TWI574341B - 真空處理設備及製造方法 - Google Patents

真空處理設備及製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI574341B
TWI574341B TW100148755A TW100148755A TWI574341B TW I574341 B TWI574341 B TW I574341B TW 100148755 A TW100148755 A TW 100148755A TW 100148755 A TW100148755 A TW 100148755A TW I574341 B TWI574341 B TW I574341B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
chamber
processing
vacuum
transport
Prior art date
Application number
TW100148755A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201236102A (en
Inventor
巴特 史考特凡麥斯特
渥夫甘 麗茲勒
羅傑 勞德
羅夫 巴茲蘭
丹尼爾 羅勒
Original Assignee
歐瑞康先進科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 歐瑞康先進科技股份有限公司 filed Critical 歐瑞康先進科技股份有限公司
Publication of TW201236102A publication Critical patent/TW201236102A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI574341B publication Critical patent/TWI574341B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B45/00—Pumps or pumping installations having flexible working members and specially adapted for elastic fluids
    • F04B45/02—Pumps or pumping installations having flexible working members and specially adapted for elastic fluids having bellows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)

Description

真空處理設備及製造方法
本發明係關於一種真空處理設備及製造方法。
此類真空處理設備例如係用以製造薄膜太陽能電池或半導體製造的領域中。例如，WO2010/105967 A2顯示一種用於處理矽晶圓的設備，其中矽晶圓係用以作為太陽能電池的基底部分。此設備包含用以處理基板的不同處理室或處理站，例如用於濺鍍、蝕刻或加熱。為了將基板在這些處理室之間運送，此設備包含一圓形運送室(稱之為「真空處理容器」)，其包含位於每一處理室附近的個別搬運區。操作時，一旋轉載體(稱之為「運送裝置」)將基板在不同搬運區之間運送，而且在另一步驟中，基板搬運器將這些基板在這些搬運區與相鄰處理室之間移動。
本發明之目的係用以提供一種改良的真空處理設備及製作方法。
為了達成上述目的，本發明提供一種真空處理設備，其包含申請專利範圍第1項所述之特徵。真空處理設備的其他實施例及製造方法係描述於其他請求項中。
本發明提供一種真空處理設備，包含：複數個處理室，用於處理特別是矽晶圓的工件；一運送室，裝附至該等處理室，該等處理室透過個別開口而與該運送室相通，該運送室包含位於該等處理室每一者附近的複數個搬運區；一工件載體，其設置於該運送室內且被構造成將該等工件運送於該等搬運區之間；以及一個以上的搬運器，用以將該等工件運送於該等搬運區與該等處理室之間。
藉此該運送室繞著一軸線呈環狀，且該等開口具有大致平行於該軸線的複數開口軸線。如此能允許將運送室上的力量重新導向至大型支撐結構上，特別是重新導向至環狀運送室的內側壁。因此，可以達成符合經濟效益、重量輕但仍堅固的機械結構。
「環狀」或「圓環」一詞，在整份說明書中亦被稱為「環盤狀」或「環形圓盤」，應該理解成一大致扁平的本體，其包含一通孔，此通孔在此環形內部及沿著此環形提供一開放空間。
以運送室的情形而言，「環狀」一詞係指此一環體的內部空間或周圍。因此，運送室係由下列壁體所界定：該通孔附近的一第一環狀壁、正對著該第一環狀壁的一第二環狀壁、該環體的周緣所形成的一外側壁、及該通孔所形成的一內側壁。假如此一運送室係呈水平定位的話，面朝上的環狀壁是頂壁，面朝下的環狀壁則為底壁。而且，環體的高度為這些環狀壁之間的距離，徑向寬度為內側壁與外側壁之間的距離。通孔提供一開放空間，在說明書中亦被稱之為「忽略空間(omitted space)」，其可以被用作為安裝空間，例如作為管路通道之空間，或作為協助服務或保養的空間。並未打算限制其定義，這類環狀運送室的一範例係概略地顯示於圖6b中且描述於對應的說明內。
特別地，下列的至少一者係應用至環狀運送室：環狀壁是平行的；開放空間或忽略空間係配置在運送室的中心；至少一環狀壁或二者是圓形；至少一側壁或二者是圓柱形；至少一側壁或二者是垂直於至少一環狀壁；至少一側壁界定出一條對稱軸；內側壁與外側壁具有一條共同的對稱軸；內側壁與外側壁是同心的；形狀等於或類似於一墊圈。
此一環狀運送室之一範例係概略地顯示於圖6b中且描述於對應的說明內。
在此說明書中，運送室亦被稱之為運送真空室、主要真空室或運送室，且處理室亦被稱之為加工室、加工站、處理站或工作站。而且，例如入口室、出口室及中間室等鎖櫃(locker)之一交界室亦被視為處理室。
「工件」亦被稱之為「基板」，係為一堅硬材質製成的本體且欲被處理(例如：被塗鍍、蝕刻或加熱)。在一範例中，工件呈圓盤狀或晶圓狀，其具有一大致平坦的表面，特別是具有二個相對且大致平坦的表面。而且，假如工件在運送室中透過旋轉動作而運送，其路徑界定出一平面(稱之為「運送平面」)。可旋轉的工件載體亦被稱之為一旋轉料架(carousel)，且搬運器亦被稱之為夾頭。此外，搬運器亦被稱之為「工件升降機」，且工件的對應移動被稱之為「抬升」。因此，「抬升」一詞可以或可不意味著運送室的位置為水平。
有利地，根據本發明的環狀結構將施加於運送室上的力量重新導向至一大型支撐結構。因此，可以達成成本最佳化、重量輕但仍舊堅硬的機械結構。在一個以上的處理室開啟至運送室，且來自處理室內部的真空之完全塌陷力係施加於運送室上之情形中，這一點格外有利。
而且，根據本發明的環狀運送室使運送室具有縮減的內部空間，亦即，顯著較小的體積，這是因為環體中間的開放空間並非運送室的一部份。如此能夠快速轉變至要求的處理條件，特別是壓力或溫度快速下降或上升。如此亦提供快速加工週期及有效的操作管理。而且，可以使用忽略的中央空間來安裝供應管線、泵，或者引導氣體或電線通過此空間。
此外，根據本發明的環狀運送室延長了非相鄰處理室之間的路徑。因此，可以達成增強的來源隔離及/或交叉污染的最小化，這是因為從一處理室到另一非相鄰處理室的路徑較長且比圓形運送室更加迴旋。特別是，可以避免通過中間部位的捷徑。假如工件載體係安裝在環狀運送室的內壁上，這一點特別有利，這是因為在此情形中，沿著內側壁的路徑會被工件載體所阻擋，且只有沿著外側壁的路徑能用於氣體流動。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，其圍繞一開放空間及/或具有延伸於徑向方向的至少內部空間之大致矩形剖面。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，環狀運送室的內部空間之徑向寬度係等於或大於該內部空間的高度。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，工件載體包含可圍繞該軸線控制地旋轉並位於該運送室的一內部空間中之一環狀板或分段總成，工件載體的徑向剖面之面積超過運送室的內部空間的徑向剖面之面積的70%。這一點限制了真空導電性。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，環狀運送室的徑向內、外側壁分別具有一內徑與一外徑，且該內徑的長度是該外徑的長度之至少25%或至少50%。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，環狀運送室係水平配置。如此能使用重力來輔助工件的搬運，特別是有助於其固定，因此能提供既有效又精確的操作。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，工件載體包含一環狀板，該環狀板能夠圍繞該軸線旋轉且藉由設置在該環狀運送室的徑向內側壁及/或徑向外側壁上的軸承以單側或雙側固持。以此方式，可以使工件載體達成既強健又精確的固持及/或導引。
在一範例中，使用滾珠軸承(特別是陶瓷滾珠軸承)或磁性軸承。在另一範例中，工件載體的移動，特別是其旋轉動作，係由齒輪緣(gear rim)與齒輪及/或摩擦離合器及/或磁性方式達成。
使工件載體繞著其軸線移動之驅動機構可以是一電動馬達(例如：步進馬達)或一液壓馬達。在另一範例中，馬達係直接或者透過一齒輪機構而作用於齒輪緣上。在該範例的一較佳實現方式中，馬達同時作用於嚙合該齒輪緣中的二個分離的齒輪上。此二齒輪(較佳具有相同尺寸)係例如藉由彈簧而相互緊固。以此方式，達成工件載體的驅動方式而不會有齒隙(backlash)。工件載體可以具有位置控制手段，例如分度器(indexer)、擋光板、或其他用以判定工件載體的絕對位置或相對移動之感測器。此感測器手段可以有利地連接至馬達控制器上，以便精確定位並移動該工件載體。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，在平行並包含該軸線的一平面中，該等處理室的至少一者的一內壁之表面大致對齊該環狀運送室的該外側壁的表面及/或該內側壁的表面。因此，處理室鄰近環狀運送室的外緣及/或內緣。以此方式，可以藉由最小的上、下承載表面來達到一真空外殼。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，該等處理室的一個以上的部位，例如外殼或泵的一壁體，係被設置成非常接近環狀運送室的側壁。假如這些部位是由高強度材質所構成，則此配置方式能完全放寬對運送真空室的機械要求。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，一個以上(特別是全部)的處理室係裝附至環狀運送室的一特殊壁體，特別是一第一環狀壁、一第二環狀壁、一內側壁或一外側壁。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，二個以上(特別是全部)的處理室係分佈於環狀運送室的相向壁體之間，特別是介於環狀壁體之間及/或介於內側壁與外側壁之間。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，該等處理室的至少二者係彼此相向。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，工件載體被構造成使具有大致平面表面的工件以平行於該大致平面表面且垂直於該軸線的一方向在鄰近於該搬運區內的該等開口的位置之間移動，而且更包含複數個工件升降器，該等工件升降器係在該等搬運區內進行操作且被構造成使該等搬運區內的工件從工件載體朝向該等開口移動及使其反向移動。這一點對於環狀運送室來說特別有效又可靠，因為工件在運送期間總是保持在相同方向。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，工件載體係被構造成將大致平面的工件保持在平行於工件的運送路徑之一位置上。藉此結構，可以有效地運用所能獲得的環狀空間。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，工件載體匹配運送室的形狀。因此，可以有效地運用運送室內的空間。在一範例中，工件載體(特別是其內緣或軸承)具有扁平圓環或墊圈設計之形狀。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，該等處理室的至少一者能夠透過該開口而從相鄰的搬運區進出，該開口包含一密封裝置，該密封裝置藉由一工件升降器之操作可控制地產生一密封作用，該工件升降器係設置於該搬運區內且被構造成從該工件載體朝該開口可控制地升起一工件或使其反向移動，該密封裝置隔開該運送室的內側與該處理室的內側。如此，可提供較輕的機械結構及增進的彈性以操作真空處理設備。
在根據上述實施例的的真空處理設備之另一實施例中，密封作用係藉由從處理室到該運送室之壓力差而執行。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，該等處理室的至少一者包含一第一部位及一第二部位，該第一部位係構造成執行該等工件的處理，該第二部位係構造成建立起真空條件，特別是連接至一真空泵，其中該第一部位及該第二部位之一個部位係配置於該工件載體的一側，而該等部位之另一部位則配置成正對著該一個部位且位於該工件載體的另一側，至少當一工件相對於該第一部位處於一處理位置時，該二個部位會流體相通。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，該運送室包含設置於鄰近的搬運區之間的一低溫板。當與運送室的環形相結合時，此配置方式特別有利，這是因為運送室內的氣流被強迫通過此低溫板(cryogenic plate)，因此省卻通過中央部位的捷徑。此外，環形產生一狹窄通道，因此可以產生非常有效的低溫隔離(cryogenic isolation)。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，處理室包含至少一位置感測器，其係配置於搬運區之間以偵測出工件載體及/或工件的位置。在一範例中，感測器係作為一分度器，以判定出工件載體及/或工件的相對或絕對位置，特別是角度位置。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，運送室包含至少一氣體泵，用以在運送室內建立一低氣體壓力。在一範例中，此泵額外地輔助在一個或全部處理室中產生一低氣體壓力。
在本發明的真空處理設備之另一實施例中，真空處理設備包含具有中空管的一裝置，其為用於運送室的一支撐結構且額外地用以運送氣體或液體，此氣體或液體將被抽出或抽入運送室及/或處理室內。
另外，本發明提出一種用於操作具有複數個處理室之真空處理設備之方法，一環狀運送室係裝附至該等處理室且包含鄰近各處理室的一搬運區、一工件載體及一個以上的搬運器，該方法包含以下步驟：使用一個基板搬運器以便將一工件(特別是矽晶圓)在該等處理室的其中一者移動至該等搬運區的一第一搬運區；驅動該工件載體，以便將該工件從該第一搬運區運送至鄰近另一處理室的一第二搬運區；以及使用該一個基板搬運器或另一基板搬運器，用以將該工件從該第二搬運區移動至另一處理室。
另外，本發明提出一種製造工件之方法，該工件係受到一真空處理，該方法包含以下步驟：
a)設置一工件運送室，其繞著一軸線呈環狀；
b)設置複數個處理室，該等處理室透過個別開口而與該工件運送室相通，該等開口具有大致平行於該軸線的開口軸線；
c)在該環狀運送室中設置一環狀工件載體；
d)在該等開口的至少一個開口附近設置一工件升降器；
e)將一工件放置在該運送室內的該環狀工件載體上；
f)移動具有工件的該工件載體，而該工件處於該工件對齊該一個開口的位置；
g)藉由該工件升降器朝向該一個開口升起該工件；
h)藉由該處理室對該工件進行真空處理；
i)在該工件載體上縮回已處理過的該工件；
j)移動具有工件的該工件載體，該工件處於該工件對齊該等處理室之另一處理室的位置上；
k)對已經被該等處理室的預定處理室處理過的該工件重複該等步驟h)到j)；以及
l)從該工件載體移除該處理過的工件。
在本發明的方法之另一實施例中，該方法更包含設置一泵吸設備於該等處理室的至少一處理室，且該泵吸設備至少主要藉由其泵吸能力而排空該運送室。
在本發明的方法之另一實施例中，該方法更包含至少在該步驟h)的期間密封地隔開該處理室與該運送室。
特別要指出，上述實施例的任何組合或者組合的再組合均可構成另一實施例。特別是，通風元件的實施例也是通風總成的實施例。只有可能產生矛盾效果的組合才會被排除。
以下，將藉由範例性的實施例及附圖詳細說明本發明。
所述的實施例係用以說明範例，並非用以侷限本發明。
<定義與首字母縮略字>
在整份說明書中與申請專利範圍的請求項中，使用以下的定義與首字母縮略字。
「加工」包括作用於基板上並改變其表面特性之任何化學、物理或機械作用。
「運送」基板係指任何作用於基板上未被「加工」的定義所涵蓋之動作，例如移動、運送或儲存。
「測量」基板係指檢查、偵測或用以判定基板特性的狀態或變化之其他方式。
「處理」基板包括加工、運送及測量。
在本發明中的「基板」係指欲在一加工設備中被處理的組件、部件或工件。基板包括但不限於具有矩形、正方形或圓形的扁平板狀部件。基板材質包括半導體、玻璃、金屬、塑膠或類似物。在一較佳實施例中，本發明主要描述平面圓盤狀的基板，其尺寸約650cm2，例如具有30cm以下直徑的矽晶圓。此範例不應該被認定為限制用途。
參考圖0，其顯示一真空加工系統、一加工或真空加工或真空處理系統或設備A之簡化示意圖，該系統或設備包含至少一外殼B，用以在低於周圍大氣壓力的壓力下容納欲處理的工件。可以透過一負載鎖室(load lock)C、一閥體或門狀裝置H來進出該外殼。在真空加工系統內的加工可以被侷限於該外殼內的一些區域D或局部體積E、F、G，該外殼亦表示為加工站、加工室或處理站。該等加工室可以具有裝置H'，其允許將加工站與真空處理系統的剩餘體積暫時隔離開來。真空系統A可以具有一搬運系統J，用以使基板透過可關閉的進出口H而在加工站D、E、F、G、負載鎖室C及或周圍環境之間移動。該真空系統A內並未進行加工的區域及/或體積，有時被稱之為運送室或運送區域/體積T。
化學蒸鍍法(CVD)是一種已知技術，用以將數層沉積在受熱的基板上。通常為液態或氣態的前驅物質係被饋送至一加工系統，在該系統內，該前驅物質的熱反應會造成該層的沉積。
物理蒸鍍法(PVD)是一種真空沉積技術，且用來描述藉由將氣化型態的材質凝結在不同表面上(例如：在半導體晶圓上)以沉積薄層的任何方法之一般用語。PVD的變形方式包括(但並未完全列出)：陰極電弧沉積法、蒸鍍法、濺鍍法。層、塗膜、沉積膜及薄膜等用語係可交換地用於在真空加工裝置中透過CVD、LPCVD、電漿強化CVD(PECVD)或PVD所沉積的薄膜。
<背景>
本發明整合並組合了一些解決方案，以因應日益進步的半導體加工市場之特定要求，其中一些要求著重於增加工具佈署的利益，其他要求則是著重於維持或改善此裝置的技術能力，以至少維持且可能產生技術上的優點。
為了使一部份裝置能夠對半導體裝置或服務的製造商產生吸引力，該裝置必須展現出明顯的商業利益。明顯的利益包含很低的起初投資及高生產量。此外，也必須保證製造耗損率很低，亦即，高可靠性與良率。
為了設計出此裝置，必須注意以下的一些因素：
低建設費用，以獲得最小的初始投入資本。
高生產量，以便在每單位時間間隔內輸出最大量的產品。
安全的材料搬運，以便在製造週期期間將產品的損耗降至最小。
<技術要求>
欲可靠的加工半導體裝置之關鍵是要控制加工環境。在沉積工具或用於工件的真空處理系統中，有二個方面會明顯影響這一點：
(1)非常高的基本真空程度；
(2)在加工期間所能獲得的高泵吸速度；
(3)在加工站之間不能有任何無法控制的材料交換，也就是高度的來源隔離能力。
沉積工具或處理系統一詞係指被製作或設計成在降低的大氣壓力及/或真空的條件下處理基板之工具或系統，基板例如為圓盤狀工件(晶圓、或玻璃、半導體、金屬或類似物製成之圓盤)。這一方面的處理可能包括成層沉積、蝕刻、暴露至中性或離子化粒子(例如：離子轟擊)、冷卻、加熱、搬運或這類處理之組合。
<先前技術概念>
圖1顯示在一分度器類型的工具或處理系統中之旋轉式材料運送。PCT專利公開第WO 2010/105967號顯示一種真空處理系統，其具有一迴旋料架1，用以支撐基板載體或基板2。將基板固定在迴旋料架1上之結構能允許基板2同時移動。如圖1所示，迴旋料架在搬運室或外殼4內執行一逐步旋轉3。處理站6係固定地配置在該外殼內，致使藉由旋轉該迴旋料架，該基板可以如圖所示對齊該處理站6的位置。一旦該迴旋料架處於正確位置或者被分度時，基板搬運裝置5通過此迴旋料架的旋轉平面而拾起基板2離開迴旋料架，並將基板移動到處理站6(亦稱之為加工室)，同時將加工室密封至運送室。
加工室的密封係藉由一垂直移動夾頭或增加一材料載體而達成，該材料載體能夠在外殼4與處理站6之間產生密封效果。
在加工室內，基板係藉由重力、夾具、重量環或可相容等效的固定手段而保持在適當位置。
所有基板同時移動能夠保證在各室之間獲得最高的基板運送效率，藉此導致基板通過此裝置的高生產量。此外，基板從一加工室到下一個加工室之相當簡單的移動軌跡能夠顯著地減少運送誤差與基板損耗之風險，同時將基板上的加速度力量降至最小，如此能夠相當安全地搬運基板。
<先前技術在概念上的缺點>
圖2顯示一加工室的剖面。幾乎所有分度器類型的工具係藉由較佳地平行於迴旋料架平面的閥、蓋、罩或實心板體而實施至少局部密封加工室6與運送室4。如此描述一種相當簡單的方法來隔離各腔室，但尤其是在較大的基板尺寸時，這些密封板變得非常大(且沉重)，如此在不同的真空條件下會在機械結構上產生非常大的力量8。尤其當加工室6被通氣且運送室4仍保持真空時，這些力量會變得非常大。不幸地，此種情形相當常見。對於加工室來說，在任何保養介入的時候，就會發生此情形。為了產生氣塞(airlock)，力量被施加於每一個晶圓運送室。
藉由實心板密封住加工室有利地使一加工室具有相當小的體積。然而，它也可能導致令人感到遺憾的狀況，就是大型加工室泵可能大於加工室的尺寸，此加工室泵必須確保該室在操作期間的真空性能。換句話說，加工室體積的縮減也降低了將真空泵配置在接近欲處理的體積之一理想位置上的能力。已經設計出幾種方法以解決此問題，其包括連接線與通道，或用於氣體的環狀裝置，但這些方法都具有如下的主要缺點，就是加工室的尺寸會大幅縮減泵吸速度。
分度器工具典型地具有一(體積)非常大的基板運送室，即使在加工期間，此運送室可以與加工氣體密封隔開，幾乎無法避免掉來自一加工室的殘餘物種會終止於另一加工室內。除了大型的高真空泵以外，大型運送室並未提供任何手段來促進來源隔離及縮小交叉污染。
圖3顯示一平面狀運送室，用於迴旋料架的此真空運送室本身產生一問題，因為配置於此一星形裝置上的非常大基板及/或許多基板需要非常大的迴旋料架，導致大型扁平的真空外殼4。如圖3所示施加於這類運送室上的真空力量14相當高，致使必須製作相當堅固的運送室，以便將運送室的變形保持在能夠接受的限度內。如此需要強化運送室，因而導致製造成本的增加。
在類似於已知的群集型工具(cluster tool)的概念之單一基板搬運與處理裝置中，很容易測量出基板相對於具有如US7,706,908所示特色的裝置之位置。然而，在分度器工具中，真正基板的精確測量是更加複雜的，還必須同時決定出多個位置。因此，一旦基板被裝載於運送室內之後，大部分的分度器工具不具有任何能夠評估基板的位置與狀態之手段。
簡言之，可以發現分度器類型的裝置中具有下列概念上的缺點：
‧　水平的腔室密封動作導致非常精巧貴重的機械，才能應付所產生的真空力量。
‧　小型扁平的加工室並未設置用於大型真空泵的任何開口，以便在泵速度與真空性能之間取得妥協。
‧　大型扁平的運送室必須禁得起巨大力量，但仍舊需要提供非常精確的形狀。這些腔室很沉重、昂貴且難以製造。
‧　沒有用於將交叉污染降至最小的手段。
‧　沒有用於監控晶圓搬運狀態的手段。
本發明欲藉由一種真空處理工具的全新概念來克服上述所有的缺點。
<本發明的詳細說明> <通過運送平面的加工室>
如圖2所示，以一扁平板關閉(並密封)加工室可產生相當平坦的加工室。然而，加工室的幾何形狀會嚴重妨礙其泵吸效果。泵必須透過具有大剖面的一條泵管線而操作性地連接至加工室。有效裝附此條泵管線且不需要過度擴大加工室體積及/或產生非均質流動，就機械上來說相當具有挑戰性。而且，以扁平板關閉加工室由於牽涉到力量之緣故，而會導致昂貴的機械結構。
藉由故意將泵配置在超過有效的加工室之一平面內而擴大在操作期間欲泵吸的體積，就可以解決上述工程難題。所產生的加工室係顯示於圖4中，顯示一個通過運送平面的加工室。此加工室設計的關鍵指標如下：
‧　朝上移動的一夾頭9推擠一摺箱10通過運送平面並對抗一密封力量11，以產生一關閉的垂直腔室。
‧　密封板係被一穿孔板12、攜帶材料13的載體環、及密封環所取代。朝上移動的夾頭將材料拾起脫離密封板。
‧　摺箱的朝上移動將載體環或密封環拾起脫離迴旋料架，並將其推抵在加工室的密封表面。
‧　夾頭的朝下移動會將載體環放回迴旋料架上，將晶圓放回載體環內，並將摺箱拉出晶圓運送平面14外。
此概念藉由下列方式解決了一些上述缺點：
‧　建立一個大型的真空室，其具有寬敞的空間以便將非常大型的泵直接連接至適當的泵吸開口與傳導性。在圖4中，泵連接係顯示為在底部左側上的大型開口，但也可以等效方式設置。
‧　加工室係以摺箱密封，藉此將所有真空與壓力所引起的力量重新導向成徑向平衡的力量，而非未平衡的開放力量。如此，能允許產生更輕的機械系統。
<概述>
一種用於處理基板的真空加工系統，包含至少一加工室與一運送室，以及用於將氣體從該加工室移除之手段(泵吸手段)及用於將該加工室與該運送室至少暫時密封起來之手段；其中，在基板的運送期間，該泵吸手段係操作性地連接至運送室與加工室，同時在加工期間，該泵吸手段僅操作性地連接至該加工室體積。
本發明也可以被理解與描述如下：參考圖4，一基板在運送期間係位於一運送平面內(基板13在圖4中係位於左側)，且藉由處於加工位置的夾頭9而產生移動(例如：被抬升)，該夾頭的加工位置係界定出一加工平面。一密封平面係被密封表面11所界定，密封表面等於摺箱10與加工室的接觸平面。夾頭9接受在運送平面內的基板13並將基板移動(例如：朝上)通過密封平面至加工平面。因此，加工室體積穿過密封與運送平面，且因此包括位於該等平面二側上的體積。對照之下，如圖2所示的先前技術之加工室體積係僅位於密封平面或運送平面的一側上。如此能夠將一真空泵裝附於避開密封與運送平面的該測上，並建立起一寬大的泵吸剖面。而且，來自所有加工體積的真空泵會在運送期間影響運送室體積。要注意的是，藉由本發明的裝置，在基板運送期間的氣體流動會避開加工室體積。真空泵配置在有效體積附近之先前技術中，氣體(以及可能的灰塵與碎屑)已經被吸引到加工室內。
<顛倒的真空室密封>
上述的加工室密封方法係有利於密封加工室，這是因為當加工室壓力大於運送室壓力時，沒有明顯的力量能夠開啟該加工室。可以增強此類型的密封機構，致使真空力量相對於起初的狀況產生顛倒。如此意味著當加工室的壓力大於運送室的壓力時，此種設計能夠使真空力量關閉加工室。
這些力量的顛倒之實現方式係藉由減少密封O環的直徑，O環係用以將摺箱的可動部位密封成小於摺箱外徑的尺寸。
此裝置係顯示於圖5中，其顯示一顛倒的真空密封。當運送室與加工室之間不存在壓力差時，不會施加任何力量於密封上。當加工室22內側的壓力大於運送室23內的壓力時，藉由將密封O環更加朝內配置一段距離24所產生的區域25，將會暴露至此壓力差。
由於此配置之緣故，一股力量來自於區域25上所施加的壓力差，其能夠關閉加工室。結果，此密封機械及整個機械結構可以被製作得更輕。然而，要知道的是，當運送室被通風且同時加工室係處於真空時，情況顛倒，且壓力差將會開啟加工室。
此概念係藉由下列方式解決了一些上述的缺點：
‧　建立一種情況，其中加工室或氣鎖室(airlock)當其壓力高於運送室時會自行關閉，如此導致更簡單更輕的結構，因而降低複雜度與成本。
<概述>
一種用於處理基板的真空加工系統，包含至少一加工室與一運送室、以及用於將該加工室與該運送室至少暫時密封起來之一摺箱，該摺箱具有一第一開口與一第二開口，其中該第一開口的直徑係小於該第二開口的直徑，較小的第一開口係被一凸緣或堅硬軸環固定地圍繞，該凸緣或軸環具有大致平行於該開口的一區域或平面。
一種用於在一真空加工系統中密封一加工室與一運送室之方法，該加工室具有一開口(稱之為「加工室開口」)，用以連接該加工室與該運送室，更包含具有二開口的一撓性摺箱，第一開口的直徑小於第二開口的直徑，較小的第一開口係被一凸緣或堅硬軸環固定地圍繞，該凸緣或軸環具有大致平行於該開口的一區域或平面。
較大的第二開口係操作性地連接到一泵吸手段，其中密封步驟係藉由操作性地連接該加工室開口與該撓性摺箱的第一開口，且在加工室與運送室之間建立起一壓力差而達成，加工室內的壓力在加工期間係大於運送室內的壓力。
<圓環狀腔室>
上述先前技術的一運送室當被排空時具有完全的真空力量，不管加工站的真空狀態為何。即使摺箱的關閉力量局部地抵銷此作用，但是當加工室被打開時，裝置內側的真空之完全塌陷力仍會施加於運送室上。
有幾種方法來對抗此作用。腔室可以由高強度的材質製成及/或由非常厚的材質製成，但此二種方法均會增加成本。
另一種方式是將支撐結構放在腔室內，藉此將上、下負載板連接起來。在分度器類型的工具之旋轉裝置中，唯一的支撐結構是中心柱，所以此種方法產生相當大的一負載表面且需要沉重的結構。
當將後者方案推向極限，亦即增加中心柱的直徑時，支撐結構可以被製作成如所需的一般大，自然的限制在於欲設置在圓盤狀運送室的外緣附近之加工站所需的空間。以此方式，如圖6所示的環狀運送室，可以藉由最小的上、下負載板表面而達成一環狀真空外殼。環狀真空外殼的內徑大約是環狀真空外殼的外徑之41%。
當進行環體設計時，外徑16係盡可能保持得越小越好，而內徑17則是盡可能保持得越大越好。如此能允許上加工室18及下加工室19的部位擱置得非常接近環體的垂直壁20。由於這些重要部位是由高強度材料所製成，所以此裝置完全減輕了對運送真空室的機械要求。
在另一方面，此裝置的優點在於來源隔離效果或交叉污染的最小化。在晶圓運送系統的環狀真空室內，從一加工站到另一非相鄰加工站的路徑較長，且比單體積運送室中更為複雜，如此增加來源隔離效果。
而且，藉由省略運送室的中心部位，可顯著降低運送室的整個體積。環體外側的空間可以被用來安裝供應管線、配置泵、或將氣體或電線從系統的上部引導至下部。
此概念係藉由下列方式解決了一些上述缺點：
‧　將施加於主要真空室的力量重新導向至最大的支撐結構上，藉此將成本最佳化，且可以製造出輕但仍舊堅固的機械結構。
‧　藉由延長非相鄰加工站之間的路徑，所以能夠將交叉污染降至最小。
一基板載體將有利地具有符合環體的形狀，例如扁平圓環或墊圈設計。可以藉由內、外垂直壁體，以單側來固持住帶有基板的環體。類似滾珠軸承、磁性軸承或甚至空氣(氣體)軸承等軸承，可以將帶有基板的環體予以固持及導引。可以透過一齒輪緣與多個齒輪、一摩擦離合器或磁性方式來達到運送移動(旋轉移動)。可以設置一分度器，以判定環體與基板的相對或絕對(角度)位置。
圖6b顯示環狀真空室的概況。此圓環狀或環體狀係以一水平配置且大致扁平的本體為基礎，其包含在中心處的一通孔，以便在圓環內部及沿著圓環的位置提供一開放空間。因此，圓環圍繞著一開放空間，且本體的形狀等於或類似於一墊圈。
圓環是中空的且包含真空室或運送室作為此圓環的一內部空間。因此，運送室被下列壁體所界定：設有第一環狀壁的一頂壁K、設有第二環狀壁的一底壁L、由該圓環的周緣所形成的一徑向外側壁M、及由該通孔所形成的一徑向內側壁N。頂壁K以及底壁L係配置在通孔附近且彼此相向。徑向內側壁N及徑向外側壁M係呈圓柱狀，且二者繞著一共同軸線X而同心配置。從共同的軸線X到徑向內側壁之間的距離為內徑Ri，而從該共同軸線到徑向外側壁之間的距離則為Ra。
頂壁K以及底壁L是平行的，內側N壁與外側壁M各垂直於頂壁K以及底壁L，內側N壁與外側壁M各界定出一條對稱軸。因此，運送室具有在徑向上延伸且大致呈矩形的剖面，藉此，內徑Ri大約為外徑Ra的63%。
<概述>
一種用於處理基板的真空加工系統，包含至少一加工室與一運送室，其中該運送室從頂視圖看來呈環狀並具有一環狀頂壁(K)與一底壁(L)，以及大致圓形同心的內側壁(N)與外側壁(M)，此四壁產生一外殼且繞著一條共同的對稱軸(X)配置。基板的運送係發生在平行於該頂壁與底壁並垂直於該對稱軸線(X)的一平面內，該加工室係配置在鄰近該頂壁(K)、底壁(L)、內側壁(N)與外側壁(M)。
一種真空加工系統，其中Ri是內側壁(N)到對稱軸線(X)的距離(半徑)，Ra是外側壁(M)到對稱軸線(X)的距離(半徑)，且符合下列條件：Ra>Ri，且Ri>0。
在此範例中，內側壁N的半徑Ri之長度係外側壁M的半徑Ra的約63%。
一種真空加工系統，其中複數個加工站係配置於該等壁體(K、L、M、N)，且符合下列條件：
‧　所有腔室係裝附至頂壁K。
‧　所有腔室係裝附至底壁L。
‧　所有腔室係裝附至內側壁N。
‧　所有腔室係裝附至外側壁M。
‧　所有腔室係分佈於頂壁K與底壁L之間。
‧　所有腔室係分佈於內側壁N與外側壁M之間。
‧　所有腔室係分佈於頂壁K與底壁L之間且彼此正對。
‧　所有腔室係分佈於內側壁N與外側壁M之間且彼此正對。
圖6c係以剖面圖顯示環狀真空室15，此真空室15的內部空間具有一矩形的徑向剖面，其界定出一第一區域CATC(圍成的空白區域之周緣所指出的區域)。如同工件載體的一可旋轉環狀板係配置在真空室15的內部空間內，此環狀板係繞著一軸線X而與真空室15同軸配置且具有一矩形的剖面，如此界定出一第二區域CAWC(該空白區域所圍繞的一陰影區域)。在此範例中，第二區域CAWC係超過第一區域CATC的70%。環狀板與真空室15的壁體之間的間隙狹窄，因此對真空導電性產生良好的限制。
<低溫來源隔離>
運送室的形狀已經促進了來源隔離，亦即加工室的隔離。但是，無法期待在所有情形中來源隔離都很足夠。幸運的是，在加工站之間的空間能夠允許實施污染減緩措施。
欲實施的措施必須能夠將諸如水與有機物等污染物種在加工站(33)之間的污染移動縮減至最小，但仍然允許材質能夠運送。最有吸引力的方法是利用如圖7所示的低溫面板，其中圖7係顯示環狀真空室的示意圖。
藉由將平行於晶圓運送平面的一個以上的低溫冷卻板體(30)放置在材料運送室(31)內，而實現低溫來源隔離。這些板體彼此隔開且盡可能越接近材料運送平面越好，才不會與材料運送機制(31)的機械元件相互干涉。這些板體被設計成具有最大的水平表面積，此水平表面積係受到系統內的設計限制及低溫性能所侷限。可以維持約60mm的最小寬度並完整涵蓋徑向長度，以確保效率。
在一較佳實施例中，如圖7(中間部位)所示，面板30可以被配置成與運送室的上部或下部內的囊穴或凹穴平齊。因此，低溫泵吸功率從加工室區域運送至運送室，且即使在基板於加工室內的加工期間也仍舊有效。
此方法運用分子流動壓力範圍的動力學。假如一狹窄通道的一側或二側被冷卻至使污染物種產生凝結或昇華之溫度的話，從該通道一側移動到另一側的物種之流動係被錯過低溫表面或從這些表面蒸發掉的橫越分子之機率所主控。參考圖8，其顯示低溫來源隔離(冷閘模型(ColdGate Model))，此機率可利用狹窄通道的典型尺寸為基礎進行估算。
根據上述考量因素，可以藉由將冷擋板放置在加工站之間同時允許基板在加工站之間流動，而實現低溫來源隔離。
這些冷擋板可以在保養期間透過加熱予以清潔，藉此釋放掉先前所吸收的氣體。透過泵吸手段，可以如上所述產生排空。
此概念係藉由下列方式解決了一些上述缺點：
‧　主動防止污染物種橫越加工站之間，以便將交叉污染降至最小。
<概述>
一種用於處理基板的真空加工系統，包含複數加工室與一運送室，其中該運送室具有一圓環型狀，且該等加工室係配置於該環體的側壁或頂壁上，而且冷卻過的板體係配置於：
。　鄰近該等壁體並位於該運送室內；
。　介於該等加工站之間；
。　位於平行運送室內的基板之運送路徑的一平面內；
。　接近基板載體/搬運系統的最小餘度。
<以並行時間為主的OTF晶圓位置測量>
在US7,706,908中揭露一種方法，用以根據單一雷射感應器及機器人控制參數之組合而決定晶圓放置。可以在一分度器類型的工具中部屬一類似方法，其實施係受到下列因素所主控：
‧　在材質的移動軌跡中，在材質的邊緣上很清楚可以看出具有至少二個不同的位置。
‧　具有同時決定所有移動的基板之邊緣的能力。
在這些考量因素中，第一個項目是設計特點，第二則是控制能力。
圖9顯示同時的OTF位置感測，其顯示晶圓位置測量的一設計實施方式。感應器40係放置在工作站41之間，致使感測器的感測雷射光束係被移動的基板擋住。晶圓運送與承載機制42的設計係能夠在阻擋光束的基板43或阻擋光束的機制之間產生清楚區別，這一點係藉由在材料運送期間產生清楚的信號變化順序而執行；在材料運送期間以外，可以獨特地辨識出材料觸發信號變化。由於可以安全地假設系統的機械元件是不變的，所以這些信號可以被用作為參考信號，材料觸發信號必須被假設成可變化的。在解釋的演算法中，參考信號與可變信號相互比較之下，可以決定出二個弦長44。假如此長度的絕對值與相對差係位於裝置的餘隙範圍內，則材質位置可以被界定為正確的。
1．．．迴旋料架
2．．．基底
3．．．旋轉
4．．．外殼
5．．．基板搬運裝置
6．．．處理站
8．．．力量
9．．．夾頭
10．．．摺箱
11．．．密封表面
12．．．穿孔板
13．．．基板
14．．．真空力量
14．．．運送平面
15．．．真空室
16．．．外徑
17．．．內徑
18．．．上加工室
19．．．下加工室
20．．．垂直壁
21．．．加工站
22．．．加工室
23．．．運送室
24．．．距離
25．．．區域
30．．．面板
31．．．運送室
33．．．加工站
40．．．感測器
41．．．站
42．．．晶圓運送與承載機制
43．．．基板
44．．．弦長
A．．．設備
B．．．外殼
C．．．負載鎖室
CATC．．．第一區域
CAWC．．．第二區域
D．．．區域
E,F,G．．．體積
H．．．裝置
H'．．．裝置
J．．．搬運系統
K．．．頂壁
L．．．底壁
M．．．外側壁
N．．．內側壁
Ra．．．外徑
Ri．．．內徑
S．．．基板
T．．．運送區域/體積
X．．．軸線
圖0係一真空加工系統之示意圖。
圖1係一分度器類型的工具或處理系統中之旋轉材料運送之頂視圖與側視圖。
圖2係一加工室之剖面圖。
圖3顯示一平面式運送室，其具有一開啟及一關閉的處理室。
圖4顯示一貫通的運送平面加工室。
圖5顯示一顛倒的真空密封。
圖6係一圓環狀運送室之頂視圖與側視圖。
圖6b係環狀真空室的示意圖。
圖6c係環狀真空室的剖面圖。
圖7係一低溫來源隔離之詳細的側視圖與頂視圖。
圖8顯示一低溫來源隔離。
圖9係一同時OTF位置感測之頂視圖與詳細圖。
15．．．真空室
16．．．外徑
17．．．內徑
18．．．上加工室
19．．．下加工室
20．．．垂直壁
21．．．加工站

Claims (16)

  1. 一種真空處理設備，包含：複數個處理室(18、19)，用於處理工件；一運送室(15)，裝附至該等處理室(18、19)，該等處理室透過個別開口而與該運送室(15)相通，該運送室包含位於該等處理室(18、19)每一者附近的複數個搬運區；一工件載體，其設置於該運送室(15)內且被構造成將該等工件運送於該等搬運區之間；以及一個以上的搬運器，用以將該等工件運送於該等搬運區與該等處理室(18、19)之間；其中該運送室(15)繞著一軸線(X)呈環狀，且該等開口具有大致平行於該軸線(X)的複數個開口軸線，該運送室(15)包括一通孔，該通孔提供一開放空間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理設備，其中該運送室(15)圍繞該開放空間且/或具有大致矩形的一剖面，該剖面在徑向延伸方向上具有至少內部空間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理設備，其中該環狀運送室(15)的該內部空間之徑向寬度等於或大於該內部空間的高度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理設備，其中該工件載體包含可圍繞該軸線(X)控制地旋轉並位於該運送室(15)的一內部空間中之一環狀板或分段總成，該工件載體包括一徑向剖面，該徑向剖面包括一面積(CAWC)，該運送室包括一內部空間，該內部空間包括 一徑向剖面，且該徑向剖面包括一面積(CATC)，該工件載體的該徑向剖面之面積(CAWC)超過該運送室的該內部空間的該徑向剖面之面積(CATC)的70%。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理設備，其中該環狀運送室(15)的徑向內、外側壁(20)分別具有一內徑(Ri)與一外徑(Ra)，且該內徑(Ri)的長度是該外徑(Ra)的長度之至少25%或至少50%。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之真空處理設備，其中該工件載體包含一環狀板，該環狀板能夠圍繞該軸線(X)旋轉且藉由設置在該環狀運送室(15)的該徑向內側壁(20；N)及/或在該徑向外側壁(20；M)上的軸承以單側或雙側固持。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之真空處理設備，其中在平行並包含該軸線(X)的一平面中，該等處理室(18、19)的至少一者的一內壁之表面大致對齊該環狀運送室(15)的該外側壁(20；M)的表面及/或該內側壁(20；N)的表面。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理設備，其中該工件載體被構造成使具有大致平面表面的工件以平行於該大致平面表面且垂直於該軸線(X)的一方向在鄰近於該搬運區內的該等開口之間移動，而且更包含複數個工件升降器，該等工件升降器係在該等搬運區內進行操作且被構造成使該等搬運區內的該等工件從該工件載體朝向該等開口移動及使其反向移動。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理設備，其中該 等處理室(18、19)的至少兩者係彼此相向。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理設備，其中該等處理室(18、19)的至少一者能夠透過該開口而從相鄰的該搬運區進出，該開口包含一密封裝置，該密封裝置藉由一工件升降器之操作可控制地產生一密封作用，該工件升降器係設置於該搬運區內且被構造成從該工件載體朝該開口可控制地升起一工件或使其反向移動，該密封裝置密封地隔開該運送室的內側與該處理室的內側。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之真空處理設備，其中該密封作用係藉由從該處理室到該運送室(15)之壓力差而執行。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之真空處理設備，其中該等處理室的至少一者包含一第一部位(18)及一第二部位(19)，該第一部位係構造成執行該等工件的處理，該第二部位係構造成建立起真空條件，特別是連接至一真空泵，其中該第一部位及該第二部位之一個部位係配置於該工件載體的一側，而該等部位之另一部位則配置成正對著該一個部位且位於該工件載體的另一側，至少當一工件相對於該第一部位處於一處理位置時，該二個部位會流體相通。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之真空處理設備，其中該運送室(15)包含設置於鄰近的搬運區之間的一低溫板(cryogenic plate)(30)。
  14. 一種製造工件之方法，該工件係受到一真空處理，該 方法包含以下步驟：a)設置一工件運送室(15)，其繞著一軸線(X)呈環狀，該運送室(15)包括一通孔，該通孔提供一開放空間；b)設置複數個處理室(18、19)，該等處理室透過個別開口而與該工件運送室(15)相通，該等開口具有大致平行於該軸線(X)的開口軸線；c)在該環狀運送室(15)中設置一環狀工件載體；d)在該等開口的至少一個開口附近設置一工件升降器；e)將一工件放置在該運送室(15)內的該環狀工件載體上；f)移動具有該工件的該工件載體，而該工件處於該工件對齊該一個開口的位置；g)藉由該工件升降器朝向該一個開口升起該工件；h)藉由該處理室(18、19)對該工件進行真空處理；i)在該工件載體上縮回已處理過的該工件；j)移動具有該工件的該工件載體，該工件處於該工件對齊該等處理室(18、19)之另一者的位置上；k)對已經被該等處理室(18、19)的預定處理室處理過的該工件重複該等步驟h)到j)；以及l)從該工件載體移除該處理過的工件。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，包含設置一泵吸設備於該等處理室(18、19)的至少一處理室，該泵吸設備至少主要藉由該泵吸能力而排空該運送室(15)。
  16. 如申請專利範圍第14或15項所述之方法，更包含至少在該步驟h)的期間密封地隔開該處理室(18、19)與該運送室(15)。
TW100148755A 2010-12-29 2011-12-27 真空處理設備及製造方法 TWI574341B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201061427861P 2010-12-29 2010-12-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201236102A TW201236102A (en) 2012-09-01
TWI574341B true TWI574341B (zh) 2017-03-11

Family

ID=45491562

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100148755A TWI574341B (zh) 2010-12-29 2011-12-27 真空處理設備及製造方法
TW100148756A TWI553767B (zh) 2010-12-29 2011-12-27 真空處理設備

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100148756A TWI553767B (zh) 2010-12-29 2011-12-27 真空處理設備

Country Status (6)

Country Link
US (4) US9396981B2 (zh)
EP (2) EP2659507B1 (zh)
KR (4) KR102385718B1 (zh)
CN (3) CN103392226A (zh)
TW (2) TWI574341B (zh)
WO (2) WO2012089732A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9226407B2 (en) * 2002-07-01 2015-12-29 Semigear Inc Reflow treating unit and substrate treating apparatus
DE102009037290A1 (de) * 2009-04-24 2010-11-11 Singulus Technologies Ag Transporteinrichtung mit einem auslenkbaren Dichtrahmen
US20150047785A1 (en) * 2013-08-13 2015-02-19 Lam Research Corporation Plasma Processing Devices Having Multi-Port Valve Assemblies
US9916995B2 (en) * 2014-02-24 2018-03-13 Lam Research Corporation Compact substrate processing tool with multi-station processing and pre-processing and/or post-processing stations
JP6271322B2 (ja) * 2014-03-31 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
CN105355581B (zh) * 2014-08-19 2018-09-18 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室、半导体加工设备及被加工工件的传输方法
KR102498492B1 (ko) * 2016-10-18 2023-02-10 매슨 테크놀로지 인크 워크피스 처리를 위한 시스템 및 방법
US10453726B2 (en) * 2016-11-10 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing load port apparatus, systems, and methods
JP6863784B2 (ja) * 2017-03-16 2021-04-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
DE102017109820B4 (de) * 2017-04-26 2024-03-28 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Vakuumkammeranordnung und deren Verwendung
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
CN111455341B (zh) * 2020-06-18 2020-09-08 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 基于磁耦合旋转的物理气相沉积设备
US12080571B2 (en) 2020-07-08 2024-09-03 Applied Materials, Inc. Substrate processing module and method of moving a workpiece
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US12002668B2 (en) 2021-06-25 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool
US20230095095A1 (en) * 2021-09-27 2023-03-30 Applied Materials, Inc. Method of isolating the chamber volume to process volume with internal wafer transfer capability

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200613577A (en) * 2004-05-17 2006-05-01 Shibaura Mechatronics Corp Vacuum treatment device and method for producing optical disk
US20060096536A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Daystar Technologies, Inc. Pressure control system in a photovoltaic substrate deposition apparatus
US7534080B2 (en) * 2005-08-26 2009-05-19 Ascentool, Inc. Vacuum processing and transfer system
US20100054905A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Mehran Behdjat Load lock chamber for large area substrate processing system
US20100136773A1 (en) * 2005-08-10 2010-06-03 Naonori Akae Semiconductor Device Manufacturing Method and Substrate Processing Apparatus
US7763115B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-27 Ulvac, Inc. Vacuum film-forming apparatus

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4501766A (en) * 1982-02-03 1985-02-26 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Film depositing apparatus and a film depositing method
DE3827343A1 (de) * 1988-08-12 1990-02-15 Leybold Ag Vorrichtung nach dem karussel-prinzip zum beschichten von substraten
JP2583152B2 (ja) 1990-11-06 1997-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板回転式表面処理方法
JPH0613361A (ja) 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US6015503A (en) * 1994-06-14 2000-01-18 Fsi International, Inc. Method and apparatus for surface conditioning
JPH08115968A (ja) * 1994-10-13 1996-05-07 Touyoko Kagaku Kk 多段式複数チャンバ真空熱処理装置
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
JP4653263B2 (ja) 1996-12-23 2011-03-16 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト 真空処理装置
US7066703B2 (en) * 1999-09-29 2006-06-27 Tokyo Electron Limited Chuck transport method and system
US6347919B1 (en) * 1999-12-17 2002-02-19 Eaton Corporation Wafer processing chamber having separable upper and lower halves
JP3789812B2 (ja) * 2001-12-17 2006-06-28 三菱電機株式会社 宇宙航行光学機器及びその汚染物質除去方法
WO2003060973A1 (fr) 2002-01-10 2003-07-24 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement
JP3920720B2 (ja) * 2002-03-29 2007-05-30 株式会社荏原製作所 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置
EP1350997B1 (en) * 2002-04-05 2014-10-01 Ebara Corporation Method for operating a seal device
GB2390476B (en) * 2002-07-03 2005-08-03 Applied Materials Inc Improved method and apparatus for reducing cross contamination of species during ion implantation
CA2586969A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Daystar Technologies, Inc. Pressure control system in a photovoltaic substrate deposition
CN100524684C (zh) 2005-02-22 2009-08-05 Oc欧瑞康巴尔斯公司 晶片的定位方法
KR101887110B1 (ko) * 2007-05-18 2018-08-09 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 빠른 교환 로봇을 가진 컴팩트 기판 운송 시스템
JP5028193B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置における被処理体の搬送方法
WO2009053435A1 (en) * 2007-10-24 2009-04-30 Oc Oerlikon Balzers Ag Method for manufacturing workpieces and apparatus
US20090107955A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Tiner Robin L Offset liner for chamber evacuation
JP2009224420A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Sumitomo Precision Prod Co Ltd プラズマ処理装置
JP4703749B2 (ja) * 2008-09-17 2011-06-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
KR102027108B1 (ko) 2009-03-18 2019-10-01 에바텍 아크티엔게젤샤프트 진공처리 장치
KR20100106116A (ko) * 2009-03-23 2010-10-01 삼성전자주식회사 인라인 스퍼터링 시스템
DE102009037290A1 (de) * 2009-04-24 2010-11-11 Singulus Technologies Ag Transporteinrichtung mit einem auslenkbaren Dichtrahmen

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200613577A (en) * 2004-05-17 2006-05-01 Shibaura Mechatronics Corp Vacuum treatment device and method for producing optical disk
US7763115B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-27 Ulvac, Inc. Vacuum film-forming apparatus
US20060096536A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Daystar Technologies, Inc. Pressure control system in a photovoltaic substrate deposition apparatus
US20100136773A1 (en) * 2005-08-10 2010-06-03 Naonori Akae Semiconductor Device Manufacturing Method and Substrate Processing Apparatus
US7534080B2 (en) * 2005-08-26 2009-05-19 Ascentool, Inc. Vacuum processing and transfer system
US20090180847A1 (en) * 2005-08-26 2009-07-16 George Xinsheng Guo Multi-chamber vacuum processing and transfer system
US20100054905A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Mehran Behdjat Load lock chamber for large area substrate processing system

Also Published As

Publication number Publication date
CN103299413B (zh) 2016-12-14
KR102023432B1 (ko) 2019-09-20
EP2659506B1 (en) 2021-08-25
EP2659506A1 (en) 2013-11-06
TW201236102A (en) 2012-09-01
CN109300806B (zh) 2022-04-15
CN103299413A (zh) 2013-09-11
WO2012089733A1 (en) 2012-07-05
CN103392226A (zh) 2013-11-13
WO2012089732A1 (en) 2012-07-05
US10590538B2 (en) 2020-03-17
EP2659507A1 (en) 2013-11-06
US20130287527A1 (en) 2013-10-31
US9396981B2 (en) 2016-07-19
TW201234514A (en) 2012-08-16
US20140086711A1 (en) 2014-03-27
KR102385718B1 (ko) 2022-04-12
US20190093223A1 (en) 2019-03-28
CN109300806A (zh) 2019-02-01
KR20130132938A (ko) 2013-12-05
KR102399769B1 (ko) 2022-05-19
KR20140003479A (ko) 2014-01-09
EP2659507B1 (en) 2022-09-14
US20160265109A1 (en) 2016-09-15
TWI553767B (zh) 2016-10-11
US10138553B2 (en) 2018-11-27
KR20200116171A (ko) 2020-10-08
US9252037B2 (en) 2016-02-02
KR20180123739A (ko) 2018-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI574341B (zh) 真空處理設備及製造方法
US9484233B2 (en) Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems
TWI606542B (zh) Process chamber and semiconductor processing apparatus
KR102427180B1 (ko) 반도체 프로세싱을 위한 웨이퍼 포지셔닝 페데스탈
TWI407497B (zh) 多區域處理系統及處理頭
US5855465A (en) Semiconductor wafer processing carousel
EP0287384A2 (en) Dial deposition and processing apparatus
TWI746051B (zh) 用於半導體處理系統的多蓋結構
US20030035709A1 (en) Robot for handling semiconductor wafers
US20220213594A1 (en) Process module, substrate processing system, and processing method
TW202109717A (zh) 用於同時的基板傳送的機器人
US20200161146A1 (en) Semiconductor wafer processing chamber
US9920418B1 (en) Physical vapor deposition apparatus having a tapered chamber
KR20220166862A (ko) 열 제어 리드 스택 컴포넌트들
US20220230896A1 (en) Substrate processing apparatus
US20230411196A1 (en) Component carrier for semiconductor manufacturing and component transport system using same
KR102174063B1 (ko) 반송 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2022112466A (ja) 基板処理装置
WO2024112616A1 (en) Post-placement wafer-centering systems for semiconductor processing tools
TW201335973A (zh) 真空沉積系統
JP2003329279A (ja) 気体導入構造及び作業室