入配管接続構造及びこれを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るガス導入配管接続構造は、処理容器内にガスを導入するために、前記処理容器の所定のガス導入部にガス導入配管を接続するガス導入配管接続構造であって、
前記ガス導入部に設けられ、開口を有するガス導入配管被挿入部材と、
前記ガス導入配管の先端に設けられ、前記ガス導入配管の先端を保持するとともに、前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口に挿入可能なリテーナと、
前記ガス導入配管の周囲に設けられ、前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口に挿入されて前記ガス導入配管被挿入部材と螺合締結することにより、前記リテーナを前記ガス導入部に押圧固定可能な締結部材と、を有し、
前記ガス導入配管被挿入部材と前記リテーナとは、互いに係止して前記締結部材との供回りを防ぐ係止構造部を有する。

本発明の他の態様に係る基板処理装置は、前記処理容器と、
前記ガス導入配管接続構造と、を有し、
前記ガス導入部は、前記処理容器の下端部に設けられたボトムフランジ部である。

本発明によれば、ガス導入配管を処理容器の所定箇所に固定接続する際、ガス導入配管を保持するリテーナの供回りを防止することができる。

本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造及びこれを用いた処理装置の一例を示した図である。図１（Ａ）は、第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造と、これを用いた処理装置の一部を示した斜視図である。図１（Ｂ）は、ガス導入配管接続構造１０の拡大図である。 本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造の一例のガス導入配管の接続前の状態を示した図である。 本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造の一例のポートブロックの構成を示した図である。 本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造の一例のポートブロックをボトムフランジから取り外した状態を示した図である。 本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造の一例のガス導入配管の先端にリテーナのみが設けられた状態を示した図である。 本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造の一例のガス導入配管がボトムフランジに接続された状態における断面構成の一例を示した図である。 本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造を用いた熱処理装置の一例を示した図である。 本発明の第２の実施形態に係るガス導入配管接続構造の一例を示した図である。 本発明の第３の実施形態に係るガス導入配管接続構造の一例を示した図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造及びこれを用いた処理装置の一例を示した図である。図１（Ａ）は、第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造と、これを用いた処理装置の一部を示した斜視図である。

図１（Ａ）において、処理容器４と、ボトムフランジ８０と、ガス導入配管接続機構１０と、ガス導入配管１００とが示されている。処理容器４は、種々の形状に構成されてよいが、例えば、図１（Ａ）に示すように、円筒形状に構成されてもよい。また、処理容器４内で行う処理は、ガスを導入して行う処理であれば、種々の処理に適用できるが、例えば、被処理体を加熱する熱処理であってもよい。

ボトムフランジ８０は、ガスを処理容器４内に導入するガス導入部であり、処理容器４の所定箇所に設けられてよい。図１（Ａ）においては、ガス導入部が、円筒形状の処理容器４の下端に設けられたボトムフランジ８０である例が挙げられているが、ガス導入部は、必ずしもフランジ状に構成されなくてもよく、用途に応じて種々の構成をとりうる。例えば、ガス導入部は、処理容器４の一部に直接形成されてもよいし、ガス導入用の専用部品を用いてもよい。また、ガス導入部を設ける位置も、処理容器４の下端である必要は無く、処理内容等を考慮して任意の箇所に設けることができる。

ガス導入配管１００は、ガスの供給源（図示せず）から処理容器４内にガスを導入するために設けられた配管であり、ガスの供給源に一端が接続され、処理容器４に他端が接続される。

ガス導入配管接続構造１０は、ガス導入配管１００と処理容器４とを接続するための機構であり、ガス導入部であるボトムフランジ８０に設けられる。

図１（Ｂ）は、ガス導入配管接続構造１０の拡大図である。図１（Ｂ）に示すように、ガス導入配管接続構造１０は、ボトムフランジ８０と、ポートブロック７０と、ガス導入配管１００と、ナット１０２とを有する。

