DE3303435C2 - Vorrichtung zur Abscheidung einer Schicht aus amorphem Silizium - Google Patents

Vorrichtung zur Abscheidung einer Schicht aus amorphem Silizium

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Abstract

Mit der erfindungsgemäßen Schichtniederschlagsvorrichtung (28) wird eine Schicht einer vorgegebenen Dicke auf jedem von mehreren Schicht-Trägern (42) abgelagert. Die Vorrichtung umfaßt ein Gehäuse (32), das abnehmbar auf einen Sockel (30) aufgesetzt ist und eine Schichtniederschlags- bzw. Beschichtungskammer bildet, deren Inneres nach außen hin abgeschlossen ist, einen Fördermechanismus (46) zur Förderung einer Anzahl von Trägern (42) in der einen Richtung durch die Beschichtungskammer, eine zur Einführung eines Behandlungsgases in das Gehäuse dienende Gaszufuhr (60) mit längs der genannten Richtung der Beschichtungskammer angeordneten Einblasteilen (48, 50) zum Einleiten des Gases in die innerhalb des Gehäuses (32) befindliche Beschichtungskammer längs der genannten Richtung sowie eine elektrische Entladungseinrichtung (74) zum Aktivieren des so in die Beschichtungskammer eingeleiteten Gases.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Abscheidung einer Schicht aus amorphem Silizium mit vorgegebener Dicke auf jedem von mehreren Schichtträgern, mit einem Sockel, einem abnehmbar auf letzteren aufgesetzten Gehäuse zur Festlegung einer Beschichtungskammer, deren Inneres nach außen hin abgeschlossen ist, einer Fördereinrichtung zum Transportieren der Träger, einer Gaszufuhr zur Einleitung eines Behandlungsgases in die Beschichtungskammer und einer elektrischen Entladungseir-richtung zum Aktivieren des mittels der Gaszufuhr in die Kammer eingeführten Behandlungsgases.
In neuerer Zeit ist auf dem Gebiet der elektronischen Kopiergeräte die Verwendung eines Photoleiters aus amorphen Silizium für eine lichtempfindliche Schicht vorgeschlagen worden. Ein lichtempfindlicher Körper mit einem Photoleiter aus amorphen Silizium als lichtempfindliche Schicht (im folgenden auch einfach als lichtempfindlicher a-Si-Körper bezeichnet) ist den bisher für die lichtempfindlichen Schichten· von elektronischen Kopiergeräten verwendeten Werkstoffen, wie a-Se, CdS, ZnO, organischen Photoleitern usw., bezüglich seiner Eigenschaften, wie Wärmebeständigkeit, Härte, Haltbarkeit und Umweltfreundlichkeit, überlegen.
Ein lichtempfindlicher a-Si-Körper wird z. B. nach dem Glimmentladungsverfahren wie folgt hergestellt:
Gemäß den F i g. 1 und 2 wird ein trommeiförmiger Schichtträger 12 drehbar in einem Gehäuse 10 angeordnet, das mittels einer Diffusionspumpe und einer Kreiselpumpe (nicht dargestellt) evaku>?rt wird. Der Träger 12 wird mit Masse verbunden und mittels eines nicht dargestellten Antriebs um seine Längsache in Drehung versetzt. Nach Öffnen eines Ventils 18 wird nach Bedarf gasförmiges SiH4 (Silan) oder ein Gemisch aus SiH4 und B2H6 oder SiH4 und PH3 in das Gehäuse 10 eingeleitet. Gleichzeitig wird ein Absaugsystem von der Verbindung mit Diffusions- und Kreiselpumpe (nicht dargestellt) auf die Verbindung mit einer mechanischen Zusatzpumpe 14 und einer Kreiselpumpe 16 umgeschaltet. Das eingeleitete Gas wird über eine Vielzahl von Gasdüsenöffnungen 22 eines Gaseinlaßrohres 20 gegen die Oberfläche des Trägers 12 geblasen, der zudem durch ein Heizelement 24 erwärmt wird. Das Gaseinlaßrohr 20 dient dabei auch als Kathode einer Hochfrequenzstromquelle 26. Nach Einstellung des Innendrucks des Gehäuses 10 auf eine vorbestimmte Größe mitteis eines nicht dargestellten, im Absaugsystem befindlichen Ventils wird Hochfrequenzstrom von der Stromquelle 26 her zwischen Kathode 20 und Träger 12 angelegt. Da