DE3344850C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3344850C2
DE3344850C2 DE19833344850 DE3344850A DE3344850C2 DE 3344850 C2 DE3344850 C2 DE 3344850C2 DE 19833344850 DE19833344850 DE 19833344850 DE 3344850 A DE3344850 A DE 3344850A DE 3344850 C2 DE3344850 C2 DE 3344850C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
antechamber
layer
conveyor
coating chamber
prechamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19833344850
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumi Suzuki
Shuji Tokio/Tokyo Jp Yoshizawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE3344850C2 publication Critical patent/DE3344850C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5093Coaxial electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/20Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018Glow discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Nieder­ schlagen einer Schicht einer vorgegebenen Dicke auf jedem von mehreren Schichtträgern, mit einem Sockel, einem fest auf letzterem montierten Gehäuse zur Fest­ legung einer Beschichtungs- Kammer, deren Inneres nach außen hin abgeschlossen ist, einer Gaszufuhr zur Einleitung eines Behandlungsgases in die Beschichtungs-Kammer und einer elektrischen Entladungseinrichtung zum Aktivieren des mittels der Gaszufuhr in die Beschichtungs-Kammer eingeführten Behandlungsgases sowie ein Verfahren zum Niederschlagen einer Schicht einer vorgegebenen Dicke auf der Ober­ fläche jedes von mehreren Schicht-Trägern.
In neuerer Zeit ist auf dem Gebiet der elektronischen Kopiergeräte die Verwendung eines Photoleiters aus amorphem Silizium für eine lichtempfindliche Schicht vorgeschlagen worden. Ein lichtempfindlicher Körper mit einem Photoleiter aus amorphem Silizium als licht­ empfindliche Schicht (im folgenden auch einfach als lichtempfindlicher α-Si-Körper bezeichnet) ist den bisher für die lichtempfindlichen Schichten von elektronischen Kopiergeräten verwendeten Werkstoffen, wie α-Se, CdS, ZnO, O.P.C. usw., bezüglich seiner Eigenschaften, wie Wärmebeständigkeit, Härte, Halt­ barkeit und Umweltfreundlichkeit, überlegen.
Ein lichtempfindlicher α-Si-Körper wird z. B. nach dem Glimmentladungsverfahren wie folgt hergestellt:
Gemäß den Fig. 1 und 2 wird ein trommelförmiger (Schicht-)Träger 12 drehbar in einem Gehäuse 10 ange­ ordnet, das mittels einer Diffusionspumpe und einer Kreiselpumpe (nicht dargestellt) evakuiert wird. Der Träger 12 wird mit Masse verbunden und mittels eines nicht dargestellten Antriebs um seine Längsachse in Drehung versetzt. Nach Öffnen eines Ventils 18 wird nach Bedarf gasförmiges SiH4 (Silan) oder ein Gemisch aus SiH4 und B2H6 oder SiH4 und PH3 in das Gehäuse 10 eingeleitet. Gleichzeitig wird ein Absaugsystem von der Verbindung mit Diffusions- und Kreiselpumpe (nicht dargestellt) auf die Verbindung mit einer mechanischen Zusatzpumpe 14 und einer Kreiselpumpe 16 umgeschaltet. Das eingeleitete Gas wird über eine Vielzahl von Gas­ düsen (öffnungen) 22 eines Gaseinlaßrohrs 20 gegen die Oberfläche des Trägers 12 geblasen, der zudem durch ein Heizelement 24 erwärmt wird. Das Gaseinlaßrohr 20 dient dabei auch als Kathode einer Hochfrequenzstrom­ quelle 26. Nach Einstellung des Innendrucks des Gehäuses 10 auf eine vorbestimmte Größe mittels eines nicht dargestellten, im Absaugsystem befindlichen Ventils wird Hochfrequenzstrom von der Stromquelle 26 her zwischen Kathode 20 und Träger 12 angelegt. Da der Träger an Masse liegt, wirkt er gegenüber der Kathode 20 als Anode. Demzufolge tritt eine Glimment­ ladung zwischen dem Gaseinlaßrohr 20 als Kathode und dem Träger 12 als Anode auf, wodurch das gasförmige SiH4 aktiviert (bzw. ionisiert) wird. Im Zeitverlauf entwickelt sich dabei α-Si auf der Oberfläche des Trägers 12. Während des Niederschlags der α-Si-Schicht wird das Radikal des SiH4-Gases, welches nicht an der Nieder­ schlagung der Schicht teilgenommen hat, aus dem Gehäuse 10 durch die mechanische Zusatzpumpe 14 und die Kreisel­ pumpe 16 abgesaugt. Dabei wird eine lichtempfindliche Schicht aus α-Si in einer vorgegebenen Dicke auf der Oberfläche des Trägers 12 abgelagert bzw. niedergeschlagen. Hierauf wird das Radikal des SiH4-Gases nacheinander über eine Verbrennungssäule und einen Wäscher (nicht darge­ stellt) sicher in die Außenluft entlassen. Nach dem Öffnen des Gehäuses 10 wird dann der lichtempfindliche α-Si-Körper entnommen. Hierauf ist die Herstellung eines lichtempfindlichen α-Si-Körpers abgeschlossen.
Bei dem vorstehend beschriebenen Verfahren ist jedoch die Schichtniederschlags- bzw. -bildungsgeschwindigkeit sehr niedrig, während die Vorbereitungsmaßnahmen zum Evakuieren des Gehäuses 10 und die an die Schicht­ bildung anschließenden Arbeiten für das Absaugen des restlichen SiH4-Gases aus dem Gehäuse ziemlich zeitaufwendig sind, wodurch die Fertigungsleistung eingeschränkt wird. Die Fertigungskosten für einen solchen lichtempfindlichen α-Si-Körper sind daher sehr hoch.
Zur Vermeidung dieser Mängel wurde bereits ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem gemäß Fig. 3 mehrere trommelförmige (Schicht-)Träger 12 axial in einer Reihe so angeordnet sind, daß auf ihnen α-Si-Schichten gleich­ zeitig niedergeschlagen werden können. Hierbei ist je­ doch die Zahl der in das Gehäuse 10 einsetzbaren Träger 12 wegen der beschränkten Höhe des Gehäuses 10 begrenzt, zudem gestaltet sich bei diesem Gehäuse 10 das Ein­ setzen und Herausnehmen der Träger 12 unbequem. Bei diesem Schichtniederschlagsverfahren müssen weiterhin nicht dargestellte Vakuumpumpen am unteren Abschnitt des Gehäuses montiert sein. Die Gasdichte innerhalb des Gehäuses 10 ist daher nicht gleichmäßig, so daß die auf die Träger 12 aufgebrachten lichtempfindlichen α-Si-Schichten unterschiedliche Dicken aufweisen können, was einen schwerwiegenden Mangel darstellt.
Im Hinblick auf die Mängel des Stands der Technik liegt der Erfindung insbesondere die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Niederschlagen von Siliziumschichten zu schaffen, mit denen auf mehreren Schichtträgern gleichzeitig Schichten gleich­ mäßiger Dicke ausgebildet werden können.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Niederschlagen einer Siliziumschicht einer vorgegebenen Dicke auf der Oberfläche jedes von mehreren Schicht-Trägern gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß in einem ersten Vorgang eine Anzahl von Schicht-Trägern auf einer Zufuhrstrecke längs einer Fördereinrichtung angeordnet werden, daß in einem zweiten Vorgang der Innendruck einer eine sich in einer Richtung erstreckenden Förderstrecke aufweisenden Beschichtungs-Kammer zur Ein­ leitung eines Behandlungsgases in diese Kammer reduziert wird, daß in einem dritten Vorgang im Inneren der Be­ schichtungs-Kammer eine elektrische Entladung zur Akti­ vierung des Behandlungsgases eingeleitet wird, daß in einem vierten Vorgang die einzelnen Schicht-Träger von der Zufuhrstrecke über eine Vorkammer zu einem Ende der Förderstrecke in der Beschichtungs-Kammer zugeführt wer­ den, daß in einem fünften Vorgang die Schicht-Träger entlang der Förderstrecke in der Beschichtungs-Kammer zu deren anderem Ende transportiert werden, und daß in einem sechsten Vorgang die zum anderen Ende der Förder­ strecke transportierten Schicht-Träger über eine Vor­ kammer zu einer Austragstrecke überführt werden.
Weiterhin wird diese Aufgabe gelöst durch eine Vorrich­ tung zum Niederschlagen einer Siliziumschicht einer vorgegebenen Dicke auf jedem von mehreren Schicht-Trägern zum Durchführen des Verfahrens gemäß der Erfindung mit einem Sockel, einem fest auf letzterem montierten Ge­ häuse zur Festlegung einer Beschichtungs-Kammer, deren Inneres nach außen hin ab­ geschlossen ist, einer Gaszufuhr zur Einleitung eines wenigstens Silizium enthaltenden Behandlungsgases in die Beschichtungs-Kammer und einer elektrischen Ent­ ladungseinrichtung zum Aktivieren des mittels der Gas­ zufuhr in die Beschichtungs-Kammer eingeführten Behand­ lungsgases. Gemäß der Erfindung ist diese Vorrichtung dadurch gekennzeichnet, daß am Gehäuse angebrachte Vor­ kammern eine erste in der Beschichtungs-Kammer angeord­ nete Fördereinrichtung zum Befördern der Anzahl von Schicht-Trägern in der Beschichtungs-Kammer in der einen Richtung, eine Beschickungseinrichtung, deren Endab­ schnitt mit einer Vorkammer verbunden ist und durch welche die Schicht-Träger jeweils einzeln durch die Vorkammer in die Beschichtungs-Kammer überführbar sind, eine Austrageinrichtung, deren Anfangsabschnitt mit einer Vorkammer verbunden ist, so daß die in der Beschichtungs- Kammer beschichteten Schicht-Träger jeweils einzeln durch die Vorkammer abführbar sind, und eine Druckreduzierein­ richtung zum selektiven Reduzieren der Innendrücke der Beschichtungs-Kammer und der Vorkammern vorgesehen sind.
Bei Anwendung des Verfahrens und der Vorrichtung gemäß der Erfindung werden mehrere Schicht-Träger entlang einer Förderstrecke in der Schichtniederschlags- bzw. Beschichtungs-Kammer transportiert und dabei gleichzei­ tig beschichtet. Demgemäß werden auf mehreren Schicht- Trägern gleichzeitig Schichten gleichmäßiger Dicke mit einer einfachen Ausführung gebildet.
Weitere Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprü­ chen unter Schutz gestellt.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Er­ findung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 einen Längsschnitt durch eine bisherige Schicht­ niederschlagsvorrichtung,
Fig. 2 einen Querschnitt durch die Vorrichtung nach Fig. 1,
Fig. 3 einen schematischen teilweise weggebrochenen Längsschnitt durch eine andere bisherige Schichtniederschlagsvorrichtung,
Fig. 4 eine Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 5 einen Querschnitt durch die Vorrichtung nach Fig. 4,
Fig. 6 bis 16 Querschnittsansichten zur Veranschau­ lichung der Arbeitsweise der Vorrich­ tung nach Fig. 4 und 5,
Fig. 17 einen schematischen Querschnitt durch noch eine andere Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 18 einen schematischen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 19 einen schematischen Längsschnitt durch noch eine weitere Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 20 einen Querschnitt durch die Vorrichtung nach Fig. 19,
Fig. 21 eine perspektivische Detailansicht eines Ständers mit Schicht-Träger bei der Vor­ richtung nach Fig. 19,
Fig. 22 bis 29 Schnittansichten zur Veranschaulichung der Arbeitsweise der Vorrichtung nach Fig. 19,
Fig. 30 eine schematische Querschnittsdarstellung nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, und
Fig. 31 einen schematischen Querschnitt durch noch eine weitere Ausführungsform der Erfindung.
Bei den nachstehend beschriebenen Ausführungsformen wird gasförmiges SiH4 zugeführt. Nachstehend wird anhand der Fig. 4 bis 16 eine Ausführungsform der Erfindung im einzelnen beschrieben.
Gemäß Fig. 4 ist ein Gehäuse 32 mit einem Sockel 30 fest verbunden. Der vom Sockel 30 und vom Gehäuse 32 umschlossene ringförmige Raum wird als Beschichtungs- Kammer 110 bezeichnet. In der Beschichtungs-Kammer ist eine erste Fördereinrichtung 46 vorgesehen zum Befördern einer Anzahl von Schicht-Trägern 42 in der Beschichtungs-Kammer 110 in einer Richtung.
Gemäß Fig. 5 ist in einem Teil der Außenumfangswand 34 des Gehäuses 32 eine Öffnung 112 vorgesehen, die als "Schleuse" für die Schicht-Träger 42 dient und so breit ist, daß die einzelnen Träger 42 durch sie hindurchzu­ treten vermögen. An die Außenseite der Außenumfangs­ wand 34 des Gehäuses 32 schließt sich eine einen rechteckigen Umriß besitzende Vorkammer 114 an, deren eine Seitenfläche die Öffnung 112 aufweist. Die Öffnung 112 ist mit einem ersten Verschluß 116 versehen, der ge­ öffnet und geschlossen werden kann. Wenn der erste Verschluß 116 offen ist, ist die Kammer 110 mit der Vorkammer 114 verbunden. Wenn der erste Ver­ schluß 116 geschlossen ist, sind beide Kammern luftdicht voneinander getrennt.
In der gemäß Fig. 5 linken Seitenfläche der Vor­ kammer 114 ist eine Einlaßöffnung 118 ausgebildet. In der gemäß Fig. 5 rechten Seitenfläche der Vor­ kammer 114 ist eine Auslaßöffnung 120 vorgesehen. In den Einlaß- und Auslaßöffnungen 118 bzw. 120 sind ein zweiter bzw. ein dritter Verschluß 122 bzw. 124 angeordnet, die jeweils geöffnet und ge­ schlossen werden können. Im Offenzustand der Ver­ schlüsse 122 und 124 ist die Vorkammer 114 mit der Außenseite verbunden bzw. nach außen hin offen. Im Schließzustand verschließen die Verschlüsse 122 und 124 die Vorkammer 114 luftdicht nach außen hin. Der Endteil einer Förderstrecke 126 und der Anfang einer Förderstrecke 128 sind der Einlaß­ öffnung 118 bzw. der Auslaßöffnung 120 zugewandt. Über den Förderstrecken 126 und 128 sind ein zweiter bzw. ein dritter Antriebsmechanismus bzw. eine zweite und dritte Fördereinrichtung 130 bzw. 132 angeordnet, während in der Vorkammer 114 ein vierter Antriebsmechanismus bzw. eine vierte Fördereinrichtung 134 vorgesehen ist. Mittels des zweiten Antriebsmechanismus 130 sind die Schicht-Träger 42 in Richtung des Pfeils X auf dem vierten Antriebsmechanismus 134 der Vorkammer 114 förderbar, wenn der zweite Verschluß 122 offen ist. Der dritte Antriebsmechanismus 132 dient zur Abfuhr der beschichteten Träger 42 bzw. der lichtempfindlichen Trommeln 136 aus der Vorkammer 114 in Richtung des Pfeils X. Der vierte Antriebs­ mechanismus 134 fördert bei offenem ersten Ver­ schluß 116 die über die Einlaßöffnung 118 in die Vorkammer 114 eingeführten Träger 42 auf die erste Fördereinrichtung 46 in der Beschichtungs- Kammer 110 in Richtung des Pfeils Y, während er nach Abschluß des Schichtniederschlagvorgangs bzw. der Beschichtung jede dem ersten Verschluß 116 gegenüberstehende lichtempfindliche Trommel 136 entgegengesetzt zur Richtung des Pfeils Y in die Vorkammer 114 fördert, wenn der erste Verschluß 116 offen ist. Wenn der dritte Verschluß 124 offen ist, liefert der vierte Antriebsmechanismus 134 außerdem die Trommeln 136 in Richtung des Pfeils X auf den dritten Antriebsmechanismus 132 auf der Abfuhr- bzw. Förderstrecke 128.
Im Inneren des Gehäuses 32 sind erster und zweiter Gaseinlaßteil 48 bzw. 50 jeweils längs der Außen- bzw. Innenumfangswände 34 bzw. 40 angeordnet. Der erste Gaseinlaßteil 48 weist eine der Öffnung 112 mit dem ersten Verschluß 116 entsprechende Öffnung auf.
Die Gaseinlaß-Hauptleitung 56 ist über ein erstes Ventil 138 mit einer ersten Gaszufuhr 140 ver­ sehen, die zur Lieferung von gasförmigem SiH4 dient. Die Verteilerrohre 54 sind durch die obere Platte des Gehäuses 32 bei gasdichter Abdichtung in dieser in das Gehäuse 32 eingeführt. Eine zweite Gas­ zufuhr 144 ist über ein zweites Ventil 142 mit der Vorkammer 114 verbunden. Die zweite Gaszufuhr 144 dient zur Zufuhr von gasförmigem N2. Die einen Enden der den Sockel 30 und die Vorkammer 114 durch­ setzenden Gasauslaß-Sammelrohre 62 münden über ein drittes und ein viertes Ventil 146 bzw. 148 an der Oberseite des Sockels 30 und in der Vorkammer 114.
Nachstehend ist der im folgenden auch als Be­ schichtung bezeichnete Schichtniederschlagvorgang bei der vorstehend beschriebenen Vorrichtung gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung erläutert.
Zunächst werden gemäß Fig. 6 mehrere Schicht-Träger 42 auf dem zweiten Antriebsmechanismus 130 längs der Förderstrecke 126 in deren Erstreckungsrichtung angeordnet. Sodann werden erster und zweiter Verschluß 116 bzw. 122 geöffnet und dritter Verschluß 124 geschlossen. Dabei fördert der zweite Antriebsmechanismus 130 einen vorlaufenden bzw. ersten Träger 42 A in Richtung des Pfeils X in die Vorkammer 114 hinein (vgl. Fig. 7). Mittels des vierten Antriebsmechanismus 134 in der Vor­ kammer 114 wird dieser erste Träger 42 A in Richtung des Pfeils Y transportiert und auf den Ständer 44 des ersten Antriebsmechanismus 46 über­ führt (vgl. Fig. 8).
Wenn der erste Träger 42 A in die Schichtnieder­ schlags-Kammer 110 überführt worden ist, befindet sich gemäß Fig. 8 in der Vorkammer 114 ein nächster bzw. zweiter Schicht-Träger 42 B.
In dem in Fig. 8 dargestellten Zustand wird der zweite Verschluß 122 geschlossen, während drittes und viertes Ventil 146 bzw. 148 geöffnet und die Kammer 110 sowie die Vorkammer 114 mittels der Diffusionspumpe und der Kreiselpumpe (nicht dargestellt) evakuiert werden. Wenn die Innen­ drücke dieser Kammern 110 und 114 eine Größe von 133,3 × 10- 5 Pa erreichen, werden drittes und viertes Ventil 146 und 148 sowie erster Verschluß 116 geschlossen. Die Träger 42 werden dabei durch die Heizelemente 72 auf 200°C bis 300°C erwärmt. Anschließend wird von der ersten Gaszufuhr 140 über das offene erste Ventil 138 sowie über die Hauptleitung 56 und die Ver­ teilerrohre 54 gasförmige SiH4 zu den beiden Gaseinlaßteilen 48 und 50 geleitet. Dieses Gas verteilt sich dabei über die Gasdüsen bzw. -öffnungen 52 durch die gesamte Kammer 110. Zu diesem Zeit­ punkt wird das dritte Ventil 146 geöffnet, um das Gas mittels der mechanischen Zusatzpumpe 66 und der Kreiselpumpe 68 aus dem Gehäuse 32 abzu­ saugen. Bei diesen Gaseinführ- und absaugvorgängen kann der in der Kammer 110 herrschende Druck im Bereich von 13,3 bis 533,2 Pa liegen.
Sodann wird von der Stromquelle 74 her eine vor­ bestimmte Spannung zwischen die beiden Gaseinlaß­ teile 48 und 50 sowie die Schicht-Träger 42 ange­ legt, um zur Aktivierung des gasförmigen SiH4 eine Glimmentladung einzuleiten. Dabei wird an die (äußeren) Mantelflächen der Träger 42 aktiviertes Silizium angezogen bzw. angelagert, so daß auf jedem Träger 42 eine amorphe Siliziumschicht bzw. α-Si-Schicht entsteht, die eine lichtempfindliche Schicht auf der Mantelfläche des betreffenden Trägers 42 bildet.
Mittels des ersten Antriebsmechanismus bzw. der ersten Fördereinrichtung 46 werden dann die die Träger 42 tragenden Ständer 44 in der Beschichtungs-Kammer 110 in Richtung des Pfeils Z bewegt. Die Transportgeschwindigkeit der durch den ersten Antriebsmechanismus 46 ange­ triebenen Ständer 44 ist so gewählt, daß während der Zeitspanne, in welcher sich jeder Ständer 44 von einer Stellung A gemäß Fig. 5 aus in einem vollen Umlauf um die Kammer 110 zur Stellung A zurückbewegt, eine Schicht einer vor­ gegebenen Dicke auf jedem Schicht-Träger 42 nieder­ geschlagen werden kann.
Wenn sich der erste Träger 42 A auf dem betreffenden Ständer 44 in eine Stellung B gemäß Fig. 5 bewegt, so daß der nächste Ständer 44 in Gegenüberstellung zum ersten Verschluß 116 gelangt, wird letzterer gemäß Fig. 9 geöffnet, und der zweite Träger 42 B wird durch den vierten Antriebsmechanismus 134 aus der Vorkammer 114 auf den in der Stellung A auf dem ersten Antriebsmechanismus 46 befindlichen Ständer 44 überführt. Zum Absaugen des gasförmigen SiH4 aus der Vorkammer 114 wird dann das vierte Ventil 148 geöffnet, und die Vorkammer 114 wird mittels der Kreiselpumpe 68 und der mechanischen Zusatzpumpe 66 evakuiert. Wenn in der Vorkammer 114 ein vorbestimmter Unterdruck erreicht ist, werden das vierte Ventil 148 geschlossen und das zweite Ventil 142 zum Einblasen von gasförmigem N2 von der zweiten Gaszufuhr 144 her in die Vor­ kammer 114 zwecks Aufhebung des Unterdrucks ge­ öffnet.
Danach werden der zweite Verschluß 122 geöffnet und ein weiterer Träger 42 C, der sich bisher in Bereitschaft auf der Förderstrecke 126 neben der Vorkammer 114 befand, mittels des zweiten Antriebs­ mechanismus 130 in die Vorkammer 114 überführt. Nach dem Schließen des zweiten Verschlusses 122 wird das vierte Ventil 148 geöffnet, wobei in der Vorkammer 114 mittels der Zusatzpumpe 166 und der Kreiselpumpe 68 ein vorbestimmter Unterdruck erzeugt wird. Wenn der in der Kammer 110 in der Stellung A befindliche Träger 42 B die Stellung B erreicht, wird der erste Verschluß 116 geöffnet, worauf der in der Vorkammer 114 befindliche Träger 42 C durch den vierten Antriebsmechanismus 134 auf den in der Stellung A befindlichen Ständer 44 überführt wird. Diese Arbeitsweise wird fort­ gesetzt, bis der erste Träger 42 A gemäß Fig. 10 nach einem vollen Umlauf um die Kammer 110 wieder die Stellung A erreicht hat. Der Beschichtungs­ vorgang in der Kammer 110 wird auch fortgesetzt, während die Träger 42 aus der Vorkammer 114 in die Schichtniederschlags-Kammer 110 überführt werden. Die auf den Ständern 44 in der Kammer 110 befindlichen Träger 42 werden durch den ersten Antriebsmechanismus 46 aufgrund des Eingriffs zwischen den zweiten Zahnrädern 98 an den Auflagen 92 der Ständer 44 und dem festen Zahnrad 106 um ihre Mittelachsen in Drehung versetzt. Bei der Umlaufbewegung der Schicht-Träger 42 in der Kammer 110 drehen sich die Träger 42 somit auch um ihre eigenen Achsen.
Wenn der erste Schicht-Träger 42 A im Verlaufe der Beschichtung nach einem vollen Umlauf um die Kammer 110 wieder zur Stellung A zurückkehrt, ist auf seiner Mantelfläche eine lichtempfindliche a-Si-Schicht einer vorgegebenen gleichmäßigen Dicke niedergeschlagen worden. Wenn der Träger 42 A bzw. die mit der lichtempfindlichen Schicht versehene Trommel 136 zur Stellung A zurückgeführt wird, befindet sich der nächste Träger 42 nicht in der Vorkammer 114, sondern auf der Förderstrecke 126 in Bereitschaft. Nach dem Evakuieren der Vorkammer 114 wird sodann der erste Verschluß 116 geöffnet, worauf die lichtempfindliche Trommel 136 gemäß Fig. 11 durch den vierten Antriebs­ mechanismus 134 in die Vorkammer 114 überführt wird. Sodann werden der erste Verschluß 116 ge­ schlossen, das vierte Ventil 148 zum Absaugen des gasförmigen SiH4 aus der Vorkammer 114 geöffnet und die Vorkammer 114 mittels der mechanischen Zusatzpumpe 66 und der Kreiselpumpe 68 evakuiert. Wenn in der Vorkammer 114 ein vorbestimmter Unter­ druck hergestellt ist, wird das vierte Ventil 148 geschlossen. Zu diesem Zeitpunkt werden die dritten Ventile 146 geöffnet und die beiden Pumpen 66 und 68 zum Absaugen von unnötigem SiH4 in Betrieb gesetzt. Durch Öffnen des zweiten Ventils 142 und Einführung von N2 von der zweiten Gaszu­ fuhr 144 in die Vorkammer 114 wird dann der Unter­ druck aufgehoben.
Das aus der Vorkammer 114 abgesaugte gasförmige SiH4 wird durch den Luftreiniger 70 gereinigt und zur Außenluft entlassen.
Gemäß Fig. 12 werden im Anschluß hieran der dritte Verschluß 142 geöffnet und die in der Vorkammer 114 befindliche lichtempfindliche Trommel 136 durch den vierten Antriebsmechanismus 134 zum dritten Antriebsmechanismus 132 auf der Abführ- bzw. Förderstrecke 128 transportiert. Dritter und zweiter Verschluß 124 bzw. 122 werden sodann ge­ schlossen bzw. geöffnet, und ein auf der Förder­ strecke 126 befindlicher Träger 42 X wird gemäß Fig. 13 durch den zweiten Antriebsmechanismus 130 in die Vorkammer 114 überführt. Nach dem Schließen des zweiten Verschlusses 122 wird die Vorkammer 114 evakuiert. Sodann werden gemäß Fig. 14 der erste Verschluß 116 geöffnet und der in der Vorkammer 114 befindliche Träger 42 X durch den vierten Antriebsmechanismus 134 auf einen in der Stellung A auf dem ersten Antriebsmechanismus 46 in der Kammer 110 befindlichen Ständer 44 über­ führt.
Wenn sich der den neu zugeführten Schicht-Träger 42 X tragende Ständer 44 aus der Stellung A in die Stellung B bewegt, gelangt der die beschichtete Trommel 136 tragende Ständer 44 gemäß Fig. 15 in die Stellung A. In diesem Zustand wird die Trommel 136 gemäß Fig. 16 durch den vierten Antriebs­ mechanismus 134 aus der Kammer 110 in die Vorkammer 114 überführt. Hierauf wird der erste Verschluß 116 geschlossen, und das SiH4 wird auf beschriebene Weise aus der Vorkammer 114 abgesaugt. Anschließend werden die auf die Anordnung der lichtempfindlichen Trommel 136 in der Stellung A folgenden Vorgänge automatisch wiederholt, bis der gesamte Beschichtungs­ vorgang abgeschlossen ist.
Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform wird beim Niederschlagen einer α-Si-Schicht auf der Mantelfläche des trommelförmigen Trägers 42 zwecks Herstellung einer lichtempfindlichen Trommel die Beschichtungs-Kammer 110 stets in einem Betriebszustand für die Beschichtung gehalten. Die kleine Vorkammer 114 dient zur Einführung eines neu zugeführten Trägers in die Kammer 110. Der neu geführte Träger 42 kann somit während des Be­ schichtungsvorgangs, und ohne diesen zu stören, in die Kammer 110 eingeführt werden. Die Vorkammer 114 dient auch zur Herausnahme eines beschichteten trommelförmigen Trägers 42 bzw. der lichtempfindlichen Trommel 136 aus der Beschichtungs-Kammer 110. Die fertiggestellte Trommel 136 kann somit ohne Unterbrechung des Beschichtungsvorgangs aus der Kammer 110 ausgetragen werden.
Die Vorkammer 114 ist gerade groß genug, um einen einzigen Schicht-Träger 42 aufzunehmen. Die für die Erzeugung des erforderlichen Unterdrucks in der Vorkammer 114 benötigte Zeitspanne ist daher ziemlich kurz, und der Beschichtungsvorgang kann in der Zwischenzeit weitergeführt werden. Durch die Evakuierung der Vorkammer 114 wird infolgedessen die Beschichtungsleistung des Gesamtvorgangs nicht beeinträchtigt. Im Gegensatz zur bisherigen Vor­ richtung kann daher mit der beschriebenen Aus­ führungsform pro Zeiteinheit eine größere Zahl lichtempfindlicher Trommeln hergestellt werden.
Da sich die Schicht-Träger 42 in der Kammer 110 um zwei Achsen drehen, werden auf den fertiggestellten Trommeln lichtemfindliche Schichten gleichmäßiger Dicke erzielt. Die auf jeder einzelnen Trommel niedergeschlagene lichtempfindliche Schicht ist außerdem in sich gleichmäßig dick.
Da weiterhin die Vorkammer 114 sowohl für die Ein­ führung der Träger 42 als auch für die Entnahme der fertiggestellten lichtempfindlichen Trommeln 136 benutzt wird, benötigt die Evakuierung der Vorkammer nur eine sehr geringe Energiemenge.
Die Erfindung ist keineswegs auf die vorstehend beschriebenen Einzelheiten beschränkt, sondern ver­ schiedenen Änderungen und Abwandlungen zugänglich.
Bei der vorstehend anhand von Fig. 4 bis 16 be­ schriebenen Ausführungsform der Erfindung ist die Umlaufbahn jedes Schicht-Trägers 42 kreis­ förmig. Diese Umlaufbahn kann jedoch auch elliptisch sein oder wie bei der vierten Ausführungsform gemäß Fig. 17 die Form eines (an den Ecken) abge­ rundeten Rechtecks besitzen. In diesem Fall können ein Gehäuse 150 und eine Schichtniederschlags- Kammer 152 in Aufsicht jeweils eine im wesentlichen rechteckige Form besitzen.
Wie erwähnt, ist bei der beschriebenen Ausführungsform die Vorkammer 114 gerade groß genug, um einen einzigen Träger 42 aufzunehmen. Bei einer Ausführungsform gemäß Fig. 18 kann wahl­ weise eine Vorkammer 154 so groß sein, daß sie doppelt so viele Träger 42 aufzunehmen vermag, wie sich jeweils in der Beschichtungs-Kammer 110 befinden. Bei dieser Ausführungsform werden jeweils mehrere, in der Vorkammer 154 in Bereitschaft stehende Träger 42 gleichzeitig in die Kammer 110 eingeführt und mehrere, in der Kammer 110 be­ schichtete lichtempfindliche Trommeln 136 gleich­ zeitig zur Vorkammer 154 überführt. Mit dieser Ausführungsform kann die Erfindungsaufgabe ebenfalls gelöst werden.
Im folgenden ist anhand der Fig. 19 bis 29 eine weitere Ausführungsform der Erfindung beschrieben.
Die Schichtniederschlags- bzw. Beschichtungsvor­ richtung 28 gemäß Fig. 19 und 20 weist einen in Aufsicht U-förmigen Sockel 156 auf. Mit dem Sockel 156 ist ein seine gesamte Oberseite abschließendes Gehäuse 158 fest verbunden.
Das Gehäuse 158 besteht aus einer längs der Außen­ umfangskante des Sockels 156 lotrecht hochgezogenen Außenwand 160, einer längs der Innenumfangskante des Sockels 156 lotrecht hochgezogenen Innenwand 162 und einer die Oberkanten von Außen- und Innenwand 160 bzw. 162 verbindenden oberen Platte 164. Der von Sockel 156 und Gehäuse 158 umschlossene U-förmige Raum bildet eine Beschichtungs-Kammer 166. Gemäß Fig. 20 sind eine vordere Vorkammer 168 mit dem einen Ende und eine hintere Vorkammer 170 mit dem anderen Ende der Beschichtungs-Kammer 166 verbunden. Zwischen die vordere Vorkammer 168 und die Kammer 166 ist ein zu öffnender erster Verschluß 172 eingeschaltet. Wenn der erste Verschluß 172 offen ist, sind vordere Vorkammer 168 und Beschichtungs-Kammer 166 mitein­ ander verbunden. Im Schließzustand des Verschlusses 172 sind die beiden Kammern 168 und 166 luftdicht voneinander getrennt. Ebenso ist zwischen die hintere Vorkammer 170 und die Beschichtungs-Kammer 166 ein zu öffnender Verschluß 174 eingeschaltet, der in seiner Offenstellung die beiden Kammern 170 und 156 miteinander verbindet und sie in seiner Schließstellung luftdicht voneinander trennt.
In dem dem ersten Verschluß 172 gegenüberstehenden Teil der vorderen Vorkammer 168 ist eine Einlaß­ öffnung 176 ausgebildet, in welcher ein dritter Verschluß 178 angeordnet ist, welcher diese Einlaß­ öffnung zu öffnen und zu schließen vermag. Beim Öffnen und Schließen des dritten Verschlusses 178 wird die vordere Vorkammer 168 mit dem Außenraum verbunden bzw. von ihm getrennt. Eine Förderstrecke 180 endet an der Einlaßöffnung 176. In dem dem zweiten Verschluß 174 gegenüberstehenden Teil der hinteren Vorkammer 170 ist eine Auslaßöffnung 182 vorgesehen, in welcher ein vierter Verschluß 184 zum Öffnen und Schließen dieser Auslaßöffnung 182 angeordnet ist. Durch Öffnen und Schließen des vierten Verschlusses 184 ist die hintere Vorkammer 170 mit dem Außenraum verbindbar bzw. von ihm trennbar.
An die Auslaßöffnung 182 schließt sich der Anfang einer Abführ-Förderstrecke 186 an.
Innerhalb des Gehäuses 158 ist über dem Sockel 156 eine Förderstrecke 188 vorgesehen. Die Förderstrecke 180, die vordere Vorkammer 168, die Förderstrecke 188, die hintere Vorkammer 170 und die Förder­ strecke 186 sind jeweils mit einem (ersten bis fünften) Antriebsmechanismus 190, 192, 194, 196 bzw. 198 versehen, wobei die jeweils einen trommelförmigen Schicht-Träger 42 zur Herstellung einer licht­ empfindlichen Trommel tragenden Ständer 44 in Richtung des Pfeils X bewegbar sind. Der erste Antriebsmechanismus 190 fördert den Ständer 44 auf der Förderstrecke 180 in die vordere Vorkammer 168. Der zweite Antriebsmechanismus 192 überführt den Ständer 44 aus der vorderen Vorkammer 168 auf die Förderstrecke 188. Der dritte Antriebsmechanismus 194 transportiert den Ständer 44 auf der Förder­ strecke 188 zur hinteren Vorkammer 170. Der vierte Antriebsmechanismus 196 dient zur Beförderung des Ständers 44 aus der hinteren Vorkammer 170 auf die Förderstrecke 186. Der fünfte Antriebsmechanismus 198 befördert den durch den vierten Antriebs­ mechanismus 196 auf die Förderstrecke 186 über­ führten Ständer 44 zu einer nicht dargestellten Austragsstelle.
Die beiden Vorkammern 168 und 170 sind so groß, daß sie jeweils einen einzigen Ständer 44 aufzu­ nehmen vermögen. Die Beschichtungs-Kammer 166 vermag dabei jeweils mehrere, z. B. neun Ständer 44 gleich­ zeitig aufzunehmen.
Gemäß Fig. 21 besteht jeder Ständer 44 aus einem auf die jeweiligen Antriebsmechanismen 190 bis 198 auflegbaren Tisch 200, einer praktisch im Mittelbe­ reich des Tisches 200 lotrecht drehbar gelagerten Achse 202 und einer scheibenförmigen Auflage 204, die in ihrem Mittelbereich mit dem oberen Ende der Achse 202 verbunden ist. Die Außenumfangsfläche der Auflage 204 ist als Zahnrad 206 ausgebildet. Ein Schicht-Träger 42 wird praktisch auf den Mittel­ bereich der Auflage 204 aufgesetzt. Eine Zahnstange bzw. ein Zahnkranz 208 zur Herstellung eines Ein­ griffs mit dem Zahnrad 206 ist an dem Teil der Außenwand 160 des Gehäuses 156 angebracht, welcher der Auflage 204 des Ständers 44 zugewandt ist. Der Zahnkranz 208 erstreckt sich über die Gesamtlänge der Förderstrecke 188. Die Auflage 204 des Ständers 44 dreht sich daher um ihre eigene Achse, während sie durch den dritten Antriebsmechanismus 194 längs der Förderstrecke 188 bewegt wird.
Im Inneren des Gehäuses 188 sind ein erster und ein zweiter Gaseinlaßteil 210 bzw. 212 längs Außenwand 160 bzw. Innenwand 162 angeordnet. Erste und zweite Gaseinlaßrohre 214 bzw. 216 sind mit vorderer und hinterer Vorkammer 168 bzw. 170 verbunden. Die Gas­ einlaßrohre 214 und 216 sind über ein zweites bzw. ein drittes Ventil 218 bzw. 220 an die zweite Gaszufuhr 144 angeschlossen. Letztere dient zur Zufuhr eines ungiftigen Inertgases, z. B. von gas­ förmigem N2.
Mehrere Gasauslaß-Sammelrohre 62 durchsetzen mit dem einen Ende den Sockel 156, um an dessen Ober­ seite zu münden, und sind jeweils mit einem vierten Ventil 222 versehen. Diese Gasauslaß-Sammelrohre 62 münden außerdem über fünfte und sechste Ventile 224 bzw. 226 in vordere und hintere Vorkammer 168 bzw. 170. Die Sammelrohre 62 sind mit der gemein­ samen Gasauslaß- bzw. Gasabsaug-Hauptleitung 64 verbunden.
Im folgenden ist der Beschichtungsvorgang bei der vorstehend beschriebenen sechsten Ausführungsform der Erfindung erläutert.
Zunächst werden die Schicht-Träger 42 jeweils einzeln auf der Förderstrecke 180 auf einen Ständer 44 auf­ gesetzt, die drei Verschlüsse 172, 174 und 178 ge­ öffnet und der vierte Verschluß 184 geschlossen (vgl. Fig. 22). In diesem Zustand überführt der erste Antriebsmechanismus 190 den Schicht-Träger 42 A auf dem vorlaufenden bzw. ersten Ständer 44 in Richtung des Pfeils X zur vorderen Vorkammer 168. Der zweite Antriebsmechanismus 192 führt sodann den ersten Träger 42 A gemäß Fig. 23 in die Schicht­ niederschlags- bzw. Beschichtungskammer 166 ein. Wenn der erste Träger 42 A in die Kammer 116 einge­ führt ist, befindet sich gemäß Fig. 23 der nächste Träger 42 B bereits in der vorderen Vorkammer 168.
In dem in Fig. 23 dargestellten Zustand wird der dritte Verschluß 178 geschlossen, während viertes bis sechstes Ventil 222, 224, bzw. 226 geöffnet und Beschichtungskammer 166 sowie vordere und hintere Vorkammer 168 bzw. 170 mittels der Diffusions­ pumpe und der Kreiselpumpe (nicht dargestellt) evakuiert werden. Wenn die Innendrücke dieser Kammern 166, 168 und 170 133,3 × 10- 5 Pa erreichen, werden viertes bis sechstes Ventil 222, 224 bzw. 226 geschlossen, erster und zweiter Verschluß 172 bzw. 174 gemäß Fig. 24 geschlossen und der Schicht-Träger 42 A durch das Heizelement 72 auf 200°C bis 300°C erwärmt. Sodann wird das erste Ventil 138 geöffnet und gasförmiges SiH4 von der ersten Gaszufuhr 140 über die Hauptleitung 56 und die Verteilerrohre 54 zu den beiden Gasein­ laßteilen 210 und 212 geleitet. Über die Gasdüsen 52 füllt das SiH4 die gesamte Beschichtungskammer 166 aus. Zu diesem Zeitpunkt wird das Ventil 222 geöffnet und mittels der mechanischen Zusatzpumpe 66 und der Kreiselpumpe 68 überschüssiges SiH4 abgesaugt. Bei den Gaseinführ- und -absaugvorgängen wird der Innendruck der Beschichtungs-Kammer 166 auf 13,3 bis 533,2 Pa einge­ stellt.
Danach wird von der Stromquelle 74 her eine vorge­ gebene Spannung zwischen die beiden Gaseinlaß­ teile 210 und 212 sowie den Schicht-Träger 42 A angelegt, um zur Aktivierung des gasförmigen SiH4 eine Glimmentladung herbeizuführen. Dabei wird aktiviertes Silizium an die (äußere) Mantelfläche des Trägers 42 A angezogen bzw. angelagert, so daß sich auf dieser Mantelfläche eine amorphe Silizium­ schicht bzw. α-Si-Schicht niederschlägt. Letztere bildet eine lichtempfindliche Schicht auf der Mantelfläche des Trägers 42 A .
Der dritte Antriebsmechanismus 194 fördert den den Träger 42 A tragenden Ständer 44 auf der Förder­ strecke 188 in Richtung des Pfeils X. Die Förder­ geschwindigkeit des durch den dritten Antriebs­ mechanismus 194 angetriebenen Ständers 44 ist dabei so eingestellt, daß während der Zeitspanne, während welcher sich der Ständer 44 aus der Stellung A gemäß Fig. 20 bis zu einer Stellung B bewegt, eine Schicht einer vorgegebenen Dicke auf dem Träger 42 A abgelagert wird. Die Stellung A entspricht dabei dem sich an die vordere Vorkammer 168 an­ schließenden Punkt der Förderstrecke 188, während die Stellung B den der hinteren Vorkammer 170 benachbarten Abschnitt der Förderstrecke 188 ent­ spricht.
Wenn der Schicht-Träger 42 A auf dem vorlaufenden bzw. ersten Ständer 44 in die Stellung C gemäß Fig. 20 verbracht ist, so daß zwischen ihm und der vorderen Vorkammer 168 ein für die Aufnahme eines weiteren Ständers 44 ausreichend großer Zwischen­ raum festgelegt ist, werden der erste Verschluß 172 geöffnet und der Träger 42 B auf dem Ständer 44 aus der vorderen Vorkammer 168 durch den zweiten Antriebsmechanismus 192 in die Stellung A über­ führt (vgl. Fig. 25). Danach werden der erste Ver­ schluß 172 geschlossen, das fünfte Ventil 224 ge­ öffnet, das vierte Ventil 222 geöffnet, das sechste Ventil 226 geschlossen, um SiH4 aus der vorderen Vorkammer 168 abzusaugen, und die Vorkammer 168 mittels der beiden Pumpen 68 und 66 evakuiert. So­ bald in der vorderen Vorkammer 168 ein vorbestimmter Unterdruck erreicht ist, wird das vierte Ventil 222 zur Fortführung der Gasabsaugung aus dem Ge­ häuse geöffnet, während fünftes und zweites Ventil 224 bzw. 218 geschlossen bzw. geöffnet werden und gasförmiges N2 von der zweiten Gaszufuhr 144 über das erste Gaseinlaßrohr 214 in die vordere Vorkammer 168 eingeblasen wird, um den Unterdruck aufzuheben. Sodann wird das zweite Ventil 218 geschlossen.
Danach werden gemäß Fig. 26 der dritte Verschluß 178 geöffnet und ein auf einem anderen Ständer 44 be­ findlicher Schicht-Träger 42 C, der sich bisher in Bereitschaft auf der Förderstrecke 180 in der Nähe der vorderen Vorkammer befand, durch den ersten Antriebsmechanismus 190 in die vordere Vorkammer 168 eingeführt. Nach dem Schließen des dritten Verschlusses 178 wird hierauf nur das fünfte Ventil 224 geöffnet, um mittels der beiden Pumpen 66 und 68 einen vorbestimmten Unterdruck in der vorderen Vorkammer 168 zu erzeugen. Wenn der in der Beschichtungs-Kammer 166 befindliche Träger 42 B aus der Stellung A gemäß Fig. 20 in die Stellung B überführt wird, wird der erste Verschluß 172 geöffnet, und der Träger 42 C auf dem Ständer 44 in der vorderen Vorkammer 168 wird durch den zweiten Antriebsmechanismus 192 zur Stellung A auf der Förderstrecke 188 überführt. Im Anschluß hieran wiederholt sich dieser Vorgang automatisch, bis alle Träger 42 von der Förderstrecke 180 abge­ führt worden sind.
Der Beschichtungsvorgang in der Beschichtungs-Kammer 166 erfolgt kontinuierlich, auch während die Schicht-Träger 42 aus der vorderen Vorkammer 168 in die Beschichtungs-Kammer 166 über­ führt werden. Die auf den Ständern 44 befindlichen, durch den dritten Antriebsmechanismus 194 auf die Förderstrecke 188 überführten Träger 42 werden aufgrund des Eingriffs zwischen den Auflagen 204 der Ständer 44 und dem Zahnkranz 208 um ihre Mittelachsen in Drehung versetzt. Dies bedeutet, daß die Träger 42 einerseits um die Förderstrecke 188 umlaufen und sich andererseits gleichzeitig um ihre eigenen Achsen drehen.
Wenn der vorlaufende Träger 42 A während des Be­ schichtungsvorgangs auf dem zugeordneten Ständer 44 über die Förderstrecke 188 zur Stellung B gemäß Fig. 24 gefördert wird (vgl. Fig. 27), bildet sich auf der Mantelfläche des Trägers 42 A eine lichtempfindliche Schicht aus amorphem Silizium einer vorbestimmten Dicke. Wenn der Träger 42 A bzw. die mit der lichtempfindlichen Schicht ver­ sehene lichtempfindliche Trommel 136 die Stellung B erreicht, werden der zweite Verschluß 174 geöffnet und die Trommel 136 durch den dritten Antriebs­ mechanismus 194 in die hintere Vorkammer 170 über­ führt. Nach dem Schließen des zweiten Verschlusses 174 werden sodann gemäß Fig. 28 viertes und sechstes Ventil 222 bzw. 226 zum Absaugen des gasförmigen SiH4 aus der hinteren Vorkammer 170 geöffnet, wo­ bei letztere mittels der mechanischen Zusatzpumpe 66 und der Kreiselpumpe 68 evakuiert wird. Sobald in der hinteren Vorkammer 170 ein vorbestimmter Unterdruck erreicht ist, werden die Pumpen 66 und 68 abgeschaltet, sechstes und drittes Ventil 226 bzw. 220 geschlossen bzw. geöffnet und zur Aufhebung des Unterdrucks N2 von der zweiten Gaszufuhr 144 über das zweite Gaseinlaßrohr 216 in die hintere Vorkammer 170 eingeblasen.
Das aus den beiden Vorkammern 168 und 170 sowie der Beschichtungs-Kammer 166 abgesaugte gasförmige SiH4 wird durch den Luftreiniger 170 gereinigt und zur Außenluft entlassen.
Anschließend wird gemäß Fig. 29 der vierte Verschluß 184 geöffnet, und die auf dem in der hinteren Vor­ kammer 170 befindlichen Ständer 44 angeordnete lichtempfindliche Trommel 136 wird durch den vierten Antriebsmechanismus 196 auf die Förderstrecke 186 überführt. Danach wird der vierte Verschluß 184 geschlossen, das sechste Ventil 226 wird geöffnet und in der hinteren Vorkammer 170 wird mittels der beiden Pumpen 66 und 68 ein vorbestimmter Unter­ druck erzeugt. Im Anschluß hieran wiederholen sich diese Vorgänge automatisch, bis der gesamte Beschichtungsvorgang abge­ schlossen ist.
Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungs­ form ist die Beschichtungs- Kammer 166 während der Ablagerung einer α-Si-Schicht auf der Mantelfläche des trommelförmigen Trägers 42 zwecks Herstellung einer lichtempfindlichen Trommel stets in einem Betriebszustand für das Niederschlagen einer solchen Schicht. Die kleine vordere Vorkammer 168 dient zur Ein­ führung eines neu zugeführten trommelförmigen Schicht-Trägers 42 in die Beschichtungs-Kammer 166. Dieser Träger 42 kann somit während des Beschichtungs­ vorgangs und ohne Unterbrechung oder Störung der­ selben in die Kammer 166 eingeführt werden. Die kleine hintere Vorkammer 170 dient zum Austragen des beschichteten Trägers 42 bzw. der licht­ empfindlichen Trommel 136 aus der Beschichtungs- Kammer 166. Die lichtempfindliche Tromel 136 kann somit ohne Unterbrechung des Beschichtungsvorgangs aus der Beschichtungs-Kammer 166 ausgetragen werden.
Die beiden Vorkammern 168 und 170 sind jeweils gerade so groß, daß sie einen einzigen Schicht- Träger 42 aufzunehmen vermögen. Die für die Er­ zeugung eines vorbestimmten Unterdrucks in den Vorkammern 168 und 170 benötigte Zeit ist daher ziemlich kurz, und der Beschichtungsvorgang wird während dieser Zeitspanne fortgesetzt. Durch das Evakuieren wird daher die Beschichtungsleistung insgesamt nicht verringert. Mit der beschriebenen Vorrichtung kann somit pro Zeiteinheit eine wesentlich größere Zahl licht­ empfindlicher α-Si-Trommeln als bei der bisherigen Vorrichtung fertiggestellt werden.
Da sich die die Beschichtungs-Kammer 166 durch­ laufenden Schicht-Träger 42 auch um ihre eigenen Achsen drehen, werden auf den lichtempfindlichen Trommeln lichtempfindliche Schichten gleichmäßiger Dicke erhalten. Die lichtempfindliche Schicht jeder einzelnen Trommel ist zudem auch in sich gleichmäßig dick.
Bei der vorstehend beschriebenen Aus­ führungsform der Erfindung besitzt die Beschichtungs-Kammer 166 in Aufsicht eine U-förmige Gestalt. Die gleichen Wirkungen, wie vorstehend beschrieben, werden jedoch mit einer I-förmigen oder geraden Beschichtungs­ kammer 228 wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 30 erzielt.
Während bei der vorhergehenden Ausführungsform die beiden Vorkammern 168 und 170 jeweils gerade so groß sind, daß sie einen einzigen Schicht-Träger 42 aufzu­ nehmen vermögen, können, wie im Fall der Ausführungsform nach Fig. 31, eine vordere und eine hintere Vorkammer 230 bzw. 232 jeweils so groß sein, daß sie eine Zahl von Trägern 42 aufzunehmen vermögen, die der Zahl der jeweils in einer Beschichtungs-Kammer 234 be­ findlichen Träger 42 entspricht. Bei der Ausführungs­ form nach Fig. 31 werden die in der vorderen Vor­ kammer 230 in Bereitschaft gehaltenen Schicht-Träger 42 in einem Durchgang in die Beschichtungs-Kammer 234 eingeleitet, während die in letzterer be­ schichteten lichtempfindlichen Trommeln 136 in einem Durchgang in die hintere Vorkammer 232 ausgetragen werden. Mit diesen zuletzt beschriebenen Anordnungen wird die Erfindungsaufgabe ebenfalls gelöst.
Während bei allen vorstehend beschriebenen Aus­ führungsformen trommelförmige Schicht-Träger be­ handelt werden, können diese auch eine andere zweckmäßige Form, z. B. eine flache Form, besitzen.
Die beschichteten Träger können für andere Systeme als lichtemp­ findliche Körper, z. B. für Solarzellen, vorge­ sehen sein.

Claims (51)

1. Verfahren zum Niederschlagen einer Siliziumschicht einer vorgegebenen Dicke auf der Oberfläche jedes von mehreren Schicht-Trägern, dadurch gekennzeichnet, daß in einem ersten Vorgang eine Anzahl von Schicht-Trägern auf einer Zufuhrstrecke längs einer Förderrichtung angeordnet werden, daß in einem zweiten Vorgang der Innendruck einer eine sich in einer Richtung erstreckenden Förderstrecke aufweisenden Beschichtungs-Kammer zur Einleitung eines Behandlungsgases in diese Kammer reduziert wird, daß in einem dritten Vorgang im Inneren der Be­ schichtungs-Kammer eine elektrische Entladung zur Aktivierung des Behandlungsgases eingeleitet wird, daß in einem vierten Vorgang die einzelnen Schicht-Träger von der Zufuhrstrecke über eine Vorkammer zu einem Ende der Förderstrecke in der Beschichtungs-Kammer zugeführt werden, daß in einem fünften Vorgang die Schicht-Träger entlang der Förderstrecke in der Beschichtungs-Kammer zu deren anderem Ende transportiert werden, und daß in einem sechsten Vorgang die zum anderen Ende der Förderstrecke transportierten Schicht-Träger über eine Vorkammer zu einer Austragstrecke überführt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß eine einzelne am Gehäuse ange­ ordnete Vorkammer vorgesehen ist, daß im vierten Vorgang die einzelnen Schicht-Träger von der Zufuhrstrecke zu einem Ende der Förderstrecke in der Beschichtungs-Kammer durch die Vorkammer geführt werden und daß im sechsten Vorgang die einzelnen in der Beschichtungs-Kammer be­ schichteten Schicht-Träger durch die Vorkammer zur Austragstrecke überführt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß beim vierten Vorgang in einem ersten Schritt ein erster Verschluß zwischen Vorkammer und Förderstrecke geschlossen, ein zweiter Verschluß zwischen Vorkammer und Zufuhr­ strecke geöffnet und die einzelnen Schicht-Träger auf der Zufuhrstrecke in die Vorkammer einge­ führt werden, in einem zweiten Schritt der zweite Verschluß geschlossen und die Vorkammer evakuiert wird, in einem dritten Schritt der erste Verschluß geöffnet und der in der Vorkammer befindliche Schicht-Träger zur Förderstrecke überführt wird und in einem vierten Schritt der erste Verschluß geschlossen und der Innendruck der Vorkammer re­ duziert wird, und daß die Schicht-Träger im fünften Vorgang um ihre eigenen Achsen in Drehung versetzt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im vierten Vorgang zwischen dem zweiten und dem dritten Schritt ein fünfter Schritt ausgeführt wird, bei dem zur Verringerung der Drucksenkung ein Inertgas in die Vorkammer eingeleitet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß beim sechsten Vorgang in einem sechsten Schritt der erste Verschluß zwischen Vorkammer und Förderstrecke geöffnet, ein dritter Verschluß zwischen Vorkammer und Austragstrecke geschlossen und die einzelnen beschichteten Schicht-Träger von der Förderstrecke in die Vorkammer eingeleitet werden, in einem siebenten Schritt der dritte Verschluß geschlossen und der Innendruck der Vorkammer gesenkt wird und in einem achten Schritt der dritte Verschluß ge­ öffnet und der in der Vorkammer befindliche Schicht-Träger zur Förderstrecke überführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß beim sechsten Vorgang in einem neunten Schritt, der zwischen siebtem und achtem Schritt ausgeführt wird, zur Verminderung der Druck­ senkung ein Inertgas in die Vorkammer eingeleitet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der erste Schritt unmittelbar nach dem achten Schritt ausgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im vierten Vorgang die Schicht- Träger jeweils einzeln zugeführt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im sechsten Vorgang die Schicht- Träger jeweils einzeln gefördert bzw. überführt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im vierten Vorgang eine Anzahl von Schicht-Trägern, welche die Beschichtungs- Kammer auf einmal aufzunehmen vermag, zugeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im sechsten Vorgang eine Anzahl von Schicht-Trägern, welche die Beschichtungs- Kammer auf einmal aufzunehmen vermag, gefördert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Schicht-Träger in Form von Hohlzylindern verwendet werden.
13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine vordere, am einen Ende des Gehäuses angeordnete Vorkammer und eine hintere, am anderen Ende des Gehäuses angeordnete Vorkammer vorgesehen sind, daß im vierten Vorgang die einzelnen Schicht-Träger von der Zufuhrstrecke zu einem Ende der Förderstrecke in der Be­ schichtungs-Kammer durch die vordere Vorkammer geführt werden und daß im sechsten Vorgang die einzelnen in der Beschichtungs-Kammer be­ schichteten Schicht-Träger durch die hintere Vorkammer zur Austragstrecke überführt werden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß beim vierten Vorgang in einem ersten Schritt ein erster Verschluß zwischen der vorderen Vorkammer und der Förderstrecke geschlossen, ein dritter Verschluß zwischen der vorderen Vorkammer und der Zufuhrstrecke ge­ öffnet und die einzelnen Schicht-Träger auf der Zufuhrstrecke in die vordere Vorkammer einge­ führt werden, in einem zweiten Schritt der dritte Verschluß geschlossen und der Innendruck der vorderen Vorkammer reduziert werden, in einem dritten Schritt der vordere Verschluß geöffnet und der in der vorderen Vorkammer befindliche Schicht-Träger zur Förderstrecke überführt wird und in einem vierten Schritt der erste Verschluß geschlossen und die vordere Vorkammer evakuiert werden und daß die Schicht- Träger im fünften Vorgang um ihre eigenen Achsen in Drehung versetzt werden.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der vierte Vorgang einen zwischen zweitem und drittem Schritt ausgeführten fünften Schritt umfaßt, in welchem zur Ver­ minderung der Drucksenkung ein Inertgas in die vordere Vorkammer eingeführt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß beim sechsten Vorgang in einem sechsten Schritt ein zweiter Verschluß zwischen der hinteren Vorkammer und der Förderstrecke geöffnet, ein vierter Verschluß zwischen der hinteren Vorkammer und der Austragstrecke geschlossen und die einzelnen Schicht-Träger auf der Förderstrecke in die hintere Vor­ kammer eingeführt werden, in einem siebten Schritt der zweite Verschluß geschlossen und der Innendruck der hinteren Vorkammer gesenkt werden, in einem achten Schritt der vierte Verschluß geöffnet und der in der hinteren Vorkammer enthaltene Schicht-Träger zur Aus­ tragstrecke überführt werden und in einem neunten Schritt der vierte Verschluß geschlossen und der Innendruck der hinteren Vorkammer gesenkt werden.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der sechste Vorgang weiterhin einen zwischen siebtem und achtem Schritt ausgeführten zehnten Schritt umfaßt, in welchem zur Verminderung der Drucksenkung ein Inert­ gas in die hintere Vorkammer eingeführt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im vierten Vorgang die Schicht- Träger jeweils einzeln zugeführt werden.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im sechsten Vorgang die Schicht- Träger jeweils einzeln abgeführt bzw. über­ führt werden.
20. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im vierten Vorgang eine Anzahl von Schicht-Trägern zugeführt wird, welche die Beschichtungs-Kammer auf einmal aufzunehmen vermag.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im sechsten Vorgang eine Anzahl von Schicht-Trägern, welche die Beschichtungs- Kammer auf einmal aufzunehmen vermag, abgeführt bzw. überführt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß Schicht-Träger in Form von Hohlzylindern verwendet werden.
23. Vorrichtung zum Niederschlagen einer Silizium­ schicht einer vorgegebenen Dicke auf jedem von mehreren Schichtträgern (42) zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 22, mit einem Sockel (30), einem fest auf letzterem montierten Gehäuse (32) zur Festlegung einer Beschichtungs- Kammer (110), deren Inneres nach außen hin abge­ schlossen ist, einer Gaszufuhr (140) zur Einlei­ tung eines wenigstens Silizium enthaltenden Be­ handlungsgases in die Beschichtungs-Kammer (110) und einer elektrischen Entladungseinrichtung (74) zum Aktivieren des mittels der Gaszufuhr (140) in die Beschichtungs-Kammer (110) eingeführten Behandlungsgases, dadurch gekennzeichnet, daß am Gehäuse (32) ange­ brachte Vorkammern (114; 168, 170) eine erste in der Beschichtungs-Kammer (110) angeordnete För­ dereinrichtung (46) zum Befördern der Anzahl von Schicht-Trägern (42) in der Beschichtungs- Kammer in der einen Richtung, eine Beschickungs­ einrichtung (120; 190), deren Endabschnitt mit einer Vorkammer verbunden ist und durch welche die Schicht-Träger (42) jeweils einzeln durch die Vorkammer in die Beschichtungs-Kammer über­ führbar sind, eine Austrageinrichtung (132; 198), deren Anfangsabschnitt mit einer Vorkammer (114; 170) verbunden ist, so daß die in der Be­ schichtungs-Kammer (110) beschichteten Schicht- Träger (42) jeweils einzeln durch die Vorkammer (114; 170) abführbar sind, und eine Druckreduzierein­ richtung (146, 148; 222, 224, 226) zum selektiven Reduzieren der Innendrücke der Beschichtungs- Kammer (110) und der Vorkammern (114; 168, 170) vorgesehen sind.
24. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß eine Vorkammer vorgesehen ist, die am Gehäuse befestigt ist und den Außenraum selektiv mit der Beschichtungs-Kammer (110) verbindet, und daß die erste Fördereinrichtung (46) die Anzahl von Schicht-Trägern (42) von einem vorbestimmten, der Vorkammer gegenüber­ liegenden Bereich der Beschichtungs-Kammer (110) endlos fördert.
25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Beschickungseinrichtung eine zweite Fördereinrichtung zur Überführung der Schicht-Träger zur Vorkammer aufweist, daß die Austrageinrichtung eine dritte Fördereinrichtung zur Förderung der beschichteten Schicht-Träger von ihrem Anfangs- zu ihrem Endabschnitt aufweist und daß die Vorkammer mit einer vierten Förder­ einrichtung versehen ist, welche die von der Beschickungseinrichtung zugeführten Schicht-Träger in einen vorbestimmten Abschnitt der Beschichtungs- Kammer ausgibt, die nach dem endlosen Umlauf zur Beschichtung zum vorbestimmten Abschnitt zurückgekehrten Schicht-Träger in die Vorkammer einführt und die beschichteten Schicht-Träger zur Austrageinrichtung liefert.
26. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Vorkammer einen ersten, dem vorbestimmten Abschnitt der Beschichtungs- Kammer zugewandten bzw. gegenüberstehenden, zu öffnenden Verschluß, einen zweiten, der Beschickungseinrichtung gegenüberstehenden, zu öffnenden Verschluß und einen dritten, der Austrageinrichtung gegenüberstehenden, zu öffnenden Verschluß aufweist.
27. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Fördereinrichtung die Schicht-Träger eine Drehung um ihre eigenen Achsen ausführen läßt.
28. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Gaszufuhr zwei längs der Richtung der endlosen Antriebs- bzw. Umlaufbewegung der Schicht-Träger angeordnete Gaseinlaßteile aufweist, die mit dazwischen befindlichen Schicht-Trägern einander gegenüberstehen.
29. Vorrichtung nach Anspruch 28, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jeder Gaseinlaßteil aus einem leitfähigen Werkstoff besteht.
30. Vorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die elektrische Entladungs­ einrichtung eine mit den beiden Gaseinlaß­ teilen verbundene Stromquelle aufweist und daß die Schicht-Träger an Masse liegen.
31. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekenn­ zeichnt, daß die erste Fördereinrichtung eine kreisförmige Umlaufbahn aufweist und die Schicht-Träger auf einer endlosen Bahn antreibt.
32. Vorrichtung nach Anspruch 31, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Gehäuse zylindrisch ist und mit seiner Mittellinie mit dem Zentrum der kreisförmigen Umlaufbahn der Förderein­ richtung fluchtet.
33. Vorrichtung nach Anspruch 32, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Fördereinrichtung einen scheibenförmigen Antriebs-Aufsatz auf­ weist, dessen Drehzentrum mit dem Gehäusezentrum übereinstimmt, und daß die einzelnen Schicht-Träger tragende Ständer auf dem Aufsatz längs eines zu diesem konzentrischen Kreises drehbar angeordnet sind.
34. Vorrichtung nach Anspruch 33, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jeder Ständer ein den Schicht- Träger tragendes, scheibenförmiges Element und ein um seinen Umfang herum ausgebildetes erstes Zahnrad aufweist und daß die erste Fördereinrichtung ein kreisförmiges zweites Zahnrad aufweist, das am Sockel befestigt und konzentrisch zum Gehäuse angeordnet ist, so daß das zweite Zahnrad mit dem ersten Zahnrad zu kämmen vermag.
35. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Fördereinrichtung eine elliptische Umlaufbahn aufweist und die Schicht-Träger auf einer endlosen Bahn antreibt.
36. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Fördereinrichtung eine im wesentlichen rechteckige Umlaufbahn aufweist und die Schicht-Träger auf einer endlosen Bahn antreibt.
37. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Vorkammer so groß bemessen ist, daß sie (jeweils nur) einen einzigen Schicht-Träger aufzunehmen vermag.
38. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Vorkammer so groß ist, daß sie ebensoviele Schicht-Träger aufzunehmen vermag, wie sich jeweils in der Beschichtungs-Kammer befinden können.
39. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Vorkammern eine vordere, am einen Endbereich des Gehäuses angeordnete Vorkammer und eine hintere, am anderen Endbereich des Gehäuses angeordnete Vorkammer enthalten, die beide den Außenraum selektiv mit der Be­ schichtungskammer verbinden, daß die Förderein­ richtung einen der vorderen Vorkammer gegenüber­ liegenden Anfangsbereich und einen der hinteren Vorkammer gegenüberliegenden Endbereich enthält, daß die Beschickungseinrichtung einen mit der vorderen Vorkammer verbundenen Endbereich auf­ weist, so daß die Schicht-Träger nacheinander durch die vordere Vorkammer in die Beschichtungs- Kammer geführt werden, daß die Austrageinrichtung einen mit der hinteren Vorkammer verbundenen Anfangsbereich aufweist, so daß die in der Beschichtungs-Kammer beschichteten Schicht-Träger nacheinander durch die hintere Vorkammer heraus­ geführt werden, und daß die Druckreduzierein­ richtung die inneren Drücke von vorderer und hinterer Vorkammer sowie Beschichtungskammer selektiv reduziert.
40. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Beschickungseinrichtung eine erste Fördereinrichtung zur Überführung der Schicht-Träger zur vorderen Vorkammer aufweist, daß die vordere Vorkammer mit einer zweiten Förder­ einrichtung zur Überführung der ihr zugeführten Schicht-Träger zum Anfangsabschnitt der Förder­ einrichtung (in der Beschichtungs-Kammer) ver­ sehen ist, daß die Kammer-Fördereinrichtung eine dritte Fördereinrichtung zur Überführung der be­ schichteten, zu ihrem Endabschnitt überführten Schicht-Träger in die hintere Vorkammer aufweist, daß die hintere Vorkammer mit einer vierten Fördereinrichtung zur Überführung der be­ schichteten, ihr zugeführtem Schicht-Träger zum Anfangsabschnitt der Austrageinrichtung versehen ist und daß letztere eine fünfte Fördereinrichtung zur Überführung der ihrem Anfangsabschnitt zugeführtem, beschichteten Schicht-Träger zu ihrem End­ abschnitt aufweist.
41. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die vordere Vorkammer einen ersten, der Beschichtungs-Kammer gegenüberstehenden, zu öffnenden Verschluß und einen der Beschickungs­ einrichtung gegenüberstehenden dritten, zu öffnenden Verschluß aufweist und daß die hintere Vorkammer einen der Beschichtungs-Kammer gegenüber­ stehenden zweiten, zu öffnenden Verschluß sowie einen der Austrageinrichtung gegenüberstehenden, zu öffnenden vierten Verschluß aufweist.
42. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die dritte Überführungs- bzw. Fördereinrichtung die Schicht-Träger sich um ihre eigenen Achsen drehen läßt.
43. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Gaszufuhr zwei Gaseinlaßteile aufweist, die längs der Antriebs- bzw. Umlauf­ richtung der Schicht-Träger so angeordnet sind, daß sie einander mit dazwischen befindlichen Schicht-Trägern gegenüberstehen.
44. Vorrichtung nach Anspruch 43, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jeder Gaseinlaßteil aus einem leitfähigen Werkstoff hergestellt ist.
45. Vorrichtung nach Anspruch 44, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die elektrische Entladungseinrichtung eine mit den beiden Gaseinlaßteilen verbundene Stromquelle aufweist und daß die Schicht-Träger an Masse liegen.
46. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die (in der Beschichtungs- Kammer befindliche) Fördereinrichtung U-förmig ausgebildet ist.
47. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Kammer-Fördereinrichtung geradlinig ausgebildet ist.
48. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die vordere Vorkammer so groß ist, daß sie (jeweils nur) einen einzigen Schicht- Träger aufzunehmen vermag.
49. Vorrichtung nach Anspruch 48, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die hintere Vorkammer so groß ausgebildet ist, daß sie (jeweils nur) einen einzigen Schicht-Träger aufzunehmen vermag.
50. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die vordere Vorkammer so groß ausgebildet ist, daß sie eine Anzahl von Schicht-Trägern entsprechend der zu einem vorgegebenen Zeitpunkt in der Beschichtungs- Kammer enthaltenen Schicht-Träger aufzunehmen vermag.
51. Vorrichtung nach Anspruch 50, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die hintere Vorkammer so groß ist, daß sie ebensoviele Schicht-Träger aufzunehmen vermag, wie sich jeweils (zu einem Zeitpunkt) in der Beschichtungs-Kammer befinden.
DE19833344850 1982-02-03 1983-02-02 Expired DE3344850C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57015871A JPS58132755A (ja) 1982-02-03 1982-02-03 アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3344850C2 true DE3344850C2 (de) 1987-07-30

Family

ID=11900857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833344850 Expired DE3344850C2 (de) 1982-02-03 1983-02-02

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS58132755A (de)
DE (1) DE3344850C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0671367B2 (de) 1994-03-09 2003-05-02 Balzers und Leybold Deutschland Holding Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen oder quasikontinuierlichen Beschichten von Brillengläsern

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE45392T1 (de) * 1984-02-14 1989-08-15 Energy Conversion Devices Inc Verfahren und vorrichtung zur herstellung elektrophotographischer geraete.
JPH06102829B2 (ja) * 1984-03-28 1994-12-14 日電アネルバ株式会社 放電反応処理装置
JPH0625389U (ja) * 1992-09-09 1994-04-05 オキナ株式会社 慶弔事用等の商品外装材
JP6635492B1 (ja) * 2019-10-15 2020-01-29 サンテック株式会社 基板回転装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2076587A (en) * 1980-05-02 1981-12-02 Telephone Public Corp Plasma deposition apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57185971A (en) * 1981-05-11 1982-11-16 Oki Electric Ind Co Ltd Formation of glow discharge film
JPS57188671A (en) * 1981-05-18 1982-11-19 Oki Electric Ind Co Ltd Formation of glow discharge film

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2076587A (en) * 1980-05-02 1981-12-02 Telephone Public Corp Plasma deposition apparatus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Patent Abstr. Japan, Vol. 5, 1981, Nr. 178, JP-A2 102577-81 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0671367B2 (de) 1994-03-09 2003-05-02 Balzers und Leybold Deutschland Holding Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen oder quasikontinuierlichen Beschichten von Brillengläsern
DE4407909C3 (de) * 1994-03-09 2003-05-15 Unaxis Deutschland Holding Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen oder quasi-kontinuierlichen Beschichten von Brillengläsern

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0338586B2 (de) 1991-06-11
JPS58132755A (ja) 1983-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3303435C2 (de) Vorrichtung zur Abscheidung einer Schicht aus amorphem Silizium
DE69128861T3 (de) Vakuumsbehandlungsvorrichtung und Reinigungsverfahren dafür
DE3317349A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur massenproduktion von filmen durch vakuumabscheidung
DE2824564C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen wie Photodioden
DE3938830C2 (de)
DE2834353C2 (de) Vakuumaufdampfvorrichtung
EP0312694B1 (de) Vorrichtung nach dem Karussell-Prinzip zum Beschichten von Substraten
DE2414982C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE19713807A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, Halbleiterherstellungsgerät, und zugehöriges Reinigungsverfahren
DE3222491A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines lichtempfindlichen films auf einem substrat fuer elektrofotographie
DE3047441A1 (de) Vorrichtung zum beschichten von mikroplaettchen
EP0837154B1 (de) Vakuumbeschichtungsanlage
DE3507337A1 (de) Vorrichtung zur durchfuehrung von prozessen im vakuum
DE3310797A1 (de) Glimmentladungs-abscheidungseinrichtung
DE102010000002A1 (de) Verfahren zur Abscheidung von Mehrlagenschichten und/oder Gradientenschichten
EP1693905A1 (de) Verfahren zur Herstellung Biaxial Orientierter Dünnschichten und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE3344850C2 (de)
DE112012006121T5 (de) Pulverbeschichtungssystem
DE19606463A1 (de) Mehrkammer-Kathodenzerstäubungsvorrichtung
DE102017107299B4 (de) Filmbildungsvorrichtung und Filmbildungsverfahren
DE2951453A1 (de) Verfahren zur erzeugung eines films unter anwendung von glimmentladung
DE102017107317A1 (de) Beschichtungsausbildungsverfahren und vorrichtung zur ausbildung einer beschichtung
DE102009018700B4 (de) Beschichtungsanlage und Verfahren zum Beschichten
DE2100725A1 (de) Halbkontinuierhches Abscheidungs verfahren
DE102008032978A1 (de) Gaszufuhreinheit und Anlage für die chemische Gasphasenabscheidung

Legal Events

Date Code Title Description
Q172 Divided out of (supplement):

Ref document number: 3303435

Ref country code: DE

8110 Request for examination paragraph 44
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: HENKEL, G., DR.PHIL. FEILER, L., DR.RER.NAT. HAENZ

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP

AC Divided out of

Ref country code: DE

Ref document number: 3303435

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8380 Miscellaneous part iii

Free format text: DIE UNIONSPRIORITAET 03.02.82 JP P 15871-82 IST ZU STREICHEN DIE UNIONSPRIORITAETEN SIND NACH ZUTRAGEN: 03.02.82 JP 15870-82 03.02.82 JP 15877-82

8363 Opposition against the patent
AC Divided out of

Ref country code: DE

Ref document number: 3303435

Format of ref document f/p: P

8331 Complete revocation