DE4210110C2 - Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung - Google Patents

Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung- Herstellungsvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf eine zum internen Stand der Technik der Anmelderin gehörende Halbleitereinrichtung- Herstellungsvorrichtung. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, ist eine Trägerkammer 11 mit einer hexagonalen Grundfläche von vier Reaktionskammern 56a bis 56d und zwei Ersatzkammern 61a und 61b umgeben. Die Ersatzkammer 61a ist eine Kammer zum Herstellen eines Niedrigvakuumzustandes aus dem atmosphärischen Zustand. Die der Ersatzkammer 61a benachbarte Ersatzkammer 61b ist eine Kammer zum Herstellen eines atmosphärischen Zustands aus dem Niedrigvakuumzustand. Die Trägerkammer 11 ist eine Kammer zum Bewegen eines Halbleitersubstrats von der Ersatzkammer 61a zu den jeweiligen Reaktionskammern 56a bis 56d oder von den jeweiligen Reaktionskammern 56a bis 56d zur Ersatzkammer 61a. In jeder Reaktionskammer 56a bis 56d ist eine CVD-Vorrichtung gebildet, und in der Reaktionskammer, in die das Substrat von der Trägerkammer 11 bewegt wird, wird ein dünner Film auf dem Halbleitersubstrat geschaffen.
Fig. 6 ist ein Querschnitt entlang der Achse A-A in Fig. 4 und zeigt die Querschnittstrukturen der Ersatzkammer 61a, der Reaktionskammer 56d und der Trägerkammer 11. Wie in Fig. 6 gezeigt ist, weist die Ersatzkammer 61a an ihren beiden Seiten eine erste Öffnung 65a und eine zweite Öffnung 62a auf. Die erste und zweite Öffnung 65a und 62a werden vom ersten und zweiten Verschluß 65 bzw. 62, die von einem ersten und zweiten Druckluftzylinder 66 bzw. 64 vertikal angetrieben werden, geöffnet und geschlossen. Der zweite Druckluftzylinder 64 weist einen Vakuumbalg 63 auf, der kontrahiert und expandiert, wenn der zweite Verschluß 62 angehoben wird oder nach unten geht, um die Ersatzkammer 61a abzudichten. In der Mitte des Bodens der Ersatzkammer 61a ist eine Ablage 60 zum Ablegen des Halbleitersubstrats 1 gebildet. Ein Auslaßkanal 68 zur Steuerung des Drucks in der Kammer ist in der Mitte der Decke der Ersatzkammer 61a gebildet. Die zweite Öffnung 62a steht über das Öffnungsverbindungsbauteil 67 in Verbindung mit der dritten Öffnung 62b der Trägerkammer 11. Die Reaktionskammer 56d weist eine fünfte Öffnung 41b auf, die von einem dritten Verschluß 41 geöffnet und verschlossen wird. Die Reaktionskammer 56d weist in der Mitte ihres Bodens eine Öffnung auf, und es ist eine Halterung 52 mit einer Ablage 50 und einer Heizeinrichtung 51 an der Öffnung gebildet. Ein Einlaß 55 für reaktives Gas ist in der Decke der Reaktionskammer 56d gebildet. An der Seite der Kammer 56d ist ein Auslaßkanal 57 zur Steuerung des Drucks in der Reaktionskammer geschaffen, um die Kammer 56d zu evakuieren. Ein Lager 53 trägt die Halterung 52, damit sie drehbar ist. Zwischen der Halterung 52 und der Öffnung der Reaktionskammer 56d ist ein Verschluß 54 gebildet, der die Reaktionskammer 56d gegen die Drehung der Halterung 52 verschließt.
