JPH05166744A - 熱処理炉 - Google Patents
熱処理炉Info
- Publication number
- JPH05166744A JPH05166744A JP3352191A JP35219191A JPH05166744A JP H05166744 A JPH05166744 A JP H05166744A JP 3352191 A JP3352191 A JP 3352191A JP 35219191 A JP35219191 A JP 35219191A JP H05166744 A JPH05166744 A JP H05166744A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- material gas
- raw material
- gas introduction
- introduction pipe
- wall
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応容器の内壁に沿って垂直に延在する原料
ガス導入管から噴射される原料ガスを半導体ウェハーに
対して均一に供給することができる熱処理炉を提供す
る。 【構成】 熱処理炉には、反応容器１４の内壁に沿って
垂直に円柱状の保持筒３６が設けられている。保持筒は
反応容器と同じ石英製であり、反応容器に対して溶接さ
れている。保持筒は、熱処理炉の組立の際に原料ガス導
入管の垂直部分２８ｂをこの保持筒の下から挿入するこ
とにより、原料ガス導入管を保持するとともに、この垂
直部分と反応容器の内壁との間の平行を正確に維持す
る。更にこの保持筒には、長手方向にスリット３８が設
けてある。かかるスリットを設けることによって、原料
ガスは何の妨げもなく半導体ウェハーに向かって噴射さ
れる。
ガス導入管から噴射される原料ガスを半導体ウェハーに
対して均一に供給することができる熱処理炉を提供す
る。 【構成】 熱処理炉には、反応容器１４の内壁に沿って
垂直に円柱状の保持筒３６が設けられている。保持筒は
反応容器と同じ石英製であり、反応容器に対して溶接さ
れている。保持筒は、熱処理炉の組立の際に原料ガス導
入管の垂直部分２８ｂをこの保持筒の下から挿入するこ
とにより、原料ガス導入管を保持するとともに、この垂
直部分と反応容器の内壁との間の平行を正確に維持す
る。更にこの保持筒には、長手方向にスリット３８が設
けてある。かかるスリットを設けることによって、原料
ガスは何の妨げもなく半導体ウェハーに向かって噴射さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におい
て半導体ウェハーに対する拡散処理やＣＶＤ法による処
理などを行う際に使用される熱処理炉に関するものであ
る。
て半導体ウェハーに対する拡散処理やＣＶＤ法による処
理などを行う際に使用される熱処理炉に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来の熱処理炉に半導体ウェハー
が装填された状態の断面図を示す。同図において、半導
体ウェハー５０が重ねて収容された石英ボート５２は、
反応容器５４の内部に載置される。この反応容器５４は
上部が半球形とされた筒状で、その下端には開放口が設
けられている。反応容器５４の周囲にはヒータ５６が設
けられ、このヒータ５６によって半導体ウェハーと原料
ガスとの反応に必要な加熱を行う。
が装填された状態の断面図を示す。同図において、半導
体ウェハー５０が重ねて収容された石英ボート５２は、
反応容器５４の内部に載置される。この反応容器５４は
上部が半球形とされた筒状で、その下端には開放口が設
けられている。反応容器５４の周囲にはヒータ５６が設
けられ、このヒータ５６によって半導体ウェハーと原料
ガスとの反応に必要な加熱を行う。
【０００３】反応容器５４の下部にあるマニホールド５
８には、原料ガスを反応容器内に供給するための原料ガ
ス導入管６０と、原料ガス導入管６０を気密シールする
Ｏリング６２と、反応に使用された原料ガスを外部へ排
出するための排出口６４とが設けてある。原料ガス導入
管６０は単一の石英管よりなり、反応容器の壁面に沿っ
て上方に延びる垂直部分と、水平部分とからなる。原料
ガス導入管の垂直部分には、外部から送られてきた原料
ガスが反応容器５４内の半導体ウェハーに向かって水平
に噴出されるよう、多数の噴出口（図示せず）が一定の
間隔で設けてある。原料ガス導入管６０は、反応容器の
内壁上部に設けられたサポートリング６６によって反応
容器５４の内壁と一定の距離を保つようにして支持され
る。
８には、原料ガスを反応容器内に供給するための原料ガ
ス導入管６０と、原料ガス導入管６０を気密シールする
Ｏリング６２と、反応に使用された原料ガスを外部へ排
出するための排出口６４とが設けてある。原料ガス導入
管６０は単一の石英管よりなり、反応容器の壁面に沿っ
て上方に延びる垂直部分と、水平部分とからなる。原料
ガス導入管の垂直部分には、外部から送られてきた原料
ガスが反応容器５４内の半導体ウェハーに向かって水平
に噴出されるよう、多数の噴出口（図示せず）が一定の
間隔で設けてある。原料ガス導入管６０は、反応容器の
内壁上部に設けられたサポートリング６６によって反応
容器５４の内壁と一定の距離を保つようにして支持され
る。
【０００４】図４は特開平１−１０６４２４号に記載さ
れた従来の熱処理炉の断面図である。同図において図３
と同一の構成部分については同一符号を付することによ
り、その詳細な説明を省略する。この例では、原料ガス
導入管は単一の石英管ではなく、石英製の垂直部分６８
ｂと金属製の水平部分６８ａからなり、両者はフランジ
７０によって接続されている。また、金属製の水平部分
６８ａにはベローズ７２が設けられており、これによっ
て垂直部分６８ｂと水平部分６８ａに構造上の誤差があ
る場合でも両者をスムーズに接続することができる。
れた従来の熱処理炉の断面図である。同図において図３
と同一の構成部分については同一符号を付することによ
り、その詳細な説明を省略する。この例では、原料ガス
導入管は単一の石英管ではなく、石英製の垂直部分６８
ｂと金属製の水平部分６８ａからなり、両者はフランジ
７０によって接続されている。また、金属製の水平部分
６８ａにはベローズ７２が設けられており、これによっ
て垂直部分６８ｂと水平部分６８ａに構造上の誤差があ
る場合でも両者をスムーズに接続することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示す熱処理炉の
場合、原料ガス導入管６０が単一の石英管からなるた
め、垂直部分と水平部分とを正確に９０度となるよう加
工するの難しく、ある程度の誤差は避けられない。した
がって、原料ガス導入管６０の垂直部分は反応容器の内
壁と完全な平行とはならず、この結果半導体ウェハーに
対して平行となる原料ガスの流れが得られない。また、
反応容器５４の内部では、原料ガス導入管６０は反応容
器５４の内壁上部に設けられたサポートリング６６のみ
によって支持されている。このため、原料ガス導入管６
０を容易に挿入できるよう、また石英管を破損させない
よう余裕をもってサポートリング６６を製造しなければ
ならないので、遊び等によって原料ガス導入管６０は完
全には固定されていない。したがって、Ｏリング６２に
より気密・支持された原料ガス導入管の水平部分が同図
の左右方向にずれると、垂直部分も同時に動き、このこ
とによっても原料ガスの均一な噴射が妨げられる。
場合、原料ガス導入管６０が単一の石英管からなるた
め、垂直部分と水平部分とを正確に９０度となるよう加
工するの難しく、ある程度の誤差は避けられない。した
がって、原料ガス導入管６０の垂直部分は反応容器の内
壁と完全な平行とはならず、この結果半導体ウェハーに
対して平行となる原料ガスの流れが得られない。また、
反応容器５４の内部では、原料ガス導入管６０は反応容
器５４の内壁上部に設けられたサポートリング６６のみ
によって支持されている。このため、原料ガス導入管６
０を容易に挿入できるよう、また石英管を破損させない
よう余裕をもってサポートリング６６を製造しなければ
ならないので、遊び等によって原料ガス導入管６０は完
全には固定されていない。したがって、Ｏリング６２に
より気密・支持された原料ガス導入管の水平部分が同図
の左右方向にずれると、垂直部分も同時に動き、このこ
とによっても原料ガスの均一な噴射が妨げられる。
【０００６】図４に示す熱処理炉の場合には、原料ガス
導入管は石英管からなる垂直部分６８ｂと金属からなる
水平部分６８ａに分かれており、また、ベローズ７２に
よって製造上の誤差を吸収することができるので、製造
誤差による垂直部分の傾きは防ぐことができる。しかし
ながら、反応容器の内部で原料ガス導入管を支持するの
はサポートリング６６のみであるという点は図３の場合
と変わらないため、原料ガス導入管の水平部分が同図の
左右方向にずれると、やはり垂直部分も同時に動いてし
まい、これによって半導体ウェハーに対する原料ガスの
均一な噴射が妨げられる。
導入管は石英管からなる垂直部分６８ｂと金属からなる
水平部分６８ａに分かれており、また、ベローズ７２に
よって製造上の誤差を吸収することができるので、製造
誤差による垂直部分の傾きは防ぐことができる。しかし
ながら、反応容器の内部で原料ガス導入管を支持するの
はサポートリング６６のみであるという点は図３の場合
と変わらないため、原料ガス導入管の水平部分が同図の
左右方向にずれると、やはり垂直部分も同時に動いてし
まい、これによって半導体ウェハーに対する原料ガスの
均一な噴射が妨げられる。
【０００７】このように原料ガスが均一に噴射されない
と、噴出される原料ガスが半導体ウェハー５０に均一に
当たらなくなる。半導体ウェハーは反応容器の内部にお
いて一定の間隔を保つよう石英ボート５２内に収容され
ているが、生産性を考慮するとこの間隔を一定以上拡げ
ることはできない。したがって、半導体ウェハーに平行
な原料ガスの流れが得られないと、同じウェハーでも原
料ガス導入管に近い部分と遠い部分とでは原料ガスの供
給のされ方が不均一となって、半導体ウェハーに所定の
処理結果が得られない。
と、噴出される原料ガスが半導体ウェハー５０に均一に
当たらなくなる。半導体ウェハーは反応容器の内部にお
いて一定の間隔を保つよう石英ボート５２内に収容され
ているが、生産性を考慮するとこの間隔を一定以上拡げ
ることはできない。したがって、半導体ウェハーに平行
な原料ガスの流れが得られないと、同じウェハーでも原
料ガス導入管に近い部分と遠い部分とでは原料ガスの供
給のされ方が不均一となって、半導体ウェハーに所定の
処理結果が得られない。
【０００８】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、反応容器内へ噴出させる原料ガスを半導体ウェ
ハーに均一に供給することができる熱処理炉を提供する
ことを目的とする。
であり、反応容器内へ噴出させる原料ガスを半導体ウェ
ハーに均一に供給することができる熱処理炉を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、反応容器の内壁に沿って原料ガス導入管
を設け、前記ガス導入管に設けた複数の噴射孔から前記
反応容器内に原料ガスを噴射して前記反応容器内に載置
した試料と前記原料ガスとを反応させる熱処理炉におい
て、前記原料ガス導入管を被うようにして前記原料ガス
導入管を前記反応容器の内壁に平行に保持する円筒状の
保持筒を前記反応容器の内壁に設けるとともに、前記保
持筒の前記原料ガス導入管の噴射孔に接する部分に開口
部を設けたこと特徴とするものである。
めの本発明は、反応容器の内壁に沿って原料ガス導入管
を設け、前記ガス導入管に設けた複数の噴射孔から前記
反応容器内に原料ガスを噴射して前記反応容器内に載置
した試料と前記原料ガスとを反応させる熱処理炉におい
て、前記原料ガス導入管を被うようにして前記原料ガス
導入管を前記反応容器の内壁に平行に保持する円筒状の
保持筒を前記反応容器の内壁に設けるとともに、前記保
持筒の前記原料ガス導入管の噴射孔に接する部分に開口
部を設けたこと特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明は前記の構成により、原料ガス導入管の
垂直部分を前記保持筒に挿入することにより保持筒がこ
の垂直部分を被った状態となるので、原料ガス導入管は
反応容器の内壁に平行な状態で確実に保持され、上下動
の自由度のみが残される。また、この保持筒には、原料
ガス導入管の噴射孔に接する部分に開口部を設けたこと
により、この噴射孔が保持筒によって被われることはな
く、したがって原料ガスの噴射を妨げることもない。こ
れによって原料ガスは半導体ウェハーの表面に平行なガ
ス流となって反応容器内へと噴射され半導体ウェハーに
均一に供給される。
垂直部分を前記保持筒に挿入することにより保持筒がこ
の垂直部分を被った状態となるので、原料ガス導入管は
反応容器の内壁に平行な状態で確実に保持され、上下動
の自由度のみが残される。また、この保持筒には、原料
ガス導入管の噴射孔に接する部分に開口部を設けたこと
により、この噴射孔が保持筒によって被われることはな
く、したがって原料ガスの噴射を妨げることもない。こ
れによって原料ガスは半導体ウェハーの表面に平行なガ
ス流となって反応容器内へと噴射され半導体ウェハーに
均一に供給される。
【００１１】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。図１は本発明の一実施例である熱処理炉
の概略断面図、図２は反応容器を図１の矢印Ａの方向か
らみた概略断面図である。図１において、半導体ウェハ
ー１０は石英ボート１２に一定の間隔をおいて重ねて収
容され、更にこの石英ボート１２は反応容器１４の内部
に載置されている。反応容器１４は図３及び図４の場合
と同様に上部が半球形とされた筒状で、その下端は開放
口とされている。反応容器１４の周囲にはヒータ１６が
設けられ、これによって半導体ウェハー１０と反応容器
１４内へ噴射される原料ガスとの反応に必要な加熱が行
われる。
いて説明する。図１は本発明の一実施例である熱処理炉
の概略断面図、図２は反応容器を図１の矢印Ａの方向か
らみた概略断面図である。図１において、半導体ウェハ
ー１０は石英ボート１２に一定の間隔をおいて重ねて収
容され、更にこの石英ボート１２は反応容器１４の内部
に載置されている。反応容器１４は図３及び図４の場合
と同様に上部が半球形とされた筒状で、その下端は開放
口とされている。反応容器１４の周囲にはヒータ１６が
設けられ、これによって半導体ウェハー１０と反応容器
１４内へ噴射される原料ガスとの反応に必要な加熱が行
われる。
【００１２】半導体ウェハーの熱処理炉への装填は以下
のようにして行う。まず、反応容器１４の下端の開放口
をマニホールド１８上に設置し、この状態でマニホール
ド１８を持ち上げベース２０に設けられた開口部分２２
に反応容器１４の最上部をベース２０の下側から挿入す
る。このマニホールド１８はフランジ押え２４を介して
ベースの下面に固定される。次に、マニホールド１８の
底部に設けられた炉蓋２６を取り外し、この上に保温筒
２７を載置し、更に半導体ウェハーが一定の間隔を保っ
て収容された石英ボート１２を載置する。この保温筒２
７、石英ボート１２をそのままの状態にして炉蓋２６を
昇降装置（図示せず）により持ち上げ、半導体ウェハー
が収容された石英ボート１２を反応容器１４の内部に挿
入し炉蓋２６をマニホールド１８に固定する。以上の手
続は図３又は図４に示した従来装置と同様である。
のようにして行う。まず、反応容器１４の下端の開放口
をマニホールド１８上に設置し、この状態でマニホール
ド１８を持ち上げベース２０に設けられた開口部分２２
に反応容器１４の最上部をベース２０の下側から挿入す
る。このマニホールド１８はフランジ押え２４を介して
ベースの下面に固定される。次に、マニホールド１８の
底部に設けられた炉蓋２６を取り外し、この上に保温筒
２７を載置し、更に半導体ウェハーが一定の間隔を保っ
て収容された石英ボート１２を載置する。この保温筒２
７、石英ボート１２をそのままの状態にして炉蓋２６を
昇降装置（図示せず）により持ち上げ、半導体ウェハー
が収容された石英ボート１２を反応容器１４の内部に挿
入し炉蓋２６をマニホールド１８に固定する。以上の手
続は図３又は図４に示した従来装置と同様である。
【００１３】マニホールド１８には、原料ガスを反応容
器１４内に供給するための原料ガス導入管２８と、原料
ガス導入管２８を気密シールするＯリング３０と、反応
に使用された原料ガスを外部へ排出するための排出口３
２とが設けてある。原料ガス導入管２８は金属性の水平
部分２８ａと、反応容器の壁面に沿って上方に延びる石
英製の垂直部分２８ｂとからなる。これら水平部分２８
ａと垂直部分２８ｂとの接続はベローズ３４によって行
われるため、水平部分２８ａと垂直部分２８ｂとを接続
する際の正確な位置合わせは不要である。これによって
装置の組立が容易となり、石英製の垂直部分２８ｂを破
損する危険性も減少する。原料ガス導入管２８の垂直部
分２８ｂには、外部から送られて来る原料ガスが反応容
器１４内の半導体ウェハーに向かって水平に噴出される
よう、多数の噴出孔（図示せず）が一定の間隔で設けて
ある。
器１４内に供給するための原料ガス導入管２８と、原料
ガス導入管２８を気密シールするＯリング３０と、反応
に使用された原料ガスを外部へ排出するための排出口３
２とが設けてある。原料ガス導入管２８は金属性の水平
部分２８ａと、反応容器の壁面に沿って上方に延びる石
英製の垂直部分２８ｂとからなる。これら水平部分２８
ａと垂直部分２８ｂとの接続はベローズ３４によって行
われるため、水平部分２８ａと垂直部分２８ｂとを接続
する際の正確な位置合わせは不要である。これによって
装置の組立が容易となり、石英製の垂直部分２８ｂを破
損する危険性も減少する。原料ガス導入管２８の垂直部
分２８ｂには、外部から送られて来る原料ガスが反応容
器１４内の半導体ウェハーに向かって水平に噴出される
よう、多数の噴出孔（図示せず）が一定の間隔で設けて
ある。
【００１４】更に、本実施例の熱処理炉には、反応容器
１４の内壁に沿って垂直に設けられた円柱状の保持筒３
６がある。この保持筒３６は反応容器１４と同じ石英製
であり、反応容器１４に対して溶接されている。この保
持筒３６は、熱処理炉の組立の際に原料ガス導入管の垂
直部分２８ｂをこの保持筒の下側から挿入することによ
り、原料ガス導入管を保持するとともに、この垂直部分
２８ｂと反応容器の内壁との間の平行を正確に維持す
る。更に、この保持筒３６には図２に示すように長手方
向にスリット（開口部）３８が設けてある。このスリッ
ト３８の部分は原料ガス導入管２８を挿入したときに、
ちょうど原料ガス導入管２８の噴射孔が当たる部分であ
るため、かかるスリット３８を設けることによって、原
料ガスは何の妨げもなく半導体ウェハーに向かって噴射
される。
１４の内壁に沿って垂直に設けられた円柱状の保持筒３
６がある。この保持筒３６は反応容器１４と同じ石英製
であり、反応容器１４に対して溶接されている。この保
持筒３６は、熱処理炉の組立の際に原料ガス導入管の垂
直部分２８ｂをこの保持筒の下側から挿入することによ
り、原料ガス導入管を保持するとともに、この垂直部分
２８ｂと反応容器の内壁との間の平行を正確に維持す
る。更に、この保持筒３６には図２に示すように長手方
向にスリット（開口部）３８が設けてある。このスリッ
ト３８の部分は原料ガス導入管２８を挿入したときに、
ちょうど原料ガス導入管２８の噴射孔が当たる部分であ
るため、かかるスリット３８を設けることによって、原
料ガスは何の妨げもなく半導体ウェハーに向かって噴射
される。
【００１５】上記のような保持筒３６を設けたことによ
り、原料ガス導入管２８の垂直部分２８ｂは反応容器１
４の内壁に平行に保持され、図１の上下方向以外に動く
ことはない。したがって、原料ガスを半導体ウェハーに
向けて均一に噴射することができる。その結果、反応容
器１４の内部の石英ボート１２に収容された多数の半導
体ウェハーに対して均一に原料ガスを供給することが可
能となる。尚、原料ガス導入管２８が図１の下方向へ移
動するのを規制するために、原料ガス導入管２８の先端
部にビス等により止めリング４０を装着してもよい。
り、原料ガス導入管２８の垂直部分２８ｂは反応容器１
４の内壁に平行に保持され、図１の上下方向以外に動く
ことはない。したがって、原料ガスを半導体ウェハーに
向けて均一に噴射することができる。その結果、反応容
器１４の内部の石英ボート１２に収容された多数の半導
体ウェハーに対して均一に原料ガスを供給することが可
能となる。尚、原料ガス導入管２８が図１の下方向へ移
動するのを規制するために、原料ガス導入管２８の先端
部にビス等により止めリング４０を装着してもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
応容器の内壁に開口部を形成した保持筒を設けたことに
より、原料ガス導入管の垂直部分をこの保持筒に挿入す
ることによって原料ガス導入管は反応容器の内壁に平行
な状態で確実に保持される。したがって、原料ガス導入
管の噴射孔から噴射される原料ガスは半導体ウェハーに
対して均一に供給することができるので、半導体ウェハ
ーの全体を一様に処理することができ、半導体製造工程
のスループットを向上させ得る熱処理炉を提供すること
ができる。
応容器の内壁に開口部を形成した保持筒を設けたことに
より、原料ガス導入管の垂直部分をこの保持筒に挿入す
ることによって原料ガス導入管は反応容器の内壁に平行
な状態で確実に保持される。したがって、原料ガス導入
管の噴射孔から噴射される原料ガスは半導体ウェハーに
対して均一に供給することができるので、半導体ウェハ
ーの全体を一様に処理することができ、半導体製造工程
のスループットを向上させ得る熱処理炉を提供すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例である熱処理炉の概略断面図
である。
である。
【図２】図１に示した熱処理炉の反応容器を別の角度か
ら見た概略断面図である。
ら見た概略断面図である。
【図３】従来の熱処理炉の一例を示した概略断面図であ
る。
る。
【図４】従来の熱処理炉の別の例を示した概略断面図で
ある。
ある。
１０ 半導体ウェハー １２ 石英ボート １４ 反応容器 １６ ヒータ １８ マニホールド ２６ 炉蓋 ２８ 原料ガス導入管 ２８ａ 原料ガス導入管の水平部分 ２８ｂ 原料ガス導入管の垂直部分 ３２ａ 排出口 ３６ 保持筒 ３８ スリット
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器の内壁に沿って原料ガス導入管
を設け、前記ガス導入管に設けた複数の噴射孔から前記
反応容器内に原料ガスを噴射して前記反応容器内に載置
した試料と前記原料ガスとを反応させる熱処理炉におい
て、 前記原料ガス導入管を被うようにして前記原料ガス導入
管を前記反応容器の内壁に平行に保持する円筒状の保持
筒を前記反応容器の内壁に設けるとともに、前記保持筒
の前記原料ガス導入管の噴射孔に接する部分に開口部を
設けたこと特徴とする熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3352191A JPH05166744A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3352191A JPH05166744A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166744A true JPH05166744A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18422407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3352191A Withdrawn JPH05166744A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104064A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Toshiba Mach Co Ltd | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
| JP2010263082A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP3352191A patent/JPH05166744A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104064A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Toshiba Mach Co Ltd | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
| JP2010263082A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |