FI124414B - Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi - Google Patents

Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI124414B
FI124414B FI20105472A FI20105472A FI124414B FI 124414 B FI124414 B FI 124414B FI 20105472 A FI20105472 A FI 20105472A FI 20105472 A FI20105472 A FI 20105472A FI 124414 B FI124414 B FI 124414B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
source
substrate
gas supply
supply
rotation
Prior art date
Application number
FI20105472A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20105472A0 (fi
FI20105472A (fi
Inventor
Runar Törnqvist
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20105472A priority Critical patent/FI124414B/fi
Publication of FI20105472A0 publication Critical patent/FI20105472A0/fi
Priority to EP11726460.6A priority patent/EP2563948B1/en
Priority to EA201291110A priority patent/EA027960B1/ru
Priority to US13/639,394 priority patent/US9394610B2/en
Priority to PCT/FI2011/050391 priority patent/WO2011135190A1/en
Priority to CN201180021683.3A priority patent/CN102869809B/zh
Publication of FI20105472A publication Critical patent/FI20105472A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI124414B publication Critical patent/FI124414B/fi

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi
Keksinnön tausta
Esillä oleva keksintö liittyy lähteeseen substraatin käsittelemiseksi yhdellä tai useammalla kaasumaisella lähtöaineella, ja erityisesti patenttivaati-5 muksen 1 johdannon mukaiseen lähteeseen yhden tai useamman kaasumaisen lähtöaineen syöttämiseksi substraatin pinnalle substraatin käsittelemiseksi altistamalla kasvatettava pinta vuoroittaisesti toistuville lähtöaineiden pintareaktioille, joka lähde käsittää kaasunsyöttöelimen ainakin yhden tai useamman lähtöaineen syöttämiseksi substraatin pinnalle. Esillä oleva keksintö liittyy edel-10 leen järjestelyyn substraatin käsittelemiseksi yhdellä tai useammalla lähtöaineella ja erityisesti patenttivaatimuksen 24 johdannon mukaiseen järjestelyyn substraatin käsittelemiseksi altistamalla substraatin pinta vuoroittaisesti toistuville lähtöaineiden pintareaktioille, joka järjestely käsittää yhden tai useamman patenttivaatimusten 1 -23 mukaisen lähteen.
15 Pinnoitusmenetelmissä, kuten atomikerroskasvatusmenetelmä (ALD-menetelmä), tai vastaavissa muissa menetelmissä, joissa substraatin pinta altistetaan lähtöaineiden vuoroittaisille pintareaktioille, pinnoituksen kasvunopeus on yleisesti hidas. Haluttujen pinnoitusten kalvonpaksuuksien saavuttamiseksi kasvatettava pinta on altistettava peräkkäisesti useita kertoja läh-20 töaineille. Perinteisesti atomikerroskasvatusmenetelmää on hyödynnetty altistamalla substraatti pinnoituskammiossa lähtöaineiden vuoroittaisille pintareaktioille syöttämällä lähtöaineita pulssimaisesti peräkkäin pinnoituskammioon ja syöttämällä lähtöainepulssien välissä pinnoituskammioon huuhtelupulssi. Tällaisessa perinteisessä atomikerroskasvatusmenetelmässä lähtöaineiden puls-25 simaisella syöttämisellä ja niiden välissä suoritettavalla huuhtelulla yhden pin-^ noitussyklin suorittamiseen menee noin 0,5 sekuntia. Atomikerroskasvatusme- ™ netelmällä saavutetaan kasvu, joka on noin 1 Angström/pinnoitussykli, jolloin
CD
9 kasvunopeudeksi voidaan saada noin 12 nm/min.
^ Ongelmana tunnetun tekniikan mukaisissa ratkaisuissa on se, että | 30 useita teollisia sovelluksia varten edellä mainittu kasvunopeus on liian hidas eikä sillä kyetä suorittamaan pinnoitusta substraatille tarvittavalla tehokkuudella la. Usein nauhamaisille tai levymäisille tai tasomaisille substraateille tarvitaan ° pinnoituspaksuus, joka on muutamasta nanometristä ylöspäin. Tällöin esimer- o ^ kiksi 10 nm paksuisen pinnoitteen aikaansaamiseen kuluisi noin 1 minuutti. Mi- 35 käli substraatin nopeus teollisuusprosessissa on noin 100 m/min olisi atomiker-roskasvatuslaitteiston pinnoituskammion pituuden oltava 100m riittävän pinnoi- 2 tuspaksuuden tuottamiseksi. Näin pitkien pinnoituskammioiden käyttäminen ei käytännössä ole mahdollista.
Keksinnön lyhyt selostus
Keksinnön tavoitteena on siten kehittää lähde ja järjestely yhden tai 5 useamman kaasumaisen lähtöaineen syöttämiseksi substraatin pinnalle substraatin käsittelemiseksi altistamalla substraatin pinta vuoroittaisesti toistuville lähtöaineiden pintareaktioille siten, että yllä mainitut ongelmat saadaan ratkaistua. Keksinnön tavoite saavutetaan patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosan mukaisella lähteellä. Keksinnön tavoite saavutetaan lisäksi patenttivaatimuk-10 sen 24 tunnusmerkkiosan mukaisella järjestelyllä.
Keksinnön edulliset suoritusmuodot ovat epäitsenäisten patenttivaatimusten kohteena.
Keksintö perustuu siihen, että aikaansaadaan pyörivä lähde lähtöaineiden syöttämiseksi substraatin pinnalle substraatin käsittelemiseksi atomi-15 kerroskasvatusmenetelmällä tai vastaavalla muulla menetelmällä altistamalla substraatin pinta vuoroittaisille lähtöaineiden pintareaktioille. Lähde käsittää kaasunsyöttöelimen, joka on sovitettu pyöritettäväksi ensimmäisen pyörimisakselin ympäri ja syöttämään yhtä tai useampaa lähtöainetta ensimmäiseen pyörimisakseliin nähden poikittaisessa suunnassa. Edullisessa suoritus-20 muodossa kaasunsyöttöelin on sovitettu syöttämään yhtä tai useampaa lähtöainetta olennaisesti kohtisuorassa suunnassa tai säteittäisesti suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin nähden. Kaasunsyöttöelin, joka on voi olla esimerkiksi sylinterimäinen, voi olla edelleen sovitettu syöttämään huuhteluainetta ja imemään lähtöainetta ja huuhteluainetta niiden poistamiseksi. Kaasunsyöt-25 töelin on edullisesti aikaansaatu myös syöttämään huuhteluainetta ja poista-£ maan lähtöaineita ja huuhteluainetta poikittaisessa suunnassa suhteessa en- ™ simmäiseen pyörimisakseliin nähden, edullisesti kohtisuorassa suunnassa tai
CD
9 säteittäisesti suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin. Lähde käsittää lisäksi ^ kaasunsyöttöelimen ympärille aikaansaadun yhden tai useamman kotelon £ 30 kaasun syöttämiseksi tai poistamiseksi. Kotelo käsittää ensimmäisen pyöri- Q_ ^ misakselin suunnassa ulottuvan virtausaukon, jonka kautta kaasut johdetaan ίϊ substraatin pinnalle.
