KR102385718B1 - 진공 처리 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공 처리 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
진공 처리 장치는 가공 대상물, 특히 실리콘 웨이퍼 처리용의 다수의 처리 챔버(18, 19);
각각의 개구를 통하여 트랜스퍼 챔버(15)와 연통하는 처리 챔버(18, 19)에 부착되고 각각의 처리 챔버(18, 19)에 인접하여 위치하는 핸들링 구역을 포함하는 트랜스퍼 챔버(15);
핸들링 구역들 사이에서 가공 대상물을 이동시키도록 구성된 트랜스퍼 챔버(15) 내에 정렬된 가공 대상물 캐리어; 및
핸들링 구역과 처리 챔버(18, 19) 사이에서 가공 대상물을 움직이게 하기 위한 하나 이상의 핸들러를 포함한다.
이로써, 트랜스퍼 챔버(15)는 축 주위에 링 형태를 취하고, 개구는 축에 대하여 실질적으로 평행한 개구 축을 갖는다. 이와 같이, 트랜스퍼 챔버에 대한 힘은 대형의 지지 구조물로 전용되며, 따라서 비용 효율적이고 경량이며 경질의 기계 구조물을 달성할 수 있다.

Description

진공 처리 장치 및 이의 제조 방법{Vacuum Treatment Apparatus And Method For Manufacturing}
본 발명은 진공 처리 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
이러한 진공 처리 장치는 예를 들면 박막 태양광 셀의 제조에서, 또는 반도체 제조 분야에서 사용되고 있다. 예를 들면 국제 공개공보 제WO 2010/105967 A2호에는, 태양광 셀용 베이스로서 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼의 처리에 사용되는 장치가 기재되어 있다. 장치는 기판 처리(예를 들면 스퍼터링, 에칭 또는 가열)용의 상이한 처리 챔버 또는 스테이션을 포함한다. 기판을 이들 처리 챔버 사이에서 이송하기 위해서는, 장치는 각각의 처리 챔버에 인접하게 위치하는 개별적인 핸들링 구역을 포함하는 소위 진공 처리 리시피언트(vacuum treatment recipient)인 원형 트랜스퍼 챔버를 포함한다. 가동에 있어서 소위 이송 장치인 회전 캐리어는 상이한 핸들링 구역 사이에서 기판을 이송하고, 추가의 단계에서 기판 핸들러는 핸들링 구역과 인접한 처리 챔버 사이에서 기판을 이동시킨다. 작업에 있어서, 소위 트랜스포트 챔버인 회전하는 캐리어는 기판을 상이한 핸들링 구역들 사이로 이동시키며, 추가의 단계에서 기판 핸들러는 기판을 핸들링 구역과 인접한 처리 챔버 사이로 옮긴다.
본 발명은 개량된 진공 처리 장치 및 이의 제조 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.
발명의 요약
이러한 목적은 청구항 1에서 특정한 특징을 포함하는 진공 처리 장치에 의해 달성된다. 진공 처리 장치뿐만 아니라 이의 제조 방법의 추가의 구현예는 추가의 청구항들에 특정되어 있다.
본 발명은
- 가공 대상물, 특히 실리콘 웨이퍼 처리용의 다수의 처리 챔버,
- 각각의 개구를 통하여 트랜스퍼 챔버와 연통하는 처리 챔버에 부착되고 각각의 처리 챔버에 인접하여 위치하는 핸들링 구역을 포함하는 트랜스퍼 챔버,
- 핸들링 구역들 사이에서 가공 대상물을 이동시키도록 구성된 트랜스퍼 챔버(15) 내에 정렬된 가공 대상물 캐리어 및
- 핸들링 구역과 처리 챔버(18, 19) 사이에서 가공 대상물을 움직이게 하기 위한 하나 이상의 핸들러를 포함하는 진공 처리 장치를 제안한다.
따라서, 트랜스퍼 챔버는 축 주위에 링 형태를 취하고 있고, 개구는 상기 축에 대하여 실질적으로 평행한 개구 축을 갖는다. 이로써 트랜스퍼 챔버에 대한 힘이 대형 지지 구조물, 특히 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 내부 측벽으로 전송(傳送; redirect)된다.
따라서, 비용 효율적이고 경량이며 여전히 경질인 기계 구조물을 달성할 수 있다.
설명 전반에 걸쳐서 소위 "토러스 형태(torus-shaped)" 또는 "토러스"라고도 하는 "링 형태" 또는 "링"이라는 용어 하에서, 실질적으로 편평한 본체는 스루 홀(through hole)을 포함하는 것으로 이해된다. 따라서, 스루 홀은 링 안에 그리고 링을 따라 개방된 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(transfer chamber)의 문맥에 있어서, 용어 "링 형태"는 이러한 링의 내부 공간 또는 인클로저(enclosure)를 일컫는다. 따라서, 트랜스퍼 챔버는 스루 홀에 인접한 제1의 환형 벽, 제1의 환형 벽과 대향(對向)하는 제2의 환형 벽, 링의 주변 에지에 의해 형성된 외부 측벽 및 스루 홀에 의해 형성된 내부 측벽에 의해 한정된다. 트랜스퍼 챔버가 수평 방향으로 위치하는 경우, 위쪽으로 향하는 환형 벽은 상부 벽이고 아래쪽으로 향하는 환형 벽은 하부 벽이다. 또한, 링의 높이는 환형 벽들 사이의 거리이고, 방사상 폭은 내부 측벽과 외부 측벽 사이의 거리이다. 스루 홀은 설명에서 생략된 공간이라고도 불리는 개방된 공간을 제공하는데, 이는 설치 공간(예를 들면, 파이프용 통로, 또는 서비스와 유지를 돕기 위한 공간)으로서 사용할 수 있다. 이러한 정의의 제한 없이, 이러한 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 예는 도 7b에 개략적으로 도시되어 있으며, 상응하는 설명에서 해설되어 있다.
특히, 다음 사항들 중의 하나 이상이 링 형태의 트랜스퍼 챔버에 적용된다:
- 환형 벽은 평행하다;
- 개방된 공간 또는 생략된 공간은 트랜스퍼 챔버의 중앙에 정렬된다;
- 환상 벽들 중의 적어도 하나 또는 둘 다는 원형이다;
- 측벽들 중의 적어도 하나 또는 둘 다는 원통형이다;
- 측벽들 중의 적어도 하나 또는 둘 다는 적어도 하나의 환형 벽들에 대하여 수직이다;
- 측벽들 중의 적어도 하나는 대칭 축을 규정한다;
- 내부 측벽과 외부 측벽은 대칭의 공통 축을 갖는다;
- 내부 측벽과 외부 측벽은 동심원이다;
- 형태는 워셔(washer)와 동일하거나 유사하다.
이러한 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 예는 도 7b에 개략적으로 도시되어 있으며, 상응하는 설명에서 해설되어 있다.
이러한 설명 전반에 걸쳐서, 트랜스퍼 챔버는 트랜스퍼 진공 챔버라고 불리며, 주된 진공 챔버 또는 트랜스포트 챔버(transport chamber) 및 처리 챔버(treatment chamber)는 프로세스 챔버(process chamber), 프로세스 스테이션, 트리트먼트 스테이션 또는 단순히 스테이션이라고도 불린다. 또한, 인터페이스 챔버, 예를 들면 인풋 챔버(input chamber) 또는 익사이트 챔버(exite chamber) 등의 로커(locker) 뿐만 아니라 중간 챔버는 처리 챔버로서 간주된다.
"기판"이라고도 불리는 "가공 대상물(workpiece)"은 처리될, 예를 들면 코팅될, 에칭될 또는 가열될 고형 재료의 본체이다. 한 가지 예에 있어서, 가공 대상물은 적어도 하나의 실질적인 평면 표면을 갖는, 특히 2개의 대향하는 실질적인 평면 표면을 갖는 디스크 형태 또는 웨이퍼 형태를 취한다. 가공 대상물이 회전 운동에 의해 트랜스퍼 챔버 내에서 이동하는 경우, 이의 경로는 "트랜스퍼 평면"이라고 불리우는 평면을 규정한다. 회전 가능한 가공 대상물 캐리어는 캐러셀(carousel)이라고 불리고, 핸들러는 척(chuck)이라고 불리운다. 또한, 핸들러는 "가공 대상물 리프트"라고도 불리며, 가공 대상물의 상응하는 움직임은 "리프팅(lifting)"이라고도 불린다. 따라서, 용어 "리프트"는 트랜스퍼 챔버의 위치가 수평임을 의미하거나 의미하지 않는다.
유리하게는, 본 발명에 따르는 링 형태의 구조물은 트랜스퍼 챔버에 가해진 힘을 대향 지지 구조물로 다시 보낸다. 따라서 비용이 최적화되고, 경량이며 여전히 경질인 기계 구조물을 달성할 수 있다. 이는, 하나 이상의 처리 챔버가 트랜스퍼 챔버에 대해 개방되고 처리 챔버 내부로부터의 진공의 모든 붕괴력이 트랜스퍼 챔버에 가해지는 경우에 특히 유리하다.
