TWI836110B

TWI836110B - 溫度控制總成、及控制氣相反應器之溫度控制總成的溫度之方法

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Publication number: TWI836110B
Application number: TW109122111A
Authority: TW
Inventors: 田星訓; 鄭熙喆; 全然孮
Original assignee: 荷蘭商ＡｓｍＩｐ私人控股有限公司
Priority date: 2019-07-03
Filing date: 2020-06-30
Publication date: 2024-03-21

Abstract

本揭露之例示性實施例提供改善的反應器系統、總成、及用於控制反應器系統內之溫度(諸如，氣體供應單元之溫度)的方法。例示性系統及方法運用排氣單元，以使流體在氣體供應單元的一部分的上方移動，以更佳地控制氣體供應單元之溫度。

Description

溫度控制總成、及控制氣相反應器之溫度控制總成的溫度之方法

本揭露大致上係關於氣相設備、總成、系統、及方法。更具體地，本揭露係關於包括一氣體供應單元之設備、總成、及系統，並關於其之使用方法。

諸如化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、電漿增強化學氣相沉積(plasma-enhanced CVD，PECVD)、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)、及類似者之氣相反應器可用於包括清潔、沉積、及蝕刻基材表面上之材料的各種應用。例如，氣相反應器可用以清潔、沉積、及/或蝕刻基材上的層，以形成半導體裝置、平板顯示裝置、光伏打裝置(photovoltaic devices)、微機電系統(microelectromechanical systems，MEMS)、及類似者。

典型的氣相反應器系統包括反應器，其包括反應室；一或多個前驅物及/或反應物氣源，其流體耦接至反應室；一或多個載體及/或吹掃氣源，其流體耦接至反應室；氣體供應單元，其在反應室內分配氣體；及排氣源，其流體耦接至反應室。

第1圖(a)繪示包括氣體供應單元102之反應器100沿著第1圖(b)中之方向「A」截取的剖面圖。第1圖(b)繪示氣體供應單元102之上視圖。反應器100亦包括射頻(RF)桿104、氣體幕(gas curtain，GC) 106、基材支撐108、排氣管道110、頂蓋112、流量控制環114、流量控制環架座116、加熱器118、氣體入口120、反應空間122、排氣路徑124、氣體流道126、絕緣器128、屏蔽覆蓋單元130、及絕緣器132。

在反應器100的操作期間，氣體係通過氣體入口120至氣體流道126、至氣體供應單元102，而供應至安裝在基材支撐108上的基材(未繪示)。氣體供應單元102可以是噴淋頭裝置，如所繪示者。氣體幕106係安裝在氣體供應單元102上，且氣體流道126係形成在氣體幕106與氣體供應單元102之間。氣體流道126提供空間以將氣體均勻地分散至氣體供應單元102。氣體經由氣體入口120、氣體幕114、及氣體供應單元102而流入反應空間122中，且係經由形成於排氣管道110與流量控制環114之間的間隙而排放至排氣路徑124。取決於排氣埠(未繪示)的位置，氣體可向上及/或向下排放。

氣體幕106及氣體供應單元102一般係以導電材料(諸如金屬)製成，且氣體幕106係直接安裝在氣體供應單元102上。絕緣器128係設置在氣體供應單元102與屏蔽覆蓋單元130之間。另一絕緣器132係設置於氣體入口120與氣體幕106之間。絕緣器128及絕緣器132係以非導電材料(例如陶瓷，諸如三氧化二鋁(Al₂ O₃ ))製成，並防止或減緩射頻功率從氣體供應單元102洩漏至屏蔽覆蓋單元130及氣體入口120。屏蔽覆蓋單元130係放置於反應器100的頂部處，以覆蓋氣體供應單元102及氣體幕106之凹入的頂部部分。在電漿製程期間，可為了工作者的安全而提供屏蔽覆蓋單元130。屏蔽覆蓋單元130可選擇性地附接至反應器100、以及從反應器100拆離。屏蔽覆蓋單元130可包括含金屬的材料。例如，屏蔽覆蓋單元130可包括鋁(Al)。屏蔽覆蓋單元130可防止射頻功率擴散至大氣。