LO
° Esillä oleva keksintö perustuu edelleen siihen, että aikaansaadaan o «m järjestely substraatin käsittelemiseksi lähtöaineiden syöttämiseksi substraatin 35 pinnalle substraatin käsittelemiseksi atomikerroskasvatusmenetelmällä tai vastaavalla muulla menetelmällä altistamalla substraatin pinta vuoroittaisille lähtö- 3 aineiden pintareaktioille syöttämällä lähtöaineita substraatin pinnalle pyörivän lähteen avulla. Järjestely käsittää edellä esitetyn mukaisen lähteen, joka on sijoitettu substraatin läheisyyteen siten, että ensimmäinen pyörimisakseli ulottuu olennaisesti substraatin pinnan suuntaisesti. Lähteen kaasunsyöttöelimen pyö-5 riessä ensimmäisen pyörimisakselin ympäri substraatin pinnan läheisyydessä lähtöaineita voidaan syöttää substraatin pinnalle vuoroittaisesti substraatin pinnan altistamiseksi vuoroittaisille lähtöaineiden pintareaktioille substraatin liikkuessa suhteessa lähteeseen. Kaasunsyöttöelin on sylinterimäinen kaasun-syöttöelin, jolla on olennaisesti ympyränmuotoinen poikkileikkaus, ja joka kaa-10 sunsyöttöelin on sovitettu pyöritettäväksi ensimmäisen pyörimisakselin ympäri ja syöttämään yhtä tai useampaa lähtöainetta olennaisesti poikittaisessa suunnassa suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin, joka on sovitettu ulottumaan olennaisesti substraatin pinnan suuntaisesti. Lähde on aikaansaatu liikutettavaksi suhteessa substraattiin substraatin pinnan suuntaisesti.
15 Keksinnön mukaisen lähteen ja järjestelyn etuna on se, että se mahdollistaa substraattien, ja erityisesti tasomaisen pinnan omaavien substraattien, tehokkaan ja hyvin nopean käsittelemisen altistamalla substraatin pinta vuoroittaisille lähtöaineiden pintareaktioille. Toisin sanoen pyörivän lähteen käyttäminen mahdollistaa halutun paksuisten pinnoitteiden kasvatta-20 misen nopeasti ja esimerkiksi substraatin tuotantolinjan yhteydessä tai rullalta-rullalle -prosessissa, kun pyörivän lähteen pyörimisnopeus nostetaan 10 kierrokseen sekunnissa tai jopa 100 kierrokseen sekunnissa, tai jopa suuremmaksi. Keksinnön pyörivän lähteen hyödyntäminen mahdollistaa edelleen levymäisen, nauhamaisen tai muiden vastaavien tasomaisten substraatin käsittelemi-25 sen koko sen leveydeltä samanaikaisesti ja yhtäläisellä tavalla.
^ Kuvioiden lyhyt selostus o ™ Keksintöä selostetaan nyt lähemmin edullisten suoritusmuotojen yh- co 9 teydessä, viitaten oheisiin piirroksiin, joista: ^ kuvio 1 esittää kaavamaisen sivukuvan kuvion 1 mukaisesta läh- ir 30 teestä;
CL
kuvio 2 esittää kaavamaisen poikkileikkauskuvan esillä olevan kek- ^ sinnön erään suoritusmuodon mukaisesta lähteestä; m ° kuvio 3 esittää kaavamaisen poikkileikkauskuvan esillä olevan kek- o ^ sinnön eräästä toisesta suoritusmuodosta; 35 kuvio 4 esittää kaavamaisen poikkileikkauskuvan esillä olevan kek sinnön vielä eräästä toisesta suoritusmuodosta.
4
Keksinnön yksityiskohtainen selostus
Viitaten kuvioon 1 on sinä esitetty kaavamainen sivukuva esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesta lähteestä 1 yhden tai useamman kaasumaisen lähtöaineen syöttämiseksi substraatin 4 pinnalle 6 sub-5 straatin 4 käsittelemiseksi altistamalla substraatin 4 pinta 6 vuoroittaisesti toistuville lähtöaineiden pintareaktioille. Lähde 1 käsittää kaasunsyöttöelimen 3 ainakin yhden tai useamman lähtöaineen syöttämiseksi substraatin 4 pinnalle 6 sekä ensimmäisen pyörimisakselin 2, jonka ympäri kaasunsyöttöelin 3 on pyöritettävissä. Kaasunsyöttöelin 3 on edullisesti sylinterimäinen osa, jolla on 10 olennaisesti ympyränmuotoinen poikkileikkaus ja ensimmäisen pyörimisakselin 2 suunnassa ensimmäinen pää 16 ja toinen pää 18. Vaihtoehtoisesti kaasunsyöttöelin 3 voi olla poikkileikkaukseltaan myös jonkin muun muotoinen, kuten soikion, kolmion, neliön tai jonkin muun monikulmion muotoinen. Kaasunsyöttöelimen 3 pituus ensimmäisen pyörimisakselin 2 suunnassa voi vaihdella kun-15 kin sovelluksen mukaan ja se voidaan sovittaa vastaamaan olennaisesti esimerkiksi käsiteltävän substraatin leveyttä. Olennaista on, että esillä oleva keksintö ei rajoitu mihinkään yksittäiseen kaasunsyöttöelimen 3 muotoon, vaan kaasunsyöttöelin 3 voidaan toteuttaa minkä tahansa muotoisena. Edullisesti kaasunsyöttöelin 3 on kuitenkin ensimmäisen pyörimisakselin 2 suhteen pyö-20 rähdyssymmetrinen. Lisäksi ensimmäinen pyörimisakseli 2 on sijoitettu kulkemaan edullisesti kaasunsyöttöelimen 3 keskiakselia pitkin. Lähde 1 voi edelleen käsittää tehonlähteen (ei esitetty) ensimmäisen pyörimisakselin 2 pyörittämiseksi. Tehonlähteenä voidaan käyttää esimerkiksi sähkömoottoria, joka voi olla osa lähdettä 1 tai vaihtoehtoisesti erillinen osa, johon lähde 1 on kytkettä-25 vissä.
^ Kaasunsyöttöelin 3 on sovitettu syöttämään yhtä tai useampaa läh- δ töainetta olennaisesti poikittaisessa suunnassa suhteessa ensimmäiseen pyö- cd rimisakseliin 2. Kuvion 1 mukaisesti kaasunsyöttöelin 3 on varustettu yhdellä 0 ^ tai useammalla kaasunsyöttökanavalla 8, jotka on sovitettu syöttämään yhtä tai 30 useampaa lähtöainetta tai huuhteluainetta. Lisäksi kaasunsyöttöelin 3 voidaan £ varustaa yhdellä tai useammalla imukanavalla 12 lähtöaineiden tai huuhteluai- c\j neen imemiseksi ja poistamiseksi. Kuvion 1 mukaisesti kaasunsyöttökanavat 8 S ja imukanavat 12 on aikaansaatu ulottumaan kaasunsyöttöelimen 3 ensimmäi- o 5 sen pään 16 ja toisen pään 18 välillä olennaisesti ensimmäisen pyörimisakse-
CVJ
35 Iin 2 suuntaisesti. Toisin sanoen kaasunsyöttökanavat 8 ja imukanavat 12 ovat pitkänomaisia kanavia, jotka ulottuvat kaasunsyöttöelimen 3 pituudella. Kaa- 5 sunsyöttökanavilla on täten ensimmäinen pää 28 ja toinen pää 26, kuten kuviossa 1 on esitetty. Vaihtoehtoisesti kaasunsyöttökanavat 8 ja imukanavat 12 voivat olla myös lyhyempiä ja ne voivat ulottua vain osalla kaasunsyöttöelimen 3 pituutta. Lisäksi kaasunsyöttökanavat 8 ja imukanavia 12 voi olla pyörimisak-5 selin 2 suunnassa myös peräkkäin samassa linjassa kaksi tai useampia. Kaasunsyöttökanavat 8 ja imukanavat 12 tai ainakin jokin niistä on aikaansaatu kaasunsyöttöelimeen 3 sen ulkopinnasta sisäänpäin ulottuvina syvennyksinä tai urina. Vaihtoehtoisessa suoritusmuodossa kaasunsyöttökanavat 8 ja imu-kanavat 12 tai ainakin jokin niistä on aikaansaatu kaasunsyöttöelimeen 3 sen 10 ulkopinnasta ulospäin työntyvinä kohoumina, harjanteina tai muina vastaavina ulkonemina.
