JPH0653144A - 縦型炉 - Google Patents
縦型炉Info
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- JPH0653144A JPH0653144A JP22509292A JP22509292A JPH0653144A JP H0653144 A JPH0653144 A JP H0653144A JP 22509292 A JP22509292 A JP 22509292A JP 22509292 A JP22509292 A JP 22509292A JP H0653144 A JPH0653144 A JP H0653144A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 原料ガス導入管を収納容器の中心軸に平行な
状態で確実に固定することができる縦型炉を提供する。 【構成】 原料ガス導入管２２の垂直部分２２ａの下端
部を支持する下端支持部材２３を形成する。ペースプレ
ート１８に穴部１８ａを設け、穴部１８ａの上側に円筒
状のサポートガイド３６を設ける。原料ガス導入管２２
の垂直部分２２ａの上端部はサポートリングによって支
持され、その垂直部分２２ａの下端部に設けられた下端
支持部材２３はサポートガイド３６を介して穴部１８ａ
に嵌め込まれてペースプレート１８上に支持される。こ
こで、穴部１８ａの中心とサポートリングの中心とを通
る直線Ｂがウェハボート１６の中心軸Ａと完全に平行と
なるように、穴部１８ａを形成している。
状態で確実に固定することができる縦型炉を提供する。 【構成】 原料ガス導入管２２の垂直部分２２ａの下端
部を支持する下端支持部材２３を形成する。ペースプレ
ート１８に穴部１８ａを設け、穴部１８ａの上側に円筒
状のサポートガイド３６を設ける。原料ガス導入管２２
の垂直部分２２ａの上端部はサポートリングによって支
持され、その垂直部分２２ａの下端部に設けられた下端
支持部材２３はサポートガイド３６を介して穴部１８ａ
に嵌め込まれてペースプレート１８上に支持される。こ
こで、穴部１８ａの中心とサポートリングの中心とを通
る直線Ｂがウェハボート１６の中心軸Ａと完全に平行と
なるように、穴部１８ａを形成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば気相成長法の
原理に基づき薄膜を半導体ウェハに成長させる縦型減圧
ＣＶＤ装置として使用される縦型炉に関するものであ
る。
原理に基づき薄膜を半導体ウェハに成長させる縦型減圧
ＣＶＤ装置として使用される縦型炉に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４に特開平１−１０６４２４号に記載
された従来の縦型炉の概略断面図を示す。半導体ウェハ
５２は、収納容器であるウェハボート６２に一定の間隔
を保って多数収納されている。ウェハボート６２は反応
容器６４の内部に載置され、中心軸の回りに回転可能に
構成される。反応容器６４は上部が半球形とされた筒状
で、その下端は開放口とされている。反応容器６４の周
囲にはヒータ６６が設けられ、ヒータ６６によって半導
体ウェハ５２と原料ガスとの反応に必要な加熱を行う。
マニホールド６８は、反応容器６４の下部に取り付けら
れたものであり、反応に使用された原料ガスを外部に排
出するためのガス排出口７２が設けられている。また、
マニホールド６８では、原料ガス導入管７６をシール部
７４により気密・支持している。
された従来の縦型炉の概略断面図を示す。半導体ウェハ
５２は、収納容器であるウェハボート６２に一定の間隔
を保って多数収納されている。ウェハボート６２は反応
容器６４の内部に載置され、中心軸の回りに回転可能に
構成される。反応容器６４は上部が半球形とされた筒状
で、その下端は開放口とされている。反応容器６４の周
囲にはヒータ６６が設けられ、ヒータ６６によって半導
体ウェハ５２と原料ガスとの反応に必要な加熱を行う。
マニホールド６８は、反応容器６４の下部に取り付けら
れたものであり、反応に使用された原料ガスを外部に排
出するためのガス排出口７２が設けられている。また、
マニホールド６８では、原料ガス導入管７６をシール部
７４により気密・支持している。
【０００３】原料ガス導入管７６は石英製の垂直部分７
６ａと金属製の水平部分７６ｂとからなり、両者はフラ
ンジ７８によって接続されている。水平部分７６ｂには
