TW201518540A - 具有冷卻真空圍阻體的熱壁反應器 - Google Patents

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Abstract

於此提供用於處理基板的方法及設備。在一些實施例中，用於處理基板的設備包含一室主體，該室主體封閉一處理體積，該室主體包括一室地板、與該室地板耦合的一室壁、及與該室壁可移除地耦合的一室蓋，其中該室地板、該室壁及該室蓋之至少一者包括用於一熱控制媒體之一流動的通路；一加熱板，該加熱板與該室地板相鄰且間隔開來設置；一套管，該套管與該室壁相鄰且間隔開來設置，該套管藉由該加熱板而受支持；及一第一封性元件，該第一封性元件在該室壁及該室蓋間的一第一介面處設置。

Description

具有冷卻真空圍阻體的熱壁反應器
本發明之實施例一般相關於基板處理儀器。
基板處理系統，例如電漿反應器，可用於在處理室內受支持的基板上沉積、蝕刻、或形成層。一些處理系統可包含提供真空邊界及熱內壁的室。真空邊界通常包含在室之組件部件間的封性元件，以利於形成真空緊密的密封。發明人觀察來自熱壁的熱可負面地衝擊使用的密封之效能。
因此，發明人於此提供基板處理室及室組件的實施例，該等室組件可提供密封改進之效能或其他如下述之益處。
於此提供用於處理基板的方法及設備。在一些實施例中，用於處理基板的設備包含一室主體，該室主體封閉一處理體積，該室主體包括一室地板、與該室地板耦合的一室壁、及與該室壁可移除地耦合的一室蓋，其中該室地板、該室壁及該室蓋之至少一者包括用於一熱控制媒體之一流動的通路；一加熱板，該加熱板與該室地板相鄰且間隔開來設置； 一套管，該套管與該室壁相鄰且間隔開來設置，該套管藉由該加熱板而受支持；及一第一封性元件，該第一封性元件在該室壁及該室蓋間的一第一介面處設置。
在一些實施例中，提供一套管。在一些實施例中，該套管包含一室襯墊，該室襯墊包括一下管道，該下管道藉由一內壁、一外壁、一上壁、及一下壁來界定邊界；及一泵送環，該泵送環包括藉由一網狀物而結合的一上凸緣及一下凸緣，該網狀物包括複數個開口；其中該上凸緣藉由該上壁而受支持，且該下凸緣藉由該內壁的一上端而受支持，使得該泵送環、該外壁、及該上壁形成一上管道的邊界。
以下描述本發明之其他及進一步的實施例。
100‧‧‧反應器
102‧‧‧室主體
103‧‧‧處理體積
104‧‧‧室地板
106‧‧‧室壁
107‧‧‧內表面
108‧‧‧室蓋
109‧‧‧蓋加熱器
110‧‧‧頂部邊緣
111‧‧‧加熱元件
112‧‧‧底部表面
114‧‧‧第一介面
116‧‧‧封性元件
118‧‧‧溝槽
120‧‧‧底部邊緣
122‧‧‧頂部表面
124‧‧‧第二介面
126‧‧‧封性元件
128‧‧‧溝槽
129‧‧‧第一空隙
130A‧‧‧第一開口
130B‧‧‧第二開口
132‧‧‧加熱板
133‧‧‧突起物
134‧‧‧套管
134A‧‧‧外壁
134B‧‧‧內壁
134C‧‧‧上壁
134D‧‧‧下壁
135‧‧‧突起物
136‧‧‧第二空隙
138‧‧‧沖洗氣體來源
139‧‧‧沖洗氣體
140‧‧‧基板支持
142‧‧‧基板
144‧‧‧提升機制
146‧‧‧狹縫閥
148‧‧‧氣體入口
150‧‧‧氣體供應
152‧‧‧排氣系統
153‧‧‧導管
154‧‧‧公用饋送
155‧‧‧電引線
156‧‧‧加熱器元件
157‧‧‧泵
158‧‧‧軸件
160A-C‧‧‧封性元件
162‧‧‧環
164‧‧‧環
166‧‧‧溝槽
168‧‧‧伸縮管
170A-D‧‧‧通路
172‧‧‧來源
174‧‧‧熱媒體
176‧‧‧泵
202‧‧‧室襯墊
204‧‧‧下管道