ポートブロック７０は、ガス導入配管１００が挿入接続されるガス導入配管被挿入部であり、ガス導入部であるボトムフランジ８０に設けられる。つまり、ポートブロック７０は、ガス導入配管１００がボトムフランジ８０に接続される際の中継接続部材として機能する。よって、ポートブロック７０は、ガス導入配管１００が接続可能な接続機構を有する。例えば、ポートブロック７０は、ガス導入配管１００の先端を挿入可能な開口を有して構成され、挿入したガス導入配管１００の先端が固定接続可能なように、嵌合構造や、ねじ等の螺合締結構造を備えてよい。また、ポートブロック７０は、ガス導入配管１００が接続可能であれば、種々の形状に構成されてよいが、図１（Ｂ）に示すように、ブロック状の部材として構成されてもよい。

ガス導入配管１００は、ガス供給源（図示せず）から処理容器４内にガスを導入するための配管である。図１（Ａ）、（Ｂ）には示されていないが、本実施形態に係るガス導入配管接続構造１０では、複数のガス導入配管１００が設けられてもよい。つまり、本実施形態に係るガス導入配管接続構造１０においては、処理容器４内で行う処理が、複数種類のガスを供給しながら行う処理であってもよい。例えば、半導体ウエハの表面にシリコン酸化膜を形成する熱処理の場合、ジクロロシランガス（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）等のシリコン系ガスの他、アンモニア、窒素等のガスを用いる場合がある。このような場合には、ガス導入部であるボトムフランジ８０に、複数のポートブロック７０が設けられ、各々のポートブロック７０から異なる種類のガスを供給する。よって、この場合には、ガス導入配管１００も、用いるガスの種類に応じて複数本設けられ、複数のガス導入配管１００を、各ガス導入配管１００の接続先であるポートブロック７０に対応させて接続することが必要となる。つまり、ジクロロシランガスを供給するポートブロック７０にはジクロロロシランのガス供給源に接続されたガス導入配管１００が接続され、アンモニアを供給するポートブロック７０にはアンモニアのガス供給源に接続されたガス導入配管１００が接続される。

ナット１０２は、ガス導入配管１００の先端付近に設けられ、ガス導入配管１００をポートブロック７０に螺合締結するための締結部材である。具体的には、ナット１０２は、ポートブロック７０との螺合により締結可能な構造を備えていればよい。例えば、ナット１０２の先端の外周面にねじ山が形成され、ポートブロック７０の開口の内周面に形成されたねじ山と螺合することによりガス導入配管１００をポートブロック７０に固定接続する構成を備えていてもよい。

図２は、本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造の一例のガス導入配管の接続前の状態を示した図である。

図２において、ボトムフランジ８０の表面にポートブロック７０が設けられているが、ポートブロック７０は、開口７１と、ボルト７６とを有する。また、ガス導入配管１００の先端部には、リテーナ１０１と、ナット１０２と、Ｏ−リング９０とが設けられている。

ポートブロック７０は、ガス導入配管１００の先端部が挿入可能な開口７１を中央部に有する。また、開口７１の内周面には、ねじ山が形成された雌ねじ形成部７３と、凹凸パターン等の嵌合構造が形成された嵌合部７５とが形成されている。また、ボルト７６は、ポートブロック７０をボトムフランジ８０に固定するための締結固定手段である。

ガス導入配管１００の先端には、ガス導入配管１００をポートブロック７０の開口７１に挿入固定することを可能にするリテーナ１０１及びナット１０２が設けられる。

ここで、リテーナ１０１は、ガス導入配管１００の先端を保持するための保持手段である。リテーナ１０１の外周面には、ポートブロック７０の開口７１の内周面の嵌合部７５と嵌合する嵌合部１０５が形成される。かかる嵌合部１０５を形成することにより、ポートブロック７０の開口７１の内周面とリテーナ１０１の外周面とが嵌合して固定される。

ナット１０２は、先端寄りの外周面に雄ねじ形成部１０３を有し、ポートブロック７０の開口７１の内周面に設けられた雌ねじ形成部７３と螺合可能に構成される。つまり、先端側のリテーナ１０１をポートブロック７０の開口７１に挿入し、ナット１０２を回転させて締め込むことにより、ナット１０２の雄ねじ形成部１０３のねじ山と開口７１に形成された雌ねじ形成部７３のねじ山が螺合して締結し、ガス導入配管１００はポートブロック７０に接続固定される。このように、ナット１０２は、ガス導入配管１００のポートブロック７０への締結機構を構成している。