또한, 본 발명에 따르는 링 형태의 트랜스퍼 챔버는, 링의 중간에서의 개방된 공간이 트랜스퍼 챔버의 일부가 아니기 때문에, 트랜스퍼 챔버의 감소된 내부 공간, 즉 상당히 작은 체적을 제공한다. 이는 필요한 처리 조건으로의 신속한 이행, 특히 압력 또는 온도의 신속한 저하 또는 상승을 가능하게 한다. 이는 결국 신속한 프로세싱 사이클과 효율적인 가동 운영을 제공한다. 또한, 생략된 중앙 공간은 공급 라인과 펌프를 설치하거나, 또는 가스 또는 전기선을 이러한 공간으로 통과시키기 위해 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르는 링 형태의 트랜스퍼 챔버는 인접하지 않는 처리 챔버들 사이의 경로의 연장(lengthening)을 제공한다. 따라서, 하나의 처리 챔버로부터 다른 인접하지 않은 처리 챔버까지의 경로가 원형 트랜스퍼 챔버에서보다 더 길어지고 보다 나선형이기 때문에, 향상된 소스 분리 및/또는 2차 오염의 최소화를 달성할 수 있다. 특히, 중간 부분을 통한 숏-컷(short-cuts)이 방지된다. 이러한 경우, 내부 측벽을 따르는 경로가 가공 대상물 캐리어에 의해 차단되고 외부 측벽을 따르는 경로만이 가스 흐름에 사용 가능하기 때문에, 가공 대상물 캐리어가 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 내부 벽에 설치되는 경우에 특히 유리하다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 개방된 공간을 둘러싸고/싸거나 방사상 방향으로 뻗은 적어도 내부 공간의 실질적인 직사각형 횡단면을 갖는다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 내부 공간의 방사상 폭은 내부 공간의 높이와 동등하거나 이보다 크다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 가공 대상물 캐리어는 축 주위와 트랜스퍼 챔버의 내부 공간에 제어 가능하고 회전 가능한 링 플레이트 또는 세그먼트화 어셈블리를 포함하고, 가공 대상물 캐리어의 방사상 횡단면의 면적은 트랜스 챔버의 내부 공간의 방사상 횡단면의 70% 이상이다. 이는 진공 전도도(vacuum conductivity)를 제한한다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 방사상 내부 측벽 및 외부 측벽은 각각 내부 반경과 외부 반경을 가지며, 내부 반경의 길이는 외부 반경의 25% 이상 또는 50% 이상이다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 링 형태의 트랜스퍼 챔버는 수평 방향으로 배열된다. 이는 중력 힘을 사용하여 가공 대상물의 핸들링, 특히 이의 고정을 가능하게 하며, 따라서 효율적이고 정확한 작업을 제공한다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 가공 대상물 캐리어는 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 방사상 내부 측벽 및/또는 방사상 외부 측벽에 정렬된 베어링에 의해 한편으로 또는 양편으로 유지되고 회전 가능한 축 주위에 링 플레이트를 포함한다. 이렇게 하여, 가공 대상물 캐리어의 강력하고 정확한 유지 및/또는 안내가 달성된다.
한 가지 예에 있어서, 특히 세라믹 볼을 구비한 볼 베어링 또는 마그네틱 베어링을 사용한다. 다른 예에 있어서, 가공 대상물 캐리어의 움직임, 특히 이의 회전 운동은 기어 림과 기어에 의해 및/또는 마찰 클러치에 의해 및/또는 자기적으로 수행된다.
가공 대상물 캐리어를 이의 축 주위에서 움직이게 하는 구동 메카니즘은 전기 모터(예를 들면 스텝퍼 모터) 또는 수력 모터일 수 있다. 추가의 예에 있어서, 모터는 기어 림에 대하여 직접 작동하거나 기어 메커니즘을 통하여 작동한다. 이러한 예의 바람직한 실현에 있어서, 모터는 기어 림에 맞물려 있는 2개의 개별적인 기어에 동시에 작용한다. 바람직하게는, 치수가 동일한 2개의 기어는 서로에 대하여 예를 들면 스프링에 의해 지지된다. 이렇게 하여, 가공 대상물 캐리어의 구동은 반발 없이 수행될 수 있다. 가공 대상물 캐리어는 가공 대상물 캐리어의 절대 위치 또는 상대 운동을 결정하기 위한 위치 제어 수단[예: 인덱서(indexer)], 경량 베리어 또는 기타 센서를 나타낼 수 있다. 이러한 센서 수단은 모터 제어부와 유리하게 접속되어 가공 대상물 캐리어의 위치를 정확하게 잡아 이동시키도록 할 수 있다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 처리 챔버들 중의 적어도 하나의 내부 벽 표면은 축에 평행하고 축을 포함하는 평면에서 고려한 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 외부 측벽의 표면 및/또는 내부 측벽의 표면에 실질적으로 나란하다. 따라서, 처리 챔버는 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 외부 림 및/또는 내부 림에 가까이 있다. 이렇게 하여, 진공 인클로저는 최소화된 상부 및 하부 내력면(load bearing surface)으로 달성된다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 처리 챔버의 하나 이상의 부품, 예를 들면 하우징의 벽 또는 펌프는 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 측벽에 매우 근접하여 정렬되어 있다. 이들 부품이 고강도 재료로 제조되는 경우, 이러한 배열은 트랜스퍼 진공 챔버에 대한 기계적 필요조건을 완전히 완화시킨다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 하나 이상, 특히 모든 처리 챔버들은 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 특정한 벽, 특히 제1 환형 벽, 제2 환형 벽, 내부 측벽 또는 외부 측벽에 부착된다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 둘 이상, 특히 모든 처리 챔버들은 링 형태의 트랜스퍼 챔버의 배향하는 벽 사이, 특히 환형 벽 사이 및/또는 내부 측벽과 외부 측벽 사이에 분배된다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 적어도 2개의 처리 챔버들은 서로 대향하고 있다.
본 발명에 따르는 추가의 구현예에 있어서, 가공 대상물 캐리어는 실질적인 평면 표면에 대하여 평행하고 핸들링 구역에서 개구에 인접한 위치들 사이의 축(X)에 대하여 수직인 방향에서 실질적인 평면 표면을 하나 이상 갖는 가공 대상물을 이동시키도록 구성되고, 핸들링 구역에서 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어로부터 개구쪽으로 또는 반대로 이동시키도록 구성된 핸들링 구역에서 움직이는 가공 대상물 리프트를 추가로 포함한다. 이는, 가공 대상물이 이동하는 동안 항상 동일한 방향을 유지하기 때문에, 링 형태의 트랜스퍼 챔버에 대하여 특히 효율적이고 신뢰성이 있다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 가공 대상물 캐리어는 가공 대상물의 이동 경로에 대하여 평행한 위치에서 평면 가공물을 실질적으로 유지하도록 구성된다. 이러한 배열로, 사용 가능한 링 형태의 공간의 특히 효과적인 사용이 달성된다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 가공 대상물 캐리어는 트랜스퍼 챔버의 형태와 일치한다. 따라서, 트랜스퍼 챔버에서 사용되는공간은 효율적으로 사용된다. 하나의 예에 있어서, 가공 대상물 캐리어, 특히 이의 내부 보더(border) 또는 이의 베어링은 편평한 링의 형태 또는 워셔 디자인을 갖는다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 하나 이상의 처리 챔버는 핸들링 구역에 제공되고 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어로부터 개구쪽으로 또는 반대로 제어 가능하게 들어올리도록 구성된 가공 대상물의 가동에 의해 밀봉 작용을 제어 가능하게 설정하는 밀봉 배치를 포함하는 개구를 통하여 인접한 핸들링 구역으로부터 접근 가능하고, 밀봉 배치는 트랜스퍼 챔버의 내부를 처리 챔버의 내부로부터 분리시킨다. 이는 보다 가벼운 기계 구조물과 진공 처리 장치를 가동하기 위한 증가된 적응성을 제공한다.
이전의 구현예에 따르는 잔공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 밀봉 작용은 처리 챔버로부터 트랜스퍼 챔버로 향하는 압력차에 의해 실시된다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 처리 챔버들 중의 하나 이상은 가공 대상물의 처리를 수행하도록 구성된 제1 부분과 특히 진공 펌프에 연결성(connectivity)을 제공하기 위한 진공 조건을 설정하도록 구성된 제2 부분을 포함하며, 여기서 제1 부분 및 제2 부분 중의 하나는 가공 대상물 캐리어의 한쪽에 정렬되고, 부분들 중의 다른 하나는 한 부분의 반대편에 그리고 가공 대상물 캐리어의 다른 쪽에 위치하며, 두 부분은, 가공 대상물이 제1 부분에 대하여 처리 위치에 있는 경우, 적어도 유동 전달(flow communication)에 있다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 트랜스퍼 챔버는 이웃하는 핸들링 구역 사이에 정렬된 하나 이상의 극저온 판(cryogenic plate)을 포함한다. 이러한 배치는 트랜스퍼 챔버의 링 형태와 조합하여 특히 유리한데, 트랜스퍼 챔버에서의 가스 흐름은 강제로 극저온 판을 통과하며, 따라서 중앙 부분을 통한 숏-컷이 방지되기 때문이다. 또한, 링 형태는 좁은 채널을 제공하며, 따라서 매우 효과적인 극저온 분리를 달성할 수 있다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 트랜스퍼 챔버는 가공 대상물 캐리어 및/또는 가공 대상물의 위치 탐지를 위한 핸들링 구역 사이에 정렬된 하나 이상의 위치 센서를 포함한다. 한 가지 예에 있어서, 센서는 가공 대상물 캐리어 및/또는 가공 대상물의 상대 위치 또는 절대 위치, 특히 각도 위치를 측정하기 위한 인덱서의 역할을 한다.