der Träger 12 an Masse liegt, wirkt er gegenüber der Kathode 20 als Anode. Demzufolge tritt eine Glimmentladung zwischen dem Gasci.ilaßrohr 20 als Kathode und dem Träger 12 als Anode auf, wodurch das gasförmige SiHj aktiviert (bzw. ionisiert) wird. Im Zeitverlauf entwickelt sich dabei a-Si au( der Oberflüche des Trägers 12. Während der Abscheidung der a-Si-Schicht wird das Radikal des SiH4-GaSeS. welches nicht an der Niederschlagung der Schicht teilgenommen hat, aus dem Gehäuse 10 durch die mechanische Zusatzpumpe 14 und die Kreiselpumpe 16 abgesaugt. Dabei wird eine licht-
:mpfindliche Schicht aus a-Si in einer vorgegebenen Dicke auf der Oberfläche des Trägers 12 abgelagert Dzw. abgeschieden. Hierauf wird das Radikal des 5iH4-Gases nacheinander über eine Verbrennungssäule und einen Wäscher (nicht dargestellt) sicher in die Au-Senluft entlassen. Nach dem öffnen des Gehäuses 10 wird dann der lichtempfindliche a-Si-Körper entnommen. Hierauf bt die Herstellung eines lichtempfindlichen a-Si-Körpers abgeschlossen.
Bei dem vorstehend beschriebenen Verfahren ist jedoch die Schichtabscheidungs- bzw. -bildungsgeschwindigkeit sehr niedrig, während die Vorbereitungsmaßnahmen zum Evakuieren des Gehäuses 10 und die an die Schichtbildung anschließenden Arbeiten für das Absaugen des restlichen SiH«-Gases aus dem Gehäuse ziemlich zeitaufwendig sind, wodurch die Fertigungsleistung eingeschränkt wird. Die Fertigungskosten für einen solchen lichtempfindlichen a-Si-Körper sind daher sehr hoch.
Zur Vermeidung dieser Mängel wurde bereits ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem gemäß F: g. 3 mehrere trommeiförmige Schichtträger 12 axial in einer Reihe so angeordnet sind, daß auf ihnen a-Si-Schichten gleichzeitig abgeschieden werden können. Hierbei ist jedoch die Zahl der in das Gehäuse 10 einsetzbaren Träger 12 wegen der beschränkten Höhe des Gehäuses begrenzt, zudem gestaltet sich bei diesem Gehäuse 10 das Einsetzen und Herausnehmen der Träger 12 unbequem. Bei diesem Schichtabscheidungsverfahren müssen weiterhin nicht dargestellte Vakuumpumpen am unteren Abschnitt des Gehäuses montiert sein. Die Gasdichte innerhalb des Gehäuses 10 ist daher nicht gleichmäßig, so daß die auf die Träger 12 aufgebrachten lichtempfindlichen a-Si-Schichten unterschiedliche Dicken aufweisen können, was einen schwerwiegenden Mangel darstellt
Aus der DE-OS 29 51 453 ist ein Verfahren zur Erzeugung eines Films, beispielsweise aus amorphen Silizium, unter Anwendung einer Glimmentladung bekannt, bei dem ein Gas für die Filmerzeugung in eine auf verminderten Druck gehaltene Abscheidungskamroer geleitet wird. Das mit dem Film zu beschichtende Substrat ist rotationssymmetrisch in der Mitte der Abscheidungskammer angeordnet. Zur Erzielung einer verbesserten Gleichförmigkeit des Films wird das Substrat während der Filmerzeugung vorzugsweise in eine langsame Drehbewegung mit gleichförmiger Geschwindigkeit oder gleichförmig beschleunigter Geschwindigkeit versetzt. Bei diesem bekannten Verfahren wird jedoch jeweils nur ein Substrat in der Abscheigungskammer beschichtet.
Im Hinblick auf die Mängel des vorstehend beschriebenen Stands d?r Technik Hegt der F.rfindung somit die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Abscheidung von Filmen bzw. Schichten zu schaffen, mit der auf mehreren Schichtträgern gleichzeitig Schichten gleichmäßiger Dicke ausgebildet werden können.
Diese Aufgabe wird bei der anfangs genannten Vorrichtung erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Fördereinrichtung die verschiedenen Träger innerhalb der Beschichtungskammer in der einen Richtung fördert und dabei um ihre Achsen dreht.