また、Ｏ−リング９０（図６も参照）は、リテーナ１０１の先端と処理容器４との接続部分をシールするためのシール部材である。かかるＯ−リング９０により、リテーナ１０１は、シール性を保ちつつボトムフランジ８０に固定接続することができる。ナット１０２を回転させれば、上述のナット１０２の雄ねじ形成部１０３のねじ山と開口７１の内周面に形成された雌ねじ形成部７３のねじ山の螺合締結により、リテーナ１０１が前方に押圧され、Ｏ−リング９０を介してボトムフランジ８０に固定される。ナット１０２を回転させると、回転力がリテーナ１０１にも作用し、リテーナ１０１がナット１０２に供回りするおそれがあるが、本実施形態に係るガス導入配管連結構造１０においては、リテーナ１０１の外周面と、ポートブロック７０の開口７１の内周面に、挿入方向に沿って延在し、互いに嵌合する嵌合部１０５、７５が形成されているので、そのような供回りを防ぐことができる。これにより、Ｏ−リング９０のねじれを防止することができる。

図３は、本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管連結構造１０の一例のポートブロック７０の構成を示した図である。図３に示すように、ボトムフランジ８０に取り付けられたポートブロック７０は、開口７１を有するとともに、開口７１の内周面に、雌ねじ形成部７３と、嵌合部７５とを有する。

上述のように、嵌合部７５は、ナット１０２を締結固定する際、ナット１０２の回転にリテーナ１０１が供回りすることを防止するための供回り防止構造であり、リテーナ１０１の外周面にも、嵌合部７５と嵌合する嵌合部１０５が設けられる。図３において、嵌合部７５は、溝と突起が交互に形成された凹凸構造を有するが、ナット１０２との供回りを防止できる係止構造であれば、種々の構造を採用することができる。但し、嵌合部７５、１０５は、回転を係止する構造であり、リテーナ１０１の開口７１への挿入を妨げない構造であることが要求されるので、挿入方向に沿って延びる形状であることが必要である。

なお、リテーナ１０１は、処理容器４の一部であるボトムフランジ８０に先端が押圧固定されるため、開口７１の奥側まで押し込まれる。よって、嵌合部７５は、開口７１の奥側であるボトムフランジ８０側に形成される。

図４は、ポートブロック７０をボトムフランジ８０から取り外した状態を示した図である。図４に示されるように、ポートブロック７０の中央部に開口７１が設けられ、開口７１の内周面の表面側には雌ねじ形成部７３が形成され、奥側には溝７５１と突起７５２が交互に配置された凹凸構造を有する嵌合部７５が設けられている。

図５は、ガス導入配管１００の先端にリテーナ１０１のみが設けられた状態を示した図である。図５に示されるように、リテーナ１０１の外周面には、突起１０５１と溝１０５２が交互に配置された凹凸形状からなる嵌合部１０５が形成され、ポートブロック７０の開口７１に挿入したときに、溝７５１及び突起７５２からなる凹凸形状と嵌合する構造となっている。

図６は、ガス導入配管１００がボトムフランジ８０に接続された状態における断面構成の一例を示した図である。図６に示すように、ガス導入配管１００の先端には、リテーナ１０１が接続され、リテーナ１０１の細い部分の周囲にナット１０２が設けられている。また、リテーナ１０１の先端部は、ほぼナット１０２と同径であり、ナット１０２が先端から抜けるのを防止する。また、ナット１０２の先端部には、雄ねじ形成部１０３が設けられている。

容器フランジ部８は、処理容器４の一部であり、処理容器４のフランジ部を形成している。容器フランジ部８の内側端部には、インジェクタ１２が設けられている。インジェクタ１２は、処理容器４内にガスを供給するためのガスノズルである。容器フランジ部８を上下及び側面から覆うようにボトムフランジ８０が設けられている。今まで説明したように、ボトムフランジ８０には、ポートブロック７０が設けられている。