基材支撐108可以是在其中包括加熱元件之加熱塊。由於氣體供應單元102係以金屬形成，氣體幕106係以金屬形成，且氣體幕106直接與氣體供應單元102接觸，來自基材支撐108的熱可輻射至氣體供應單元102及氣體幕106。

如第1圖(b)所繪示，氣體供應單元102可包括一或多個射頻桿104及/或加熱器118。射頻桿104將射頻功率從射頻產生器(未繪示)傳遞至氣體供應單元102。可以是金屬製的氣體供應單元102可作為用於電漿製程的電極。加熱器118供應熱至氣體供應單元102，並可用以將氣體供應單元102加熱至設定溫度。加熱器118可以是桿型加熱器(rod-type heater)或欲插入氣體供應單元102中之匣式加熱器(cartridge heater)。如第1圖(b)所繪示，可為了更均勻傳遞射頻功率至氣體供應單元102及氣體供應單元102的加熱，而提供複數個射頻桿104及加熱器118。例如，在高溫製程(諸如550 °C)下，氣體供應單元102的溫度係由加熱器118加熱至低於源分子(source molecules)(亦即，前驅物)之分解溫度的溫度(例如，約200 °C)。但在處理期間，由於來自加熱塊108的熱輻射至氣體供應單元102，氣體供應單元102的實際溫度常高於設定溫度。氣體供應單元102之設定溫度與實際溫度之間的差值在較高製程溫度下可變得更為明顯。因此，源分子(例如前驅物)可能會在抵達基材之前非期望地分解，導致不完整的製程或非想要的製程結果。較高溫度亦提高燃燒及起火的風險，並在室部件上賦予更多熱收支(thermal budget)，導致部件的壽命較短。

因此，所想要的是改善的設備、總成、系統、及方法。具體地，所想要的是提供改善的溫度控制(特別是針對氣體供應單元)之設備、總成、系統、及方法。

本節提出之任何問題及解決方案討論僅為了提供本揭露背景之目的，而包括在本揭露中，且不應視為承認在完成本發明時已知討論之任何或全部內容。

本揭露之各種實施例係關於反應器系統、其之組件，並關於使用此反應器系統及組件之方法。雖然在下文更詳細地討論本揭露之各種實施例應對先前方法及系統之缺點的方式，大致上，本揭露之例示性實施例提供改善的系統、總成、及方法，以用於控制反應室系統內的溫度(諸如，一氣體供應單元的溫度)。

根據本揭露之至少一實施例，一種總成包括一氣體供應單元；一氣體幕，其安裝在一氣體供應單元上；一絕緣器，其上覆於氣體供應單元；一屏蔽覆蓋，其上覆於絕緣器；及一排氣單元，其流體耦接至氣體幕與屏蔽覆蓋之間的一區域。此總成可更包括一氣體入口，其延伸通過包括氣體幕及屏蔽覆蓋之一堆疊結構的一部分。氣體入口可包括一第一部分及一第二部分，其中第二部分包括非導電材料，且其中第二部分係由氣體幕收納(received)。氣體幕可包括一凹入部分及佈置在凹入部分上的複數個插針。插針可呈現各種配置及形狀，包括柱狀及/或圓柱狀。額外或替代地，插針可包括一中空空間，以提供額外的表面積。插針之各者的高度可使得此高度未延伸超出氣體供應單元之一頂表面。複數個插針之間的一間距在從凹入部分之一中心至凹入部分之一周緣的一方向(例如徑向方向)上實質上可以是恆定的。絕緣器在一橫向方向上可包括複數個通孔。屏蔽覆蓋在一垂直方向上可包括複數個孔、在一橫向方向上可包括複數個孔、或兩者皆是。排氣單元(諸如一變速風扇)可從氣體幕之一凹入部分排放流體。