Im folgenden ist ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung im Vsrgleich zum Stand der Technik anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 einen Längsschnitt durch eine bisherige Beschickungsvorrichtung;
F i g. 2 einen Querschnitt durch die Vorrichtung nach Fig. 1;
F i g. 3 einen schematischen, teilweise weggebrochenen Längsschnitt durch eine andere bisherige Beschichtungsvorrichtung;
F i g. 4 einen schematischen Längsschnitt durch eine Beschichtungsvorrichtung gemäß der Erfindung; und
F i g. 5 einen Querschnitt durch die Vorrichtung nach F i g. 4;
F i g. 6 eine teilweise weggebrochene und in vergrößertem Maßstab gehaltene perspektivische Darstellung eines Antriebsmechanismus bei der Vorrichtung nach Fig. 4.
Nachdem die F i g. 1 bis 3 eingangs bereits erläutert worden sind, ist im folgenden anhand der F i g. 4 bis 6 eine Ausführungsform der Erfindung in Form einer Vorrichtung zur Herstellung eines lichtempfindlichen Körpers aus amorphen Silizium beschrieben.
Die in den F i g. 4 und 5 dargestellte Beschichtungsvorrichtung 28 weist einen scheibenförmigen Sockel 30 auf, auf dem ein seine gesamte Oberseite abdeckendes Gehäuse 32 montiert ist. Wenn das Gehäuse 32 auf den Sockel 30 aufgesetzt ist, ist der Gehäuse-Innenraum luftdicht abgeschlossen. Das Gehäuse 32 geht vom Außenumfangsabschnitt der Oberseite des Sockels 30 lotrecht nach oben ab und weist eine zum Sockel 30 konzentrische Außenumfangs- bzw. Mantelwand 34 sowie eine deren Oberkante abdeckende bzw. mit ihr verbundene oberseitige Platte 36 auf. Im Mittelbereich der Platte 36 ist eine Vertiefung in Form eines Zylinders 38 vorgesehen, dessen Seitenwand 40 eine Innenumfangsf lache des Gehäuses 32 bildet
Im Inneren des Gehäuses 32 sind gemäß F i g. 6 sechzehn Ständer 44 zur Halterung zylindrischer Träger 42 trommeiförmiger lichtempfindlicher Körper auf dem Sockel 30 angeordnet. Die Ständer 44 sind in gleichmäßigen Abständen längs des Umfangs eines um die Mittelachse des Gehäuses 32 gezogenen Kreises und mit lotrecht stehenden Mittelachsen angeordnet. Die Ständer 44 sind durch einen noch zu beschreibenden ersten An-riebsmechanismus um ihre eigenen Mittelachsen drehbar und in einer Umlaufbewegung um das Zentrum des Sockels 30 herum bewegbar.
Im Inneren des Gehäueses 32 sind weiterhin erste und zweite Gaseinlaßteile 48 und 50 längs der Außen- bzw. Innenumfangsflächen 34 bzw. 40 angeordnet Die Gaseinlaßteile 48 und 50 bestehen aus Hohlzylindern aus einem leitfähigen Werkstoff und sind koaxial zum Gehäuse 32 angeordnet. In der lnnenumfangsfläche des ersten Gaseinlaßteils 48 und der Außenumfangsfläche des zweiten Gaseinlaßteils 50 sind jeweils zahlreiche Gasdüsen oder -Öffnungen 52 in gleichmäßiger Verteilung Ausgebildet. Eine umfangsmäßige gleichförmige Gaseinlaß-Manschette 54 ist jeweils an die Oberseiten vor. erstem und zu eitern GaseinlaOteil 48 Lzw. 50 angeschlossen und mit einer gemeinsamen Gaseinlaß Hauptleitung 56 verbunden, die ihrerseits über ein Ventil 58 mit einer Gaszufuhreinrichtung 60 zur Lieferung von gasförmigen oiH« verbunden ist. Die Manschette 54 erstreckt sich unter luftdichter Abdichtung in der oberseitigen Platte 36 durch diese in das Gehäuse 32
Der Sockel 30 wird von mehreren Gasauslaß(siimmel)-rohren 62 durchsetzt, die an der Oberseite des Sokkels 30 münden, in regelmäßigen Abständen längs eines um die Mittelachse dis GeSiäuses 32 verlaufenden Kreises angeordnet und an eine gemeinsame Gasauslaß-Hauptlcitung 64 angeschlossen sind. Letztere ist über eine mechanische Zusatzpumpe 66 und eine Kreiselpumpe 08 mit einem Luftreiniger 70 verbunden, der eine
Verbrennungssäule, einen Wäscher oder Schrubber (nicht dargestellt) usw. aufweist und zur Reinigung des aus dem Gehäuse 32 abgesaugten Gases dient.