Die Trägerkammer 11 weist in der Mitte ihres Bodens eine Öffnung auf, und es ist eine Halbleitersubstratablage 110 über einen unteren Flansch 8b an der Öffnung gebildet. Die Halbleitersubstratablage 110 weist ein Gehäuse 46 mit einem Antriebsbauteil 330 zum vertikalen Antreiben der Trägerachse 7, einen Vakuumbalg 8 zum Verschließen des Raums zwischen der Trägerachse 7 und der Trägerkammer 11, während sich die Achse 7 vertikal bewegt, und ein Armbauteil 3a zum Tragen des Halbleitersubstrats 1 auf. Das Armbauteil 3a besteht aus einer drehbaren Achse 3 und ersten bis dritten Armen 30 bis 32. Der untere Flansch 8b ist durch Bolzen 13 und O-Ringe 10 an der Kante der Öffnung der Trägerkammer 11 befestigt, um dadurch die Trägerkammer 11 zu verschließen. Ferner ist in der Decke der Trägerkammer 11 ein Auslaßkanal 45 zur Steuerung des Drucks in der Trägerkammer 11 gebildet. Im Antriebsbauteil 330 wird der Motor 34 angetrieben und seine Antriebskraft wird durch die Kegelräder 38 und 37 auf das Trägerachsen-Antriebsbauteil 33 und dann auf die Kugelrollspindel 39 übertragen. Das Trägerachsen-Antriebsbauteil 33 bewegt sich dann vertikal entlang der Welle des Kegelrads 37 und der Führung 40. Die Bezugszeichen 35 und 36 bezeichnen Lager für die Welle des Kegelrads 37. Ferner sind eine dritte Öffnung 62b und eine vierte Öffnung 41a, die vom zweiten Verschluß 62 bzw. vom dritten Verschluß 41 geöffnet und verschlossen werden, auf den beiden Seiten der Trägerkammer 11 gebildet. Der dritte Verschluß 41 wird vom dritten Druckluftzylinder 43 vertikal bewegt. Der dritte Druckluftzylinder 43 weist einen Vakuumbalg 42 auf, der kontrahiert und expandiert, wenn der dritte Verschluß angehoben oder abgesenkt wird, um dadurch die Trägerkammer abzudichten. Die vierte Öffnung 41a steht über das Öffnungsverbindungsbauteil 44 in Kontakt mit dem fünften Verschluß 41b der Reaktionskammer 56d.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 5 wird im folgenden die Struktur des Ablagenachsenteils der Halbleitersubstratablage 110 beschrieben, das in Fig. 6 weggelassen wurde. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, ist die Trägerachse 7 durch das Lager 4 und die Dichtung 5 um die drehbare Achse 3 des Armbauteils 3a gebildet, und es ist ein Vakuumbalg 8 um die Trägerachse 7 herum geschaffen. Die Dichtung 5 dichtet die Trägerkammer 11 für die Drehung der drehbaren Achse 3 ab. Die Trägerachse 7 ist durch die Bolzen 12 und die O-Ringe 9 mit dem oberen Flansch 8a verbunden. Die Trägerachse 7 und der Vakuumbalg 8 verschließen die Trägerkammer 11.
Im folgenden wird das Armbauteil 3a beschrieben. Fig. 7 zeigt eine Perspektive der Halbleitersubstratablage 110 mit dem Armbauteil 3a. Das Armbauteil 3a weist eine Halterung 2, auf die das Halbleitersubstrat 1 gelegt wird, eine drehbare Achse 3 und eine Verbindungseinrichtung, die aus den ersten bis dritten Armen 30 bis 32 besteht, auf. Wenn sich die drehbare Achse 3 dreht, bewegen sich die ersten bis dritten Arme 30 bis 32 in elastischer Weise, wodurch das Halbleitersubstrat 1 von der Ersatzkammer 61a zu den jeweiligen Reaktionskammern 56a bis 56d oder von den jeweiligen Reaktionskammern 56a bis 56d zur Ersatzkammer 61a bewegt wird.
Im folgenden wird nun der Betrieb beschrieben. Während die zweiten und dritten Verschlüsse 62 und 41 nach oben gedrückt werden, wird der erste Verschluß 65 nach unten gezogen, wodurch die Ersatzkammer 61a geöffnet wird. Das Halbleitersubstrat 1 wird durch eine (nicht dargestellte) geeignete Einrichtung auf die Ablage 60 in der Ersatzkammer 61a gelegt. Dann wird der erste Druckluftzylinder 66 betrieben, um den ersten Verschluß 65 nach oben zu drücken, wodurch die Ersatzkammer 61a, die Trägerkammer 11 und die Reaktionskammer 56d jeweils verschlossen werden. Die Kammern 61a, 11 und 56d, die verschlossen sind, werden jeweils über die Auslaßkanäle 68, 45 bzw. 57 auf 1×104 Pa evakuiert.
Dann wird der zweite Verschluß 62 nach unten gezogen, um die zweite und dritte Öffnung 62a und 62b zu öffnen. Dann wird das Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage 60 in der Ersatzkammer 61a durch die Halbleitersubstratablage 110 in die Reaktionskammer bewegt.
Wie in Fig. 8(a) gezeigt ist, befinden sich das Antriebsbauteil 330 und das Armbauteil 3a der Halbleitersubstratablage 110 in Ruhe (siehe (1) in Fig. 8(a)), die drehbare Achse 3 des Armbauteils 3a wird von einer geeigneten (nicht dargestellten) Einrichtung gedreht, und dann werden die ersten bis dritten Arme 30 bis 32 durch die Verbindungsvorrichtung gestreckt (siehe (2)). Wie in Fig. 8(b) gezeigt ist, schiebt sich die Halterung 2 am Ende des Armbauteils 3a bis unter das Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage in der Ersatzkammer 61a vor, d. h., schiebt sich in Richtung des Pfeils a vor. Dann wird der Motor 34 des Antriebsbauteils 330 angetrieben und das Trägerachsen-Antriebsbauteil 33 wird angehoben. Das Halbleitersubstrat 1 wird von der Halterung 2 in Richtung des Pfeils b aufgenommen und dann von der Ersatzkammer 61a in die Trägerkammer 11 bewegt.
Anschließend kehrt das Armbauteil 3a in den Zustand (1) von Fig. 8(a) zurück. Gleichzeitig befindet sich das Trägerachsen- Antriebsbauteil 33 in seinem angehobenen Zustand. Dann wird der Verschluß 62 nach oben gedrückt, um die Kammern 61a, 11 und 56d zu verschließen. Nun werden diese Kammern über die Auslaßkanäle 68, 45 bzw. 57 auf 100Pa evakuiert.
Im Zustand, wenn die jeweiligen Kammern 61a, 11 und 56d denselben Druck aufweisen, wird der dritte Verschluß 41 nach unten gezogen, um die vierte Öffnung 41a und die fünfte Öffnung 41b zu öffnen. Dann wird die drehbare Achse 3 des Armbauteils 3a durch eine geeignete (nicht dargestellte) Einrichtung in ähnlicher Weise wie oben gedreht, und das Armbauteil 3a wird von der Verbindungseinrichtung (siehe (3) in Fig. 8(a)) gestreckt, wodurch das Halbleitersubstrat 1 über die Ablage 50 in der Reaktionskammer 56d bewegt wird. Dann wird das Trägerachsen-Antriebsbauteil 33 abgesenkt, um das Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage 50 abzulegen. Nun kehrt das Armbauteil 3a in den Zustand (1) von Fig. 8(a) zurück. In diesem Zustand wird der dritte Verschluß 41 nach oben gedrückt, um die jeweiligen Kammern 61a, 11 und 56d zu verschließen. Dann werden diese Kammern über die Auslaßkanäle 68, 45 bzw. 57 auf 1 bis 10 Pa evakuiert.
Anschließend wird das Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage 50 in der Reaktionskammer 56d von der Heizeinrichtung 51 auf 300 bis 500°C aufgeheizt, und das Substrat reagiert mit Silan (SiH4), das als reaktives Gas verwendet wird. Diesem reaktiven Gas vom Einlaß 55 für reaktives Gas ist Diboran (B2H2) oder Phosphin (PH3) hinzugefügt, und das reaktive Gas wird mit einem Druck von 100 bis 1000Pa auf das Halbleitersubstrat 1 geblasen. Dann wird die Halterung 52 von einer geeigneten (nicht dargestellten) Einrichtung mit einer Geschwindigkeit von 1 bis 10 U/min langsam gedreht, um dadurch gleichmäßig einen dünnen Film von ungefähr 1 µm Dicke auf dem Halbleitersubstrat 1 zu bilden. Das Gas wird über den Auslaßkanal 57 abgelassen.
Ferner sind die Expansion und die Kontraktion der ersten bis dritten Arme 30 bis 32 durch die Verbindungseinrichtung des Armbauteils 3a und die Drehung der drehbaren Achse 3 des Armbauteils 3a, während das Halbleitersubstrat 1 von der Ersatzkammer 61a zu den jeweiligen Reaktionskammern 56a bis 56d bewegt wird, bekannt.
Wenn das Halbleitersubstrat 1, dessen Oberfläche behandelt wird, von der Reaktionskammer 56d zur Ersatzkammer 61b bewegt wird, wird der oben beschriebene Betrieb umgekehrt ausgeführt. Das heißt, daß die jeweiligen Reaktionskammern 61a, 11 und 56d vom Niedrigvakuumzustand in den Vakuumzustand überführt werden, und dann wird das Halbleitersubstrat von der Reaktionskammer 56d zur Trägerkammer 11 bewegt. Dann werden die jeweiligen Kammern 61a, 11 und 56d vom Vakuumzustand in den atmosphärischen Zustand übergeführt, und das Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer 11 in die Ersatzkammer 61a bewegt.
Ferner ist das oben beschriebene Halbleitersubstrat ein Siliziumsubstrat und der darauf gebildete dünne Film ist ein Siliziumoxidfilm.
Bei der Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung mit der oben beschriebenen Verschlußeinrichtung wird zwischen der Vakuumträgerkammer 11 und der Umgebungsluft ein Druckunterschied erzeugt und durch den Druckunterschied ergibt sich eine Schubkraft von 300kg/cm2, die die Trägerachse in die Trägerkammer zieht. In diesem Fall ist die Kraft des Antriebsbauteils zum vertikalen Antreiben der Trägerachse gleich der Summe des Gewichts der Trägerachse und der oben angegebenen Schubkraft. Dann muß das Führungsbauteil zum Führen der vertikalen Bewegung verstärkt werden und die gesamte Vorrichtung ist aufgrund der Kraft des Antriebsbauteils groß. Das führt zu einer teuren Einrichtung.
Aus der DE 37 12 064 A1 ist eine Einrichtung zum Bearbeiten von Werkstücken, insbesondere von Wafern in einem Reinraum einer Halbleiterfertigung bekannt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine kleine und billige Halbleitereinrichtung- Herstellungsvorrichtung mit einer Verschlußeinrichtung, die die auf die Trägerachse ausgeübte Schubkraft reduziert oder aufhebt, und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung, das die oben angegebene Herstellungsvorrichtung verwendet, zu schaffen.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitereinrichtung- Herstellungsvorrichtung nach Anspruch 1 bzw. Verfahren nach Anspruch 6, 7 oder 8.
Entsprechend einem ersten Aspekt weist eine Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung eine Trägerkammer mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann, ein Trägerbauteil mit einer Substrathalterung, einem Armbauteil und einer Einrichtung zum Tragen des Substrats, das sich in der Öffnung der Trägerkammer vertikal hin- und herbewegt, und einen Vakuumbalg, der den Raum zwischen der Trägerkammer und dem Trägerbauteil abdichtet, auf. Der Vakuumbalg weist einen oberen Balg und einen unteren Balg auf, zwischen denen ein Hohlflansch gebildet ist, wobei der obere Balg eine Doppelstruktur mit einem inneren Balg und einem äußeren Balg aufweist. Ein Lufteinlaß mündet im Hohlflansch und durch den Lufteinlaß wird Luft in den ringförmigen Raum zwischen dem inneren Balg und dem äußeren Balg eingeführt. Daher wird die Schubkraft, die auf den Hohlflansch ausgeübt wird, durch den Druck der eingeführten Luft reduziert oder aufgehoben, so daß die Last des Antriebsteils vermindert werden kann. Damit erhält man eine kleine und billige Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung.
Entsprechend einem zweiten Aspekt benutzt ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung eine Vorrichtung mit einer Trägerkammer mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann, einem Trägerbauteil mit einer Substrathalterung, einem Armbauteil und einer Einrichtung zum Tragen des Substrats, das sich in der Öffnung der Trägerkammer vertikal hin- und herbewegt, und eine Verschlußeinrichtung. Die Verschlußeinrichtung ist mit dem Trägerbauteil verbunden und weist einen Flansch mit einem Lufteinlaß, einen ersten Balg und einen zweiten Balg auf. Der erste Balg weist eine Doppelstruktur mit einem inneren Balg und einem äußeren Balg auf und Luft wird durch den Lufteinlaß des Flansches in den ringförmigen Raum zwischen dem inneren Balg und dem äußeren Balg eingeführt. Der zweite Balg verschließt die Trägerkammer. Der Herstellungsprozeß lautet folgendermaßen. Eine Ersatzkammer und die Trägerkammer werden evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von der Ersatzkammer zur Trägerkammer bewegt. Dann wird in der Trägerkammer und einer Reaktionskammer ein niedriges Vakuum hergestellt und das Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer zur Reaktionskammer bewegt. Das Halbleitersubstrat wird in der Reaktionskammer behandelt. Anschließend werden die Reaktionskammer und die Trägerkammer evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von der Reaktionskammer zur Trägerkammer bewegt. Dann werden die Trägerkammer und die Ersatzkammer in den atmosphärischen Zustand überführt und das Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer zur Ersatzkammer bewegt. Daher kann die Schubkraft reduziert oder aufgehoben werden und die Last des Antriebsbauteils kann vermindert werden. Damit erhält man eine kleine und billige Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt der Struktur eines Trägerachsenteils einer Halbleitersubstrat-Trägereinrichtung nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 einen Querschnitt der Struktur einer Vakuumreaktionskammer einer Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 3 einen Querschnitt der Struktur einer Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach der ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 4 eine Draufsicht auf eine Halbleitereinrichtung- Herstellungsvorrichtung;
Fig. 5 einen Querschnitt der Struktur eines Trägerachsenteils einer Halbleitersubstrat-Trägereinrichtung;
Fig. 6 einen Querschnitt der Struktur einer Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung;
Fig. 7 eine Perspektive einer Halbleitersubstrat- Trägereinrichtung; und
Fig. 8(a) und 8(b) eine Draufsicht und eine Perspektive zur Erläuterung des Betriebs des Armbauteils.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt der Struktur eines Trägerachsenteils einer Halbleitersubstrat-Trägereinrichtung, das die Verschlußeinrichtung einer Halbleiterdünnfilm-Erzeugungsvorrichtung nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung benutzt. In Fig. 1 bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie in Fig. 5 dieselben oder entsprechende Teile.
Eine Trägerkammer 11a weist in der Mitte ihres Bodens eine Öffnung auf, und eine Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a ist über einen unteren Flansch 8b an der Öffnung gebildet. Die Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a weist ein Gehäuse 45a mit einem Antriebsbauteil 330a, das die Trägerachse 7 vertikal bewegt, erste bis dritte Vakuumbalge 8d bis 8f, die den Raum zwischen der Trägerachse 7 und der Trägerkammer 11a während der vertikalen Bewegung der Trägerachse 7 abdichten, und ein Armbauteil 3a, das das Halbleitersubstrat 1 trägt, auf. Der untere Flansch 8b ist über die Bolzen 13 und O-Ringe 10 mit der Kante der Öffnung in der Trägerkammer 11 verbunden, um dadurch die Trägerkammer luftdicht zu halten. Die Form der Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a stimmt mit der Form entsprechend der Beschreibung von Fig. 7 überein.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist die Trägerachse 7 mittels des Lagers 4 und der Dichtung 5 um die drehbare Achse 3 des Armbauteils 3a gebildet. Diese Dichtung 5 dichtet die Trägerkammer 11a für die Drehung der drehbaren Achse 3 ab. Die Trägerachse 7 ist durch die Bolzen 12 und O-Ringe 9 mit dem Hohlflansch 8c verbunden. Damit verschließen die Vakuumbalge und die Trägerachse 7 die Trägerkammer 11a.
Der obere Flansch 8a und der untere Flansch 8b sind über bzw. unter dem Hohlflansch 8c gebildet. Der erste innere Balg 8d und der zweite äußere Balg 8e sind zwischen dem Hohlflansch 8c und dem oberen Flansch 8a gebildet. Der dritte Balg 8f ist zwischen dem unteren Flansch 8b und dem Hohlflansch 8c gebildet. Die beiden Enden des dritten Balgs 8f sind luftdicht mit dem Hohlflansch 8c und dem unteren Flansch 8b verschweißt. Die beiden Enden des ersten inneren Balgs 8d und die des zweiten äußeren Balgs sind luftdicht mit dem oberen Flansch 8a und dem Hohlflansch 8c verschweißt. Ferner sind die jeweiligen Flansche 8a bis 8c und die ersten bis dritten Balge 8d bis 8f um die drehbare Achse 3 angeordnet.
Ein Lufteinlaß 8g, durch den Luft in den ringförmigen Raum eintritt, der vom ersten und zweiten Balg 8d und 8e sowie dem oberen und unteren Flansch 8a und 8c gebildet wird, durchdringt den Hohlflansch 8c. Ein Auslaßkanal 8h zum Evakuieren des ringförmigen Raums, der vom dritten Balg 8f und dem oberen, unteren und Hohlflansch 8a bis 8c gebildet wird, ist auf der unteren Seite des Flansches 8a geschaffen.
Im folgenden wird nun der Betrieb beschrieben. Hier stimmt der Betrieb zum Bewegen des Halbleitersubstrats 1 von der Ersatzkammer 61a, die in Fig. 3 gezeigt ist, zur Reaktionskammer 56d über die Trägerkammer 11 oder von der Reaktionskammer 56d zur Ersatzkammer 61a über die Trägerkammer 11a mit dem in der Einleitung beschriebenen überein. Daher wird diese Beschreibung weggelassen. Es wird nur die vertikale Bewegung der Trägerachse 7 der Halbleitersubstrat- Ablageeinrichtung 110a beschrieben. Wenn die Trägerachse 7 ansteigt, kontrahieren der obere erste und zweite Balg 8d und 8e, während der untere dritte Balg expandiert. Dann erreicht der Hohlflansch 8c das obere Endstück des oberen Flansches 8a.
Wenn das Armbauteil 3a mit der Halterung 2, auf die das Halbleitersubstrat 1 gelegt wird, zur Ablage 50 in der Reaktionskammer 56d bewegt und dann die Trägerachse 7 abgesenkt wird, expandieren der obere erste und zweite Balg 8d und 8e, während der untere dritte Balg 8f kontrahiert. Der Hohlflansch 8c erreicht den unteren Flansch 8b.
Für den Fall, daß sich die Trägerachse 7 wie oben beschrieben vertikal bewegt, wird aufgrund des Vakuums in der Trägerkammer 11a eine Schubkraft auf den Hohlflansch 8c ausgeübt, die die Trägerachse 7 in die Trägerkammer 11a zieht. Diese Schubkraft ist proportional zur Fläche des Kreises innerhalb des unteren dritten Balgs 8f. Da andererseits durch den Lufteinlaß 8g Luft in den ringförmigen Raum, der vom unteren ersten und zweiten Balg 8d und 8e sowie dem oberen und Hohlflansch 8a und 8c gebildet wird, eindringt, wird auf den Hohlflansch 8c eine Kraft ausgeübt, deren Richtung zur oben angeführten Schubkraft entgegengesetzt ist. Diese Kraft ist proportional zur Fläche des ringförmigen Raums, der vom ersten und zweiten Balg 8d und 8e umgeben ist. Indem man diese zwei Flächen gleich groß macht, werden die wechselseitigen Kräfte im Hohlflansch aufgehoben, so daß der Hohlflansch gut ausgeglichen ist. Während die Schubkraft beim Stand der Technik 300kg/cm2 beträgt, kann sie bei der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf 4kg/cm2 oder einen vernachlässigbaren Wert vermindert werden.
Bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform weist der Vakuumbalg den oberen Balg und den unteren Balg auf, wobei der Hohlflansch 8c dazwischen gebildet ist, und der untere Balg besitzt eine Doppelstruktur mit dem inneren Balg und dem äußeren Balg. Ferner wird über den Lufteinlaß 8g des Hohlflansches 8c in den ringförmigen Raum zwischen dem inneren und äußeren Balg Luft eingeführt. Damit wird die auf die Trägerachse 7 ausgeübte Schubkraft auf einen vernachlässigbaren Wert vermindert, wodurch die Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a minimiert werden kann und man eine billige Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung erhält.
Ferner weist die Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung die Trägerkammer 11a, die eine Öffnung aufweist und vakuumdicht verschlossen werden kann, die Trägerachse 7 mit der Halterung 2, dem Armbauteil 3a und einer Einrichtung zum Tragen des Substrats 1, die sich in der Öffnung der Trägerkammer 11a vertikal hin- und herbewegt, und die Verschlußeinrichtung auf. Diese Verschlußeinrichtung ist mit der Trägerachse 7 verbunden und weist den Hohlflansch 8c mit dem Lufteinlaß 8g, den ersten und zweiten oberen Balg 8d und 8e und den dritten unteren Balg 8f auf. Zwischen dem ersten und zweiten oberen Balg 8d und 8e wird ein ringförmiger Raum gebildet, und über den Lufteinlaß 8g im Hohlflansch wird Luft in diesen Raum eingeführt. Der dritte Balg 8f verschließt die Trägerkammer 11a. Unter Verwendung dieser Vorrichtung wird das Halbleitersubstrat 1 folgendermaßen bearbeitet. Die Ersatzkammer und die Trägerkammer werden evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von der Ersatzkammer in die Trägerkammer bewegt. Dann wird in der Trägerkammer und der Reaktionskammer ein Niedrigvakuum erzeugt und das Halbleitersubstrat von der Trägerkammer zur Reaktionskammer bewegt. Das Halbleitersubstrat wird in der Reaktionskammer behandelt. Anschließend werden die Reaktionskammer und die Trägerkammer evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von der Reaktionskammer zur Trägerkammer bewegt. Dann werden die Trägerkammer und die Ersatzkammer in den atmosphärischen Zustand gebracht und das Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer zur Ersatzkammer bewegt. Daher kann die Schubkraft vermindert oder aufgehoben werden und die Last des Antriebsbauteils 330a wird verkleinert. Damit kann man eine kleine und billige Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung erhalten.
Bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform wird die Verschlußeinrichtung auf die Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a in der Trägerkammer 11a der Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung angewandt, wobei sich das Armbauteil 3a in der Trägerkammer 11a vertikal bewegt, während die Ablage 60 in der Ersatzkammer 61a und die Ablage 50 in der Reaktionskammer 56d fest sind. Die Verschlußeinrichtung der vorliegenden Erfindung kann jedoch auch auf eine Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung angewandt werden, bei der das Armbauteil 3a in der Trägerkammer 11a fest ist, während sich die Ablage 60 in der Ersatzkammer 61a und die Ablage 50 in der Reaktionskammer 56d vertikal bewegen. Ferner kann die Verschlußeinrichtung der vorliegenden Erfindung auch auf die Ablage 60 und die Ablage 50, die sich vertikal bewegen, angewandt werden.
Nun erfolgt die Beschreibung einer zweiten Ausführungsform. Fig. 2 zeigt einen Querschnitt der Struktur der Reaktionskammer 56d der Halbleitereinrichtung- Herstellungsvorrichtung, bei der sich die Transportablage 50 vertikal bewegt, nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Wie in Fig. 2 gezeigt ist, weist die Transportablage 50 eine Heizeinrichtung 51 und eine drehbare Achse 300 auf, und eine Trägerachse 7 ist um die drehbare Achse 300 gebildet. Die Trägerachse 7 ist mit dem Hohlflansch 8c verbunden und der obere Flansch 8a und der untere Flansch 8b sind über bzw. unter dem Hohlflansch 8c gebildet. Ein erster innerer Balg 8d und ein zweiter äußerer Balg 8e sind zwischen dem oberen Flansch 8a und dem Hohlflansch 8c gebildet. Ein dritter Balg 8f ist zwischen dem unteren Flansch 8b und dem Hohlflansch 8c gebildet.
Im Hohlflansch 8c ist ein Lufteinlaß 8g geschaffen, und Luft dringt in den ringförmigen Raum zwischen dem ersten und zweiten Balg 8d und 8e ein, wodurch die auf den Hohlflansch 8c aufgrund des Vakuums in der Reaktionskammer 56d ausgeübte Schubkraft aufgehoben wird.
Es wird angenommen, daß die Ersatzkammer (61a in Fig. 3) der Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach dieser zweiten Ausführungsform eine Transportablage (60 in Fig. 3) aufweist, die sich vertikal bewegt, und daß die Transportablage mit derselben Verschlußeinrichtung wie bei der Reaktionskammer 56d in Fig. 2 verbunden ist.
Nun wird der Betrieb dieser zweiten Ausführungsform beschrieben. Das Armbauteil (3a in Fig. 3) in der Trägerkammer (11a in Fig. 3) bewegt sich über die Transportablage (60 in Fig. 3) in der Ersatzkammer (61a in Fig. 3) und das Halbleitersubstrat 1 auf der Transportablage wird von der Halterung 2 aufgenommen. Dann senkt sich die Transportablage und das Halbleitersubstrat 1 wird vom Armbauteil (3a in Fig. 3) in der Trägerkammer (11a in Fig. 3) in die Reaktionskammer 56d bewegt. Dann wird die Ablage 50 in der Reaktionskammer 56d angehoben und das Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage 50 abgelegt.
Bei der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform wird die Verschlußeinrichtung der vorliegenden Erfindung auf eine Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung angewandt, bei der das Armbauteil 3a in der Trägerkammer 11a fest ist, während sich die Transportablage 60 in der Ersatzkammer 61a und die Ablage 50 in der Reaktionskammer 56d vertikal bewegen. Auch in diesem Fall kann man dieselben Effekte wie oben erzielen.

Claims (13)

1. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung, aufweisend
eine Trägerkammer (11a) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil mit einer Substrathalterung (2), einem Armbauteil (3a) und einer Einrichtung zum Tragen des Substrats, das sich in der Öffnung der Trägerkammer (11a) vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Trägerkammer (11a) und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil,
wobei die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (8c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) besitzt,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Trägerkammer (11a) abdichtet, aufweist.
2. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung, aufweisend
eine Ersatzkammer (61a, 61b) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
ein Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird,
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und sich in der Öffnung der Ersatzkammer (61a, 61b) vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Ersatzkammer (61a, 61b) und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil,
wobei die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (8c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) aufweist,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist.
3. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung, aufweisend
eine Reaktionskammer (56a-56c) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
ein Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, einer Heizeinrichtung (51) und einer Dreheinrichtung (300),
einen Reaktionsgaseinlaß (55), durch den Reaktionsgas zum Behandeln des Substrats (1) eingelassen wird,
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und sich in der Öffnung der Reaktionskammer vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Reaktionskammer und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil,
wobei die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (8c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) aufweist,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Reaktionskammer (56a-56c) abdichtet, aufweist.
4. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
eine vertikal hin- und herbewegbare Halteeinrichtung zum Halten des vertikal hin- und herbewegbaren Bauteils,
ein Führungsbauteil (40) zum Führen der vertikalen Hin- und Herbewegung der Halteeinrichtung (2), das auf einer Seite der Halteeinrichtung gebildet ist,
eine Antriebseinrichtung (35-39) zum vertikalen Hin- und Herbewegen der Halteeinrichtung, die auf der anderen Seite der Halteeinrichtung gebildet ist, und
einen Motor (34) zum Antreiben der Antriebseinrichtung.
5. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das vertikal hin- und herbewegbare Bauteil
eine Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung mit einer Verbindungsvorrichtung aus ersten bis dritten Armen (30-32) und
eine Halteeinrichtung (2), die am Ende des dritten Arms (32) gebildet ist und auf der das Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, und
eine Steuereinrichtung zum Steuern des Betriebs der Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung beim Transport aufweist.
6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung unter Verwendung einer Vorrichtung mit
einer Ersatzkammer (61a, 61b) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einer Reaktionskammer (56a-56c) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann und einer Heizeinrichtung (51),
einer Trägerkammer (11a) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil, das eine Substrathalterung (2), ein Armbauteil (3a) und eine Einrichtung zum Tragen des Substrats (1) umfaßt und das sich in der Öffnung der Trägerkammer (11a) vertikal hin- und herbewegt,
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem Tragbauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Trägerkammer (11a) abdichtet, aufweist,
gekennzeichnet durch die Schritte:
Evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a- 56c),
Evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung unter Verwendung einer Vorrichtung mit
einer Trägerkammer (11a) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einer Reaktionskammer (56a-56c), die vakuumdicht verschlossen werden kann und einer Heizeinrichtung (51),
einer Ersatzkammer (61a, 61b) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird,
einem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und das sich in der Öffnung der Ersatzkammer (61a, 61b) vertikal hin- und herbewegt, und
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist,
gekennzeichnet durch die Schritte:
Evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a- 56c),
Evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung unter Verwendung einer Vorrichtung mit
einer Trägerkammer (11a) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einer Ersatzkammer (61a, 61b) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einer Reaktionskammer (56a-56c) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, einer Heizeinrichtung (51) und einer Dreheinrichtung,
einem Reaktionsgaseinlaß (55), durch den Reaktionsgas zur Behandlung des Substrats (1) eingelassen wird,
einem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und das sich in der Öffnung der Reaktionskammer (56a-56c) vertikal hin- und herbewegt, und
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einem äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist,
gekennzeichnet durch die Schritte:
Evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a- 56c),
Evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Ersatzkammer (61a, 61b) auf 1×104 Pa, die Trägerkammer (11a) auf 100Pa und die Reaktionskammer (56a-56c) auf 1 bis 10 Pa evakuiert wird.
10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (1) ein Siliziumsubstrat ist.
11. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (1) von der Heizeinrichtung (51) in der Reaktionskammer (56a-56c) auf 300 bis 500°C aufgeheizt wird, damit das Substrat mit einem reaktiven Gas reagiert, um dadurch einen dünnen Film auf dem Substrat zu bilden.
12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Gas Silan (SiH4), Diboran (B2H2) oder eines, dem Phosphin (PH3) hinzugefügt worden ist, darstellt.
13. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der auf dem Halbleitersubstrat (1) gebildete dünne Film ein Siliziumoxidfilm ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19831032A1 (de) * 1998-07-11 2000-01-20 Asys Gmbh & Co Kg Basismodul mit radialem Anschluß für zumindest ein Prozeßmodul

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5669316A (en) * 1993-12-10 1997-09-23 Sony Corporation Turntable for rotating a wafer carrier
JP2720420B2 (ja) * 1994-04-06 1998-03-04 キヤノン販売株式会社 成膜／エッチング装置
DE9407482U1 (de) * 1994-05-05 1994-10-06 Leybold Ag Funktionseinrichtung für eine Vakuumanlage für die Behandlung von scheibenförmigen Werkstücken
US5605574A (en) * 1995-09-20 1997-02-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer support apparatus and method
US5784925A (en) * 1996-12-13 1998-07-28 Etec Systems, Inc. Vacuum compatible linear motion device
US5899653A (en) * 1997-06-23 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Two-stage vacuum bellows
DE19742923A1 (de) * 1997-09-29 1999-04-01 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines im wesentlichen flachen, scheibenförmigen Substrats
DE19910478C2 (de) 1998-03-12 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem
DE19964235B4 (de) * 1998-03-12 2006-08-24 Tokyo Electron Ltd. Substrattransportvorrichtung
US6373271B1 (en) * 1999-12-29 2002-04-16 Motorola, Inc. Semiconductor wafer front side pressure testing system and method therefor
DE10054045B4 (de) * 2000-10-31 2004-12-30 Asys Gmbh & Co. Kg Arbeitstisch mit einer Tischplatte
US6902623B2 (en) * 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
US6614508B2 (en) 2001-08-16 2003-09-02 Nikon Corporation Reversed, double-helical bellows seal
KR100422452B1 (ko) * 2002-06-18 2004-03-11 삼성전자주식회사 로드락 챔버용 스토리지 엘리베이터 샤프트의 실링장치
JP4173389B2 (ja) * 2003-03-19 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE602004019835D1 (de) * 2003-04-22 2009-04-23 Asml Netherlands Bv Träger und Verfahren zur Herstellung eines Trägers
US7595653B2 (en) * 2004-07-21 2009-09-29 Afore Oy Pressure testing apparatus and method for pressure testing
JP4903027B2 (ja) * 2006-01-06 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および基板支持体
JP5240647B2 (ja) * 2007-07-30 2013-07-17 株式会社リコー シール機構、ステージ装置、及び電子線描画装置
NL1036843A1 (nl) * 2008-05-23 2009-11-24 Asml Netherlands Bv Support structure, lithographic apparatus and method.
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20100116139A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-13 Chang-Cheng Ho Chain protector for a linear motion processing machine
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5292160B2 (ja) * 2009-03-31 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 ガス流路構造体及び基板処理装置
US8617347B2 (en) * 2009-08-06 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5553588B2 (ja) * 2009-12-10 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
TWI654666B (zh) 2014-01-27 2019-03-21 Veeco Instruments, Inc. 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具
US10179300B2 (en) 2015-11-20 2019-01-15 Separation Solutions, LLC Separator assembly and method
KR101861568B1 (ko) * 2016-07-13 2018-05-28 한전원자력연료 주식회사 압력보상형 하중전달장치
CN110234793B (zh) 2017-02-08 2020-10-02 皮考逊公司 具有可移动结构的沉积或清洁装置和操作方法
CN112740387A (zh) * 2018-10-30 2021-04-30 Tes股份有限公司 基板处理装置
EP3889469B1 (de) * 2019-01-11 2023-03-01 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Dichtungsvorrichtung und antriebsvorrichtung damit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4045181A (en) * 1976-12-27 1977-08-30 Monsanto Company Apparatus for zone refining
US4213051A (en) * 1978-09-08 1980-07-15 Nasa Dual acting slit control mechanism
US4360499A (en) * 1981-06-22 1982-11-23 Rca Corporation Bellows assembly for crystal ribbon puller
JPS6183445A (ja) * 1984-09-29 1986-04-28 Nissan Motor Co Ltd 沸騰冷却装置の異常検出装置
DE3712064A1 (de) * 1987-04-09 1988-10-27 Prettl Laminar Flow & Prozesst Einrichtung zum bearbeiten von werkstuecken, insbesondere von wafern in einem reinraum einer halbleiterfertigung
US5100502A (en) * 1990-03-19 1992-03-31 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer transfer in processing systems

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19831032A1 (de) * 1998-07-11 2000-01-20 Asys Gmbh & Co Kg Basismodul mit radialem Anschluß für zumindest ein Prozeßmodul
DE19831032C2 (de) * 1998-07-11 2002-10-31 Asys Gmbh & Co Kg Greiferkopf für ein in der Herstellung und/oder Bearbeitung scheibenförmiger planarer Substrate eingesetztes Handhabungsgerät

Also Published As

Publication number Publication date
JP2677913B2 (ja) 1997-11-17
US5346513A (en) 1994-09-13
DE4210110A1 (de) 1992-11-19
JPH04336412A (ja) 1992-11-24
US5266119A (en) 1993-11-30

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