根據本揭露之至少一其他實施例，揭示一種控制一總成的一溫度之方法，此總成係諸如上述或本文於別處所述之總成。一種例示性方法包括提供一總成、及使流體移動越過一氣體幕之一表面。此總成可包括一氣體供應單元；氣體幕，其安裝在一氣體供應單元上；一絕緣器，其上覆於氣體供應單元；一屏蔽覆蓋，其上覆於絕緣器；及一排氣單元，其連接至屏蔽覆蓋的一部分。排氣單元(諸如一變速風扇)可用以使流體在氣體幕之表面上方移動，例如用以提供對流冷卻(convective cooling)給氣體幕之表面。例示性方法可更包括測量氣體供應單元之一溫度的一步驟、及/或使用一控制器控制供應至排氣單元之功率、及/或供應至此總成內之一或多個加熱器之功率的一步驟。

根據本揭露之額外實施例，一種總成包括一氣體供應單元；一氣體幕，其安裝在一氣體供應單元上，氣體幕包括一凹入部分，凹入部分在其上包括複數個插針；一絕緣器，其包括複數個通過其中的孔，上覆於氣體供應單元；及一屏蔽覆蓋，其包括複數個通過其中的孔，上覆於絕緣器。總成可包括額外組件(諸如，如本文所述之一排氣單元)。

所屬技術領域中具有通常知識者將從已參照隨附圖式之某些實施例的下列詳細描述輕易明白這些及其他實施例；本發明並未受限於任何已揭示的特定實施例。

雖然在下文揭示某些實施例及實例，所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解，本發明延伸超出本發明及其明顯的修改與均等物之具體揭示的實施例及/或用途。因此，意欲使所揭示之本發明的範疇不應受下文所述之具體揭示實施例之限制。

本揭露大致上係關於包括氣體供應單元之設備、總成、及系統，並關於其之使用方法。如下文更詳細提出的，本文所述之例示性系統、總成、設備、及方法可用以更準確地控制例如氣體供應單元、包括氣體供應單元之總成、包括總成之反應器的反應室、及/或總成之各種組件的溫度。總成可利用流體流動更有效率且更準確地控制如本文所述之總成及組件的溫度。

在本揭露中，「氣體(gas)」可包括在室溫及壓力下為氣體之材料、汽化固體、及/或汽化液體，並可取決於上下文由單一氣體或氣體混合物構成。有別於製程氣體的氣體(亦即，引入而未通過氣體供應單元(諸如噴淋頭、其他氣體分配裝置、或類似者)的氣體)可用於例如密封反應空間，並可包括密封氣體(諸如，稀有氣體)。氣體可以是參與反應室內之反應的反應物或前驅物及/或包括周圍氣體(諸如空氣)。

在本揭露中，「管線(line)」可指氣體藉由其流動之導管(諸如管)。管線可包括一或多個閥、支線、或類似者。如本文所述之例示性管線可由不鏽鋼形成。

在本揭露中，變數之任何兩個數目可構成變數之可工作範圍，因為可工作範圍可基於例行工作而判定，且所指示之任何範圍可包括或排除端點。此外，所指示的變數之任何數值(不管此等數值是否以「約」來指示)可指精確值或近似值並包括等效值，且在一些實施例中可指平均值、中值、代表值、多數值等。進一步地，在本揭露中，於一些實施例中，用語「由……構成(constituted by)」、「包括(including/include)」、及「具有(having)」係獨立地指「一般或廣泛地包括(typically or broadly comprising)」、「包括(comprising)」、「基本上由……組成(consisting essentially of)」、或「由……組成(consisting of)」。在本揭露中，於一些實施例中，任何已定義之意義未必排除尋常及慣例意義。

現再次轉向圖式，第2圖、第6圖、第8圖、及第9圖繪示根據本揭露之至少一實施例之總成200及800。第2圖(a)繪示總成200的剖面圖，第2圖(b)繪示總成200的立體圖，且第2圖(c)繪示通過總成200的流體流動。總成200包括氣體供應單元202，其具有安裝於其上的裝置204。在所繪示之實例中，裝置204包括氣體幕206、絕緣器208、屏蔽覆蓋210、排氣單元212、及氣體入口214。如下文所述，除了氣體幕206/806上的插針配置以外，總成200及800可以是相同或相似。除非另有註明，氣體幕206可以氣體幕806取代，且反之亦然。

氣體入口214從流體耦接至氣體入口214的一或多個氣源接收氣體。氣體入口214可使用一或多個管線耦接至氣源，管線可包括各種流量計、質流控制器、閥、及類似者。氣體入口214可包括第一部分908及由氣體幕206收納之第二部分906。第二部分906可包括非導電材料或由非導電材料形成。

氣體供應單元202可以是或包括噴淋頭氣體分配裝置。氣體供應單元202可藉由形成在氣體幕206與氣體供應單元202之間的氣體流道216從氣體入口214接收氣體。氣體供應單元202可包括複數個孔，其在氣體流道216與反應室之間延伸，以將所想要的氣體分配提供給反應室及/或反應室內的基材表面。

氣體幕206係更詳細地繪示在第5圖中，其中第5圖(a)繪示氣體幕206的立體圖，且第5圖(b)及第5圖(c)繪示氣體幕206之部分的放大圖。如所繪示，氣體幕206包括凹入部分502。複數個插針504係佈置(例如，安裝或例如藉由機械加工整體地形成，以形成整體結構)在凹入部分502上。

插針504可使用各種配置佈置在凹入部分502中。插針佈置的類型可改變，以例如增加接觸流動至氣體幕206上之流體(諸如空氣)的表面積。這可改善插針504與流體之間的熱交換效率。根據一實例，插針504係彼此隔開約1毫米(mm)至約10毫米或約2毫米。除非另有註明，其他間距均視為在本揭露之範疇內。例如，插針504可隔開，以便不要擾亂或減緩穿過其之間的流體流動，或者以便保持插針之間的流速恆定。欲保持插針504之間的距離恆定，插針504的寬度在朝向氣體幕206的中心之方向上可較短。例如，如第5圖(b)所示，位於外部部分中之插針504的插針寬度a較位於內部部分中之插針504的插針寬度b長，也就是說，a ＞ b。根據本揭露之實例，插針高度「d」(第5圖(c))並未高於氣體供應單元202的頂表面902，使得屏蔽覆蓋210可緊密覆蓋氣體供應單元202。舉具體實例而言，a可以是10.2毫米，b可以是3.5毫米, c (插針之間的距離)可以是2毫米，且d可以是20毫米。

在第5圖中，氣體幕206之凹入部分502的整個區域均具備插針504。但在另一實施例中，排氣單元212下方的區域802可不具備插針504，如第8圖及第9圖所繪示者。可以藉由移除可能在排氣單元212附近中斷順暢的流體流動之物體(即插針)，使區域802中不包括插針，以促成至排氣單元212之順暢的流體流動。

第7圖繪示例示性插針702、插針704、及插針706，其適於用作插針504之一或多者，其中第7圖(a)繪示成形為矩形稜鏡之插針702，第7圖(b)繪示呈現圓柱形狀的插針704，且第7圖(c)繪示呈現具有中空區段708之矩形稜鏡形式的插針706。中空區段708可增加與對流流體接觸的插針表面積。本揭露預期其他的插針形狀及插針配置。插針群體的所想要的密度及所想要的分佈可根據應用而改變，並可以實驗方式判定。

如第5圖所繪示，氣體幕206亦可包括孔506。孔506可配置以收納氣體入口214的一部分。

氣體幕206可安裝在氣體供應單元202上，例如機械地耦接至氣體供應單元202(例如使用緊固件或藉由焊接)。替代地，氣體幕206可以是氣體供應單元202的一部件(例如，與氣體供應單元202一體化)。

更詳細地繪示於第4圖中之絕緣器208係由非導電材料(諸如一或多個陶瓷，諸如三氧化二鋁(Al₂ O₃ ))形成。如所繪示，絕緣器208可包括複數個通孔402。可在橫向方向上提供通過絕緣器208之複數個通孔402。此外，通孔402可通過絕緣器208以規則間隔隔開。絕緣器208的厚度可以是約10毫米至15毫米。通孔的剖面尺寸(諸如直徑)之範圍可從約1毫米至約12毫米、或約5毫米至約10毫米、或約7毫米。如第4圖及第9圖所繪示，通孔402在橫向方向上連接氣體幕206的凹入部分502與反應器的外部空間，並作為使流體流入氣體幕206之凹入部分502中的路徑。