ポートブロック７０の開口７１の内周面には、ねじ山が形成された雌ねじ形成部７３と、嵌合部７５とが設けられる。ナット１０２の外周面もねじ山が形成された雄ねじ形成部１０３と、嵌合部１０５とを有する。両者の嵌合部７５、１０５同士が嵌合するとともに、両者のねじ山７３、１０３同士が螺合し、ポートブロック７０にガス導入配管１００が接続される。その際、ナット１０２が回転することにより、リテーナ１０１には前進力（押圧力）以外に回転力が加えられるが、嵌合部７５、１０５同士の嵌合により、リテーナ１０１は係止され、ナット１０２と供回りしない。これにより、リテーナ１０１には前進力のみが伝達され、Ｏ−リング９０をねじれさせることなく押圧することができる。

なお、Ｏ−リング９０にねじれが発生すると、ねじれの復元により、インジェクタ１２が傾き、インジェクタ１２が処理容器４に接触したり、インジェクタ１２が複数ある場合にはインジェクタ１２同士が接触したりし、パーティクルが発生するおそれがあるが、本実施形態に係るガス導入配管接続構造１０によれば、Ｏ−リング９０のねじれを防止することができるので、そのようなパーティクルの発生を防止することができる。

また、インジェクタ１２は、処理容器４の容器フランジ８を貫通し、処理容器４の内部から外部に端部が突出し、突出した端部がリテーナ１０１の先端の開口に挿入される構成となっている。つまり、リテーナ１０１の先端は、インジェクタ１２の端部を覆うとともに、その先端がＯ−リング９０でシールされて容器フランジ８とインジェクタ１２の外周面に押圧されているので、高いシール性を保ちつつガス導入配管１００を処理容器４に固定接続することができる。つまり、Ｏ−リング９０は、リテーナ１０１の先端の内側寄りの箇所と、容器フランジ８と、インジェクタ１２の外周面との３つに接触し、１つのＯ−リング９０で３者を同時にシールするように設けられている。なお、図６に示すように、リテーナ１０１の先端の内側を面取り加工することにより、Ｏ−リング９０を保持し易い形状とすることができる。

なお、図２乃至図６において、嵌合部７５、１０５を、溝７５１、１０５２及び突起７５２、１０５１が全周面に亘り交互に形成されている例を挙げて説明したが、嵌合部７５、１０５は、１つだけ設ける構成としてもよいし、周方向に所定間隔を空けて４個程度形成する構成としてもよい。

図７は、本発明の第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造を用いた熱処理装置の一例を示した図である。なお、図７において、今まで説明した構成要素と同様の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を簡略化又は省略する。

図７において、熱処理装置は、処理対象である半導体ウエハＷを収容する処理容器４を有している。ここでは、この処理容器４は、耐熱性の大きな石英により円筒体状に成形された天井に排気口を有する容器本体６により形成されており、垂直方向に起立されて縦型の処理容器４として構成されている。処理容器本体６の直径は、例えば処理されるウエハＷの直径が３００ｍｍの場合には、３５０〜４５０ｍｍ程度の範囲に設定されている。

この石英製の容器本体６の下端部は開口を有し、ウエハＷを搬入、搬出できるようになっている。容器本体６の下端部の側壁は、肉厚に形成されると共に半径方向外方に向けて僅かに延びてリング状の容器フランジ部８が形成されている。そして、容器本体６の端部である容器フランジ部８に、処理容器４内へ必要なガスを導入する、ガス導入側のガス導入配管接続構造１０が設けられている。

ガス導入配管接続構造１０は、今まで説明した本実施形態に係るガス導入配管接続構造が用いられる。そして、このガス導入配管接続構造１０に、石英製のインジェクタ１２を貫通させるようにして設けられており、外部からガスを導入するようになっている。なお、ガス導入配管接続構造１０及びインジェクタ１２は、図７においては１つしか示されていないが、処理容器４内に導入するガスの種類に応じて、複数のガス導入配管接続構造１０及びインジェクタ１２が設けられる。例えば、ガス導入配管接続構造１０及びインジェクタ１２は、５〜６個程度設けられてもよい。

また、インジェクタ１２へガスを供給するためにガス供給系１４が設けられる。このガス供給系１４はインジェクタ１２へ連通される金属、例えばステンレススチール製のガス導入配管１００を有しており、このガス導入配管１００の途中には、マスフローコントローラのような流量制御器１８及び開閉弁２０が順次介設されて、処理ガスを流量制御しつつ供給できるようになっている。他の必要な処理ガスも同様に構成されたガス導入配管接続構造１０を介して供給される。