본 발명에 따르는 진공 처리 장치의 추가의 구현예에 있어서, 트랜스퍼 챔버는 트랜스퍼 챔버에서의 낮은 기체 압력을 설정하기 위한 하나 이상의 가스 펌프를 포함한다. 한 가지 예에 있어서, 이러한 펌프는 하나의 처리 챔버 또는 모든 처리 챔버들에서 낮은 기체 압력을 설정하는 데 추가로 도움이 된다.
본 발명에 따르는 추가의 구현예에 있어서, 진공 처리 장치는 트랜스퍼 챔버를 위한 지지 구조물이고 트랜스퍼 챔버 및/또는 처리 챔버 바깥으로 또는 안으로 펌프되는 이송 가스에 추가로 도움이 되는 중공 파이프의 배열을 포함한다.
추가로, 본 발명은 다수의 처리 챔버들을 사용하여 진공 처리 장치를 가동하는 방법을 제공하는데, 링 형태의 트랜스퍼 챔버는 처리 챔버에 부착되고 각각의 처리 챔버에 인접한 핸들링 구역을 포함하며, 당해 방법은
- 처리 챔버들 중의 하나 사이의 가공 대상물, 특히 실리콘 웨이퍼를 핸들링 구역의 제1 구역으로 이동시키기 위한 하나의 기판 핸들러를 사용하는 단계,
- 가공 대상물을 제1 핸들링 구역으로부터 추가의 처리 챔버에 인접한 제2 핸들링 구역으로 이동시키기 위한 가공 대상물 캐리어를 구동하는 단계 및
- 가공 대상물을 제2 핸들링 구역으로부터 추가의 처리 챔버로 이동시키기 위한 하나 또는 추가의 기판 핸들러를 사용하는 단계를 포함한다.
추가로, 본 발명은
축(X) 주위에 링 형태를 취하는 가공 대상물 트랜스퍼 챔버(15)를 제공하는 단계(a),
각각의 개구를 통하여 연통하는 다수의 처리 챔버(18, 19)를 상기 축(X)에 거의 평행한 개구축들을 갖는 각각의 개구를 통하여 가공 대상물 트랜스퍼 챔버(15)에 제공하는 단계(b),
링 형태의 가공 대상물 캐리어를 링 형태의 트랜스퍼 챔버(15)에 제공하는 단계(c),
가공 대상물 리프트를 인접한 적어도 하나의 개구에 제공하는 단계(d),
가공 대상물을 트랜스퍼 챔버(15) 속에서 링 형태의 가공 대상물 캐리어에 부착시키는 단계(e),
가공 대상물이 하나의 개구와 함께 정렬되는 위치에 가공 대상물 캐리어를 가공 대상물과 함께 이동시키는 단계(f),
가공 대상물을 가공 대상물 리프트에 의해 하나의 개구 쪽으로 들어올리는 단계(g),
가공 대상물을 처리 챔버(18, 19)에 의해 진공 처리하는 단계(h),
처리된 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어에 집어넣는 단계(i),
가공 대상물이 추가의 처리 챔버(18, 19)와 함께 정렬되는 지점에서 가공 대상물 캐리어를 가공 대상물과 함께 움직이게 하는 단계(j),
처리 챔버(18, 19)들 중의 미리 정한 것에 의해 처리된 가공 대상물에 대하여 단계(h) 내지 단계(j)를 반복하는 단계(k) 및
처리된 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어에서 제거하는 단계(l)를 포함하는, 진공 처리에 의해 처리되는, 가공 대상물의 제조 방법을 제안한다.
이전의 방법 구현예의 추가의 구현에 있어서, 방법은 펌핑 시설을 하나 이상의 처리 챔버에 제공하고, 펌핑 능력에 의해 적어도 압도적으로 처리 챔버를 배기함을 추가로 포함한다.
이전의 방법 구현예의 추가의 구현에 있어서, 방법은 처리 챔버를 적어도 단계(h) 동안에 처리 챔버를 트랜스퍼 챔버로부터 밀봉 분리하는 것을 추가로 포함한다.
위에서 언급한 구현예들의 조합, 또는 조합의 조합은 추가의 조합이 된다는 점을 명확하게 지적한다. 특히, 배기 부재의 구현예는 또한 배기 조립물의 구현예이다. 오로지 모순이 될 조합들만 배제된다.
이하에서 예시적인 구현예와 포함된 단순화된 도면에 의거하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 진공 가공 시스템의 개략도이다.
도 2는 인덱서형 툴 또는 처리 시스템 중의 회전하는 운송수단의 평면 및 측면 도면이다.
도 3은 가공 챔버 섹션을 나타낸다.
도 4는 개방되고 밀폐된 처리 챔버를 구비한 평면 트랜스퍼 챔버를 나타낸다.
도 5는 스루 이송 평면 가공 챔버를 나타낸다.
도 6은 반전된 진공 밀봉부를 나타낸다.
도 7은 토러스형 트랜스퍼 챔버의 평면 및 측면 도면이다.
도 7b는 토러스형 진공 챔버의 개략도이다.
도 7c는 토러스형 진공 챔버의 횡단면도를 나타낸다.
도 8은 극저온 소스 분리의 상세도, 측면도 및 평면도이다.
도 9는 극저온 소스 분리를 나타낸다.
도 10은 연속적인 OTF 위치 센싱의 평면도 및 상세도이다.
발명의 간단한 설명
기재된 구현예는 예들을 설명하는 것을 의미하며, 발명을 제한하려는 것은 아니다.
정의 및 두문자어(acronyms; 頭文字語)
설명과 특허청구범위에 걸쳐서 다음의 정의와 두문자어가 사용된다:
처리(processing)는 기판에 작용하여 이의 표면 특성을 변경시키는 화학적, 물리적 또는 기계적 효과를 포함한다.
기판의 이송(tranferring a substrate)은, 가공의 정의에 포함되지 않는 이동, 이송, 저장 등의 기판에 대한 작용을 의미한다.
기판의 측정(measuring a substrate)은, 기판의 특성의 상태 또는 변화를 조사, 감지(detect) 또는 측정하는 것을 의미한다.
기판의 처리(처리)는 가공, 이송 및 측정을 포함한다.
본 발명의 의미에 있어서의 기판은 처리 장치에서 처리될 성분, 부품 또는 처리 대상물이다. 기판은 직사각형 형태, 사각형 형태 또는 원형 형태를 갖는 편평한 판상물(plate shaped parts)을 포함하지만, 이제 한정되지 않는다. 기판 재료는 반도체, 유리, 금속, 플라스틱 등을 포함한다. 바람직한 구현예에 있어서, 본 발명은 크기가 약 650㎠인 거의 평면의 디스크형 기판(예를 들면 직경이 30㎝ 이하인 실리콘 웨이퍼)을 다룬다. 이러한 예는 제한받지 않는다.
도 1을 살펴보면, 진공 처리 시스템, 처리 또는 진공 처리 또는 진공 처리 시스템의 단순화된 개략도를 나타낸다. 장치 A는 주위 대기압보다 낮은 압력하에 처리될 기판을 수용하기 위한 외부 인클로저 B를 적어도 포함한다. 당해 인클로저에 대한 접근은 로드 락 C, 밸브 또는 도어형 장치 H를 통하여 실현될 수 있다. 상기 진공 처리 시스템 내에서의 처리는 상기 인클로저 내에서 프로세스 스테이션(process station), 프로세스 챔버 또는 트리트먼트 스테이션(treatment station)으로 표시되는 특정한 영역 D 또는 부분 볼륨부 E, F, G로 제한될 수 있다. 상기 프로세스 챔버는, 상기 프로세스 스테이션이 나머지 진공 처리 시스템의 볼륨부로부터 일시적으로 분리되도록 하는 장치 H'를 나타낼 수 있다. 진공 시스템 A는 프로세스 스테이션 D, E, G, G, 로드 락 C 및/또는 밀폐 가능한 접속 개구 H를 통한 주위 사이에서 기판을 이동시키기 위한 핸들링 시스템 J를 나타낼 수 있다. 처리가 발생하지 않는 상기 진공 시스템 A 내에서의 구역 및/또는 볼륨부는 때때로 트랜스퍼 챔버 또는 운반 구역/볼륨부 T라고 불린다.
화학 증착(CVD)은 층이 가열된 기판 위에 부착되도록 하는 잘 공지된 기술이다. 통상적인 액상 또는 기상 전구체 재료는 처리 시스템으로 공급되어, 전구체가 열적으로 반응한 결과, 층이 부착된다.
물리 증착(PVD)은 진공 증착 기술이며, 기화된 형태의 재료를 응축시킴으로써 박막을 각종 표면(예를 들면 반도체 웨이퍼) 위에 부착시키는 각종 방법 중의 하나를 설명하는 데 사용되는 일반적인 용어이다. PVD의 변형체는, 이에 제한되지 않지만, 음극 아크 증착(cathodic arc deposition), 증발 증착(evaporative deposition), 스퍼터 증착(sputter deposition)을 포함한다. 용어 층, 코팅, 부착 및 필름은 진공 프로세싱 장치(예를 들면 CVD, LPCVD, 플라즈마 증강 CVD 또는 PVD)에서 부착되는 필름에 대하여 상호 교환 가능하게 사용된다.
배경
본 발명은 진행 중인 반도체 가공 시장에서 분명한 특수한 필요조건에 대한 해결 방안을 통합시켜 조합한다. 이들 필요조건의 일부는 도구 전개의 채산성을 증가시키는 것을 목표로 하고 있다. 나머지는 기술적 이점을 적어도 지속시키지만 가능하게는 창출하는 장비의 기술적 능력을 유지하거나 향상시키는 것이다.
하나의 장비가 반도체 장치 또는 서비스의 생산자에게 매력적이기 위해, 장비는 확실한 상업적 이득을 보여주어야 한다. 확실한 이득은 낮은 초기 투자이자 높은 생산성이다. 또한, 낮은 생산 손실률을 보장해야 한다(높은 신뢰성 및 수익률). 장비의 디자인의 경우, 이는 결과적으로 다음의 요인들이 다루어져야 함을 의미한다:
● 최소한도의 초기 투자를 수득하기 위한 낮은 빌드 비용;
● 시간 간격당 최대 제품 수를 산출해내기 위한 높은 처리량; 및
● 제조 사이클 동안 제품의 손실을 최소화하기 위한 안전 재료 핸들링.
기술적 필요조건
반도체 장치의 믿을 만한 가공에 대한 키는 가공 환경의 제어이다. 가공 대상물에 대한 증착 도구, 또는 보다 일반적으로, 진공 처리 시스템에는 뚜렷하게 충격을 주는 두 가지 국면이 있다:
1. 매우 높은 진공 수준,
2, 가공 동안 매우 이용 가능한 펌프, 및
3. 트리트먼트 스테이션 사이의 제어 불가능한 재료 교환의 부재로 인해 소스 분리 능력의 높은 수준.
용어 증착 도구 또는 처리 시스템은 일반적으로 기판 예를 들면 디스크 형태의 가공 대상물(예: 웨이퍼, 유리로부터의 디스크, 반도체, 금속 등)을 저하된 대기압 및/또는 진공 조건하에 처리하기에 적합하거나 처리하도록 디자인된 도구 또는 시스템을 일컫는다. 이러한 측면에 있어서의 처리는 층의 증착, 에칭, 중성 또는 이온화 입자에의 노출(예를 들면, 이온 충격), 냉각, 가열, 핸들링 또는 이러한 처리의 조합을 포함할 수 있다.
선행 기술의 개념
도 2는 인덱서형 도구 또는 처리 시스템에서의 회전하는 재료 트랜스포트를 나타낸다. 국제 공개공보 제WO 2010/105967호에는, 기판 캐리어 또는 기판 2를 지지하는 캐러셀을 구비한 진공 처리 시스템이 기재되어 있다. 기판 2가 캐러셀 1에 대하여 고정되어 배치됨에 따라 기판은 연속적으로 움직인다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같은 캐러셀은 핸들링 챔버 또는 외부 인클로저 4에서 단계적 회전 3을 수행한다. 트리트먼트 스테이션 6은 고정식으로 외부 인클로저에 배치되어서, 캐러셀을 회전시킴으로써, 기판은 도시한 바와 같이 트리트먼트 스테이션 6의 위치에 맞추어 조정될 수 있다. 일단 캐러셀이 적당한 위치에 있거나, 또는 지표로 되면, 기판 핸들링 장치 5는 캐러셀 회전 평면을 지나 움직여서, 프로세스 챔버를 트랜스퍼 챔버로 동시에 밀봉 처리하면서, 기판 2를 캐러셀의 바깥으로 픽업하여 기판을 트리트먼트 스테이션(또한 프로세스 챔버라고도 함) 6으로 이동시킨다.
프로세스 챔버의 밀봉(sealing)은 수직으로 이동하는 척(chuck)을 사용하거나, 이부 인클로저 4와 트리트먼트 스테이션 6 사이에서 밀봉재(seal)로서의 역할을 하는 재료 캐리어를 부가함으로써 수행될 수 있다.
프로세스 챔버에 있어서, 기판은 중력에 의해, 또는 클램프, 웨이트 링 또는 비교적 동등한 고정 수단에 의해 위치에서 유지된다.
모든 기판이 동시에 이동한다는 사실은 챔버들 사이에서 가장 가능성 있는 유효한 기판 운반을 보장하며, 이로써 장비를 통해 기판의 처리량이 높아진다. 또한, 하나의 프로세스 챔버로부터 후속의 프로세스 챔버로의 기판의 매우 간단한 이동 궤도는 기판에 대한 추진력을 최소화하면서, 운반 에러의 위험과 기판 손실을 상당히 감소시킨다. 이로써, 기판을 매우 안전하게 다룰 수 있게 된다.
선행 기술의 개념상 결점
도 3은 프로세스 챔버 섹션을 나타낸다. 거의 모든 인덱서형 도구는 바람직하게는 캐러셀 면에 대하여 평행한 밸브, 리드, 커버 또는 고형 판을 사용하여 프로세스 챔버를 밀폐하거나 커버링하여 트랜스퍼 챔버 4로부터의 프로세스 챔버 6을 적어도 부분적으로 밀봉한다. 이는 챔버를 단열하는 가장 간단한 방법을 설명하지만, 특히 큰 기판 크기에 있어서, 이들 실링 판은 매우 커지고 (무거워져서) 각종 진공 조건하에 기계적 제작시 매우 큰 힘 8이 생성된다. 특히, 프로세스 챔버 6이 배기되고 트랜스퍼 챔버 4가 진공하에 남아 있는 경우, 이들 힘은 매우 커진다. 유감스럽게도, 이러한 상황은 상당히 흔하다. 프로세스 챔버의 경우, 유지 중재(maintenance intervention)로 발생한다. 에어로크(airlock)의 경우, 힘은 모든 웨이퍼 이송에 가해진다.
프로세스 챔버가 고형 판에 의해 밀폐된다는 사실로 체적이 비교적 적은 챔버가 알맞게 생성된다. 그러나, 이로 인해, 가동하는 동안 챔버의 진공 거동을 보장하는 데 필요한 큰 프로세스 챔버 펌프가 프로세스 챔버의 치수보다 더 커질 수 있는 유감스러운 상황이 야기된다. 환언하면, 프로세스 챔버 체적이 소망대로 감소됨에 따라, 다루어질 체적에 가까운 이상적인 위치에서 진공 펌프를 배열하는 능력도 감소된다. 라인과 채널 또는 링 등의 배열을 가스에 연결하는 것을 포함하는 이러한 문제를 해결하기 위한 몇몇 방법이 고안되었지만, 이들 모두는 펌핑 속도가 프로세스 챔버의 전형적인 치수에 의해 매우 저하된다는 중대한 결점을 갖는다.
전형적으로, 인덱서 장치는 (체적에 관하여) 매우 큰 기판 트랜스퍼 챔버를 갖는다. 처리하는 동안, 이러한 챔버는 프로세싱 가스로부터 밀폐될 수 있지만, 하나의 프로세스 챔버로부터의 잔여 종(residual species)이 다른 챔버에서 끝나는 것은 거의 피할 수 없다. 대형 트랜스퍼 챔버는 대형의 고진공 펌프 이외에 소스 분리를 촉진하고 2차 오염을 최소화하는 어떠한 수단도 제공하지 않는다.
도 4는 평면형 트랜스퍼 챔버를 나타낸다. 캐러셀에 필요한 진공 트랜스퍼 챔버는, 스타형 배열 위에 배치된 매우 큰 기판 및/또는 다수의 기판이 매우 큰 캐러셀을 필요로 하여 크고 편평한 진공 인클로저 4를 초래하기 때문에, 그 자체가 문제를 야기한다. 이러한 챔버 위에 가해지는 도 4에 나타낸 바와 같은 진공 힘 14는 매우 커서, 매우 강한 챔버를 제작하여 수용 가능한 한계 이내에서 챔버 변형을 유지해야만 한다. 이로써 챔버의 보강이 필요하게 되고, 그 결과 제작 비용이 상승한다.
익히 공지된 클러스터 공구 개념과 같은 단일의 기판 핸들링 및 처리에 있어서, 미국 특허 제7,706,908호에 도시되어 있는 바와 같은 장치 특징에 대하여 기판의 위치를 측정하는 것이 가능하다. 그러나, 인덱서 공구에 있어서, 몇몇 위치는 반드시 동시에 결정해야 하지만, 실제 기판 위치의 정확한 측정은 보다 복잡하다. 따라서 대부분의 인덱서 공구는, 일단 기판이 트랜스퍼 챔버 속으로 적재되면, 기판 위치를 평가하고 기록할 아무런 수단이 없다.
요약하면, 다음의 개념적인 결점은 인덱서형 장치에 대하여 확인할 수 있다:
● 생성된 진공 힘을 다루기 위해, 매우 정교하고 값비싼 기구를 야기하는 수평형 챔버 밀봉;
● 펌프 속도와 펌프 성능을 절충하는 대형 진공 펌프에 대하여 포트(port)를 제공하지 않는 작고 편평한 프로세싱 챔버;
● 막대한 힘을 견뎌내야 하지만 여전히 매우 정확한 형태를 제공할 필요가 있는 편평한 대형 트랜스퍼 챔버. 당해 챔버는 무겁고 값비싸며 제작하기가 어렵다;
● 2차 오염을 최소화할 수단이 없다;
● 웨이퍼 핸들링 상태를 모니터할 수단이 없다.
본 발명은 진공 처리 도구에 대한 신규한 개념으로 설명한 모든 결점을 극복하는 것을 목적으로 한다.
발명의 상세한 설명
스루 트랜스퍼 플레인 프로세스 챔버(Through Transfer Plane Process Chamber)
도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 프로세스 챔버를 편평한 판으로 닫아 (밀폐시키면) 비교적 편평하고 적합한 프로세스 챔버가 만들어진다. 그러나 당해 챔버를 펌핑하면, 이러한 기하학에 의해 크게 방해받는다: 펌프는 황단면이 바람직하게는 큰 펌프 라인을 통하여 프로세스 챔버와 작동 가능하게 접속될 필요가 있다. 프로세스 챔버 체적을 지나치게 확대하지 않고 이러한 펌프 라인을 효율적으로 부착시키고/시키거나 불균질한 흐름을 생성시키는 것은 기계적인 도전이다. 또한, 챔버를 편평한 판으로 밀폐시키면, 연관된 힘으로 인해 기계적 제작에 비용이 소요된다.
엔지니어링의 어려움은 펌프를 효과적인 프로세스 챔버 너머의 평면에 의도적으로 배열하여 가동 동안에 펌핑될 체적을 확대함으로써 해결할 수 있다. 생성된 챔버는 도 5에 도시되어 있는데, 스루 트랜스퍼 플레인 프로세스 챔버를 나타낸다. 당해 챔버 디자인의 키 아이덴티파이어(key identifier)는 다음과 같다:
● 상방 이동 척(upward moving chuck; 9)이 이동면을 통하여 벨로(bellow; 10)를 밀봉면 11 쪽으로 밀어붙여서 폐쇄된 수직 챔버를 생성한다;
● 밀봉판은 재료 13과 밀봉 링을 수반하는 캐리어 링인 천공판에 의해 대체된다;
● 벨로가 상방 이동함에 따라, 캐리어 링 또는 밀봉 링을 캐러셀 바깥으로 쳐 보내어 이를 상부 프로세스 챔버의 밀봉면 쪽으로 밀어붙인다;
● 척이 하방 이동함에 따라, 캐리어 링이 캐러셀 속으로 놓여지고 벨로를 웨이퍼 이송면 14 바깥으로 잡아당긴다.
이러한 개념은
● 충분한 여유를 갖는 대형 진공 챔버를 적절한 펌핑 개구와 콘덕턴스를 구비한 매우 큰 펌프에 직접 연결함으로써 개략적으로 설명한 몇몇 단점들을 해결한다. 도 5에 있어서, 펌프 접속은 하부 왼쪽에 대형 개구로 도시되어 있지만, 동등하게 배치될 수도 있다.
● 프로세스 챔버는 벨로에 의해 밀봉되며, 이로써 모든 진공 및 압력 생성 힘이 균형이 맞지 않는 개구 힘 대신에 방사상으로 균형잡힌 힘으로 다시 보낸다. 이로써, 휠씬 가벼운 기계 시스템이 허용된다.
요약:
기판 처리용 진공 프로세스 시스템은 하나 이상의 프로세스 챔버와 하나의 트랜스퍼 챔버를 포함하고, 가스를 프로세스 시스템으로부터 제거하기 위한 수단(펌핑 수단)과 프로세스 챔버를 적어도 일시적으로 트랜스퍼 챔버로부터 밀봉하기 위한 수단을 포함하며, 기판을 이송하는 동안 펌핑 수단은 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 둘 다에 작동 가능하도록 연결되는 반면, 프로세싱 동안 펌핑 수단은 프로세스 챔버 볼륨에 단독으로 작동 가능하도록 연결된다.
또한, 본 발명은 다음과 같이 이해되고 설명될 수 있다: 도 5를 참고하면, 기판은 이송 동안 이송면(도 5의 좌측, 기판 13)에 위치하고 프로세스 평면을 한정하는 프로세스 위치에서 척 9에 의해 움직인다(예를 들면 들어 올려진다). 밀봉 평면은 밀봉면 11(프로세스 챔버를 갖는 벨로 10의 접촉 평면)에 의해 한정된다. 척 9는 이송 평면에서 기판을 수용하고, 밀봉면을 통하여 이를 (위쪽으로) 프로세스 평면으로 이동시킨다. 따라서, 프로세스 챔버 볼륨부는 밀봉면과 이송 평면을 침투함으로써, 상기 평면들의 측면 둘 다에 위치하는 볼륨부를 포함한다. 이와는 대조적으로, 도 3에 따르는 선행 기술의 프로세스 챔버 볼륨부는 밀봉면 또는 이송 평면의 한쪽에만 각각 위치한다. 이로 인해, 진공 펌프는 밀봉면과 이송 평면을 외면한 쪽에 진공 펌프가 결합되고, 커다란 펌핑 횡단면이 설정된다. 게다가, 모든 프로세스 볼륨부로부터의 진공 펌프는 이송 동안에 트랜스퍼 챔버 볼륨부에 영향을 끼칠 것이다. 본 발명의 배치에 의해, 기판의 이송 동안 가스의 흐름은 프로세스 챔버 볼륨부로부터 외면될 것이다. 유효한 볼륨부에 근접하게 정렬된 진공 펌프를 구비한 선행 기술에 있어서, 가스(및 잠재적으로는 분진과 잔해)는 프로세스 챔버 속으로 끌어 모아진다.
역진공 챔버 밀봉(Inverted Vacuum Chamber Sealing)
위에서 설명한 프로세스 챔버 밀봉법은, 프로세스 챔버 압력이 트랜스퍼 챔버 압력보다 큰 경우, 챔버를 개방하도록 유도하는 힘이 없는 것이 자명하기 때문에, 프로세스 챔버를 밀봉하는 데 유리하다. 밀봉 메카니즘의 이러한 국면은 강화되어 진공력이 최초 상태에 대하여 반전(反轉)한다. 이는, 프로세스 챔버 압력이 트랜스퍼 챔버 압력보다 큰 경우, 진공력이 프로세스 챔버의 밀폐를 유도하도록 디자인되었음을 의미한다.
이러한 힘의 전환은 벨로의 가동 가능한 부분을 밀봉하는 O-링의 직경을 벨로의 외부 직경보다 작은 크기로 감소시킴으로써 실현된다.
이러한 배치는 도 6에 도시되어 있는데, 역진공 밀봉(inverted vacuum seal)을 나타낸다. 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 사이에 압력차가 없는 경우, 어떠한 힘도 밀봉부에 가해지지 않는다. 프로세스 챔버 22 내부의 압력이 트랜스퍼 챔버 23에서의 압력보다 큰 경우, 밀봉 O-링을 24로 나타낸 거리만큼 보다 안쪽으로 조정함으로써 생성된 영역 25는 압력차에 노출될 것이다.
조정으로 인해, 힘은 프로세스 챔버를 밀폐시키도록 구동하는 25에 가해지는 압력차로부터 생성된다. 그 결과, 밀봉 역학(sealing mechanics)과 전반적인 역학적 구조는 보다 가볍게 만들어질 수 있다. 그러나, 프로세스 챔버가 진공하인 동안에 트랜스퍼 챔버가 배기되는 경우, 상황은 역전되고, 압력차는 프로세스 챔버를 개방한다는 점을 주목해야 한다.
이러한 개념은
● 프로세스 챔버의 압력이 트랜스퍼 챔버의 압력보다 큰 경우,프로세스 챔버 또는 에어록 그 자체가 밀폐되는 상황을 설정함으로써 몇몇 단점들을 해결하며, 보다 간단하고 보다 가벼운 구조물이 생성되고, 이로써 복잡성과 비용이 감소한다.
요약:
기판 처리용 진공 프로세스 시스템은 하나 이상의 프로세스 챔버와 하나의 트랜스퍼 챔버, 및 프로세스 챔버를 트랜스퍼 챔버로부터 적어도 일시적으로 밀봉하기 위한 하나의 벨로를 포함하며, 상기 벨로는 제1 개구와 제2 개구를 구비하고, 제1 개구의 직경은 제2 개구의 직경보다 작고, 보다 작은 제1 개구는 플랜지 또는 경질 칼라(rigid collar)에 의해 고정하여 둘러싸이며, 플랜지 또는 칼라는 상기 개구에 대하여 필수적으로 평행하게 배열된 영역 또는 평면을 나타낸다.
진공 프로세스 시스템에서 프로세스 챔버를 트랜스퍼 챔버로부터 밀봉하는 방법에 있어서, 상기 프로세스 챔버는 당해 프로세스 챔버를 트랜스퍼 챔버에 접속시키는 개구("프로세스 챔버 개구")를 구비하고, 개구를 2개 갖는 유연성 벨로(flex bellow)를 추가로 구비하며, 제1 개구의 직경은 제2 개구의 직경보다 작고, 보다 작은 제1 개구는 상기 개구에 대하여 필수적으로 평행하게 배열된 영역 또는 평면을 갖는 플랜지 또는 경질 칼라에 의해 고정되어 둘러싸인다. 제2의 더 큰 개구는 작동 가능하도록 펌핑 수단에 접속된다. 밀봉 단계는 프로세스 챔버를 유연성 벨로의 제1 개구와 작동 가능하도록 접속시키고, 프로세스 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이의 압력차를 설정함으로써 완수되는데, 처리하는 동안 프로세스 챔버에서의 압력은 트랜스퍼 챔버에서의 압력보다 크다.
토러스 형태의 챔버(Torus Shaped Chamber)
위에서 설명한 바와 같은 선행 기술에 따르는 트랜스퍼 챔버는, 트리트먼트 스테이션에서 진공 상태와는 상관없이, 배출되는 경우, 최고의 진공력을 경험한다. 벨로의 밀폐력은 이러한 영향에 부분적으로 대응하지만, 프로세스 챔버가 개방되는 경우, 장치 내부의 진공의 최고 붕괴력은 트랜스퍼 챔버에 가해진다.
이러한 영향에 대응하는 몇몇 방책이 있다. 챔버는 고강도 재료 및/또는 매우 두꺼운 재료로 제조할 수 있다. 두 방법 모두 비용이 든다.
상이한 처리 방안은 상부 및 하부 내력판(load bearing plate)을 접속하는, 챔버 내부에 지지 구조물을 놓는 것이다. 인덱서형 도구의 회전형 배열에 있어서, 오로지 가능한 지지 구조물은 중앙 포스트(central post)이다. 이는 비교적 큰 내력면을 남기며, 중량 구조물을 필요로 한다.
후자 방안을 한계로 강요하는 경우, 즉 중앙 포스트의 직경을 증가시키는 경우, 지지 구조물은 크게 만들 수 있다. 자연스러운 제한은 디스크형 트랜스포트 챔버의 외부 림에 인접하게 정렬되는 프로세스 스테이션에 필요한 공간이다. 토러스 형태의 진공 인클로저는 토러스 형태의 트랜스퍼 챔버를 나타내는 도 7에 도시한 바와 같은 최소화된 상부 및 하부 내력판을 사용하여 달성할 수 있다. 토러스 형태의 진공 인클로저의 내부 직경은 토러스 형태의 진공 인클로저의 외부 직경의 대략 41%이다.
토러스 디자인을 제작하는 경우, 외부 직경 16은 가능한 한 작게 유지되고, 내부 직경 17은 가능한 한 크게 유지된다. 이로써, 상부 프로세스 챔버 부분 18과 하부 프로세스 챔버 부분 19가 토러스의 수직 벽 20에 대하여 매우 가깝게 놓여진다. 이러한 중요한 부품들은 통상적으로 고강도 재료로 만들어지기 때문에, 이러한 배열은 역학적 필요조건을 트랜스퍼 진공 챔버로 완화시킨다.
이러한 배치의 이득을 보는 다른 국면은 2차 오염의 소스 분리 또는 최소화이다. 웨이퍼 트랜스퍼 시스템의 토러스형 진공 챔버에 있어서, 하나의 프로세스 스테이션에서 다른 비인접 스테이션 21로의 경로는 단일의 볼륨 트랜스퍼 챔버에서 보다 길고, 뒤얽힌다. 이로써 소스 분리가 향상된다.
게다가, 트랜스퍼 챔버의 전체 볼륨은 트랜스퍼 챔버의 중앙 부품을 누락시킴으로써 상당히 저하된다. 토러스 외부에서 이러한 공간을 사용하여 공급 라인을 설치하고 펌프를 정렬하거나, 가스 또는 전기선을 시스템의 상부로부터 하부로 향하게 할 수 있다.
이러한 개념은
● 주된 진공 챔버에 가해지는 힘을 가능한 한 최대로 지지 구조물로 향하게 함으로써 몇몇 단점들을 해결하며, 비용을 최적화하고 가볍고 여전히 경질의 역학적 구조물이 제작될 수 있다.
● 비인접 프로세스 스테이션들 사이의 경로를 길게 함으로써 2차 오염이 최소화된다.
기판 케리어는 토러스 형태와 매칭되는 형태[예를 들어 편평한 링 또는 워셔 -디자인(washer-design)]를 갖는 것이 유리할 것이다. 링을 수반하는 이러한 기판은 내부 및/또는 외부 수직 벽에서 배열된 장치에 의해 단면으로 유지될 수 있다. 볼 베어링 또는 자기 또는 이븐 에어 (가스) 베어링 등의 베어링은 링을 수반하는 기판을 유지하고 안내하도록 한다. 트랜스퍼 운동(회전 운동)은 기어 림과 기어, 마찰 클러치를 통하여 실현되거나 자기적으로 실현될 수 있다. 인덱서를 배치하여 링과 기판의 상대적 또는 절대적 (각도) 위치를 결정할 수 있다.
도 7b는 토러스 형태의 진공 챔버의 개략도를 나타낸다. 링 형태 또는 토러스 형태는, 링 속과 링을 따라 개방된 공간을 제공하는 중앙에 스루 홀(through hole)을 포함하는 수평 방향으로 배치되고 실질적으로 편평한 본체를 근거로 한다. 따라서, 링은 개방된 공간을 둘러싸고, 본체의 형태는 워셔(washer)와 동등하거나 유사하다.
링은 중공형이고 링의 내부 공간으로서 진공 챔버 또는 트랜스퍼 챔버를 포함한다. 따라서, 트랜스퍼 챔버는 제1 환상형 벽을 제공하는 상부 벽 K, 제2 환상형 벽을 제공하는 저부 벽 L, 링의 주변 에지에 의해 형성된 방사상 외부 측벽 M, 및 스루 홀에 의해 형성된 방사상 내부 측벽 N에 의해 한정된다. 상부 벽 K 뿐만 아니라 하부 벽 L은 서로 대향하여 스루 홀에 인접하게 배치되어 있다. 방사상 내부 측벽 N 뿐만 아니라 방사상 외부 측벽 M은 원통형 형태를 취하고, 둘 다는 공통 축 X 주위에 동심원으로 배치되어 있다. 공통 축 X로부터 방사상 내부 측벽까지의 거리는 내부 반경 Ri이고, 공통 축 X로부터 방사상 외부 측벽까지의 거리는 외부 반경 Ra이다.
또한, 상부 벽 K 뿐만 아니라 하부 벽 L은 평행하고, 각각의 내부 측벽 N 및외부 측벽 M은 상부 벽 K 뿐만 아니라 하부 벽 L에 대하여 수직이며, 각각의 방사상 측벽 N 및 M은 축의 대칭성을 규정한다. 따라서, 트랜스퍼 챔버는 반경 방향으로 뻗은 거의 직사각형 횡단면을 갖는다. 이로써, 내부 반경 Ri는 외부 반경 Ra의 대략 63%이다.
요약
하나 이상의 프로세스 챔버와 하나의 트랜스퍼 챔버를 포함하는 기판 처리용 진공 프로세스 시스템에 있어서, 트랜스퍼 챔버는 평면도에서 링 형태를 취하고, 인클로저를 설정하고 공통의 대칭 축(X) 주위에 정렬되는 환상 형태의 상부 벽(K) 및 하부 벽(L) 및 필수적으로 원형의 동심원 내부(N) 및 외부(M) 측벽을 구비한다; 기판의 이송은 상부 벽 및 하부 벽에 대하여 평행하고 대칭 축(X)에 대하여 수직 방향인 평면에서 발생하며, 프로세스 챔버는 상부 벽(K), 하부 벽(L), 내부 또는 외부 측벽(N, M)에 인접하여 정렬된다.
Ri이 대칭 축 X에 대한 내부 측벽(N)의 거리(반경)이고 Ra가 대칭 축 X에 대한 외부 측벽(M)의 거리(반경)이며, Ra ＞ Ri이고 Ri ＞ 0인 진공 프로세스 시스템.
이러한 예에 있어서, 내부 측벽(N)의 반경 Ri의 길이는 외부 측벽(M)의 반경 Ra의 약 63%이다.
다수의 프로세스 스테이션이 벽(K, L, M, N)에 인접하여 정렬되어 있고 다음 중의 하나가 유효한 프로세스 시스템:
● 모든 프로세스 챔버가 상부 벽 K에 부착되어 있다;
● 모든 프로세스 챔버가 하부 벽 L에 부착되어 있다;
● 모든 프로세스 챔버가 내부 측벽 N에 부착되어 있다;
● 모든 프로세스 챔버가 외부 측벽 M에 부착되어 있다;
● 모든 프로세스 챔버가 상부 벽 K와 하부 벽 L 사이에 분포되어 있다;
● 모든 프로세스 챔버가 내부 측벽 N과 외부 측벽 M 사이에 분포되어 있다;
● 모든 프로세스 챔버가 상부 벽 K와 하부 벽 L 사이에 분포되어 있고 서로 마주보고 있다;
● 모든 프로세스 챔버가 내부 측벽 N과 외부 측벽 M 사이에 분포되어 있고 서로 마주보고 있다.
도 7c는 토러스 형태의 진공 챔버 15의 횡단면도의 예를 나타낸다. 진공 챔버 15의 내부 공간은 제1 영역 CATC(밀폐된 빈 영역의 둘레에 의해 표시됨)를 한정하는 직사각형의 방사상 횡단면을 갖는다. 가공 대상물 캐리어로서의 회전 가능한 링 플레이트는 진공 챔버 15의 내부 공안 안에 정렬된다. 이러한 링 플레이트는 축 X 둘레에서 진공 챔버 15에 대하여 동축(coaxial)이며, 제2 영역 CAWC(빈 영dur에 의해 둘러싸인 빗금친 영역)를 한정하는 직사각형의 방사상 횡단면을 갖는다. 이러한 예에 있어서, 제2 영역 CAWC은 제1 영역 CATC의 70% 이상이다. 진공 챔버 15의 링 플레이트와 벽 사이의 갭은 좁으며, 따라서 진공 전도도(vacuum conductivity)의 양호한 제한을 제공한다.
극저온 소스 분리(Cryogenic Source Isolation)
트랜스퍼 챔버의 형태는 이미 소스 분리, 즉 프로세스 챔버의 분리를 촉진한다. 소스 분리는 모든 경우에 있어서 충분한 것으로 아직까지 기대할 수 없다. 다행스럽게도, 프로세스 스테이션들 사이의 공간으로 인해 오염 경감 수단이 실행된다.
수행될 수단은 프로세스 스테이션(33) 사이에서 물과 유기물 등의 오염종의 이동을 최소화해야만 하지만, 재료가 이동되도록 계속해서 허용한다. 이를 실현하는 가장 흥미로운 방법은 토러스 형태의 진공 챔버의 개략도를 나타내는 도 8에 도시되어 있는 바와 같은 극저온 판넬의 사용이다.
극저온 소스 분리는 웨이퍼 이동면에 대하여 평행한 하나 이상의 극저온 냉각판(30)을 재료 트랜스퍼 챔버(31) 안에 놓음으로써 실현된다. 판 또는 판들은 재료 트랜스퍼 메카니즘(31)의 역학을 방해하지 않고 재료 이송판에 대하여 가능한 한 가깝게 간격을 둔다. 판 또는 판들은 시스템 또는 극저온 온도 거동 내에서 디자인 제한에 의해 한정된 최대로 가능한 수평면 영역을 나타내도록 디자인된다. 약 60mm의 최소한의 가장 작은 폭과 반경 길이의 완전 적용 범위를 유지하여 유효성을 반드시 보장해야만 한다.
바람직한 구현예에 있어서, 판넬 30은 도 8(중간 부분)에 도시한 바와 같은 트랜스퍼 챔버의 상부 또는 하부에서 예견되는 포켓 또는 리세스 속에 정렬될 수 있다. 따라서, 저온 펌핑력은 프로세스 챔버 영역으로부터 트랜스퍼 챔버로 이동하며, 챔버 속에서의 기판의 처리 동안 유효할 것이다.
이러한 방법은 분자 유동 압력 범위의 운동학(kinematics)을 사용한다. 좁은 채널의 한쪽 또는 양쪽이 오염종을 응결시키거나 승화시키는 온도로 냉각되면, 이러한 채널의 한쪽으로부터 다른 쪽으로 움직이는 종의 흐름은 가로지르는 분자가 극저온 표면을 지나치거나 이들 표면으로부터 증발할 가능성에 의해 지배받는다. 극저온 소스 분리[콜드게이트(ColdGate) 모델]를 나타내는 도 9를 참고하면, 이러한 가능성은 좁은 채널의 전형적인 치수를 근거로 하여 평가할 수 있다.
이러한 고려 사항을 근거로 하여, 극저온 소스 분리는, 기판이 스테이션들 사이로 유동하도록 하면서, 차가운 배플판을 프로세스 스테이션 사이에 놓음으로써 수행할 수 있다. 이러한 차가운 배플판은 이들을 가열하여 유지하는 동안 세정될 수 있으며, 따라서 이전에 흡착된 가스들을 방출한다. 위에서 설명한 바와 같이 펌핑 수단을 통하여 배출한다.
이러한 개념은
● 오염종을 적극적으로 방지하여 프로세스 스테이션 사이에서 횡단하여 2차 오염을 최소화함으로써 서술한 단점들의 일부를 해결한다.
요약:
다수의 프로세스 챔버와 하나의 트랜스퍼 챔버를 포함하는 기판 처리용 진공 프로세스 시스템으로, 트랜스퍼 챔버는 링 또는 토러스 형태를 취하고, 프로세스 챔버는 토러스의 측벽 또는 상부 벽에 정렬되며, 냉각된 판은 트랜스퍼 챔버 내부의 벽에 인접하여 정렬되고; 트랜스퍼 챔버 속의 기판의 이동 경로에 평행한 평면에서 프로세스 스테이션 사이에 정렬되고; 기판 캐리어/핸들링 시스템의 최소 간격에 대하여 밀접한 관계 속에서 프로세스 스테이션 사이에 정렬된다.
평행한 시간 기본 OTF 웨이퍼 위치 측정
미국 특허 제7,706,908호에는, 단일 레이저 센서와 로봇 제어 파라메터의 조합을 근거로 하여 웨이퍼 배치를 결정하는 방법이 기재되어 있다. 유사한 방법을 인덱서형 도구에서 사용할 수 있다. 수행은
● 재료의 운동 궤적에서 재료 에지상의 적어도 두 군데의 상이한 위치에서 재료의 에지에 대하여 시야를 갖고,
● 모든 움직이는 기판의 에지를 연속적으로 측정하는 능력을 가짐으로써 지배된다.
이들 고려 사항 중에서, 첫 번째 사항은 디자인 특징이고 두 번째는 제어 능력이다.
연속적인 OTF 위치 감지를 나타내는 도 10은 웨이퍼 위치 측정의 디자인 실시를 나타낸다. 센서 40은 센서의 감지 레이저 빔이 움직이는 기판에 의해 차단되도록 스테이션들 41 사이에 놓인다. 웨이퍼 이동과 운송 매카니즘 42의 디자인은, 빔을 차단하는 기판 43 또는 빔을 차단하는 메카니즘 사이에 명백한 차이가 만들어질 수 있는 것이다. 이는, 재료 촉발 신호 변화가 없는 재료 이동을 독특하게 동정할 수 있는 동안 산호 변화의 명백한 순서를 설정함으로써 수행된다. 시스템의 역학이 변함없는 것을 안전하게 추정할 수 있기 때문에, 이들 신호는 참조로서 사용할 수 있다. 해석 알고리즘에 있어서, 참조 신호는 가변성 신호와 비교하여 두 개의 코드 길이 44를 측정한다. 이들 두 길이의 절대 크기와 상대적 차이가 설비의 허용 경계 이내이면, 재료 위치는 정확한 것으로서 규정된다.

Claims (19)

  1. 가공 대상물을 처리하기 위한 다수의 처리 챔버(18, 19),
    각각의 개구를 통하여 트랜스퍼 챔버(15)와 연통하는 처리 챔버(18, 19)에 부착되고 각각의 처리 챔버(18, 19)에 인접하여 위치하는 핸들링 구역을 포함하는 트랜스퍼 챔버(15),
    핸들링 구역 사이에서 가공 대상물을 이송하도록 구성된 트랜스퍼 챔버(15) 내에 배열된 가공 대상물 캐리어 및
    가공 대상물을 핸들링 구역과 처리 챔버(18, 19) 사이에서 이송하기 위한 하나 이상의 핸들러를 포함하는 진공 처리 장치로서,
    트랜스퍼 챔버(15)는 축(X) 주위에 링 형태를 취하고 있고, 개구는 상기 축(X)에 평행한 개구 축들을 가지며,
    처리 챔버(18, 19)들 중의 하나 이상이, 핸들링 구역에 제공되고 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어로부터 개구쪽으로 또는 반대로 제어 가능하게 들어올리도록 구성된 가공 대상물 리프트의 가동에 의해 밀봉 작업을 제어 가능하게 설정하는 밀봉 배치를 포함하는 상기 개구를 통하여 인접한 핸들링 구역으로부터 접근 가능하고, 상기 밀봉 배치(11)가 트랜스퍼 챔버의 내부를 처리 챔버(18, 19)의 내부로부터 밀봉적으로(sealingly) 분리시키고,
    처리 챔버(18, 19)의 압력이 트랜스퍼 챔버 압력보다 높을 때, 상기 진공 처리 장치는 상기 밀봉 작업이 상기 처리 챔버(18, 19)로부터 상기 트랜스퍼 챔버(15)로 가해지는 압력차에 의해 실행되도록 구성되는, 진공 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 트랜스퍼 챔버(15)가 개방된 공간을 둘러싸거나, 방사상 방향으로 뻗는 직사각형 횡단면의 하나 이상의 내부 공간을 갖거나, 또는 개방된 공간을 둘러싸고 방사상 방향으로 뻗는 직사각형 횡단면의 하나 이상의 내부 공간을 갖는 진공 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서, 링 형태의 트랜스퍼 챔버(15)의 내부 공간의 방사상 폭이 내부 공간의 높이와 동일하거나, 이보다 큰 진공 처리 장치.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서, 가공 대상물 캐리어가 상기 축(X)에 대하여 제어 가능하게 회전 가능한 링 판상물 또는 세그먼트화 어셈블리를 포함하고, 상기 트랜스퍼 챔버(15)의 내부 공간에 있어서, 가공 대상물 캐리어의 방사상 횡단면의 면적(CAWC)이 트랜스퍼 챔버의 내부 공간의 방사상 횡단면의 면적(CATC)의 70% 이상인 진공 처리 장치.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서, 내부 반경(Ri)의 길이가 외부 반경(Ra)의 50% 이상인 진공 처리 장치.
  6. 청구항 1 또는 2에 있어서, 가공 대상물 캐리어가 축(X) 주위에 링 플레이트를 포함하고, 회전 가능하며, 링 형태의 트랜스퍼 챔버(15)의 방사상 내부 측벽(20; N), 방사상 외부 측벽(20; M), 또는 방사상 내부 측벽(20; N) 및 방사상 외부 측벽(20; M)에 정렬된 베어링에 의해 단면 또는 양면을 유지하는 진공 처리 장치.
  7. 청구항 1 또는 2에 있어서, 처리 챔버(18, 19)들 중의 하나 이상의 내부 벽 표면이 축(X)에 평행하고 축을 포함하는 평면에서 고려한 링 형태의 트랜스퍼 챔버(15)의 외부 측벽(20; M)의 표면, 내부 측벽(20; N)의 표면, 또는 외부 측벽(20; M)의 표면 및 내부 측벽(20; N)의 표면에 나란한 진공 처리 장치.
  8. 청구항 1 또는 2에 있어서, 가공 대상물 캐리어가 평면 표면에 대하여 평행하고 핸들링 구역에서 개구에 인접한 위치들 사이의 축(X)에 대하여 수직인 방향에서 평면 표면을 하나 이상 갖는 가공 대상물을 이동시키도록 구성되고, 핸들링 구역에서 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어로부터 개구쪽으로 또는 반대로 이동시키도록 구성된 핸들링 구역에서 움직이는 가공 대상물 리프트를 추가로 포함하는 진공 처리 장치.
  9. 청구항 1 또는 2에 있어서, 2개 이상의 처리 챔버(18, 19)가 서로 마주보고 있는 진공 처리 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 청구항 1 또는 2에 있어서, 처리 챔버들 중의 하나 이상이 가공 대상물의 처리를 수행하도록 구성된 제1 부분(18)과 진공 조건을 설정하도록 구성된 제2 부분(19)을 포함하고, 제1 부분 및 제2 부분 중의 하나는 가공 대상물 캐리어의 한쪽에 정렬되고, 다른 하나는 한 부분을 대향하고 가공 대상물 캐리어의 다른 쪽에 정렬되며, 두 부분은, 가공 대상물이 제1 부분에 대하여 처리 위치에 있는 경우, 적어도 유동 연통(flow communication) 상태인 진공 처리 장치.
  13. 청구항 1 또는 2에 있어서, 트랜스퍼 챔버(15)가 이웃하는 핸들링 구역들 사이에 정렬된 하나 이상의 극저온판(30)을 포함하는 진공 처리 장치.
  14. 축(X) 주위에 링 형태인 가공 대상물 트랜스퍼 챔버(15)를 제공하는 단계(a),
    각각의 개구를 통하여 연통하는 다수의 처리 챔버(18, 19)를 상기 축(X)에 평행한 개구축들을 갖는 각각의 개구를 통하여 가공 대상물 트랜스퍼 챔버(15) 내에 제공하는 단계(b),
    링 형태의 가공 대상물 캐리어를 링 형태의 트랜스퍼 챔버(15)에 제공하는 단계(c),
    가공 대상물 리프트를 인접한 하나 이상의 개구에 제공하는 단계(d),
    가공 대상물을 트랜스퍼 챔버(15) 속에서 링 형태의 가공 대상물 캐리어에 부착시키는 단계(e),
    가공 대상물이 하나의 개구와 함께 정렬되는 위치에 가공 대상물 캐리어를 가공 대상물과 함께 이동시키는 단계(f),
    가공 대상물을 가공 대상물 리프트에 의해 하나의 개구 쪽으로 제어가능하게 들어올려, 핸들링 구역에 제공된 가공 대상물 리프트의 가동에 의해 제어가능하게 밀봉 작업을 설정하는 단계(g)로서, 밀봉 배치(11)가 상기 트랜스퍼 챔버(15)의 내부를 상기 처리 챔버(18, 19)의 내부로부터 밀봉적으로 분리하여 상기 밀봉 작업은 처리 챔버(18, 19)의 압력이 트랜스퍼 챔버 압력보다 높을 때, 상기 처리 챔버(18, 19)로부터 상기 트랜스퍼 챔버(15)로 가해지는 압력차에 의해 실행되는, 단계(g);
    가공 대상물을 처리 챔버(18, 19)에 의해 진공 처리하는 단계(h),
    처리된 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어에 집어넣는 단계(i),
    가공 대상물이 추가의 처리 챔버(18, 19)와 함께 정렬되는 지점에서 가공 대상물 캐리어를 가공 대상물과 함께 움직이게 하는 단계(j),
    처리 챔버(18, 19)들 중의 미리 정해진 것에 의해 처리된 가공 대상물에 대하여 단계(h) 내지 단계(j)를 반복하는 단계(k) 및
    처리된 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어에서 제거하는 단계(l)를 포함하는, 진공 처리에 의해 처리되는 가공 대상물의 제조 방법.
  15. 청구항 14에 있어서, 펌핑 설비를 처리 챔버들 중의 하나 이상에 제공하고, 트랜스퍼 챔버(15)를 펌핑 능력에 의해 적어도 압도적으로 배기하는 단계를 추가로 포함하는, 진공 처리에 의해 처리되는 가공 대상물의 제조 방법.
  16. 청구항 14 또는 15에 있어서, 적어도 단계(h) 동안에 처리 챔버(18, 19)를 트랜스퍼 챔버(15)로부터 밀봉 분리시키는 단계를 추가로 포함하는, 진공 처리에 의해 처리되는 가공 대상물의 제조 방법.
  17. 실리콘 웨이퍼를 처리하기 위한 다수의 처리 챔버(18, 19),
    각각의 개구를 통하여 트랜스퍼 챔버(15)와 연통하는 처리 챔버(18, 19)에 부착되고 각각의 처리 챔버(18, 19)에 인접하여 위치하는 핸들링 구역을 포함하는 트랜스퍼 챔버(15),
    핸들링 구역 사이에서 가공 대상물을 이송하도록 구성된 트랜스퍼 챔버(15) 내에 배열된 가공 대상물 캐리어 및
    가공 대상물을 핸들링 구역과 처리 챔버(18, 19) 사이에서 이송하기 위한 하나 이상의 핸들러를 포함하는 진공 처리 장치로서,
    트랜스퍼 챔버(15)는 축(X) 주위에 링 형태를 취하고 있고, 개구는 상기 축(X)에 평행한 개구 축들을 가지며,
    처리 챔버(18, 19)들 중의 하나 이상이, 핸들링 구역에 제공되고 가공 대상물을 가공 대상물 캐리어로부터 개구쪽으로 또는 반대로 제어 가능하게 들어올리도록 구성된 가공 대상물 리프트의 가동에 의해 밀봉 작업을 제어 가능하게 설정하는 밀봉 배치를 포함하는 상기 개구를 통하여 인접한 핸들링 구역으로부터 접근 가능하고, 상기 밀봉 배치(11)가 트랜스퍼 챔버의 내부를 처리 챔버(18, 19)의 내부로부터 밀봉적으로 분리시키고,
    처리 챔버(18, 19)의 압력이 트랜스퍼 챔버 압력보다 높을 때, 상기 진공 처리 장치는 상기 밀봉 작업이 상기 처리 챔버(18, 19)로부터 상기 트랜스퍼 챔버(15)로 가해지는 압력차에 의해 실행되도록 구성되는, 진공 처리 장치.
  18. 청구항 1 또는 2에 있어서, 처리 챔버들 중의 하나 이상이 가공 대상물의 처리를 수행하도록 구성된 제1 부분(18)과 연결(connectivity)을 진공 펌프에 제공하기 위한 진공 조건을 설정하도록 구성된 제2 부분(19)을 포함하고, 제1 부분 및 제2 부분 중의 하나는 가공 대상물 캐리어의 한쪽에 정렬되고, 다른 하나는 한 부분을 대향하고 가공 대상물 캐리어의 다른 쪽에 정렬되며, 두 부분은, 가공 대상물이 제1 부분에 대하여 처리 위치에 있는 경우, 적어도 유동 연통 상태인 진공 처리 장치.

  19. 청구항 1 또는 2에 있어서, 링 형태의 트랜스퍼 챔버(15)의 방사상 내부 및 외부 측벽(20)이 각각 내부 반경(Ri)과 외부 반경(Ra)을 가지며, 내부 반경(Ri)의 길이가 외부 반경(Ra)의 25% 이상인, 진공 처리 장치.
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