206‧‧‧內壁
208‧‧‧外壁
210‧‧‧上壁
210A‧‧‧第一部分
210B‧‧‧第二部分
211‧‧‧下壁
212‧‧‧下端
213‧‧‧開口
214‧‧‧下端
216‧‧‧上端
218‧‧‧上端
220‧‧‧泵送環
222‧‧‧上凸緣
224‧‧‧下凸緣
226‧‧‧上管道
228‧‧‧網狀物
230‧‧‧開口
302‧‧‧開口
304‧‧‧中斷
本發明之實施例，簡短總結於上及討論大量細節於下，可藉由參考描述於所附圖式中的本發明的圖示實施例而理解。然而應注意，所附圖式僅圖示本發明之典型實施例，因而不考量限制其範圍，本發明可允許其他相等功效的實施例。
第1圖描述根據本發明之實施例的基板處理設備之側面示意視圖。
第2圖描述根據本發明之實施例的反應器的一部分之簡化橫截面視圖。
第3圖描述第2圖之反應器的一部分之部分橫截面示意視圖。
為了利於理解，在可能之處使用相同元件符號，以 標示對圖式常見的相同元件。圖式並非按比例繪製且可簡化以闡明。思量一個實施例之元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步的敘述。
於此揭露用於處理基板的方法及設備。發明的設備藉由提供用於處理氣體及副產物的可移除式流體路徑，可有利地加強用於處理基板的熱壁反應器之效能。發明的設備也可加強在熱壁反應器中的封性元件的效能。
第1圖描述根據本發明之一些實施例的熱壁反應器，反應器100(例如，基板處理室)，的側面示意視圖。反應器100可為任何適於實施一個或更多個基板處理的反應器，舉例但不限於沈積處理，例如化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、諸如此類。反應器可為獨立操作的反應器或群集工具的一部分，例如下列其中一者：CENTURA®、PRODUCER®、或加州Santa Clara的Applied Materials公司所供應的ENDURA®群集工具。
在一些實施例中，反應器100可一般地包含室主體102，包括室地板104、室壁106及室蓋108而封閉處理體積103。室主體102的組件，包含室地板104、室壁106、及室蓋108，可由任何處理可相容的材料形成，例如鋁或不鏽鋼。
室蓋108與室壁106可移除地耦合，室壁106的頂部邊緣110及室蓋108的底部表面112形成第一介面114。使用任何耦合元件或經配置以拖引室蓋108往室壁106以形成第一介面114的元件(未展示)，室蓋108可與室壁106耦合。 另外，室蓋108可藉由重力及在反應器100操作期間由處理體積103內的真空環境所產生的力而靜置於室壁106上。可在形成於第一介面114處的凹部或溝槽118中設置封性元件116。溝槽118可在頂部邊緣110中形成、在底部表面112中形成、或部分在頂部邊緣110中形成且部分在底部表面112中形成。
在一些實施例中，具有一個或更多個加熱元件111的蓋加熱器109可耦合或設置相鄰於室蓋108的面對處理室部分，以加熱室蓋108的面對處理室部分。
如第1圖中所圖示，室壁106與室地板104相鄰，且藉由室地板104而受支持。室地板104及室壁106可形成為一個部件或形成為分開的部件，如所展示。在室地板104及室壁106為分開的部件之實施例中，室壁106的底部邊緣120靜置於室地板104之頂部表面122上，形成第二介面124。可在形成於第二介面124處的凹部或溝槽128中設置封性元件126。溝槽128可在底部邊緣120中形成、在頂部表面122中形成、或部分在底部邊緣120中形成且部分在頂部表面122中形成。使用傳統固定器，如舉例：螺釘或螺栓、或結合技術，如舉例：硬焊或焊接，室壁106可與室地板104結合。
