TW201335973A - 真空沉積系統 - Google Patents

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TW201335973A TW102101609A TW102101609A TW201335973A TW 201335973 A TW201335973 A TW 201335973A TW 102101609 A TW102101609 A TW 102101609A TW 102101609 A TW102101609 A TW 102101609A TW 201335973 A TW201335973 A TW 201335973A
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Eduard Ilinich
Daniel Locher
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Tel Solar Ag
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Abstract

提供一種真空沉積設備和/或製程環境，其包括複數個根據一預定製程設計可配置地排列而形成該真空沉積設備或該製程環境之模組。該複數個模組係個別的且可分離的且包括以下各項之一個或多個：一配置以在一基板上執行一製程之製程模組、一配置以固定該基板及將該基板自該複數個模組之一第一模組傳送至該複數個模組之一第二模組之傳送模組；及一配置以收容該基板之儲存模組。

Description

真空沉積系統
本發明係關於一種具有數個功能模組之真空沉積系統，係在該等模組之間暫時地連接用於基板傳送。本發明允許設計和操作一具有高度靈活性和擴展性之真空處理系統。本發明之一實施例可以使用於矽之電漿輔助化學沉積，特別是用於在玻璃上薄膜太陽能電池之製作。
第1圖顯示一傳統真空處理系統之上視排列圖。該傳統真空處理系統包括用於將基板從大氣(區域22)引導至低壓或真空環境21之預載室10。為此目的，基板經由預載室門板18被放置在預載室10內之基板支架17。當門板18、19保持關閉時，藉由真空設施(圖未示)將壓力降低。在操作過程中，環境21也保持在低壓下。位在移轉室11內之傳送手臂16被配置以將該基板在基板支架17和第二基板支架14之間移轉，第二基板支架14係設置在製程反應室12之中。另一門板20將製程反應室12密封與移轉室11相隔絕，以降低污染風險。基板15可在製程反應室12內經由製程設施13被加以處 理，該製程設施13可包括氣體入口、加熱設施、電極、濺鍍靶材、電源供應器、監測設施和其他對基板15有益於進行各式各樣諸如，但不受限於，物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)、電漿輔助CVD(Plasma-enhanced CVD)、蝕刻或類似者之製程之設施。然而，根據第1圖之排列，一次僅能處理一片基板，且在基板進行製程時，該傳送手臂係處於閒置狀態。
第2圖(上視圖)藉由將兩個製程反應室30、31與一個預載室33結合而克服了上述之缺點。預載室門34、35與第1圖之門板18、19具有類似的功能且門板36、37與第1圖之門板20具有類似的功能。此外，第2圖之真空處理系統之工作週期也類似先前於第1圖所述之真空系統，唯顯著的不同在於基板從預載室33被傳送至製程反應室30之後，當手臂從預載室33傳送另一基板至製程反應室31時，製程可以在製程反應室30內開始進行。藉此可以減少閒置時間。描繪於第2圖之排列不受限於兩個製程反應室和一個預載室。取決於幾何形狀、空間需求、傳送時間等等，”x”個製程反應室可具有優勢地和”y”個預載室相結合。此類排列在半導體製程業界中通常被稱為叢聚式設備(cluster tool)。
為了進一步提高產出率(throughput)，如第3圖所示之系統已被提出。如第3圖中之截面所示，該系統包括一具有二門板54、55之預載室52，二門板54、55在結構和功能上係分別類似於第1圖中之門板18、19 及第2圖中之門板34、35。一移轉室51收容一可線性移動(由箭號H所示)且繞著中心軸60旋轉之移轉手臂56。移轉手臂56顯示複數個用於支撐基板59之基座61。於第3圖中，描繪出10片基板之堆疊排列；然而應當了解的是也可以較少或較多之數目來實施。移轉手臂56被配置以一次引導該10片基板之堆疊排列進入一個別製程反應室58之堆疊57。而且，門板53允許製程環境50被密封而與移轉室51相隔絕。製程反應室58可以是，例如，PECVD處理反應室(眾所皆知之電漿盒)，其顯示包圍著一等溫但非完全氣密之內部製程環境。
第3圖之實施例可以如第1圖或第2圖所示加上多個製程反應室附屬於一單一移轉室及加上一個或多個預載/卸載室而實施。
本文提供一簡單摘要幫助對於各樣不同觀點之非限制示範實施例有一基本或一般的了解，該等實施例係置於詳細之敍述說明和附屬圖式之後。然而此摘要非意圖作為一廣泛或詳盡的概述。而是，該概述之唯一目的係以簡單的方式展現一些與部分非限制示範實施例相關的概念，作為下面各種實施例之更詳細描述的前奏。
根據一範例，提供一真空沉積設備，其包括複數個根據一預定製程設計可配置地排列而形成該真空沉積設備之模組。此外於本範例中，該複數個模組係個別的且可分離，且包括至少一以下各項：一配置以在一基板上執行一製程之製程模組；一配置以固定該基板及 將該基板自該複數個模組之一第一模組傳送至該複數個模組之一第二模組之傳送模組；及一配置以收容該基板之儲存模組。
於另一實施例，提供一種用於一真空沉積設備之方法。該真空沉積設備包括個別的和可分離的數個模組。該數個模組包括至少一製程模組、一傳送模組及一儲存模組，其係可配置地排列形成該真空沉積設備。該方法可包括從該儲存模組裝載一基板至該傳送模組；在該傳送模組中沿著一預定傳送路徑將該基板傳送至該製程模組；將該基板自該傳送模組卸載至該製程模組；及在該製程模組中之該基板上執行一製程。
於再另一實施例，提供一種製程環境。該製程環境可包括複數個製程模組，該複數個製程模組係分別配置以在複數個基板上執行數個製程；複數個儲存模組，該複數個儲存模組係分別配置以收容該複數個基板；一與該複數個製程模組和該複數個儲存模組於該製程環境內交互連接之軌道系統；及至少一配置以通過該軌道系統之傳送模組。此外於本範例中，其中該複數個製程模組、該複數個儲存模組和該至少一傳送模組係個別可分離的模組，係可配置地排列於該製程環境內以設立一製程。
10、33、52‧‧‧預載室
11、51‧‧‧移轉室
12、30、31、58‧‧‧製程反應室
13‧‧‧製程設施
14‧‧‧第二基板支架
15、59、92、102‧‧‧基板
16‧‧‧傳送手臂
17‧‧‧基板支架
18、19‧‧‧預載室門板
20、34、35、36、37、
53、54、55、74‧‧‧門板
21‧‧‧環境
22‧‧‧區域
50、73‧‧‧製程環境
56、82‧‧‧移轉手臂
57‧‧‧堆疊
60‧‧‧中心軸
61‧‧‧基座
70‧‧‧製程模組
71、81‧‧‧外部封閉容器
72、83、91‧‧‧支持件
80‧‧‧傳送模組
84‧‧‧開口
90‧‧‧儲存模組
100‧‧‧傳送系統
101‧‧‧設備櫃
110‧‧‧牆板
120‧‧‧製程區域
130‧‧‧四向旋轉台
135‧‧‧三向旋轉台
140‧‧‧閂鎖排列
142‧‧‧閂鎖
150、151‧‧‧虛線
160‧‧‧排列
162‧‧‧參考數字
164‧‧‧位置
166‧‧‧中央軌道
170-175‧‧‧側軌道
當下列詳細敍述參考所附圖式讀取時，這些和其他觀點係可較佳地了解，其中第1圖係一真空處理系統之傳統排列之上視圖； 第2圖係一真空處理系統之傳統排列之上視圖；第3圖係一真空處理系統之傳統排列之截面圖；第4圖係圖示一製程模組之非限制示範實施例；第5圖係圖示一傳送模組之非限制示範實施例；第6圖係圖示一儲存模組之非限制示範實施例；第7-11圖係圖示涉及根據一觀點之一製程模組、一傳送模組及一儲存模組之操作流程；第12圖係圖示根據一觀點之非限制示範之製程環境；及第13圖係圖示根據一觀點之非限制示範之製程環境。
雖然顯示於第1至第3圖中之排列已以許多變化態樣加以實施，但此類變化態樣對於最佳化之產出率係受到限制。取決於執行於製程反應室30、31內之製程持續時間(由於不同製程型式會有所不同)，或者傳送手臂閒置一段特定時間，或者製程反應室係等待基板被裝載或卸載。如本文所述，提供一種新的模組化觀點，對於生產及製程週期可給予彈性並且改良擴展性。
關於本揭示之目的，以下之詞組定義如下。”製程”包括任何作用於基板上之化學、物理或機械效應。”基板”包括在一製程設備中待處理工作之構件或零件。基板包括，但不受限於，具有長方形、正方形或圓形之平坦板狀零件。於一非限制示範實施例中，基板之尺寸基本上可以小於1平方米(例如薄玻璃平板)。使用於本文之”真空製程系統”、”真空製程設備”、”真空處理系統” 或”真空製程設備”係包含至少一個包圍數個基板之封閉容器，該數個基板係將在一低於大氣壓力下被處理。化學氣相沉積(CVD)係用以在加熱基板上沉積薄膜層之技術。通常，一液態或氣態前驅物被導入製程系統，於該製程系統內該前驅物之熱反應形成薄膜層之沉積。此技術可應用於低壓而被稱為低壓CVD(LPCVD)。”層體(layer)”、”包覆層(coating)”、”沉積(deposit)”、”薄膜(film)”等詞於本文中係交互使用且係指經由CVD、LPCVD、PECVD或PVD技術於一真空製程設備所沉積之薄膜。”太陽能電池(solar cell)”或”光伏打電池(photovoltaic cell)”係一能夠藉由光電效應(photoelectric effect)直接將光(例如太陽光)轉換成電能的電氣構件。”薄膜太陽能電池(thin-film solar cell)”包括在一支撐基板上之至少一p-i-n界面，其係由半導體化合物之薄膜沉積且夾在兩電極或兩電極板之間而形成。更特別地，一p-i-j界面或薄膜光電轉換單元包括一夾在p-摻雜和n-摻雜半導體化合層之間的本質(intrinsic)半導體化合層。”薄膜(thin-film)”一詞係指已述之藉由諸如PECVD、CVD、PVD或類似製程所沉積而成薄層(thin layer)之層體。薄層基本上係指具有10μm或更小厚度之層體，特別是小於2μm。
第4、5及6圖顯示負責靈活性(產出率)及擴展性之基礎模組化元件。參考第4圖，係圖示一根據一觀點之製程模組70。製程模組70包一具有一門板、密封、閥件或蓋板74之外部封閉容器71。當蓋板74開啟 時，允許進出製程模組70；當關閉時，將製程環境73密封而與大氣隔絕。門板74可配置以抵抗壓力差及有害的製程環境(例如由於電漿、蝕刻氣體、易燃物質等等)。控制設施和例如，但不受限於，氣體入口、廢氣、幫浦、電源供應器、冷卻設施、加熱設施等等之生產支援設備可連接到該製程模組70。或者，可理解的此類控制設施和生產支援設備也可安置在該製程模組70底下，或分離地與製程模組70在一起的設備櫃結合。製程模組可包括一個或多個具有用以在製程或處理過程中收容或支持基板之基座或支持件72之製程環境或製程空間73。根據另一觀點，此類製程空間73可以排列成一堆疊(如第3圖中之參考件57)、側邊接側邊設置或其他方式。製程區域73可藉由製程模組70內部之反應室之方式被結構性地定義或者由處理所發生之功能性範圍或區域而功能性地定義。能夠由製程模組70所執行的製程通常不受限制，然而諸如PECVD、CVD、PDV、蝕刻及/或熱處理(例如退火)之真空處理製程特別地被加以考慮。在一非限制示範實施例中，製程模組70包括一堆疊排列之PECVD反應室，係用於例如半導體(例如矽)沉積在例如玻璃之硬平坦基板上。該堆疊排列可包含複數個分別配置以在各個基板上獨立地執行製程之個別的製程次空間。結果，如所述的，製程模組70係配置成可自足的執行上述之處理或製程而不需一固定連接之預載室及/或不需送至或來自一預載室之傳送設施。製程模組70可被安裝在一彈性製造線上之固定位置。
第5圖係圖示一傳送及裝載模組80(也稱為傳送模組80)。傳送模組80包括一具有一開口84之外部封閉容器81、用於在傳送或處置過程中收容或固定基板之基座設施或支持件83及一用以將基板傳送至傳送模組80或將基板從傳送模組80傳送至其他模組之移轉手臂82。開口84係顯示一氣密或真空隔絕之可選擇性蓋板。支持件83可以是一台面(table)、一叉件(fork)、桿件(pins)、夾具(clamps)或其他適合握持或固定基板之設施。移轉手臂82係一配置從一儲存室、庫存室(inventory)或卡匣(例如顯示於第6圖中之儲存模組80)或製程模組70抓取基板，將基板送至製程模組70或儲存位置(例如儲存模組90)，並且將基板放置在基座、支持件、基板台或其他適合的與製程模組70或儲存位置相關的支持結構。傳送模組80係設計成整體可以移動的(例如諸如輪子、軌道或氣墊之輸送設施)，將基板在傳送模組80內不同的位置上移動。在一非限制示範實施例中，傳送模組80包括驅動設施，該驅動設施係較佳地可以電腦控制且被整合在一控制系統內，例如一製造線。傳送模組80也可包括用以在三個方向調整傳送模組80位置(例如經由旋轉、轉向、加速或制動調整x-y-z位置)之位置對準設施。
第6圖圖示一第三模組型式，意即，一可以是一能夠收容、支持或固定基板之儲存設施或卡匣之儲存模組90。儲存模組90包括一例如是，但不受限於，一台面、基座、桿件、軌道、夾具設施或用以握持固定 基板之支持件91。如顯示於第6圖，基板92係被放置在支持件91上。卡匣或儲存模組90可選擇性地包括一在出入開口上方的蓋板。該蓋板可以是氣密或真空隔絕且/或防塵的。在進一步之示範實施例中，儲存模組90可配備冷卻設施、加熱設施、排除散發氣體之排氣設施、品質控制裝置或類似者。
於再另一非限制示範實施例中，製程模組70、傳送模組80和儲存模組90係配置以在且同一距離(意即節距(pitch))收容同一數目的基板。結果，移轉手臂82能夠相同地服務製程模組70和儲存模組90。或者，傳送模組80可配置成處理製程模組70生產能量之整數部分，例如50%、25%、20%、10%等等。舉例而言，若製程模組70生產能量為10片基板，則傳送模組80可一次處理5或2片基板。
在包括玻璃板之基板的實施情況中，移轉手臂82可包括一支持基板之叉件。製程模組70和儲存模組90也可包括數個叉件，該等叉件係排列成使得個別叉件之齒部係彼此相互交織。另一種方式係支持件91、72可包括可伸展之桿件，該桿件係將基板舉升使得移轉手臂82之叉件可以被釋出。移轉手臂82之叉件移開之後，桿件可縮回使得基板落在基座或支持件上。可理解的是基板從製程模組70或儲存模組90至傳送模組80之傳送可經由與剛剛所述之一相反程序來完成。
參考第7圖，係圖示上述個別可分離模組可配置地排列以建立一製程之非限制示範實施例。如第7 圖所示，製程模組70係排列在一例如軌道系統之傳送系統100附近。諸如氣體、電氣和類似者之支援設施可集中在一靠近製程模組70之設備櫃101中。然而，可理解的是該支援設施也可固定地連接、整合、排列在傳送系統100之上方或底下。儲存模組90也排列在傳送系統100附近。傳送模組80係可沿著傳送系統100之軌道而移動且可繞著一垂直軸而旋轉為要進出儲存模組90和製程模組70。於第7圖中，基板102係顯示排列在儲存模組90之中。
參考第8至11圖，係敍述操作概念。因為所述之元件與在第8至11圖中相同，故參考數字在第9、10及11圖已被省略。於第8圖中，一空的傳送模組80前進到鄰近儲存模組90之一裝載位置。利用傳送模組80之位置對準設施，傳送模組80對接於儲存模組90且藉由上述之移轉手臂82抓取基板。於一範例中，對接程序可由近接式或對準式感測器來加速，該等感測器係指示傳送模組80和儲存模組90之各個開口的確實相對位置。該等感測器之訊號可被電腦(意即控制系統)用來控制對接程序。傳送基板之前，機械夾具可被用來將傳送模組80和儲存模組90固定在一起。再者，密封設施可用來在傳送模組80和儲存模組90之間建立密封。例如，該密封設施可包括充氣式密封或由機械夾具所建立的密封。
基板被抓取之後，移轉手臂82縮回傳送模組80且傳送模組80斷開對接。之後，傳送模組80於軌道 上或輪子移開而且/或者繞著該垂直軸旋轉。於第9圖中，傳送模組80係繪於旋轉之後且與製程模組70之對接程序已經完成。可理解的是與製程模組70之對接可以類似於與儲存模組90對接之方式加以實現。
如先前所述，儲存模組90可以全程保持在真空狀態下。結果，傳送模組80和製程模組70之間的傳送可以在真空狀態下實施。例如，在傳送模組80和製程模組70之間之一氣密之暫時密封可以被建立而且也可建立一抽氣連結。於一範例中，該暫時氣密之密封可以在傳送模組80對接製程模組70時以一自動耦合來實現。依照審查委員，傳送模組80沒有配備一分離式幫浦。傳送模組80被足夠地抽真空之後，製程模組70之閥門或門板74開啟。藉此基板之傳送可如第10圖所示般發生。接著，如第11圖所示，閥門或門板74關閉，傳送模組80進氣破真空，且傳送模組80可斷開對接，包括排氣耦合。
如前所提及，揭示於本文之觀點相較於傳統系統可達到一具靈活性和擴展性之系統。例如，如第12圖所示，一個或多個儲存模組90、製程模組70或傳送模組80之組合可沿著一傳送路徑之側邊而排列，例如顯示於第12圖，成為一傳送系統之軌道。相較顯示於第1及第2圖之傳統系統，製程模組70、傳送模組80和儲存模組90之數目可獨立地改變。例如，儲存模組90之數目可配置以調整在兩製程步驟間之緩衝空間。操作於相同軌道上之傳送模組80數目可以增加以加速傳送操 作。製程模組70之數目可改變，例如，以適應製程時間。然而，於本文揭示之模組製程設計能夠減少移轉手臂之數目。例如，在傳統系統中，收容基板之卡匣可以在不同製程站(process station)被傳送；然而，每個製程站需要一支裝載/缷載手臂將基板送入製程空間內。
第13圖圖示根據一個或多個觀點之非限制示範製程環境。如第13圖所示，製程環境或製程區域120(例如無塵室)被牆板110所包圍。數個製程模組70(顯示出載有或無載有基板)係與連接該等製程模組70之傳送系統100排列設置。傳送系統100包括一中央軌道166及數條側軌道170-175。數個傳送模組80(顯示出載有或無載有基板)係操作於與上述第12圖中類似方式之軌道系統上。設備櫃101可排列在該等製程模組70之側邊，如第13圖所示，或者放置在無塵室區域(例如，製程區域120)之外部。軌道系統100包含一個或多個旋轉台，例如四向旋轉台130和/或三向旋轉台135。這些旋轉台允許該等傳送模組80改變方向。例如，傳送模組80可移動至旋轉台130、135上並且停止。接著，固定在該旋轉台之軌道的一部分可以依該旋轉台之位置而繞著旋轉(例如，90度、180度、270度、360度等等)。抵達所期望之分支或側軌道170-175之後，傳送模組80便向前移動而脫離旋轉台。以此方式，傳送模組80可分叉到不同的軌道並，例如，抵達一特定的製程模組70。相較於描繪於第12圖之排列，於第13圖排列之傳送模組80可達到分離的軌道而不會堵塞中央軌道166。各個側軌道 170-175可扮演不同的功能。如第13圖所示，排列160顯示傳送模組80對接於製程模組70，而第二傳送模組80可以通過。此外，如顯示在參考數字162之情況下，一分離軌道允許備用的傳送模組80等待下一個傳送順序。於位置164，傳送模組80對接於閂鎖排列140，其允許工件/基板和其他在所述製程區域120外部之製程環境交換。此類閂鎖140也可提供用於位於製程區域120外部之下一道製程步驟前之基板冷卻或加熱。在光電模板(PV panel)生產中，例如，該下一道製程步驟可包括雷射製程步驟、檢測(metrology)、品質控制、接觸(contacting)、儲存或類以者。另一閂鎖142也顯示於第13圖。
從上面之敍述，可以理解的是適合示於第13圖排列之傳送模組80相較於適合示於第12圖排列之傳送模組，包含較少的功能性。例如，第13圖中之傳送模組80不需要任何設施即可旋轉。此外，對於製程模組70、儲存模組90或閂鎖140、142之對接/斷開對接可藉由允許在傳送系統100的軌道上驅動傳送模組80來加以實現。
此外，製程模組70之數目可由製程需要和/或可用空間(由第13圖中之虛線150、151所示之可能擴大)。軌道系統100可依基於上述之元件需要而擴大。對於大的裝設，可預見使用二平行中央軌道166，該二平行中央軌道166係經由旋轉台利用一條或多條軌道加以連接。在那些平行中央軌道上，可建立單向運送而允許 進一步的靈活度。
所敍述於上方者包括一個或多個實施例之範例。為了要敍述上述觀點，當然不可能敍述上述裝置或方法之每一個可預想的修飾或變換，但相關技術具通常技藝者能夠認知各種不同觀點之更多的修飾和置換是可能的。因此，所述之觀點係意圖包含所有落入所附專利權利請求項之精神和範圍之內的此類變換、修飾和變化態樣。
70‧‧‧製程模組
71‧‧‧外部封閉容器
72‧‧‧支持件
73‧‧‧製程環境
74‧‧‧門板

Claims (20)

  1. 一種真空沉積設備，包含：複數個模組，該等模組根據一預定製程設計可配置地排列而形成該真空沉積設備，該複數個模組係個別的且可分離，其中該複數個模組包括以下各項之至少一者：一配置以在一基板上執行一製程之製程模組；一配置以固定該基板及將該基板自該複數個模組之一第一模組傳送至該複數個模組之一第二模組之傳送模組；及一配置以收容該基板之儲存模組。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空沉積設備，其中該製程模組包含：一包圍一製程空間之容箱；一配置以固定該基板之支持件；及一門板，該門板係配置以當被開啟時允許進出該製程空間且配置以當關閉時密封該製程空間而與一大氣環境隔絕。
  3. 如申請專利範圍第2項之真空沉積設備，其中該製程空間包含一複數個個別製程次空間之堆疊排列，該複數個個別製程次空間係分別配置以在各個基板上獨立地執行該製程。
  4. 如申請專利範圍第1項之真空沉積設備，其中該製程係一電漿輔助化學氣相沉積。
  5. 如申請專利範圍第1項之真空沉積設備，其中該傳送模組包含：一配置在傳送過程中用以固定該基板之支持件；及一配置以將該基板從該第一模組傳送至該支持件和從該支持件傳送至該第二模組之傳送手臂。
  6. 如申請專利範圍第1項之真空沉積設備，其中該傳送模組進一步包含：將該傳送模組沿著一傳送路徑移動之輸送手段；調整該傳送模組之一位置之對準手段；及驅動該輸送手段及該對準手段之驅動手段。
  7. 如申請專利範圍第6項之真空沉積設備，其中該輸送手段、該對準手段和該驅動手段係可由一控制系統所控制。
  8. 如申請專利範圍第1項之真空沉積設備，其中該儲存模組包含：一固定該基板之支持件；及一覆蓋該儲存模組之一存取口之門板。
  9. 如申請專利範圍第1項之真空沉積設備，其中該儲存模組包含複數個支持件分別固定複數個基板。
  10. 如申請專利範圍第1項之真空沉積設備，其中該傳送模組包含數個配置以將該傳送模組固定於該第一模組和該第二模組以使對接容易進行之機械夾具。
  11. 如申請專利範圍第1項之真空沉積設備，其中該傳送模組進一步包含在該傳送模組之一開口和該第一模 組或該第二模組之個別開口之間建立一真空密封之密封手段。
  12. 一種用於真空沉積設備之方法，該真空沉積設備包含個別的且可分離的數個模組，該數個模組包括至少一製程模組、一傳送模組及一儲存模組，該至少一製程模組，該一傳送模組及該一儲存模組係可配置地排列形成該真空沉積設備，該方法包含：從該儲存模組裝載一基板至該傳送模組；在該傳送模組中沿著一預定傳送路徑將該基板傳送至該製程模組；將該基板自該傳送模組卸載至該製程模組；及在該製程模組中之該基板上執行一製程。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，進一步包含：將該傳送模組之一開口對準於該儲存模組之一開口；將該傳送模組機械耦合於該儲存模組；及利用該傳送模組之一傳送手臂將該基板從該儲存模組傳送至該傳送模組。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法，進一步包含：將該傳送模組之一開口對準於該製程模組之一開口；將該傳送模組機械耦合於該製程模組；建立一環繞該傳送模組和該製程模組之該等耦合開口之真空密封；及 利用該傳送模組之一傳送手臂將該基板從該傳送模組傳送至該製程模組。
  15. 一種製程環境，包含：複數個製程模組，該複數個製程模組係分別配置以在複數個基板上執行數個製程；複數個儲存模組，該複數個儲存模組係分別配置以收容該複數個基板；一軌道系統與該複數個製程模組和該複數個儲存模組於該製程環境內交互連接；及至少一傳送模組配置以通過該軌道系統，其中該複數個製程模組、該複數個儲存模組和該至少一傳送模組係個別的且可分離的模組，其係可配置地排列於該製程環境內以設立一製程。
  16. 如申請專利範圍第15項之製程環境，其中該複數個儲存模組係進一步配置以加熱或冷卻該複數個基板。
  17. 如申請專利範圍第15項之製程環境，進一步包含一收容該複數個製程模組、該複數個儲存模組、該軌道系統和該至少一傳送模組之無塵室。
  18. 如申請專利範圍第17項之製程環境，其中該無塵室包含至少一鎖，用以使基板被引入該製程環境或自該製程環境移出。
  19. 如申請專利範圍第15項之製程環境，其中該軌道系統包括一個或多個配置以旋轉該至少一傳送模組之轉動台。
  20. 如申請專利範圍第15項之製程環境，其中製程模組之數目、儲存模組之數目和傳送模組之數目係根據該製程之設計而可獨立地改變。
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