容器本体６の容器フランジ部８の周辺部は、例えばステンレススチールにより形成されたベースプレート２２により支持されており、このベースプレート２２により容器本体６の荷重を支えるようになっている。このベースプレート２２の下方は、図示しないウエハ移載機構を有するウエハ移載室２４となっており、略大気圧の窒素ガス雰囲気になっている。またベースプレート２２の上方は通常のクリーンルームの清浄な空気の雰囲気となっている。容器本体６内には、複数枚のウエハＷを多段に所定のピッチで保持する保持手段として石英製のウエハボート２６が収容されている。

このウエハボート２６は、石英製の保温筒２８を介してテーブル３０上に載置されており、このテーブル３０は、容器本体６の下端開口部を開閉する蓋部３２を貫通する回転軸３４の上端部に支持される。そして、この回転軸３４の貫通部には、例えば磁性流体シール３６が介設され、この回転軸３４を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部３２の周辺部と上記容器本体６の下端部には、例えばＯ−リング等よりなるシール部材３８が介設されており、処理容器４内のシール性を保持している。

回転軸３４は、例えばボートエレベータ等の昇降機構４０に支持されたアーム４２の先端に取り付けられており、ウエハボート２６及び蓋部３２等を一体的に昇降できるようになされている。なお、テーブル３０を上記蓋部３２側へ固定して設け、ウエハボート２６を回転させることなくウエハＷの処理を行うようにしてもよい。

また、容器本体６の端部である天井部には、開口された排気口４４が設けられると共に、この排気口４４にガス排出側のガスポート構造４６が設けられる。そして、このガスポート構造４６に、処理容器４内の雰囲気を排気する真空排気系４８が接続されている。具体的には、真空排気系４８は、ガスポート構造４６に連結される例えばステンレススチールよりなる金属製のガス排気管５０を有している。そして、このガス排気管５０の途中には、開閉弁５２、バタフライバルブのような圧力調整弁５４及び真空ポンプ５６が順次介設されており、処理容器４内の雰囲気を圧力調整しつつ真空引きできるようになっている。

処理容器４の側部には、これを取り囲むようにして加熱手段５８が設けられており、この内側に位置する半導体ウエハＷを加熱し得るようになっている。またこの加熱手段５８の外周には、断熱材６０が設けられており、この熱的安定性を確保するようになっている。

ガス排出側のガスポート構造４６は、排気口４４から延びて例えば直角に横方向へＬ字状に屈曲された石英管製のガス排気ポート６２を有している。このガス排気ポート６２の内径は、ガス排気管５０の内径と同じに設定されている。

このように、円筒形状の処理容器４、処理容器４内に半導体ウエハＷを搬入して保持するウエハボート２６、加熱を行う加熱手段５８、真空排気を行う真空排気系４８等を備えた熱処理装置に、係止構造部を有するガス導入配管接続構造１０を適用することにより、ガス導入配管１００を接続する際のリテーナ１０１のナット１０２との供回りを防止することができる。よって、Ｏ−リング９０のねじれ、これに起因するインジェクタ１２の傾きを確実に防止することができ、熱処理装置の安全性、信頼性を向上させることができる。

なお、図７においては、本実施形態に係るガス導入配管接続機構１０を熱処理装置に適用した例を挙げて説明したが、ガス導入配管の処理容器への接続が必要な処理容器全般に好適に適用することができる。

図８は、本発明の第２の実施形態に係るガス導入配管接続機構１０ａの一例を示した図である。第２の実施形態に係るガス導入配管接続構造１０ａにおいては、ポートブロック７０ａの開口７１ａの奥側の内周面の嵌合部７５ａの形状が、Ｄ字の形状となっている。また、リテーナ１０１ａの外周面の嵌合部１０５ａの形状も、Ｄ字の形状となっており、互いに嵌合する嵌合構造となっている。

このように、回転方向の接線と交わる係合面を有し、回転を係止できる係止構造を有すれば、簡素な構造を採用してもよい。なお、他の構成要素については、第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造及び基板処理装置と同様であるので、その説明を省略する。