Auf den einzelnen Ständern 44 sind jeweils zur Erwärmung der auf diese aufgesetzten Träger 42 dienende Heizelemente 72 angeordnet. Die auf die Ständer 44 aufgesetzten Träger 42 sind über die Ständer 44 mit Masse verbunden. Die beiden Gaseinlaßteile 48 und 50 sind an eine gemeinsame Hochfrequenz-Stromquelle 74 angeschlossen. Genauer gesagt: die beiden Gaseinlaßteile 48 und 50 wirken aufgrund (der Polung) der Stromquelle als Kathode, während die Träger 42 als Anode dienen. Die Stromquelle 74 kann einen Wechselstrom mit einer Ausgangsleistung von bis zu 5 kW bei einer Frequenz von 13,56 MHz liefern.
Die Träger 42 bestehen jeweils aus einem dünnwandigen zylindrischen Körper mit einem Außendurchmesser von 130 mm. Nach den noch zu beschreibenden Verfahren wird eine a-Si-Schicht in einer vorbestimmten Dicke auf der gesamten Mantelfläche jedes Trägers 42 abgeschieden. Zur Aufnahme von sechzehn Trägern 42 dieser Größe kann das Gehäuse 32 einen Außendurchmesser von 130 cm besitzen.
Im folgenden ist der erste Antriebsmechanismus 46 für die Ständer 44 erläutert.
Gemäß Fig.6 umfaßt der erste Antriebsmechanismus 46 einen koaxial auf die Oberseite des Sockels 30 aufgesetzten Antriebs-Aufsatz 76 mit einem scheibenförmigen Tisch 78 und einer koaxial an dessen Unterseite befestigten Hauptachse oder -welle 80. Die Hauptwelle 80 ist mittels eines Lagers 82 mit dem Sockel 30 um dessen Mittelachse herum drehbar verbunden. Am Unfang des Tisches 78 ist ein erstes Zahnrad 84 angeformt. Am Außenumfang des Tisches 78 ist ein Antriebszahnrad 86 angeordnet, das mit dem ersten Zahnrad 84 kämmt und das mittels einer Antriebswelle 88 mit einem unter dem Sockel 30 angeordneten Motor 90 verbunden ist. Die Antriebswelle 88 erstreckt sich lotrecht durch den Sockel 30.
jeder Ständer 44 weist eine scheibenförmige Auflage 92 zum Aufsetzen eines Trägers 42 und eine koaxiale an der Unterseite der Auflage 92 befestigte drehbare Achse 94 auf. Die Achse 94 ist dabei mittels eines Lagers 96 (Fig.4) im Tisch 78 drehbar gelagert. Am Außenumfang jeder Auflage 92 ist ein zweites Zahnrad 98 als Ritzel angeformt. An den Außenumfangsbereichen der sechzehn auf Umfangsabstände verteilten Ständer 44 ist am Sockel 30 ein Zahnkranz 100 befestigt, der einen vom Sockel 30 lotrecht nach oben abgehenden, zylindrischen Steg 102 sowie einen von der Oberkante des letzteren radial einwärts gerichteten Flansch 104 aufweist. Der Flansch 104 liegt mit seiner Innenkante konzentrisch zum Sockel 30.
Die gesamte Innenumfangskante bzw. -fläche des Flansches 104 ist als festes Zahnrad 106 in Form eines Innenzahnrades ausgebildet. Letzteres kämmt mit den jeweiligen zweiten Zahnrädern 98 der Ständer 44.
Bei laufendem Motor 90 dreht sich das Antriebszahnrad oder -ritzel 86 und versetzt dabei den mit ihm kämmenden Antriebsaufsatz 76 um die Mittelachse des Sokkels 30 herum in Drehung. Die Ständer 44 bzw. die Träger 42 laufen dabei auf einer kreisförmigen Bahn um die Mittelachse des Sockels 30 herum.