ベローズ８２が設けられており、これによって垂直部分
７６ａと水平部分７６ｂに構造上の誤差がある場合でも
両者をスムーズに接続することができる。また、垂直部
分７６ａには、多数の噴射孔（不図示）が一定の間隔で
設けてあり、外部から送られてきた原料ガスはこの噴射
孔を通して半導体ウェハ５２に噴射される。この垂直部
分７６ａは、反応容器６４の内面上部に設けられたサポ
ートリング８４によって反応容器６４の内面と一定の距
離を保つようにして支持される。
６ａと金属製の水平部分７６ｂとからなり、両者はフラ
ンジ７８によって接続されている。水平部分７６ｂには
ベローズ８２が設けられており、これによって垂直部分
７６ａと水平部分７６ｂに構造上の誤差がある場合でも
両者をスムーズに接続することができる。また、垂直部
分７６ａには、多数の噴射孔（不図示）が一定の間隔で
設けてあり、外部から送られてきた原料ガスはこの噴射
孔を通して半導体ウェハ５２に噴射される。この垂直部
分７６ａは、反応容器６４の内面上部に設けられたサポ
ートリング８４によって反応容器６４の内面と一定の距
離を保つようにして支持される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、たとえば気
相成長法の原理に基づいて薄膜を半導体ウェハに形成す
る縦型減圧ＣＶＤ装置では、膜厚及び膜質の均一性をい
かに高くするかが重要なポイントとなる。このために
は、薄膜成長中に、原料ガスを半導体ウェハの表面に対
して高い精度で水平に供給する必要がある。縦型減圧Ｃ
ＶＤ装置として上記の縦型炉を使用する場合、特に原料
ガス導入管７６の垂直部分７６ａはその最下部の曲がり
の直近部でフランジ７８により水平部分７６ｂと接続固
定されることから、長さ約２ｍもある原料ガス導入管７
６をウェハボート６２の中心軸（回転軸）に平行な状態
で確実に設置することはきわめて困難であり、したがっ
て原料ガスを半導体ウェハの表面に対して高い精度で水
平に供給することができないという問題があった。
相成長法の原理に基づいて薄膜を半導体ウェハに形成す
る縦型減圧ＣＶＤ装置では、膜厚及び膜質の均一性をい
かに高くするかが重要なポイントとなる。このために
は、薄膜成長中に、原料ガスを半導体ウェハの表面に対
して高い精度で水平に供給する必要がある。縦型減圧Ｃ
ＶＤ装置として上記の縦型炉を使用する場合、特に原料
ガス導入管７６の垂直部分７６ａはその最下部の曲がり
の直近部でフランジ７８により水平部分７６ｂと接続固
定されることから、長さ約２ｍもある原料ガス導入管７
６をウェハボート６２の中心軸（回転軸）に平行な状態
で確実に設置することはきわめて困難であり、したがっ
て原料ガスを半導体ウェハの表面に対して高い精度で水
平に供給することができないという問題があった。
【０００５】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、原料ガス導入管を収納容器の中心軸に平行な状
態で確実に固定することができる縦型炉を提供すること
を目的とするものである。
であり、原料ガス導入管を収納容器の中心軸に平行な状
態で確実に固定することができる縦型炉を提供すること
を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、縦型の反応容器と、前記反応容器の下端
部に配置され、試料が収納された収納容器を載置する載
置台と、前記原料ガスを外部から反応容器内に導入する
水平部分と前記水平部分に連結され且つ前記原料ガスを
前記収納容器に収納された試料に向けて噴射する噴射孔
が形成された垂直部分とを有する原料ガス導入管とを具
備する縦型炉において、前記原料ガス導入管の垂直部分
の上端部を前記反応容器の内壁に摺動自在に支持する上
端部支持手段と、前記原料ガス導入管の垂直部分の下端
部を着脱自在に前記載置台上に支持する下端支持手段と
を設けたことを特徴とするものである。
めの本発明は、縦型の反応容器と、前記反応容器の下端
部に配置され、試料が収納された収納容器を載置する載
置台と、前記原料ガスを外部から反応容器内に導入する
水平部分と前記水平部分に連結され且つ前記原料ガスを
前記収納容器に収納された試料に向けて噴射する噴射孔
が形成された垂直部分とを有する原料ガス導入管とを具
備する縦型炉において、前記原料ガス導入管の垂直部分
の上端部を前記反応容器の内壁に摺動自在に支持する上
