JP2677913B2 - 半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、真空中において、搬
送軸を有する移送部材を往復動して半導体基板を搬送す
る半導体基板搬送装置において、上記往復動する移送部
材と処理室との間を真空シールする半導体製造装置のシ
ール機構に関し、特に該移送部材にかかる推力を小さ
く、あるいは無くすることのできる半導体製造装置のシ
ール機構およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関
するものである。
送軸を有する移送部材を往復動して半導体基板を搬送す
る半導体基板搬送装置において、上記往復動する移送部
材と処理室との間を真空シールする半導体製造装置のシ
ール機構に関し、特に該移送部材にかかる推力を小さ
く、あるいは無くすることのできる半導体製造装置のシ
ール機構およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は半導体製造装置の外観平面を示
す。図において、半導体製造装置の中心に位置する、平
面が６角形状である搬送室１１を１つ有し、その周りを
取り巻くように４つの反応室５６ａ〜５６ｄが設けら
れ、残り２つは予備室６１ａ，６１ｂとして設けられて
いる。このような半導体製造装置の構成について説明す
る。６１ａは大気状態から低真空状態にするための予備
室である。該予備室６１ａに隣接する予備室６１ｂは、
これとは逆に低真空状態から大気状態にするための予備
室である。１１は上記予備室６１ａから各反応室５６ａ
〜５６ｄへ、あるいは各反応室５６ａ〜５６ｄから上記
予備室６１ｂへ半導体基板１を搬送する搬送室である。
また各反応室５６ａ〜５６ｄにはＣＶＤ装置が設置され
ており、該搬送室１１から搬送された半導体基板１に薄
膜を形成する。
す。図において、半導体製造装置の中心に位置する、平
面が６角形状である搬送室１１を１つ有し、その周りを
取り巻くように４つの反応室５６ａ〜５６ｄが設けら
れ、残り２つは予備室６１ａ，６１ｂとして設けられて
いる。このような半導体製造装置の構成について説明す
る。６１ａは大気状態から低真空状態にするための予備
室である。該予備室６１ａに隣接する予備室６１ｂは、
これとは逆に低真空状態から大気状態にするための予備
室である。１１は上記予備室６１ａから各反応室５６ａ
〜５６ｄへ、あるいは各反応室５６ａ〜５６ｄから上記
予備室６１ｂへ半導体基板１を搬送する搬送室である。
また各反応室５６ａ〜５６ｄにはＣＶＤ装置が設置され
ており、該搬送室１１から搬送された半導体基板１に薄
膜を形成する。
【０００３】また図６は図４のＡ−Ａ断面であり、予備
室６１ａ，反応室５６ｄ，搬送室１１の断面構成を示
す。これら各室６１ａ，５６ｄ，１１の構成について説
明する。図において、予備室６１ａはその両側面に第
１，第２のゲート６５ａ，６２ａを有している。該第
１，第２のゲート６５ａ，６２ａは、第１，第２のエア
シリンダー６６，６４により上下動する第１，第２のゲ
ートシャッター６５，６２により開閉される。上記第２
のエアシリンダー６４には上記第２のゲートシャッター
６２が上下動する際に、伸縮し予備室６１ａを真空シー
ルする真空用ベローズ６３が付加されている。また予備
室６１ａの底面中央には半導体基板１を受け渡しする受
け渡しステージ６０が設けられ、予備室６１ａの上面中
央には、室内の圧力を調整する排気口６８が設けられて
いる。また上記第２のゲート６２ａはゲート連結部６７
を介して搬送室１１の第３のゲート６２ｂと連結されて
いる。
室６１ａ，反応室５６ｄ，搬送室１１の断面構成を示
す。これら各室６１ａ，５６ｄ，１１の構成について説
明する。図において、予備室６１ａはその両側面に第
１，第２のゲート６５ａ，６２ａを有している。該第
１，第２のゲート６５ａ，６２ａは、第１，第２のエア
シリンダー６６，６４により上下動する第１，第２のゲ
ートシャッター６５，６２により開閉される。上記第２
のエアシリンダー６４には上記第２のゲートシャッター
６２が上下動する際に、伸縮し予備室６１ａを真空シー
ルする真空用ベローズ６３が付加されている。また予備
室６１ａの底面中央には半導体基板１を受け渡しする受
け渡しステージ６０が設けられ、予備室６１ａの上面中
央には、室内の圧力を調整する排気口６８が設けられて
いる。また上記第２のゲート６２ａはゲート連結部６７
を介して搬送室１１の第３のゲート６２ｂと連結されて
いる。
【０００４】反応室５６ｄは上記第３のゲートシャッタ
ー４１で開閉される第５のゲート４１ｂと、該反応室５
６ｄの中央開口部に設けられた、取付けステージ５０お
よび発熱体５１からなる保持部５２と、反応室５６ｄの
上面に設けられた反応性ガスの導入孔５５と、反応室５
６ｄを真空状態にするために室内の圧力を調整する排気
口５７とを備えている。また軸受５３は上記保持部５２
を回転運動させるとともに、支持もしている。回転用シ
ール５４はこの回転運動に対して保持部５２と反応室５
６ｄ開口部との間を回転シールしている。
ー４１で開閉される第５のゲート４１ｂと、該反応室５
６ｄの中央開口部に設けられた、取付けステージ５０お
よび発熱体５１からなる保持部５２と、反応室５６ｄの
上面に設けられた反応性ガスの導入孔５５と、反応室５
６ｄを真空状態にするために室内の圧力を調整する排気
口５７とを備えている。また軸受５３は上記保持部５２
を回転運動させるとともに、支持もしている。回転用シ
ール５４はこの回転運動に対して保持部５２と反応室５
６ｄ開口部との間を回転シールしている。
【０００５】搬送室１１はその中央開口部に、搬送軸７
を上下動させる駆動部３３０を内蔵したケース４６と、
この上下動する際に搬送軸７と搬送室１１との間を真空
シールする真空用ベローズ８と、半導体基板１を搬送す
るためのアーム部材３ａとからなる半導体基板搬送装置
１１０が下部フランジ８ｂを介して設置されている。ま
たアーム部材３ａは回転軸３，第１〜第３のアーム３０
〜３２から構成されている。また下部フランジ８ｂは搬
送室１１の中央開口部にボルト１３および気密用Ｏリン
グ１０を用いて取付けられ、搬送室１１を気密保持して
いる。また、この搬送室１１の上面には室内の圧力を調
整する排気口４５が設けられている。上記ケース４６は
上記下部フランジ８ｂを介して搬送軸７を上下させる駆
動部３３０を設けている。この駆動部３３０はモーター
３４が動作してカサ歯車３７，３８により、その駆動力
を搬送軸駆動部３３へ伝達し、カサ歯車３７の軸および
ガイド４０に沿ってボールネジ３９および搬送軸駆動部
３３が上下に動作する。３５，３６は上記カサ歯車３７
の軸の軸受けである。また上記搬送室１１の両側面に
は、上記第２のゲートシャッター６２および上記第３の
ゲートシャッター４１により開閉される第３のゲート６
２ｂおよび第４のゲート４１ａを有しており、上記第３
のゲートシャッター４１は第３のエアシリンダー４３に
より上下動し、また上記第３のエアシリンダー４３に
は、上記第３のゲートシャッター４１が上下動する際
に、伸縮し搬送室１１を真空シールする真空用ベローズ
４２が付加されている。上記第４のゲート４１ａはゲー
ト連結部４４を介して反応室５６ｄの第５のゲート４１
ｂと連結されている。
を上下動させる駆動部３３０を内蔵したケース４６と、
この上下動する際に搬送軸７と搬送室１１との間を真空
シールする真空用ベローズ８と、半導体基板１を搬送す
るためのアーム部材３ａとからなる半導体基板搬送装置
１１０が下部フランジ８ｂを介して設置されている。ま
たアーム部材３ａは回転軸３，第１〜第３のアーム３０
〜３２から構成されている。また下部フランジ８ｂは搬
送室１１の中央開口部にボルト１３および気密用Ｏリン
