TWI833766B - 溫控凸緣及包含彼之反應器系統 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種凸緣、凸緣總成、及包括該凸緣及該凸緣總成的反應器系統。一例示性的凸緣總成包括經加熱及經冷卻區段以獨立地控制該凸緣之區段的溫度。亦揭示該凸緣、該凸緣總成、及該反應器系統的使用方法。
Description
本揭示內容大致係關於氣相反應器及系統。更特定言之，本揭示內容係關於用於氣相反應器之凸緣，包括一或多個凸緣之反應器系統，及彼等之使用方法。
可將諸如化學氣相沉積(CVD)、電漿增強型CVD(PECVD)、原子層沉積(ALD)等等之氣相反應器用於包括在基板表面上沉積及蝕刻材料的各種應用中。舉例來說，氣相反應器可用來在基板上沉積及/或蝕刻層，以形成半導體裝置、平板顯示裝置、光伏打裝置、微機電系統(MEMS)等等。
一典型的氣相反應器系統包括一反應器，其包括一反應腔室、一或多個流體耦接至該反應腔室之前驅體氣體源、一或多個流體耦接至該反應腔室之載氣及/或沖洗氣體源、及一真空源。在一些情況中，反應腔室可由石英或類似材料形成。在此等情況中，氣相反應器系統通常包括一或多個(例如，金屬)凸緣，以使反應腔室耦接至其他反應器系統組件。舉例而言，反應器系統可包括使該一或多個前驅體氣體源流體耦接至反應腔室之第一凸緣及使反應腔式之出口耦接至真空源之第二凸緣。第一及第二凸緣可使用回彈性密封件(諸如O型環)可密封地耦接至反應腔室。
各種反應器可能期望在高溫下運行，以於反應腔室內(及特定言之於基板表面上或其附近)達成期望反應。舉例而言，氣相反應器通常可於高達200 ºC之溫度下操作。然而，此高溫會不利地影響(例如，導致劣化)用來將第一或第二凸緣耦接至反應腔室及/或其他反應器系統組件的回彈性密封件。此劣化會導致氣體洩漏。然而，若在基板加工期間有意地使凸緣之溫度相對於反應腔室之操作溫度降低以保護回彈性密封件，則前驅體及/或反應副產物會與凸緣表面反應及/或凝結於凸緣表面上，從而產生會在加工期間於基板上產生顆粒及/或可能有危害的材料。當使用來源為液體或固體之前驅體時，此問題會變得再更嚴重。
因此，需要改良的溫控凸緣及包括該等凸緣之反應器系統。
本揭示內容之各種具體例係關於凸緣，凸緣總成，包括該等凸緣及凸緣總成之反應器系統，及彼等之使用方法。雖然下文更詳細地論述本揭示內容之各種具體例解決先前凸緣、凸緣總成、及反應器系統之缺點的方式，但一般而言，本揭示內容之各種具體例提供凸緣及凸緣總成，其中凸緣的一部分或區段可被加熱而凸緣之另一部分或區段可被冷卻。舉例而言，凸緣靠近密封元件(例如，回彈性密封件)之區段可被冷卻以減輕否則將會因高加工溫度而發生之密封件的降解，而凸緣之其他區段可被加熱以減輕前驅體及/或副產物於凸緣上之凝結。
根據本揭示內容之至少一個例示性具體例，凸緣包括用於耦接至反應器之第一表面、相對的第二表面、 介於第一表面與第二表面之間的開口、用於承接加熱器之至少一個凹部、及至少一個冷卻通道。凸緣可附接至反應腔室之第一端或前端，在該情況中，開口可經組態以承接一或多個基板及/或一或多種前驅體或反應物。或者，凸緣可附接至反應腔室之第二端或後端，且開口可經組態以容許氣體朝向排氣裝置流動。凸緣可另外在第一表面及/或第二表面上包括用來承接密封元件(諸如回彈性密封件(例如，O型環)的凹部。該至少一個冷卻通道可鄰近用來承接密封元件之第一表面及/或第二表面上之凹部，例如，以防止密封元件在基板加工期間達到不期望的高溫。該用來承接加熱器之至少一個凹部可置放於更遠離用來承接密封元件之在第一表面及/或第二表面上之凹部，以向凸緣提供熱，例如，用來減輕製程氣體凝結於其上，同時減輕鄰近該用來承接密封元件之在第一表面及/或第二表面上之凹部的添加熱。