端部支持手段と、前記原料ガス導入管の垂直部分の下端
部を着脱自在に前記載置台上に支持する下端支持手段と
を設けたことを特徴とするものである。
【０００７】前記下端支持手段は、載置台上に形成され
た穴部と、一端が前記原料ガス導入管の垂直部分の下端
に接合され、他端が前記載置台上に形成された前記穴部
に着脱自在に嵌合できるように形成された下端支持部材
とを含むものであることが望ましい。
た穴部と、一端が前記原料ガス導入管の垂直部分の下端
に接合され、他端が前記載置台上に形成された前記穴部
に着脱自在に嵌合できるように形成された下端支持部材
とを含むものであることが望ましい。
【０００８】
【作用】本発明は前記の構成によって、原料ガス導入管
の垂直部分の上端を支持する上端支持手段と下端を支持
する下端支持手段とを設けたことにより、載置台が所定
の位置に装着されたときには、原料ガス導入管の垂直部
分の中心軸が収納容器の中心軸と完全に平行となるよう
に、垂直部分を確実に反応容器内に支持することができ
る。
の垂直部分の上端を支持する上端支持手段と下端を支持
する下端支持手段とを設けたことにより、載置台が所定
の位置に装着されたときには、原料ガス導入管の垂直部
分の中心軸が収納容器の中心軸と完全に平行となるよう
に、垂直部分を確実に反応容器内に支持することができ
る。
【０００９】また、載置台に穴部を設け、原料ガス導入
管の垂直部分の下端にその穴部に嵌合する下端支持部材
を設けたことにより、原料ガス導入管の垂直部分の下端
部を穴部に嵌め込むだけで、垂直部分の下端部を安定し
て支持できる。このため、原料ガス導入管の上部を、従
来と同様にたとえばサポートリング等により支持し、し
かも原料ガス導入管の垂直部分の中心軸が収納容器の中
心軸と完全に平行となるように、予め穴部を形成してお
けば、原料ガス導入管の垂直部分を収納容器の中心軸に
平行な状態に容易かつ確実に設置することができる。
管の垂直部分の下端にその穴部に嵌合する下端支持部材
を設けたことにより、原料ガス導入管の垂直部分の下端
部を穴部に嵌め込むだけで、垂直部分の下端部を安定し
て支持できる。このため、原料ガス導入管の上部を、従
来と同様にたとえばサポートリング等により支持し、し
かも原料ガス導入管の垂直部分の中心軸が収納容器の中
心軸と完全に平行となるように、予め穴部を形成してお
けば、原料ガス導入管の垂直部分を収納容器の中心軸に
平行な状態に容易かつ確実に設置することができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例である縦型炉の
概略部分断面図、図２はその縦型炉の概略断面図であ
る。
して説明する。図１は本発明の一実施例である縦型炉の
概略部分断面図、図２はその縦型炉の概略断面図であ
る。
【００１１】図１及び図２に示す縦型炉は、反応容器１
２と、マニホールド１４と、石英製のウェハボート１６
と、ウェハボート１６を載置する載置台としてのベース
プレート１８と、原料ガス導入管２２と、保温筒２４
と、ヒータ２６とを備えるものである。この縦型炉は、
反応容器１２及びヒータ２６を縦に配置した縦型構造を
採っている。
２と、マニホールド１４と、石英製のウェハボート１６
と、ウェハボート１６を載置する載置台としてのベース
プレート１８と、原料ガス導入管２２と、保温筒２４
と、ヒータ２６とを備えるものである。この縦型炉は、
反応容器１２及びヒータ２６を縦に配置した縦型構造を
採っている。
【００１２】反応容器１２は、上部が半球形とされた筒
状で、その下端は開放口とされている。マニホールド１
４は反応容器１２の下面に取り付けられた取付台であ
る。マニホールド１４には、反応に使用された原料ガス
を外部に排出するためのガス排出口３２が設けてあり、
また、原料ガスを反応容器１２内に供給するための原料
ガス導入管２２がシール部３４で気密シールされてい
る。
状で、その下端は開放口とされている。マニホールド１
４は反応容器１２の下面に取り付けられた取付台であ
る。マニホールド１４には、反応に使用された原料ガス
を外部に排出するためのガス排出口３２が設けてあり、
また、原料ガスを反応容器１２内に供給するための原料
ガス導入管２２がシール部３４で気密シールされてい
る。
【００１３】マニホールド１４の底部はベースプレート
１８により密封される。ベースプレート１８は、通常、
厚肉のステンレス鋼板製のものが使用される。このペー
スプレート１８の炉内側の表面には、後述する原料ガス
導入管２２の垂直部分２２ａの下端部を支持する下端支
持部材２３を挿入する穴部１８ａが形成されている。ま
た、この穴部１８ａの上側には前記下端支持部材２３を
穴部１２ａに案内する案内手段としての円筒状サポート
ガイド３６が設けられている。
１８により密封される。ベースプレート１８は、通常、
厚肉のステンレス鋼板製のものが使用される。このペー
スプレート１８の炉内側の表面には、後述する原料ガス
導入管２２の垂直部分２２ａの下端部を支持する下端支
持部材２３を挿入する穴部１８ａが形成されている。ま
た、この穴部１８ａの上側には前記下端支持部材２３を
穴部１２ａに案内する案内手段としての円筒状サポート
ガイド３６が設けられている。
【００１４】ベースプレート１８の上には保温筒２４が
載置され、さらに保温筒２４の上に、半導体ウェハ２を
収納する収納容器としてのウェハボート１６が載置され
る。半導体ウェハ２はその表面が水平となるように一定
の間隔を保ってウェハボート１６に収納される。また、
ウェハボート１６は回転機構３８により中心軸Ａの回り
に回転可能に構成されている。
載置され、さらに保温筒２４の上に、半導体ウェハ２を
収納する収納容器としてのウェハボート１６が載置され
る。半導体ウェハ２はその表面が水平となるように一定
の間隔を保ってウェハボート１６に収納される。また、
ウェハボート１６は回転機構３８により中心軸Ａの回り
に回転可能に構成されている。
【００１５】原料ガス導入管２２は、石英製の垂直部分
２２ａと金属製の水平部分２２ｂとからなる。垂直部分
２２ａの下端部には垂直部分２２ａを支持する下端支持
部材２３が設けられている。垂直部分２２ａと水平部分
２２ｂとはフランジ４２によって接続されている。下端
支持部材２３は石英製の垂直部分２２ａを製造するとき
に、同一の材料により同時に一体的に形成してもよい
し、また石英以外の、例えば金属等により形成し、垂直
部分２２ａと水平部分２２ｂとの連結と同様にフランジ
を用いて垂直部分２２ａと下端支持部材２３とを連結し
てもよい。原料ガス導入管２２を垂直部分２２ａと水平
部分２２ｂとの二つの部分に分割したのは、原料ガス導
入管２２の定期洗浄等を行う際に、原料ガス導入管２２
を容易に取り外すことができるようにするためである。
また、垂直部分２２ａには、外部から管内を通って送ら
れてきた原料ガスが反応容器１２内の半導体ウェハ２に
向かって水平に噴射されるよう、多数の噴射孔（不図
示）が一定の間隔で設けてある。
２２ａと金属製の水平部分２２ｂとからなる。垂直部分
２２ａの下端部には垂直部分２２ａを支持する下端支持
部材２３が設けられている。垂直部分２２ａと水平部分
２２ｂとはフランジ４２によって接続されている。下端
支持部材２３は石英製の垂直部分２２ａを製造するとき
に、同一の材料により同時に一体的に形成してもよい
し、また石英以外の、例えば金属等により形成し、垂直
部分２２ａと水平部分２２ｂとの連結と同様にフランジ
を用いて垂直部分２２ａと下端支持部材２３とを連結し
てもよい。原料ガス導入管２２を垂直部分２２ａと水平
部分２２ｂとの二つの部分に分割したのは、原料ガス導
入管２２の定期洗浄等を行う際に、原料ガス導入管２２
を容易に取り外すことができるようにするためである。
また、垂直部分２２ａには、外部から管内を通って送ら
れてきた原料ガスが反応容器１２内の半導体ウェハ２に
向かって水平に噴射されるよう、多数の噴射孔（不図
示）が一定の間隔で設けてある。
【００１６】原料ガス導入管２２の垂直部分２２ａの上
端部は、反応容器１２の内面上部に設けられた、上端部
支持手段であるサポートリング４４によって支持され
る。また、垂直部分２２ａの下端部に設けられた下端支
持部材２３を、サポートガイド３６を介してベースプレ
ート１８の穴部１８ａに挿入することにより、垂直部分
２２ａの下端部をベースプレート１８上に支持する。こ
こで、穴部１８ａの中心とサポートリング４４の中心と
を通る直線Ｂがウェハボート１６の中心軸（回転軸）Ａ
と完全に平行となるように、予め穴部１８ａを形成す
る。
端部は、反応容器１２の内面上部に設けられた、上端部
支持手段であるサポートリング４４によって支持され
る。また、垂直部分２２ａの下端部に設けられた下端支
持部材２３を、サポートガイド３６を介してベースプレ
ート１８の穴部１８ａに挿入することにより、垂直部分
２２ａの下端部をベースプレート１８上に支持する。こ
