JPS6177056A - アモルフアスシリコン感光体製造用装置 - Google Patents
アモルフアスシリコン感光体製造用装置Info
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- JPS6177056A JPS6177056A JP59199008A JP19900884A JPS6177056A JP S6177056 A JPS6177056 A JP S6177056A JP 59199008 A JP59199008 A JP 59199008A JP 19900884 A JP19900884 A JP 19900884A JP S6177056 A JPS6177056 A JP S6177056A
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- Japan
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- reaction tank
- photoreceptor
- cylindrical
- photosensitive body
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明はアモルファスシリコン感光体製造用装置の改良
に関するものである。
に関するものである。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
従来より、アモルファスシリコン（以下ａＳｉとする）
感光体を製造する装置としてプラズ弄ＣＶＤ（以下Ｐ−
ＣＶＤ ）装置が最も適した装置として用いられている
。この装置は真空反応槽内に感光体の基板を１個または
複数個設置し、これを接地し、一方、一般に基板を囲む
ような形状の電極を設け、これに高周波電力を印加して
真空反応槽内に導入したモノシラン（ＳｉＨ４）ガス等
の原料ガスを放電によりプラズマ状態にし、このプラズ
マ中で発生する有効ラジカル（基）が基体上でａＳｉ膜
として成膜されるように成した装置である。
感光体を製造する装置としてプラズ弄ＣＶＤ（以下Ｐ−
ＣＶＤ ）装置が最も適した装置として用いられている
。この装置は真空反応槽内に感光体の基板を１個または
複数個設置し、これを接地し、一方、一般に基板を囲む
ような形状の電極を設け、これに高周波電力を印加して
真空反応槽内に導入したモノシラン（ＳｉＨ４）ガス等
の原料ガスを放電によりプラズマ状態にし、このプラズ
マ中で発生する有効ラジカル（基）が基体上でａＳｉ膜
として成膜されるように成した装置である。
従来のａＳｉ感光体製造装置は、容量結合型の円筒形Ｐ
−ＣＶＤ装置を１基または複数基、円形に又は直列に配
置したものであり、夫々の基体は自転することにより均
一な膜厚のａＳｉ膜を得るよう工夫がされている。原料
ガスの導入は一般に上部からなされる。また多数の穴の
ある原料ガス噴出管を反応槽に導入して、槽内で均質な
ガス濃度になるように、その多数の穴より原料ガスを導
入するようにしたものも提案されている。また反応槽の
排気は、大部分の装置では反応槽の下部より排気を行っ
ている。
−ＣＶＤ装置を１基または複数基、円形に又は直列に配
置したものであり、夫々の基体は自転することにより均
一な膜厚のａＳｉ膜を得るよう工夫がされている。原料
ガスの導入は一般に上部からなされる。また多数の穴の
ある原料ガス噴出管を反応槽に導入して、槽内で均質な
ガス濃度になるように、その多数の穴より原料ガスを導
入するようにしたものも提案されている。また反応槽の
排気は、大部分の装置では反応槽の下部より排気を行っ
ている。
しかし、この様な従来装置では、反応槽中を流れるガス
通路が短くなり、故に原料ガスが基体上にａＳｉ膜とし
て転換される効率が低く、通常その効率は高々十数パー
セント程度である。また従来の装置では複数個の基体に
成膜する場合、基体が夫々自転してはいるものの、反応
槽中の全基体上に均一均質なａＳｉ膜を成膜することは
非常に難しいという欠点があった。
通路が短くなり、故に原料ガスが基体上にａＳｉ膜とし
て転換される効率が低く、通常その効率は高々十数パー
セント程度である。また従来の装置では複数個の基体に
成膜する場合、基体が夫々自転してはいるものの、反応
槽中の全基体上に均一均質なａＳｉ膜を成膜することは
非常に難しいという欠点があった。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来技術の欠点を解消し、均一均質なａＳ
ｉ感光体を効率よく製造する装置を提供することを目的
としてなされたものである。
ｉ感光体を効率よく製造する装置を提供することを目的
としてなされたものである。
〈発明の構成〉
上記の目的を達成するため、本発明のアモルファスシリ
コン感光体製造用装置はプラズマＣＶＤ装置の反応槽を
同心円状の外壁及び内壁を有する円筒形となし、この円
筒形反応槽内に円筒形導体からなる複数の感光体基体を
上記の外壁及び内壁より略等距離の位置の同一円周上に
夫々等しい間隔を置いて円筒形導体の軸方向を円筒形反
応槽の中心軸と平行になるように配設し、プラズマ発生
用の高周波電力を上記の感光体基体に印加し、接地電位
に設定された上記の外壁及び内壁と上記の感光体基体と
の間でプラズマを発生せしめるように成したことを特徴
としている。
コン感光体製造用装置はプラズマＣＶＤ装置の反応槽を
同心円状の外壁及び内壁を有する円筒形となし、この円
筒形反応槽内に円筒形導体からなる複数の感光体基体を
上記の外壁及び内壁より略等距離の位置の同一円周上に
夫々等しい間隔を置いて円筒形導体の軸方向を円筒形反
応槽の中心軸と平行になるように配設し、プラズマ発生
用の高周波電力を上記の感光体基体に印加し、接地電位
に設定された上記の外壁及び内壁と上記の感光体基体と
の間でプラズマを発生せしめるように成したことを特徴
としている。
〈発明の実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は実施例装置の概略構成を示す図、第２図は実施
例装置の反応槽の構成例を示す水平断面図、第３図は第
２図におけるＡ −Ａ’断面を示す図である。
例装置の反応槽の構成例を示す水平断面図、第３図は第
２図におけるＡ −Ａ’断面を示す図である。
第１図において、１は原料ガスボンベ、２はガス流量制
御部、３は反応槽、４，４．・・・は反応槽３内に配置
された円筒形導体、５はメカニカルブースタポンプ系、
６は排ガス処理部、７は高周波電源、８はマツチングボ
ックスであり、反応槽３に対して原料ガスボンベＩから
原料ガスがガス流量制御部２を通って導入される。排ガ
スはメカニカルブースターポンプ系５を経て排ガス処理
部６に入り処理される。また高周波電力は高周波電源７
からマツチングボックス８を介して後述するように反応
槽３内の各円筒形導体４，４．・・・に印加され、反応
槽３内の同心円状に配置された内、外側電極部は接地さ
れる。前記反応槽３は第２図に示すように同心二重円筒
状に形成されている。そして外側周壁１１の内側面に外
側電極２１が形成あるいは近接して設けられ、また内側
周壁１２の外側面に内側電極２２ｐ（形成あるいは近接
して設けられている。したがって外側電極２１と内側電
極２２もまた反応槽ｌＯと同心の２重円筒状電極を構成
している。また、上記内側電極２２を備えた内側周壁１
２は第３図に示すように開閉自在に設けられた上蓋２３
に固着されており、反応槽３の底面には図示しない駆動
源に連結された導電性回動軸２４が反応槽３の底面中実
部に絶縁部材２５を介して回転自在に挿通され、この回
動軸２４は導電性ギア２６が固定され、この導電性ギア
２６の周囲に外側周壁１１と絶縁部材２７によって絶縁
された状態で複数の回転ギア２８，２８．・・・が配設
され、その回転軸２９ 、２９ 、・・・が電極２１．
２２より等距離の同一円周上に夫々等しい間隔を置いて
配置されるように構成されている。そして、円筒形の導
体からなる各感光体基体４，４．・・・の中心軸を回転
ギア２８．２８．・・・の回転軸２９ 、２９ 、・・
・一致させて配設することにより、外側電極２１と内側
電極２２間に、該電極２１．２２より等距離の同一円周
上に夫々等しい間隔を置いて、夫々の軸方向を電極２１
゜２２の中心軸と平行にして円筒形の導体からなる感光
体基体４，４．・・・が反応槽３内に複数個配設される
ことになる。そして各感光体基体４，４．・・・は図示
しない駆動源及び第３図に示すギア機構２６゜２８等に
より、各感光体基体４，４．・・・が置かれた円周上を
自転しながら公転することになる。第２図ではＱ矢符方
向に自転し、Ｐ矢符方向に公転する場合を示している。
御部、３は反応槽、４，４．・・・は反応槽３内に配置
された円筒形導体、５はメカニカルブースタポンプ系、
６は排ガス処理部、７は高周波電源、８はマツチングボ
ックスであり、反応槽３に対して原料ガスボンベＩから
原料ガスがガス流量制御部２を通って導入される。排ガ
スはメカニカルブースターポンプ系５を経て排ガス処理
部６に入り処理される。また高周波電力は高周波電源７
からマツチングボックス８を介して後述するように反応
槽３内の各円筒形導体４，４．・・・に印加され、反応
槽３内の同心円状に配置された内、外側電極部は接地さ
れる。前記反応槽３は第２図に示すように同心二重円筒
状に形成されている。そして外側周壁１１の内側面に外
側電極２１が形成あるいは近接して設けられ、また内側
周壁１２の外側面に内側電極２２ｐ（形成あるいは近接
して設けられている。したがって外側電極２１と内側電
極２２もまた反応槽ｌＯと同心の２重円筒状電極を構成
している。また、上記内側電極２２を備えた内側周壁１
２は第３図に示すように開閉自在に設けられた上蓋２３
に固着されており、反応槽３の底面には図示しない駆動
源に連結された導電性回動軸２４が反応槽３の底面中実
部に絶縁部材２５を介して回転自在に挿通され、この回
動軸２４は導電性ギア２６が固定され、この導電性ギア
２６の周囲に外側周壁１１と絶縁部材２７によって絶縁
された状態で複数の回転ギア２８，２８．・・・が配設
され、その回転軸２９ 、２９ 、・・・が電極２１．
２２より等距離の同一円周上に夫々等しい間隔を置いて
配置されるように構成されている。そして、円筒形の導
体からなる各感光体基体４，４．・・・の中心軸を回転
ギア２８．２８．・・・の回転軸２９ 、２９ 、・・
・一致させて配設することにより、外側電極２１と内側
電極２２間に、該電極２１．２２より等距離の同一円周
上に夫々等しい間隔を置いて、夫々の軸方向を電極２１
゜２２の中心軸と平行にして円筒形の導体からなる感光
体基体４，４．・・・が反応槽３内に複数個配設される
ことになる。そして各感光体基体４，４．・・・は図示
しない駆動源及び第３図に示すギア機構２６゜２８等に
より、各感光体基体４，４．・・・が置かれた円周上を
自転しながら公転することになる。第２図ではＱ矢符方
向に自転し、Ｐ矢符方向に公転する場合を示している。
原料ガスの反応槽３内への導入口４０と反応槽３からの
排出口５０は反応槽３の外側周壁１１に相互に１８０°
の相対位置をもって設けられている。
排出口５０は反応槽３の外側周壁１１に相互に１８０°
の相対位置をもって設けられている。
上記の如き構成において、高周波電源７から供給される
高周波電力は回動軸２４、ギア機構２６゜２８等を介し
て反応槽３本体より絶縁されている各感光体基体４，４
．・・・に印加され、接地電位にある同心円状の内壁１
２及び外壁１１との間の空間にプラズマが発生し、基体
４，４．・・・上にａＳｉ膜が成膜される。
高周波電力は回動軸２４、ギア機構２６゜２８等を介し
て反応槽３本体より絶縁されている各感光体基体４，４
．・・・に印加され、接地電位にある同心円状の内壁１
２及び外壁１１との間の空間にプラズマが発生し、基体
４，４．・・・上にａＳｉ膜が成膜される。
また原料ガス１の流れる通路が長く、数本の基体４，４
．・・・の周辺をガスｌが通過することになり、排気さ
れるまでに、原料ガスが有効に利用され、その利用効率
が大幅に改善されることになる。
．・・・の周辺をガスｌが通過することになり、排気さ
れるまでに、原料ガスが有効に利用され、その利用効率
が大幅に改善されることになる。
また基体４が反応槽３内で自転及び公転を同時に行なっ
ていることにより均質なａＳｉ膜が反応槽３内の全ての
基体４上に成膜される。
ていることにより均質なａＳｉ膜が反応槽３内の全ての
基体４上に成膜される。
更に基体４を高周波側に接続し、基体４と対向する外壁
及び内壁を接地電位にすることによって、プラズマの陽
光柱部分が基体４に近接することになり、成膜速度が上
昇することになる。
及び内壁を接地電位にすることによって、プラズマの陽
光柱部分が基体４に近接することになり、成膜速度が上
昇することになる。
次に、実際の具体的数値を挙げて本発明の一実施例につ
いて述べると、反応槽３内に例えば１０（！Ｉ１１径の
Ａ２円筒の基体４を８本、内外電極２１．２２間に配置
し、基体４，４．・・・の自転速度を４〜１０回／分、
公転速度を１〜２．５回／分で行なうように設計した。
いて述べると、反応槽３内に例えば１０（！Ｉ１１径の
Ａ２円筒の基体４を８本、内外電極２１．２２間に配置
し、基体４，４．・・・の自転速度を４〜１０回／分、
公転速度を１〜２．５回／分で行なうように設計した。
そして、１３．５６ＭＨｚで約４００Ｗの高周波電力を
公転の軸２４を介して反応槽３内の８本の基体４，４．
・・・に均等に印加し、反応槽３の内外壁を接地し、モ
ノシラン（ＳｉＨ４）ガスのみを原料ガスとして用いて
０．３Ｔｏｒｒの槽内ガス圧でプラズマ放電を行った。
公転の軸２４を介して反応槽３内の８本の基体４，４．
・・・に均等に印加し、反応槽３の内外壁を接地し、モ
ノシラン（ＳｉＨ４）ガスのみを原料ガスとして用いて
０．３Ｔｏｒｒの槽内ガス圧でプラズマ放電を行った。
この際基体４，４．・・・は約２５０℃に加熱されてい
る。
る。
この条件で得た全基体４，４．・・・上のａＳｉは均質
で均一な厚さの膜となった。膜厚からガスのａＳｉへの
転換効率を推定すると約３０％となり、従来装置の約３
倍の効率となり、また基体側へ高周波電力を印加し、外
壁及び内壁を接地電位にすることによって成膜速度が約
４０％向上した。
で均一な厚さの膜となった。膜厚からガスのａＳｉへの
転換効率を推定すると約３０％となり、従来装置の約３
倍の効率となり、また基体側へ高周波電力を印加し、外
壁及び内壁を接地電位にすることによって成膜速度が約
４０％向上した。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、基体を高周波側に接続し
、基体に対向する反応槽の外壁及び内壁を接地電位とす
ることによって、プラズマの陽光柱部分が基体に近接さ
せることが可能となり、その結果として成膜速度の大幅
な向上を計ることが出来る。
、基体に対向する反応槽の外壁及び内壁を接地電位とす
ることによって、プラズマの陽光柱部分が基体に近接さ
せることが可能となり、その結果として成膜速度の大幅
な向上を計ることが出来る。
第１図は本発明の一実施例装置の概略構成を示す図、第
２図は本発明の一実施例装置の反応槽の構成例を示す水
平断面図、第３図は第２図におけるＡ −Ａ’断面を示
す図である。 ３・・・反応槽、 ４・・・感光体基体、７・・
・高周波電源、 ＩＩ・・・外側周壁、１２・・・内側
周壁、 ２１・・・外側電極、２２・・・内側電極。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｖ、７図 第２図 第３ 図
２図は本発明の一実施例装置の反応槽の構成例を示す水
平断面図、第３図は第２図におけるＡ −Ａ’断面を示
す図である。 ３・・・反応槽、 ４・・・感光体基体、７・・
・高周波電源、 ＩＩ・・・外側周壁、１２・・・内側
周壁、 ２１・・・外側電極、２２・・・内側電極。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｖ、７図 第２図 第３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマＣＶＤ装置の反応槽を同心円状の外壁及び
内壁を有する円筒形となし、該円筒形反応槽内に円筒形
導体からなる複数の感光体基体を上記外壁及び内壁より
略等距離の位置の同一円周上に夫々等しい間隔を置いて
円筒形導体の軸方向を円筒形反応槽の中心軸と平行にな
るように配設し、プラズマ発生用の高周波電力を上記感
光体基体に印加し、接地電位に設定された上記外壁及び
内壁と上記感光体基体との間でプラズマを発生せしめる
ように成したことを特徴とするアモルファスシリコン感
光体製造用装置。 ２、前記複数の感光体基体は、各基体の中心軸を軸とし
て回転すると共に前記円筒形反応槽の中心軸の周囲を回
動するように成したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のアモルファスシリコン感光体製造用装置。 ３、原料ガスの反応槽内への導入口と反応槽からの排出
口は前記円筒形反応槽の外壁側周面に１８０°の相対位
置をもって設けられていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項もしくは第２項記載のアモルファスシリコン
感光体製造用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59199008A JPS6177056A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59199008A JPS6177056A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177056A true JPS6177056A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH029673B2 JPH029673B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16400570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59199008A Granted JPS6177056A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003160868A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Kobe Steel Ltd | プラズマ成膜装置及びインライン式プラズマ成膜装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112263A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor surface processor base |
| JPS5546056A (en) * | 1978-09-29 | 1980-03-31 | Hitachi Ltd | Electronic fuel injection device |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59199008A patent/JPS6177056A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112263A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor surface processor base |
| JPS5546056A (en) * | 1978-09-29 | 1980-03-31 | Hitachi Ltd | Electronic fuel injection device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003160868A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Kobe Steel Ltd | プラズマ成膜装置及びインライン式プラズマ成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029673B2 (ja) | 1990-03-02 |
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