JPS6153429B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6153429B2 JPS6153429B2 JP57179780A JP17978082A JPS6153429B2 JP S6153429 B2 JPS6153429 B2 JP S6153429B2 JP 57179780 A JP57179780 A JP 57179780A JP 17978082 A JP17978082 A JP 17978082A JP S6153429 B2 JPS6153429 B2 JP S6153429B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- processing chamber
- gas
- moving table
- cylindrical
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- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマCVD装置に関する。出願人
は先に電子写真用ドラムとして使用されるAlド
ラム等の円筒状金属サブストレートの表面にアモ
ルフアスシリコンの薄膜を形成する手段として第
１図示のようなプラズマCVD（Chemical Vapor
Deposition）装置を提案した。この装置は円筒状
金属サブストレートａをSiH4その他のガスを導
入した真空処理室ｂ内に回転自在に収容し、該ガ
スをプラズマ発生装置ｃにより励起および電離し
て反応を起さしめ、その生成物を該サブストレー
トａの周面に附着させて薄膜を形成するが、この
場合該プラズマ発生装置ｃはサブストレートａの
周面に均一な薄膜を形成すべくこれを囲繞した電
極ｄで構成されるので該プラズマ発生装置ｃにサ
ブストレートａを出し入れし難く、連続的にサブ
ストレートａを処理出来ない不都合がある。本発
明はこうした不都合を解消することをその目的と
したもので、Alドラムその他の円筒状金属サブ
ストレートをSiH4その他のガスを導入した真空
処理室内に回転自在に収容し、該ガスを円筒形の
プラズマ発生装置により励起および電離して反応
を起さしめ、その生成物を該サブストレートの周
面に附着させて薄膜を形成する式のものに於て、
該サブストレートをこれに回転を与える回転装置
を備えた移動台に取付け、該真空処理室の上方に
該円筒形のプラズマ発生装置を上下方向に設ける
と共にその下方に前記移動台を載置して該プラズ
マ発生装置内に該サブストレートを進入させる上
昇位置に昇降自在の昇降装置を設けて成る。
は先に電子写真用ドラムとして使用されるAlド
ラム等の円筒状金属サブストレートの表面にアモ
ルフアスシリコンの薄膜を形成する手段として第
１図示のようなプラズマCVD（Chemical Vapor
Deposition）装置を提案した。この装置は円筒状
金属サブストレートａをSiH4その他のガスを導
入した真空処理室ｂ内に回転自在に収容し、該ガ
スをプラズマ発生装置ｃにより励起および電離し
て反応を起さしめ、その生成物を該サブストレー
トａの周面に附着させて薄膜を形成するが、この
場合該プラズマ発生装置ｃはサブストレートａの
周面に均一な薄膜を形成すべくこれを囲繞した電
極ｄで構成されるので該プラズマ発生装置ｃにサ
ブストレートａを出し入れし難く、連続的にサブ
ストレートａを処理出来ない不都合がある。本発
明はこうした不都合を解消することをその目的と
したもので、Alドラムその他の円筒状金属サブ
ストレートをSiH4その他のガスを導入した真空
処理室内に回転自在に収容し、該ガスを円筒形の
プラズマ発生装置により励起および電離して反応
を起さしめ、その生成物を該サブストレートの周
面に附着させて薄膜を形成する式のものに於て、
該サブストレートをこれに回転を与える回転装置
を備えた移動台に取付け、該真空処理室の上方に
該円筒形のプラズマ発生装置を上下方向に設ける
と共にその下方に前記移動台を載置して該プラズ
マ発生装置内に該サブストレートを進入させる上
昇位置に昇降自在の昇降装置を設けて成る。
本発明の実施例を別紙図面につき説明するに、
第２図及び第３図に於て１はAlドラム等の円筒
状金属サブストレート、２は真空ポンプに連らな
る排気管３により真空化される真空処理室、４は
該処理室２の上方に上下方向に設置された円筒形
のプラズマ発生装置、５は該プラズマ発生装置４
を構成する円筒形の電極を示し、該電極５はその
内面に第４図に明示するように内部の中空部６に
連らなるガス噴出孔７を備え、該中空部６へ該処
理室２の外部からガス注入管８を介して導入され
たSiH4ガス等はガス噴出孔７からサブストレー
ト１の周囲に吹出す。９は該処理室２の上方から
該電極５の円形の内部に臨ませて釣下げたヒー
タ、１０は該電極５の外周に設けたヒータ、１１
は該電極５に接続したRF電源で、真空化された
処理室２内にSiH4ガスを導入すると共に該電極
５にRF電源１１からの電力が与えられるとアー
ス電位のサブストレート１と該電極５との間で発
生するプラズマによりSiH4ガスが励起され電離
して反応を起こしアモルフアスシリコンとなつて
薄膜状にサブストレート１の周面に附着する。こ
の場合該サブストレート１は回転装置１２を備え
た移動台１３に取付けられ、該移動台１３が該処
理室２の下方に設けた例えばボールねじ１４とテ
ーブル１５とから成る昇降装置１６により上昇さ
れると、上方のプラズマ発生装置４の電極５とヒ
ータ９との間の環状の空間１７内にサブストレー
ト１が進入する。該回転装置１２は複数本のサブ