こで、穴部１８ａの中心とサポートリング４４の中心と
を通る直線Ｂがウェハボート１６の中心軸（回転軸）Ａ
と完全に平行となるように、予め穴部１８ａを形成す
る。
【００１７】ヒータ２６は、反応容器１２の周囲に設け
られ、これによって半導体ウェハ２と原料ガス導入管２
２の噴射孔を通って噴射される原料ガスとの反応に必要
な加熱が行われる。
られ、これによって半導体ウェハ２と原料ガス導入管２
２の噴射孔を通って噴射される原料ガスとの反応に必要
な加熱が行われる。
【００１８】次に第一実施例の熱処理炉の動作について
説明する。まず、半導体ウェハ２を炉内に収納するため
に、マニホールド１４の底部から取り外されたベースプ
レート１８の上に、保温筒２４及び半導体ウェハ２を収
納したウェハボート１６を載置する。この状態でベース
プレート１８を昇降装置（不図示）により持ち上げ、ウ
ェハボート１６を反応容器１２の内部に挿入し、ベース
プレート１８をマニホールド１４に固定する。
説明する。まず、半導体ウェハ２を炉内に収納するため
に、マニホールド１４の底部から取り外されたベースプ
レート１８の上に、保温筒２４及び半導体ウェハ２を収
納したウェハボート１６を載置する。この状態でベース
プレート１８を昇降装置（不図示）により持ち上げ、ウ
ェハボート１６を反応容器１２の内部に挿入し、ベース
プレート１８をマニホールド１４に固定する。
【００１９】次に、半導体ウェハ２に所定の熱処理を施
すには、まず、ウェハボート１６を回転させヒータ２６
を動作させる。原料ガスを原料ガス導入管２２に通す
と、原料ガス導入管２２の噴射孔から原料ガスが噴射さ
れる。噴射孔から噴射された原料ガスは半導体ウェハ２
の表面に水平に供給され、高温雰囲気中で半導体ウェハ
２と原料ガスとが反応して、半導体ウェハ２に所定の処
理が施される。
すには、まず、ウェハボート１６を回転させヒータ２６
を動作させる。原料ガスを原料ガス導入管２２に通す
と、原料ガス導入管２２の噴射孔から原料ガスが噴射さ
れる。噴射孔から噴射された原料ガスは半導体ウェハ２
の表面に水平に供給され、高温雰囲気中で半導体ウェハ
２と原料ガスとが反応して、半導体ウェハ２に所定の処
理が施される。
【００２０】本実施例の熱処理炉では、原料ガス導入管
の垂直部分の下端部を支持する下端支持部材２３を設
け、且つ下端支持部材２３を着脱自在に嵌合できる穴部
をベースプレートに設けたことにより、下端支持部材２
３を穴部に嵌め込むだけで、原料ガス導入管の垂直部分
の下端部を安定して支持できる。そして、原料ガス導入
管の垂直部分の上端部はサポートリングにより支持して
いるので、たとえ約２ｍもの長さの垂直部分を有する原
料ガス導入管であっても、安定して支持することができ
る。また、穴部の中心とサポートリングの中心とを通る
直線がウェハボートの中心軸と完全に平行となるように
予め穴部を形成することにより、原料ガス導入管の垂直
部分をウェハボートの中心軸に平行な状態で容易かつ確
実に固定することができる。したがって、本実施例の縦
型炉を、たとえば縦型減圧ＣＶＤ装置として使用する場
合には、原料ガスを原料ガス導入管の垂直部分から半導
体ウェハの表面に向けて高い精度で水平に供給すること
が可能となり、半導体ウェハの表面上及び各半導体ウェ
ハ間において膜厚や膜質等の均一性を十分高めることが
でき、薄膜形成技術の向上を図ることができる。
の垂直部分の下端部を支持する下端支持部材２３を設
け、且つ下端支持部材２３を着脱自在に嵌合できる穴部
をベースプレートに設けたことにより、下端支持部材２
３を穴部に嵌め込むだけで、原料ガス導入管の垂直部分
の下端部を安定して支持できる。そして、原料ガス導入
管の垂直部分の上端部はサポートリングにより支持して
いるので、たとえ約２ｍもの長さの垂直部分を有する原
料ガス導入管であっても、安定して支持することができ
る。また、穴部の中心とサポートリングの中心とを通る
直線がウェハボートの中心軸と完全に平行となるように
予め穴部を形成することにより、原料ガス導入管の垂直
部分をウェハボートの中心軸に平行な状態で容易かつ確
実に固定することができる。したがって、本実施例の縦
型炉を、たとえば縦型減圧ＣＶＤ装置として使用する場
合には、原料ガスを原料ガス導入管の垂直部分から半導
体ウェハの表面に向けて高い精度で水平に供給すること
が可能となり、半導体ウェハの表面上及び各半導体ウェ
ハ間において膜厚や膜質等の均一性を十分高めることが