Kaasunsyöttökanavat 8 käsittävät yhden tai useamman syöttöaukon 20, 22 kaasumaisen lähtöaineen tai huuhteluaineen syöttämiseksi. Syöttöauk-koja 20, 22 voi olla sijoitettu tasaisin välein koko kaasunsyöttökanavan 8 pituu-15 delle ensimmäisen pyörimisakselin 2 suunnassa tai vaihtoehtoisesti kaasun-syöttökanava 8 voi käsittää yhden pitkänomaisen syöttöaukon, joka ulottuu kaasunsyöttökanavan 8 pituudella tai osalla sen pituutta, kaasun syöttämiseksi kaasunsyöttökanavan 8 koko pituudella. Kaasunsyöttöaukot 20, 22 voivat olla pistemäisiä aukkoja, joilla on ympyrän muotoinen, neliömäinen tai muun moni-20 kulmion muotoinen poikkileikkaus. Vaihtoehtoisesti syöttöaukot 20, 22 on sijoitettu pyörimisakselin 2 suunnassa kaasunsyöttökanavan 8 päihin, ensimmäiseen ja toiseen päähän 28, 26 tai niiden läheisyyteen. Syöttöaukko tai syöttö-aukkoja 20, 22 voi olla sijoitettu myös ainoastaan kaasunsyöttökanavan ensimmäiseen tai toiseen päähän 28, 26. Syöttöaukot 20, 22 voidaan myös sijoit-25 taa olennaisesti ensimmäisen pyörimisakselin 2 suunnassa kaasunsyöttökanavan 8 keskelle.
't 5 Kaasunsyöttökanava 8 voidaan edelleen varustaa yhdellä tai use-
C\J
^ ämmällä poistoaukon 24 lähtöaineiden tai huuhteluaineiden poistamiseksi tai ° imemiseksi tai lähtöaineen tai huuhteluaineen virtauksen synnyttämiseksi sen 30 syötön yhteydessä. Kuvion 1 mukaisessa suoritusmuodossa poistoaukko tai | poistoaukot 24 on sijoitettu olennaisesti pyörimisakselin 2 suunnassa kaasun- c\j syöttökanavan 8 keskelle syöttöaukkojen 20, 22 ollessa sijoitettu kaasunsyöt- J tökanavan 8 päihin 26, 28 tai niiden läheisyyteen. Vaihtoehtoisessa suoritus- ° muodossa poistoaukot 24 voidaan sijoittaa ensimmäisen pyörimisakselin 2 00 35 suunnassa kaasunsyöttökanavan 8 päihin 26, 28 tai niiden läheisyyteen syöt töaukkojen 20, 22 ollessa sijoitettu olennaisesti kaasunsyöttökanavan 8 kes- 6 kelle. Vielä eräässä suoritusmuodossa poistoaukot 24 voidaan sijoittaa olennaisesti ensimmäisen pyörimisakselin 2 suunnassa kaasunsyöttökanavan 8 ensimmäiseen päähän 28 tai sen läheisyyteen ja syöttöaukot 20, 22 kaasunsyöttökanavan 8 toiseen päähän 26 tai sen läheisyyteen.
5 Edellä esitetyn mukaisesti kaasu, joka voi olla lähtöaine tai huuhte luaine, voidaan syöttää kaasunsyöttöelimestä kaasunsyöttökanavan 8 kautta olennaisesti poikittaisesti, kohtisuorasti tai säteittäisesti suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin 2. Kaasu voi kuitenkin syöttöaukkojen 20, 22 ja poisto-aukkojen 24 sijoittelun seurauksena virrata osittain kaasunsyöttökanavassa 8 10 tai sen ulkopuolella myös ensimmäisen pyörimisakselin 2 suunnassa. Toisin sanoen syöttöaukkojen 20, 22 ja poistoaukkojen 24 sijoittelulla kaasunsyöttöelimestä syötettyä kaasua saadaan jaettua kaasunsyöttöelimen 3 koko pituudelle ensimmäisen pyörimisakselin 2 suunnassa. Edellä käsitelty yleisesti kaa-sunsyöttökanavaa 8, joka voi olla esimerkiksi lähtöaineensyöttökanava yhden 15 tai useamman lähtöaineen syöttämiseksi tai huuhteluaineensyöttökanava yhden tai useamman huuhteluaineen syöttämiseksi.
Imukanavat 12 voi olla aikaansaatu kaasunsyöttöelimeen 3 samalla tavalla kuin edellä mainitut kaasunsyöttökanavat 8 ja ne voivat käsittää imu-aukkoja (ei esitetty), jotka voidaan sijoitella esimerkiksi jollakin edellä mainitulla 20 tavalla kuten syöttöaukot 20, 22. Imukanavien 12 avulla lähtöaineita tai huuhteluaineita tai molempia voidaan poistaa substraatin 4 pinnalta 6 tai sen läheisyydestä. Imukanavat 12 on edullisesti aikaansaatu poistamaan lähtöaineita tai huuhteluaineita substraatin 4 pinnalta 6 tai sen läheisyydestä olennaisesti poikittaisessa suunnassa, kohtisuorassa suunnassa tai säteittäisesti suhteessa 25 kaasunsyöttöelimen 3 ensimmäiseen pyörimisakseliin 2. Eräässä suoritus-muodossa kaasunsyöttökanavat 8 ja imukanavat 12 on sijoitettu kokonaan 5 kaasunsyöttöelimen 3 sisälle ja kaasunsyöttöelimen pintaan on aikaansaatu
C\J
^ ainoastaan syöttöaukkoja 20, 22, poistoaukkoja 24 tai imuaukkoja tai niitä ° kaikkia.
30 Kaasunsyöttöelin 3 voidaan varustaa yhdellä tai useammalla säiliöl- | lä, pullolla tai vastaavalla tankilla (ei esitetty) yhden tai useamman lähtöaineen c\j tai huuhteluaineen tai molempien varastoimiseksi ja syöttämiseksi kaasunsyöt- J tökanaviin 8 tai vastaavasti yhden tai useamman imukanavan 12 kautta imetyn ° tai poistetun lähtöaineen tai huuhteluaineen tai molempien varastoimiseksi ja 00 35 talteen ottamiseksi. Tällöin kaasunsyöttöelimeen 3 aikaansaadut säiliöt pyöri vät kaasunsyöttöelimen 3 mukana ensimmäisen pyörimisakselin 2 ympäri.
7
Vaihtoehtoisessa suoritusmuodossa kaasunsyöttöelin 3 käsittää virtausyhteet (ei esitetty) lähtöaineiden tai huuhteluaineiden syöttämiseksi kaasunsyöttöeli-meen 3 sen ulkopuolelta. Tällöin virtausyhteet voidaan aikaansaada esimerkiksi ensimmäisen pyörimisakselin 2 sisälle, jolloin lähtöaineita ja huuhtelukaa-5 suja voidaan syöttää kaasunsyöttökanaviin 8 ensimmäisen pyörimisakselin 2 kautta. Vastaavalla tavalla imukanavien 12 kautta poistettavat kaasut voidaan viedä pois kaasunsyöttöelimestä 3. Säiliöt lähtöaineita ja huuhteluaineita tai poistettavia kaasuja varten voidaan tällöin aikaansaada lähteen 1 ulkopuolelle.