グ１０を用いて取付けられ、搬送室１１を気密保持して
いる。また、この搬送室１１の上面には室内の圧力を調
整する排気口４５が設けられている。上記ケース４６は
上記下部フランジ８ｂを介して搬送軸７を上下させる駆
動部３３０を設けている。この駆動部３３０はモーター
３４が動作してカサ歯車３７，３８により、その駆動力
を搬送軸駆動部３３へ伝達し、カサ歯車３７の軸および
ガイド４０に沿ってボールネジ３９および搬送軸駆動部
３３が上下に動作する。３５，３６は上記カサ歯車３７
の軸の軸受けである。また上記搬送室１１の両側面に
は、上記第２のゲートシャッター６２および上記第３の
ゲートシャッター４１により開閉される第３のゲート６
２ｂおよび第４のゲート４１ａを有しており、上記第３
のゲートシャッター４１は第３のエアシリンダー４３に
より上下動し、また上記第３のエアシリンダー４３に
は、上記第３のゲートシャッター４１が上下動する際
に、伸縮し搬送室１１を真空シールする真空用ベローズ
４２が付加されている。上記第４のゲート４１ａはゲー
ト連結部４４を介して反応室５６ｄの第５のゲート４１
ｂと連結されている。
【０００６】ここで図６で省略されている半導体基板搬
送装置１１０の搬送軸部分の構造について図５を用いて
説明する。図において、上記アーム部材３ａの回転軸３
と同軸円周上に、軸受４および回転用シール５を介して
搬送軸７が設けられ、同様に真空用ベローズ８が該搬送
軸７の外周に設けられている。上記回転用シール５は回
転軸３の回転動作に対して搬送室１１を気密保持してい
る。上記搬送軸７はボルト１２と気密用Ｏリング９によ
り上部フランジ８ａに取付けられ、真空用ベローズ８と
で搬送室１１を気密保持している。
送装置１１０の搬送軸部分の構造について図５を用いて
説明する。図において、上記アーム部材３ａの回転軸３
と同軸円周上に、軸受４および回転用シール５を介して
搬送軸７が設けられ、同様に真空用ベローズ８が該搬送
軸７の外周に設けられている。上記回転用シール５は回
転軸３の回転動作に対して搬送室１１を気密保持してい
る。上記搬送軸７はボルト１２と気密用Ｏリング９によ
り上部フランジ８ａに取付けられ、真空用ベローズ８と
で搬送室１１を気密保持している。
【０００７】次に上記アーム部材３ａについて説明す
る。図７はアーム部材３ａを有する半導体基板搬送装置
１１０の全体の外観を示す。上記アーム部材３ａは半導
体基板１を載せる受皿２と、回転軸３と、第１〜第３の
各アーム３０〜３２の連続してなるリンク機構とから構
成されており、回転軸３が回転動作することにより第１
〜第３の各アーム３０〜３２が伸縮自在に動作し、予備
室６１ａから各反応室５６ａ〜５６ｄへ、あるいは各反
応室５６ａ〜５６ｄから上記予備室６１ｂへ半導体基板
１を搬送する。
る。図７はアーム部材３ａを有する半導体基板搬送装置
１１０の全体の外観を示す。上記アーム部材３ａは半導
体基板１を載せる受皿２と、回転軸３と、第１〜第３の
各アーム３０〜３２の連続してなるリンク機構とから構
成されており、回転軸３が回転動作することにより第１
〜第３の各アーム３０〜３２が伸縮自在に動作し、予備
室６１ａから各反応室５６ａ〜５６ｄへ、あるいは各反
応室５６ａ〜５６ｄから上記予備室６１ｂへ半導体基板
１を搬送する。
【０００８】次に動作について説明する。まず第２，第
３のゲートシャッター６２，４１は上昇した状態で、第
１のゲートシャッター６５が下降し、予備室６１ａが開
放される。開放された予備室６１ａへ適当な手段（図示
せず）により半導体基板１を受渡しステージ６０上に載
せる。次に第１のエアシリンダー６６が動作して第１ゲ
ートシャッター６５が上昇し、予備室６１ａ，搬送室１
１，反応室５６ｄのそれぞれを密閉遮断する。密閉遮断
された各室６１ａ，１１，５６ｄは排気口６８，４５，
５７により１×１０4 Ｐａに真空引きされる。
３のゲートシャッター６２，４１は上昇した状態で、第
１のゲートシャッター６５が下降し、予備室６１ａが開
放される。開放された予備室６１ａへ適当な手段（図示
せず）により半導体基板１を受渡しステージ６０上に載
せる。次に第１のエアシリンダー６６が動作して第１ゲ
ートシャッター６５が上昇し、予備室６１ａ，搬送室１
１，反応室５６ｄのそれぞれを密閉遮断する。密閉遮断
された各室６１ａ，１１，５６ｄは排気口６８，４５，
５７により１×１０4 Ｐａに真空引きされる。
【０００９】次に第２のゲートシャッター６２を下降さ
せ、予備室６１ａと搬送室１１との間、即ち第２ゲート
６２ａと第３ゲート６２ｂを開放する。ここで予備室６
１ａ内の受渡しステージ６０上に載っている半導体基板
１を上述した半導体基板搬送装置１１０により搬送す
る。
せ、予備室６１ａと搬送室１１との間、即ち第２ゲート
６２ａと第３ゲート６２ｂを開放する。ここで予備室６
１ａ内の受渡しステージ６０上に載っている半導体基板
１を上述した半導体基板搬送装置１１０により搬送す
る。
【００１０】図８(a) に示すように、半導体基板搬送装
置１１０の駆動部３３０およびアーム部材３ａは静止状
態とし(1) 、まずアーム部材３ａの回転軸３を適当な手
段（図示せず）を用いて回転させ、リンク機構により第
１〜第３の各アーム３０〜３２は伸びた状態となり(2)
、予備室６１ａ内の受渡しステージ６０上に載ってい
る半導体基板１の下側、即ち図８(b)に示す矢印ａ方向
に、挿入（進入）し、駆動部３３０のモーター３４が動
作し、搬送軸駆動部３３が上昇する。矢印ｂ方向（上方
向）に半導体基板１をすくうようにして受皿２へ載せな
がら移動し、半導体基板１が予備室６１ａ内の受渡しス
テージ６０から搬送室１１へ搬送される状態となる。
置１１０の駆動部３３０およびアーム部材３ａは静止状
態とし(1) 、まずアーム部材３ａの回転軸３を適当な手
段（図示せず）を用いて回転させ、リンク機構により第
１〜第３の各アーム３０〜３２は伸びた状態となり(2)
、予備室６１ａ内の受渡しステージ６０上に載ってい
る半導体基板１の下側、即ち図８(b)に示す矢印ａ方向
に、挿入（進入）し、駆動部３３０のモーター３４が動
作し、搬送軸駆動部３３が上昇する。矢印ｂ方向（上方
向）に半導体基板１をすくうようにして受皿２へ載せな
がら移動し、半導体基板１が予備室６１ａ内の受渡しス
テージ６０から搬送室１１へ搬送される状態となる。
【００１１】次にアーム部材３ａは再び(1) の状態に戻
り（駆動部３３０は上昇状態）、ゲートシャッター６２
を上昇させ、各室６１ａ，１１，５６ｄを密閉し、さら
に排気口６８，４５，５７より１００Ｐａに真空引きす
る。
り（駆動部３３０は上昇状態）、ゲートシャッター６２
を上昇させ、各室６１ａ，１１，５６ｄを密閉し、さら
に排気口６８，４５，５７より１００Ｐａに真空引きす
る。
【００１２】上記各室６１ａ，１１，５６ｄがそれぞれ
同じ圧力になった状態において、第３のゲートシャッタ
ー４１を下降させ、搬送室１１と反応室５６ｄとの間、
即ち第４ゲート４１ａと第５ゲート４１ｂを開放する。
ここで再び、アーム部材３ａの回転軸３を上記同様に適
当な手段（図示せず）を用いて回転させ、リンク機構に
よりアーム部材３ａは伸びた状態となり(3) 、半導体基
板１を反応室５６ｄの取付けステージ５０へ運ぶ。ここ
で今度は駆動部３３０を下降させ、取付けステージ５０
へ半導体基板１を載せる。そしてアーム部材３ａは再び
(1) の状態に戻り、この状態で第３のゲートシャッター
４１を上昇させ、各室６１ａ，１１，５６ｄをそれぞれ
密閉し、さらに排気口６８，４５，５７より１〜１０Ｐ
ａに真空引きする。
同じ圧力になった状態において、第３のゲートシャッタ
ー４１を下降させ、搬送室１１と反応室５６ｄとの間、
即ち第４ゲート４１ａと第５ゲート４１ｂを開放する。
ここで再び、アーム部材３ａの回転軸３を上記同様に適
当な手段（図示せず）を用いて回転させ、リンク機構に
よりアーム部材３ａは伸びた状態となり(3) 、半導体基
板１を反応室５６ｄの取付けステージ５０へ運ぶ。ここ
で今度は駆動部３３０を下降させ、取付けステージ５０
へ半導体基板１を載せる。そしてアーム部材３ａは再び
(1) の状態に戻り、この状態で第３のゲートシャッター
４１を上昇させ、各室６１ａ，１１，５６ｄをそれぞれ
密閉し、さらに排気口６８，４５，５７より１〜１０Ｐ
ａに真空引きする。
【００１３】また上記反応室５６ｄにおける取付けステ
ージ５０上の半導体基板１は、発熱体５１により３００
〜５００度に加熱され、反応性ガスとして使用されるシ
ラン（ＳｉＨ4 ）に対して反応しやすくなっている。こ
の反応性ガスは反応性ガス導入孔５５よりジボラン（Ｂ
2 Ｈ2 ）またはホスフィン（ＰＨ3 ）が添加され、１０
０〜１０００Ｐａの圧力で半導体基板１に吹きつけられ
ている。そして適当な手段（図示せず）を用いて保持部
５２をゆっくり１〜１０ｒｐｍの速度で回転させ、半導
体基板１上に形成される１μｍ程度の薄膜を均一化す
る。またガスの排気は上記排気口５７により行われてい
る。
ージ５０上の半導体基板１は、発熱体５１により３００
〜５００度に加熱され、反応性ガスとして使用されるシ
ラン（ＳｉＨ4 ）に対して反応しやすくなっている。こ
の反応性ガスは反応性ガス導入孔５５よりジボラン（Ｂ
2 Ｈ2 ）またはホスフィン（ＰＨ3 ）が添加され、１０
０〜１０００Ｐａの圧力で半導体基板１に吹きつけられ
ている。そして適当な手段（図示せず）を用いて保持部
５２をゆっくり１〜１０ｒｐｍの速度で回転させ、半導
体基板１上に形成される１μｍ程度の薄膜を均一化す
る。またガスの排気は上記排気口５７により行われてい
る。
【００１４】なお予備室６１ａから各反応室５６ａ〜５
６ｄへ半導体基板１を搬送するときのアーム部材３ａの
リンク機構による第１〜第３の各アーム３０〜３２の伸
縮動作およびアーム部材３ａの回転軸３の施回動作は、
一般に知られており、例えば実開昭６２−１５００８７
号公報等に記載されている。
６ｄへ半導体基板１を搬送するときのアーム部材３ａの
リンク機構による第１〜第３の各アーム３０〜３２の伸
縮動作およびアーム部材３ａの回転軸３の施回動作は、
一般に知られており、例えば実開昭６２−１５００８７
号公報等に記載されている。
【００１５】また表面処理された半導体基板１を上記反
応室５６ｄから上記予備室６１ｂへ搬送する動作は上記
動作の逆動作を行う。即ち、各室６１ａ，１１，５６ｄ
をそれぞれ低真空状態から真空状態にし、反応室５６ｄ
から搬送室１１へ半導体基板１を搬送する。次に各室６
１ａ，１１，５６ｄを真空状態から大気状態にし、搬送
室１１から予備室６１ａへ半導体基板１を搬送する。
応室５６ｄから上記予備室６１ｂへ搬送する動作は上記
動作の逆動作を行う。即ち、各室６１ａ，１１，５６ｄ
をそれぞれ低真空状態から真空状態にし、反応室５６ｄ
から搬送室１１へ半導体基板１を搬送する。次に各室６
１ａ，１１，５６ｄを真空状態から大気状態にし、搬送
室１１から予備室６１ａへ半導体基板１を搬送する。
【００１６】また上記基板はシリコン基板であり、この
基板上に形成される薄膜はシリコン酸化膜である。
基板上に形成される薄膜はシリコン酸化膜である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従来のシール機構を有
する半導体製造装置は、以上のように構成されているの
で、搬送室内外では真空による差圧が発生し、この差圧
が搬送軸を搬送室内へ引き入れる推力として３００Ｋｇ
／ｃｍ2 が生じる。搬送軸を上下動する駆動部の動力と
しては、搬送軸重量に上記推力を加算しなければなら
ず、上下動のガイド部も強固にし、駆動部の動力を大き
くするために装置全体が大きくなり、高価になるなどの
問題点があった。
する半導体製造装置は、以上のように構成されているの
で、搬送室内外では真空による差圧が発生し、この差圧
が搬送軸を搬送室内へ引き入れる推力として３００Ｋｇ
／ｃｍ2 が生じる。搬送軸を上下動する駆動部の動力と
しては、搬送軸重量に上記推力を加算しなければなら
ず、上下動のガイド部も強固にし、駆動部の動力を大き
くするために装置全体が大きくなり、高価になるなどの
問題点があった。
【００１８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、搬送軸に負荷される推力を小さ
くし、あるいは推力を無くし、装置を小型化し、かつ安
価な半導体製造装置のシール機構およびこれを用いた半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、搬送軸に負荷される推力を小さ
くし、あるいは推力を無くし、装置を小型化し、かつ安
価な半導体製造装置のシール機構およびこれを用いた半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置のシール機構は、一部に開口を有し真空密閉可能
な処理室と、基板載置部とアーム部材とからなり基板を
搬送する搬送手段を有し該処理室の開口内で往復動する
移送部材と、上記処理室と移送部材との間をシールする
ベローズとを備え、該処理室の開口内で往復動する上記
真空用ベローズを中空フランジにより２分割し、かつ２
分割した片方を２重構造にするとともに、中空フランジ
に大気導入孔を設け、大気導入孔を介して上記２重に構
成した円環状のベローズ内部に大気を入れるようにした
ものである。
造装置のシール機構は、一部に開口を有し真空密閉可能
な処理室と、基板載置部とアーム部材とからなり基板を
搬送する搬送手段を有し該処理室の開口内で往復動する
移送部材と、上記処理室と移送部材との間をシールする
ベローズとを備え、該処理室の開口内で往復動する上記
真空用ベローズを中空フランジにより２分割し、かつ２
分割した片方を２重構造にするとともに、中空フランジ
に大気導入孔を設け、大気導入孔を介して上記２重に構
成した円環状のベローズ内部に大気を入れるようにした
ものである。
【００２０】またこの発明に係る半導体装置の製造方法
は、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室と、基板載
置部とアーム部材とからなり基板を搬送する搬送手段を
有し該処理室の開口内で往復動する移送部材と、該移送
部材に設けられ、貫通孔を有するフランジと、上記フラ
ンジの上面と上記処理室の内側開口周辺部との間をシー
ルするとともに、その内輪と外輪との間に上記貫通孔を
介して大気をいれる円環状のスペースを形成する２重構
造の第１のベローズと、上記フランジの下面と上記移送
部材の外側開口周辺部との間をシールする第２のベロー
ズとを備えたシール機構を有する半導体製造装置を用い
て、予備室および搬送室をともに真空状態とし、上記予
備室から搬送室へ半導体基板を搬送し、該搬送室および
反応室をともに低真空状態とし、上記搬送室から反応室
へ半導体基板を搬送し、該反応室内で半導体基板を処理
する。次に上記反応室および搬送室をともに真空状態と
し、上記反応室から搬送室へ半導体基板を搬送し、上記
搬送室および予備室をともに大気状態とし、上記搬送室
から予備室へ半導体基板を搬送するようにしたものであ
る。
は、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室と、基板載
置部とアーム部材とからなり基板を搬送する搬送手段を
有し該処理室の開口内で往復動する移送部材と、該移送
部材に設けられ、貫通孔を有するフランジと、上記フラ
ンジの上面と上記処理室の内側開口周辺部との間をシー
ルするとともに、その内輪と外輪との間に上記貫通孔を
介して大気をいれる円環状のスペースを形成する２重構
造の第１のベローズと、上記フランジの下面と上記移送
部材の外側開口周辺部との間をシールする第２のベロー
ズとを備えたシール機構を有する半導体製造装置を用い
て、予備室および搬送室をともに真空状態とし、上記予
備室から搬送室へ半導体基板を搬送し、該搬送室および
反応室をともに低真空状態とし、上記搬送室から反応室
へ半導体基板を搬送し、該反応室内で半導体基板を処理
する。次に上記反応室および搬送室をともに真空状態と
し、上記反応室から搬送室へ半導体基板を搬送し、上記
搬送室および予備室をともに大気状態とし、上記搬送室
から予備室へ半導体基板を搬送するようにしたものであ
る。
【００２１】
【作用】この発明の半導体製造装置のシール機構におい
ては、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室と、基板
載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する搬送手段
を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材と、上記
処理室と移送部材との間をシールするベローズとを備
え、該処理室の開口内で往復動する上記真空用ベローズ
を中空フランジにより２分割し、かつ２分割した片方を
２重構造にするとともに、中空フランジに大気導入孔を
設け、大気導入孔を介して上記２重に構成した円環状の
ベローズ内部に大気を入れるようにしたので、中空フラ
ンジの真空により生じた推力と導入した大気の圧力とが
相殺することとなり、推力を小さく、あるいは無くすこ
とができ、駆動部の負荷が小さくなり、装置を小型化、
かつ安価とすることができる。
ては、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室と、基板
載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する搬送手段
を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材と、上記
処理室と移送部材との間をシールするベローズとを備
え、該処理室の開口内で往復動する上記真空用ベローズ
を中空フランジにより２分割し、かつ２分割した片方を
２重構造にするとともに、中空フランジに大気導入孔を
設け、大気導入孔を介して上記２重に構成した円環状の
ベローズ内部に大気を入れるようにしたので、中空フラ
ンジの真空により生じた推力と導入した大気の圧力とが
相殺することとなり、推力を小さく、あるいは無くすこ
とができ、駆動部の負荷が小さくなり、装置を小型化、
かつ安価とすることができる。
【００２２】またこの発明の半導体装置の製造方法にお
いては、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室と、基
板載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する搬送手
段を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材と、該
移送部材に設けられ、貫通孔を有するフランジと、上記
フランジの上面と上記処理室の内側開口周辺部との間を
シールするとともに、その内輪と外輪との間に上記貫通
孔を介して大気をいれる円環状のスペースを形成する２
重構造の第１のベローズと、上記フランジの下面と上記
移送部材の外側開口周辺部との間をシールする第２のベ
ローズとを備えたシール機構を有する半導体製造装置を
用いて、予備室および搬送室をともに真空状態とし、上
記予備室から搬送室へ半導体基板を搬送し、該搬送室お
よび反応室をともに低真空状態とし、上記搬送室から反
応室へ半導体基板を搬送し、該反応室内で半導体基板を
処理する。次に上記反応室および搬送室をともに真空状
態とし、上記反応室から搬送室へ半導体基板を搬送し、
上記搬送室および予備室をともに大気状態とし、上記搬
送室から予備室へ半導体基板を搬送するようにしたの
で、推力を小さく、あるいは無くすことができ、駆動部
の負荷が小さくなり、装置を小型化、かつ安価な半導体
製造装置を得ることができる。
いては、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室と、基
板載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する搬送手
段を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材と、該
移送部材に設けられ、貫通孔を有するフランジと、上記
フランジの上面と上記処理室の内側開口周辺部との間を
シールするとともに、その内輪と外輪との間に上記貫通
孔を介して大気をいれる円環状のスペースを形成する２
重構造の第１のベローズと、上記フランジの下面と上記
移送部材の外側開口周辺部との間をシールする第２のベ
ローズとを備えたシール機構を有する半導体製造装置を
用いて、予備室および搬送室をともに真空状態とし、上
記予備室から搬送室へ半導体基板を搬送し、該搬送室お
よび反応室をともに低真空状態とし、上記搬送室から反
応室へ半導体基板を搬送し、該反応室内で半導体基板を
処理する。次に上記反応室および搬送室をともに真空状
態とし、上記反応室から搬送室へ半導体基板を搬送し、
上記搬送室および予備室をともに大気状態とし、上記搬
送室から予備室へ半導体基板を搬送するようにしたの
で、推力を小さく、あるいは無くすことができ、駆動部
の負荷が小さくなり、装置を小型化、かつ安価な半導体
製造装置を得ることができる。
【００２３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例による半導体製造装置の
シール機構を用いた半導体基板搬送装置の搬送軸部分の
構造断面を示す。図において、図５と同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
する。図１は本発明の一実施例による半導体製造装置の
シール機構を用いた半導体基板搬送装置の搬送軸部分の
構造断面を示す。図において、図５と同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
【００２４】搬送室１１ａの中央開口部には、搬送軸７
を上下動させる駆動部３３０ａを内蔵したケース４６ａ
と、この上下動する際に搬送軸７と搬送室１１との間を
真空シールする各第１〜第３の真空用ベローズ８ｄ〜８
ｆと、半導体基板１を搬送するためのアーム部材３ａと
からなる半導体基板搬送装置１１０ａが下部フランジ８
ｂを介して設置されている。下部フランジ８ｂは搬送室
１１の中央開口部にボルト１３および気密用Ｏリング１
０を用いて取付けられ、搬送室１１を気密保持してい
る。この半導体基板搬送装置１１０ａの外観は図７に示
すように従来と同様である。
を上下動させる駆動部３３０ａを内蔵したケース４６ａ
と、この上下動する際に搬送軸７と搬送室１１との間を
真空シールする各第１〜第３の真空用ベローズ８ｄ〜８
ｆと、半導体基板１を搬送するためのアーム部材３ａと
からなる半導体基板搬送装置１１０ａが下部フランジ８
ｂを介して設置されている。下部フランジ８ｂは搬送室
１１の中央開口部にボルト１３および気密用Ｏリング１
０を用いて取付けられ、搬送室１１を気密保持してい
る。この半導体基板搬送装置１１０ａの外観は図７に示
すように従来と同様である。
【００２５】搬送軸７部分の構造は図１に示すように、
アーム部材３ａを設け、該アーム部材３ａの回転軸３と
同軸円周上に、軸受４および回転用シール５を介して搬
送軸７が設けられている。この回転用シール５は回転軸
３の回転動作に対して搬送室１１ａを気密保持してい
る。上記搬送軸７はボルト１２および気密用Ｏリング９
により中空フランジ８ｃに取付けられ、真空用ベローズ
とで搬送室１１ａを気密保持している。
アーム部材３ａを設け、該アーム部材３ａの回転軸３と
同軸円周上に、軸受４および回転用シール５を介して搬
送軸７が設けられている。この回転用シール５は回転軸
３の回転動作に対して搬送室１１ａを気密保持してい
る。上記搬送軸７はボルト１２および気密用Ｏリング９
により中空フランジ８ｃに取付けられ、真空用ベローズ
とで搬送室１１ａを気密保持している。
【００２６】この中空フランジ８ｃの上下にはそれぞれ
上部フランジ８ａと下部フランジ８ｂが配設されてい
る。また下部フランジ８ｂと中空フランジ８ｃとの間に
第３のベローズ８ｆを有し、中空フランジ８ｃと上部フ
ランジ８ａとの間に内輪，外輪の２重構造からなる第
１，第２のベローズ８ｄ，８ｅを有している。この第３
のベローズ８ｆは中空フランジ８ｃと下部フランジ８ｂ
に気密溶接にて両端を接合されている。上記第１のベロ
ーズ８ｄは上部フランジ８ａと中空フランジ８ｃに気密
溶接にて両端を接合する上部内輪のベローズ、第２のベ
ローズ８ｅは同じく上部外輪のベローズである。さらに
各フランジ８ａ〜８ｃおよび第１〜第３のベローズ８ｄ
〜８ｆも上記搬送軸７と同様、上記回転軸３の同軸円周
上に設けられている。
上部フランジ８ａと下部フランジ８ｂが配設されてい
る。また下部フランジ８ｂと中空フランジ８ｃとの間に
第３のベローズ８ｆを有し、中空フランジ８ｃと上部フ
ランジ８ａとの間に内輪，外輪の２重構造からなる第
１，第２のベローズ８ｄ，８ｅを有している。この第３
のベローズ８ｆは中空フランジ８ｃと下部フランジ８ｂ
に気密溶接にて両端を接合されている。上記第１のベロ
ーズ８ｄは上部フランジ８ａと中空フランジ８ｃに気密
溶接にて両端を接合する上部内輪のベローズ、第２のベ
ローズ８ｅは同じく上部外輪のベローズである。さらに
各フランジ８ａ〜８ｃおよび第１〜第３のベローズ８ｄ
〜８ｆも上記搬送軸７と同様、上記回転軸３の同軸円周
上に設けられている。
【００２７】また上記第１，第２のベローズ８ｄ，８ｅ
および上部フランジ８ａと中空フランジ８ｃとでなす円
環状の空間へ大気を入れる大気導入孔８ｇが中空フラン
ジ８ｃに設けられている。第３のベローズ８ｆおよび中
空フランジ８ｃと下部フランジ８ｂ，上部フランジ８ａ
とでなす円環状の空間を真空にする真空通気孔８ｈが上
部フランジ８ａの下側面に設けられている。
および上部フランジ８ａと中空フランジ８ｃとでなす円
環状の空間へ大気を入れる大気導入孔８ｇが中空フラン
ジ８ｃに設けられている。第３のベローズ８ｆおよび中
空フランジ８ｃと下部フランジ８ｂ，上部フランジ８ａ
とでなす円環状の空間を真空にする真空通気孔８ｈが上
部フランジ８ａの下側面に設けられている。
【００２８】次に動作について説明する。ここでは図３
に示す予備室６１ａから搬送室１１ａを介して反応室５
６ｄへ、あるいは反応室５６ｄから搬送室１１ａを介し
て予備室６１ａへ半導体基板１を搬送する動作は上記従
来例と同様であるので省略し、半導体基板搬送装置１１
０ａの搬送軸７が上下する動作についてのみ説明する。
搬送軸７が上昇すると、中空フランジ８ｃが上部フラン
ジ８ａの上端に達し、上部の第１，第２のベローズ８
ｄ，８ｅは縮み、下部の第３のベローズ８ｆは伸びる。
に示す予備室６１ａから搬送室１１ａを介して反応室５
６ｄへ、あるいは反応室５６ｄから搬送室１１ａを介し
て予備室６１ａへ半導体基板１を搬送する動作は上記従
来例と同様であるので省略し、半導体基板搬送装置１１
０ａの搬送軸７が上下する動作についてのみ説明する。
搬送軸７が上昇すると、中空フランジ８ｃが上部フラン
ジ８ａの上端に達し、上部の第１，第２のベローズ８
ｄ，８ｅは縮み、下部の第３のベローズ８ｆは伸びる。
【００２９】また半導体基板搬送装置１１０ａの半導体
基板１を受皿２に載せたアーム部材３ａが、反応室５６
ｄの取付けステージ５０へ移動し、搬送軸７を下降する
と、中空フランジ８ｃが下部フランジ８ｂの下端に達
し、各第１〜第３のベローズ８ｄ〜８ｆの伸縮は上記動
作と逆になる。
基板１を受皿２に載せたアーム部材３ａが、反応室５６
ｄの取付けステージ５０へ移動し、搬送軸７を下降する
と、中空フランジ８ｃが下部フランジ８ｂの下端に達
し、各第１〜第３のベローズ８ｄ〜８ｆの伸縮は上記動
作と逆になる。
【００３０】このように搬送軸７が上下動した場合、搬
送室１１ａが真空のために中空フランジ８ｃに生じる、
搬送室１１ａに引き入れようとする推力は下部の第３の
ベローズ８ｆの中心径内の面積に比例する。一方、大気
導入孔８ｇを通して上部の第１，第２のベローズ８ｄ，
８ｅおよび上部フランジ８ａと中空フランジ８ｃとでな
す空間へ大気を入れるので、中空フランジ８ｃには上記
推力とは逆方向へ力が働き、その大きさは上部の第１，
第２のベローズ８ｄ，８ｅの中心径内で囲まれた環状の
面積に比例する。従って、この２つの面積を等しくする
ことにより互いの応力を中空フランジ８ｃ内で打ち消し
合い、バランスを取ることができる。従来では上記推力
が３００Ｋｇ／ｃｍ2 であるのに対し、本実施例では４
Ｋｇ／ｃｍ2 に低減する、あるいは無くすことができ
る。
送室１１ａが真空のために中空フランジ８ｃに生じる、
搬送室１１ａに引き入れようとする推力は下部の第３の
ベローズ８ｆの中心径内の面積に比例する。一方、大気
導入孔８ｇを通して上部の第１，第２のベローズ８ｄ，
８ｅおよび上部フランジ８ａと中空フランジ８ｃとでな
す空間へ大気を入れるので、中空フランジ８ｃには上記
推力とは逆方向へ力が働き、その大きさは上部の第１，
第２のベローズ８ｄ，８ｅの中心径内で囲まれた環状の
面積に比例する。従って、この２つの面積を等しくする
ことにより互いの応力を中空フランジ８ｃ内で打ち消し
合い、バランスを取ることができる。従来では上記推力
が３００Ｋｇ／ｃｍ2 であるのに対し、本実施例では４
Ｋｇ／ｃｍ2 に低減する、あるいは無くすことができ
る。
【００３１】このように上記実施例では、真空用ベロー
ズを中空フランジ８ｃにより２分割し、かつ２分割した
片方を２重構造にし、また上記中空フランジ８ｃは内部
に大気を入れるように構成したので、搬送軸７に負荷さ
れる推力を小さくし、あるいは推力を無くし、半導体基
板搬送装置１１０ａを小型化し、かつ安価な半導体製造
装置を得ることができる。
ズを中空フランジ８ｃにより２分割し、かつ２分割した
片方を２重構造にし、また上記中空フランジ８ｃは内部
に大気を入れるように構成したので、搬送軸７に負荷さ
れる推力を小さくし、あるいは推力を無くし、半導体基
板搬送装置１１０ａを小型化し、かつ安価な半導体製造
装置を得ることができる。
【００３２】また一部に開口を有し真空密閉可能な搬送
室１１ａと、受皿２とアーム部材３ａとからなり半導体
基板１を搬送する搬送手段を有し、該搬送室１１ａの開
口内で往復動する搬送軸７と、該搬送軸７に設けられ、
貫通孔８ｇを有する中空フランジ８ｃと、上記中空フラ
ンジ８ｃの上面と上記搬送室１１ａの内側開口周辺部と
の間をシールするとともに、その内輪と外輪との間に上
記貫通孔８ｇを介して大気をいれる円環状のスペースを
形成する２重構造の第１，第２のベローズ８ｄ，８ｅ
と、上記中空フランジ８ｃの下面と上記搬送軸７の外側
開口周辺部との間をシールする第３のベローズ８ｆとを
備えたシール機構を有する半導体製造装置を用い、予備
室および搬送室をともに真空状態とし、上記予備室から
搬送室へ半導体基板を搬送し、該搬送室および反応室を
ともに低真空状態とし、上記搬送室から反応室へ半導体
基板を搬送し、該反応室内で半導体基板を処理する。次
に上記反応室および搬送室をともに真空状態とし、上記
反応室から搬送室へ半導体基板を搬送し、上記搬送室お
よび予備室をともに大気状態とし、上記搬送室から予備
室へ半導体基板を搬送するようにしたので、推力を小さ
く、あるいは無くすことができ、駆動部３３０ａの負荷
が小さくなり、装置を小型化、かつ安価な半導体製造装
置を得ることができる。
室１１ａと、受皿２とアーム部材３ａとからなり半導体
基板１を搬送する搬送手段を有し、該搬送室１１ａの開
口内で往復動する搬送軸７と、該搬送軸７に設けられ、
貫通孔８ｇを有する中空フランジ８ｃと、上記中空フラ
ンジ８ｃの上面と上記搬送室１１ａの内側開口周辺部と
の間をシールするとともに、その内輪と外輪との間に上
記貫通孔８ｇを介して大気をいれる円環状のスペースを
形成する２重構造の第１，第２のベローズ８ｄ，８ｅ
と、上記中空フランジ８ｃの下面と上記搬送軸７の外側
開口周辺部との間をシールする第３のベローズ８ｆとを
備えたシール機構を有する半導体製造装置を用い、予備
室および搬送室をともに真空状態とし、上記予備室から
搬送室へ半導体基板を搬送し、該搬送室および反応室を
ともに低真空状態とし、上記搬送室から反応室へ半導体
基板を搬送し、該反応室内で半導体基板を処理する。次
に上記反応室および搬送室をともに真空状態とし、上記
反応室から搬送室へ半導体基板を搬送し、上記搬送室お
よび予備室をともに大気状態とし、上記搬送室から予備
室へ半導体基板を搬送するようにしたので、推力を小さ
く、あるいは無くすことができ、駆動部３３０ａの負荷
が小さくなり、装置を小型化、かつ安価な半導体製造装
置を得ることができる。
【００３３】なお上記実施例では、搬送室１１ａのアー
ム部材３ａが昇降し、予備室６１ａの受渡しステージ６
０，反応室５６ｄの取付けステージ５０が固定されたタ
イプの半導体製造装置における搬送室１１ａの半導体基
板搬送装置１１０ａにシール機構を適用したものについ
て説明したが、本発明はこれとは逆に搬送室１１ａのア
ーム部材３ａが固定され、予備室６１ａの受渡しステー
ジ６０，反応室５６ｄの取付けステージ５０が昇降する
タイプの半導体製造装置においても適用でき、昇降する
側の受渡しステージ６０，取付けステージ５０に本発明
のシール機構を適用してもよい。
ム部材３ａが昇降し、予備室６１ａの受渡しステージ６
０，反応室５６ｄの取付けステージ５０が固定されたタ
イプの半導体製造装置における搬送室１１ａの半導体基
板搬送装置１１０ａにシール機構を適用したものについ
て説明したが、本発明はこれとは逆に搬送室１１ａのア
ーム部材３ａが固定され、予備室６１ａの受渡しステー
ジ６０，反応室５６ｄの取付けステージ５０が昇降する
タイプの半導体製造装置においても適用でき、昇降する
側の受渡しステージ６０，取付けステージ５０に本発明
のシール機構を適用してもよい。
【００３４】以下、このような本発明の第２の実施例に
ついて説明する。図２はこの第２の実施例の取付けステ
ージ５０が昇降するタイプとした半導体製造装置の反応
室５６ｄの構造図である。図において、発熱体５１，回
転機構３００からなる取付けステージ５０を有し、その
同軸円周上に搬送軸７が設けられている。この搬送軸７
は中空フランジ８ｃに取付けられ、このフランジ８ｃの
上下にはそれぞれ上部フランジ８ａと下部フランジ８ｂ
が配設されている。また、中空フランジ８ｃと上部フラ
ンジ８ａとの間に内輪，外輪の２重構造からなる第１，
第２のベローズ８ｄ，８ｅを有し、下部フランジ８ｂと
中空フランジ８ｃとの間に第３のベローズ８ｆを有して
いる。
ついて説明する。図２はこの第２の実施例の取付けステ
ージ５０が昇降するタイプとした半導体製造装置の反応
室５６ｄの構造図である。図において、発熱体５１，回
転機構３００からなる取付けステージ５０を有し、その
同軸円周上に搬送軸７が設けられている。この搬送軸７
は中空フランジ８ｃに取付けられ、このフランジ８ｃの
上下にはそれぞれ上部フランジ８ａと下部フランジ８ｂ
が配設されている。また、中空フランジ８ｃと上部フラ
ンジ８ａとの間に内輪，外輪の２重構造からなる第１，
第２のベローズ８ｄ，８ｅを有し、下部フランジ８ｂと
中空フランジ８ｃとの間に第３のベローズ８ｆを有して
いる。
【００３５】また上記中空フランジ８ｃには大気導入孔
８ｇが設けられており、上記第１，第２のベローズ８
ｄ，８ｅの内部に大気を導入し、中空フランジ８ｃの真
空により第３のベローズ８ｆに生じた推力とバランスを
とるようにしたものである。
８ｇが設けられており、上記第１，第２のベローズ８
ｄ，８ｅの内部に大気を導入し、中空フランジ８ｃの真
空により第３のベローズ８ｆに生じた推力とバランスを
とるようにしたものである。
【００３６】また上記半導体製造装置の予備室（図３の
６１ａ）は、その受渡しステージ（図３の６０）が昇降
するタイプとしたものであり、上記反応室５６ｄと同様
のシール機構を有している。
６１ａ）は、その受渡しステージ（図３の６０）が昇降
するタイプとしたものであり、上記反応室５６ｄと同様
のシール機構を有している。
【００３７】次に動作について説明する。まず搬送室
（図３の１１ａ）のアーム部材（図３の３ａ）が予備室
（図３の６１ａ）の受渡しステージ（図３の６０）へ移
動し、受渡しステージ（図３の６０）上の半導体基板１
を受皿２にすくうようにして載せたとすると、上記受渡
しステージ（図３の６０）が下降し、半導体基板１は搬
送室（図３の１１ａ）のアーム部材（図３の３ａ）によ
り反応室５６ｄへと移動する。そして反応室５６ｄの取
付けステージ５０が上昇し、半導体基板１を取付けステ
ージ５０上に載せる。
（図３の１１ａ）のアーム部材（図３の３ａ）が予備室
（図３の６１ａ）の受渡しステージ（図３の６０）へ移
動し、受渡しステージ（図３の６０）上の半導体基板１
を受皿２にすくうようにして載せたとすると、上記受渡
しステージ（図３の６０）が下降し、半導体基板１は搬
送室（図３の１１ａ）のアーム部材（図３の３ａ）によ
り反応室５６ｄへと移動する。そして反応室５６ｄの取
付けステージ５０が上昇し、半導体基板１を取付けステ
ージ５０上に載せる。
【００３８】このように本実施例は、搬送室１１ａのア
ーム部材３ａが固定され、予備室６１ａの受渡しステー
ジ６０，反応室５６ｄの取付けステージ５０が昇降する
半導体製造装置にシール機構を適用したものであり、上
記実施例と同様の効果を奏する。
ーム部材３ａが固定され、予備室６１ａの受渡しステー
ジ６０，反応室５６ｄの取付けステージ５０が昇降する
半導体製造装置にシール機構を適用したものであり、上
記実施例と同様の効果を奏する。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るシール機
構によれば、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室
と、基板載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する
搬送手段を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材
と、上記処理室と移送部材との間をシールするベローズ
とを備え、該処理室の開口内で往復動する上記真空用ベ
ローズを中空フランジにより２分割し、かつ２分割した
片方を２重構造にするとともに、中空フランジに大気導
入孔を設け、大気導入孔を介して上記２重に構成した円
環状のベローズ内部に大気を入れるようにしたので、中
空フランジの真空により生じた推力と導入した大気の圧
力とが相殺することとなり、推力を小さく、あるいは無
くすことができ、駆動部の負荷が小さくなり、装置を小
型化、かつ安価とすることができる効果がある。
構によれば、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室
と、基板載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する
搬送手段を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材
と、上記処理室と移送部材との間をシールするベローズ
とを備え、該処理室の開口内で往復動する上記真空用ベ
ローズを中空フランジにより２分割し、かつ２分割した
片方を２重構造にするとともに、中空フランジに大気導
入孔を設け、大気導入孔を介して上記２重に構成した円
環状のベローズ内部に大気を入れるようにしたので、中
空フランジの真空により生じた推力と導入した大気の圧
力とが相殺することとなり、推力を小さく、あるいは無
くすことができ、駆動部の負荷が小さくなり、装置を小
型化、かつ安価とすることができる効果がある。
【００４０】またこの発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室と、
基板載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する搬送
手段を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材と、
該移送部材に設けられ、貫通孔を有するフランジと、上
記フランジの上面と上記処理室の内側開口周辺部との間
をシールするとともに、その内輪と外輪との間に上記貫
通孔を介して大気をいれる円環状のスペースを形成する
２重構造の第１のベローズと、上記フランジの下面と上
記移送部材の外側開口周辺部との間をシールする第２の
ベローズとを備えたシール機構を有する半導体製造装置
を用いて、予備室および搬送室をともに真空状態とし、
上記予備室から搬送室へ半導体基板を搬送し、該搬送室
および反応室をともに低真空状態とし、上記搬送室から
反応室へ半導体基板を搬送し、該反応室内で半導体基板
を処理する。次に上記反応室および搬送室をともに真空
状態とし、上記反応室から搬送室へ半導体基板を搬送
し、上記搬送室および予備室をともに大気状態とし、上
記搬送室から予備室へ半導体基板を搬送するようにした
ので、推力を小さく、あるいは無くすことができ、駆動
部の負荷が小さくなり、装置を小型化、かつ安価な半導
体装置を製造することができる効果がある。
によれば、一部に開口を有し真空密閉可能な処理室と、
基板載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する搬送
手段を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材と、
該移送部材に設けられ、貫通孔を有するフランジと、上
記フランジの上面と上記処理室の内側開口周辺部との間
をシールするとともに、その内輪と外輪との間に上記貫
通孔を介して大気をいれる円環状のスペースを形成する
２重構造の第１のベローズと、上記フランジの下面と上
記移送部材の外側開口周辺部との間をシールする第２の
ベローズとを備えたシール機構を有する半導体製造装置
を用いて、予備室および搬送室をともに真空状態とし、
上記予備室から搬送室へ半導体基板を搬送し、該搬送室
および反応室をともに低真空状態とし、上記搬送室から
反応室へ半導体基板を搬送し、該反応室内で半導体基板
を処理する。次に上記反応室および搬送室をともに真空
状態とし、上記反応室から搬送室へ半導体基板を搬送
し、上記搬送室および予備室をともに大気状態とし、上
記搬送室から予備室へ半導体基板を搬送するようにした
ので、推力を小さく、あるいは無くすことができ、駆動
部の負荷が小さくなり、装置を小型化、かつ安価な半導
体装置を製造することができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体基板搬送装置
の搬送軸部分の構造を示す断面図である。
の搬送軸部分の構造を示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施例による半導体薄膜形成装
置の真空反応室部分の構造を示す断面図である。
置の真空反応室部分の構造を示す断面図である。
【図３】この発明の一実施例による減圧半導体薄膜形成
装置の構造を示す構造断面図である。
装置の構造を示す構造断面図である。
【図４】減圧半導体薄膜形成装置の外観平面を示す外観
平面図である。
平面図である。
【図５】従来の半導体基板搬送装置の搬送軸部分の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】従来の減圧半導体薄膜形成装置の構造を示す構
造断面図である。
造断面図である。
【図７】半導体基板搬送装置の外観を示す外観斜視図で
ある。
ある。
【図８】アーム部材の搬送動作を示す動作説明図であ
る。
る。
１ 半導体基板 ２ 受け皿 ３ 回転軸 ３ａ アーム部材 ４ 軸受 ５ 回転用シール ６ 保持部材 ７ 搬送軸 ８ａ 上部フランジ ８ｂ 下部フランジ ８ｃ 中空フランジ ８ｄ〜８ｆ 第１〜第３のベローズ ８ｇ 大気導入孔 ８ｈ 真空通気孔 ９，１０ 気密用Ｏリング １１ａ 搬送室 １２，１３ ボルト ３３ 搬送軸駆動部 ３４ モータ ３７，３８ カサ歯車 ３９ ボールネジ ４０ ガイド ５０ 取付ステージ ５２ 発熱体 ５５ ガス導入孔 ５６ａ〜５６ｄ 反応室 １１０ａ 半導体基板搬送装置 ３００ 回転機構 ３３０ａ 駆動部
Claims (8)
- 【請求項１】 一部に開口を有し真空密閉可能な処理室
と、基板載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する
搬送手段を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材
と、上記処理室と移送部材との間をシールするベローズ
とを備えた半導体製造装置のシール機構において、上記
移送部材に設けられ、貫通孔を有するフランジと、上記
フランジの上面と上記処理室の内側開口周辺部との間を
シールするとともに、その内輪と外輪との間に上記貫通
孔を介して大気をいれる円環状のスペースを形成する２
重構造の第１のベローズと、上記フランジの下面と上記
移送部材の外側開口周辺部との間をシールする第２のベ
ローズとを備えたことを特徴とする半導体製造装置のシ
ール機構。 - 【請求項２】 一部に開口を有し真空密閉可能な処理室
と、基板載置部とアーム部材とからなり基板を搬送する
搬送手段を有し該処理室の開口内で往復動する移送部材
と、該移送部材に設けられ、貫通孔を有するフランジ
と、上記フランジの上面と上記処理室の内側開口周辺部
との間をシールするとともに、その内輪と外輪との間に
上記貫通孔を介して大気をいれる円環状のスペースを形
成する２重構造の第１のベローズと、上記フランジの下
面と上記移送部材の外側開口周辺部との間をシールする
第２のベローズとを備えたシール機構を有する半導体製
造装置を用い、予備室および搬送室をともに真空状態と
し、上記予備室から搬送室へ半導体基板を搬送する工程
と、該搬送室および反応室をともに低真空状態とし、上
記搬送室から反応室へ半導体基板を搬送する工程と、該
反応室内で半導体基板を処理する工程と、上記反応室お
よび搬送室をともに真空状態とし、上記反応室から搬送
室へ半導体基板を搬送する工程と、上記搬送室および予
備室をともに大気状態とし、上記搬送室から予備室へ半
導体基板を搬送する工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記シール機構は搬送室に備えたもので
あることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置の
シール機構。 - 【請求項４】 上記シール機構は搬送室に備えたもので
あることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】 上記シール機構は反応室に備えたもので
あることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置の
シール機構。 - 【請求項６】 上記シール機構は反応室に備えたもので
あることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項７】 上記シール機構は予備室に備えたもので
あることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置の
シール機構。 - 【請求項８】 上記シール機構は予備室に備えたもので
あることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3138490A JP2677913B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法 |
| US07/854,875 US5266119A (en) | 1991-05-13 | 1992-03-23 | Vacuum sealing mechanism for a semiconductor device manufacturing apparatus having inner and outer bellows |
| DE4210110A DE4210110C2 (de) | 1991-05-13 | 1992-03-27 | Halbleitereinrichtung-Herstellungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung |
| US08/065,756 US5346513A (en) | 1991-05-13 | 1993-05-24 | Method for producing semiconductor device using a vacuum sealing mechanism having inner and outer bellows |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3138490A JP2677913B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04336412A JPH04336412A (ja) | 1992-11-24 |
| JP2677913B2 true JP2677913B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=15223324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3138490A Expired - Lifetime JP2677913B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5266119A (ja) |
| JP (1) | JP2677913B2 (ja) |
| DE (1) | DE4210110C2 (ja) |
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| JP2720420B2 (ja) * | 1994-04-06 | 1998-03-04 | キヤノン販売株式会社 | 成膜／エッチング装置 |
| DE9407482U1 (de) * | 1994-05-05 | 1994-10-06 | Leybold Ag | Funktionseinrichtung für eine Vakuumanlage für die Behandlung von scheibenförmigen Werkstücken |
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| US5784925A (en) * | 1996-12-13 | 1998-07-28 | Etec Systems, Inc. | Vacuum compatible linear motion device |
| US5899653A (en) * | 1997-06-23 | 1999-05-04 | Applied Materials, Inc. | Two-stage vacuum bellows |
| DE19742923A1 (de) * | 1997-09-29 | 1999-04-01 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten eines im wesentlichen flachen, scheibenförmigen Substrats |
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| DE19910478C2 (de) | 1998-03-12 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem |
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| NL1036843A1 (nl) * | 2008-05-23 | 2009-11-24 | Asml Netherlands Bv | Support structure, lithographic apparatus and method. |
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| KR101861568B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2018-05-28 | 한전원자력연료 주식회사 | 압력보상형 하중전달장치 |
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-
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- 1991-05-13 JP JP3138490A patent/JP2677913B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-23 US US07/854,875 patent/US5266119A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-27 DE DE4210110A patent/DE4210110C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-24 US US08/065,756 patent/US5346513A/en not_active Expired - Fee Related
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| DE4210110A1 (de) | 1992-11-19 |
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| US5266119A (en) | 1993-11-30 |
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