如最佳繪示於第9圖者，絕緣器208係設置在氣體幕206/806與屏蔽覆蓋210之間。絕緣器208防止或減緩射頻功率從作為電極之氣體供應單元202洩漏至屏蔽覆蓋210及/或氣體入口214。

屏蔽覆蓋210係最佳繪示於第3圖中，其中第3圖(a)繪示屏蔽覆蓋210之立體圖，第3圖(b)繪示上視圖，且第3圖(c)繪示側視圖。屏蔽覆蓋210可選擇性地附接至總成200及從總成200拆離。屏蔽覆蓋210可由導電(例如含金屬)材料形成或包括導電材料。例如，屏蔽覆蓋210可包括鋁(aluminum，Al)。屏蔽覆蓋210係配置以屏蔽射頻功率或者減緩或防止射頻功率擴散至大氣。

如第3圖所繪示，屏蔽覆蓋210包括通過頂表面312之複數個孔302及通過一或多個(例如全部)側表面306之複數個孔304。孔302、孔304可以各種形狀配置以允許流體有效率地穿過屏蔽覆蓋210，同時仍減緩或防止射頻輻射洩漏。如第3圖所繪示者，例如，孔302、孔304可以是網孔形(mesh-shaped)。孔的大小及形狀可配置以不會減低屏蔽覆蓋210的射頻屏蔽效率。例如，孔302、孔304(例如，孔的剖面尺寸)之大小可小於5毫米，更佳的是大小小於3毫米。

屏蔽覆蓋210亦包括排氣埠308，其耦接至排氣單元212，在下文更詳細地描述。屏蔽覆蓋210亦包括開口310，以收納氣體入口214之第二部分906。

排氣單元212可包括任何合適的裝置，以用於使流體移動。舉實例而言，排氣單元212可包括變速風扇。排氣單元212(例如風扇)可具有驅動馬達，其連接至電力源(未圖示)。排氣單元212可耦接至控制器，控制器繼而可耦接至總成200內之一或多個溫度感測器及/或包括總成200之反應器。控制器可用以改變供應至排氣單元212及/或總成200內之加熱器的功率，以從而進一步控制總成200、其部件、及/或反應器的溫度。

總成200亦可包括在屏蔽覆蓋210上方提供之絕緣器218。可以為了安全而提供絕緣器218，以例如保護工作者免於屏蔽覆蓋210的熱表面。

排氣單元212可設置於屏蔽覆蓋210的一側。風扇的一側可連接(例如，使用管道904，其可形成部分的排氣單元212)至屏蔽覆蓋210之排氣埠308，且氣體幕206之凹入部分502中的流體可通過排氣埠308而排放至排氣單元212。排氣單元212在外側空間與氣體幕206之凹入部分502之間產生壓力差，以便改善氣體幕206之凹入部分502中的熱交換、抽吸、及排放流體。流體的排氣速度可藉由控制排氣單元212的轉速來控制。排氣單元212的轉速可判定流入氣體幕206之凹入部分502中之流體的流入速度及量、以及始於此處的排氣速度，使得可更精確地控制氣體供應單元202、總成200、及/或其之其他組件的溫度。

如第2圖至第5圖及第9圖所繪示，氣體幕206、絕緣器208、及屏蔽覆蓋210界定總成200內的流道。也就是說，氣體幕206界定流道之底部側及側壁的一部分，絕緣器208界定流道之側壁的一部分，且屏蔽覆蓋210界定流道的頂部側。

第2圖(c)及第6圖示意地繪示流體進出總成200的流動。如所繪示，流體可同時在垂直方向及橫向方向上供應至氣體幕206上，且流體可通過排氣單元212而排放。

更詳細地，流體可流過屏蔽覆蓋210之孔302及孔304。流體接著可流過絕緣器208之通孔402，而進入氣體幕206之凹入部分502中。也就是說，流體不僅可通過形成在屏蔽覆蓋210之頂表面312上的孔302，而在垂直方向上供應至氣體幕206，且亦可通過形成在屏蔽覆蓋210之側表面306上的孔304及通過絕緣器208的通孔402，而在橫向方向上供應至氣體幕206，以將流體供應至氣體幕206之凹入部分502中，以增加流體與例如插針504之間的熱交換。

下文之表1顯示相較於更傳統的氣體供應單元(諸如氣體供應單元102)，在約550 °C的高溫下對氣體供應單元(諸如氣體供應單元202)之溫度控制。資料顯示在現有系統中(例如總成100)，氣體供應單元的溫度高於設定溫度，但在根據本揭露之系統中，溫度經適當控制，以符合設定/所想要的溫度。

表1對氣體供應單元之溫度控制的比較。

	之前	之後	噴淋頭(SHD)之設定溫度(°C)
製程溫度(°C)	550	550	220
噴淋頭溫度(°C)	225.4	220
噴淋頭加熱器功率(%)	0%	45%至48%

針對表1中之資料，測試係在550 °C的製程溫度下實行，且氣體供應單元(例如噴淋頭)的設定溫度係220 °C。當未使用根據本揭露之總成時，氣體供應單元(例如噴淋頭)之溫度係保持高於設定溫度，儘管未提供電力給插入氣體供應單元內之(例如匣式)加熱器(噴淋頭加熱器)。但在使用根據本揭露之總成時，氣體供應單元之溫度係適當地保持在220 °C的設定溫度，且僅提供約45%百分比的電力給加熱器，其意指有足夠的餘裕控制氣體供應單元的溫度。例如，氣體供應單元的溫度可進一步降低至或低於200 °C。

如上文所提及，總成200可形成部分的反應器。反應器可包括任何合適的氣相反應器。舉實例而言，反應器可配置為化學氣相沉積反應器、原子層沉積反應器、蝕刻反應器、清潔反應器、磊晶反應器(epitaxial reactor)、或類似者。在一些情況下，反應器可包括直接電漿(direct plasma)配置及/或氣相反應器系統可包括耦接至反應器之遠端電漿(remote plasma)單元。

如本文所述之總成、反應器、及其組件包括勝過現有技藝之技術特徵及優點。下文提供一些實例。

氣體供應單元之溫度在高溫(例如，大於400 °C、大於500 °C、或介於約400 °C與600 °C之間、或介於約450 °C與550 °C之間)製程下可在設定溫度保持恆定，且此使得製程穩定。例如，如本文所述之總成在500 °C或更高的製程溫度下，可將氣體供應單元的溫度維持在220 °C或低於200 °C。

相較於一般的氣體供應單元，根據本揭露之總成藉由提供插針至氣體幕的凹入部分，以增加總成與對流流體接觸的表面積，而使溫度控制更有效及有效率。此設計改善氣體幕與流體之間的熱交換效率。

相較於一般總成，根據本揭露之總成可藉由將流體流入孔(fluid influx holes)引入屏蔽覆蓋的頂部側及側壁，而使溫度控制更有效及有效率。此設計增加孔密度及流體的流入率。

根據本揭露之總成可藉由在氣體幕與屏蔽覆蓋之間引入絕緣器，而使溫度控制比一般的總成更有效及有效率。在橫向方向上提供通過絕緣器主體之複數個孔，且氣體幕的內部空間及外部空間係藉由通孔彼此連通。可藉由屏蔽覆蓋之側壁上的孔、以及藉由形成於絕緣器內的通孔，將流體供應至佈置於氣體幕之凹入部分中的插針。

相較於一般總成，根據本揭露之總成可藉由將風扇引入屏蔽覆蓋，而使溫度控制更有效及有效率。風扇排放氣體幕中的流體，並促成氣體幕與對流流體之間的快速熱交換。

上文所述之本揭露之實例實施例並未限制本發明的範疇，因為這些實施例僅為本發明之實施例之實例。任何等效實施例係意欲屬於本發明之範疇內。實際上，除本文所示及所述者以外，在所屬技術領域中具有通常知識者當可從本說明書明白本揭露之各種修改(諸如，所述元件之替代可用組合)。此類修改及實施例亦意欲落在隨附之申請專利範圍的範疇內。

100:反應器 102:氣體供應單元 104:射頻桿 106:氣體幕 108:基材支撐 110:排氣管道 112:頂蓋 114:流量控制環 116:流量控制環架座 118:加熱器 120:氣體入口 122:反應空間 124:排氣路徑 126:氣體流道 128:絕緣器 130:屏蔽覆蓋單元 132:絕緣器 200:總成 202:氣體供應單元 204:裝置 206:氣體幕 208:絕緣器 210:屏蔽覆蓋 212:排氣單元 214:氣體入口 216:氣體流道 218:絕緣器 302:孔 304:孔 306:側表面 308:排氣埠 310:開口 312:頂表面 402:通孔 502:凹入部分 504:插針 506:孔 702:插針 704:插針 706:插針 708:中空區段 800:總成 802:區域 806:氣體幕 902:頂表面 904:管道 906:第二部分 908:第一部分 A:方向 a:插針寬度 b:插針寬度 d:插針高度

當結合下列說明圖式考慮時，可藉由參照實施方式及申請專利範圍，而得到對本揭露之例示性實施例的更完整了解。第1圖繪示先前技術之氣相反應器。第1圖(a)繪示沿著第1圖(b)之方向「A」截取的剖面圖。第1圖(b)繪示氣相反應器之氣體供應單元的上視圖。第2圖繪示根據本揭露之至少一實施例之總成。第3圖繪示根據本揭露之至少一實施例之屏蔽覆蓋。第4圖繪示根據本揭露之至少一實施例之絕緣器。第5圖繪示根據本揭露之至少一實施例之氣體幕及插針佈置。第6圖繪示根據本揭露之至少一實施例之通過總成之流體流動。第7圖繪示根據本揭露之實施例之例示性插針配置。第8圖繪示根據本揭露之實施例之總成的另一視圖。第9圖繪示根據本揭露之至少一實施例之總成的分解圖。

將理解，圖式中之元件係為了簡單及清楚起見而繪示，且不一定按比例繪製。例如，圖式中的一些元件之尺寸可相對於其他元件放大，以幫助提升對本揭露所繪示之實施例的瞭解。

200:總成

202:氣體供應單元

204:裝置

206:氣體幕

208:絕緣器

210:屏蔽覆蓋

212:排氣單元

214:氣體入口

216:氣體流道

218:絕緣器

504:插針

Claims

一種溫度控制總成，包括：一氣體供應單元；一氣體幕，安裝在該氣體供應單元上；一絕緣器，上覆於該氣體供應單元；一屏蔽覆蓋，上覆於該絕緣器；以及一排氣單元，流體耦接至該氣體幕與該屏蔽覆蓋之間的一區域，其中該絕緣器係由一非導電材料形成，並且在一橫向方向上包括複數個通孔。
如請求項1之溫度控制總成，更包括一氣體入口，延伸通過包括該氣體幕及該屏蔽覆蓋之一堆疊結構的一部分。
如請求項2之溫度控制總成，其中該氣體入口包括一第一部分及一第二部分，其中該第二部分包括非導電材料，且其中該第二部分係由該氣體幕收納。
如請求項1之溫度控制總成，其中該氣體幕包括一凹入部分及佈置在該凹入部分上的複數個插針。
如請求項4之溫度控制總成，其中該等插針之至少一者係柱狀。
如請求項4之溫度控制總成，其中該等插針之至少一者包括一中空空間。
如請求項4之溫度控制總成，其中該等插針之各者的一高度並未延伸超出該氣體供應單元之一頂表面。
如請求項4之溫度控制總成，其中該等插針之間的一間距在從該凹入部分之一中心至該凹入部分之一周緣的一方向上實質上係恆定的。
如請求項4之溫度控制總成，其中該氣體幕之接近該排氣單元之一表面不包括插針。
如請求項1之溫度控制總成，其中該屏蔽覆蓋在一垂直方向上包括複數個孔、在一橫向方向上包括複數個孔、或兩者皆是。
如請求項10之溫度控制總成，其中該等孔之至少一者的一剖面尺寸係小於5毫米。
如請求項1之溫度控制總成，其中該排氣單元從該氣體幕之一凹入部分排放一流體。
如請求項12之溫度控制總成，其中該排氣單元包括一變速風扇。
如請求項1之溫度控制總成，其中該氣體供應單元及該氣體幕形成一一體化結構。
如請求項1之溫度控制總成，更包括一熱絕緣器，上覆於該屏蔽覆蓋之至少一部分。
如請求項1之溫度控制總成，其中該等通孔之至少一者的一剖面尺寸係介於1毫米至12毫米。
一種溫度控制總成，包括：一氣體供應單元；一氣體幕，安裝在該氣體供應單元上，該氣體幕包括一凹入部分，該凹入部分包括複數個在其上的插針；一絕緣器，由一非導電材料形成，並且在一橫向方向上包括複數個通過其中的通孔，該絕緣器上覆於該氣體供應單元；以及一屏蔽覆蓋，包括複數個通過其中的孔，該屏蔽覆蓋上覆於該絕緣器。
如請求項17之溫度控制總成，更包括一排氣單元，流體耦接至該凹入部分。
如請求項18之溫度控制總成，其中該排氣單元包括一風扇。
一種控制一氣相反應器之一溫度控制總成的一溫度之方法，包括以下步驟：提供該溫度控制總成，包括：一氣體供應單元；一氣體幕，安裝在該氣體供應單元上，其中該氣體幕包括一凹入部分及佈置在該凹入部分上的複數個插針；一絕緣器，上覆於該氣體供應單元；一屏蔽覆蓋，上覆於該絕緣器；以及一排氣單元，連接至該屏蔽覆蓋的一部分；以及使一流體在該氣體幕之一表面上方移動。
如請求項20之方法，更包括測量該氣體供應單元之一溫度的一步驟。
如請求項20之方法，更包括使用一控制器控制供應至該排氣單元之功率的一步驟。
如請求項20之方法，其中該排氣單元包括一變速風扇。
如請求項21之方法，更包括使用一控制器控制供應至該排氣單元之功率的一步驟。
如請求項20之方法，更包括使該流體通過該排氣單元而排放。
如請求項20之方法，其中該等插針之至少一者係柱狀。
如請求項20之方法，其中該等插針之至少一者包括一中空空間。
如請求項20之方法，其中該等插針之各者的一高度並未延伸超出該氣體供應單元之一頂表面。
如請求項20之方法，其中該等插針之間的一間距在從該凹入部分之一中心至該凹入部分之一周緣的一方向上實質上係恆定的。
如請求項20之方法，其中該氣體幕之接近該排氣單元之一表面不包括插針。
如請求項20之方法，其中該屏蔽覆蓋在一垂直方向上包括複數個孔、在一橫向方向上包括複數個孔、或兩者皆是。
如請求項31之方法，其中該等孔之至少一者的一剖面尺寸係小於5毫米。
如請求項31之方法，其中該等孔之至少一者的一剖面尺寸係小於5毫米。
如請求項20之方法，其中該氣體供應單元及該氣體幕形成一一體化結構。
一種控制一氣相反應器之一溫度控制總成的一溫度之方法，包括以下步驟：提供該溫度控制總成，包括：一氣體供應單元；一氣體幕，安裝在該氣體供應單元上，一絕緣器，上覆於該氣體供應單元，其中該絕緣器係由一非導電材料形成，並且在一橫向方向上包括複數個通孔；一屏蔽覆蓋，上覆於該絕緣器；以及使流體在該氣體幕之一表面上方移動。
如請求項35之方法，其中該溫度控制總成更包括一排氣單元，連接至該屏蔽覆蓋的一部分。