根據本揭示內容之至少一個其他具體例，凸緣總成包括一凸緣，諸如於前文及文中他處所描述之凸緣、至少一個加熱器、及至少一個冷卻通道。根據此等具體例之各種態樣，該至少一個加熱器嵌入於凸緣內，例如，可將加熱器設置於用來承接加熱器之凸緣中的凹部內。如更詳細地陳述於下文，例示性的凸緣可包括嵌入於凸緣內之複數個加熱器，用來向凸緣之多個區段提供熱。加熱器可藉由加熱器扣件於凸緣內固定位。類似地，可將該至少冷卻通道嵌入於凸緣內。例示性的凸緣可包括多個冷卻通道。各冷卻通道可包括一或多個管件(例如，管)。根據此等具體例之至少一些實例，凸緣總成包括可嵌入於凸緣內之一或多個熱電偶。例示性的凸緣總成可進一步包括一蓋板。如更詳細地描述於下文，各種凸緣總成可經組態以耦接至反應腔室之第一端或第二端。
根據揭示內容之進一步的例示性具體例，反應器系統包括如文中所述之凸緣及/或凸緣總成。反應器系統可另外包括一或多個反應腔室、一或多個氣體歧管、一或多個前驅體源、一或多個真空源、一或多個機器人轉移手臂、及/或其類似物。
根據揭示內容之又其他的例示性具體例，加工基板之方法包括提供如文中所述之凸緣、凸緣總成、及/或反應器系統，及冷卻及/或加熱至少一個凸緣或其部分。根據此等具體例之至少一些態樣，加熱凸緣之至少一個區段及冷卻凸緣之至少另一個區段。
以下提供之例示性具體例的說明僅係例示性且僅係意欲用於說明之目的；以下說明不意欲限制揭示內容或申請專利範圍之範疇。此外，引述具有所述特徵之多個具體例不意欲排除具有額外特徵之其他具體例或納入所述特徵之不同組合的其他具體例。
本揭示內容大致係關於適用於耦接至反應腔室之凸緣及凸緣總成，包括該(等)凸緣及/或凸緣總成之反應器系統，及使用該等凸緣、凸緣總成、及反應器系統之方法。
包括如文中所述之一或多個凸緣及/或凸緣總成的反應器系統可用來於氣相反應器中加工基板，諸如半導體晶圓。舉例來說，文中所述之系統可用來在基板表面上形成或生長磊晶層(例如，雙組分及/或摻雜半導體層)。
如文中所用，「基板」係指具有材料可沉積於其上之表面的任何材料。基板可包括塊狀材料諸如矽(例如，單晶矽)或可包括覆蓋塊狀材料的一或多個層。此外，基板可包括各種表面形態，諸如形成於基板層之至少一部分之內或之上的溝渠、通孔、線條等等。
如更詳細地陳述於下文，可冷卻凸緣/凸緣總成之各種區段且可加熱凸緣/凸緣總成之其他區段。此容許操作包括該等凸緣及凸緣總成之反應器及反應器系統以於高溫(例如，自約150 ºC至約200 ºC或約180 ºC至約200 ºC)下操作，同時減輕原本可能發生之在凸緣或總成上的殘餘物累積(例如，來自與反應腔室內之前驅體及/或反應副產物的反應或凝結)。經由減少殘餘物累積，可減少維修反應器系統或其組件的平均時間。此外，與殘餘物累積相關的安全性風險降低。當使用在標準室溫及壓力下為液體或固體的前驅體時，此可能變得越來越重要。如文中所述的凸緣及總成可鄰近於密封元件提供冷卻，以減輕原本可能發生之密封元件的劣化。冷卻可局部地鄰近於密封元件及/或加熱可鄰近於凸緣之內部(反應腔室側)表面且遠離密封元件。文中所述之凸緣及凸緣總成可尤其有用於磊晶反應器(例如，熱壁反應器)，諸如可獲自ASM之Intrepid或Epsilon反應器。
現在轉到圖式，圖1繪示例示性反應器系統100。反應器系統100可用於各種應用，諸如，比方說，化學氣相沉積(CVD)、電漿增強型CVD(PECVD)、原子層沉積(ALD)、清潔製程、蝕刻製程等等。雖然結合磊晶反應器系統將例示性具體例說明於下文，但除非另外陳述，否則具體例及發明不因此受限。
在所繪示之實例中，反應器系統100包括第一凸緣總成102、第二凸緣總成104、反應腔室106、排氣源108、及控制器110。反應器系統100可經組態為交叉流、熱壁磊晶反應器系統。包括水平流動反應器之例示性反應器系統可獲自ASM。