図９は、本発明の第３の実施形態に係るガス導入配管接続機構１０ｂの一例を示した図である。第３の実施形態に係るガス導入配管接続構造１０ｂにおいては、ポートブロック７０ｂの開口７１ｂの奥側の内周面の嵌合部７５ｂの形状が、４個のＶ字の窪み形状となっている。また、リテーナ１０１ｂの外周面の嵌合部１０５ｂの形状は、三角形の突起形状となっており、互いに嵌合する嵌合構造となっている。

このように、嵌合構造、係止構造又は係合構造を構成する嵌合部７５ｂ、１０５ｂは、挿入方向に延在し、回転を係止できる限り、形状、設ける個数の双方において、用途に応じて適宜設定することができる。なお、他の構成要素については、第１の実施形態に係るガス導入配管接続構造及び基板処理装置と同様であるので、その説明を省略する。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

４ 処理容器
１０ ガス導入配管接続構造
２６ ウエハボート
５８ 加熱手段
７０、７０ａ、７０ｂ ポートブロック
７１、７１ａ、７１ｂ 開口
７３ 雌ねじ形成部
７５、７５ａ、７５ｂ、１０５、１０５ａ、１０５ｂ 嵌合部
８０ ボトムフランジ
９０ Ｏ−リング
１００ ガス導入配管
１０１ リテーナ
１０２ ナット
１０３ 雄ねじ形成部

Claims (9)

1. 処理容器内にガスを導入するために、前記処理容器の所定のガス導入部にガス導入配管を接続するガス導入配管接続構造であって、
   前記ガス導入部に設けられ、開口を有するガス導入配管被挿入部材と、
   前記ガス導入配管の先端に設けられ、前記ガス導入配管の先端を保持するとともに、前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口に挿入可能なリテーナと、
   前記ガス導入配管の周囲に設けられ、前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口に挿入されて前記ガス導入配管被挿入部材と螺合締結することにより、前記リテーナを前記ガス導入部に押圧固定可能な締結部材と、を有し、
   前記ガス導入配管被挿入部材と前記リテーナとは、互いに係止して前記締結部材との供回りを防ぐ係止構造部を有するガス導入配管接続構造。
2. 前記係止構造部は、前記リテーナの外周面と前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口の内周面とが前記締結部材の回転の接線方向と異なる角度で係合する係合面を有する構造である請求項１に記載のガス導入配管接続構造。
3. 前記係止構造部は、前記リテーナの外周面及び前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口の内周面のいずれか一方に溝、他方に突起が形成された嵌合部を有する構造である請求項１又は２に記載のガス導入配管接続構造。
4. 前記係合面及び／又は前記嵌合部は、前記リテーナ及び前記ガス導入配管被挿入部材の前記開口の周面に沿って間隔を有して複数形成された請求項２又は３に記載のガス導入配管接続構造。
5. 前記リテーナの先端と前記処理容器との間にはＯ−リングが設けられ、前記リテーナは該Ｏ−リングを介して前記ガ処理容器に押圧固定される請求項１乃至４のいずれか一項に記載のガス導入配管接続構造。
6. 前記ガス導入部には、前記処理容器を貫通し、前記処理容器の内部から外部に端部が突出した処理容器内ガス供給用のインジェクタが設けられ、
   前記リテーナは、該インジェクタの該端部を挿入可能に構成され、
   前記Ｏ−リングは、該インジェクタの該端部の外周面に接触して設けられ、前記リテーナの先端、前記処理容器及び該インジェクタの該外周面の３箇所をシールする請求項５に記載のガス導入配管接続構造。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の処理容器と、
   請求項１乃至６のいずれか一項に記載のガス導入配管接続構造と、を有し、
   前記ガス導入部は、前記処理容器の下端部に設けられたボトムフランジ部である基板処理装置。
8. 前記処理容器は、縦長の形状を有する縦型熱処理容器であり、
   前記インジェクタは、前記処理容器の内周面に沿って鉛直に延びて設けられた請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記インジェクタは複数設けられ、
   前記ガス導入配管接続構造は、複数の前記インジェクタに対応して複数設けられた請求項８に記載の基板処理装置。

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