ストレート１が嵌着される複数本のホルダ１８の
各外周に形成した互に咬合する歯車１９と、処理
室２の外部から導入した回転軸２０の歯車２１に
係合しその回転を前記歯車１９の１個に伝達する
伝導歯車２２，２２とで構成され、サブストレー
ト１がプラズマ発生装置４内に進入した処理状態
にあるとき該回転装置１２が作動してサブストレ
ート１に形成される薄膜を均一化する。該処理室
２の左右に夫々ゲートバルブ２３，２４を介して
連通する真空化可能な仕込室２５と取出室２６と
を連設し、該仕込室２５に於ては側方の扉２７を
開してローラコンベア２９上の移動台１３にサブ
ストレート１を取付けされ該サブストレート１を
該仕込室２５のヒータ３０で予熱したのち処理室
２のローラコンベア３１上に送り、該処理室２で
処理が終えると移動台１３は取出室２６のローラ
コンベア３２上に送り出されそこで扉３３を開い
てサブストレート１が取出される。尚、この場合
取出室２６にも予熱用のヒータを設備して仕込室
２５と略同様の構成とし、仕込室２５と取出室２
６から交互に処理室２にサブストレート１が送り
込まれ送り出されるようにすることも可能であ
る。
第２図及び第３図に於て１はAlドラム等の円筒
状金属サブストレート、２は真空ポンプに連らな
る排気管３により真空化される真空処理室、４は
該処理室２の上方に上下方向に設置された円筒形
のプラズマ発生装置、５は該プラズマ発生装置４
を構成する円筒形の電極を示し、該電極５はその
内面に第４図に明示するように内部の中空部６に
連らなるガス噴出孔７を備え、該中空部６へ該処
理室２の外部からガス注入管８を介して導入され
たSiH4ガス等はガス噴出孔７からサブストレー
ト１の周囲に吹出す。９は該処理室２の上方から
該電極５の円形の内部に臨ませて釣下げたヒー
タ、１０は該電極５の外周に設けたヒータ、１１
は該電極５に接続したRF電源で、真空化された
処理室２内にSiH4ガスを導入すると共に該電極
５にRF電源１１からの電力が与えられるとアー
ス電位のサブストレート１と該電極５との間で発
生するプラズマによりSiH4ガスが励起され電離
して反応を起こしアモルフアスシリコンとなつて
薄膜状にサブストレート１の周面に附着する。こ
の場合該サブストレート１は回転装置１２を備え
た移動台１３に取付けられ、該移動台１３が該処
理室２の下方に設けた例えばボールねじ１４とテ
ーブル１５とから成る昇降装置１６により上昇さ
れると、上方のプラズマ発生装置４の電極５とヒ
ータ９との間の環状の空間１７内にサブストレー
ト１が進入する。該回転装置１２は複数本のサブ
ストレート１が嵌着される複数本のホルダ１８の
各外周に形成した互に咬合する歯車１９と、処理
室２の外部から導入した回転軸２０の歯車２１に
係合しその回転を前記歯車１９の１個に伝達する
伝導歯車２２，２２とで構成され、サブストレー
ト１がプラズマ発生装置４内に進入した処理状態
にあるとき該回転装置１２が作動してサブストレ
ート１に形成される薄膜を均一化する。該処理室
２の左右に夫々ゲートバルブ２３，２４を介して
連通する真空化可能な仕込室２５と取出室２６と
を連設し、該仕込室２５に於ては側方の扉２７を
開してローラコンベア２９上の移動台１３にサブ
ストレート１を取付けされ該サブストレート１を
該仕込室２５のヒータ３０で予熱したのち処理室
２のローラコンベア３１上に送り、該処理室２で
処理が終えると移動台１３は取出室２６のローラ
コンベア３２上に送り出されそこで扉３３を開い
てサブストレート１が取出される。尚、この場合
取出室２６にも予熱用のヒータを設備して仕込室
２５と略同様の構成とし、仕込室２５と取出室２
６から交互に処理室２にサブストレート１が送り
込まれ送り出されるようにすることも可能であ
る。
その作動を説明するに、真空処理室２の下方に
サブストレート１を取付けた移動台１３が送り込
まれると昇降装置１６が上昇して該サブストレー
ト１を円筒形のプラズマ発生装置４内にその下方
から進入させる。続いて該プラズマ発生装置４に
RF電源１１から電力を与えてその電極５とサブ
ストレート１との間でプラズマを発生させると共
にガス噴出孔７からSiH4ガスを噴出させ、同時
に移動台１３の回転装置１２を作動させるとサブ
ストレート１の周面に均一なアモルフアスシリコ
ンの薄膜が形成される。この形成が終ると昇降装
置１６が下降してプラズマ発生装置４からサブス
トレート１を抜出し、これを移動台１３から取外
す次工程へと送り出される。
サブストレート１を取付けた移動台１３が送り込
まれると昇降装置１６が上昇して該サブストレー
ト１を円筒形のプラズマ発生装置４内にその下方
から進入させる。続いて該プラズマ発生装置４に
RF電源１１から電力を与えてその電極５とサブ
ストレート１との間でプラズマを発生させると共
にガス噴出孔７からSiH4ガスを噴出させ、同時
に移動台１３の回転装置１２を作動させるとサブ
ストレート１の周面に均一なアモルフアスシリコ
ンの薄膜が形成される。この形成が終ると昇降装
置１６が下降してプラズマ発生装置４からサブス
トレート１を抜出し、これを移動台１３から取外
す次工程へと送り出される。
このように本発明によるときは円筒形のプラズ
マ発生装置を真空処理室の上方に設けると共にそ
の下方に昇降装置を設け、処理されるべきサブス
トレートをこれに回転を与える回転装置を備えた
移動台に取付けて該昇降装置により昇降させるよ
うにしたので、円筒形のプラズマ発生装置にサブ
ストレートを出し入れし易く連続的な処理を行な
える等の効果がある。
マ発生装置を真空処理室の上方に設けると共にそ
の下方に昇降装置を設け、処理されるべきサブス
トレートをこれに回転を与える回転装置を備えた
移動台に取付けて該昇降装置により昇降させるよ
うにしたので、円筒形のプラズマ発生装置にサブ
ストレートを出し入れし易く連続的な処理を行な
える等の効果がある。
第１図は従来例の截断面図、第２図は本発明装
置の実施例の截断平面図、第３図はその−線
截断面図、第４図は第３図の−線部分の拡大
断面図である。 １……円筒状金属サブストレート、２……真空
処理室、４……プラズマ発生装置、１２……回転
装置、１３……移動台、１６……昇降装置。
置の実施例の截断平面図、第３図はその−線
截断面図、第４図は第３図の−線部分の拡大
断面図である。 １……円筒状金属サブストレート、２……真空
処理室、４……プラズマ発生装置、１２……回転
装置、１３……移動台、１６……昇降装置。
Claims (1)
- １ Alドラムその他の円筒状金属サブストレー
トをSiH4その他のガスを導入した真空処理室内
に回転自在に収容し、該ガスを円筒形のプラズマ
発生装置により励起および電離して反応を起さし
め、その生成物を該サブストレートの周面に附着
させて薄膜を形成する式のものに於て、該サブス
トレートをこれに回転を与える回転装置を備えた
移動台に取付け、該真空処理室の上方に該円筒形
のプラズマ発生装置を上下方向に設けると共にそ
の下方に前記移動台を載置して該プラズマ発生装
置内に該サブストレートを進入させる上昇位置に
昇降自在の昇降装置を設けて成るプラズマCVD
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17978082A JPS5970764A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17978082A JPS5970764A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970764A JPS5970764A (ja) | 1984-04-21 |
| JPS6153429B2 true JPS6153429B2 (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=16071756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17978082A Granted JPS5970764A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970764A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116370A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS59131510A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の成膜方法 |
| JPS60230984A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS60230982A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS60230981A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPH0611914B2 (ja) * | 1985-02-07 | 1994-02-16 | 株式会社東芝 | 成膜装置 |
| JPH08209352A (ja) * | 1995-02-06 | 1996-08-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831185A (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-24 | ||
| JPS5718422A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-30 | Chiyoda Chem Eng & Constr Co Ltd | Turbine control device under high load of rankine cycle utilizing cold heat source of liquefied gas |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP17978082A patent/JPS5970764A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831185A (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-24 | ||
| JPS5718422A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-30 | Chiyoda Chem Eng & Constr Co Ltd | Turbine control device under high load of rankine cycle utilizing cold heat source of liquefied gas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5970764A (ja) | 1984-04-21 |
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