在反應器系統100之操作期間，基板諸如半導體晶圓(未繪示)自(例如)基板處置系統(未繪示)轉移至反應腔室106。一旦基板被轉移至反應腔室106，一或多種氣體，諸如前驅體、摻雜劑、載氣、及/或沖洗氣體，即經由第二凸緣總成104引入至反應腔室106中。任何未經反應的氣體及/或反應副產物離開反應腔室106並通過第一凸緣總成102朝向排氣源108流動。控制器110可用來控制凸緣總成102及/或104之冷卻及/或加熱，以(例如)控制嵌入於其中之加熱器及/或控制冷卻(例如，經由控制經提供至凸緣總成102、104之冷卻液體諸如水(例如，在室溫下經過濾的居家用水)的流率)。例示性的流率可例如在約0.5 L/min.至約1.2 L/min.之範圍內。
圖2-13更詳細地繪示例示性的第一凸緣總成102及其之部分。第一凸緣總成102包括(例如，第一)凸緣202、加熱器204、206、302及402、404、及用來承接冷卻流體(諸如水)的冷卻通道304-310。第一凸緣總成102亦包括用來與反應腔室106形成密封的第一密封元件312及用來與蓋板208形成密封的第二密封元件314。第一凸緣總成102亦包括一或多個用來測量第一凸緣總成102內之各個位置之溫度的熱電偶210-216。如更詳細說明於下文，來自一或多個熱電偶210-216之溫度資訊可用來向控制器110提供資訊及/或控制加熱器及/或冷卻第一凸緣總成102。第一凸緣總成102亦可包括一或多個加熱器扣件218、317、319，以將加熱器固定位。
凸緣202可由任何適宜材料(諸如不鏽鋼、及赫史特合金(Hastelloy))形成。凸緣202包括用來耦接至反應器或反應腔室之第一表面220、用來耦接至蓋板208之第二表面222、及介於第一表面220與第二表面222之間的開口224。第一表面220包括用來承接密封元件312之凹部316。類似地，第二表面222包括用來承接密封元件314之凹部318。此外，凸緣202包括形成於其中之冷卻通道304-310。冷卻通道304-310可經組態以直接或經由管件(例如，管)1102、1104、1202、及1204(繪示於圖11及12中)承接冷卻流體。凸緣202亦包括用來承接一或多個加熱器204、206、302及402、404的凹部506、508、406、408、及320。於凸緣202內形成用來承接加熱器204、206、302及402、404之凹部容許將加熱器置放於靠近凸緣202之內部(反應腔室側)，例如，靠近第一表面220。類似地，於凸緣202內形成冷卻通道304-310容許將冷卻通道置放於鄰近密封元件312、314。此外，經由如所繪示地使用凹部及扣件，當需要時，可容易地移除及更換加熱器204、206、302及402、404，而不用自反應器系統100移除凸緣202，同時容許在凸緣202內的期望位置處放置加熱器。如所繪示，凸緣202亦可包括用來承接熱電偶210-216及/或扣件裝置(例如，螺釘或螺栓)的一或多個凹部。文中所述之凹部可經機器加工，即自用來形成凸緣202之材料切割出。機器加工，而非簡單地鑽出用於加熱器之孔可容許例如將加熱器如所期望地置放於凸緣202內。
加熱器204、206、302及402、404可由任何適宜材料形成。舉例而言，加熱器204、206、302及402、404係電阻加熱器，諸如可獲自SAKAGUCHI E.H. VOC CORP、及Watlow之彼等。例示性的加熱器具有約500至約1000或約700瓦之功率。雖然未繪示，但加熱器204、206、302及402、404可包括用來耦接至控制器110及/或適當電源的纜線，其可被包括作為控制器110之部分或與其分開。舉例而言，加熱器204、206、302及402、404可經組態以將凸緣202之區域加熱至約150至約200 ºC或約180至約200 ºC之溫度。
第一密封元件312及第二密封元件314可由回彈性材料，諸如耐熱性回彈性材料，諸如聚矽氧、Kalrez、或Viton形成。
熱電偶210-216可包括任何適當的熱電偶。適用作熱電偶210-216之例示性的熱電偶可獲自OMEGA Engineering。
蓋板208及/或加熱器扣件218、317、319可由與凸緣202相同的材料形成。舉例來說，蓋板208及加熱器扣件218、317、319係由不鏽鋼形成。
第一凸緣總成102亦可包括圍繞出口504之一部分的蓋502。蓋502可由與凸緣202相同或類似的材料形成。
現轉向圖8及9，更詳細地繪示冷卻通道304-310。圖8繪示凸緣202之底部橫剖面圖，其繪示冷卻通道308、310。類似地，圖9繪示凸緣202之頂部橫剖面圖，其繪示冷卻通道304、306。雖然冷卻通道304-310之直徑或類似的橫剖面尺寸可根據設計考量而改變，但根據揭示內容之一些實例，橫剖面尺寸係在約400毫米至約500毫米、或約15毫米至約35毫米之範圍內。根據揭示內容之實例，冷卻通道及流率控制器112、114可經組態以將鄰近回彈性密封件312、314之凸緣區段的溫度維持為約80至約120 ºC或約100至約120 ºC。雖然繪示於供給管線中，但流率控制器112、114可另外或替代地置放於回流管線內。
如所繪示，冷卻通道及管1102、1104、1202、1204可形成迴路，使得單一入口1206及單一出口1208提供鄰近一或多個回彈性密封件312、314之冷卻劑的連續迴路。此外，如所繪示，於例如圖2、5、6及13中，連續迴路之部分可包括位於凸緣202外部的垂直區段1302-1308。然而，根據其他實例，此等垂直區段可包括於(例如，嵌入於)凸緣202內。
圖14繪示根據揭示內容之其他實例的第二凸緣總成104及注射歧管1402。第二凸緣總成104包括(例如，第二)凸緣1404、加熱器1406、1408、及冷卻通道(經繪示為通道1410、1412，其可與通道304-310相同或相似)。第二凸緣總成104亦包括與反應腔室106形成密封的第一密封元件1414及與閘閥(未繪示)形成密封的第二密封元件(未繪示，但其可與密封元件1414、312、314中之任一者相同或相似)。第二凸緣總成104亦包括用來測量第二凸緣總成104內之各個位置處之溫度的一或多個熱電偶1416。來自一或多個熱電偶1416之溫度資訊可用來向控制器110提供資訊及/或控制加熱器及/或冷卻第二凸緣總成104。第二凸緣總成104亦可包括一或多個如文中所述之加熱器扣件。
凸緣1404可由任何適宜材料(諸如不鏽鋼)形成。與凸緣202相似，凸緣1404包括用來耦接至反應器或反應腔室106之第一表面1418、用來耦接至蓋板及/或閘閥之第二表面1420、及介於第一表面1418與第二表面1420之間的開口1422。第一表面1418包括用來承接密封元件1414之凹部1424。類似地，第二表面1420可包括用來承接另一密封元件(例如，與密封元件314相同或相似)的凹部。此外，凸緣1414包括形成於其中之冷卻通道1410、1412。冷卻通道1410、1412可經組態以直接或經由管件(例如，管)，諸如繪示於圖11及12中之管件1102、1104、1202、及1204，承接冷卻流體。凸緣1404亦包括用來承接一或多個加熱器1406及1408的凹部1426、及1428。凸緣1404亦可包括經組態以使反應物/前驅體在到達反應腔室106之前保持分開的各種管道。例示性的凸緣管道組態揭示於2014年3月18日提出申請之美國申請案序號14/218,690，標題「氣體分佈系統，包括該系統之反應器，及其使用方法(GAS DISTRIBUTION SYSTEM, REACTOR INCLUDING THE SYSTEM, AND METHODS OF USING THE SAME)」中，以其內容不與本揭示相衝突之程度，引用該等內容併入本文。
注射歧管1402係經組態以向反應腔室106提供一或多種前驅體、反應物、及沖洗及/或載氣。例示性的注射歧管描述於2018年6月4日提出申請之美國申請案序號15/997,445，標題「氣體分佈系統及包括該系統之反應器系統(GAS DISTRIBUTION SYSTEM AND REACTOR SYSTEM INCLUDING SAME)」中，以其內容不與本揭示相衝突之程度，引用該等內容併入本文。管線1430及1432可被加熱(例如，使用可撓性(例如，聚矽氧)加熱帶)以將管線內之氣體維持於期望溫度，例如，以防止或減輕氣體凝結。另外或替代地，可環繞及/或鄰近注射歧管1402提供加熱器1434，以防止及/或減輕氣體於注射歧管1402內之凝結。
加熱器1406、1408及冷卻通道1410、1412可與以上結合圖2-13所描述之彼等相同或相似且可具有相同或相似的尺寸。類似地，一或多個熱電偶1416可與前文所述的熱電偶相同或相似。
反應腔室106可由(例如)石英形成。反應腔室106內的例示性操作壓力可在約10托(Torr)至約大氣壓(~760托)之範圍內。
排氣源108可包括例如一或多個真空源。例示性的真空源包括一或多個乾式真空泵及/或一或多個渦輪分子泵。
控制器110可經組態以執行如文中所述之各種功能及/或步驟。控制器110可包括一個或微處理器、記憶元件、及/或切換元件以執行各種功能。雖然經繪示為單個單元，但控制器110可替代地包括多個裝置。舉例來說，控制器可用來控制冷卻劑之流進及/或流出文中所述之冷卻管件(例如，管件1102、1104、1202、1204)及/或一或多個(例如，所有的)冷卻通道。另外或替代地，控制器可用來控制加熱器，諸如文中所述之一或多個加熱器。特定而言，控制器110可經組態以經由控制流入至各別管件或通道中之冷卻劑(例如，水)的量來向第一凸緣總成102及/或第二凸緣總成104提供期望的冷卻。另外或替代地，控制器110可用來控制至(例如，電阻)加熱器的功率。根據揭示內容之各種實例，控制器110係或包括比例積分微分(PID)控制器，其容許閉環控制各別凸緣總成或其區段的加熱及/或冷卻。控制器110亦可耦接至反應腔室106內之熱電偶(未分開繪示)。
文中描述之各種閥(例如，水流量閥112、114)可包括電磁閥。
根據揭示內容之其他具體例，可操控反應腔室106、第一凸緣總成102中之加熱器、第二凸緣總成104中之加熱器、供應至第一凸緣總成102之冷卻流體、及/或供應至第二凸緣總成104之冷卻流體的各種組合，以減輕材料之沉積於第一凸緣總成102及/或第二凸緣總成104的表面上。舉例而言，可將一或多個加熱器之功率設定於期望水平且可經由操控供應至各別凸緣總成之冷卻水的量來控制凸緣總成之溫度。替代地，可設定冷卻劑之流率且可操控至加熱器之功率。或者，可操控至加熱器之功率、冷卻劑之流率、及/或反應腔室溫度之組合。另外地或替代地，溫度、流率、及/或功率之設定點可於反應腔室106內在製程的製程步驟之間改變。
雖然文中記述本揭示內容的例示性具體例，但應明瞭揭示內容並不因此受限。舉例而言，儘管結合各種特定組態來描述凸緣、凸緣總成、及反應器系統，但揭示內容未必受限於此等實例。可對文中陳述的系統及方法進行各種修改、變化、及增進，而不脫離本揭示內容之精神及範疇。
本揭示內容之標的包括各種系統、組件、及組態、及本文中所揭示之其他特徵、功能、行為、及/或性質及其任何及所有等效者的所有新穎且非顯而易見的組合及子組合。
100‧‧‧反應器系統
102‧‧‧第一凸緣總成
104‧‧‧第二凸緣總成
106‧‧‧反應腔室
108‧‧‧排氣源
110‧‧‧控制器
112‧‧‧流率控制器
114‧‧‧流率控制器
202‧‧‧第一凸緣
204‧‧‧加熱器
206‧‧‧加熱器
208‧‧‧蓋板
210‧‧‧熱電偶
212‧‧‧熱電偶
214‧‧‧熱電偶
216‧‧‧熱電偶
218‧‧‧加熱器扣件
220‧‧‧凸緣之第一表面
222‧‧‧凸緣之第二表面
224‧‧‧開口
302‧‧‧加熱器
304‧‧‧冷卻通道
306‧‧‧冷卻通道
308‧‧‧冷卻通道
310‧‧‧冷卻通道
312‧‧‧密封元件
314‧‧‧密封元件
316‧‧‧凹部
317‧‧‧加熱器扣件
318‧‧‧凹部
319‧‧‧加熱器扣件
320‧‧‧凹部
402‧‧‧加熱器
404‧‧‧加熱器
406‧‧‧凹部
408‧‧‧凹部
502‧‧‧蓋
504‧‧‧出口
506‧‧‧凹部
508‧‧‧凹部
1102‧‧‧管件
1104‧‧‧管件
1202‧‧‧管件
1204‧‧‧管件
1206‧‧‧入口
1208‧‧‧出口
1302‧‧‧垂直區段
1304‧‧‧垂直區段
1306‧‧‧垂直區段
1308‧‧‧垂直區段
1402‧‧‧注射歧管
1404‧‧‧凸緣
1406‧‧‧加熱器
1408‧‧‧加熱器
1410‧‧‧冷卻通道
1412‧‧‧冷卻通道
1414‧‧‧第一密封元件
1416‧‧‧熱電偶
1418‧‧‧第一表面
1420‧‧‧第二表面
1422‧‧‧開口
1424‧‧‧凹部
1426‧‧‧凹部
1428‧‧‧凹部
1430‧‧‧管線
1432‧‧‧管線
1434‧‧‧加熱器
當結合以下說明圖式思考時，可藉由參照實施方式及申請專利範圍而獲得對本揭示內容之例示性具體例的更完整理解。
圖1繪示根據本揭示內容之至少一例示性具體例之反應器系統。
圖2繪示根據本揭示內容之至少一例示性具體例之凸緣總成。
圖3繪示根據本揭示內容之至少一例示性具體例之凸緣總成的橫剖面圖。
圖4繪示根據本揭示內容之至少一例示性具體例之凸緣總成的另一橫剖面圖。
圖5及6繪示根據本揭示內容之至少一例示性具體例之凸緣總成的其他圖式。
圖7、8及9繪示根據本揭示內容之至少一具體例之凸緣的橫剖面圖。
圖10繪示根據本揭示內容之至少一具體例之凸緣的另一圖式。
圖11及12繪示根據本揭示內容之說明性實例的冷卻管。
圖13繪示根據本揭示內容之至少一具體例之凸緣總成的另一圖式。
圖14繪示根據本揭示內容之至少一具體例之凸緣總成及經加熱歧管的圖式。
應理解，圖式中之元件係為簡單及清楚起見而展示且未必按比例繪製。舉例而言，可相對於其他元件將圖式中之一些元件之尺寸擴大以幫助增進對所說明之本揭示內容之具體例的理解。
102:第一凸緣總成
110:控制器
204:加熱器
206:加熱器
208:蓋板
210:熱電偶
212:熱電偶
214:熱電偶
216:熱電偶
218:加熱器扣件
220:凸緣之第一表面
222:凸緣之第二表面
224:開口
504:出口
1102:管件
1104:管件
1204:管件
Claims (18)
- 一種凸緣總成，包括：一凸緣，其包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；及介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少一個加熱器；及至少一個冷卻通道，其中該至少一個冷卻通道係鄰近該第一表面之凹部。
- 如請求項1之凸緣總成，其中該至少一個加熱器係嵌入於該凸緣內。
- 如請求項1之凸緣總成，其中該至少一個冷卻通道係嵌入於該凸緣內。
- 一種凸緣總成，包括：一凸緣，其包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；及介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少一個加熱器；及至少一個冷卻通道，其中該第一表面包括用來承接密封元件之凹部，且其中該至少一個冷卻通道係鄰近該凹部。
- 一種凸緣總成，包括：一凸緣，其包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；及 介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少一個加熱器；及至少一個冷卻通道，其中該第二表面包括用來承接密封元件之凹部。
- 一種凸緣總成，包括：一凸緣，其包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；及介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少一個加熱器；及至少一個冷卻通道，其中該凸緣進一步包括排氣出口。
- 如請求項6之凸緣總成，其中該至少一個加熱器係鄰近該排氣出口。
- 如請求項7之凸緣總成，其中該凸緣總成包括至少兩個鄰近該排氣出口之加熱器。
- 一種凸緣總成，包括：一凸緣，其包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；及介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少二個加熱器；及至少一個冷卻通道，其中該至少二個加熱器位在該開口之相對側上。
- 一種凸緣總成，包括：一凸緣，其包括：用於耦接至反應器之第一表面； 相對的第二表面；及介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少四個加熱器；及至少一個冷卻通道，其中該至少四個加熱器鄰近該開口。
- 一種凸緣總成，包括：一凸緣，其包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；及介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少一個加熱器；及至少一個冷卻通道，其中該凸緣進一步包括一或多個用來承接一或多個熱電偶的開口。
- 如請求項1之凸緣總成，其進一步包括蓋板。
- 一種凸緣總成，包括：一凸緣，其包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；及介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少一個加熱器；及至少一個冷卻通道，其進一步包括一或多個加熱器扣件。
- 一種反應器系統，其包括請求項1之凸緣總成。
- 一種凸緣，包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面，其中該第二表面包括用來承接密封元件之凹部； 介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少一個用來承接加熱器之凹部；及至少一個冷卻通道。
- 如請求項15之凸緣，其中該第一表面包括用來承接密封元件之凹部。
- 一種凸緣，包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少一個用來承接加熱器之凹部；及至少一個冷卻通道；及排氣出口，其中用來承接加熱器之至少一個凹部中之至少一者係鄰近該排氣出口。
- 一種凸緣，包括：用於耦接至反應器之第一表面；相對的第二表面；介於該第一表面與該第二表面之間的開口；至少二個用來承接加熱器之凹部；及至少一個冷卻通道；其中該至少兩個凹部中之各者經組態以承接一或多個加熱器，其中該至少兩個凹部係鄰近於該開口。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/024,390 US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US16/024,390 | 2018-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202000973A TW202000973A (zh) | 2020-01-01 |
| TWI833766B true TWI833766B (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6204231B2 (ja) | 2014-03-11 | 2017-09-27 | 大陽日酸株式会社 | 空気液化分離装置及び方法 |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6204231B2 (ja) | 2014-03-11 | 2017-09-27 | 大陽日酸株式会社 | 空気液化分離装置及び方法 |
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