Da die Ständer 44 mit dem am Sockel 30 befestigten festen Zahnrad 106 in Eingriff stehen, führen sie bei ihrer Umlaufbewegung um die Mittelachse des Sockels 30 eine Drehbewegung um ihre jeweiligen drehbaren Achsen 94 herum aus. Die Ständer 44 bzw. die Träger 42 drehen sich somit um ihre beiden Achsen.
Im folgenden ist der Schichtabschcidungsvorgang bei der vorstehend beschriebenen Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung erläutert.
Zunächst wird das Gehäuse 32 vom Sockel 30 abgenommen, und die sechzehn trommeiförmigen Träger 42 werden jeweils auf einen der Ständer 44 aufgesetzt. Hierauf wird das Gehäuse 32 mit dem Sockel 30 verbunden, und im Inneren des Gehäuses 32 wird mittels einer
ίο Diffusionspumpe und einer Kreiselpumpe (nicht dargestellt) ein Unterdruck von 133,3 χ 10-5 Pa erzeugt. Gleichzeitig werden die Träger 42 mittels der Heizelemente 72 auf 2000C bis 3000C erwärmt. In diesem Zustand wird das Ventil 58 geöffnet, um gasförmiges SiH< von der Gaszufuhr 60 über die Gaseinlaß-Hauptleitung 56 und die Verteilerrohre 54 zu den ersten und zweiten Gaseinlaßtcileti 48 und 50 zu leiten. Dabei wird das gasförmige SiH« über die Gasdüsen bzw. -öffnungen 52 in das Gehäuse 32 eingeleitet. Gleichzeitig wird das Absaugsystem von der Verbindung mit der Diffusionspumpe und der Kreiselpumpe (nicht dargestellt) auf die Ver* bindung mit der mechanischen Zusatzpumpe 66 und der Kreiselpumpe 68 umgeschaltet. Infolge dieser Gaseinführung herrscht im Inneren des Gehäuses 32 ein Druck im Bereich von 133 bis 533,2 Pa. Die Ständer 44 und damit die Träger 42 werden durch den ersten Antriebsmechanismus 46 sowohl in Drehung als auch in Umlaufbewegung versetzt.
Anschließend wird von der Stromquelle 74 her eine vorgegebene Spannung zwischen erste und zweite Gaseinlaßteile 48 bzw. 50 sowie die Träger 42 angelegt, um eine Glimmentladung herbeizuführen und dabei das gasförmige SiH< zu aktivieren und zu ionisieren. Hierbei lagert sich Si (Silizium) unter Bildung einer amorphen Siliziumschicht auf der äußeren Mantelfläche jedes Trägers 42 ab. Dies bedeutet, daß auf der Mantelfläche jedes Trägers eine a-Si-Schicht als lichtempfindliche Schicht abgeschieden wird. Die Entladung wird fortgesetzt, bis die a-Si-Schicht eine vorbestimmte Dicke erreicht hat. Da sich die Träger 42 hierbei sowohl in Drehung als auch in Umalufbewegung befinden, kann die abgeschiedene a-Si-Schicht sowohl auf jedem einzelnen Träger 42 als auch zwischen allen sechzehn Trägern 42 untereinander mit gleichmäßiger Dicke ausgebildet werden.
Wenn die lichtempfindliche a-Si-Schicht die vorbestimmte Dicke erreicht hat, wird die Stromquelle 74 zur Beendigung der Glimmentladung abgeschaltet Gleichzeitig wird das Ventil 58 zur Beendigung der Zufuhr von gasförmigen SiH< geschlossen. Hierauf werden d".; mechanische Zusatzpumpe 66 und die Kreiselpumpe 68 wieder in Betrieb gesetzt, um das im Gehäuse 32 verbliebene Gas abzusaugen. Das abgesaugte Gas wird durch den Luftreiniger 70 gereinigt und zur Außenluft entlassen. Nach der Absaugung des Restgases aus dem Gehäuse 32 wird dieses vom Sockel 30 abgenommen, und die auf den Ständern 44 stehenden lichtempfindlichen Trommeln mit den auf ihren Mantelflächen niedergeschlagenen lichtempfindlichen a-Si-Schichten werden aus der Vorrichtung entnommen. Auf die beschriebene Weise können sechzehn lichtempfindliche Trommeln in einem einzigen Arbeitszyklus des Schichtabscheidungsvorgangs hergestellt werden.
Bei der beschriebenen Ausführungsform können somit sechzehn lichtempfindliche Trommeln gleichzeitig herausgestellt werden, ohne daß die Träger 42 der Länge nach aufeinander aufgesetzt zu werden brauchen. Da die Träger 42 bei ihrer Drehung um ihre eigenen Achsen
um die Mittelachse des Sockels 30 umlaufen, können die lichtempfindlichen Schichten auf den einzelnen Trommeln mit gleichmäßiger Dicke ausgebildet werden. Da weiterhin die sechzehn Trommeln bei der Behandlung in derselben Ebene angeordnet sind, wird die Arbeitsleistung verbessert.
Während bei der beschriebenen Ausführungsform die Träger 42 in derselben bzw. einer einzigen Ebene angeordnet sind, können sie auch in zwei Schichten oder Ebenen angeordnet sein. Versuche haben gezeigt, daß ίο die gleichmäßige Dicke der lichtempfindlichen Schichten im wesentlichen auch dann gewährleistet wird, wenn die trommeiförmigen Träger 42 in zwei Ebenen oder Schichten angeordnet sind.
Beim beschriebenen Ausführungsbeispiel wird von
der Gaszufuhr gasförmiges SiH4 zugeführt. Das Gas _ kann jedoch erforderlichenfalls auch ein Gasgemisch aus oder mit B;H(„ PH j, O2 und/oder CH4 sein.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
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Claims (12)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zu Abscheidung einer Schicht aus amorphem Silizium mit vorgebener Dicke auf jedem von mehreren Schichtträgern (42). mit einem Sockel (30), einem abnehmbar auf letzteren aufgesetzten Gehäuse (32) zur Festlegung einer Beschichtungskammer, deren Inneres nach außen hin abgeschlossen ist, einer Fördereinrichtung (46) zum Transportieren der Träger (42), einer Gaszufuhr (60) zur Einleitung eines Behandlungsgases in die Beschichtungskammer und einer elektrischen Entladungseinrichtung (74) zum Aktivieren des mittels der Gaszufuhr (60) in die Kammer eingeführten Behandlungsgases, dadurch gekennzeichnet, daß die Fördereinrichtung (46) der verschiedenen Träger (42) innerhalb der Beschichtungskammer in der einen Richtung fördert und dabei um ihre Achsen dreht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaszufuhr zwei Gaseinlaßteile aufweist, die längs der genannten Richtung verlaufen und die mit dazwischen befindlichen Schichtträgern einander gegenüberstehen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Gaseinlaßteil aus einem leitfähigen Werkstoff besteht.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dnß die elektrische Entladungseinrichtung eine mit den beiden Gaseinlaßteilen verbundene Stromquelle aufweiss. und d&3 die Schichtträger an Masse liegen.
5. Vorrichtung nach Anspnu h 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Schichtträger die Form eines Hohlzylinders besitzt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fördereinrichtung Ständer aufweist, die längs der genannten Richtung bewegbar und um ihre eigenen Achsen drehbar sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fördereinrichtung eine kreisförmige Umlaufbahn aufweist und die Schichtträger auf einer endlosen Bahn antreibt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse zylindrisch ist und mit seiner Viittellinie mit dem Zentrum der kreisförmigen Umlaufbahn der Fördereinrichtung fluchtet.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Fördereinrichtung einen scheibenförmigen Antriebsaufsatz aufweist, dessen Drehzentrum mit dem Gehäusezentrum übereinstimmt, und daß die Ständer auf dem Aufsatz längs eines zu diesem konzentrischen Kreises drehbar angeordnet sind.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Ständer ein den Schichtträger tragendes, scheibenförmiges Element und ein um seinen Umfang herum ausgebildetes erstes Zahnrad aufweist und daß die Fördereinrichtung ein kreisförmiges zweites Zahnrad aufweist, das am Sockel befestigt und konzentrisch zum Gehäuse angeordnet ist, so daß das zweite Zahnrad mit dem ersten Zahnrad zu kämmen vermag.
11. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fördereinrichtung eine elliptische Umlaufbahn aufweist und die Schicht-Träger auf einer endlosen Bahn antreibt.
12. Vorrichtung nach Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Fördereinrichtung eine im wesentlichen rechteckige Umlaufbahn aufweist und die Schichtträger auf einer endlosen Bahn antreibt
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