加熱板132可設置於處理體積103內相鄰於室地板104之頂部表面122。一個或更多個突起物133維持介於頂部表面122及加熱板132間的第一空隙129。突起物133可形成於或設置於加熱板132的底面上、或可用任何合適形態形成於或設置於頂部表面122上、或可為放置於加熱板132及頂 部表面122間的分開部件。加熱板132可包含延伸穿過室地板104的公用饋送(饋送154)。饋送154可包含電引線155以提供電力至加熱板132中的加熱器元件156。
用於室的襯墊，例如套管134，包括外壁134A及內壁134B、上壁134C及下壁134D。套管可設置而相鄰於室壁106，且可藉由一個或更多個突起物135而維持與室壁106間隔開來且一般地位於室壁106內的中央。套管134可由任何處理可相容的材料形成，包含於非限定範例中：鋁、不鏽鋼、或陶瓷。在一些實施例中，套管134的一個或更多個表面可被覆以防蝕性包覆，例如鎳鍍。突起物135可形成於套管134的外壁134A上，或以任意合適形態形成於室壁106之內表面上。該等突起物也可為放置於套管134及室壁106間的分開部件，以利於維持分隔開來(一般地位於中央)的關係。套管134可藉由加熱板132而受支持。
室壁106可具有一個或更多個第一開口(展示一個開口130A)以允許基板142被提供給處理體積103及由處理體積103移除。套管134可包括相似數量的相似地配置之第二開口(展示一個第二開口130B)，該等第二開口與一個或更多個第一開口130A對齊，以利於基板進入及移出處理體積130的輸送。可提供基板輸送機制(未展示)，例如機械手臂，以傳送基板穿過第一及第二開口130A及130B進入及移出基板支持140。第一開口130A可選擇地經由狹縫閥146而密封，或經由其他用於選擇地提供穿過第一及第二開口130A及130B存取反應器100的處理體積103之機制。
在一些實施例中，套管134及加熱板132整體地形成。在其他實施例中，套管134及加熱板132分開地形成，如第1圖所圖示。在一些實施例中，外壁134A及室壁之內表面為平行的或實質平行的且分隔開來，使得第二空隙136在外壁134A及室壁106間形成。在一些實施例中，外壁134A及室壁106之內表面107係個別由室地板104及加熱板132以向上方向徑向地延伸，使得內表面107及外壁134A以一介於由垂直約1度及2度間之角度(例如，1.5度)向外漸縮且維持平行性。提供外壁134A及內表面107向上及向外的漸縮有利地重大地減輕組件的組裝(例如，插入及移除套管134)。
第一空隙129與第二空隙136流體溝通。在一些實施例中，提供沖洗氣體來源138以供應沖洗氣體139至第一空隙及第二空隙。在一些實施例中，提供沖洗氣體139至第一空隙129並引發由第一空隙129流動至第二空隙136。可合適地提供沖洗氣體139，以在處理期間相較於處理體積103維持在第一空隙129及第二空隙136中的正向壓力。沖洗氣體139可有利地防止處理氣體及處理副產物免於在套管134及室壁106間及在加熱板132及室地板104間流動。
可提供基板支持140以支持處理體積103內用於處理的基板142。在一些實施例中，基板支持140可包含一個或更多個加熱元件141以提供熱能量至基板142。基板支持140可藉由軸件158而受支持。提升機制144可與軸件158耦合以提供下方位置(如所展示)及可選的上方位置間的垂直位移至基板支持140，該下方位置適於經由第一及第二開口130A 及130B傳輸基板進入及移出室，該上方位置適於基板142的處理。提升機制144，或分開的機制，也可藉由提供經由軸件158的旋轉位移至基板支持140，以控制基板142之旋轉位移。
反應器100也可包含一個或更多個氣體入口148流體地與氣體供應150耦合，氣體供應150用於提供一個或更多個處理氣體至處理體積103。氣體入口148可穿過室蓋108進入室主體102，如第1圖所展示。例如，在一些實施例中，氣體入口148可排列如室蓋108內設置的噴淋頭。可經由室主體102之室壁106提供可選的或額外的氣體入口。
可提供排氣系統152以由處理體積103排放處理氣體及處理副產物。排氣系統152可包含與處理體積103之一端耦合之導管153。導管153之另一端與真空泵(例如，泵157)流體地耦合，以由處理體積103排放處理氣體及處理副產物。
在一些實施例中，套管134可進一步包含與排氣系統152流體地耦合的通路。例如，在第2圖之非限定實施例中，套管134包括室襯墊202及泵送環220。室襯墊包括內壁206、外壁208及上壁210及下壁211。內壁206之下端212及外壁208之下端214藉由下壁211而結合，且下壁211在加熱板132上受支持。外壁208由下端214垂直地向上延伸，一般地與室壁106之內表面平行，且終止於上端216處。在一些實施例中，外壁208係向上及向外地發散，外壁208傾向一由垂直約1度及2度間之角度(例如，1.5度)。
內壁206由下端212垂直地延伸至上端218。上壁210在下端214及上端216間的一點處連接內壁206之上端 218及外壁208。在第二開口130B的區域中，上壁210分岔以形成在第二開口130B下方的第一部分210A及在第二開口130B上方的第二部分210B。下壁211、內壁206、外壁208之一部分、及上壁210(或第一部分210A)形成下管道204的邊界。在第二開口130B的區域中，第一部分210A連結內壁206之上端218及外壁208。下管道204繞著室襯墊202之周長延伸。下管道204可為繞著周長之連續路徑或可繞著周長部分地延伸。開口213在下壁211中形成以與下管道204對齊，且流體地經由導管153耦合下管道204及排氣系統152。
一般C形(橫截面)泵送環220在室襯墊202上受支持，而上凸緣222緊靠外壁208之上端216且下凸緣224受上壁210支持，例如在上壁210之上表面及上壁之第二部分210B上。如第2圖所圖示，泵送環220、外壁208、及上壁210形成上管道226的邊界。如果在套管134中提供第二開口130B，上管道之邊界包括第二部分210B、泵送環220、及外壁208。
室襯墊202及泵送環220可由任何處理可相容的材料形成，包含於非限定範例中：鋁、不鏽鋼、或陶瓷。
泵送環220之網狀物228結合上凸緣222及下凸緣224。泵送環220可包含穿過網狀物228的複數個通路或開口230，提供處理體積103及上管道226間的流體溝通。開口230可繞著泵送環的周長均勻地間隔。在一些實施例中，調整開口230之大小，使得所有的開口230的全部橫截面面積小於上管道226之橫截面面積的50%。
第3圖示意地以橫截面描述反應器100之一部分。在繞著室襯墊202之周長的一個或更多個位置處，上管道226與下管道204流體地耦合。例如，如第3圖中所圖示，開口302在上壁210中形成且與下凸緣224之中斷304對齊，使得上管道226與下管道204流體地耦合。
由處理體積103穿過開口230至上管道226，至下管道204，而至排氣系統152，可建立一流動路徑。發明人觀察出在泵送環220中之開口230的多種大小及分佈樣式可有利地影響處理氣體、處理副產物、諸如此類由處理體積103之排放。例如，在一些實施例中，第一直徑之開口230的第一數量提供對處理體積103內的某些處理有利的流動路徑特性。在一些實施例中，第二(相異)直徑之開口230的較少之第二數量可提供有利的流動路徑特性。孔洞一般地可如圖示般共平面，或可排列成繞著周長之任何樣式。發明人觀察出將所有開口230之全部橫截面維持至小於上管道226之橫截面面積的50%，可有利於形成繞著泵送環220之周長的一致的流動特性。
在一些實施例中，例如，如第1圖中所展示，套管134與加熱板132分開且可由室主體102移除，以易於清理、修理、及/或取代。相似地，在其他實施例中如第2圖中所圖示，室襯墊202及泵送環220與加熱板132分開且可由室主體102移除。在各個實施例中，套管134或室襯墊202及泵送環220為可移除的，而無須移除基板支持140或加熱板132。發明人注意到如此移除之容易可減少反應器100由於維 護或修理而無法生產的時間。
回到第1圖，室主體102提供用於處理體積103之真空邊界。封性元件116及126可有利於個別形成介於室蓋108與室壁106間、及室壁106與室地板104間之針對氣體入滲的密封抗性。封性元件116及封性元件126可減少或防止非預期的氣體通路個別地跨過或穿過第一介面114及第二介面124。封性元件116、126僅因容易圖示而被圖示為具有圓形橫截面。可使用任何合適的橫截面形狀之封性元件，例如方形、卵形、諸如此類。封性元件116、126可由任何合適彈性材料形成，例如，氟化碳氫化合物如含氟彈性體(例如，Viton®)或全含氟彈性體(例如，Kalrez®或Chemraz®)。
封性元件116、126可個別地至少部分設置於第一介面114及第二介面124處形成的溝槽118、128內。例如，溝槽118可在頂部邊緣110中形成、在底部表面112中形成、或部分在頂部邊緣110中形成且部分在底部表面112中形成。可形成溝槽118，使得在頂部邊緣110及底部表面112被拖引在一起以形成第一介面114時壓縮封性元件116。可針對封性元件126提供溝槽128相似的配置。
可於室主體102之真空邊界的缺口處以相似配置提供額外的封性元件。例如，如第1圖中所圖示，可於饋送154引起之缺口處提供封性元件160A及160B。可繞著饋送154提供封性環，例如，環162。環162之內部分可與饋送154耦合，而封性元件160B被設置在溝槽165中，溝槽165在環162之內部分及饋送154間的介面處形成。相似地，環162 之外部分可與室地板104耦合，而封性元件160A被設置在溝槽166中。環162可使用任何合適的耦合機制與室地板104及饋送154耦合，例如螺紋緊固件如螺釘或螺栓。
在相似的方式中，環164可有利於形成軸件158及室地板104間的真空密封。如上述，可於環164及室地板104之介面處形成的溝槽中設置封性元件116C，且環164與室地板104耦合。可於第一端處以真空緊密的方式結合伸縮管168與環164。可相似地結合伸縮管168之第二端與反應器100之元件，例如軸件158，以形成真空邊界的一部分。
適應於熱媒體之流動的一個或更多個通路，例如通路170A至170F，可在室主體102之組件中形成，例如，室地板104、室壁106、及/或室蓋108。在一些實施例中，可將通路170A至170F設置接近於室主體之組建中形成的溝槽，例如，溝槽118及溝槽128，且流體地與熱媒體來源耦合，如來源172。來源172可包含循環器或泵176，以造成熱媒體174流經通路170A至170F。熱媒體174之流動可有利於室主體102的部分之熱控制。例如，熱媒體174流經通路170A及170D可個別地提供或有利於室壁106之下部分及上部分的熱控制。可在室地板104或室蓋108中提供相似的熱控制。在一些實施例中，可在環中(例如在環162中的通路170F)提供一個或更多個冷卻通路，以提供相似的益處。
在室主體102之組件中(例如，室地板104及室壁106)流動熱媒體可減低相鄰組件間的介面處之組件溫度，例如，第一介面114及第二介面124。依序地，曝露封性元件於可導 致增強封性元件116及封性元件126效能之介面的較低溫度下。發明人注意到關聯於上述討論之反應器配置的眾多益處。例如，發明人注意到封性元件的氣體滲透率隨著封性元件之溫度增加。發明人也注意到封性元件之物理退化率隨著溫度增加。藉由放置封性元件116、126於室組件之介面處伴隨著減低之處理溫度，例如，藉由提供加熱之室組件及室壁間之一空隙，及/或藉由如上述討論之流動熱媒體，發明人注意到減低的氣體滲透性及減低的封性元件退化率，因而有利地增加封性元件116、126之使用壽命。
可提供相似的熱控制用於上述討論之額外的封性元件，例如，封性元件160A及封性元件160B。如第1圖中所圖示，可在接近用於饋送154之缺口或用於軸件158之缺口的室地板104中設置通路170B及通路170C。熱媒體174流經通路170B及170C可提供或有利於室地板104之熱控制，室地板104於饋送154及封性元件160C及軸件158處接近封性元件160A及封性元件160B。
可用多種方式組合上述實施例之元件，以有利地提供不同元件提供的益處的組合。例如，在一些實施例中，可提供用於處理基板之設備，該設備包含：一室主體，該室主體封閉一處理體積，該室主體包括一室地板、與該室地板耦合的一室壁、及與該室壁可移除地耦合的一室蓋，其中該室地板、該室壁及該室蓋之至少一者包括用於一熱控制媒體之一流動的通路；一加熱板，該加熱板與該室地板相鄰且間隔開來設置；一套管，該套管與該室壁相鄰且間隔開來設置， 該套管藉由該加熱板而受支持；及一第一封性元件，該第一封性元件在該室壁及該室蓋間的一第一介面處設置。
在一些實施例中，可修改上述範例之設備，其中該加熱板藉由一第一空隙與該室地板間隔開來，其中該室襯墊藉由一第二空隙與該室壁間隔開來，且其中該第一空隙與該第二空隙流體溝通。
在一些實施例中，上述範例之設備可進一步包括一沖洗氣體通口，該沖洗氣體通口設置於該室主體中以提供一沖洗氣體至該第一空隙及該第二空隙之至少一者。
在一些實施例中，在任何上述範例之設備中，該套管可包括：一室襯墊，該室襯墊包括一下管道，該下管道藉由一內壁、一外壁、一上壁、及一下壁來界定邊界；及一泵送環，該泵送環包括藉由一網狀物而結合的一上凸緣及一下凸緣；其中該上凸緣藉由該上壁而受支持，且該下凸緣藉由該內壁的一上端而受支持，使得該泵送環、該外壁、及該上壁形成一上管道的邊界。
在一些實施例中，上述範例之設備可進一步包括一排氣系統，該排氣系統與該下管道流體地耦合。可選地或組合地，該網狀物可包含複數個開口，以提供該處理體積及該上管道間的流體溝通。可選地或組合地，該上管道與該下管道可流體地耦合。
在一些實施例中，在任何上述範例之設備中，該套管可由該室主體移除。
在一些實施例中，任何上述範例之設備可進一步包 括一第二封性元件，該第二封性元件在該室壁及該室地板間的一第二介面處設置。
在一些實施例中，在任何上述範例之設備中，可將該加熱板及該套管形成為一個部件。
在一些實施例中，任何上述範例之設備可進一步包括一基板支持，該基板支持設置於該處理體積內，且支持垂直及旋轉位移之至少一者。
在一些實施例中，在上述範例之設備中，該基板支持可包括一加熱器，該加熱器設置於該基板支持中。
在一些實施例中，在任何上述範例之設備中，該室主體可提供該處理體積之一真空邊界。
在一些實施例中，在任何上述範例之設備中，在通路中的熱媒體流動可有利於以下之一的至少一部分的熱控制：室地板、室壁、或室蓋。
在一些實施例中，在任何上述範例之設備中，該室壁的一內側表面可由該室地板以一角度向外漸縮，該角度從垂直由約1度至約2度。
在一些實施例中，在任何上述範例之設備中，該套管的一外側表面可由該加熱板以一角度向外漸縮，該角度介於約1度及2度間。
在一些實施例中，在任何上述範例之設備中，該室壁可包括一第一開口，且該套管可包括相似配置的第二開口，其中該第一開口與該第二開口對齊。
在一些實施例中，用作室襯墊之套管的範例可包 含：一室襯墊，該室襯墊包括一下管道，該下管道藉由一內壁、一外壁、一上壁、及一下壁來界定邊界；及一泵送環，該泵送環包括藉由一網狀物而結合的一上凸緣及一下凸緣，該網狀物包括複數個開口，其中該上凸緣藉由該上壁而受支持，且該下凸緣藉由該內壁的一上端而受支持，使得該泵送環、該外壁、及該上壁形成一上管道的邊界。
在一些實施例中，在上述範例之套管中，該外壁可由該下壁向外漸縮。在一些實施例中，該漸縮可由約1.0度至約2.0度。
在一些實施例中，上述範例之套管可進一步包括在下管道中之一開口，以將該下管道與一排氣系統耦合。可選地或組合地，該網狀物可包含複數個開口，以提供處理室之處理體積及該上管道間的流體溝通。可選地或組合地，該上管道與該下管道可流體地耦合。
前述係本發明之實施例，可設計其他及進一步之本發明實施例，而不遠離其基本範圍。
100‧‧‧反應器
102‧‧‧室主體
103‧‧‧處理體積
104‧‧‧室地板
106‧‧‧室壁
107‧‧‧內表面
108‧‧‧室蓋
109‧‧‧蓋加熱器
110‧‧‧頂部邊緣
111‧‧‧加熱元件
112‧‧‧底部表面
114‧‧‧第一介面
116‧‧‧封性元件
118‧‧‧溝槽
120‧‧‧底部邊緣
122‧‧‧頂部表面
124‧‧‧第二介面
126‧‧‧封性元件
128‧‧‧溝槽
129‧‧‧第一空隙
130A‧‧‧第一開口
130B‧‧‧第二開口
132‧‧‧加熱板
133‧‧‧突起物
134‧‧‧套管
134A‧‧‧外壁
134B‧‧‧內壁
134C‧‧‧上壁
134D‧‧‧下壁
135‧‧‧突起物
136‧‧‧第二空隙
138‧‧‧沖洗氣體來源
139‧‧‧沖洗氣體
140‧‧‧基板支持
142‧‧‧基板
144‧‧‧提升機制
146‧‧‧狹縫閥
148‧‧‧氣體入口
150‧‧‧氣體供應
152‧‧‧排氣系統
153‧‧‧導管
154‧‧‧公用饋送
155‧‧‧電引線
156‧‧‧加熱器元件
157‧‧‧泵
158‧‧‧軸件
160A-C‧‧‧封性元件
162‧‧‧環
164‧‧‧環
166‧‧‧溝槽
168‧‧‧伸縮管
170A-D‧‧‧通路
172‧‧‧來源
174‧‧‧熱媒體
176‧‧‧泵

Claims (20)

  1. 一種用於處理基板的設備，包括：一室主體，該室主體封閉一處理體積，該室主體包括一室地板、與該室地板耦合的一室壁、及與該室壁可移除地耦合的一室蓋，其中該室地板、該室壁及該室蓋之至少一者包括用於一熱控制媒體之一流動的通路；一加熱板，該加熱板與該室地板相鄰且間隔開來設置；一套管，該套管與該室壁相鄰且間隔開來設置，該套管藉由該加熱板而受支持；及一第一封性元件，該第一封性元件在該室壁及該室蓋間的一第一介面處設置。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該加熱板藉由一第一空隙與該室地板間隔開來，其中該套管藉由一第二空隙與該室壁間隔開來，且其中該第一空隙與該第二空隙流體溝通。
  3. 如請求項2所述之設備，進一步包括一沖洗氣體通口，該沖洗氣體通口設置於該室主體中以提供一沖洗氣體至該第一空隙及該第二空隙之至少一者。
  4. 如請求項1至3之任一項所述之設備，其中該套管包括：一室襯墊，該室襯墊包括一下管道，該下管道藉由一內壁、一外壁、一上壁、及一下壁來界定邊界；及一泵送環，該泵送環包括藉由一網狀物而結合的一上凸 緣及一下凸緣；其中該上凸緣藉由該上壁而受支持，且該下凸緣藉由該內壁的一上端而受支持，使得該泵送環、該外壁、及該上壁形成一上管道的邊界。
  5. 如請求項4所述之設備，進一步包括一排氣系統，該排氣系統與該下管道流體地耦合。
  6. 如請求項4所述之設備，其中該網狀物包含複數個開口，以提供該處理體積及該上管道間的流體溝通。
  7. 如請求項4所述之設備，其中該上管道與該下管道流體地耦合。
  8. 如請求項1至3之任一項所述之設備，其中該套管可由該室主體移除。
  9. 如請求項1至3之任一項所述之設備，進一步包括一第二封性元件，該第二封性元件在該室壁及該室地板間的一第二介面處設置。
  10. 如請求項1至3之任一項所述之設備，其中將該加熱板及該套管形成為一個部件。
  11. 如請求項1至3之任一項所述之設備，進一步包括一基板支持，該基板支持設置於該處理體積內，且支持垂直及旋轉位移之至少一者。
  12. 如請求項11所述之設備，其中該基板支持包括一加熱器，該加熱器設置於該基板支持中。
  13. 如請求項1至3之任一項所述之設備，其中該室主體提供該處理體積之一真空邊界。
  14. 如請求項1至3之任一項所述之設備，其中該室壁的一內側表面由該室地板向外漸縮，且其中該套管的一外側表面由該加熱板向外漸縮。
  15. 如請求項14所述之設備，其中該室壁的該內側表面以一角度由該室地板向外漸縮，該角度從垂直由約1度至約2度，且其中該套管的該外側表面以一角度由該加熱板向外漸縮，該角度介於約1度至2度間。
  16. 一種用於處理基板的設備，包括：一室主體，該室主體封閉一處理體積，該室主體包括一室地板、與該室地板耦合的一室壁、及與該室壁可移除地耦合的一室蓋，其中該室地板、該室壁及該室蓋之至少一者包括用於一熱控制媒體之一流動的通路； 一加熱板，該加熱板與該室地板相鄰且藉由一第一空隙與該室地板間隔開來設置；一套管，該套管與該室壁相鄰且藉由一第二空隙與該室壁間隔開來設置，該套管藉由該加熱板而受支持，其中該第一空隙與該第二空隙流體溝通，其中該套管可由該室主體移除，且其中該套管包括：一室襯墊，該室襯墊包括一下管道，該下管道藉由一內壁、一外壁、一上壁、及一下壁來界定邊界；及一泵送環，該泵送環包括藉由一網狀物而結合的一上凸緣及一下凸緣；其中該上凸緣藉由該上壁而受支持，且該下凸緣藉由該內壁的一上端而受支持，使得該泵送環、該外壁、及該上壁形成一上管道的邊界，其中該網狀物包含複數個開口，以提供該處理體積及該上管道間的流體溝通，且其中該上管道與該下管道流體地耦合；及一第一封性元件，該第一封性元件在該室壁及該室蓋間的一第一介面處設置。
  17. 如請求項16所述之設備，其中該室壁的一內側表面以一角度由該室地板向外漸縮，該角度從垂直由約1度至約2度，且其中該套管的一外側表面以一角度由該加熱板向外漸縮，該角度介於約1度至2度間。
  18. 一種在一基板處理室中所使用的套管，包括：一室襯墊，該室襯墊包括一下管道，該下管道藉由一內 壁、一外壁、一上壁、及一下壁來界定邊界；及一泵送環，該泵送環包括藉由一網狀物而結合的一上凸緣及一下凸緣，該網狀物包括複數個開口；其中該上凸緣藉由該上壁而受支持，且該下凸緣藉由該內壁的一上端而受支持，使得該泵送環、該外壁、及該上壁形成一上管道的邊界。
  19. 如請求項18所述之套管，其中該外壁由該下壁向外漸縮。
  20. 如請求項19所述之套管，其中該漸縮由約1.0度至約2.0度。
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