Kuviossa 2 on esitetty kaavamainen poikkileikkauskuva kuvion 1 10 lähteestä 1, joka käsittää kaasunsyöttöelimen 3, joka on pyöritettävissä ensimmäisen pyörimisakselin 2 ympäri. Kaasunsyöttöelin käsittää ensimmäisen lähtöaineensyöttökanavan 8 ensimmäisen lähtöaineen A syöttämiseksi ja toisen lähtöaineensyöttökanavan 10 toisen lähtöaineen B syöttämiseksi. Ensimmäinen ja toinen lähtöaineensyöttökanava 8, 10 on sijoitettu kaasunsyöttöeli-15 men 3 vastakkaisille puolille, mutta ne voidaan sijoittaa myös jollakin muulla tavalla kaasunsyöttöelimen 3 kehän suunnassa erilleen toisistaan. Lisäksi on huomattava, että kaasunsyöttöelin 3 voi käsittää myös kaksi tai useampia ensimmäisiä lähtöaineen syöttökanavia 8 ja toisia lähtöaineensyöttökanavia 10. Ensimmäiset ja toiset lähtöaineensyöttökanavat 8, 10 on edullisesti sijoitettu 20 vuoroittaisesti kaasunsyöttöelimen 3 kehän suunnassa, kuten poikkileikkaus-kuvassa 2 on esitetty. Edelleen on huomioitava, että kaasunsyöttöelin 3 voi käsittää myös yhden tai useamman kolmannen kaasunsyöttökanavan (ei esitetty) kolmannen lähtöaineen syöttämiseksi. Tällöin yksi ALD-sykli koostuu kolmesta vuoroittaisesti syötettävästi lähtöaineesta. Kaasunsyöttöelin 3 käsit-25 tää lisäksi yhden tai useamman huuhteluaineensyöttökanavan 14 huuhteluai-neen C syöttämiseksi. Kuvion 2 mukaisesti huuhtelukaasunsyöttökanavat 14 5 on sijoitettu lähtöaineensyöttökanavien 8, 10 väliin. Täten kuvion 2 suoritus-
C\J
^ muodossa kaasunsyöttöelin 3 käsittää kaksi huuhteluaineensyöttökanava 14.
° Kaasunsyöttöelin 3 edelleen käsittää yhden tai useamman imukanavan 12, jo- Γ1'' 30 ka on sovitettu imemään ja poistamaan substraatin 4 pinnalle syötettyjä tai sen | läheisyydessä olevia kaasuja, kuten lähtöaineita A, B ja huuhteluainetta C.
c\j Imukanavia 12 voidaan sijoittaa lähtöaineidensyöttökanavien 8, 10 väliin ja J edullisesti myös huuhteluaineensyöttökanavien 14 ja lähtöaineensyöttökanavi- ° en 8, 10 väleihin, kuten kuviossa 2. Lähtöaineita A, B voidaan syöttää kaikissa 00 35 tapauksissa yksinään tai ne voidaan syöttää kantokaasun avulla. Kantokaasua voidaan syöttää yhdessä lähtöaineen A, B kanssa siten, että kantokaasu kul- 8 jettaa lähtöainetta A, B substraatin 4 pinnalle 6. Kantokaasu on edullisesti jotakin inerttiä kaasua, kuten typpeä, joka ei reagoi lähtöaineen A, B kanssa.
Kuvion 2 mukaisesti kaasunsyöttöelin 3 on siinä esitettyjen nuolien mukaisesti sovitettu syöttämään lähtöaineita A, B olennaisesti poikittaisesti tai 5 säteittäisesti suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin 2. Edullisesti kaasunsyöttöelin 3 on sovitettu syöttämään lähtöainetta A, B olennaisesti kohtisuorassa suunnassa suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin 2. On huomioitava, että olennaista esillä olevassa keksinnössä on se, että kaasunsyöttöelin 3 on sovitettu syöttämään yhtä tai useampaa lähtöainetta A, B, jolloin se voi käsittää 10 yhden tai useamman lähtöaineensyöttökanavan 8, 10 yhden tai useamman lähtöaineen A, B syöttämiseksi. Toisin sanoen esillä olevan keksinnön yksinkertaisimmassa muodossa kaasunsyöttöelin 3 käsittää ainoastaan yhden lähtöaineen syöttökanavan 8, jonka kautta voidaan syöttää yhtä tai useampaa lähtöainetta A, B. Tarvittaessa ja erilaisissa sovelluksissa lähde voidaan toteut-15 taa siten, että se käsittää tarvittavat lähtöaineiden syöttökanavat 8, 10, huuhte-luaineensyöttökanavat 14 ja imukanavat 12. Kuvion 2 mukaisessa ratkaisussa kaasunsyöttöelin 3 käsittää yhden ensimmäisen lähtöaineensyöttökanavan 8 ensimmäisen lähtöaineen A syöttämiseksi ja yhden toisen lähtöaineensyöttökanavan 10 toisen lähtöaineen B syöttämiseksi substraatin 4 pinnalle 6 sen al-20 tistamiseksi vuoroittaisesti ensimmäisen lähtöaineen Aja toisen lähtöaineen B pintareaktioille kaasunsyöttöelimen 3 pyöriessä ensimmäisen pyörimisakselin 2 ympäri.
Kuviossa 3 on esitetty eräs toinen suoritusmuoto esillä olevan keksinnön mukaisesta lähteestä 1. Kuvion 3 lähde 1 käsittää kuvion 1 kaasunsyöt-25 töelimen 3 ja ensimmäisen pyörimisakselin 2. Ensimmäisen pyörimisakselin 2 ympäri pyöritettävissä olevan kaasunsyöttöelimen 3 ympärille on aikaansaatu 5 kotelorakenne, joka ulottuu kaasunsyöttöelimen 3 ympärillä ensimmäisen pyö-
C\J
^ rimisakselin 2 suunnassa, edullisesti koaksiaalisesti. Kuvion 3 mukaisessa rat- ° kaisussa kotelorakenne käsittää kolme sisäkkäistä koteloa 30, 34, 38, jotka on 30 aikaansaatu ennalta määrätylle etäisyydelle toisistaan. On kuitenkin huomatta-| va, että lähde 1 voi käsittää myös vain yhden kotelon 30 tai useita, jopa viisi tai c\j enemmän, sisäkkäisiä koteloja. Kotelot 30, 34, 38 on sovitettu kaasujen A, B, J C syöttämistä tai poistamista varten tai sekä syöttämistä että poistamista var- ° ten. Kotelot 30, 34, 38 käsittävät kuvion 3 mukaisesti ensimmäisen pyöri-
00 35 misakselin 2 suunnassa ulottuvan virtausaukon 50, jonka kautta kaasut A, B, C
pääsevät virtaamaan koteloiden 30, 34, 38 sisälle tai niistä ulos. Virtausaukko 9 aikaansaadaan edellisesti ulottumaan kaasunsyöttöelimen 3 pyörimisakselin 2 suunnassa ensimmäisen ja toisen pään 16, 18 välillä tai välissä. Vaihtoehtoisesti virtausaukkoja 50 voi olla kaksi tai useampia asetettuna peräkkäisesti pyörimisakselin 2 suunnassa. Kukin kotelo 30, 34, 38 voidaan aikaansaada 5 imukoteloiksi, joka aikaansaa imukammion, jonka kautta kaasua A, B C imetään ja poistetaan, tai syöttökoteloksi, joka aikaansaa syöttökammion, jonka kautta inerttiä huuhteluainetta C tai lähtöainetta A, B voidaan syöttää.
Kuvion 3 suoritusmuodossa lähde 1 käsittää ensimmäisen kotelon 30, joka on aikaansaatu muodostamaan ensimmäinen imukammio 32 kaasun-10 syöttöelimen 3 ja ensimmäisen kotelon 30 väliin kaasujen A, B, C poistamiseksi, toisen kotelon 34, joka on aikaansaatu muodostamaan ensimmäinen syöt-tökammio 36 ensimmäisen kotelon 30 ja toisen kotelon 34 väliin lähtöaineen A, B tai huuhteluaineen C syöttämiseksi, ja kolmannen kotelon 38, joka on aikaansaatu muodostamaan kolmas imukammio 40 toisen kotelon 34 ja kolman-15 nen kotelon 38 väliin kaasujen A, B, C poistamiseksi. Toisin sanoen kotelora-kennetta voidaan hyödyntää substraatin käsittelemiseksi syöttämällä lähtöainetta A, B kotelorakenteen syöttökotelon 34 kautta. Vaihtoehtoisesti kotelora-kennetta voidaan hyödyntää kaasunsyöttöelimen 3 eristämiseksi muusta ympäristöstä aikaansaamalla kotelorakenteeseen ainoastaan yksi tai useampi 20 imukotelo 30, 38 tai yksi ja useampi syöttökotelo 36 huuhteluaineen C syöttämiseksi. Syöttökotelo 36 voidaan edelleen aikaansaada muodostamaan plasma vyöhyke tai otsoni vyöhyke kaasunsyöttöelimen 3 ympärille. Edellisen perusteella on ilmeistä, että kotelorakenne kaasunsyöttöelimen ympärillä voi käsittää yhden tai useamman erillisen kotelon 30, 34, 38, joiden laatu ja toimin-25 nallisuus voidaan valita kunkin sovelluksen mukaan. Imukotelot 30, 38 voidaan edelleen varustaa imuyhteillä 42, joiden kautta imu ja poisto aikaansaadaan. 5 Vastaavasti syöttökotelo 34 voidaan varustaa syöttöyhteillä 44, joiden kautta
C\J
^ syötettävä kaasu A, B, C syötetään.
° Imukotelo 30, 38 ja sen imuyhteet 42 aikaansaavat substraattiin 4 30 kohdistuvan imun, joka pyrkii vetämän lähdettä 1 ja substraattia 4 kohti toisi-| aan. Mikäli substraatti 4 on kevyt ja taipuisa voi imukotelo 30, 38 tai kaasun- c\j syöttöelimeen 3 aikaansaatu imukanava 12 imeä substraatti 4 kohti kaasun- J syöttöelintä 3. Tämän ehkäisemiseksi substraatin 4 vastakkaiselle puolelle ° kaasunsyöttöelimen 3 sijaintiin nähden voidaan aikaansaada imulaite (ei esitet- 00 35 ty), joka puolestaan vetää substraattia 4 poispäin kaasunsyöttöelimestä 3 10 kompensoiden kaasunsyöttöelimen 3 substraattiin kohdistaman voiman ja aikaansaaden täten vastapaineen. Imulaite voi olla osa lähdettä 1.
Lähde 1 on sovitettu käytettäväksi käsiteltäessä substraatteja 4 altistamalla substraatin 4 pinta 6 vuoroittaisille lähtöaineiden pintareaktioille esi-5 merkiksi atomikerroskasvatusmenetelmän mukaisesti. Lähde 1 on erityisesti aikaansaatu tasomaisten, levymäisten, nauhamaisten tai vastaavien tasaisen pinnan omaavien substraattien 4 käsittelemiseksi. Keksinnön mukaisesti substraattien 4 käsittelemiseksi aikaansaadaan järjestely, joka käsittää yhden tai useamman edellä kuvan lähteen 1. Lähde 1 järjestetty siten, että ensimmäinen 10 pyörimisakseli 2 on sovitettu ulottumaan olennaisesti substraatin 4 pinnan 6 suuntaisesti etäisyyden päässä substraatin 4 pinnasta 6, esimerkiksi kuvion 3 mukaisesti. Tällöin kaasunsyöttöelimen 3 pyörittäminen ensimmäisen pyörimisakselin 2 ympäri aikaansaa lähtöaineiden A, B ja mahdollisten huuhteluaineiden vuoroittaisen tai toistuvan syötön substraatin 4 pinnalle 6. Kaasunsyöt-15 töelintä 3 pyöritetään esimerkiksi 1 kierros minuutissa tai enemmän, 10-100 kierrosta minuutissa tai 1-100 kierrosta sekunnissa ensimmäisen pyörimisakselin 2 ympäri, tai jopa yli 100 kierrosta sekunnissa tai vaihtoehtoisesti alle 10 kierrosta sekunnissa. Jokaisen kierroksen aikana substraatin 4 pinta 6 altistetaan yhdelle tai useammalle lähtöaineelle A, B kaasunsyöttökanavien 8, 10 lu-20 kumäärää vastaava määrä kertoja. Kuvion 3 mukaisessa tapauksessa yksi pinnoitussykli vastaa yhtä kaasunsyöttöelimen 3 kierrosta, jolloin esimerkiksi kaasunsyöttöelimen 3 pyörimisnopeuden ollessa 5 kierrosta sekunnissa saadaan substraatin 4 pinnalle 6 muodostettua 5 kasvatuskerrosta sekunnissa.
Järjestely on aikaansaatu edullisesti siten, että on lähde 1 on sovi-25 tettu liikutettavaksi suhteessa substraattiin 4 substraatin 4 pinnan 6 suuntai-sesti. Toisin sanoen joko lähdettä 1 voidaan liikuttaa pitkin substraatin 4 pintaa 5 6 kaasunsyöttöelimen 3 samalla pyöriessä ensimmäisen pyörimisakselin 2
C\J
^ ympäri, tai vaihtoehtoisesti lähde 1 voi olla paikallaan ja substraattia liikutetaan ° kaasunsyöttöelimen 3 samalla pyöriessä ensimmäisen pyörimisakselin 2 ym- Γ1'' 30 päri. Vielä eräässä suoritusmuodossa sekä substraattia 4 että lähdettä 1 voi-| daan liikuttaa. Edullisessa suoritusmuodossa keksinnön mukainen järjestely, c\j joka käsittää lähteen, on aikaansaatu tasomaisen substraatin 4 tuotantolinjan J yhteyteen, jolloin lähde 1 on sijoitettu tuotantolinjalle siten, että substraatti 4 ° kulkee etäisyyden päästä lähteen 1 ohitse substraatin 4 pinnan 6 käsittelemi- 00 35 seksi. Tietyissä suoritusmuodoissa lähde 1, tai kaasunsyöttöelin 3, voidaan sovittaa pyöritettäväksi toisen pyörimisakselin (ei esitetty) ympäri, joka ulottuu 11 olennaisesti kohtisuorasi! ensimmäiseen pyörimisakseliin 2 ja substraatin 4 pintaan 6 nähden. Lähde 1 voi olla myös järjestetty tekemään edestakaista liikettä substraatin 4 pinnan 6 päällä. Toinen pyörimisakseli voi olla muodostettu esimerkiksi ensimmäisen pyörimisakselin 2 pituuden keskikohtaan tai toiseen 5 päähän siten, että lähde 1 tai kaasunsyöttöelin 3 on pyöritettävissä vaakasuorassa suunnassa substraatin 4 pinnan 6 päällä toisen pyörimisakselin ulottuessa kohtisuorasti substraatin 4 pintaan vastaan.
Lähde 1 on asetettu siten, että kaasunsyöttöelin 3 on etäisyyden päässä substraatin 4 pinnasta 6, jolloin substraatin 4 pinta 6 altistuu kaasun-10 syöttöelimen 3 kautta syötetyille kaasuille A, B, C. Edullisesti lähde 1 on sijoitettu siten, että kaasunsyöttöelin 3 on enintään 5 cm:n päässä substraatin 4 pinnasta 6, edullisesti alle 3 cm:n päässä ja kaikkein edullisimmin alle 1 cm:n päässä substraatin 4 pinnasta 6. Joissakin suoritusmuodoissa kaasunsyöttö-elimen 3 etäisyys substraatin 4 pinnasta 6 voi olla myös alle 1 mm. Kuvion 3 15 mukaisesti lähde 1 on edelleen asetettu siten, että yhden tai useamman kotelon 30, 34, 38 avoin seinämäosa on kohti substraatin 4 pintaa 6. Tietyissä suoritusmuodoissa lähde 1 voidaan sijoittaa myös siten, että se kykenee käsittelemään samanaikaisesti kahta substraattia 4, jotka kulkevat lähteen 1 läheltä esimerkiksi lähteen 1 vastakkaisilla puolilla.
20 Lähtöaineiden A, B tai huuhteluaineen C tai sekä lähtöaineiden A, B
ja huuhteluaineen C syöttö voi olla jatkuva, jolloin niitä syötetään tietyllä virtausnopeudella jatkuvasti. Vaihtoehtoisesti lähtöaineiden A, B tai huuhteluaineen C tai sekä lähtöaineiden A, B ja huuhteluaineen C syöttö voi olla passitettu siten, että niitä syötetään vain ajoittain, esimerkiksi tietty annos, kunkin 25 lähtöaineensyöttökanavan 8, 10 tai huuhteluaineensyöttökanavan 14 ollessa olennaisesti substraatin 4 pinnan 6 kohdalla kaasunsyöttöelimen 3 pyöriessä. 5 Käyttämällä niukkaa tai epätäydellistä lähtöaineiden A, B annostelua tai syöt-
C\J
^ töä voidaan imukanavat 12 tai imukammiot 32 tai mahdollisesti molemmat jät- ° tää lähteestä pois, koska tällöin olennaisesti kaikki syötetty lähtöaine A, B rea- Γ1'' 30 goi substraatin 4 pinnan 6 kanssa.
| Kuviossa 4 on esitetty eräs toinen suoritusmuoto lähteestä 1, joka c\j käsittää yhden kotelon, joka on aikaansaatu imukotelona 30. Imukotelo 30 ai- J kaansaa imukammion 32, jossa on imuaukkoja 42. Imukotelo 30 käsittää edel- ° leen virtausaukon 50, joka ulottuu olennaisesti kaasunsyöttöelimen 3 pyöri- 00 35 misakselin 2 suunnassa ja jonka kautta lähtöaineet A, B ja mahdolliset huuhte luaineet C syötetään substraatin 4 pinnalle 6 ja vastaavasti poistetaan sub- 12 straatin 4 pinnalta 6. Virtausaukosta 50 on tehty ensimmäiseen pyörimisakseliin 2 nähden kohtisuorassa suunnassa kapea suhteessa kaasunsyöttöelimen 3 halkaisijaan siten, että syötetty kaasu A, B, C ei leviä laajalle alueelle. Lisäksi imukotelo 30 on varustettu ensimmäisellä ja toisella laipalla 52, 54, jotka ulot-5 tuvat virtausaukon 50 reunasta olennaisesti substraatin 4 pinnan 6 suuntaisesti poispäin virtausaukosta 50 kuvion 4 mukaisesti ja kaasunsyöttöelimen 3 ensimmäisen pyörimisakselin 2 pituudella. Laipat 52, 54 aikaansaavat dif-fuusiosulun estäen kaasujen virtausta syöttöaukosta 50 ympäristöön ja ympäristöstä virtausaukkoon 50 mahdollistaen siten kuitenkin substraatin 4 pinnan 6 10 tehokkaan altistamisen lähtöaineille A, B virtausaukon 50 kohdalla. Joissakin tapauksissa myös laipat 52 ja 54 voivat käsittää imuaukkoja, joiden avulla kaasuja voidaan poistaa virtausaukon 50 läheisyydestä. Kuvion 4 mukaisia laippoja 52, 54 voidaan soveltaa myös kuvion 3 mukaiseen lähteeseen ja sen koteloihin tai mihin tahansa kaasunsyöttöelintä 3 ympäröivään koteloon. Lisäksi on 15 huomioitava, että jossakin suoritusmuodossa laippa on voitu aikaansaada myös vain toiselle puolelle virtausaukkoa 50. Laipat 52, 54 tai toinen niistä voidaan korvata myös muunlaisilla diffuusiosuluilla.
Lähde 1 voidaan edelleen sijoittaa sisälle erilliseen pinnoituskammi-oon (ei esitetty). Pinnoituskammio voi olla aikaansaatu siten, että substraatti tai 20 substraatit viedään pinnoituskammion läpi. Pinnoituskammion sisällä voi olla alipaine tai ylipaine tai se voi olla normaalissa ilmanpaineessa (NTP; 1 bar, 0 °C). Vaihtoehtoisesti lähde 1 ei käsitä erillistä pinnoituskammiota vaan lähde 1 on sijoitettu suoraan huonetilaan, prosessitilaan tai jonkin muun laitteiston tai kammion yhteyteen.
25 Alan ammattilaiselle on ilmeistä, että tekniikan kehittyessä keksin- nön perusajatus voidaan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintö ja sen suoritus- o muodot eivät siten rajoitu yllä kuvattuihin esimerkkeihin vaan ne voivat Vaihdel-
CvJ
^ la patenttivaatimusten puitteissa.
cp
X
X
Q.
C\J
LO
O
δ c\j

Claims (29)

1. Lähde (1) yhden tai useamman kaasumaisen lähtöaineen syöttämiseksi substraatin (4) pinnalle (6) substraatin (4) käsittelemiseksi altistamalla substraatin (4) pinta (6) vuoroittaisesti toistuville lähtöaineiden (A, B) pinta- 5 reaktioille, joka lähde (1) käsittää kaasunsyöttöelimen (3) ainakin yhden tai useamman lähtöaineen (A, B) syöttämiseksi substraatin (4) pinnalle, joka kaa-sunsyöttöelin (3) on sovitettu pyöritettäväksi ensimmäisen pyörimisakselin (2) ympäri, ja joka kaasunsyöttöelin (3) on sylinterimäinen osa, joka käsittää yhden tai useamman pitkänomaisen kaasunsyöttökanavan (8, 10, 14), joka ulot-10 tuu ensimmäisen pyörimisakselin (2) suuntaisesti yhden tai useamman lähtöaineen (A, B) syöttämiseksi olennaisesti poikittaisessa suunnassa suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin (2), lähde (1) käsittää lisäksi kaasunsyöttöelimen (3) ympärille aikaansaadun yhden tai useamman kotelon (30, 34, 38) kaasun (A, B, C) syöttämiseksi tai poistamiseksi, tunnettu siitä, että kotelo 15 (30, 34, 38) käsittää ensimmäisen pyörimisakselin (2) suunnassa ulottuvan vir- tausaukon (50), jonka kautta kaasut (A, B, C) johdetaan substraatin (4) pinnalle (6).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen lähde (1), t u n n e 11 u siitä, että 20 kaasunsyöttöelin (3) on sovitettu syöttämään yhtä tai useampaa lähtöainetta (A, B) olennaisesti säteittäisesti, tai olennaisesti kohtisuorassa suunnassa suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin (2).
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen lähde (1), tunnettu sii-25 tä, että kaasunsyöttöelin (3) käsittää yhden tai useamman lähtöaineensyöttö- ^ kanavan (8, 10) yhden tai useamman lähtöaineen (A, B) syöttämiseksi, δ C\J ci
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen lähde (1), t u n n e 11 u siitä, että 0 ^ kaasunsyöttöelin (3) käsittää yhden tai useamman ensimmäisen lähtöaineen- 30 syöttökanavan (8) ensimmäisen lähtöaineen (A) syöttämiseksi ja yhden tai £ useamman toisen lähtöaineensyöttökanavan (10) toisen lähtöaineen (B) syöt- cvj tämiseksi. LO O
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 4 mukainen lähde (1), CVJ 35 tunnettu siitä, että kaasunsyöttöelin (3) käsittää yhden tai useamman huuhteluaineensyöttökanavan (14) huuhteluaineen (C) syöttämiseksi.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen lähde (1), t u n n e 11 u siitä, että huuhteluaineensyöttökanavat (14) on aikaansaatu syöttämään huuhteluainetta (C) olennaisesti poikittaisessa suunnassa, kohtisuorassa suunnassa tai säteit- 5 täisesti suhteessa kaasunsyöttöelimen (3) ensimmäiseen pyörimisakseliin (2).
7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 6 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että kaasunsyöttöelin (3) käsittää yhden tai useamman imu-kanavan (12) lähtöaineiden (A, B) tai huuhtelukaasujen (C) poistamiseksi sub- 10 straatin (4) pinnalta (6).
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen lähde (1), t u n n e 11 u siitä, että imukanavat (12) on aikaansaatu poistamaan lähtöaineita (A, B) tai huuhtelu-kaasuja (C) substraatin (4) pinnalta (6) olennaisesti poikittaisessa suunnassa, 15 kohtisuorassa suunnassa tai säteittäisesti suhteessa kaasunsyöttöelimen (3) ensimmäiseen pyörimisakseliin (2).
9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 8 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että yksi tai useampi lähtöaineensyöttökanavista (8, 10), 20 huuhteluaineensyöttökanavista (14) ja imukanavista (12) on aikaansaatu kaa-sunsyöttöelimeen (3) sen ulkopinnasta sisäänpäin ulottuvina syvennyksinä tai sen ulkopinnasta ulospäin työntyvinä kohoumina.
10. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-9 mukainen lähde (1), 25 tunnettu siitä, että sylinterimäinen kaasunsyöttöelin (3) käsittää olennaisesti ympyränmuotoisen poikkileikkauksen ja ensimmäisen pyörimisakselin (2) 5 suunnassa ensimmäisen pään (16) ja toisen pään (18). (M CD
° 11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, h- 30 että lähtöaineensyöttökanavat (8, 10), huuhteluaineensyöttökanavat (14) tai | imukanavat (12) ulottuvat kaasunsyöttöelimen (3) ensimmäisen pään (16) ja cm toisen pään (18) välissä tai välillä olennaisesti ensimmäisen pyörimisakselin r-- J (2) suuntaisesti. o δ 00 35
12. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-11 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että yksi tai useampi lähtöaineensyöttökanavista (8, 10) ja huuhteluaineensyöttökanavista (14) käsittää yhden tai useamman syöttöaukon (20, 22) lähtöaineen (A, B) tai huuhtelukaasun (C) syöttämiseksi.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, 5 että syöttöaukot (20, 22) on sijoitettu ensimmäisen pyörimisakselin (2) suunnassa lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttökanavan (14) pituudelle lähtöaineen (A, B) tai huuhtelukaasun (C) syöttämiseksi olennaisesti koko lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttökanavan (14) pituudella, tai että syöttöaukot (20, 22) on sijoitettu pyörimisakselin (2) suun- 10 nassa lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttökanavan (14) päihin (26, 28) tai niiden läheisyyteen, tai että syöttöaukot on sijoitettu olennaisesti ensimmäisen pyörimisakselin (2) suunnassa lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttökanavan (14) keskelle.
14. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 -13 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että lähtöaineensyöttökanavat (8, 10) tai huuhteluaineen-syöttökanavat (14) käsittävät yhden tai useamman poistoaukon (24) lähtöaineen (A, B) tai huuhtelukaasun (C) poistamiseksi.
15. Patenttivaatimuksen 12 ja 14 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että poistoaukot (24) on sijoitettu olennaisesti pyörimisakselin (2) suunnassa lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttökanavan (14) keskelle syöttöaukkojen (20, 22) ollessa sijoitettu lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttökanavan (14) päihin (26, 28) tai niiden läheisyy- 25 teen, tai että poistoaukot (24) on sijoitettu ensimmäisen pyörimisakselin (2) suunnassa lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttökanavan 5 (14) päihin (26, 28) tai niiden läheisyyteen syöttöaukkojen (20, 22) ollessa sijoi- C\J ^ tettu olennaisesti lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttö- ° kanavan (14) keskelle. ϋ 30
16. Patenttivaatimuksen 12 ja 14 mukainen lähde (1), tunnettu c\j siitä, että poistoaukot (24) on sijoitettu olennaisesti ensimmäisen pyörimisakse li J Iin (2) suunnassa lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöttö- ° kanavan (14) ensimmäiseen päähän (28) tai sen läheisyyteen ja syöttöaukot 00 35 (20, 22) on sijoitettu lähtöaineensyöttökanavan (8, 10) tai huuhteluaineensyöt tökanavan (14) toiseen päähän (26) tai sen läheisyyteen.
17. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 16 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että kaasunsyöttöelin (3) käsittää yhden tai useamman säiliön lähtöaineita (A, B) tai huuhteluaineita (C) varten. 5
18. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 16 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että kaasunsyöttöelin (3) käsittää virtausyhteet lähtöaineiden (A, B) tai huuhteluaineiden (C) syöttämiseksi kaasunsyöttöelimeen (3) sen ulkopuolelta. 10
19. Patenttivaatimuksen 1 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että lähde (1) käsittää kaksi tai useampia kaasunsyöttöelimen (3) ympärille si-säkkäisesti aikaansaatuja koteloita (30, 34, 38) kaasun (A, B, C) syöttämiseksi tai poistamiseksi. 15
20. Patenttivaatimuksen 19 mukainen lähde (1), t u n n e 11 u siitä, että ainakin yksi koteloista (30, 34, 38) on varustettu yhdellä tai useammalla diffuusiosululla kaasuvirtauksen estämiseksi ympäristön ja virtausaukon (50) välillä. 20
21. Patenttivaatimuksen 1 - 20 mukainen lähde (1), t u n n e 11 u siitä, että lähde (1) käsittää ensimmäisen kotelon (30), joka on aikaansaatu muodostamaan ensimmäinen imukammio (32) kaasujen (A, B, C) poistamiseksi.
22. Patenttivaatimuksen 1 tai 21 mukainen lähde (1), tunnettu siitä, että lähde (1) käsittää toisen kotelon (34), joka on aikaansaatu muodos- 5 tamaan ensimmäinen syöttökammio (36) lähtöaineen (A, B) tai huuhteluaineen C\J ^ (C) syöttämiseksi, o i
23. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1, 21 tai 22 mukainen läh- | de (1), t u n n e 11 u siitä, että lähde (1) käsittää kolmannen kotelon (38), joka c\j on aikaansaatu muodostamaan kolmas imukammio (40) kaasujen (A, B, C) J poistamiseksi, o δ 00 35
24. Järjestely substraatin käsittelemiseksi altistamalla substraatin (4) pinta (6) vuoroittaisesti toistuville lähtöaineiden (A, B) pintareaktioille, joka järjestely käsittää yhden tai useamman lähteen (1) yhden tai useamman kaasumaisen lähtöaineen syöttämiseksi substraatin (4) pinnalle (6) substraatin (4) käsittelemiseksi altistamalla substraatin (4) pinta (6) vuoroittaisesti toistuville lähtöaineiden (A, B) pintareaktioille, joka lähde (1) käsittää kaasunsyöttöelimen 5 (3) ainakin yhden tai useamman lähtöaineen (A, B) syöttämiseksi substraatin (4) pinnalle, joka kaasunsyöttöelin (3) on sovitettu pyöritettäväksi ensimmäisen pyörimisakselin (2) ympäri ja syöttämään yhtä tai useampaa lähtöainetta (A, B) olennaisesti poikittaisessa suunnassa suhteessa ensimmäiseen pyörimisakseliin (2), joka on sovitettu ulottumaan olennaisesti substraatin (4) pinnan (6) 10 suuntaisesti, tunnettu siitä, että lähde (1) on aikaansaatu liikutettavaksi suhteessa substraattiin (4) substraatin (4) pinnan (6) suuntaisesti.
25. Patenttivaatimuksen 24 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että lähde (1) on jonkin patenttivaatimuksen 1 -23 mukainen lähde (1). 15
26. Patenttivaatimuksen 24 tai 25 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että lähde (1) on sovitettu pyöritettäväksi toisen pyörimisakselin ympäri, joka suuntautuu olennaisesti kohtisuorasti ensimmäiseen pyörimisakseliin (2) ja substraatin (4) pintaan (6) nähden. 20
27. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 24 - 26 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että lähde (1) on asetettu etäisyyden päähän substraatin (4) pinnasta (6).
28. Patenttivaatimuksen 27 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että lähde (1) on asetettu enintään 1 cm:n päähän substraatin (4) pinnasta (6). 't δ c\j
^ 29. Patenttivaatimuksen 25 mukainen järjestely, tunnettu siitä, ° että lähde (1) on asetettu siten, että yhden tai useamman kotelon (30, 34, 38) 30 avoin seinämäosa on kohti substraatin (4) pintaa (6). X cc CL C\l LO O δ CM
FI20105472A 2010-04-30 2010-04-30 Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi FI124414B (fi)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20105472A FI124414B (fi) 2010-04-30 2010-04-30 Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi
EP11726460.6A EP2563948B1 (en) 2010-04-30 2011-04-29 Source and arrangement for processing a substrate
EA201291110A EA027960B1 (ru) 2010-04-30 2011-04-29 Источник и устройство для обработки подложки
US13/639,394 US9394610B2 (en) 2010-04-30 2011-04-29 Source and arrangement for processing a substrate
PCT/FI2011/050391 WO2011135190A1 (en) 2010-04-30 2011-04-29 Source and arrangement for processing a substrate
CN201180021683.3A CN102869809B (zh) 2010-04-30 2011-04-29 用于加工基底的源和布置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20105472A FI124414B (fi) 2010-04-30 2010-04-30 Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi
FI20105472 2010-04-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20105472A0 FI20105472A0 (fi) 2010-04-30
FI20105472A FI20105472A (fi) 2011-10-31
FI124414B true FI124414B (fi) 2014-08-29

Family

ID=42133311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20105472A FI124414B (fi) 2010-04-30 2010-04-30 Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9394610B2 (fi)
EP (1) EP2563948B1 (fi)
CN (1) CN102869809B (fi)
EA (1) EA027960B1 (fi)
FI (1) FI124414B (fi)
WO (1) WO2011135190A1 (fi)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2360293A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
FI124414B (fi) * 2010-04-30 2014-08-29 Beneq Oy Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi
FI124113B (fi) * 2010-08-30 2014-03-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi
KR102420015B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3384049A (en) * 1966-10-27 1968-05-21 Emil R. Capita Vapor deposition apparatus including centrifugal force substrate-holding means
US3637434A (en) * 1968-11-07 1972-01-25 Nippon Electric Co Vapor deposition apparatus
FR2490246A1 (fr) * 1980-09-17 1982-03-19 Cit Alcatel Dispositif de deposition chimique activee sous plasma
US4501766A (en) * 1982-02-03 1985-02-26 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Film depositing apparatus and a film depositing method
US4597986A (en) * 1984-07-31 1986-07-01 Hughes Aircraft Company Method for photochemical vapor deposition
US5114770A (en) * 1989-06-28 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
US5629054A (en) * 1990-11-20 1997-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming a functional deposit film of large area by micro-wave plasma CVD method
JP3101330B2 (ja) * 1991-01-23 2000-10-23 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
US6096389A (en) * 1995-09-14 2000-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming a deposited film using a microwave CVD process
US5683548A (en) * 1996-02-22 1997-11-04 Motorola, Inc. Inductively coupled plasma reactor and process
US6209480B1 (en) * 1996-07-10 2001-04-03 Mehrdad M. Moslehi Hermetically-sealed inductively-coupled plasma source structure and method of use
US6083355A (en) * 1997-07-14 2000-07-04 The University Of Tennessee Research Corporation Electrodes for plasma treater systems
EP1214459B1 (en) * 1999-08-17 2009-01-07 Tokyo Electron Limited Pulsed plasma processing method and apparatus
DE10060002B4 (de) * 1999-12-07 2016-01-28 Komatsu Ltd. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung
US6764658B2 (en) * 2002-01-08 2004-07-20 Wisconsin Alumni Research Foundation Plasma generator
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
CA2471987C (en) * 2002-10-07 2008-09-02 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma surface processing apparatus
WO2004081254A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Toyo Seikan Kaisha Ltd. マイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理用ガス供給部材
JP4914713B2 (ja) * 2003-05-05 2012-04-11 コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガニゼイション プラズマ処理装置および方法
US20050103265A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures
KR100558922B1 (ko) 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법
US7968145B2 (en) * 2005-04-26 2011-06-28 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US7413982B2 (en) 2006-03-29 2008-08-19 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US20070281089A1 (en) 2006-06-05 2007-12-06 General Electric Company Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects
WO2008016836A2 (en) * 2006-07-29 2008-02-07 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
US7789961B2 (en) * 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
US8043432B2 (en) * 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
US8287647B2 (en) 2007-04-17 2012-10-16 Lam Research Corporation Apparatus and method for atomic layer deposition
JP5202050B2 (ja) * 2008-03-14 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及び基板処理装置
JP5179389B2 (ja) * 2008-03-19 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及び基板処理装置
JP2010050046A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US20110076421A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
FI124414B (fi) * 2010-04-30 2014-08-29 Beneq Oy Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi
US8869742B2 (en) * 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
US9184028B2 (en) * 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
EP2557198A1 (en) * 2011-08-10 2013-02-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
EP2765218A1 (en) * 2013-02-07 2014-08-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
JP6320824B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-09 株式会社東芝 ガス供給管、およびガス処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102869809B (zh) 2015-06-03
CN102869809A (zh) 2013-01-09
WO2011135190A1 (en) 2011-11-03
EP2563948B1 (en) 2018-06-27
EA201291110A1 (ru) 2013-04-30
US20130047921A1 (en) 2013-02-28
EA027960B1 (ru) 2017-09-29
EP2563948A1 (en) 2013-03-06
FI20105472A0 (fi) 2010-04-30
FI20105472A (fi) 2011-10-31
US9394610B2 (en) 2016-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI124414B (fi) Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi
US9252024B2 (en) Deposition chambers with UV treatment and methods of use
JP6255341B2 (ja) 基板上に原子層を堆積させる方法および装置
US20080026162A1 (en) Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
EP2765218A1 (en) Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
US20120141676A1 (en) Ald coating system
JP2008255493A (ja) 原子層堆積装置及び方法
EP3093368B1 (en) Chemical vapor deposition device, and chemical vapor deposition method
TW201404921A (zh) 用於塗覆基體幅板之方法及裝置
US20130019801A1 (en) Film deposition apparatus and substrate processing apparatus
WO2012028776A1 (en) Apparatus
FI121750B (fi) ALD-reaktori
TW201217060A (en) Nozzle head and apparatus
JP6599372B2 (ja) 基板上へ原子層を堆積させるための方法及び装置
CN102477544A (zh) 制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积方法及其设备
JP2003142415A (ja) プラズマ処理装置
JP5724504B2 (ja) 原子層堆積法成膜装置における回転ドラムおよび原子層堆積法成膜装置
JP5768962B2 (ja) 原子層堆積法成膜装置における成膜処理ドラム
TWI790768B (zh) 原子層沉積設備
JP4073140B2 (ja) 薄膜形成装置及び薄膜製造方法
JP6139947B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
WO2012028779A1 (en) Apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 124414

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B