でき、薄膜形成技術の向上を図ることができる。
【００２１】また、サポートガイドを介して下端支持部
材を支持することにより、原料ガス導入管の垂直部分は
石英製であるので、機械的強度が不足して、この垂直部
分のが破損してしまうのを防止できると共に、原料ガス
導入管の垂直部分をウェハボートの中心軸に高い精度で
平行となるように固定できる。
材を支持することにより、原料ガス導入管の垂直部分は
石英製であるので、機械的強度が不足して、この垂直部
分のが破損してしまうのを防止できると共に、原料ガス
導入管の垂直部分をウェハボートの中心軸に高い精度で
平行となるように固定できる。
【００２２】尚、本発明は、上記の実施例に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、原料ガス導
入管の垂直部分の下部を略Ｔ字状に形成した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、図３に示すように、原料ガス導入管１８０の垂直部
分１８０ａの下部において、原料ガスを水平方向から上
方向にスムーズに流すために垂直部分の下部を湾曲させ
て形成してもよい。また上記の実施例では下端支持手段
として、下端支持部材と穴部と案内手段とを設けた場合
について説明したが、下端支持手段は下端支持部材と穴
部だけ、又は下端支持部材と案内手段だけであってもよ
い。
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、原料ガス導
入管の垂直部分の下部を略Ｔ字状に形成した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、図３に示すように、原料ガス導入管１８０の垂直部
分１８０ａの下部において、原料ガスを水平方向から上
方向にスムーズに流すために垂直部分の下部を湾曲させ
て形成してもよい。また上記の実施例では下端支持手段
として、下端支持部材と穴部と案内手段とを設けた場合
について説明したが、下端支持手段は下端支持部材と穴
部だけ、又は下端支持部材と案内手段だけであってもよ
い。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
料ガス導入管の垂直部分の上端部を反応容器の内壁に支
持する上端部支持手段と、原料ガス導入管の垂直部分の
下端部を着脱自在に載置台上に支持する下端支持手段と
を設けたことにより、原料ガス導入管の垂直部分を収納
容器の中心軸に平行な状態に確実に固定することができ
るので、たとえば縦型減圧ＣＶＤ装置として使用する場
合に、原料ガスを原料ガス導入管の垂直部分から半導体
ウェハの表面に向けて高い精度で水平に供給することが
可能となり、半導体ウェハの表面上及び各半導体ウェハ
間において膜厚や膜質等の均一性を十分高めることがで
きる縦型炉を提供することができる。
料ガス導入管の垂直部分の上端部を反応容器の内壁に支
持する上端部支持手段と、原料ガス導入管の垂直部分の
下端部を着脱自在に載置台上に支持する下端支持手段と
を設けたことにより、原料ガス導入管の垂直部分を収納
容器の中心軸に平行な状態に確実に固定することができ
るので、たとえば縦型減圧ＣＶＤ装置として使用する場
合に、原料ガスを原料ガス導入管の垂直部分から半導体
ウェハの表面に向けて高い精度で水平に供給することが
可能となり、半導体ウェハの表面上及び各半導体ウェハ
間において膜厚や膜質等の均一性を十分高めることがで
きる縦型炉を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例である縦型炉の概略部分断面
図である。
図である。
【図２】その縦型炉の概略断面図である。
【図３】本実施例の変形例である縦型炉の概略部分断面
図である。
図である。
【図４】従来の縦型炉の概略断面図である。
２ 半導体ウェハ １２ 反応容器 １４ マニホールド １６ ウェハボート １８ ベースプレート １８ａ 穴部 ２２，２２０ 原料ガス導入管 ２２ａ，２２０ａ 原料ガス導入管の垂直部分 ２２ｂ 原料ガス導入管の水平部分 ２３ 下端支持部材 ２４ 保温筒 ２６ ヒータ ３２ ガス排出口 ３４ シール部 ３６ サポートガイド ３８ 回転機構 ４２ フランジ ４４ サポートリング
Claims (5)
- 【請求項１】 縦型の反応容器と、前記反応容器の下端
部に配置され、試料が収納された収納容器を載置する載
置台と、前記原料ガスを外部から反応容器内に導入する
水平部分と前記水平部分に連結され且つ前記原料ガスを
前記収納容器に収納された試料に向けて噴射する噴射孔
が形成された垂直部分とを有する原料ガス導入管とを具
備する縦型炉において、前記原料ガス導入管の垂直部分
の上端部を前記反応容器の内壁に支持する上端部支持手
段と、前記原料ガス導入管の垂直部分の下端部を着脱自
在に前記載置台上に支持する下端支持手段とを設けたこ
とを特徴とする縦型炉。 - 【請求項２】 前記下端支持手段は、載置台上に形成さ
れた穴部と、一端が前記原料ガス導入管の垂直部分の下
端に接合され、他端が前記載置台上に形成された前記穴
部に着脱自在に嵌合できるように形成された下端支持部
材とを含むものである請求項１記載の縦型炉。 - 【請求項３】 前記下端支持部材は、前記原料ガス導入
管と同じ材料により形成されている請求項２記載の縦型
炉。 - 【請求項４】 前記下端支持手段は、前記下端支持部材
の下端部を前記載置台の前記穴部に案内する案内手段を
有するものである請求項２又は３記載の縦型炉。 - 【請求項５】 前記上端支持手段は、前記原料ガス導入
管の垂直部分の上端部を摺動自在に支持するものである
請求項１，２，３又は４記載の縦型炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22509292A JPH0653144A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 縦型炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22509292A JPH0653144A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 縦型炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653144A true JPH0653144A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16823876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22509292A Withdrawn JPH0653144A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 縦型炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653144A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EA017355B1 (ru) * | 2007-09-26 | 2012-11-30 | Юни-Чарм Корпорейшн | Поглощающее изделие |
| CN107134424A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-09-05 | 东京毅力科创株式会社 | 石英管保持构造和使用了石英管保持构造的热处理装置 |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP22509292A patent/JPH0653144A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EA017355B1 (ru) * | 2007-09-26 | 2012-11-30 | Юни-Чарм Корпорейшн | Поглощающее изделие |
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| KR20170101803A (ko) * | 2016-02-29 | 2017-09-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 석영관 보유 지지 구조 및 이것을 사용한 열처리 장치 |
| CN107134424B (zh) * | 2016-02-29 | 2022-06-10 | 东京毅力科创株式会社 | 石英管保持构造和使用了石英管保持构造的热处理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |