DE4210110A1 - Verschlusseinrichtung fuer eine halbleitereinrichtung-herstellungsvorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitereinrichtung - Google Patents
Verschlusseinrichtung fuer eine halbleitereinrichtung-herstellungsvorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitereinrichtungInfo
- Publication number
- DE4210110A1 DE4210110A1 DE4210110A DE4210110A DE4210110A1 DE 4210110 A1 DE4210110 A1 DE 4210110A1 DE 4210110 A DE4210110 A DE 4210110A DE 4210110 A DE4210110 A DE 4210110A DE 4210110 A1 DE4210110 A1 DE 4210110A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chamber
- carrier
- bellows
- semiconductor substrate
- replacement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 126
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 106
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung-
Herstellungsvorrichtung mit einer Halbleitersubstrat-
Trägereinrichtung, die ein Halbleitersubstrat im Vakuum durch einen
sich hin- und herbewegenden Träger mit einer Trägerachse bewegt. Die
Erfindung betrifft insbesondere eine Verschlußeinrichtung für eine
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung, die den Raum zwischen
dem sich hin- und herbewegenden Träger und einer Vakuumkammer
verschließt, und eine Verschlußeinrichtung, die die auf den Träger
ausgeübte Schubkraft vermindert oder aufhebt. Die Erfindung betrifft
ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung
unter Verwendung einer solchen Verschlußeinrichtung.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleitereinrichtung-
Herstellungsvorrichtung. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, ist eine
Trägerkammer 11 mit einer hexagonalen Grundfläche von vier
Reaktionskammern 56a bis 56d und zwei Ersatzkammern 61a und 61b
umgeben. Die Ersatzkammer 61a ist eine Kammer zum Herstellen eines
Niedrigvakuumzustandes aus dem atmosphärischen Zustand. Die der
Ersatzkammer 61a benachbarte Ersatzkammer 61b ist eine Kammer zum
Herstellen eines atmosphärischen Zustands aus dem
Niedrigvakuumzustand. Die Trägerkammer 11 ist eine Kammer zum
Bewegen eines Halbleitersubstrats von der Ersatzkammer 61a zu den
jeweiligen Reaktionskammern 56a bis 56d oder von den jeweiligen
Reaktionskammern 56a bis 56d zur Ersatzkammer 61a. In jeder
Reaktionskammer 56a bis 56d ist eine CVD-Vorrichtung gebildet, und
in der Reaktionskammer, in die das Substrat von der Trägerkammer 11
bewegt wird, wird ein dünner Film auf dem Halbleitersubstrat
geschaffen.
Fig. 6 ist ein Querschnitt entlang der Achse A-A in Fig. 4 und zeigt
die Querschnittstrukturen der Ersatzkammer 61a, der Reaktionskammer
56d und der Trägerkammer 11. Wie in Fig. 6 gezeigt ist, weist die
Ersatzkammer 61a an ihren beiden Seiten eine erste Öffnung 65a und
eine zweite Öffnung 62a auf. Die erste und zweite Öffnung 65a und
62a werden vom ersten und zweiten Verschluß 65 bzw. 62, die von
einem ersten und zweiten Druckluftzylinder 66 bzw. 64 vertikal
angetrieben werden, geöffnet und geschlossen. Der zweite
Druckluftzylinder 64 weist einen Vakuumbalg 63 auf, der kontrahiert
und expandiert, wenn der zweite Verschluß 62 angehoben wird oder
nach unten geht, um die Ersatzkammer 61a abzudichten. In der Mitte
des Bodens der Ersatzkammer 61a ist eine Ablage 60 zum Ablegen des
Halbleitersubstrats 1 gebildet. Ein Auslaßkanal 68 zur Steuerung des
Drucks in der Kammer ist in der Mitte der Decke der Ersatzkammer 61a
gebildet. Die zweite Öffnung 62a steht über das
Öffnungsverbindungsbauteil 67 in Verbindung mit der dritten Öffnung
62b der Trägerkammer 11. Die Reaktionskammer 56d weist eine fünfte
Öffnung 41b auf, die von einem dritten Verschluß 41 geöffnet und
verschlossen wird. Die Reaktionskammer 56d weist in der Mitte ihres
Bodens eine Öffnung auf, und es ist eine Halterung 52 mit einer
Ablage 50 und einer Heizeinrichtung 51 an der Öffnung gebildet. Ein
Einlaß 55 für reaktives Gas ist in der Decke der Reaktionskammer 56d
gebildet. An der Seite der Kammer 56d ist ein Auslaßkanal 57 zur
Steuerung des Drucks in der Reaktionskammer geschaffen, um die
Kammer 56d zu evakuieren. Ein Lager 53 trägt die Halterung 52, damit
sie drehbar ist. Zwischen der Halterung 52 und der Öffnung der
Reaktionskammer 56d ist ein Verschluß 54 gebildet, der die
Reaktionskammer 56d gegen die Drehung der Halterung 52 verschließt.
Die Trägerkammer 11 weist in der Mitte ihres Bodens eine Öffnung
auf, und es ist eine Halbleitersubstratablage 110 über einen unteren
Flansch 8b an der Öffnung gebildet. Die Halbleitersubstratablage 110
weist ein Gehäuse 46 mit einem Antriebsbauteil 330 zum vertikalen
Antreiben der Trägerachse 7, einen Vakuumbalg 8 zum Verschließen des
Raums zwischen der Trägerachse 7 und der Trägerkammer 11, während
sich die Achse 7 vertikal bewegt, und ein Armbauteil 3a zum Tragen
des Halbleitersubstrats 1 auf. Das Armbauteil 3a besteht aus einer
drehbaren Achse 3 und ersten bis dritten Armen 30 bis 32. Der untere
Flansch 8b ist durch Bolzen 13 und O-Ringe 10 an der Kante der
Öffnung der Trägerkammer 11 befestigt, um dadurch die Trägerkammer
11 zu verschließen. Ferner ist in der Decke der Trägerkammer 11 ein
Auslaßkanal 45 zur Steuerung des Drucks in der Trägerkammer 11
gebildet. Im Antriebsbauteil 330 wird der Motor 34 angetrieben und
seine Antriebskraft wird durch die Kegelräder 38 und 37 auf das
Trägerachsen-Antriebsbauteil 33 und dann auf die Kugelrollspindel 39
übertragen. Das Trägerachsen-Antriebsbauteil 33 bewegt sich dann
vertikal entlang der Welle des Kegelrads 37 und der Führung 40. Die
Bezugszeichen 35 und 36 bezeichnen Lager für die Welle des Kegelrads
37. Ferner sind eine dritte Öffnung 62b und eine vierte Öffnung 41a,
die vom zweiten Verschluß 62 bzw. vom dritten Verschluß 41 geöffnet
und verschlossen werden, auf den beiden Seiten der Trägerkammer 11
gebildet. Der dritte Verschluß 41 wird vom dritten Druckluftzylinder
43 vertikal bewegt. Der dritte Druckluftzylinder 43 weist einen
Vakuumbalg 42 auf, der kontrahiert und expandiert, wenn der dritte
Verschluß angehoben oder abgesenkt wird, um dadurch die Trägerkammer
abzudichten. Die vierte Öffnung 41a steht über das
Öffnungsverbindungsbauteil 44 in Kontakt mit dem fünften Verschluß
41b der Reaktionskammer 56d.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 5 wird im folgenden die Struktur des
Ablagenachsenteils der Halbleitersubstratablage 110 beschrieben, das
in Fig. 6 weggelassen wurde. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, ist die
Trägerachse 7 durch das Lager 4 und die Dichtung 5 um die drehbare
Achse 3 des Armbauteils 3a gebildet, und es ist ein Vakuumbalg 8 um
die Trägerachse 7 herum geschaffen. Die Dichtung 5 dichtet die
Trägerkammer 11 für die Drehung der drehbaren Achse 3 ab. Die
Trägerachse 7 ist durch die Bolzen 12 und die O-Ringe 9 mit dem
oberen Flansch 8a verbunden. Die Trägerachse 7 und der Vakuumbalg 8
verschließen die Trägerkammer 11.
Im folgenden wird das Armbauteil 3a beschrieben. Fig. 7 zeigt eine
Perspektive der Halbleitersubstratablage 110 mit dem Armbauteil 3a.
Das Armbauteil 3a weist eine Halterung 2, auf die das
Halbleitersubstrat 1 gelegt wird, eine drehbare Achse 3 und eine
Verbindungseinrichtung, die aus den ersten bis dritten Armen 30 bis
32 besteht, auf. Wenn sich die drehbare Achse 3 dreht, bewegen sich
die ersten bis dritten Arme 30 bis 32 in elastischer Weise, wodurch
das Halbleitersubstrat 1 von der Ersatzkammer 61a zu den jeweiligen
Reaktionskammern 56a bis 56d oder von den jeweiligen
Reaktionskammern 56a bis 56d zur Ersatzkammer 61a bewegt wird.
Im folgenden wird nun der Betrieb beschrieben. Während die zweiten
und dritten Verschlüsse 62 und 41 nach oben gedrückt werden, wird
der erste Verschluß 65 nach unten gezogen, wodurch die Ersatzkammer
61a geöffnet wird. Das Halbleitersubstrat 1 wird durch eine (nicht
dargestellte) geeignete Einrichtung auf die Ablage 60 in der
Ersatzkammer 61a gelegt. Dann wird der erste Druckluftzylinder 66
betrieben, um den ersten Verschluß 65 nach oben zu drücken, wodurch
die Ersatzkammer 61a, die Trägerkammer 11 und die Reaktionskammer
56d jeweils verschlossen werden. Die Kammern 61a, 11 und 56d, die
verschlossen sind, werden jeweils über die Auslaßkanäle 68, 45 bzw.
57 auf 1×104 Pa evakuiert.
Dann wird der zweite Verschluß 62 nach unten gezogen, um die zweite
und dritte Öffnung 62a und 62b zu öffnen. Dann wird das
Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage 60 in der Ersatzkammer 61a durch
die Halbleitersubstratablage 110 in die Reaktionskammer bewegt.
Wie in Fig. 8(a) gezeigt ist, befinden sich das Antriebsbauteil 330
und das Armbauteil 3a der Halbleitersubstratablage 110 in Ruhe
(siehe (1) in Fig. 8(a)), die drehbare Achse 3 des Armbauteils 3a
wird von einer geeigneten (nicht dargestellten) Einrichtung gedreht,
und dann werden die ersten bis dritten Arme 30 bis 32 durch die
Verbindungsvorrichtung gestreckt (siehe (2)). Wie in Fig. 8(b)
gezeigt ist, schiebt sich die Halterung 2 am Ende des Armbauteils 3a
bis unter das Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage in der
Ersatzkammer 61a vor, d. h., schiebt sich in Richtung des Pfeils a
vor. Dann wird der Motor 34 des Antriebsbauteils 330 angetrieben und
das Trägerachsen-Antriebsbauteil 33 wird angehoben. Das
Halbleitersubstrat 1 wird von der Halterung 2 in Richtung des Pfeils
b aufgenommen und dann von der Ersatzkammer 61a in die Trägerkammer
11 bewegt.
Anschließend kehrt das Armbauteil 3a in den Zustand (1) von Fig.
8(a) zurück. Gleichzeitig befindet sich das Trägerachsen-
Antriebsbauteil 33 in seinem angehobenen Zustand. Dann wird der
Verschluß 62 nach oben gedrückt, um die Kammern 61a, 11 und 56d zu
verschließen. Nun werden diese Kammern über die Auslaßkanäle 68, 45
bzw. 57 auf 100Pa evakuiert.
Im Zustand, wenn die jeweiligen Kammern 61a, 11 und 56d denselben
Druck aufweisen, wird der dritte Verschluß 41 nach unten gezogen, um
die vierte Öffnung 41a und die fünfte Öffnung 41b zu öffnen. Dann
wird die drehbare Achse 3 des Armbauteils 3a durch eine geeignete
(nicht dargestellte) Einrichtung in ähnlicher Weise wie oben
gedreht, und das Armbauteil 3a wird von der Verbindungseinrichtung
(siehe (3) in Fig. 8(a)) gestreckt, wodurch das Halbleitersubstrat 1
über die Ablage 50 in der Reaktionskammer 56d bewegt wird. Dann wird
das Trägerachsen-Antriebsbauteil 33 abgesenkt, um das
Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage 50 abzulegen. Nun kehrt das
Armbauteil 3a in den Zustand (1) von Fig. 8(a) zurück. In diesem
Zustand wird der dritte Verschluß 41 nach oben gedrückt, um die
jeweiligen Kammern 61a, 11 und 56d zu verschließen. Dann werden
diese Kammern über die Auslaßkanäle 68, 45 bzw. 57 auf 1 bis 10 Pa
evakuiert.
Anschließend wird das Halbleitersubstrat 1 auf der Ablage 50 in der
Reaktionskammer 56d von der Heizeinrichtung 51 auf 300 bis 500°C
aufgeheizt, und das Substrat reagiert mit Silan (SiH4), das als
reaktives Gas verwendet wird. Diesem reaktiven Gas vom Einlaß 55 für
reaktives Gas ist Diboran (B2H2) oder Phosphin (PH3) hinzugefügt,
und das reaktive Gas wird mit einem Druck von 100 bis 1000Pa auf das
Halbleitersubstrat 1 geblasen. Dann wird die Halterung 52 von einer
geeigneten (nicht dargestellten) Einrichtung mit einer
Geschwindigkeit von 1 bis 10 U/min langsam gedreht, um dadurch
gleichmäßig einen dünnen Film von ungefähr 1 µm Dicke auf dem
Halbleitersubstrat 1 zu bilden. Das Gas wird über den Auslaßkanal 57
abgelassen.
Ferner sind die Expansion und die Kontraktion der ersten bis dritten
Arme 30 bis 32 durch die Verbindungseinrichtung des Armbauteils 3a
und die Drehung der drehbaren Achse 3 des Armbauteils 3a, während
das Halbleitersubstrat 1 von der Ersatzkammer 61a zu den jeweiligen
Reaktionskammern 56a bis 56d bewegt wird, bekannt und z. B. in der JP
62-150087 beschrieben.
Wenn das Halbleitersubstrat 1, dessen Oberfläche behandelt wird, von
der Reaktionskammer 56d zur Ersatzkammer 61b bewegt wird, wird der
oben beschriebene Betrieb umgekehrt ausgeführt. Das heißt, daß die
jeweiligen Reaktionskammern 61a, 11 und 56d vom Niedrigvakuumzustand
in den Vakuumzustand überführt werden, und dann wird das
Halbleitersubstrat von der Reaktionskammer 56d zur Trägerkammer 11
bewegt. Dann werden die jeweiligen Kammern 61a, 11 und 56d vom
Vakuumzustand in den atmosphärischen Zustand übergeführt, und das
Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer 11 in die Ersatzkammer
61a bewegt.
Ferner ist das oben beschriebene Halbleitersubstrat ein
Siliziumsubstrat und der darauf gebildete dünne Film ist ein
Siliziumoxidfilm.
Bei der Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung mit der oben
beschriebenen Verschlußeinrichtung wird zwischen der
Vakuumträgerkammer 11 und der Umgebungsluft ein Druckunterschied
erzeugt und durch den Druckunterschied ergibt sich eine Schubkraft
von 300kg/cm2, die die Trägerachse in die Trägerkammer zieht. In
diesem Fall ist die Kraft des Antriebsbauteils zum vertikalen
Antreiben der Trägerachse gleich der Summe des Gewichts der
Trägerachse und der oben angegebenen Schubkraft. Dann muß das
Führungsbauteil zum Führen der vertikalen Bewegung verstärkt werden
und die gesamte Vorrichtung ist aufgrund der Kraft des
Antriebsbauteils groß. Das führt zu einer teuren Einrichtung.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine kleine und billige
Verschlußeinrichtung für eine Halbleitereinrichtung-
Herstellungsvorrichtung zu schaffen, die die auf die Trägerachse
ausgeübte Schubkraft reduziert oder aufhebt. Ferner soll ein
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung geschaffen
werden, das die oben angegebene Verschlußeinrichtung verwendet.
Entsprechend einem ersten Aspekt der Erfindung weist eine
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung eine Trägerkammer mit
einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann, ein
Trägerbauteil mit einer Substrathalterung, einem Armbauteil und
einer Einrichtung zum Tragen des Substrats, das sich in der Öffnung
der Trägerkammer vertikal hin- und herbewegt, und einen Vakuumbalg,
der den Raum zwischen der Trägerkammer und dem Trägerbauteil
abdichtet, auf. Der Vakuumbalg weist einen oberen Balg und einen
unteren Balg auf, zwischen denen ein Hohlflansch gebildet ist, wobei
der obere Balg eine Doppelstruktur mit einem inneren Balg und einem
äußeren Balg aufweist. Ein Lufteinlaß mündet im Hohlflansch und
durch den Lufteinlaß wird Luft in den ringförmigen Raum zwischen dem
inneren Balg und dem äußeren Balg eingeführt. Daher wird die
Schubkraft aufgrund der Vakuumkammer, die auf den Hohlflansch
ausgeübt wird, durch den Druck der eingeführten Luft aufgehoben,
wobei dann die Schubkraft reduziert oder aufgehoben wird, so daß die
Last des Antriebsteils vermindert werden kann. Damit erhält man eine
kleine und billige Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung.
Entsprechend einem zweiten Aspekt der Erfindung benutzt ein
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung eine
Vorrichtung mit einer Trägerkammer mit einer Öffnung, die
vakuumdicht verschlossen werden kann, einem Trägerbauteil mit einer
Substrathalterung, einem Armbauteil und einer Einrichtung zum Tragen
des Substrats, das sich in der Öffnung der Trägerkammer vertikal
hin- und herbewegt, und eine Verschlußeinrichtung. Die
Verschlußeinrichtung ist mit dem Trägerbauteil verbunden und weist
einen Flansch mit einem Lufteinlaß, einen ersten Balg und einen
zweiten Balg auf. Der erste Balg weist eine Doppelstruktur mit einem
inneren Balg und einem äußeren Balg auf und Luft wird durch den
Lufteinlaß des Flansches in den ringförmigen Raum zwischen dem
inneren Balg und dem äußeren Balg eingeführt. Der zweite Balg
verschließt die Trägerkammer. Der Herstellungsprozeß lautet
folgendermaßen. Eine Ersatzkammer und die Trägerkammer werden
evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von der Ersatzkammer zur
Trägerkammer bewegt. Dann wird in der Trägerkammer und einer
Reaktionskammer eine niedriges Vakuum hergestellt und das
Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer zur Reaktionskammer
bewegt. Das Halbleitersubstrat wird in der Reaktionskammer
behandelt. Anschließend werden die Reaktionskammer und die
Trägerkammer evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von der
Reaktionskammer zur Trägerkammer bewegt. Dann werden die
Trägerkammer und die Ersatzkammer in den atmosphärischen Zustand
überführt und das Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer zur
Ersatzkammer bewegt. Daher kann die Schubkraft reduziert oder
aufgehoben werden und die Last des Antriebsbauteils 330a kann
vermindert werden. Damit erhält man eine kleine und billige
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus
der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von
den Figuren zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt der Struktur eines Trägerachsenteils
einer Halbleitersubstrat-Trägereinrichtung nach einer
ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 einen Querschnitt der Struktur einer Vakuumreaktionskammer
einer Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach
einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 3 einen Querschnitt der Struktur einer
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach der
ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 4 eine Draufsicht auf eine Halbleitereinrichtung
Herstellungsvorrichtung nach dem Stand der Technik;
Fig. 5 einen Querschnitt der Struktur eines Trägerachsenteils
einer Halbleitersubstrat-Trägereinrichtung nach dem Stand
der Technik;
Fig. 6 einen Querschnitt der Struktur einer
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach dem
Stand der Technik;
Fig. 7 eine Perspektive einer Halbleitersubstrat
Trägereinrichtung; und
Fig. 8(a) und 8(b) eine Draufsicht und eine Perspektive zur
Erläuterung des Betriebs des Armbauteils.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt der Struktur eines Trägerachsenteils
einer Halbleitersubstrat-Trägereinrichtung, das die
Verschlußeinrichtung einer Halbleiterdünnfilm-Erzeugungsvorrichtung
nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung benutzt. In Fig. 1
bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie in Fig. 5 dieselben oder
entsprechende Teile.
Eine Trägerkammer 11a weist in der Mitte ihres Bodens eine Öffnung
auf, und eine Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a ist über
einen unteren Flansch 8b an der Öffnung gebildet. Die
Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a weist ein Gehäuse 45a mit
einem Antriebsbauteil 330a, das die Trägerachse 7 vertikal bewegt,
erste bis dritte Vakuumbalge 8d bis 8f, die den Raum zwischen der
Trägerachse 7 und der Trägerkammer 11a während der vertikalen
Bewegung der Trägerachse 7 abdichten, und ein Armbauteil 3a, das das
Halbleitersubstrat 1 trägt, auf. Der untere Flansch 8b ist über die
Bolzen 13 und O-Ringe 10 mit der Kante der Öffnung in der
Trägerkammer 11 verbunden, um dadurch die Trägerkammer luftdicht zu
halten. Die Form der Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a
stimmt mit der Form entsprechend dem Stand der Technik von Fig. 7
überein.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist die Trägerachse 7 mittels des Lagers
4 und der Dichtung 5 um die drehbare Achse 3 des Armbauteils 3a
gebildet. Diese Dichtung 5 dichtet die Trägerkammer 11a für die
Drehung der drehbaren Achse 3 ab. Die Trägerachse 7 ist durch die
Bolzen 12 und O-Ringe 9 mit dem Hohlflansch 8c verbunden. Damit
verschließen die Vakuumbalge und die Trägerachse 7 die Trägerkammer
11a.
Der obere Flansch 8a und der untere Flansch 8b sind über bzw. unter
dem Hohlflansch 8c gebildet. Der erste innere Balg 8d und der zweite
äußere Balg 8e sind zwischen dem Hohlflansch 8c und dem oberen
Flansch 8a gebildet. Der dritte Balg 8f ist zwischen dem unteren
Flansch 8b und dem Hohlflansch 8c gebildet. Die beiden Enden des
dritten Balgs 8f sind luftdicht mit dem Hohlflansch 8c und dem
unteren Flansch 8b verschweißt. Die beiden Enden des ersten inneren
Balgs 8d und die des zweiten äußeren Balgs sind luftdicht mit dem
oberen Flansch 8a und dem Hohlflansch 8c verschweißt. Ferner sind
die jeweiligen Flansche 8a bis 8c und die ersten bis dritten Balge
8d bis 8f um die drehbare Achse 3 angeordnet.
Ein Lufteinlaß 8g, durch den Luft in den ringförmigen Raum eintritt,
der vom ersten und zweiten Balg 8d und 8e sowie dem oberen und
unteren Flansch 8a und 8c gebildet wird, durchdringt den Hohlflansch
8c. Ein Auslaßkanal 8h zum Evakuieren des ringförmigen Raums, der
vom dritten Balg 8f und dem oberen, unteren und Hohlflansch 8a bis
8c gebildet wird, ist auf der unteren Seite des Flansches 8a
geschaffen.
Im folgenden wird nun der Betrieb beschrieben. Hier stimmt der
Betrieb zum Bewegen des Halbleitersubstrats 1 von der Ersatzkammer
61a, die in Fig. 3 gezeigt ist, zur Reaktionskammer 56d über die
Trägerkammer 11 oder von der Reaktionskammer 56d zur Ersatzkammer
61a über die Trägerkammer 11a mit dem des Standes der Technik
überein. Daher wird diese Beschreibung weggelassen. Es wird nur die
vertikale Bewegung der Trägerachse 7 der Halbleitersubstrat-
Ablageeinrichtung 110a beschrieben. Wenn die Trägerachse 7 ansteigt,
kontrahieren der obere erste und zweite Balg 8d und 8e, während der
untere dritte Balg expandiert. Dann erreicht der Hohlflansch 8c das
obere Endstück des oberen Flansches 8a.
Wenn das Armbauteil 3a mit der Halterung 2, auf die das
Halbleitersubstrat 1 gelegt wird, zur Ablage 50 in der
Reaktionskammer 56d bewegt und dann die Trägerachse 7 abgesenkt
wird, expandieren der obere erste und zweite Balg 8d und 8e, während
der untere dritte Balg 8f kontrahiert. Der Hohlflansch 8c erreicht
den unteren Flansch 8b.
Für den Fall, daß sich die Trägerachse 7 wie oben beschrieben
vertikal bewegt, wird aufgrund des Vakuums in der Trägerkammer 11a
eine Schubkraft auf den Hohlflansch 8c ausgeübt, die die Trägerachse
7 in die Trägerkammer 11a zieht. Diese Schubkraft ist proportional
zur Fläche des Kreises innerhalb des unteren dritten Balgs 8f. Da
andererseits durch den Lufteinlaß 8g Luft in den ringförmigen Raum,
der vom unteren ersten und zweiten Balg 8d und 8e sowie dem oberen
und Hohlflansch 8a und 8c gebildet wird, eindringt, wird auf den
Hohlflansch 8c eine Kraft ausgeübt, deren Richtung zur oben
angeführten Schubkraft entgegengesetzt ist. Diese Kraft ist
proportional zur Fläche des ringförmigen Raums, der vom ersten und
zweiten Balg 8d und 8e umgeben ist. Indem man diese zwei Flächen
gleich groß macht, werden die wechselseitigen Kräfte im Hohlflansch
aufgehoben, so daß der Hohlflansch gut ausgeglichen ist. Während die
Schubkraft beim Stand der Technik 300kg/cm2 beträgt, kann sie bei
der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf 4kg/cm2
oder einen vernachlässigbaren Wert vermindert werden.
Bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform weist der
Vakuumbalg den oberen Balg und den unteren Balg auf, wobei der
Hohlflansch 8c dazwischen gebildet ist, und der untere Balg besitzt
eine Doppelstruktur mit dem inneren Balg und dem äußeren Balg.
Ferner wird über den Lufteinlaß 8g des Hohlflansches 8c in den
ringförmigen Raum zwischen dem inneren und äußeren Balg Luft
eingeführt. Damit wird die auf die Trägerachse 7 ausgeübte
Schubkraft auf einen vernachlässigbaren Wert vermindert, wodurch die
Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a minimiert werden kann und
man eine billige Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung
erhält.
Ferner weist die Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung die
Trägerkammer 11a, die eine Öffnung aufweist und vakuumdicht
verschlossen werden kann, die Trägerachse 7 mit der Halterung 2, dem
Armbauteil 3a und einer Einrichtung zum Tragen des Substrats 1, die
sich in der Öffnung der Trägerkammer 11a vertikal hin- und
herbewegt, und die Verschlußeinrichtung auf. Diese
Verschlußeinrichtung ist mit der Trägerachse 7 verbunden und weist
den Hohlflansch 8c mit dem Lufteinlaß 8g, den ersten und zweiten
oberen Balg 8d und 8e und den dritten unteren Balg 8f auf. Zwischen
dem ersten und zweiten oberen Balg 8d und 8e wird ein ringförmiger
Raum gebildet, und über den Lufteinlaß 8g im Hohlflansch wird Luft
in diesen Raum eingeführt. Der dritte Balg 8f verschließt die
Trägerkammer 11a. Unter Verwendung dieser Vorrichtung wird das
Halbleitersubstrat 1 folgendermaßen bearbeitet. Die Ersatzkammer und
die Trägerkammer werden evakuiert und das Halbleitersubstrat wird
von der Ersatzkammer in die Trägerkammer bewegt. Dann wird in der
Trägerkammer und der Reaktionskammer ein Niedrigvakuum erzeugt und
das Halbleitersubstrat von der Trägerkammer zur Reaktionskammer
bewegt. Das Halbleitersubstrat wird in der Reaktionskammer
behandelt. Anschließend werden die Reaktionskammer und die
Trägerkammer evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von der
Reaktionskammer zur Trägerkammer bewegt. Dann werden die
Trägerkammer und die Ersatzkammer in den atmosphärischen Zustand
gebracht und das Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer zur
Ersatzkammer bewegt. Daher kann die Schubkraft vermindert oder
aufgehoben werden und die Last des Antriebsbauteils 330a wird
verkleinert. Damit kann man eine kleine und billige
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung erhalten.
Bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform wird die
Verschlußeinrichtung der vorliegenden Erfindung auf die
Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung 110a in der Trägerkammer 11a
der Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung angewandt, wobei
sich das Armbauteil 3a in der Trägerkammer 11a vertikal bewegt,
während die Ablage 60 in der Ersatzkammer 61a und die Ablage 50 in
der Reaktionskammer 50 fest sind. Die Verschlußeinrichtung der
vorliegenden Erfindung kann jedoch auch auf eine
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung angewandt werden, bei
der das Armbauteil 3a in der Trägerkammer 11a fest ist, während sich
die Ablage 60 in der Ersatzkammer 61a und die Ablage 50 in der
Reaktionskammer 56d vertikal bewegen. Ferner kann die
Verschlußeinrichtung der vorliegenden Erfindung auch auf die Ablage
60 und die Ablage 50, die sich vertikal bewegen, angewandt werden.
Nun erfolgt die Beschreibung einer zweiten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung. Fig. 2 zeigt einen Querschnitt der Struktur
der Reaktionskammer 56d der Halbleitereinrichtung-
Herstellungsvorrichtung, bei der sich die Transportablage 50
vertikal bewegt, nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, weist die Transportablage 50 eine
Heizeinrichtung 51 und eine drehbare Achse 300 auf, und eine
Trägerachse 7 ist um die drehbare Achse 300 gebildet. Die
Trägerachse 7 ist mit dem Hohlflansch 8c verbunden und der obere
Flansch 8a und der untere Flansch 8b sind über bzw. unter dem
Hohlflansch 8c gebildet. Ein erster innerer Balg 8d und ein zweiter
äußerer Balg 8e sind zwischen dem oberen Flansch 8a und dem
Hohlflansch 8c gebildet. Ein dritter Balg 8f ist zwischen dem
unteren Flansch 8b und dem Hohlflansch 8c gebildet.
Im Hohlflansch 8c ist ein Lufteinlaß 8g geschaffen, und Luft dringt
in den ringförmigen Raum zwischen dem ersten und zweiten Balg 8d und
8e ein, wodurch die auf den Hohlflansch 8c aufgrund des Vakuums in
der Reaktionskammer 56d ausgeübte Schubkraft aufgehoben wird.
Es wird angenommen, daß die Ersatzkammer (61a in Fig. 3) der
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach dieser zweiten
Ausführungsform eine Transportablage (60 in Fig. 3) aufweist, die
sich vertikal bewegt, und daß die Transportablage mit derselben
Verschlußeinrichtung wie bei der Reaktionskammer 56d in Fig. 2
verbunden ist.
Nun wird der Betrieb dieser zweiten Ausführungsform beschrieben. Das
Armbauteil (3a in Fig. 3) in der Trägerkammer (11a in Fig. 3) bewegt
sich über die Transportablage (60 in Fig. 3) in der Ersatzkammer
(61a in Fig. 3) und das Halbleitersubstrat 1 auf der Transportablage
wird von der Halterung 2 aufgenommen. Dann senkt sich die
Transportablage und das Halbleitersubstrat 1 wird vom Armbauteil (3a
in Fig. 3) in der Trägerkammer (11a in Fig. 3) in die
Reaktionskammer 56d bewegt. Dann wird die Ablage 50 in der
Reaktionskammer 56d angehoben und das Halbleitersubstrat 1 auf der
Ablage 50 abgelegt.
Bei der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform wird die
Verschlußeinrichtung der vorliegenden Erfindung auf eine
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung angewandt, bei der das
Armbauteil 3a in der Trägerkammer 11a fest ist, während sich die
Transportablage 60 in der Ersatzkammer 61a und die Ablage 50 in der
Reaktionskammer 56d vertikal bewegen. Auch in diesem Fall kann man
dieselben Effekte wie oben erzielen.
Wie aus der vorherigen Beschreibung ersichtlich ist, weist eine
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung entsprechend der
Erfindung eine Bearbeitungskammer, die eine Öffnung besitzt und
vakuumdicht verschlossen werden kann, ein Trägerbauteil mit einer
Substrathalterung, einem Armbauteil und einer Einrichtung zum
Bewegen des Substrats, das sich in der Öffnung der
Bearbeitungskammer vertikal hin- und herbewegt, und einen
Vakuumbalg, der den Raum zwischen der Bearbeitungskammer und dem
Trägerbauteil verschließt, auf. Der Vakuumbalg weist einen oberen
Balg und einen unteren Balg auf, zwischen denen ein Hohlflansch
gebildet ist, wobei der obere Balg aus einer Doppelstruktur mit
einem inneren Balg und einem äußeren Balg besteht. Ein Lufteinlaß
durchdringt den Hohlflansch und es wird Luft durch diesen Lufteinlaß
in den ringförmigen Raum zwischen dem inneren Balg und dem äußeren
Balg eingeführt. Daher wird die aufgrund des Vakuums in der
Bearbeitungskammer auf den Hohlflansch ausgeübte Schubkraft durch
den Druck der eingeführten Luft aufgehoben und die Schubkraft kann
reduziert oder aufgehoben werden, wodurch die Last des Antriebsteils
vermindert wird. Damit kann man eine kleine und billige
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung erhalten.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung nach der
vorliegenden Erfindung benutzt eine Vorrichtung mit einer
Trägerkammer, die eine Öffnung besitzt und vakuumdicht verschlossen
werden kann, einem Trägerbauteil mit einer Substrathalterung, einem
Armbauteil und einer Einrichtung zum Tragen des Substrats, das sich
in der Öffnung der Trägerkammer vertikal hin- und herbewegt, und
eine Verschlußeinrichtung. Diese Verschlußeinrichtung ist mit dem
Trägerbauteil verbunden und weist einen Flansch mit einem
Lufteinlaß, einen ersten Balg und einen zweiten Balg auf. Der erste
Balg weist eine Doppelstruktur mit einem inneren Balg und einem
äußeren Balg auf und Luft wird durch den Lufteinlaß des Flansches in
den ringförmigen Raum zwischen dem inneren Balg und dem äußeren Balg
eingeführt. Der zweite Balg verschließt die Trägerkammer. Der
Herstellungsprozeß lautet folgendermaßen. Eine Ersatzkammer und die
Trägerkammer werden evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von
der Ersatzkammer zur Trägerkammer bewegt. Dann wird in der
Trägerkammer und einer Reaktionskammer ein Niedrigvakuum
hergestellt und das Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer zur
Reaktionskammer bewegt. Das Halbleitersubstrat wird in der
Reaktionskammer behandelt. Anschließend werden die Reaktionskammer
und die Trägerkammer evakuiert und das Halbleitersubstrat wird von
der Reaktionskammer zur Trägerkammer bewegt. Dann werden die
Trägerkammer und die Ersatzkammer in den atmosphärischen Zustand
überführt und das Halbleitersubstrat wird von der Trägerkammer zur
Ersatzkammer bewegt. Daher kann die Schubkraft reduziert oder
aufgehoben werden und die Last des Antriebsbauteils 330a kann
vermindert werden. Damit erhält man eine kleine und billige
Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung.
Claims (13)
1. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung, aufweisend
eine Trägerkammer (11a) mit einer Öffnung, die vakuumdicht
verschlossen werden kann,
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil mit einer Substrathalterung (2), einem Armbauteil (3a) und einer Einrichtung zum Tragen des Substrats, das sich in der Öffnung der Trägerkammer (11a) vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Trägerkammer (11a) und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, wobei
die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) besitzt,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Trägerkammer (11a) abdichtet, aufweist.
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil mit einer Substrathalterung (2), einem Armbauteil (3a) und einer Einrichtung zum Tragen des Substrats, das sich in der Öffnung der Trägerkammer (11a) vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Trägerkammer (11a) und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, wobei
die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) besitzt,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Trägerkammer (11a) abdichtet, aufweist.
2. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung, aufweisend
eine Ersatzkammer (61a, 61b) mit einer Öffnung, die vakuumdicht
verschlossen werden kann,
ein Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird,
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und sich in der Öffnung der Ersatzkammer (61a, 61b) vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Ersatzkammer (61a, 61b) und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, wobei
die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (8c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) aufweist,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist.
ein Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird,
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und sich in der Öffnung der Ersatzkammer (61a, 61b) vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Ersatzkammer (61a, 61b) und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, wobei
die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (8c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) aufweist,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist.
3. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung, aufweisend
eine Reaktionskammer (56a-56c) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
ein Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, einer Heizeinrichtung (51) und einer Dreheinrichtung (300),
einen Reaktionsgaseinlaß (55), durch den Reaktionsgas zum Behandeln des Substrats (1) eingelassen wird,
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und sich in der Öffnung der Reaktionskammer vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Reaktionskammer und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil,
wobei die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (8c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) aufweist,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist.
eine Reaktionskammer (56a-56c) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
ein Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, einer Heizeinrichtung (51) und einer Dreheinrichtung (300),
einen Reaktionsgaseinlaß (55), durch den Reaktionsgas zum Behandeln des Substrats (1) eingelassen wird,
ein vertikal hin- und herbewegbares Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und sich in der Öffnung der Reaktionskammer vertikal hin- und herbewegt,
eine Verschlußeinrichtung zum Abdichten des Raums zwischen der Reaktionskammer und dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil,
wobei die Verschlußeinrichtung
einen Flansch (8c), der mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und eine Durchlaßöffnung (8g) aufweist,
einen ersten Balg, der auf dem Flansch (8c) gebildet ist und einen inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e) umfaßt,
einen ringförmigen Raum, der zwischen dem inneren Balg (8d) und dem äußeren Balg (8e) gebildet ist und in den Luft über die Durchlaßöffnung (8g) eingeführt wird, und
einen zweiten Balg (8f), der unterhalb des Flansches (8c) gebildet ist und die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist.
4. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
eine vertikal hin- und herbewegbare Halteeinrichtung zum Halten des vertikal hin- und herbewegbaren Bauteils,
ein Führungsbauteil (40) zum Führen der vertikalen Hin- und Herbewegung der Halteeinrichtung (2), das auf einer Seite der Halteeinrichtung gebildet ist,
eine Antriebseinrichtung (35-39) zum vertikalen Hin- und Herbewegen der Halteeinrichtung, die auf der anderen Seite der Halteeinrichtung gebildet ist, und
einen Motor (34) zum Antreiben der Antriebseinrichtung.
eine vertikal hin- und herbewegbare Halteeinrichtung zum Halten des vertikal hin- und herbewegbaren Bauteils,
ein Führungsbauteil (40) zum Führen der vertikalen Hin- und Herbewegung der Halteeinrichtung (2), das auf einer Seite der Halteeinrichtung gebildet ist,
eine Antriebseinrichtung (35-39) zum vertikalen Hin- und Herbewegen der Halteeinrichtung, die auf der anderen Seite der Halteeinrichtung gebildet ist, und
einen Motor (34) zum Antreiben der Antriebseinrichtung.
5. Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das vertikal hin- und herbewegbare
Bauteil
eine Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung mit einer Verbindungsvorrichtung aus ersten bis dritten Armen (30-32) und
einer Halteeinrichtung (2), die am Ende des dritten Arms (32) gebildet ist und auf der das Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, und
eine Steuereinrichtung zum Steuern des Betriebs der Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung beim Transport aufweist.
eine Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung mit einer Verbindungsvorrichtung aus ersten bis dritten Armen (30-32) und
einer Halteeinrichtung (2), die am Ende des dritten Arms (32) gebildet ist und auf der das Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, und
eine Steuereinrichtung zum Steuern des Betriebs der Halbleitersubstrat-Ablageeinrichtung beim Transport aufweist.
6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung unter
Verwendung einer Vorrichtung mit
einer Ersatzkammer (61a, 61b),
einer Reaktionskammer (56a-56c),
einer Trägerkammer (11a) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil, das eine Substrathalterung (2), ein Armbauteil (3a) und eine Einrichtung zum Tragen des Substrats (1) umfaßt und das sich in der Öffnung der Trägerkammer (11a) vertikal hin- und herbewegt,
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem Tragbauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Trägerkammer (11a) abdichtet, aufweist, gekennzeichnet durch die Schritte:
evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a- 56c),
evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
einer Ersatzkammer (61a, 61b),
einer Reaktionskammer (56a-56c),
einer Trägerkammer (11a) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil, das eine Substrathalterung (2), ein Armbauteil (3a) und eine Einrichtung zum Tragen des Substrats (1) umfaßt und das sich in der Öffnung der Trägerkammer (11a) vertikal hin- und herbewegt,
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem Tragbauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Trägerkammer (11a) abdichtet, aufweist, gekennzeichnet durch die Schritte:
evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a- 56c),
evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung unter
Verwendung einer Vorrichtung mit
einer Trägerkammer (11a),
einer Reaktionskammer (56a-56c),
einer Ersatzkammer (61a, 61b) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird,
einem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und das sich in der Öffnung der Ersatzkammer (61a, 61b) vertikal hin- und herbewegt, und
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist, gekennzeichnet durch die Schritte:
evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a 56c),
evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
einer Trägerkammer (11a),
einer Reaktionskammer (56a-56c),
einer Ersatzkammer (61a, 61b) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird,
einem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und das sich in der Öffnung der Ersatzkammer (61a, 61b) vertikal hin- und herbewegt, und
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist, gekennzeichnet durch die Schritte:
evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a 56c),
evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung unter
Verwendung einer Vorrichtung mit
einer Trägerkammer (11a),
einer Ersatzkammer (61a, 61b),
einer Reaktionskammer (56a-56c) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, einer Heizeinrichtung (51) und einer Dreheinrichtung,
einem Reaktionsgaseinlaß (55), durch den Reaktionsgas zur Behandlung des Substrats (1) eingelassen wird,
einem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und das sich in der Öffnung der Reaktionskammer (56a-56c) vertikal hin- und herbewegt, und
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist, gekennzeichnet durch die Schritte:
evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a- 56c),
evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
einer Trägerkammer (11a),
einer Ersatzkammer (61a, 61b),
einer Reaktionskammer (56a-56c) mit einer Öffnung, die vakuumdicht verschlossen werden kann,
einem Tragbauteil mit einer Ablage (50), auf der ein Halbleitersubstrat (1) abgelegt wird, einer Heizeinrichtung (51) und einer Dreheinrichtung,
einem Reaktionsgaseinlaß (55), durch den Reaktionsgas zur Behandlung des Substrats (1) eingelassen wird,
einem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil, das um das Tragbauteil gebildet ist und das sich in der Öffnung der Reaktionskammer (56a-56c) vertikal hin- und herbewegt, und
einer Verschlußeinrichtung, die mit dem vertikal hin- und herbewegbaren Bauteil verbunden ist und einen Flansch (8c) mit einem Lufteinlaß (8g), einen ersten Balg mit einer Doppelstruktur aus einem inneren Balg (8d) und einen äußeren Balg (8e), die einen ringförmigen Raum zwischen ihnen bilden, in den durch den Lufteinlaß (8g) des Flansches (8c) Luft eingelassen wird, und einen zweiten Balg (8f), der die Ersatzkammer (61a, 61b) abdichtet, aufweist, gekennzeichnet durch die Schritte:
evakuieren der Ersatzkammer (61a, 61b) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Ersatzkammer (61a, 61b) zur Trägerkammer (11a),
Herstellen eines Niedrigvakuumzustands in der Trägerkammer (11a) und der Reaktionskammer (56a-56c) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11) in die Reaktionskammer (56a-56c), Behandeln des Halbleitersubstrats (1) in der Reaktionskammer (56a- 56c),
evakuieren der Reaktionskammer (56a-56c) und der Trägerkammer (11a) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Reaktionskammer (56a-56c) zur Trägerkammer (11a), und
Herstellen eines atmosphärischen Zustands in der Trägerkammer (11a) und der Ersatzkammer (61a, 61b) und Bewegen des Halbleitersubstrats (1) von der Trägerkammer (11a) zur Ersatzkammer (61a, 61b).
9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem
der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Ersatzkammer
(61a, 61b) auf 1×104 Pa, die Trägerkammer (11a) auf 100Pa und die
Reaktionskammer (56a-56c) auf 1 bis 10 Pa evakuiert wird.
10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem
der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das
Halbleitersubstrat (1) ein Siliziumsubstrat ist.
11. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem
der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das
Halbleitersubstrat (1) von der Heizeinrichtung (51) in der
Reaktionskammer (56a-56c) auf 300 bis 500°C aufgeheizt wird, damit
das Substrat mit einem reaktiven Gas reagiert, um dadurch einen
dünnen Film auf dem Substrat zu bilden.
12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach
Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Gas Silan
(SiH4), Diboran (B2H2) oder eines, dem Phosphin (PH3) hinzugefügt
worden ist, darstellt.
13. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach
Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der auf dem
Halbleitersubstrat (1) gebildete dünne Film ein Siliziumoxidfilm
ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3138490A JP2677913B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4210110A1 true DE4210110A1 (de) | 1992-11-19 |
DE4210110C2 DE4210110C2 (de) | 1994-12-01 |
Family
ID=15223324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4210110A Expired - Fee Related DE4210110C2 (de) | 1991-05-13 | 1992-03-27 | Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5266119A (de) |
JP (1) | JP2677913B2 (de) |
DE (1) | DE4210110C2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19910478C2 (de) * | 1998-03-12 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem |
DE10054045A1 (de) * | 2000-10-31 | 2002-05-16 | Asys Gmbh & Co Kg | Arbeitstisch mit einer Tischplatte |
US7001129B2 (en) * | 2002-06-18 | 2006-02-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock apparatus and structure for creating a seal between an elevator drive shaft and the loadlock chamber thereof |
DE19964235B4 (de) * | 1998-03-12 | 2006-08-24 | Tokyo Electron Ltd. | Substrattransportvorrichtung |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5669316A (en) * | 1993-12-10 | 1997-09-23 | Sony Corporation | Turntable for rotating a wafer carrier |
JP2720420B2 (ja) * | 1994-04-06 | 1998-03-04 | キヤノン販売株式会社 | 成膜/エッチング装置 |
DE9407482U1 (de) * | 1994-05-05 | 1994-10-06 | Leybold Ag | Funktionseinrichtung für eine Vakuumanlage für die Behandlung von scheibenförmigen Werkstücken |
US5605574A (en) * | 1995-09-20 | 1997-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer support apparatus and method |
US5784925A (en) * | 1996-12-13 | 1998-07-28 | Etec Systems, Inc. | Vacuum compatible linear motion device |
US5899653A (en) * | 1997-06-23 | 1999-05-04 | Applied Materials, Inc. | Two-stage vacuum bellows |
DE19742923A1 (de) * | 1997-09-29 | 1999-04-01 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten eines im wesentlichen flachen, scheibenförmigen Substrats |
DE19831032C2 (de) * | 1998-07-11 | 2002-10-31 | Asys Gmbh & Co Kg | Greiferkopf für ein in der Herstellung und/oder Bearbeitung scheibenförmiger planarer Substrate eingesetztes Handhabungsgerät |
US6373271B1 (en) * | 1999-12-29 | 2002-04-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer front side pressure testing system and method therefor |
US6902623B2 (en) | 2001-06-07 | 2005-06-07 | Veeco Instruments Inc. | Reactor having a movable shutter |
US6614508B2 (en) | 2001-08-16 | 2003-09-02 | Nikon Corporation | Reversed, double-helical bellows seal |
JP4173389B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2008-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
DE602004019835D1 (de) * | 2003-04-22 | 2009-04-23 | Asml Netherlands Bv | Träger und Verfahren zur Herstellung eines Trägers |
JP2008507688A (ja) * | 2004-07-21 | 2008-03-13 | アフォレ オサケユイチア | 圧力試験のための圧力試験装置および方法 |
JP4903027B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置および基板支持体 |
JP5240647B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2013-07-17 | 株式会社リコー | シール機構、ステージ装置、及び電子線描画装置 |
NL1036843A1 (nl) * | 2008-05-23 | 2009-11-24 | Asml Netherlands Bv | Support structure, lithographic apparatus and method. |
JP5423205B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US20100116139A1 (en) * | 2008-11-11 | 2010-05-13 | Chang-Cheng Ho | Chain protector for a linear motion processing machine |
JP5445044B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5292160B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス流路構造体及び基板処理装置 |
US8617347B2 (en) * | 2009-08-06 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer |
JP5257328B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5310512B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5553588B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US10145013B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-12-04 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor desposition systems |
US10179300B2 (en) | 2015-11-20 | 2019-01-15 | Separation Solutions, LLC | Separator assembly and method |
KR101861568B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2018-05-28 | 한전원자력연료 주식회사 | 압력보상형 하중전달장치 |
DE17895903T1 (de) | 2017-02-08 | 2020-01-16 | Picosun Oy | Abscheidungs- oder Reinigungsvorrichtung mit beweglicher Struktur und Verfahren zum Betrieb |
WO2020091239A1 (ko) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 |
WO2020144840A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 三菱重工業株式会社 | シール装置及びこれを備えた駆動装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3712064A1 (de) * | 1987-04-09 | 1988-10-27 | Prettl Laminar Flow & Prozesst | Einrichtung zum bearbeiten von werkstuecken, insbesondere von wafern in einem reinraum einer halbleiterfertigung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4045181A (en) * | 1976-12-27 | 1977-08-30 | Monsanto Company | Apparatus for zone refining |
US4213051A (en) * | 1978-09-08 | 1980-07-15 | Nasa | Dual acting slit control mechanism |
US4360499A (en) * | 1981-06-22 | 1982-11-23 | Rca Corporation | Bellows assembly for crystal ribbon puller |
JPS6183445A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Nissan Motor Co Ltd | 沸騰冷却装置の異常検出装置 |
US5100502A (en) * | 1990-03-19 | 1992-03-31 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer transfer in processing systems |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP3138490A patent/JP2677913B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-23 US US07/854,875 patent/US5266119A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-27 DE DE4210110A patent/DE4210110C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-24 US US08/065,756 patent/US5346513A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3712064A1 (de) * | 1987-04-09 | 1988-10-27 | Prettl Laminar Flow & Prozesst | Einrichtung zum bearbeiten von werkstuecken, insbesondere von wafern in einem reinraum einer halbleiterfertigung |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19910478C2 (de) * | 1998-03-12 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem |
US6520733B1 (en) | 1998-03-12 | 2003-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate transport and apparatus |
DE19964235B4 (de) * | 1998-03-12 | 2006-08-24 | Tokyo Electron Ltd. | Substrattransportvorrichtung |
DE10054045A1 (de) * | 2000-10-31 | 2002-05-16 | Asys Gmbh & Co Kg | Arbeitstisch mit einer Tischplatte |
DE10054045B4 (de) * | 2000-10-31 | 2004-12-30 | Asys Gmbh & Co. Kg | Arbeitstisch mit einer Tischplatte |
US7001129B2 (en) * | 2002-06-18 | 2006-02-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock apparatus and structure for creating a seal between an elevator drive shaft and the loadlock chamber thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04336412A (ja) | 1992-11-24 |
JP2677913B2 (ja) | 1997-11-17 |
DE4210110C2 (de) | 1994-12-01 |
US5266119A (en) | 1993-11-30 |
US5346513A (en) | 1994-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4210110C2 (de) | Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung | |
EP0555764B1 (de) | Vakuumbearbeitungsanlage | |
DE3442844C2 (de) | Vorrichtung zur Behandlung einer Probe im Vakuum | |
EP0354294B1 (de) | Vorrichtung nach dem Karussell-Prinzip zum Beschichten von Substraten | |
DE2609115C2 (de) | Vakuum-Zerstäubungsvorrichtung | |
DE2834353C2 (de) | Vakuumaufdampfvorrichtung | |
DE60131511T2 (de) | Halbleiterverarbeitungsmodul und Vorrichtung | |
DE2047749A1 (de) | Zirkuläres System zur kontinuierlichen Verrichtung verschiedener im Vakuum durch zuführender Prozesse | |
DE3204312A1 (de) | Einschleusvorrichtung | |
DE3735284A1 (de) | Vorrichtung nach dem karussell-prinzip zum beschichten von substraten | |
DE4116554A1 (de) | Transportverfahren und -system fuer reinraumbedingungen | |
DE4091603C1 (de) | Vorrichtung zur Übertragung einer mechanischen Bewegung in eine Vakuumkammer | |
DE3811372B4 (de) | Vorrichtung zum Einschleusen eines Gegenstands in eine Reaktionskammer | |
DE3915038A1 (de) | Halte- und transportvorrichtung fuer eine scheibe | |
EP0905275B1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten eines im wesentlichen flachen scheibenförmigen Substrats | |
EP0518109A1 (de) | Vakuumbehandlungsanlage | |
DE102006011517B4 (de) | Transporteinrichtung, insbesondere zum Transport flächiger Substrate durch eine Beschichtungsanlage | |
DE4019962A1 (de) | Loetmaschine, die mit schutzgas arbeitet und mit automatisch betriebenen schleusentueren versehen ist | |
WO2010122152A1 (de) | Transporteinrichtung mit einem auslenkbaren dichtrahmen | |
CH688043A5 (de) | Vakuumbehandlungsanlage und Ventilanordnung. | |
WO2010115917A1 (de) | Vakuumventil und vakuumkammersystem | |
CH681015A5 (de) | ||
CH691377A5 (de) | Kammeranordnung für den Transport von Werkstücken und deren Verwendung. | |
DE10348281B4 (de) | Vakuum-Behandlungsanlage für ebene rechteckige oder quadratische Substrate | |
EP1350248B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum zusammenfügen von substraten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |