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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Bereich der Erfindung
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Die
Erfindung bezieht sich auf ein photoempfindliches Element, das in
einem elektrophotographischen Gerät verwendet wird, ein Verfahren
für dessen
Herstellung, und auf ein elektrophotographisches Gerät mit diesem
photoempfindlichen Element als ein Licht empfangendes Element. Insbesondere
bezieht sich diese Erfindung auf ein photoempfindliches Element
aus amorphem Silicium (a-Si) mit einer Oberflächenschutzschicht aus amorphem
Kohlenstoff (a-C), wobei das photoempfindliche Element so verbessert
worden ist, dass es das Auftreten von fehlerhaften Bildern, das
durch die Anwesenheit von Vorsprüngen
hervorgerufen wird, die unbedeckt auf dessen Oberfläche stehen,
sowie das Auftreten von irgendwelchen Schwierigkeiten oder Probleme beim
Schritt des Reinigens der Oberfläche
des Licht empfangenden Elements im Verlauf des Erzeugens von elektrophotographischen
Bildern verhindert. Die vorliegende Erfindung bezieht sich zudem
auf ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen photoempfindlichen
Elements, und auf ein elektrophotographisches Gerät mit einem
derartigen photoempfindlichen Element als ein Licht empfangendes
Element, das keine fehlerhaften Bilder und irgendwelche Schwierigkeiten
oder Probleme in dem Reinigungsschritt verursacht.
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Verwandter
Stand der Technik
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In
einem elektrophotographischen Gerät wie etwa Kopiermaschinen,
Faxmaschinen und Druckern, wird zunächst der Umfang eines photoempfindlichen
Elements, das ein leitfähiges
zylindrisches Trägermaterial
umfasst, das auf dessen Oberfläche
mit einer photoleitfähigen
Schicht ausgestattet ist, gleichförmig elektrostatisch durch
Verwendung einer Aufladeeinrichtung, wie etwa Koronaaufladung, Walzenaufladung,
Filzbürstenaufladung
oder magnetische Bürstenaufladung,
elektrostatisch aufgeladen. Als nächstes wird Licht, das von
einem zu kopierenden Bild eines Originaldokumentes reflektiert wird,
Laserlicht oder LED-Licht, das modulierten Signalen des Bildes entspricht,
verwendet, um die Oberfläche
des photoempfindlichen Elements zu belichten, so dass ein elektrostatisches
latentes Bild auf der Peripherie des photoempfindlichen Elements erzeugt
wird. Dann wird ein Toner auf der Oberfläche des photoempfindlichen
Elements aufgebracht, um ein Tonerbild aus dem elektrostatischen
latenten Bild auszubilden, und das Tonerbild auf ein Kopierpapier
oder dergleichen übertragen,
wobei so eine Kopie aufgenommen wird (Bilderzeugung).
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Nachdem
die Kopie auf diese Weise aufgenommen worden ist, verbleibt der
Toner teilweise auf dem Umfang des photoempfindlichen Elements,
und somit muss ein derartiger Resttoner entfernt werden, bevor der
nächste
Kopierschritt ausgeführt
wird. Ein derartiger Resttoner wird gewöhnlich mittels einer Reinigungseinheit
entfernt, die Verwendung von einer Reinigungsklinge, einer Filzbürste oder
einer Magnetbürste
macht.
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In
den letzten Jahren wurden angesichts der Umwelt auch elektrophotographische
Geräte
vorgeschlagen, in welchen die vorstehende Reinigungseinheit Verwendung
von einem mechanischen Entfernungsverfahren gemacht, zum Zweck des
Verringerns von Abfalltoner oder Eliminierens von Abfalltoner weggelassen
wird, und einige sind bereits auf dem Markt gewesen. Das Resttoner-Entfernungsverfahren,
das in diesem elektrophotographischen Gerät verwendet wird, beinhaltet
zum Beispiel ein Verfahren, in welchem eine DirektAufladeeinheit,
wie etwa eine BürstenAufladeeinheit,
wie in der japanischen veröffentlichen
Patentanmeldung Nr. 6-188741 offenbart wird, verwendet wird, um
sowohl einen Reinigungsschritt als auch einen Aufladeschritt auszuführen, und
ein Verfahren, in welchem eine Entwicklungseinheit wie in der japanischen
veröffentlichten
Patentanmeldung Nr. 10-307455 (die dem US-Patent Nr. 6,128,456 entspricht)
verwendet wird, um sowohl einen Reinigungsschritt zum Sammeln des
Resttoners als auch einen Entwicklungsschritt zum Herstellen der
Toneranhaftung auszuführen.
Jedes der vorstehenden Reinigungsverfahren besitzt einen Schritt,
in welchem der Toner und die Oberfläche des photoempfindlichen
Elements in Reibungn gebracht werden, um den Toner zu entfernen.
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Währenddessen
wird in den letzten Jahren, um eine höhere Bildqualität von gedruckten
Bildern zu erreichen, angestrebt, Toner mit einem kleineren durchschnittlichen
Teilchendurchmesser als bislang oder Toner mit einem niedrigen Schmelzpunkt,
um Energiesparen zu ermöglichen,
zu verwenden. Gleichzeitig wird mit dem Voranschreiten von umgebenden
elektrischen Schaltungsvorrichtungen die Kopiergeschwindigkeit von elektrophotographischen
Geräten,
das heißt,
die Anzahl von Umdrehungen der photoempfindlichen Elemente, immer
mehr erhöht.
Unter derartigen Umständen
ist mit einer Zunahme der Kopiergeschwindigkeit und Frequenz von
elektrophotographischen Geräten
ein Phänomen
aufgetreten, in welchem der Resttoner dessen Schmelzadhäsion auf
der Oberfläche
des photoempfindlichen Elements verursacht. Insbesondere hat sich
in den letzten Jahren mit dem Voranschreiten der Digitalisierung
von elektrophotographischen Geräten
der Bedarf nach Bildqualität
mehr und mehr bis zu einem Niveau erhöht, bei dem eine Situation
erreicht wird, dass sogar Bildfehler auf einem Niveau, das in herkömmlichen
Geräten
vom Analogtyp als tolerierbar angesehen wurde, als fraglich angesehen
werden muss. Demgemäß ist gefordert
worden, Faktoren zu entfernen, die derartige Bildfehler verursachen
können
und hinsichtlich des Auftretens von Schmelzadhäsion, die durch den Resttoner
verursacht wird, genauso effektive Gegenmaßnahmen zu unternehmen, um
dies zu eliminieren oder zu verhindern.
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Die
Ursache für
das Auftreten von Schmelzadhäsion
oder Filmbildung ist nicht im Detail aufgeklärt worden, aber dessen Auftreten
wird grob mit den folgenden Faktoren in Zusammenhang gebracht. Zum
Beispiel kann in dem Reinigungsschritt, der Verwendung von einer
Reinigungsklinge oder dergleichen macht, die Reibungskraft, die
zwischen dem photoempfindlichen Element und dem Teil, das gegen
dieses reibt (Reibungsteil), ein Phänomen des Prellens im Kontaktzustand
verursachen. Mit diesem Phänomen
kann der Effekt der Kompression gegen die Oberfläche des photoempfindlichen
Elements höher
werden, so dass der Resttoner stark gegen das photoempfindliche
Element gepresst wird, so dass die Schmelzadhäsion oder Filmbildung zu verursacht
wird. Zudem nimmt mit einer Zunahme der Verfahrensgeschwindigkeit
für die
Bildbildung des elektrophotographischen Geräts, die relative Geschwindigkeit
zwischen dem Reibungsteil und dem photoempfindlichen Element mehr
und mehr zu, und somit besteht die Tendenz, dass dieses die Situation
zur Verursachung des Auftretens bewirkt.
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Als
Gegenmaßnahmen
zum Abhalten des Auftretens der Schmelzadhäsion oder Filmbildung, welche durch
die Reibungskraft verursacht wird, die zwischen dem photoempfindlichen
Element und dem Reibungsteil wirkt, wird vorgeschlagen, wie in der
japanischen veröffentlichten
Patentanmeldung Nr. 11-133640 (die dem US-Patent Nr. 6,01,521 entspricht)
und der veröffentlichten
japanischen Patentanmeldung Nr. 11 133641 (die dem US-Patent Nr.
6,001,521 entspricht) offenbart ist, dass eine amorphe Kohlenstoffschicht,
die Wasserstoff enthält
(nachstehend „a-C:H
Film") als eine
Oberflächenschutzschicht
eines photoempfindlichen Elements verwendet wird, und eine derartige
Schicht wird als effektiv gezeigt. Dieser a-C:H Film wird auch diamantähnlicher
Kohlenstoff (DLC) genannt und besitzt eine sehr hohe Härte. Somit
kann dieser Kratzer und Verschleiß verhindern und besitzt zudem
eine besondere Feststoffschmierfähigkeit.
Ausgehend von diesen zwei Eigenschaften wird dieses als ein optimales
Material zum Verhindern der Schmelzadhäsion oder Filmbildung angesehen.
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Jedoch
können
dieser a-C:H Film und ein amorpher Silicium-Film (nachstehend „a-Si"), der in einer photoleitfähigen Schicht
verwendet wird, sich unter optimalen Herstellungsbedingungen unterscheiden.
Im einzelnen ist es im Fall von photoempfindlichen a-Si Elementen üblich, eine
Trägermaterialtemperatur
auf 200 °C
bis 450 °C
einzustellen, um praktische Eigenschaften zu erreichen. Andererseits
ist es im Fall des a-C:H Films für
die Trägermaterialtemperatur
besser, niedrig eingestellt zu werden, um einen guten Film zu erhalten, und
somit wird der Film häufig
ausgebildet, wobei die Trägermaterialtemperatur
bei Raumtemperatur bis ungefähr
150 °C eingestellt
wird. Demgemäß ist es,
wenn eine Oberflächenschicht,
die a-C:H umfasst, auf einem photoempfindlichen Element mit einer
photoleitfähigen
Schicht abgeschieden wird, die hauptsächlich aus a-Si gebildet ist,
notwendig, die Trägermaterialtemperatur,
die auf 200 °C
bis 450 °C
eingestellt ist, auf Raumtemperatur bis ungefähr 150 °C herabzusenken, und danach
die a-C:H Oberflächenschicht auszubilden.
In vielen Abscheidungskammern wird eine Heizvorrichtung zum Erhitzen
von Trägermaterialen
eingebaut, um die Temperatur von Trägermaterialen zu steuern. Aber
in vielen Fällen
wird irgendein Element zum Abkühlen
nicht bereitgestellt. Demgemäß ist es
unvermeidlich gewesen, auf eine natürliche Wärmeausbreitung zu vertrauen,
um die Trägermaterialtemperatur,
die bei 200 °C
bis 450 °C
gehalten worden ist, auf Raumtemperatur bis ungefähr 150 °C herabzusenken,
so dass dies eine sehr lange Zeit insbesondere in einer Vakuumumgebung
benötigt hat.
Somit ist ein Problem aufgetreten, dass photoempfindliche Elemente
nur in einer kleinen Anzahl pro Tag pro Abscheidungskammer herstellbar
sind, was zu einer Zunahme der Herstellungskosten von photoempfindlichen
Elementen führt.
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Als
ein anderes Problem können,
wenn die photoempfindlichen Elemente, die so mit großem Zeitbedarf
hergestellt wurden, zur Versendung nach ihrer Fertigstellung untersucht
werden, Defekte auftreten, welche die Produkte wegen einer unerwartet
schlechten Bilderzeugung oder schlechtem Potential inakzeptabel machen.
Ein derartiges Auftreten von Fehlern ist auch ein Faktor gewesen,
der die Kosten erhöht
hat.
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Außer dem
Vorangegangenen ist es in dem Fall von photoempfindlichen a-Si Elementen
als Problem ihres Herstellungsverfahrens ebenso bekannt, wie in
der japanischen offen gelegten Patentanmeldung Nr. 62-189477 offenbart
ist, dass Vorsprünge
häufig
an den Oberflächen
der abgeschiedenen Filme auftreten. Viele Vorschläge wurden
dazu gemacht, wie solche Vorsprünge
am Auftreten gehindert werden können,
aber es wird als sehr schwierig in Bezug auf die Techniken und ebenso
in Bezug auf die Kosten angesehen, die Vorsprünge am Auftreten zu hindern,
was von den kleinen fremden Materien herrührt, die unglücklicher
Weise an der Oberfläche
anhaften.
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In
den Anteilen mit solchen Vorsprüngen
neigt die Schmelzadhäsion
eines Entwicklers (Tonerteilchen) dazu, aufzutreten. Selbst in einem
Anlauf, den a-C:H Film in der Oberflächenschutzschicht zu verwenden,
um die Schmelzadhäsion
am Auftreten in normalen Bereichen mit Ausnahme der Vorsprünge zu hindern,
wurde es nicht möglich,
diese perfekt zu verhindern, solange die Schmelzadhäsion in
den Anteilen der Vorsprünge auftritt.
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Zusätzlich reibt
das photoempfindliche Element, wenn es im Inneren eines elektrophotographischen Geräts verwendet
wird, an anderen Elementen, die in Kontakt mit diesem kommen, und
wird beim Vorgang des Aufladens, der Entwicklung, der Übertragung
und des Reinigens verschlissen. In diesem Vorgang kann, verglichen
mit dem Anteil der normalen Bereiche, der Anteil der Vorsprünge selektiv
in großem
Maße aufgrund seiner
Besonderheit der Form verschleißen.
Darüber
hinaus kann das, was im Anfangsstadium kein Bildfehler ist, aufgrund
einer Erniedrigung der Ladungsrückhaltung
als Ergebnis des Verschleißes
an den Anteilen der Spitzen der Vorsprünge zu Bildfehlern werden.
Ebenso wird der Anteil, der an den Spitzen der Vorsprünge verschlissen
wurde, keine Oberflächenschutzschicht
aufweist, die aus einem a-C:H Film (hiernach häufig einfach „a-C Oberflächenschicht") gebildet wurde,
so dass dieserer Schmelzadhäsion
an einem Anteil als Anfangspunkt hervorruft. Daher weist ein solcher
Verschleiß die
Möglichkeit
auf, dass er ein Faktor wird, welcher die Bildeigenschaften verschlechtert.
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In
diesem Zusammenhang ist in einem System, in welchem der Hauptgrund
des Verschleißes
die Reibung ist, die in dem Reinigungsschritt wirkt, der Verschleiß an dem
Anteil, der normalen Bereiche bei einem Niveau von etwa 1 nm pro
1.000 Blatt, wenn eine amorpher Siliciumcarbid Oberflächenschicht
(a-SiC) verwendet wird. Ebenso ist in einem System, in dem der Hauptgrund
des Verschleißes
ein Kontaktaufladeschritt ist, der eine hohe Reibungskraft einbezieht,
der Verschleiß an
dem Anteil der normalen Bereiche bei einem Niveau von etwa 10 nm
pro 1000 Blättern
in dem Fall der a-SiC Oberflächenschicht,
wohingegen dieser etwa bei einem Niveau von 1 nm pro 1000 Blatt
in dem Fall der a-C Oberflächenschicht
ist.
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Zusätzlich kann
in einem System, in dem herkömmlicher
Weise eine Reinigungsklinge verwendet wird, die Klinge aufgrund
der Vorsprünge
beschädigt
oder abgebrochen werden, so dass etwas hervorgerufen wird, das Entwickler-
(Toner-) Auslaufen genannt wird, so dass es ebenso eine Möglichkeit
des Hervorrufens von fehlerhaftem Reinigen gibt.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung ist entwickelt worden, um die vorstehend diskutierten
Probleme zu lösen. Demgemäß ist es
eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein elektrophotographisches
photoempfindliches Element bereitzustellen, welches in dem System,
das hauptsächlich
von der a-C Oberflächenschicht
Verwendung macht, die vorstehenden Schwierigkeiten nicht verursacht,
welche von den Vorsprüngen
herrühren,
die auftreten, wenn ein a-Si Film der photoleitfähigen Schicht gebildet wird,
um so eine höhere
Zuverlässigkeit
zu besitzen, und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen photoempfindlichen
Elements bereitzustellen.
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Eine
andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein elektrophotographisches
Gerät bereitzustellen,
das ein derartiges elektrophotographisches photoempfindliches Element
mit einer höheren
Zuverlässigkeit
aufweist.
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Im
einzelnen angegeben ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein elektrophotographisches photoempfindliches Element bereitzustellen,
welches sogar, dort, wo die Vorsprünge aufgetreten sind, wenn der
a-Si Film der photoleitfähigen
Schicht gebildet wird, ein Auftreten von jeglicher Schmelzadhäsion oder Filmbildung,
die von den Vorsprüngen
herrührt,
zu verhindern, welcher auch das Auftreten von jeglichen Bildfehlern
verhindern kann, die von dem selektiven Verschleiß an den
Vorsprüngen
herrühren,
und gleichzeitig Vorteile zeigen, die der Verwendung der a-C Oberflächenschicht
zuzurechnen sind. Zudem ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen photoempfindlichen
Elements bereitzustellen.
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Spezieller
stellt zum Erreichen der vorliegenden Ziele die vorliegende Erfindung
ein elektrophotographisches photoempfindliches Element zur Verfügung, welches
umfasst
ein zylindrisches Trägermaterial, das aus einem
leitfähigen
Material gebildet wird;
eine photoleitfähige Schicht, die aus einem
nicht einkristallinen Material gebildet wird, das im Wesentlichen
aus Siliciumatomen zusammengesetzt ist, und das auf dem zylindrischen
Trägermaterial
abgeschieden wird;
eine Zwischenschicht, die im Wesentlichen
aus Siliciumatomen zusammengesetzt ist und mindestens ein Element
enthält,
das aus der Gruppe ausgewählt
wurde, die aus Kohlenstoffatomen, Sauerstoffatomen und Stickstoffatomen
besteht, und die auf der photoleitfähigen Schicht abgeschieden
wird; und
eine Oberflächenschutzschicht,
die aus einem nicht einkristallinem Material gebildet wird, und
die auf der Zwischenschicht abgeschieden wird,
wobei die photoleitfähige Schicht
eine Schicht ist, die aus einem nicht einkristallinen Material gebildet
wird, welches auf dem zylindrischen Trägermaterial durch Zersetzen
eines Materialgases, das mindestens Siliciumatome enthält, mit
Hilfe von hochfrequenter elektrischer Energie in einer Abscheidungskammer
mit mindestens einer Evakuierungs-Einrichtung und einer Materialgas-Zufuhreinrichtung
abgeschieden wird, wobei die Abscheidungskammer dazu fähig ist,
vakuumdicht gemacht zu werden;
wobei die Zwischenschicht eine
Schicht ist, die aus einem nicht einkristallinen Material gebildet
wird, welches auf der photoleitfähigen
Schicht durch Zersetzen eines Materialgases mit Hilfe von hochfrequenter
elektrischer Energie in einer Abscheidungskammer mit mindestens
einer Evakuierungs-Einrichtung und einer Materialgas-Zufuhreinrichtung
abgeschieden wird, wobei die Abscheidungskammer dazu fähig ist,
vakuumdicht gemacht zu werden, wobei die Zwischenschicht danach
einer Oberflächenbehandlung
unterzogen wird, so dass er eine behandelte Oberfläche aufweist,
und
wobei die Oberflächenschutzschicht
eine Schicht ist, die aus einem nicht einkristallinen Material gebildet
wird, welche auf der Zwischenschicht mit der bearbeiteten Oberfläche durch
Zersetzen eines Materialgases mit Hilfe von hochfrequenter elektrischer
Energie in einer Abscheidungskammer mit mindestens einer Evakuierungs-Einrichtung und einer
Materialgas-Zufuhreinrichtung abgeschieden wird, wobei die Abscheidungskammer
dazu fähig
ist, vakuumdicht gemacht zu werden.
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Die
vorliegende Erfindung stellt ferner ein Verfahren zur Herstellung
eines elektrophotographischen photoempfindlichen Elements, welches
umfasst:
ein zylindrisches Trägermaterial, das aus einem
leitfähigen
Material gebildet wird;
eine photoleitfähige Schicht, die aus einem
nicht einkristallinen Material gebildet wird, das im Wesentlichen
aus Siliciumatomen zusammengesetzt ist, und das auf dem zylindrischen
Trägermaterial
abgeschieden wird;
eine Zwischenschicht, die im Wesentlichen
aus Siliciumatomen zusammengesetzt ist und mindestens ein Element
enthält,
das aus der Gruppe ausgewählt
wurde, die aus Kohlenstoffatomen, Sauerstoffatomen und Stickstoffatomen
besteht, und die auf der photoleitfähigen Schicht abgeschieden
wird; und
eine Oberflächenschutzschicht,
die aus einem nicht einkristallinem Material gebildet wird, und
die auf der Zwischenschicht abgeschieden ist;
wobei das Verfahren
die Schritte umfasst:
einen ersten Schritt des Abscheidens
der photoleitfähigen
Schicht und der Zwischenschicht auf dem zylindrischen Trägermaterial
in einer angegebenen Schichtdicke durch Zersetzen eines Materialgases,
welches zumindest Siliciumatome enthält, mit Hilfe von hochfrequenter
elektrischer Energie in einer Abscheidungskammer mit mindestens
einer Evakuierungs-Einrichtung
und einer Materialgas-Zufuhreinrichtung, wobei die Abscheidungskammer
dazu fähig,
vakuumdicht gemacht zu werden;
einen zweiten Schritt des Unterziehens
der Zwischenschicht, die in dem ersten Schritt gebildet wird, unter
einer Oberflächenbehandlung;
und
einen dritten Schritt des Abscheidens der Oberflächenschutzschicht
in einer angegebenen Schichtdicke auf der Oberfläche der Zwischenschicht, welche
der Oberflächenbehandlung
in dem zweiten Schritt unterzogen wird, durch Zersetzen eines Materialgases
mit Hilfe von hochfrequenter elektrischer Energie in einer Abscheidungskammer
mit mindestens einer Evakuierungs-Einrichtung an einer Materialgas-Zufuhreinrichtung,
wobei die Abscheidungskammer dazu fähig, vakuumdicht gemacht zu
werden.
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Darüber hinaus
stellt die vorliegende Erfindung ein elektrophotographisches Gerät zur Verfügung welches
ein photoempfindliches Element umfasst, das aufweist:
ein zylindrisches
Trägermaterial;
eine
photoleitfähige
Schicht, die aus einem nicht einkristallinen Material gebildet wird,
das im Wesentlichen aus Siliciumatomen zusammengesetzt ist, und
das auf dem zylindrischen Trägermaterial
abgeschieden wird;
eine Zwischenschicht, die aus einem nicht
einkristallinen Material gebildet wird und mindestens ein Element enthält, das
aus der Gruppe ausgewählt
wurde, die aus Kohlenstoffatomen, Sauerstoffatomen und Stickstoffatomen
besteht, und die auf der photoleitfähigen Schicht abgeschieden
wird; und
eine Oberflächenschutzschicht,
die aus einem nicht einkristallinen Material gebildet wird, und
die auf der Zwischenschicht abgeschieden wird;
wobei in dem
photoempfindlichen Element das zylindrische Trägermaterial ein zylindrisches
Trägermaterial
ist, welches aus einem leitfähigen
Material gebildet wird,
wobei die photoleitfähige Schicht
eine Schicht ist, die aus einem nicht einkristallinen Material gebildet
wird, welche auf dem zylindrischen Trägermaterial durch Zersetzen
eines Materialgases, das mindestens Siliciumatome enthält, mit
Hilfe von hochfrequenter elektrischer Energie in einer Abscheidungskammer
mit mindestens einer Evakuierungs-Einrichtung und einer Materialgas-Zufuhreinrichtung
abgeschieden wird, wobei die Abscheidungskammer dazu fähig, vakuumdicht
gemacht zu werden,
wobei die Zwischenschicht eine Schicht ist,
die aus einem nicht einkristallinen Material gebildet wird, welches auf
der photoleitfähigen
Schicht abgeschieden durch Zersetzen eines Materialgases mit Hilfe
von hochfrequenter elektrischer Energie in einer Abscheidungskammer
mit mindestens einer Evakuierungs-Einrichtung und einer Materialgas-Zufuhreinrichtung
wird, wobei die Abscheidungskammer dazu fähig, vakuumdicht gemacht zu
werden, wobei die Zwischenschicht danach einer Oberflächenbehandlung
unterzogen wird, um eine Oberfläche
aufzuweisen, von welcher die Spitzen von Vorsprüngen, welche auf der Oberfläche vorhanden sind,
entfernt werden, und
wobei die Oberflächenschutzschicht eine Schicht
ist, die aus einem nicht einkristallinen Material gebildet wird, welches
auf der Zwischenschicht mit der behandelten Oberfläche durch
Zersetzen eines Materialgases mit Hilfe von hochfrequenter elektrischer
Energie in einer Abscheidungskammer mit mindestens einer Evakuierungs-Einrichtung und einer
Materialgas-Zufuhreinrichtung abgeschieden wird, wobei die Abscheidungskammer
dazu fähig,
vakuumdicht gemacht zu werden.
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Folglich
werden die vorstehenden Ziele durch die Merkmale erreicht, die in
den unabhängigen
Ansprüchen
definiert sind. Weitere vorteilhafte Weiterbildungen werden in den
abhängigen
Ansprüchen
der vorliegenden Erfindung dargelegt.
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KURZE BESCHREIBUNG DER
ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine diagrammartige Querschnittsansicht eines Beispiels für einen
Schichtaufbau des elektrophotographischen photoempfindlichen Elements
der vorliegenden Erfindung.
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2 ist
eine schematische Querschnittsansicht eines Filmbildungssystems
für das
photoempfindliche a-Si Element, das in der vorliegenden Erfindung
verwendet wird.
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3 ist
eine schematische Querschnittsansicht eines anderen Filmbildungssystems
für das
photoempfindliche a-Si Element, das in der vorliegenden Erfindung
verwendet wird.
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4 ist
eine schematische Querschnittsansicht eines Wasserwaschsystems,
das in der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
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5 ist
eine diagrammartige Querschnittsansicht eines Beispiels für das elektrophotographische
Gerät der
vorliegenden Erfindung.
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6A, 6B und 6C sind
Querschnittsansichten, welche diagrammartig ein Beispiel der Konstruktion
des elektrophotographischen photoempfindlichen Elements gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigen, insbesondere seine Struktur der Vorsprünge, die
zum Zeitpunkt der Abscheidung auftreten.
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7 ist
eine schematische Querschnittsansicht, welche ein Beispiel eines
Oberflächenpoliergeräts zeigt,
das in dem Oberflächenbearbeitungsschritt
verwendet wird, das heißt,
in den Schritten der Herstellung des elektrophotographischen photoempfindlichen
Elements gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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8 ist
eine schematische Querschnittsansicht, welche ein Beispiel eines
Vakuumoberflächenpoliergeräts zeigt,
das in der Oberflächenbearbeitung
der vorliegenden Erfindung verwendet wird, das heißt, in den Schritten
der Herstellung des elektrophotographischen photoempfindlichen Elements
gemäß der vorliegenden Erfindung.
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9 ist
eine Ansicht, welche ein Beispiel von Aufnahmen zeigt, die durch
eine Rasterkraftmikroskop-Betrachtung
einer photoleitfähigen
a-Si Oberflächenschicht
nach ihrem Polieren erhalten wurde, und diagrammartig ihr Oberflächenprofil
darstellt, wobei die Aufnahmen einen optimalen Zustand der Oberflächenbearbeitung
mit einem Zustand der übermäßigen Oberflächenbearbeitung
in den Schritten der Herstellung des elektrophotographischen photoempfindlichen
Elements der vorliegenden Erfindung vergleichen.
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10A, 10B und 10C sind diagrammartige Querschnittsansichten
eines Beispiels der Konstruktion eines herkömmlichen elektrophotographischen
photoempfindlichen Elements.
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11 ist eine schematische Querschnittsansicht eines
Filmbildungssystems für
ein photoempfindliches a-Si Element, das in der vorliegenden Erfindung
verwendet wird.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Die
gegenwärtigen
Erfinder haben Untersuchungen von photoempfindlichen a-Si Elementen,
die Verwendung von einer a-C Schicht als Oberflächenschicht machen, welche
einen hohen Schmelzadhäsionsverhinderungseffekt
aufweist, wobei, wie vorstehend angegeben, sie sich der Tatsache
bewusst wurden, dass sich die optimale Trägermaterialtemperatur zwischen
der photoleitfähigen
a-Si Schicht und der a-C Oberflächen
Schicht unterscheiden. Dann haben sie bemerkt, dass, wenn Filme
kontinuierlich durch ein integriertes Herstellungsverfahren aus
der photoleitfähigen
Schicht zu der Oberflächenschicht
gebildet werden, die Trägermaterialtemperatur
in der Mitte der Filmbildung geändert
werden muss, um die jeweiligen Schichten bei optimalen Trägermaterialtemperaturen
auszubilden, und es eine ziemlich lange Zeit für eine derartige Filmbildung benötigt, was
zu einer Abnahme der Produktionseffizienz der Abscheidungskammer
führt.
Was besonders in Frage gestellt wird, ist, dass es notwendig ist,
das Trägermaterial
in der Mitte der Filmbildung zu kühlen, da die Trägermaterialtemperatur,
die für
die Bildung der photoleitfähigen
a-Si Schicht am besten geeignet ist, 200 °C bis 450 °C ist, und die Trägermaterialtemperatur,
die am besten zur Bildung der a-C Oberflächenschicht geeignet ist, von
Raumtemperatur bis ungefähr
150 °C ist.
In herkömmlichen
Abscheidungskammern wird eine Heizvorrichtung zum Erhitzen der Trägermaterialien,
aber keine Kühleinrichtung
bereitgestellt, und somit ist die Kühlrate unvermeidlicher Weise
gering. Da zudem das Innere der Abscheidungskammer auf ein Vakuum
eingestellt wird und in einer Art von wärmeisolierendem Zustand ist,
ist eine sehr lange Zeit benötigt
worden, um Trägermaterialien
zu kühlen.
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Um
dieses Problem zu lösen,
haben die gegenwärtigen
Erfinder ausführliche
Untersuchungen angestellt. Sie hatten einmal eine Idee eines Verfahrens,
in welchem, um die Trägermaterialtemperatur
zweckmäßig zu ändern, eine
Trägermaterialhalterung
intern mit einer Kühleinrichtung,
beispielsweise einem Wasserkühlrohr
bereitgestellt wird, um das Trägermaterial
gezwungen zu kühlen.
Jedoch ist es schwierig, die Heizvorrichtung und das Kühlrohr gleichzeitig
bereitzustellen. Zudem wird ein Problem verursacht, dass ein derartiges Verfahren
zu einer Kostenzunahme des Herstellungssystems führt. Zudem kann, obwohl das
Erhitzen durch Abstrahlungswärme
mit einer guten Effizienz sogar im Vakuum bewirkt werden kann, eine
derartige Technik nicht für
das Kühlen
verwendet werden. Somit ist es, sogar wenn die Kühleinrichtung, wie etwa ein
Kühlrohr bereitgestellt
wird, unmöglich,
die Kühlzeit
in einem ausreichenden Ausmaß zu
verkürzen.
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Demgemäß haben
die gegenwärtigenErfinder
das Konzept geändert,
dass Filme kontinuierlich aus der photoleitfähigen a-Si Schicht zu der a-C
Oberflächenschicht
gebildet werden, und hatten stattdessen die Idee eines Verfahrens,
in welchem Filme zunächst
bis zu der a-Si photoleitfähigen
Schicht gebildet werden, danach das photoempfindliche Element, welches
hergestellt wird, ein Mal der Atmosphäre ausgesetzt wird, und dann
die a-C Oberflächenschicht
gebildet wird. Als ein Verfahren zum Aussetzen von diesem gegenüber der
Atmosphäre
ist es bevorzugt, dieses ein Mal aus der Abscheidungskammer herauszunehmen.
Nachdem das photoempfindliche Element, auf welchem Filme bis zu
der photoempfindlichen a-Si Schicht ausgebildet worden sind, herausgenommen
worden ist, kann die Abscheidungskammer sofort dem nachfolgenden
Filmbildungsverfahren übergeben
werden, zum Beispiel zum Reinigen, das durch Trockenätzen in
der Abscheidungskammer ausgeführt
wird. So kann die Kammer für
die Herstellung ohne Verlust verwendet werden. Währenddessen wird das nicht
fertig gestellte photoempfindliche a-Si Element, das herausgenommen
wurde, spontan gekühlt
und danach wieder zu der Abscheidungskammer zurückgeführt (wieder eingesetzt), und
dann dort die a-C Schicht ausgebildet. So kann der Film bei der
optimalen, niedrigen Trägermaterialtemperatur
von Raumtemperatur bis 150 °C
ausgebildet werden.
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In
dem Fall, wenn ein derartiger Zyklus durchgeführt wird, folgt daraus, dass,
wenn der nächste
Film ausgebildet wird, dies in dem Zustand ausgeführt wird,
dass die a-C Schicht auch auf den hinteren Wänden der Abscheidungskammer
abgeschieden worden ist. Es ist sichergestellt worden, dass, da
die a-C Schicht ursprünglich
auch als eine anhaftende Schicht wirkt, die Anhaftung der Filme
an den Innenwände
der Abscheidungskammer weiter verbessert wird, und der Effekt, dass
verhindert wird, dass Filme von den Innenwänden abgehen, auch erhalten
werden kann, wobei es folglich möglich
wird, die Produktionseffizienz zu verbessern.
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Es
ist auch sichergestellt worden, dass, als Folge des Reinigens, das
durch Trockenätzen
in dem Zustand ausgeführt
wird, in dem die a-C Schicht und die photoleitfähige a-Si Schicht in der Abscheidungskammer abgeschieden
worden sind, nicht nur die photoleitfähige a-Si Schicht, sondern
auch die a-C Schicht sauber geätzt
werden können.
Gewöhnlich
kann die a-C Schicht mit einer niedrigen Rate geätzt werden, wobei sie Eigenschaften
aufweist, wonach sie mit Schwierigkeit geätzt wird. Jedoch wird angenommen,
dass das Trockenätzen,
das in Gegenwart des a-Si Film ausgeführt wird, irgendeine chemische
Beschleunigungsreaktion verursacht, die stattfindet, so dass eine
Zunahme der Ätzrate
bewirkt wird.
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Der
vorstehende Zyklus kann ausreichend effektiv sein, auch, wenn er
für jedes
photoempfindliche Element durchgeführt wird. Natürlich kann
dieser in Bezug auf eine Mehrheit von Elementen zusammen durchgeführt werden.
Zum Beispiel können
Filme bis zu der photoleitfähigen
a-Si Schicht zuvor auf einer bestimmten Anzahl von Trägermaterialen
gebildet gehalten und danach die a-C Schicht als die Oberflächenschicht
kontinuierlich darauf gebildet werden.
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Ein
Sekundärvorteil
der vorliegenden Erfindung ist es, dass das photoempfindliche Element,
auf welchem Filme bis zu der a-Si Schicht gebildet worden sind,
untersucht werden kann, wenn dieses aus der Abscheidungskammer herausgenommen
wird. Zur Untersuchung kann zum Beispiel das äußere Erscheinungsbild untersucht
werden, um Fehler aufgrund von Ablösen oder sphärischen
Vorsprüngen
zu überprüfen. Zudem
können
im Fall eines photoempfindlichen Elements, das mit einer Zwischenschicht
ausgestattet ist, die zwischen der photoleitfähigen Schicht und der Oberflächenschicht
als ein Aufbau des photoempfindlichen Elements ausgebildet wird,
Bilduntersuchung und Potentialeigenschaftsuntersuchung als Untersuchungen
durchgeführt
werden. Wenn irgendwelche Fehler bei einer derartigen Untersuchung
gefunden werden, kann die nachfolgende Filmbildung zu diesem Zeitpunkt
gestoppt werden. Somit kann jegliche Herabsetzung der Betriebseffizienz
oder jeglicher Abfall von Materialgasen verhindert werden, wobei
ein Vorteil bewirkt wird, dass die Kosten ferner als eine Produktionslinie
reduziert werden können.
-
Im übrigen wurde
im Hinblick auf irgendwelchen Einfluss, wenn das photoempfindliche
Element, auf welchem Filme bis zu der a-Si Schicht gebildet worden
sind, aus der Abscheidungskammer herausgenommen wird, kein besonderer
Unterschied in den elektrischen Eigenschaften und Bildeigenschaften
im Vergleich zum Fall der kontinuierlichen Filmbildung festgestellt.
Zudem wurde kein praktisch problematischer Nachteil im Hinblick
auf die Oberflächenschichtanhaftung
festgestellt. Jedoch ist es, insbesondere wo die photoleitfähige Schicht
in Kontakt mit Ozon gekommen ist, wenn zum Beispiel die vorstehende
Untersuchung der Bild- und Potentialeigenschaften durchgeführt werden,
im Hinblick einer Verbesserung der Anhaftung bevorzugt, die Oberfläche des
photoempfindlichen Elements mit Wasser zu waschen, bevor die Oberflächenschicht
ausgebildet wird. Zudem ist es als ein anderes Verfahren bevorzugt,
die Oberfläche
des photoempfindlichen Elements vorsichtig mit einem Gas, wie etwa
Fluor, zu ätzen,
bevor die Oberflächenschicht
ausgebildet wird. Im Hinblick auf eine Verbesserung der Anhaftung
ist es auch bevorzugt, beides in Kombination anzuwenden.
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Die
gegenwärtigen
Erfinder trieben ihre Studien weiter vorwärts, um die Probleme der Vorsprünge zu lösen, die
vorstehend bereits diskutiert wurden. Als ein Verfahren des Verringerns
der Vorsprünge,
welches herkömmlicher
Weise vorgeschlagen wurde, ist zum Beispiel in der offen gelegten
japanischen Patentanmeldung Nr. 11-2996 eine Technik offenbart,
in welcher, nachdem ein photoempfindliches Element hergestellt wurde,
seine Oberfläche
poliert wird, um die Höhe
der Vorsprünge
zu verringern. In diesem Verfahren werden, nachdem die a-C Oberflächenschicht
gebildet wurde, die Spitzen der Vorsprünge wegpoliert, um die Form (Oberflächenprofil)
bereitzustellen, wie sie in 10C gezeigt
wird. Das abschließende
Oberflächenprofil,
das in 10C gezeigt wird, wurde es
als nicht notwendiger Weise bevorzugt herausgefunden, weil es eine
Möglichkeit
des Hervorrufens von fehlerhaften Bildern im anfänglichen Zustand gibt, wie
vorstehend bereits ausgeführt
wurde, oder diese als Anfangspunkt zum Hervorrufen von Schmelzadhäsion sein
können.
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Die 10A bis 10C zeigen
in größerem Detail
ein Beispiel eines elektrophotographischen photoempfindlichen Elements
in welchem, nachdem die a-C Oberflächenschicht gebildet wurde,
die Spitzen der Vorsprünge
durch Polieren geglättet
wurden. Zum Beispiel wurden auf einem zylindrischen Trägermaterial 1501,
das aus einem leitfähigen
Material wie Aluminium oder rostfreiem Stahl gebildet wurde, eine
photoleitfähige
Schicht 1502, eine Zwischenschicht 1505 und eine
Oberflächenschutzschicht 1503 in
dieser Anordnung abgeschieden, wobei ein Vorsprung 1504 während der
Bildung der photoleitfähigen
Schicht 1502 auftrat. In den 10A bis 10C ist 10A eine
diagrammartige Querschnittsansicht des Vorsprungs in einem Zustand,
bei dem Filme bis hinauf zur Zwischenschicht 1505 gebildet
wurden; 10B ist eine diagrammartige Querschnittsansicht
des Vorsprungs in einem Zustand, bei dem Filme bis hinauf zur Oberflächenschutzschicht 1503 gebildet
wurden; und 10C ist eine diagrammartige
Querschnittsansicht eines Zustands, bei dem die Spitzen der Vorsprünge durch
Polieren geglättet
wurden, nachdem die Oberflächenschutzschicht 1503 gebildet
wurde.
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Das
Material des Vorsprungs 1504 ist im Wesentlichen das gleiche
wie das der umgebenden photoleitfähigen Schicht 1502.
Die Zwischenschicht 1505 und die Oberflächenschutzschicht 1503,
die danach abgeschieden werden, sind so gebildet, dass sie sich
in der Form der Vorsprünge
erstrecken. 10C zeigt einen Zustand, in
dem die Spitze mit Hilfe eines Poliergeräts wegpoliert wurde, wie später beschrieben
wird.
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Die
gegenwärtigen
Erfinder führten
weiterhin ausführliche
Studien zu jeglichen Hilfsmitteln anstatt des herkömmlichen
Verfahrens durch, durch welche die Schwierigkeiten und Probleme
gelöst
werden können,
welche für
die Vorsprünge
verantwortlich sind. Als Ergebnis haben sie entdeckt, dass, bevor
die Oberflächenschutzschicht
gebildet wird, der abgeschiedene Film einer Oberflächenglättungsbearbeitung
unterzogen, zum Beispiel einem Polieren zum Entfernen der Spitzen
der Vorsprünge, die
unbedeckt auf ihrer Oberfläche
stehen, und dann die Oberflächenschutzschicht,
die als a-C Oberflächenschicht
auf der äußeren Oberfläche gebildet wird,
abgeschieden und auf der abgeschiedenen Filmoberfläche, welche
geglättet
wurde, aufgebracht werden kann, wodurch das sich ergebende elektrophotographische
photoempfindliche Element eine elektrophotographisches Leistungsverhalten
aufweisen kann, welches sich nahezu nicht zwischen dem Anteil, bei
dem die Vorsprünge
ursprünglich
vorhanden waren, und dem Anteil der normalen Bereiche unterscheidet.
Im Besonderen kann ein elektrophotographisches photoempfindliches
Element mit gleichmäßigen und überlegenen Bildeigenschaften,
welches das Auftreten von jeglicher Schmelzadhäsion oder Filmbildung, die
von Vorsprüngen
herrührt,
verhindern kann, ebenso das Auftreten jeglicher Bildfehler verhindern,
die dem selektiven Verschleiß an
den Vorsprüngen
zuzuschreiben sind, und kann ferner Vorteile zeigen, die der Verwendung
der a-C Oberflächenschicht
zuzuschreiben sind. Zudem ist es in einer hohen Reproduzierbarkeit
erhältlich.
Daher haben sie mit einer solchen Entdeckung die vorliegende Erfindung
abgeschlossen.
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In
Bezug auf die Verhinderung des Auftretens von jeglicher Schmelzadhäsion oder
Filmbildung, die von den Vorsprüngen
herrührt,
und der Verhinderung des Auftretens jeglicher Bildfehler, welche
dem selektiven Verschleiß an
den Vorsprüngen
zuzuschreiben sind, kann das photoempfindliche Element Vorteile
haben, wie sie später
ausgeführt
werden, und den höchsten
Effekt zeigen, wenn seine äußere Oberfläche die
a-C Oberflächenschicht
ist.
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Jedoch
ist der Bereich, in welchem dessen Effekt sich zeigt, in keiner
Weise auf den Fall begrenzt, wenn die äußerste Oberfläche die
a-C Oberflächenschicht
ist, und ist allgemein anwendbar. Es ist entdeckt worden, dass eine
weiter bevorzugte Ausführungsform
insbesondere bereitgestellt werden kann, wenn die a-C Oberflächenschicht verwendet
wird. So ist die vorliegende Erfindung erreicht worden, welche auf
einem breiteren Bereich anwendbar ist.
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In
dem elektrophotographischen photoempfindlichen Element gemäß der vorliegenden
Erfindung kann das nicht Einkristallinen Material, das in der photoleitfähigen Schicht
und der Oberflächenschutzschicht verwendet
wird, nicht nur amorphe Materialien sondern auch mikrokristalline
Materialien und polykristalline Materialien einschließen. Im
Allgemeinen können
amorphe Materialien weiter bevorzugt verwendet werden.
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Die
vorliegende Erfindung wird nachstehend im größeren Detail anhand begleitender
Zeichnungen, sofern benötigt,
beschrieben.
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Photoempfindliches
a-Si Element gemäß der vorliegenden
Erfindung
-
1 zeigt
ein Beispiel für
einen Schichtaufbau des elektrophotographischen photoempfindlichen
Elements gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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Das
elektrophotographische photoempfindliche Element dieses Beispiels
umfasst ein Trägermaterial 101,
das aus einem leitfähigen
Material besteht wie beispielsweise Aluminium oder rostfreier Stahl,
und darauf abgeschieden eine erste Schicht 102 und eine
zweite Schicht 103 in dieser Reihenfolge. In der vorliegenden Erfindung
kann a-Si vorzugsweise als Material für eine photoleitfähige Schicht 106 verwendet
werden, die in der ersten Schicht eingeschlossen ist, und a-C als
ein Material für
die zweite Schicht, die Oberflächenschicht 103.
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Die
photoleitfähige
Schicht 106 kann ggf. auf deren Trägermaterialseite mit einer
unteren Sperrschicht 104 bereitgestellt werden. Die untere
Sperrschicht 104 kann mit einem Dotiermittel, wie etwa
einem Element der Gruppe 13 oder einem Element der Gruppe 15 des
Periodensystems unter zweckmäßiger Auswahl
eingebaut werden, um eine Steuerung der Ladungspolarität zu ermöglichen,
das heißt,
positive Aufladung oder negative Aufladung.
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Eine
Zwischenschicht 105 kann ferner ggf. zwischen der photoleitfähigen Schicht 106 und
der Oberflächenschicht 103 bereitgestellt
werden. Um die Zwischenschicht 105 bereit zu stellen, werden
drei Muster als verwendbar betrachtet, das heißt ein Verfahren, in welchem
diese in einem ersten Schritt ausgebildet wird und danach das nicht
fertig gestellte Element ein Mal herausgenommen und wieder in die
Abscheidungskammer zurückgeführt wird,
um die Oberflächenschicht
anschließend
auszubilden, ein Verfahren, in welchem Filme bis zu der photoleitfähigen Schicht
in einem ersten Schritt ausgebildet und danach das nicht fertig
gestellte Element einmal herausgenommen und wieder in die Abscheidungskammer
zurückgeführt werden,
um die Zwischenschicht und die Oberflächenschicht auszubilden, und
ein Verfahren, in welchem die Zwischenschicht sowohl in dem ersten
Schritt als auch in dem zweiten Schritt ausgebildet wird. Zudem
kann die Zwischenschicht aus einem nicht einkristallinen Material
ausgebildet werden, das hauptsächlich
aus Siliciumatomen zusammengesetzt ist und mindestens ein Element
enthält
das aus Kohlenstoffatomen, Stickstoffatomen und Sauerstoffatomen
ausgewählt
wurde.
-
(Gestalt und Material
des Trägermaterials)
-
Das
Trägermaterial
kann irgendeine gewünschte
Gestalt besitzen, je nachdem wie das elektrophotographische photoempfindliche
Element angetrieben wird. Zum Beispiel kann dieses in der Gestalt
eines Zylinders oder eines folienähnlichen endlosen Bandes sein,
das eine glatte Oberfläche
oder ungleichförmige
Oberfläche
besitzt. Dessen Dicke kann zweckmäßig bestimmt werden, so dass
das elektrophotographische photoempfindliche Element wie gewünscht ausgebildet
werden kann. Wo eine Flexibilität
als elektrophotographische photoempfindliche Elemente benötigt wird,
kann das Trägermaterial
so dünn
wie möglich
sein, so lange dieses ausreichend als ein Zylinder wirken kann.
Hinsichtlich der Herstellung und Handhabung und vom Standpunkt der
mechanischen Festigkeit sollte jedoch der Zylinder eine Wanddicke
von 1 mm oder mehr in üblichen
Fällen besitzen.
Wenn das folienähnliche
endlose Band verwendet wird, sollte das Band eine Dicke von 10 μm oder mehr
in gewöhnlichen
Fällen
besitzen.
-
Als
Materialien für
das Trägermaterial
werden leitfähige
Materialien wie etwa Aluminium oder rostfreier Stahl, wie vorstehend
erwähnt,
gewöhnlich
verwendet. Zudem sind zum Beispiel Materialien ohne besondere Leitfähigkeit,
wie etwa Kunststoff, Glas und Keramik verschiedener Art, die aber
mit Leitfähigkeit
durch Vakuumabscheidung oder dergleichen eines leitfähigen Materials
auf wenigstens der Seite ihrer Oberflächen, wo die photoleitfähige Schicht
gebildet wird, bereitgestellt sind, verwendbar.
-
Das
leitfähige
Material kann neben den Vorstehenden Metalle wie Cr, Mo, Au, In,
Nb, Te, V, Ti, Pt, Pd und Fe und Legierungen von beliebigen von
diesen einschließen.
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Der
Kunststoff kann Filme oder Folien aus Polyester, Polyethylen, Polycarbonat,
Celluloseacetat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polystyrol oder
Polyamid einschließen.
-
Photoleitfähige a-Si
Schicht gemäß der vorliegenden
Erfindung
-
Die
photoleitfähige
Schicht 106 in der vorliegenden Erfindung ist aus einem
nicht einkristallines Material zusammengesetzt, das hauptsächlich aus
Siliciumatomen zusammengesetzt ist und ferner Wasserstoffatome und/oder
Halogenatome enthält
(nachstehend als „a-Si(H,X)" abgekürzt).
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Der
a-Si (H, X) Film kann durch Plasma unterstützte CVD (chemische Gasphasenabscheidung),
Sputtern oder Ionenplattieren ausgebildet werden. Filme, die durch
Plasma unterstütztes
CVD hergestellt werden, sind bevorzugt, da Filme mit besonders hoher
Qualität
erhalten werden können.
Als Materialien hierfür
können gasförmige oder
vergasbare Siliciumhydride (Silane), wie etwa SiH4,
Si2H6, Si3H8 und Si4H10 als Materialgase verwendet
werden, von welchen beliebige mittels einer elektrischen Hochfrequenzspannung
zersetzt werden können,
um den Film auszubilden. Angesichts der Leichtigkeit der Handhabung
zur Schichtbildung und Si-Zuführungseffizienz
sind SiH4 und Si2H6 bevorzugt.
-
Hierbei
kann die Trägermaterialtemperatur
vorzugsweise bei einer Temperatur von 200 °C bis 450 °C, und weiter bevorzugt 250 °C bis 350 °C angesichts
der Eigenschaften gehalten werden. Dies geschieht, um die Oberflächenreaktion
an der Trägermaterialoberfläche zu beschleunigen,
so dass eine Strukturentspannung ausreichend bewirkt wird. In jedem
von diesen Gasen kann ein Gas, das H2 oder
Halogenatome enthält, ferner
in einer gewünschten
Menge zugemischt werden. Dies ist bevorzugt, um die Eigenschaften
zu verbessern. Was als Materialgas zum Zuführen von Halogenatomen effektiv
ist, kann Fluorgas (F2) und Interhalogenverbindungen
wie etwa BrF, ClF, ClF3, BrF3,
BrF5, IF3 und IF7, einschließen. Dies kann auch Siliciumverbindungen
einschließen,
die Halogenatome enthalten, die mit Halogenatomen substituierte
Silanderivate genannt werden, die bevorzugt Siliciumfluoride einschließen wie
etwa SiF4 und Si2F6. Beliebige von diesen Gasen können optional
mit H2, He, Ar oder Ne verdünnt werden,
wenn verwendet.
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Es
gibt keine besonderen Beschränkungen
in Bezug auf die Schichtdicke der photoleitfähigen Schicht 106.
Diese kann in geeigneter Weise von 15 μm bis 50 μm sein, wobei Produktionskosten
usw. in Betracht gezogen werden.
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Die
photoleitfähige
Schicht 106 kann zudem in einem Vielschichtaufbau ausgebildet
werden, um die Eigenschaften zu verbessern. Zum Beispiel können die
Photoempfindlichkeit und die Aufladeleistung gleichzeitig verbessert
werden, indem auf der Oberflächenseite
einer Schicht mit einer schmaleren Bandlücke und auf der Trägermaterialseite
einer Schicht mit einer breiteren Bandlücke angeordnet wird. Ein derartiger Schichtaufbau
bewirkt einen dramatischen Defekt insbesondere hinsichtlich von
Lichtquellen mit einer relativ langen Wellenlänge und zudem mit geringer
Streuung in der Wellenlänge
wie im Fall von Halbleiterlasern.
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Zum
Zweck der Verbesserung der Mobilität von Ladungen und zur Verbesserung
der Aufladeleistung kann die photoleitfähige Schicht ggf. mit einem
Dotierungsmittel versehen werden. Ein Element der Gruppe 13 des
Periodensystems kann als Dotiermittel verwendet werden, welches
im einzelnen beinhalten kann: Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga),
Indium (In) und Thallium (Tl). Insbesondere B und Al sind bevorzugt.
Ein Element der Gruppe 15 kann zudem verwendet werden, welches im
einzelnen Phosphor (P), Arsen (As), Antimon (Sb) und Wismut (Bi)
beinhalten kann. Insbesondere P ist bevorzugt.
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Die
Dotieratome können
in einem Gehalt von 1 × 10–2 bis
1 × 104 Atom ppm, weiter bevorzugt von 5 × 10–2 bis
5 × 103 Atom ppm, und am meisten bevorzugt von
1 × 10–1 bis
1 × 103 Atom ppm enthalten sein.
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Materialien
zum Einbauen eines derartigen Elements der Gruppe 13 können im
einzelnen als ein Material zum Einbauen von Boratomen beinhalten:
Borhydride, wie etwa B2H6,
B4H10, B5H9, B5H11, B6H10,
B6H12 und B6H14 und Borhalide,
wie etwa BF3, BCl3 und
BBr3. Daneben kann das Material auch beinhalten:
AlCl3, GaCl3, Ga
(CH3)3, InCl3 und TlCl3. Insbesondere
B2H6 ist eines der
bevorzugten Materialien auch vom Standpunkt der Handhabung.
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Was
effektiv als Materialien zum Einbauen des Elements der Gruppe 15
verwendet werden kann, kann als ein Material zum Einbauen von Phosphoratomen
beinhalten: Phosphorhydride wie etwa PH3 und
P2H4 und Phosphorhalide
wie etwa PF3, PF5, PCl3, PCl5, PBr3 und PI3. Dies kann
ferner beinhalten: PH4I. Daneben kann das
Ausgangsmaterial zum Einbauen des Elements der Gruppe 15 auch als
diejenigen, welche effektiv sind, beinhalten: AsH3,
AsF3, AsCl3, AsBr3, AsF5, SbH3, SbF3, SbF5, SbCl3, SbCl5, BiH3, BiCl3 und BiBr3.
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Die
Zwischenschicht 105, welche ggf. bereitgestellt werden
kann, kann vorzugsweise aus a-Si (H, X) als Grundlage und einem
Material, das wenigstens ein Element enthält, das aus C, N und O ausgewählt wurde, zusammengesetzt
sein, welches eine Zusammensetzung zwischen der a-Si photoleitfähigen Schicht
und der a-C Oberflächenschicht
ist. In diesem Fall kann das Zusammensetzungsverhältnis der
Elemente, die die Zwischenschicht 105 aufbauen, kontinuierlich
von der photoleitfähigen
Schicht 106 zu der Oberflächenschicht 103 geändert werden,
was zur Verhinderung der Interferenz usw. effektiv ist.
-
In
der vorliegenden Erfindung muss die Zwischenschicht 105 mit
Wasserstoffatomen und/oder Halogenatomen versehen werden. Dies ist
wesentlich und unerlässlich,
um freistehende Bindung von Siliciumatomen zu kompensieren, und
um die Schichtqualität
zu verbessern, insbesondere um die photoleitfähige Leistung und die Ladungszurückhaltungsleistung
zu verbessern. Die Wasserstoffatome können vorzugsweise in einem
Gehalt von 30 bis 70 Atom-% in gewöhnlichen Fällen, und vorzugsweise von
35 bis 65 Atom-%, und insbesondere bevorzugt von 40 bis 60 Atom-%,
beruhend auf dem Gesamtgehalt der Zusammensetzungsatome sein. Zudem
können
die Halogenatome vorzugsweise in einem Gehalt von 0,01 bis 15 Atom-%
in gewöhnlichen
Fällen,
und vorzugsweise von 0,1 bis 10 Atom%, und am meisten bevorzugt
von 0,5 bis 5 Atom-%, beruhend auf dem Gesamtgehalt der Zusammensetzungsatome
sein.
-
Materialgase,
die verwendet werden, um die Zwischenschicht 105 in der
vorliegenden Erfindung auszubilden, können vorzugsweise die Folgenden
beinhalten.
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Materialien,
die als Gase für
Zuführungskohlenstoff
dienen, können
als diejenige, die effektiv verwendbar sind, beinhalten: gasförmige oder
vergasbare Kohlenwasserstoffe wie etwa CH4,
C2H6, C3H8 und C4H10.
-
Materialien,
die als Gase zum Zuführen
von Stickstoff oder Sauerstoff dienen können, können als diejenigen, die effektiv
verwendbar sind, beinhalten: gasförmige oder vergasbare Verbindungen,
wie etwa NH3, NO, N2O,
NO2, O2, CO, CO2 und N2.
-
Als
Materialien, die als Gase zum Zuführen von Silicium dienen können, können diejenigen,
die zum Ausbilden der photoleitfähigen
Schicht verwendet werden, verwendet werden.
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Die
Zwischenschicht 105 kann durch Plasma unterstützte CVD,
Sputtern oder Ionenplattieren ausgebildet werden. Zudem kann als
Entladungsfrequenz der Spannung, die in der Plasma unterstützten CVD
verwendet werden, wenn die Zwischenschicht 105 in der vorliegenden
Erfindung ausgebildet wird, eine beliebige Frequenz verwendet werden.
In einem industriellen Maßstab
ist vorzugsweise eine Hochfrequenzspannung von 1 MHz bis 50 MHz
verwendbar, welche RF-Frequenzband genannt wird, oder Hochfrequenzspannung
von 50 MHz bis 450 MHz, welche VHF-Band genannt wird.
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Wenn
die Zwischenschicht abgeschieden wird, kann die Temperatur des leitfähigen Trägermaterials vorzugsweise
von 50 °C
bis 450 °C,
und weiter bevorzugt von 100 °C
bis 300 °C
reguliert werden.
-
Wenn
die unteren Sperrschicht 104 bereitgestellt wird, kann
das a-Si(H,X) gewöhnlich
als eine Grundlage und das Dotiermittel, wie etwa ein Element der
Gruppe 13 oder ein Element der Gruppe 13 des Periodensystems, eingebaut werden,
um dessen Art der Leitfähigkeit
zu steuern, so dass sie die Fähigkeit
besitzen zu können,
das Einspritzen von Trägern
aus dem Trägermaterial
zu blockieren. In diesem Fall kann wenigstens ein Element, das aus
C, N und O ausgewählt
wurde, ggf. eingebaut werden, um die Spannung zu regulieren, so
dass diese Schicht die Funktion besitzt, die Anhaftung der photoleitfähigen Schicht 106 zu
verbessern.
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Als
das Element der Gruppe 13 oder als Element der Gruppe 15, das als
das Dotiermittel der unteren Sperrschicht 104 verwendet
wird, können
diejenigen, die vorstehend beschrieben wurden, verwendet werden. Die
Dotieratome können
vorzugsweise in einem Gehalt von 1 × 10–2 bis
1 × 104 Atom ppm, weiter bevorzugt von 5 × 10–2 bis
5 × 103 Atom ppm, und am meisten bevorzugt von
1 × 10–1 bis
1 × 103 Atom ppm enthalten sein.
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a-C Oberflächenschicht
gemäß der vorliegenden
Erfindung
-
Die
Oberflächenschicht
von 103, die als die zweite Schicht ausgebildet wird, umfasst
nicht einkristallinen Kohlenstoff. Was hierbei durch „nicht
einkristallinen Kohlenstoff" gemeint
wird, gibt hauptsächlich
amorphen Kohlenstoff mit einer Natur in der Mitte zwischen Graphit
und Diamant an und kann zudem teilweise eine mikrokristalline oder
polykristalline Komponente enthalten. Diese Oberflächenschicht
von 103 besitzt eine freie Oberfläche, und wird hauptsächlich bereitgestellt,
um zu erreichen, was in der vorliegenden Erfindung beabsichtigt
ist, das heißt,
die Verhinderung von Schmelzadhäsion,
Kratzern und Verschleiß bei
Langzeitverwendung.
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Die
Oberflächenschicht 103 der
vorliegenden Erfindung kann durch Plasma unterstützte CVD, Sputtern, Ionenplattieren
oder dergleichen unter Verwendung eines Materialgases, eines Kohlenwasserstoffes, welcher
bei Normaltemperatur und Normaldruck gasförmig ist, ausgebildet werden.
Filme, die durch Plasma unterstützte
CVD ausgebildet wurden, besitzen sowohl eine hohe Transparenz als
auch eine hohe Härte
und sind für
deren Verwendung als Oberflächenschichten
der photoempfindlichen Elemente bevorzugt. Zudem kann als Entladungsfrequenz
der Spannung, die in der Plasma unterstützten CVD verwendet wird, wenn
die Oberflächenschicht 103 der
vorliegenden Erfindung ausgebildet wird, eine beliebige Frequenz
verwendet werden. In einem industriellen Maßstab ist vorzugsweise eine
Hochfrequenzspannung von 1 MHz bis 50 MHz verwendbar, welches RF-Frequenzband
genannt wird, insbesondere 13,56 MHz. Zudem kann, insbesondere wenn
die Hochfrequenzspannung eines Frequenzbandes 50 MHz bis 450 MHz
verwendet wird, welches VHF genannt wird, der Film, der gebildet
wurde, sowohl eine höhere
Transparenz als auch eine höhere
Härte besitzen
und ist für
dessen Verwendung als die Oberflächenschicht
weiter bevorzugt.
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Materialien,
die als Gase zum Zuführen
von Kohlenstoff dienen können,
können
als diejenigen, die effektiv verwendbar sind, beinhalten: gasförmige oder
vergasbare Kohlenwasserstoffe wie etwa CH4,
C2H2, C2H6, C3H8 und
C4H10-Angesichts der Leichtigkeit
der Handhabung und der Kohlenstoffzuführungseffizienz zur Zeit der
Schichtbildung, sind CH4, C2H2 und C2H6 bevorzugt. Zudem können beliebige von diesen Kohlenstoffzuführungsmaterialgasen
ferner ggf. mit einem Gas, wie etwa H2,
He, Ar oder Ne verdünnt
werden, wenn verwendet.
-
In
dem Fall der a-C Oberflächenschicht
kann die Trägermaterialtemperatur
vorzugsweise eine niedrige Temperatur sein. Dies ist der Fall, da
Graphitkomponenten mit einer Zunahme der Trägermaterialtemperatur zunehmen
können,
so dass unerwünschte
Einflüsse
bewirkt werden, wie etwa Herabsetzung der Härte, Herabsetzung der Transparenz
und Herabsetzung des Oberflächenwiderstands.
Demgemäß kann die
Trägermaterialtemperatur
von 20 °C
bis 150 °C eingestellt
werden und liegt vorzugsweise bei ungefähr Raumtemperatur.
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Um
den Effekt der vorliegenden Erfindung zu erreichen, kann die Oberflächenschicht 103 ferner
Wasserstoffatome enthalten. Der Einbau von Wasserstoffatomen kompensiert
effektiv beliebige Strukturdefekte in dem Film, so dass die Dichte
von lokalisierten Niveaus reduziert wird. Folglich wird die Transparenz
des Films verbessert, und in der Oberflächenschicht wird verhindert,
dass irgendeine unerwünschte
Absorption von Licht stattfindet, wobei eine Verbesserung der Photoempfindlichkeit
bewirkt wird. Zudem soll das Vorhandensein von Wasserstoffatomen
in dem Film eine wichtige Rolle für die Feststoffschmierfähigkeit
spielen.
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Die
Wasserstoffatome können
in einem Gehalt mit einem Wert in dem Bereich von 10 Atom-% bis
60 Atom-% und vorzugsweise von 35 Atom-% bis 55 Atom-% vorhanden
sein. Wenn sie in einem Gehalt von weniger als 35 Atom-% vorhanden
sind, ist der vorstehende Effekt in einigen Fällen nicht erhältlich.
Wenn andererseits diese in einem Gehalt von mehr als 55 Atom-% vorhanden
sind, kann der a-C Film eine so niedrige Härte besitzen, dass er als die
Oberflächenschicht
des photoempfindlichen Elements ungeeignet ist.
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Die
a-C Oberflächenschicht
der vorliegenden Erfindung kann ferner ggf. mit Halogenatomen versehen werden.
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Die
Oberflächenschicht 103 kann
zudem in zwei Schichten, auf der Seite nahe zu der photoempfindlichen
Schicht und auf der anderen gegenüberliegenden Seite davon, eingeteilt
werden und derart aufgebaut sein, dass Wasserstoffatome zu der ersteren
(ersten Oberflächenschicht)
und Halogenatome, insbesondere Fluoratome, zu der letzteren (zweiten
Oberflächenschicht)
zugegeben werden. In einem solchen Aufbau werden Bedingungen derart
eingestellt, dass die erste Oberflächenschicht eine Härte (dynamische
Härte)
besitzt, die höher
als diejenige der zweiten Oberflächenschicht
ist. Zum Beispiel kann, wenn Fluor zugegeben wird, dieses in einer
Menge von 6 Atom-% bis 50 Atom-%, und vorzugsweise von 30 Atom-%
bis 50 Atom-% zugegeben werden.
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Die
Oberflächenschicht
ist vorzugsweise verwendbar, so lange diese eine optische Bandlücke mit
einem Wert von ungefähr
1,2 eV bis 2,2 eV, und vorzugsweise 1,6 eV oder mehr angesichts
der Empfindlichkeit besitzt. Die Oberflächenschicht ist vorzugsweise
so lange verwendbar, wie diese einen Brechungsindex von ungefähr 1,8 bis
2,8 besitzt.
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In
der vorliegenden Erfindung ist die Oberflächenschicht 103 vorzugsweise
auch verwendbar, wenn diese ferner Siliciumatome enthält. Der
Einbau von Siliciumatomen kann die optische Bandlücke breiter
machen und ist angesichts der Empfindlichkeit bevorzugt. Zu viele
Siliciumatome verschlechtern jedoch den Widerstand gegenüber Schmelzadhäsion oder
Filmbildung, und somit muss deren Gehalt festgelegt werden, wobei
die Bandlücke
ausbalanciert wird. Der Zusammenhang zwischen diesem Siliciumatomgehalt
und der Schmelzadhäsion
oder Filmbildung wird bekanntermaßen auch durch die Trägermaterialtemperatur
zur Zeit der Filmbildung beeinflusst. Im einzelnen kann im Fall
der a-C Oberflächenschicht,
die mit Siliciumatomen versehen ist, der Widerstand gegenüber Schmelzadhäsion oder
Filmbildung verbessert werden, wenn die Trägermaterialtemperatur ein wenig
niedriger ist. Demgemäß kann im
Fall, wenn die a-C Oberflächenschicht,
die mit Siliciumatomen versehen ist, als Oberflächenschicht der vorliegenden
Erfindung verwendet wird, die Trägermaterialtemperatur
vorzugsweise innerhalb des Bereichs von 20 °C bis 150 °C, und vorzugsweise bei ungefähr Raumtemperatur
festgelegt werden.
-
Der
Gehalt der Siliciumatome, der in der vorliegenden Erfindung verwendet
wird, kann zweckmäßiger Weise
abhängig
von verschiedenen Herstellungsbedingungen, Trägermaterialtemperatur, Materialgasspezies usw.
geändert
werden. Typischer Weise kann diese vorzugsweise in dem Bereich von
0,2 Atom-% bis 10 Atom-% als das Verhältnis der Siliciumatome zu
der Summe von Siliciumatomen und Kohlenstoffatomen sein.
-
Materialien,
die als Gase zum Zuführen
von Siliciumatomen dienen können,
können
als diejenigen, die effektiv verwendbar sind, beinhalten: gasförmige oder
vergasbare Siliciumhydride (Silane) wie etwa SiH4, Si2H6, Si3H8 und Si4H10. Angesichts der Leichtigkeit der Handhabung
zur Zeit der Filmbildung und Si-Zuführungseffizienz sind SiH4 und Si2H6 bevorzugt.
-
Hinsichtlich
des Entladungsraumdrucks kann dieser vorzugsweise ein relativ hohes
Vakuum sein, da, wenn Filme unter Verwendung von nicht leicht zersetzbaren
Materialgasen, wie etwa Kohlenwasserstoffen, gebildet werden, die
Tendenz besteht, dass Polymere hergestellt werden, wenn irgendwelche
Spezies, die zersetzt werden, gegeneinander in der Gasphase kollidieren.
Dieser kann vorzugsweise bei 13,3 Pa bis 1.330 Pa, und vorzugsweise
von 26,6 Pa bis 133 Pa gehalten werden, wenn eine gewöhnliche
RF-Spannung (typischer Weise 13,56 MHz) verwendet wird; und von
13,3 mPa bis 1.330 Pa, und vorzugsweise von 66,7 mPa bis 66,7 Pa,
wenn eine VHF-Band-Spannung (typischer Weise 50 MHz bis 450 MHz)
verwendet wird.
-
Hinsichtlich
der elektrischen Entladungsenergie kann dessen Optimalbereich auf ähnliche
Weise und zweckmäßiger Weise
gemäß dem beabsichtigten
Schichtaufbau ausgewählt
werden. In gewöhnlichen
Fällen kann
dieser vorzugsweise in dem Bereich von 0,5 bis 30, weiter bevorzugt
von 0,8 bis 20, und am meisten bevorzugt von 1 bis 15 als Verhältnis (W/min/mL
(normal)) von elektrischer Entladungsenergie zur Flussrate des Gases
zur Zuführung
von Kohlenstoff eingestellt werden. Zudem kann diese kontinuierlich
oder stufenweise innerhalb des vorstehenden Bereichs, sofern erforderlich,
geändert
werden. Die elektrische Entladungsspannung kann vorzugsweise so
hoch wie möglich
sein, da die Zersetzung von Kohlenwasserstoffen ausreichend voranschreitet,
aber kann vorzugsweise bei einem Niveau sein, das keine abnormale
Entladung verursacht.
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Die
Oberflächenschicht
kann eine Schichtdicke von 5 nm bis 1000 nm, und vorzugsweise von
10 nm bis 200 nm besitzen. So lange diese 5 nm oder mehr dick ist,
kann diese eine ausreichende mechanische Festigkeit besitzen. So
lange diese nicht dicker als 1000 nm ist, kann überhaupt kein Problem auch
hinsichtlich der Photoempfindlichkeit auftreten.
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In
der vorliegenden Erfindung wird das nicht fertig gestellte photoempfindliche
Element, das ein Mal aus der Abscheidungskammer entnommen wurde,
nachdem Filme bis zu der photoempfindlichen Schicht 106 oder
Zwischenschicht 105 gebildet worden sind, wiederum in die
Abscheidungskammer eingesetzt, wo eine Plasmaentladung unter Verwendung
eines fluorhaltigen Gases oder Wasserstoffgases erhöht werden
kann, um Ätzen
auszuführen,
so dass die Oberfläche
dünn entfernt
wird, und danach kann die a-C Oberflächenschicht abgeschieden werden.
In diesem Fall wurden jegliche Oxidschicht an der Oberfläche und
jegliche nicht notwendige Grenzfläche entfernt. Somit kann der
Effekt des Verbesserns der Anhaftung der a-C Oberflächenschicht
erhalten werden.
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Filmbildungsgerät für das photoempfindliches
a-Si Element gemäß der vorliegenden
Erfindung
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2 veranschaulicht
diagrammartig ein Beispiel für
ein Abscheidungsgerät
zur Herstellung des photoempfindlichen Elements durch RF-Plasma
unterstützte CVD,
wobei Verwendung von einer Hochfrequenz-Spannungsquelle gemacht wird.
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Dieses
Gerät ist
hauptsächlich
aus einem Abscheidungssystem 2100, einem Materialgaszuführungssystem 2200 und
einem Absaugsystem (nicht gezeigt) zum Evakuieren des Inneren der
Abscheidungskammer 2110 zusammengesetzt. In der Abscheidungskammer 2110 in
dem Abscheidungssystem 2100 werden ein zylindrisches Trägermaterial 2112,
eine Heizvorrichtung 2113 zum Erhitzen des Trägermaterials,
und ein Materialgaszuführungsrohr 2114 bereitgestellt.
Eine Hochfrequenz-Spannungsquelle 2120 wird ferner mit
der Abscheidungskammer über
eine Hochfrequenzanpassungsbox 2115 verbunden.
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Das
Materialgaszuführungssystem 2200 ist
aus Gaszylindern 2221 bis 2226 für Materialgase
wie etwa SiH4, H2,
CH4, NO, B2H6 und CF4, Ventilen 2231 bis 2236, 2241 bis 2246 und 2251 bis 2256,
und Durchflussregler 2211 bis 2216 zusammengesetzt.
Die Gaszylinder für
die jeweiligen Zusammensetzungsgase werden mit dem Gaszuführungsrohr 2114 in
der Abscheidungskammer 2110 über ein Ventil 2260 verbunden.
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Das
zylindrische Trägermaterial 2112 wird
auf ein leitfähiges
Trägergestell 2123 gestellt
und wird hierdurch geerdet.
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Ein
Beispiel für
das Verfahren zum Ausbilden eines photoempfindlichen Elements mittels
des Geräts, das
in 2 gezeigt wird, wird nachstehend beschrieben.
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Das
zylindrische Trägermaterial 2112 wird
in die Abscheidungskammer 2110 eingesetzt und das Innere
der Abscheidungskammer mittels einer Entlüftungsvorrichtung (zum Beispiel
einer Vakuumpumpe; nicht gezeigt) evakuiert. Anschließend wird
die Temperatur des zylindrischen Trägermaterials 2112 bei
einer gewünschten
Temperatur von zum Beispiel 200 °C
bis 450 °C,
vorzugsweise von 250 °C
bis 350 °C
mittels der Heizvorrichtung 2113 zum Erhitzen des Trägermaterials
gesteuert. Als nächstes
werden, bevor Materialgase zum Ausbilden des photoempfindlichen
Elements in die Abscheidungskammer 2110 geleitet werden,
Gaszylinderventile 2231 bis 2236 und ein Leckventil 2117 der
Abscheidungskammer überprüft, um sicherzustellen, dass
diese geschlossen sind, und zudem Einflussventile 2241 bis 2246,
Ausflussventile 2251 bis 2256 und ein Hilfsventil 2260 geprüft, um sicherzustellen,
dass diese geöffnet
sind. Dann wird ein Hauptventil 2118 geöffnet, um das Innere der Abscheidungskammer 2110 und
ein Gaszuführungsrohr 2116 zu
evakuieren.
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Danach
werden zu der Zeit, zu der ein Vakuummessgerät 2119 abgelesen worden
war, um einen Druck von ungefähr
0,67 mPa anzuzeigen, das Hilfsventil 2216 und die Ausflussventile 2251 bis 2256 geschlossen.
Danach werden Ventile 2231 bis 2236 geöffnet, so
dass Gase jeweils von Gaszylindern 2221 bis 2226 eingeführt werden,
und jedes Gas wird so gesteuert, dass es einen Druck von 0,2 MPa
besitzt, in dem Drucksteuerungsvorrichtungen 2261 bis 2266 betrieben
werden. Als nächstes
werden die Einflussventile 2241 bis 2246 langsam
geöffnet,
so dass Gase jeweils in Durchflussregler 2211 bis 2216 eingeführt werden.
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Nachdem
die Filmbildung vorbereitet wurde, um als Folge des vorstehenden
Verfahrens zu beginnen, wird die photoleitfähige Schicht zunächst auf
dem zylindrischen Trägermaterial 2112 ausgebildet.
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Das
heißt,
zur Zeit, zu der das zylindrische Trägermaterial 2112 die
gewünschte
Temperatur besaß, wurden
einige notwendige Ausflussventile 2251 bis 2256 und
das Hilfsventil 2260 langsam geöffnet, so dass gewünschte Gase
in die Abscheidungskammer 2110 aus dem Gaszylinder 2221 bis 2226 durch
ein Gaszuführungsrohr 2114 eingeführt wurden.
Als nächstes
wurden die Durchflussregler 2211 bis 2216 betrieben,
so dass jedes Materialgas eingestellt wurde, um bei einer gewünschten
Rate einzuströmen.
In diesem Verlauf wird die Öffnung
des Hauptventils 2118 eingestellt, während die Vakuummessvorrichtung 2119 beobachtet
wird, so dass der Druck innerhalb der Abscheidungskammer 2110 einen
gewünschten
Druck von 13,3 Pa bis 1.330 Pa erreicht. Zu der Zeit, zu welcher
der Innendruck stabil geworden war, wurde eine Hochfrequenz-Spannungsquelle 2120 bei
einer gewünschten
elektrischen Spannung und einer Hochfrequenzenergie mit einer Frequenz von
1 MHz bis 50 MHz, insbesondere 13,56 MHz, zu einer Kathodenelektrode 2111 durch
die Hochfrequenzanpassungsbox 2115 zugeführt, um
eine Hochfrequenz-Glimmentladung zu verursachen. Die Materialgase, die
in die Abscheidungskammer 2110 eingeführt wurden, wurden durch die
so erzeugte Entladungsenergie zersetzt, so dass die gewünschte photoleitfähige Schicht,
die hauptsächlich
aus Siliciumatomen zusammengesetzt war, auf dem zylindrischen Träger 2112 ausgebildet
wurde. Nachdem ein Film mit einer gewünschten Dicke gebildet worden
war, wurden die Zuführung
der RF-Energie angehalten und die Ausstromventile 2251 bis 2256 geschlossen,
um das Einströmen
von Gasen in die Abscheidungskammer 2110 zu beenden. Die
Bildung der photoleitfähigen
Schicht wurde so abgeschlossen.
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Wenn
die beabsichtigte photoleitfähige
Schicht 106 einen vielschichtigen Aufbau besitzt, kann
der ähnliche
Betrieb mehrere Male wiederholt werden, wodurch die gewünschte vielschichtige
Struktur ausgebildet werden kann. Das heißt, es kann zum Beispiel eine
photoleitfähige
a-Si Schicht, welche einen vielschichtigen Aufbau mit den gewünschten
Eigenschaften und einer Schichtdicke für jede Schicht, die aufeinander
folgend auf der Oberfläche
des zylindrischen Trägermaterialfilms
abgeschieden wurden, ausgebildet werden.
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In
dem Fall, in dem die Zwischenschicht 105 auf der photoleitfähigen Schicht 106 wie
in dem Aufbau, der in 1 gezeigt wird, bereitgestellt
wird, kann diese auf die folgende Weise ausgebildet werden: wenn
zum Beispiel eine Reihe von abgeschiedenen a-Si Filmen gemäß dem vorstehend
beschriebenen Verfahren ausgebildet und die Bildung mindestens einer
Schicht des abgeschiedenen a-Si Film abgeschlossen wurde, i) werden,
ohne die Zuführung
von Hochfrequenzleistung anzuhalten und auch ohne die Zuführung von
Materialgasen zu beenden, die Abscheidungsbedingungen kontinuierlich
auf die Bedingungen zum Zuführen
der Hochfrequenzenergie, Gaszusammensetzung und Bedingungen von
Gaszuführungsstromraten
für die
Zwischenschicht 105 geändert,
oder ii) wird die Zuführung
der Hochfrequenzenergie wird ein Mal angehalten, aber unter Bedingungen
einer Hochfrequenz-Spannungszuführung,
welche neu eingestellt werden, wird die Zuführung von Materialgasen von
Zuführungsbedingungen
geändert,
die bei der vorherigen Schichtabscheidung verwendet wurden, und
die Gaszusammensetzung und Zuführungsraten
werden kontinuierlich hiervon zu Zuführungsbedingungen geändert, welche
den gewünschten
Aufbau der Zwischenschicht 105 bereitstellen. So kann ein
Bereich mit einer Zusammensetzungsänderung an der Grenzfläche zwischen
der Zwischenschicht 105 und der photoleitfähigen Schicht 106 ausgebildet
werden. Dies ermöglicht,
dass das Licht davon abgehalten wird, bei dieser Grenzfläche zu reflektieren.
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Die
Filmbildung der Oberflächenschicht
kann grundsätzlich
gemäß der Filmbildung
der photoempfindlichen Schicht durchgeführt werden, bis darauf, dass
ein Kohlenwasserstoffgas wie etwa CH4 oder
C2H6 oder ggf. ein
Verdünnungsgas
wie H2 verwendet werden. Im Fall der a-C
Oberflächenschicht
wird die Trägermaterialtemperatur
bei ungefähr
Raumtemperatur eingestellt und somit das Trägermaterial nicht erhitzt.
In dem Fall, in dem die Zwischenschicht unterhalb der Oberflächenschicht
ausgebildet wird, können
die gewünschten
Gase zugeführt
werden, bevor die Oberflächenschicht
ausgebildet wird, und grundsätzlich
kann das vorstehende Verfahren wiederholt werden.
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So
wird das photoempfindliche Element der vorliegenden Erfindung hergestellt.
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3 veranschaulicht
diagrammartig ein Beispiel für
ein Abscheidungsgerät
zur Herstellung des photoempfindlichen Elements durch VHF Plasma
unterstützte
CVD, die Verwendung von einer VHF-Spannungsquelle macht.
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Dieses
Gerät ist
aufgebaut, indem das Abscheidungssystem 2100, das in 2 gezeigt
wird, durch ein Abscheidungssystem 3100, das in 3 gezeigt
wird, ersetzt wurde.
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Die
Bildung der abgeschiedenen Filme in diesem Gerät durch die VHF Plasma unterstützte CVD
kann grundsätzlich
auf die gleiche Weise wie in dem Fall der RF Plasma unterstützten CVD
ausgeführt
werden. Hierbei wird die Hochfrequenzspannung, die angelegt wird,
aus einer VHF Spannungsquelle mit einer Frequenz von 50 MHz bis
450 MHz, zum Beispiel einer Frequenz von 105 MHz, zugeführt. Der
Druck wird bei ungefähr 13,3
mPa bis 1.330 Pa, das heißt,
einem Druck, der eine wenig niedriger als derjenige in der RF Plasma
unterstützten
CVD ist, gehalten. In diesem Gerät
wird in einem Entladungsraum 3130, der von zylindrischen
Trägermaterialen 3112 umgeben
ist, das hierin zugeführte
Materialgas durch Entladungsenergie angeregt, um sich einer Dissoziation
zu unterziehen und ein gegebener abgeschiedener Film auf jedem zylindrischen
Trägermaterial 3112 ausgebildet.
Hierbei wird das zylindrische Trägermaterial
bei einer gewünschten
Drehgeschwindigkeit mittels einer Trägermaterial-Antriebseinheit 3120 gedreht,
so dass die Schicht gleichförmig
ausgebildet werden kann.
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11 zeigt ein Beispiel einer PCVD (Plasma unterstützte CVD),
die bei der Herstellung des elektrophotographischen photoempfindlichen
Elements gemäß der vorliegenden
Erfindung verwendbar ist. Das in 11 gezeigte
Gerät ist
ein PCVD-Gerät
mit einem gewöhnlichem
Aufbau, der bei der Herstellung von elektrophotographischen photoempfindlichen
Elementen verwendet wird. Dieses PCVD-Gerät
ist aus einem Absetzungssystem 1300, das in 11 gezeigt wird, und einem Materialgaszuführungssystem
und einem Absaugsystem (beide nicht gezeigt) zusammengesetzt.
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Das
Bildungssystem 1300 für
den abgeschiedenen Film besitzt eine Abscheidungskammer 1301,
welche ein vertikales Vakuumrohr ist. In dieser Abscheidungskammer 1301 werden
eine Mehrzahl von Gaseinführungsrohren 1303,
die sich in der vertikalen Richtung erstrecken, um ein zylindrisches
Trägermaterial 1312 herum
bereitgestellt und eine große
Anzahl von winzigen Löchern
in den Seitenwänden
der Gaseinführungsrohre 1303 entlang
deren Längsrichtung
hergestellt. In der Mitte der Abscheidungskammer 1301 ist
eine spiralartig gewundene Heizvorrichtung 1302, die sich
in der vertikalen Richtung erstreckt, bereitgestellt. Das zylindrische Trägermaterial 1312,
das als Trägermaterial
für das
photoempfindliche Element dient, wird in die Abscheidungskammer 1301 eingeschoben,
nachdem dessen Abdeckung 1301a geöffnet wurde, und wird in die
Abscheidungskammer 1301 mit der Heizvorrichtung 1302 darin
eingesetzt. Zudem wird eine Hochfrequenzspannung durch einen Zuführungsanschluss 1304,
der auf einer Seite der Abscheidungskammer 1301 bereitgestellt
ist, angelegt.
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An
dem Boden der Abscheidungskammer 1301 wird eine Materialgaszuführungslinie 1305,
die mit den Gaseinführungsrohren 1303 verbunden
ist, angebracht, und diese Zuführungslinie 1305 mit
dem Materialgaszuführungssystem
(nicht gezeigt) über
ein Zuführungsventil 1306 verbunden.
Ein Absaugrohr 1307 ist auch an dem Boden der Abscheidungskammer 1301 angebracht.
Dieses Absaugrohr 1307 ist mit einer Absaugeinheit (zum
Beispiel Vakuumpumpe; nicht gezeigt) über ein Hauptabsaugventil 1308 verbunden.
An das Absaugventil 1307 werden ferner ein Vakuummessgerät 1309 und
ein Absaugunterventil 1310 angebracht.
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Um
die photoempfindliche a-Si Schicht durch PCVD unter Verwendung des
vorstehenden PCVD-Systems zu bilden, kann dieses zum Beispiel auf
die folgende Weise aufgebaut werden. Zunächst wird das zylindrische
Trägermaterial 1312,
das als das Trägermaterial
des photoempfindlichen Elements dient in die Abscheidungskammer 1301 eingesetzt
und die Oberbedeckung 1301a geschlossen. Danach wird das
Innere der Abscheidungskammer 1301 auf einen Druck eines
gegebenen Drucks oder unterhalb mittels der Absaugeinheit (nicht
gezeigt) evakuiert. Als nächstes
wird unter Fortsetzung der Evakuierung das zylindrische Trägermaterial 1312 von
dem Inneren mittels der Heizvorrichtung 1302 aufgeheizt,
um die Oberflächentemperatur
des zylindrischen Trägermaterials 1312 auf
eine gegebene Temperatur zu steuern, die innerhalb des Bereichs
von 20 °C
bis 450 °C
ausgewählt
ist. Zur der Zeit, zu der die Oberflächentemperatur des zylindrischen
Trägermaterials 1312 die
gegebene Temperatur erreicht hat und stabil geworden ist, werden
die gewünschten
Materialgase in die Abscheidungskammer 1301 durch die Gaseinführungsrohre 1303 eingeführt, während die
Gase auf gegebene Stromraten mittels deren entsprechenden Stromratensteuerungseinheiten
(nicht gezeigt) gesteuert werden. Die Materialgase, die so zugeführt wurden,
werden, nachdem das Innere der Abscheidungskammer 1301 mit
diesen gefüllt
worden ist, durch das Absaugrohr 1307 nach außerhalb
der Abscheidungskammer 1301 geführt.
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Die
Absaugrate wird reguliert und das Vakuummessgerät 1309 überprüft, um sicherzustellen,
dass das Innere der Abscheidungskammer 1301, die so mit
den zugeführten
Materialgasen versorgt wurde, einen gegebenen Druck erreicht hat
und stabil geworden ist. Bei dieser Stufe wird eine Hochfrequenzspannung
in die Abscheidungskammer 1301 bei einem gewünschten
Einlassleistungsniveau aus einer Hochfrequenz-Spannungsquelle (nicht
gezeigt; RF-Band von 13,56 MHz oder VHF-Band von 50 MHz bis 150
MHz) zugeführt,
um eine Glimmentladung in der Abscheidungskammer 1301 hervorzurufen.
Komponenten der Materialgase werden durch die Energie dieser Glimmhentladung
zersetzt, so dass der abgeschiedene a-Si Film, der hauptsächlich aus
Siliciumatomen zusammengesetzt ist, auf der Oberfläche des
zylindrischen Trägermaterials 1312 ausgebildet
wird. Hierbei können
die Parameter Gasspezies, Gaszuführungsmenge,
Gaszuführungsverhältnis, Innendruck
der Abscheidungskammer, Oberflächentemperatur
des Trägermaterials,
Einlassleistungsniveau usw. reguliert werden, um abgeschiedene a-Si
Filme mit verschiedenen Eigenschaften auszubilden. Derartige Abscheidungsbedingungen
und Schichtdicken von abgeschiedenen Filmen können in zweckmäßiger Weise ausgewählt werden,
wodurch das elektrophotographische Leistungsverhalten des photoempfindlichen
Elements mit dem sich ergebenden abgeschiedenen a-Si Film als photoleitfähige Schicht
gesteuert werden kann.
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Zu
der Zeit, zu welcher der abgeschiedene a-Si Film auf der Oberfläche des
zylindrischen Trägermaterials 1312 in
der gewünschten
Schichtdicke gebildet worden ist, werden die Zuführung der Hochfrequenzspannung
angehalten und das Zuführungsventil 1306 usw.
geschlossen, um eine Zuführung
von Materialgasen in die Abscheidungskammer 1301 zu beenden,
so dass die Bildung des a-Si abgeschiedenen Films für eine Schicht
abgeschlossen wird. Wo der beabsichtigte abgeschiedene a-Si Film
einen vielschichtigen Aufbau besitzt, kann das gleiche Verfahren
viele Male wiederholt werden, wodurch der gewünschte vielschichtige Aufbau
ausgebildet werden kann. Das heißt, zum Beispiel kann eine
photoleitfähige
a-Si Schicht ausgebildet werden, welche ein vielschichtiger Aufbau
mit den gewünschten
Eigenschaften und Schichtdicken für jede Schicht, die aufeinander
folgend auf der Oberfläche
des zylindrischen Trägermaterialfilms
abgeschieden wurde, ist.
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In
dem Fall, in dem die Zwischenschicht 605 auf der photoleitfähigen Schicht 602 bereitgestellt
wird, wie in dem Aufbau, der in 6A bis 6C gezeigt
wird, kann dieser auf die folgende Weise gezeigt werden: wenn zum
Beispiel eine Reihe von abgeschiedenen a-Si Filmen gemäß dem vorstehend
beschriebenen Verfahren ausgebildet und die Bildung mindestens einer
Schicht des abgeschiedenen a-Si Filmes abgeschlossen wurde, i) werden,
ohne die Zuführung
der Hochfrequenzleistung anzuhalten und auch ohne die Zuführung von Materialgasen
zu beenden, die Abscheidungsbedingungen kontinuierlich zu Bedingungen
zum Zuführen
der Hochfrequenzleistung, Gaszusammensetzung und Bedingungen der
Gaszuführungsstromraten
für die
Zwischenschicht 605 geändert,
oder ii) wird die Zuführung
der Hochfrequenzspannung ein Mal angehalten, aber unter Bedingungen
der Hochfrequenz-Spannungszuführung,
welche neu eingestellt wurden, werden die Zuführung von Materialgasen mit
Zuführungsbedingungen,
die bei der vorhergehenden Schichtabscheidung verwendet wurden,
begonnen und die Gaszusammensetzung und Flussraten kontinuierlich
ausgehend hiervon zu den Zuführungsbedingungen
geändert,
welche den gewünschten
Aufbau der Zwischenschicht 605 bereitstellen. So kann ein
Bereich mit einer Zusammensetzungsänderung an der Grenzfläche zwischen
der Zwischenschicht 605 und der photoleitfähigen Schicht 602 bereitgestellt
werden. Dies ermöglicht,
dass das Licht davon abgehalten wird, von dieser Grenzfläche zu reflektieren.
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Zudem
wird, wenn die a-C:H Oberflächenschutzschicht
in dem elektrophotographischen photoempfindlichen Element der vorliegenden
Erfindung nach der Oberflächenbearbeitung
ausgebildet wird, das PCVD-Gerät
mit dem in 11 gezeigten Aufbau verwendet.
Das Innere der Abscheidungskammer 1301 wird einmal auf
ein hohes Vakuum evakuiert und danach das gegebene Materialgas,
zum Beispiel das Kohlenwasserstoffgas wie etwa CH4,
C2H6, C3H8 oder C4H10, und gegebenenfalls das Materialgas, wie
etwa Wasserstoffgas, Heliumgas oder Argongas, die durch eine Mischkonsole
(nicht gezeigt) gemischt worden sind, in die Abscheidungskammer 1301 durch
das Materialgaszuführungsrohr 1305 zugeführt. Zudem
werden die Flussraten der jeweiligen Materialgase mittels der Durchflussregler
(nicht gezeigt) eingestellt, um so zu den gewünschten Flussraten zu kommen.
Währenddessen
wird die Absaugrate derart reguliert, das der Innendruck der Abscheidungskammer 1301 auf
einen gegebenen Druck kommt, der bei 133,3 Pa oder darunter ausgelegt
ist, wobei der Innendruck mit der Vakuummessvorrichtung 1309 überwacht
wird. Nachdem sichergestellt wurde, dass der Innendruck der Abscheidungskammer 1301 stabil
geworden ist, wird eine Hochfrequenzspannung, die auf ein gewünschtes
Zuführungsleistungsniveau
eingestellt wurde, mit einer Hochfrequenzspannungsenergie (nicht
gezeigt) zu dem Inneren der Abscheidungskammer 1301 durch
den Zuführungsanschluss 1304 versorgt,
um eine Hochfrequenz-Glimmentladung zu verursachen. Hierbei wird
eine Hochfrequenzanpassungsbox (nicht gezeigt) derart eingestellt,
dass jegliche Reflexionswelle minimal wird, so dass der Wert, der
durch Subtrahieren der reflektierten Energie von der eingegebenen
Energie bzw. Einlassleistung der Hochfrequenzspannung gefunden wurde
(das heißt,
das effektive Zuführungsleistungsniveau),
auf den gewünschten
Wert eingestellt wird. Die Materialgase wie etwa Kohlenwasserstoffgas,
das in die Abscheidungskammer 1301 eingeführt wurde,
werden durch die Entladungsenergie der Hochfrequenzenergie zersetzt,
so dass der angegebene abgeschiedene a-C:H Film auf der photoleitfähigen Schicht 102 oder
der Zwischenschicht 105 ausgebildet wird. Nachdem der Film
mit der gewünschten
Dicke gebildet worden ist, wird die Zuführung der Hochfrequenzenergie
angehalten und die Materialgase davon abgehalten, in die Abscheidungskammer 1301 eingeführt zu werden,
wo das Innere der Abscheidungskammer 1301 auf ein hohes
Vakuum evakuiert wird, wobei so die Bildung der Oberflächenschutzschicht
abgeschlossen wird.
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In
dem Bildungsschritt für
den abgeschiedenen Film, der vorstehend beschrieben wurde, können:
- i) die Flussratenverteilung in der Längsrichtung
der Gaseinführungsrohre 1303 im
Hinblick auf die Materialgase, die in die Abscheidungskammer 1301 durch
die winzigen Löcher,
die in der Längsrichtung
der Gaseinführungsrohre 1303 verteilt
sind, eingeführt
werden,
- ii) die Rate des Ausflusses (Absaugrate) von Abgas aus dem Absaugrohr,
- iii) die Entladungsenergie usw. so gesteuert werden, dass die
Verteilung der Zusammensetzung usw. des abgeschiedenen a-Si Films
in dessen Längsrichtung
des zylindrischen Trägermaterials 1312 gleichförmig gesteuert
werden können.
So kann die Gleichförmigkeit
des elektrophotographischen Leistungsverhaltens des erhaltenen photoempfindlichen
Elements gesteuert werden.
-
Wasserwaschsystem gemäß der vorliegenden
Erfindung
-
Hinsichtlich
des Waschens mit Wasser ist dieses in dem japanischen Patent Nr.
2786756 (das dem US-Patent Nr. 5,314,780 entspricht) offenbart.
Ein Beispiel für
das Wasserwaschsystem (Waschvorrichtung) gemäß der vorliegenden Erfindung
wird in 4 gezeigt.
-
Das
Waschsystem, das in 4 gezeigt wird, besteht aus
einem Behandlungsabschnitt 402 und einem Transportmechanismus 403 für das Behandlungszielelement
(Element, das behandelt wird). Der Behandlungsabschnitt 402 besteht
aus einem Zuführungsgestell 411 für das Behandlungszielelement,
einer Waschkammer 441 für
das Behandlungszielelement, einer Reinwasserkontaktkammer 431,
einer Trocknungskammer 441 und einer Beförderungshalterung 451 für das Behandlungszielelement.
Die Waschkammer 421 und die Reinwasserkontaktkammer 431 sind
beide mit Temperatursteuerungseinheiten (nicht gezeigt) zum Konstanthalten
der Flüssigkeitstemperatur
ausgestattet. Der Transportmechanismus 403 besteht aus
einer Transportschiene 465 und einem Transportarm 461,
und der Transportarm 461 besteht aus einem Bewegungsmechanismus 462,
welcher sich auf der Schiene 465 bewegt, einem Ansaugmechanismus 463,
welcher ein Trägermaterial 401 mit
einer leitfähigen
Oberfläche
hält, und
einem Luftzylinder 464 zum Auf- und Abbewegen des Ansaugmechanismus 463.
Das Behandlungszielelement 401, das auf dem Zuführungsgestell 411 platziert ist,
wird zu der Waschkammer 421 mittels des Transportmechanismus 403 transportiert.
Jegliches Öl
und Pulver, das an der Oberfläche
anhaftet, werden in der Waschkammer 421 durch eine Ultraschallbehandlung,
die in einer Waschflüssigkeit 422 durchgeführt wird,
welche eine wässrige
Lösung
eines oberflächenaktiven
Mittels umfasst, weggewaschen. Als nächstes wird das Behandlungszielelement 401 zu
der Reinwasserkontaktkammer 431 mittels des Transportmechanismus 403 getragen,
wo reines Wasser mit einem spezifischen Widerstand von 175 kΩ·m (17,5
MΩ·cm), das
bei einer Temperatur von 25 °C
gehalten wird, gegen dieses aus einer Düse 432 bei einem Druck
von 4,9 MPa (50 kgf/cm2) gesprüht wird.
Das Behandlungszielelement 401, für welches der Schritt des Reinwasserkontaktes
beendet worden ist, wird zu der Trocknungskammer 441 mittels
des Transportmechanismus 403 bewegt, wo Hochtemperatur-Hochdruckluft
gegen dieses aus einer Düse 442 geblasen
wird, so dass das Behandlungszielelement getrocknet wird. Das Behandlungszielelement 401,
für welches
der Schritt des Trocknens beendet worden ist, wird zu der Beförderungshalterung 451 mittels
des Transportmechanismus 403 getragen.
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Elektrophotographisches
Gerät gemäß der vorliegenden
Erfindung
-
Ein
Beispiel für
ein elektrophotographisches Gerät,
das Verwendung von dem elektrophotographischen photoempfindlichen
Element der vorliegenden Erfindung macht, wird in 5 gezeigt.
Das Gerät
dieses Beispiels ist geeignet, wenn ein zylindrisches elektrophotographisches
photoempfindliches Element verwendet wird. Das elektrophotographische
photoempfindliche Element der vorliegenden Erfindung ist in keiner
Weise auf dieses Beispiel begrenzt, und das photoempfindliche Element
kann jegliche gewünschte
Gestalt, wie etwa die Gestalt eines endlosen Bandes, besitzen.
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In 5 bezeichnet
Bezugszeichen 504 das elektrophotographische photoempfindliche
Element, auf welches in der vorliegenden Erfindung Bezug genommen
wird. Bezugszeichen 505 bezeichnet eine primäre Aufladeeinheit,
welche Aufladen durchführt,
um ein elektrostatisches latentes Bild auf dem photoempfindlichen Element 504 zu
erzeugen. In 5 wird eine Korona-Aufladeeinheit
veranschaulicht. Die Aufladeeinheit kann jedoch eine Kontakt-Aufladeeinheit
sein, wie in der veröffentlichten
japanischen Patentanmeldung Nr. 63-210864 offenbart wird. Bezugszeichen 506 bezeichnet
eine Entwicklungseinheit zum Zuführen
eines Entwicklungsmittels (Toners) 506a auf das photoempfindliche
Element 504, auf welchem das elektrostatische latente Bild
erzeugt worden ist. Bezugszeichen 507 bezeichnet eine Übertragungs-Aufladeeinheit zum Übertragen
des Toners auf der Oberfläche
des photoempfindlichen Elements auf ein Übertragungsmedium. In 5 wird
eine Korona-Aufladeeinheit veranschaulicht. Die Übertragungs-Aufladeeinheit
kann jedoch eine Walzenelektrode sein, wie in der veröffentlichten
japanischen Patentanmeldung Nr. 62-175781 offenbart wird. Bezugszeichen 508 bezeichnet
eine Reinigungsvorrichtung, mit welcher die Oberfläche des
photoempfindlichen Elements gereinigt wird. In diesem Beispiel wird,
um gleichförmiges
Reinigen der Oberfläche
des photoempfindlichen Elements effektiv durchzuführen, das
photoempfindliche Element mittels einer elastischen Walze 508-1 und
einer Reinigungsklinge 508-2 gereinigt. Jedoch kann auch
ein anderer Aufbau entworfen werden, in welchen nur eines von diesen
oder die Reinigungsvorrichtung 508 selbst nicht bereitgestellt
wird. Bezugszeichen 509 und 510 bezeichnen jeweils
einen AC-Ladungseliminator und eine Ladungseliminierungslampe zum
Eliminieren von elektrischen Ladungen von der Oberfläche des
photoempfindlichen Elements, um so für den nächsten Kopiervorgang vorbereitet
zu sein. Natürlich
kann auch ein anderer Aufbau entworfen werden, in welchen eines
von diesen nicht oder beide bereitgestellt werden. Bezugszeichen 513 bezeichnet
ein Transfermedium, wie etwa Papier. Bezugszeichen 514 bezeichnet
eine Zuführungswalze
für das Übertragungsmedium. Als
eine Lichtquelle A zur Belichtung wird eine Halogenlichtquelle oder
eine Lichtquelle, wie etwa Laser oder LED mit hauptsächlich einer
einzelnen Wellenlänge
verwendet.
-
Unter
Verwendung eines derartigen Geräts
werden kopierte Bilder zum Beispiel auf die folgende Weise erzeugt.
-
Zunächst wird
das elektrophotographische photoempfindliche Element 504 in
der Richtung eines Pfeils bei einer gegebenen Geschwindigkeit gedreht
und die Oberfläche
des photoempfindlichen Elements 504 gleichförmig mittels
der primären
Aufladeeinheit 505 aufgeladen. Als nächstes wird die so aufgeladene
Oberfläche
des photoempfindlichen Elements 504 einer Belichtung A
für ein Bild
unterzogen, um ein elektrostatisches latentes Bild des Bildes auf
der Oberfläche
des photoempfindlichen Elements 504 zu erzeugen. Dann wird,
wenn die Oberfläche
des photoempfindlichen Elements 504 an dessen Teil, an
dem das elektrostatische latente Bild erzeugt wurde, den Teil durchläuft, der
mit der Entwicklungseinheit 506 ausgestattet ist, der Toner zur
Oberfläche
des photoempfindlichen Elements 504 mittels der Entwicklungseinheit 506 zugeführt und
das elektrostatische latente Bild als Bild, das aus dem Toner 506a gebildet
wurde (Tonerbild), sichtbar gemacht (entwickelt). Wenn das photoempfindliche
Element 504 weiter gedreht wird, erreicht dieses Tonerbild
den Teil, der mit der Übertragungs-Aufladeeinheit 507 ausgestattet
ist, wo dieses auf das Übertragungsmedium 513 übertragen
wird, das mittels der Zuführungswalze 514 weiterbefördert wird.
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Nachdem
die Übertragung
abgeschlossen worden ist, wird zur Vorbereitung für den nächsten Kopierschritt
die Oberfläche
des photoempfindlichen Elements 504 gereinigt, um Resttoner
hiervon mittels der Reinigungsvorrichtung 508 zu entfernen,
und ferner einer Ladungseliminierung mittels des Ladungseliminators 509 und
der Ladungseliminierungslampe 510 unterzogen, um so das
Potential der Oberfläche
Null oder fast Null zu machen. So wird der erstmalige Kopierschritt
abgeschlossen.
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Die 6A bis 6C zeigen
diagrammartig ein Beispiel der Konstruktion des elektrophotographischen
photoempfindlichen Elements gemäß der vorliegenden
Erfindung, insbesondere seine Struktur der Vorsprünge, welche
zum Zeitpunkt der Abscheidung auftreten.
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In
dem Beispiel der Konstruktion, die in den 6A bis 6C gezeigt
wird, weist das elektrophotographische photoempfindliche Element
eine Vielschichtstruktur auf, in welcher auf einem zylindrischen
Trägermaterial 601,
das zum Beispiel aus einem leitfähigen
Material wie Aluminium oder rostfreiem Stahl gebildet wurde, eine
photoleitfähige
Schicht 602, die in dem ersten Schritt gebildet wurde,
und eine Oberflächenschutzschicht 603,
die in dem dritten Schritt gebildet wird, auf die in dieser Abfolge
abgeschieden werden. Zusätzlich zu
diesen zwei wesentlichen konstituierenden Schichten, das heißt, der
photoleitfähigen
Schicht 602 und der Oberflächenschutzschicht 603,
kann das elektrophotographische photoempfindliche Element der vorliegenden Erfindung
optional mit verschiedenen funktionellen Schichten wie einer Zwischenschicht 605,
welche zwischen der photoleitfähigen
Schicht 602 und der Oberflächenschutzschicht 603 bereitgestellt
ist, und einer Ladungseinspritzungs-Sperrschicht (nicht gezeigt),
welche zwischen dem Trägermaterial 601 und
der photoleitfähigen Schicht 602 bereitgestellt
ist, versehen sein. In dem Beispiel der Konstruktion, die in den 6A bis 6C gezeigt
wird, wird die Zwischenschicht 605 bereitgestellt und die
Zwischenschicht 605 zum Beispiel in dem ersten Schritt
nachfolgend zu der Bildung der photoleitfähigen Schicht 602 abgeschieden.
Ebenso ist ein Vorsprung 604 der Vorsprung, welcher für photoempfindliche
a-Si Elemente spezifisch ist, der von Kernen herrührend auftritt,
die extrinsisch in dem Schritt des Bildens der photoleitfähigen Schicht 602 aufgewachsen
wurden.
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6A ist eine diagrammartige Querschnittsansicht
des Vorsprungs in einem Zustand, in dem die Zwischenschicht 605 nachfolgend
zu der photoleitfähigen
Schicht 602 gebildet wurde. Das Material des Vorsprungs 604 ist
im Wesentlichen das gleiche wie das der umgebenden photoleitfähigen Schicht 602.
Die Zwischenschicht 605 steht so gebildet, dass sie sich
in der Form des Vorsprungs auf den Oberflächen der photoleitfähigen Schicht 602 und
des Vorsprungs 604 erstreckt. 6B zeigt
diagrammartig einen Zustand, in dem der abgeschiedene Film, welcher
als Zwischenschicht 605 gebildet wurde, einer Oberflächenbearbeitung,
das heißt
in diesem Beispiel Polieren, um die Spitze des Vorsprungs 604 zu
entfernen, die aus der Oberfläche
herausragt, unterzogen wurde, so dass die Oberfläche geglättet wird.
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6C zeigt einen Zustand, in dem die Oberflächenschutzschicht 603 auf
der Oberfläche
gebildet wurde, und, wie in 6B gezeigt
wird, so steht, wobei diese der Oberflächenbearbeitung unterzogen
wurde. Wie in diesem Beispiel gezeigt wird, befindet sich die Oberflächenschutzschicht,
die auf der Oberfläche
abgeschieden wurde, die der Oberflächenbearbeitung zum Glätten der
Oberfläche
unterzogen wurde, in einem Zustand, in dem sie die gesamte Oberfläche gleichmäßig bedeckt,
und an der äußeren Oberfläche wird
der a-C:H Film in im Wesentlichen der gleichen Dicke in jedem Anteil
gebildet.
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In
dem zweiten Schritt, wenn der Film der Oberflächenbearbeitung, zum Beispiel
dem Polieren, unterzogen wird, ist es ebenso bevorzugt, die Oberflächenbearbeitung
in einer Umgebung, wie in einem Vakuum, auszuführen, welche keinerlei Oxidation
hervorruft, um jegliche Oberflächenoxidation
am Auftreten nach der Bearbeitung zu hindern. Gewöhnlicher
Weise weist jedoch die Oxidation, welche die Oberflächenbearbeitung begleiten
kann, nur einen geringen Einfluss auf. Vorausgesetzt, dass eine
Oberflächenbearbeitungs-Einrichtung
verwendet wird, welche vor jeglichem Einfluss der Oxidation gehütet werden
muss, kann die bearbeitete Oberfläche danach gewaschen werden,
bevor die Oberflächenschicht 603 gebildet
wird. Alternativ kann direkt vor ihrer Bildung die Oberfläche einem Ätzen unterzogen
werden. Auf diese Weise kann jeglicher Einfluss von Oxidation in
großem
Maße verringert
werden. Demzufolge ist es für
die Oberflächenbearbeitung
weniger notwendig, in Vakuum ausgeführt zu werden, und es ist möglich, diese
in der Atmosphäre
auszuführen.
Ebenso ist es vom Standpunkt eines Vorteils, dass verschiedene Oberflächenbearbeitungs-Einrichtungen
verwendet werden können,
für diese
eher bevorzugt, in der Atmosphäre
ausgeführt
werden zu können.
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Die
Oberflächenbearbeitung
wird ausgeführt,
um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu
entfernen, die aus der Oberfläche
herausragen, so dass die Oberfläche
geglättet
wird. Eine Poliereinrichtung ist eine bevorzugte Einrichtung. Eine Ätzeinrichtung
jedoch kann ebenso verwendet werden, welche selektiv die Vorsprünge entfernen
kann. Verglichen mit normalen Bereichen sind solche Vorsprünge jene,
welche als Ergebnis jeglicher lokaler Unterschiede in der Abscheidungsrate
gebildet wurden, und daher sind sie in einem Sinn strukturell unterschiedlich
in ihrer Natur. Unter Ausnutzung eines solchen Unterschiedes können die Ätzbedingungen
so ausgewählt
werden, dass die Bedingungen festgesetzt werden können, unter
welchen die Ätzrate
selektiv an dem Anteil der Vorsprünge hoch sein kann. Gemäß solcher
struktureller selektiver Ätzbedingungen
können
die Spitzen der Vorsprünge 604,
welche aus der Oberfläche
herausragen, entfernt werden, so dass die Oberfläche durch Festsetzen der Bedingungen,
unter welchen nur der Anteil der Vorsprünge schnell weggeätzt wird,
geglättet
werden. Andererseits kann das Ätzen
nur leicht an dem Anteil der normalen Bereiche fortschreiten.
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Oberflächenpoliergerät, das in
dem Herstellungsverfahren für
das elektrophotographische photoempfindliche Element der vorliegenden
Erfindung verwendet wird.
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7 zeigt
ein Oberflächenpoliergerät, das in
dem Herstellungsverfahren für
das elektrophotographische photoempfindliche Element der vorliegenden
Erfindung verwendet wird, wenn die Oberflächenbearbeitung ausgeführt wird,
genauer angegeben ein Beispiel eines Oberflächenpoliergeräts, das
verwendet wird, wenn das Polieren als Oberflächenbearbeitung ausgeführt wird. In
dem Beispiel der Konstruktion des Oberflächenpoliergeräts, das
in 7 gezeigt wird, ist ein zu bearbeitendes Zielelement
oder ein Bearbeitungs-Zielelement 700 (die
Oberfläche
des abgeschiedenen Films auf dem zylindrischen Trägermaterial)
das zylindrische Trägermaterial
auf der Oberfläche,
auf welcher die photoleitfähige
a-Si Schicht und optional die Zwischenschicht abgeschieden wurde/wurden.
Dies wird an einem elastischen Trägermechanismus 720 befestigt. In
dem in 7 gezeigten Gerät wird zum
Beispiel ein Luftdruckhalter als elastischer Trägermechanismus 720 verwendet.
Spezieller ausgedrückt
wird ein Luftdruckhalter verwendet, der von Bridgestone Corporation
hergestellt wurde (Handelsname: AIR PICK: Modell: PO45TCA*820).
Eine elastische Druckwalze 730 wird gegen die Oberfläche der
photoleitfähigen
a-Si Schicht oder der Zwischenschicht des Bearbeitungs-Zielelements 700 über ein
Polierband 731 gepresst, das um die Walze gelegt ist. Das
Polierband 731 wird von einer Abwickelwalze 732 zugeliefert
und auf eine Aufwickelwalze 733 aufgewickelt. Dessen Zuliefergeschwindigkeit
und ebenso dessen Spannung werden durch eine Zulieferwalze 734 mit
konstanter Rate und eine Andruckwalze 735 (capstan roller)
reguliert. Als Polierband 731 kann gewöhnlicher Weise ein Band verwendet
werden, das Läppband
genannt wird. Wenn die photoleitfähige a-Si Schicht oder die
Zwischenschicht der Oberflächenbearbeitung
unterzogen wird, kann ein Läppband
verwendet werden, in welchem SiC, Al2O3, Fe2O3 oder
dergleichen als abrasive Körner
verwendet werden. Spezieller ausgedrückt wird ein Läppband LT-C2000,
erhältlich von
Fuji Photo Film Co., Ltd., verwendet.
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Die
elastische Druckwalze 730 weist ihren Walzenteil aus einem
Material wie Neoprenkautschuk oder Siliconkautschuk auf mit einer
JIS Kautschukhärte
in dem Bereich von 20 bis 80 und bevorzugt einer JIS Kautschukhärte in dem
Bereich von 30 bis 40. Das Walzenteil kann ebenso bevorzugt eine
solche Form haben, dass es einen Durchmesser aufweist, welcher im
mittleren Abschnitt größer ist
als an den beiden Enden, bevorzugt mit zum Beispiel einem Durchmesserunterschied
zwischen diesen in dem Bereich von 0,0 mm bis 0,6 mm und insbesondere
in dem Bereich von 0,2 mm bis 0,4 mm. Die elastische Druckwalze 730 wird
gegen das Bearbeitungs-Zielelement 700 (die Oberfläche des
abgeschiedenen Films auf dem zylindrischen Trägermaterial), welches gedreht
wird, mit einem Druck in dem Bereich von 0,5 kg Last pro cm2 bis 2,0 kg Last pro cm2 gepresst,
währenddessen
das Läppband 731,
zum Beispiel das vorstehende Läppband,
zwischen diesen zum Polieren der Oberfläche des abgeschiedenen Films
zugeführt
wird.
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Wo
das Oberflächenpolieren
in Atmosphäre
ausgeführt
wird, kann ebenso eine Einrichtung zum Nasspolieren wie Schwabbeln
(buffing) neben den vorstehenden Einrichtungen verwendet werden,
welche Verwendung von dem Polierband machen. Ebenso kann, wenn diese
Einrichtung des Nasspolierens verwendet wird, der Schritt des Entfernens
einer Flüssigkeit,
welche zum Polieren verwendet wird, durch Waschen nach dem Polierschritt
bereitgestellt werden. In einem solchen Fall kann eine Behandlung,
in welcher die Oberfläche
in Kontakt mit Wasser zum Waschen der Oberfläche gebracht wird, ebenso in
Kombination ausgeführt
werden. Vakuumoberflächenpoliergerät, das in
dem Herstellungsverfahren für
das elektrophotographische photoempfindliche Element der vorliegenden
Erfindung verwendet wird.
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8 zeigt
ein Beispiel eines Oberflächenpoliergeräts, das
in dem Herstellungsverfahren für
das elektrophotographische photoempfindliche Element der vorliegenden
Erfindung verwendet wird, wenn die Oberflächenbearbeitung ausgeführt wird,
spezieller ausgedrückt
ein Beispiel eines Vakuumoberflächenpoliergeräts, das
verwendet wird, wenn das Polieren als Oberflächenbearbeitung ausgeführt wird.
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Das
Vakuumoberflächenpoliergerät, das in 8 gezeigt
wird, weist im Wesentlichen die gleiche Konstruktion wie das in 7 gezeigte
Oberflächenpoliergerät in Bezug
auf seine Poliersektion selbst mit der Ausnahme auf, dass, um das
Polieren in Vakuum auszuführen,
die Poliersektion in einem Vakuumbehälter 800 gehalten
und ein Transportmechanismus zugeführt wird, mit welchem ein Bearbeitungs-Zielelement 801 in
Vakuum transportiert werden kann.
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In 8 kann
der Vakuumbehälter 800 mit
Hilfe eines Evakuiersystems (nicht gezeigt) evakuiert werden, welches
mit einem Absaugrohr 850 verbunden ist, das mit einem Absaugventil 851 versehen
ist. Der Vakuumbehälter 800 ist
ebenso mit einem Absperrhahn 810 an einer Öffnung versehen,
durch welche das Bearbeitungs-Zielelement 801 hinein und
hinaus gebracht wird. Es ist ferner mit einer Verbindung 811 für den Transportmechanismus
versehen, die ein Absaugrohr 812 aufweist, das mit einem
Absaugventil 813 versehen ist, wobei die Verbindung mit
dem Absperrventil 810 verbunden ist.
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Das
Bearbeitungs-Zielelement 801 (die Oberfläche des
abgeschiedenen Films auf dem zylindrischen Trägermaterial), auf welchem in
dem Bildungsgerät
für den
abgeschiedenen Film die photoleitfähige a-Si Schicht und optional
die Zwischenschicht gebildet wurde/wurden, wird in dem Zustand unter
Vakuum ein Mal von dem Bildungsgerät für den abgeschiedenen Film in
einem Transportbehälter 860 mit
einem Absperrventil 861 eingeführt. Der gesamte Transportbehälter 860,
der unter Vakuum gehalten wird, wird bewegt und von dem Bildungsgerät für den abgeschiedenen
Film zu dem Abshcnitt des Vakuumpoliergeräts transportiert. Das Absperrventil 861 ist
mit der Verbindung 811 für den Transportmechanismus
verbunden, und dann wird das Innere der Verbindung 811 für den Transportmechanismus
auf einen festgesetzten Grad des Vakuums (Druck) mit Hilfe eines
Evakuierungssystems (nicht gezeigt) evakuiert, das mit dem Absaugrohr 812 verbunden
ist. Danach werden die Absperrventile 810 und 861 geöffnet, um
das Bearbeitungs-Zielelement 801 (die
Oberfläche des
abgeschiedenen Films auf dem zylindrischen Trägermaterial) von dem Transportbehälter 860 zu
der Poliersektion im Inneren des Vakuumbehälters 800 zu bewegen
und darin einzusetzen. Spezieller ausgedrückt wird das Bearbeitungs-Zielelement 801 in
die Nähe
der Festsetzungsposition bewegt, die in 8 gezeigt wird,
und dann mit einem Luftdruckhalter 820 gehalten.
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Das
Bearbeitungs-Zielelement 801 wird mit einem elastischen
Trägermechanismus 820 gehalten,
wie durch den Luftdruckhalter 820 exemplarisch dargestellt
wird, spezieller ausgedrückt
wird ein Luftdruckhalter, der von Bridgestone Corporation hergestellt
wurde (Handelsname: AIR PICK; Modell: PO45TCA*820) verwendet. Eine
elastische Druckwalze 830 wird gegen die Oberfläche der
photoleitfähigen
a-Si Schicht oder der Zwischenschicht des Bearbeitungs-Zielelements 800 über ein
Polierband 831 gepresst, welches um die Walze gelegt ist.
Das Polierband 831 wird von einer Abwickelwalze 832 zugeliefert
und auf eine Aufwickelwalze 833 aufgewickelt. Dessen Zuliefergeschwindigkeit
und ebenso dessen Spannung werden durch eine Zulieferwalze 834 mit
konstanter Rate und eine Andruckwalze 835 (capstan roller)
reguliert. Als Polierband 831 wird ein Band bevorzugt verwendet,
welches gewöhnlicher
Weise Läppband
genannt wird. Wenn die photoleitfähige a-Si Schicht oder die
Zwischenschicht der Oberflächenbearbeitung
unterzogen wird, kann ein Läppband
verwendet werden, in welchem SiC, Al2O3, Fe2O3 oder
dergleichen als abrasive Körner
verwendet werden. Spezieller ausgedrückt wird ein Läppband LT-C2000,
erhältlich
von Fuji Photo Film Co., Ltd. verwendet.
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Die
elastische Druckwalze 830 weist ihren Walzenteil aus einem
Material wie Neoprenkautschuk oder Siliconkautschuk auf mit einer
JIS-Kautschukhärte
in dem Bereich von 20 bis 80 und bevorzugt einer JIS-Kautschukhärte in dem
Bereich von 30 bis 40. Das Walzenteil kann ebenso bevorzugt eine
solche Form haben, dass es einen Durchmesser aufweist, welcher im
mittleren Abschnitt größer ist
als an beiden Enden, bevorzugt mit zum Beispiel einem Durchmesserunterschied
zwischen diesen in dem Bereich von 0,0 mm bis 0,6 mm und insbesondere
bevorzugt in dem Bereich von 0,2 mm bis 0,4 mm. Die elastische Druckwalze 830 wird
gegen das Bearbeitungs-Zielelement 800 (die Oberfläche des
abgeschiedenen Films auf dem zylindrischen Trägermaterial), welches gedreht
wird, mit einem Druck in dem Bereich von 0,5 kg Last pro cm2 bis 2,0 kg Last pro cm2 gepresst,
währenddessen
das Läppband
831, zum Beispiel das vorstehende Läppband, zwischen diesen zum
Polieren der Oberfläche
des abgeschiedenen Films zugeführt
wird.
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Nach
dem Polieren wird das Bearbeitungs-Zielelement abgenommen und zur
Außenseite
des Vakuumbehälters 800 über den
Transportbehälter 860 durch
die genau entgegen gesetzte Operation des Einbringens und Festsetzens
des Bearbeitungs-Zielelements
geliefert. Danach wird ein Nachschritt, zum Beispiel das vorstehende
Waschen mit Wasser, ausgeführt,
welcher nachfolgend zu diesem Schritt der Oberflächenbearbeitung ausgeführt wird.
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Einrichtung
durch welche das Oberflächenprofil
vor und nach der Oberflächenbearbeitung
in dem Herstellungsverfahren für
das elektrophotographische photoempfindliche Element der vorliegenden
Erfindung sichergestellt wird.
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In
dem elektrophotographischen photoempfindlichen Element der vorliegenden
Erfindung wird die Oberflächenschutzschicht
auf der Oberfläche
der photoleitfähigen
Schicht oder der Zwischenschicht abgeschieden, welche der Oberflächenbearbeitung
unterzogen wurden. Hier ist ein Zustand bevorzugt, in welchem als
Ergebnis der Oberflächenbearbeitung,
zum Beispiel des Polierens, die Oberfläche nur an den Anteilen der Vorsprünge selektiv
bearbeitet (poliert) und im Wesentlichen an dem Anteil der normalen
Bereiche mit Ausnahme der vorherigen nicht bearbeitet (poliert)
wurde. Spezieller ist es bevorzugt, dass die Spitzen der ungewünschten
Vorsprünge
durch selektives Bearbeiten (Polieren) entfernt werden, so dass
die Oberfläche
geglättet
wird, aber an dem Anteil der normalen Bereiche mit Ausnahme dieser
gibt es keinen Bearbeitungsschaden auf einem atomaren Niveau, welcher
durch das Bearbeiten (Polieren) hervorgerufen werden und ein Faktor von
lokalisierten Dehnungs- oder Oberflächen- (Grenzflächen-) Niveaus
sein kann.
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Mikroskopische Änderungen
im Oberflächenzustand
vor und nach dieser Oberflächenbearbeitung
unterscheiden sich von jeglicher makroskopischer OberflächenRauhigkeit,
und Änderungen
des mikroskopischen Oberflächenprofils
müssen
beobachtet werden. Die Auswertungen solcher Änderungen des mikroskopischen
Oberflächenprofils
können
geeignete Bedingungen in Bezug auf die Oberflächenbearbeitungs-Bedingungen in dem
Herstellungsverfahren für
das elektrophotographische photoempfindliche Element der vorliegenden
Erfindung bereitstellen.
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Spezieller
ausgedrückt
ist es als Einrichtung zum Sicherstellen der Tatsache bevorzugt,
dass es keine wesentliche Änderungen
im Oberflächenzustand
an dem Anteil der normalen Bereiche vor und nach der Oberflächenbearbeitung
gibt, die Änderungen
der Oberfläche
auf einem atomaren Niveau mit Hilfe von zum Beispiel einem Rasterkraftmikroskop
(AFM) zu untersuchen, spezieller mit einem kommerziell erhältlichen
Rasterkraftmikroskop (AFM) Q-Scope 250, hergestellt von
Qesant Co. Der Grund, warum eine Beobachtungseinrichtung verwendet
wird, welche eine so hohe Auflösung
aufweist, wie sie das Rasterkraftmikroskop (AFM) benötigt, ist,
dass zum Sicherstellen der Anwesenheit von jeglicher Änderung
an dem Anteil der normalen Bereiche, wie sie von der Oberflächenbearbeitung,
zum Beispiel dem Polieren, herrühren,
was wichtiger ist, keinerlei Rauhigkeit in der Größenordnung
von hunderten von Nanometer (nm) zu beobachten, welches durch die Oberfläche des
verwendeten zylindrischen Trägermaterials
selbst beeinflusst wird, aber feinere Rauhigkeit zu beachten, welche
vom Charakter des abgeschiedenen Films selbst wie der photoleitfähigen Schicht
oder der Zwischenschicht, herrührt
und seine Änderungen
exakt zu beobachten.
-
Eine
solche feine Rauhigkeit kann mit einer Präzision und guten Reproduzierbarkeit
zum Beispiel mit dem RFM durch Verengen des Bereiches der Messung
auf 10 μm × 10 μm und ebenso
Vermeiden jeglichen systematischen Fehlers gemessen werden, welcher
eine Krümmungsneigung
der Probenoberfläche
selbst zuzuschreiben ist. Spezieller ausgedrückt kann als Messmodus des
vorstehenden Q-Scope 250, hergestellt von Quesant Co.,
der Neigungsentfernungsmodus ausgewählt werden, und, nachdem die
Krümmung
einer AFM-Aufnahme der Probe an eine Parabel angeglichen wurde,
es geglättet
wird, um eine Korrektur auszuführen
(parabolische Korrektur). Die Oberflächenform des elektrophotographischen
photoempfindlichen Elements nimmt als Ganzes eine zylindrische Form
an, und daher ist das vorstehende Verfahren zur Betrachtung, welches
Verwendung der vorstehenden Glättungskorrektur
macht, ein bevorzugtes Verfahren. Wenn jegliche Neigung in dem gesamten
Bild verbleibt, kann die Korrektur zum Entfernen der Neigung weiter
ausgeführt
werden (Linie pro Linie Korrektur). Auf diese Weise kann die Neigung
der Probenoberfläche
geeignet in dem Bereich korrigiert werden, der keinerlei Verzerrung
in den Daten hervorruft. Dies ermöglicht den Auszug nur der gewünschten
Information über
die feinere Rauhigkeit, welche vom Charakter des abgeschiedenen
Films selbst herrührt.
-
9 zeigt
ein Beispiel von Bildern, welche durch AFM-Betrachtung einer Oberfläche eines
abgeschiedenen Films erhalten wurden, die durch Ausführen der
wie vorstehend beschriebenen Korrektur erhalten wurden. In dem elektrophotographischen
photoempfindlichen Element der vorliegenden Erfindung ist eine photoleitfähige a-Si-Schicht oder eine
Zwischenschicht selbst ein amorpher abgeschiedener Film, und dessen Anteil
des normalen Bereiches zeigt ursprünglich eine natürliche und
leichte Unebenheit, wie durch den Buchstabe A in 9 gezeigt
wird. Daher ist es bevorzugt, dass die Oberfläche der photoleitfähigen Schicht
oder der Zwischenschicht, welche der vorstehenden Oberflächenbearbeitung
unterzogen wurde, ebenso diesen Zustand erhalten, das heißt, die
Oberfläche
wird mit einem Profil gehalten, das ebenso durch den Buchstabe A
in 9 exemplarisch dargestellt wird. Es gibt kein
spezielles Problem, selbst wenn die Oberflächenbearbeitung auf einem höheren Niveau
ausgeführt
wird, zum Beispiel, selbst wenn die Oberflächenbearbeitung wie Polieren
in einem Zustand ausgeführt
wird, welcher durch den Buchstabe B oder C in 9 gezeigt
wird. Zum Erreichen dessen jedoch, was in der vorliegenden Erfindung
beabsichtigt ist, ist es nicht notwendig, die Oberfläche selbst
auf ein solches Niveau zu glätten,
welches als übermäßig bezeichnet
werden kann. In einigen Fällen
kann der gebildete Film abgezogen werden, um eine Bearbeitungsdehnung
einzuführen.
Die auf diese Weise eingeführte
Bearbeitungsdehnung wird eliminiert, nachdem das Ätzen wie
vorstehend beschrieben ausgeführt
wurde, und kann daher kein Hindernis in der praktischen Verwendung sein.
Es ist jedoch nicht notwendig, ein übermäßiges Polieren zu sehr auszuführen.
-
Spezieller
ausgedrückt
wird als Ergebnis der Entfernung der Spitzen der Vorsprünge durch
Polieren oder dergleichen die Objektoberfläche hauptsächlich durch Bereiche von mehr
als etwa 5 μm
Unterschied in der Höhe
(Niveauunterschied) gehalten als Höhe an dem Anteil der Spitzen
verglichen mit dem umgebenden Anteil der normalen Bereiche. Spezieller
kann die Oberflächenbearbeitung
bevorzugt auf einem Niveau ausgeführt werden, dass, nach der
Bearbeitung des Glättens
der Oberfläche
durch das Polieren oder dergleichen, die Höhe an Abschnitten, welche anfänglich die
Spitzen der Vorsprünge
waren, sich nicht über
5 μm hinaus ausdehnen,
verglichen mit dem umgebenden Anteil der normalen Bereiche. Es ist
bevorzugt, die Höhe
der Vorsprünge
auf 10% oder weniger in Bezug auf die gesamte Schichtdicke des gewünschten
abgeschiedenen Films hinunter zu bringen. Hier ist es bevorzugt,
dass einige Unebenheit ebenso an der Oberfläche des Teils der normalen
Bereiche vor der Oberflächenbearbeitung
vorhanden ist, wobei die Unebenheit an einem Niveau von etwa 0,1%
der gewünschten
gesamten Schichtdicke des abgeschiedenen Films liegt, und dass das
Polieren nicht in so unnötiger
Weise im Übermaß ausgeführt wird,
dass selbst solche gewisse Unebenheit, die an der Oberfläche des
Teils an normalen Abschnitten vorhanden ist, als Ergebnis des Polierens
verschwinden kann.
-
Die
vorliegende Erfindung wird nachstehend durch Geben von Beispielen
beschrieben, welche mit Vergleichsbeispielen verglichen werden.
-
Beispiel 1
-
In
diesem Beispiel wurde ein photoempfindliches Element mit der in 6C gezeigten Grundkonstruktion hergestellt, das
heißt,
jener, in welcher die photoleitfähige
a-Si:H Schicht 602 und die a-SiC:H Zwischenschicht 605 auf
dem leitfähigen
zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden, und, nachdem die Oberfläche des abgeschiedenen Films
dem Polieren in der Atmosphäre
unterzogen worden war, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu entfernen,
so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 darauf
gebildet wurden.
-
Zunächst wurden
unter Verwendung des Bildungsgeräts
für den
Plasma unterstützten
CVD-Film, das wie in 11 gezeigt wird konstruiert
war, abgeschiedene Filme durch Bilden einer photoleitfähigen a-Si:H Schicht
und einer a-SiC:H Zwischenschicht kontinuierlich auf einem zylindrischen
Aluminiumträgermaterial
mit 108 mm Außendurchmesser
hergestellt.
-
Als
nächstes
wurde dieses zylindrische Trägermaterial
mit abgeschiedenen Filmen aus dem Filmbildungsgerät herausgenommen.
In Bezug auf die auf diese Weise gebildeten abgeschiedenen Filme
mit den Vorsprüngen,
wie sie in 6A gezeigt werden, wurde nur
der Anteil der Vorsprünge
selektiv durch Oberflächenpolieren
in der Atmosphäre
mit Hilfe des Poliergeräts
mit der Konstruktion wegpoliert, die diagrammartig in 7 gezeigt
wird, so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, wie in 6B gezeigt wird. Hier wurden
die Polierbedingungen vorher experimentell so bestimmt, dass der
Anteil mit Ausnahme der Vorsprünge
sich nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Als
nächstes
wurde das zylindrische Trägermaterial
mit der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht und der a-SiC:H Zwischenschicht, welche oberflächenpoliert
worden waren, erneut in das vorstehende Bildungsgerät für den Plasma
unterstützten
CVD-Film eingesetzt, das wie in 11 gezeigt
konstruiert war, und die a-C:H Oberflächenschutzschicht gebildet.
-
Die
in diesem Beispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht, die a-SiC:H Zwischenschicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicken der abgeschiedenen Filme
werden in Tabelle 1 gezeigt.
-
In
diesem Beispiel war das verwendete zylindrische Trägermaterial
ein zylindrisches leitfähiges
Trägermaterial
aus Aluminium mit einem Außendurchmesser
von 108 mm und einer Wandstärke
von 5 mm, dessen Oberfläche
spiegelpoliert wurde, und auf dessen Oberfläche eine untere Sperrschicht,
die photoleitfähige Schicht
und die Zwischenschicht in dieser Abfolge abgeschieden wurden. Nach
dem Polieren wurde die Oberflächenschutzschicht
(Oberflächenschicht)
auf der Oberfläche
abgeschieden, um ein photoempfindliches a-Si Element für die negative
Aufladung herzustellen. Ebenso wurde als Hochfrequenzenergie für das Bildungsgerät für den Plasma
unterstützten
CVD-Film Energie mit einer Frequenz von 13,56 MHz (RF) verwendet. Tabelle
1
-
Für das elektrophotographische
photoempfindliche Element, das gemäß des vorstehenden Vorgehens
hergestellt wurde, wurde das äußere Erscheinungsbild
der Oberfläche
seiner abgeschiedenen Filmschicht betrachtet, um die Anhaftung des
Films auszuwerten. Um als nächstes
sein elektrophotographisches Leistungsverhalten auszuwerten, wurden
Bilder unter Verwendung des in diesem Beispiel hergestellten elektrophotographischen
photoempfindlichen Elements erzeugt, welches als Licht empfangendes
Element in ein elektrophotographisches Gerät eingesetzt wurde, das mit
einer primären
Aufladeanordnung, die Korona-Entladung anwendet, und ebenso einem
Reiniger mit einer Reinigungsklinge versehen war. Spezieller ausgedrückt wurde
unter Verwendung eines GP605 (Verfahrensgeschwindigkeit: 300 mm/s),
hergestellt von CANON INC., als elektrophotographisches Prüfgerät, ein Papierzufuhrversuch
mit 5.000.000 Blatt unter Verwendung eines Prüfmusters mit einem Druckflächenprozentsatz
von 1% geprüft,
welches ein niedrigerer Druckflächenprozentsatz
als gewöhnlich
ist. Während
der Prüfung
wurden vollflächige
Halbtonbilder und vollflächige
weiße Bilder
periodisch reproduziert, um eine Auswertung jeglicher Schmelzadhäsion des
Toners an der Oberfläche des
photoempfindlichen Elements und jegliches Auftreten von Flecken
auszuwerten. Ebenso wurde, nachdem der Papierzufuhrversuch mit 5.000.000
Blatt beendet worden war, untersucht, ob die stehende Klingenkante beschädigt wurde
oder nicht, um eine Auswertung vorzunehmen. Auf der Grundlage der
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, wurde eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
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Beispiel 2
-
In
diesem Beispiel wurde ein photoempfindliches Element mit der in 6C gezeigten Grundkonstruktion hergestellt, das
heißt,
jener, in welcher die photoleitfähige
a-Si:H Schicht 602 und die a-SiC:H Zwischenschicht 605 auf
dem leitfähigen
zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden, und, nachdem die Oberfläche des abgeschiedenen Films
dem Polieren in der Atmosphäre unterzogen worden
war, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu
entfernen, so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 darauf
gebildet wurden.
-
Zunächst wurden
unter Verwendung des Bildungsgeräts
für den
Plasma unterstützten
CVD-Film, das wie in 11 gezeigt wird konstruiert
war, abgeschiedene Filme durch Bilden einer photoleitfähigen a-Si:H Schicht
und einer a-SiC:H Zwischenschicht kontinuierlich auf einem zylindrischen
Aluminiumträgermaterial
mit 108 mm Außendurchmesser
hergestellt.
-
Als
nächstes
wurde dieses zylindrische Trägermaterial
mit auf diese Weise gebildeten abgeschiedenen Filmen mit den Vorsprüngen, wie
sie in 6A gezeigt werden, im Vakuum
gehalten und von dem Filmbildungsgerät für den abgeschiedenen Film zu
dem Vakuumpoliergerät
mit der Konstruktion, die in 8 diagrammartig
gezeigt wird, bewegt. Dann wurde unter Verwendung dieses Poliergeräts nur der
Anteil der Vorsprünge
selektiv durch Oberflächenpolieren
im Vakuum wegpoliert, so dass die Oberfläche geglättet wurde, wie in 6B gezeigt wird. Hier wurden die Polierbedingungen
vorher experimentell so bestimmt, dass der Anteil mit Ausnahme der
Vorsprünge
sich nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Als
nächstes
wurde das zylindrische Trägermaterial
mit der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht und der a-SiC:H Zwischenschicht, welche oberflächenpoliert
worden waren, unter Vakuum von dem Vakuumpoliergerät zu dem
vorstehenden Bildungsgerät
für den
abgeschiedenen Film, das wie in 11 gezeigt
konstruiert war, bewegt und erneut darin eingesetzt, und die a-C:H
Oberflächenschutzschicht
gebildet.
-
Die
in diesem Beispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht, die a-SiC:H Zwischenschicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicken der abgeschiedenen Filme
wie jene in Beispiel 1.
-
Für das auf
diese Weise erhaltene elektrophotographische photoempfindliche Element
wurde ebenso eine Auswertung für
die gleichen Auswertungsgegenstände
(das heißt,
Anhaftung des Films, Schmelzadhäsion
des Toners, Auftreten von Flecken, Beschädigung der Klingenkante) gemäß des gleichen
Vorgehens und unter den gleichen Auswertungsbedingungen wie jene
in Beispiel 1 vorgenommen. Ebenso wurde auf der Grundlage dieser
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
-
Beispiel 3
-
In
diesem Beispiel wurde ein photoempfindliches Element mit der in 6C gezeigten Grundkonstruktion hergestellt, das
heißt,
jener, in welcher die photoleitfähige
a-Si:H Schicht 602 und die a-SiC:H Zwischenschicht 605 auf
dem leitfähigen
zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden, und, nachdem die Oberfläche des abgeschiedenen Films
dem Polieren in der Atmosphäre
unterzogen worden war, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu entfernen,
so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, und ferner die polierte Oberfläche durch Waschen mit Wasser
behandelt worden war, die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 darauf
gebildet wurden.
-
Zunächst wurden
unter Verwendung des Bildungsgeräts
für den
Plasma unterstützten
CVD-Film, das wie in 11 gezeigt wird konstruiert
war, abgeschiedene Filme durch Bilden einer photoleitfähigen a-Si:H Schicht
und einer a-SiC:H Zwischenschicht kontinuierlich auf einem zylindrischen
Aluminiumträgermaterial
mit 108 mm Außendurchmesser
hergestellt.
-
Als
nächstes
wurde dieses zylindrische Trägermaterial
mit abgeschiedenen Filmen aus dem Filmbildungsgerät herausgenommen.
In Bezug auf die auf diese Weise gebildeten abgeschiedenen Filme
mit den Vorsprüngen,
wie sie in 6A gezeigt werden, wurde nur
der Anteil der Vorsprünge
selektiv durch Oberflächenpolieren
in der Atmosphäre
mit Hilfe des Poliergeräts
mit der Konstruktion wegpoliert, die diagrammartig in 7 gezeigt
wird, so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, wie in 6B gezeigt wird. Hier wurden
die Polierbedingungen vorher experimentell so bestimmt, dass der
Anteil mit Ausnahme der Vorsprünge
sich nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Der
an der Oberfläche
des zylindrischen Trägermaterials
abgeschiedene Film, welcher der Oberflächenbearbeitung unterzogen
worden war, wurde ferner einem Waschen mit Wasser unterzogen und
danach erneut in das vorstehende Bildungsgerät für den Plasma unterstützten CVD-Film
gesetzt, das wie in
11 gezeigt konstruiert war,
und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
gebildet. In diesem Beispiel wurde das Waschen mit Wasser unter
Bedingungen, die in Tabelle 2 gezeigt werden, mit Hilfe eines Wasserwaschsystems ausgeführt, das
in
4 gezeigt wird, und das hauptsächlich aus der Waschkammer,
Reinwasserkontaktkammer und der Trockenkammer besteht. Tabelle
2
-
Die
in diesem Beispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht, die a-SiC:H Zwischenschicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicken der abgeschiedenen Filme
wie jene in Beispiel 1.
-
Für das auf
diese Weise erhaltene elektrophotographische photoempfindliche Element
wurde ebenso eine Auswertung für
die gleichen Auswertungsgegenstände
(das heißt,
Anhaftung des Films, Schmelzadhäsion
des Toners, Auftreten von Flecken, Beschädigung der Klingenkante) gemäß des gleichen
Vorgehens und unter den gleichen Auswertungsbedingungen wie jene
in Beispiel 1 vorgenommen. Ebenso wurde auf der Grundlage dieser
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
-
Beispiel 4
-
In
diesem Beispiel wurde ein photoempfindliches Element hergestellt,
in welchem die photoleitfähige a-Si:H
Schicht 602 auf dem leitfähigen zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden, und; nachdem diese Oberfläche des abgeschiedenen Films
dem Polieren in der Atmosphäre
unterzogen worden war, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu entfernen,
so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 weiterhin
darauf gebildet.
-
Zunächst wurde
unter Verwendung des Bildungsgeräts
für den
Plasma unterstützten
CVD-Film, das wie in 11 gezeigt wird konstruiert
war, ein abgeschiedener Filme durch alleiniges Bilden einer photoleitfähigen a-Si:H
Schicht auf einem zylindrischen Aluminiumträgermaterial mit 108 mm Außendurchmesser
hergestellt. Auf diesem abgeschiedenen Film wurden, obwohl keinerlei
a-SiC:H-Zwischenschicht
gebildet wurde, Vorsprünge,
welche während
der Abscheidung des photoleitfähigen
a-Si:H Films aufgetreten waren, beobachtet, wie in 6A gezeigt wird.
-
Als
nächstes
wurde dieses zylindrische Trägermaterial
mit abgeschiedenen Filmen aus dem Filmbildungsgerät herausgenommen.
In Bezug auf die auf diese Weise gebildeten abgeschiedenen Filme
mit den Vorsprüngen,
welche in der leitfähigen
a-Si:H Schicht auftraten, wurde nur der Anteil der Vorsprünge selektiv durch
Oberflächenpolieren
in der Atmosphäre
mit Hilfe des Poliergeräts
mit der Konstruktion wegpoliert, die diagrammartig in 7 gezeigt
wird, so dass die Oberfläche
in einer solchen geglättet
wurde, dass der Unterschied der Höhen, welche von den Vorsprüngen herrühren, auf
ein Niveau herunter gebracht wurde, wie esin 6B gezeigt
wird. Hier wurden die Polierbedingungen vorher experimentell so
bestimmt, dass der Anteil mit Ausnahme der Vorsprünge sich
nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Nachfolgend
wurde das zylindrische Trägermaterial
(mit Film), welches der Oberflächenbearbeitung unterzogen
worden war, erneut in das vorstehende Bildungsgerät für den Plasma
unterstützten
CVD-Film eingesetzt, das wie in 11 gezeigt
konstruiert war, und die a-C:H Oberflächenschutzschicht gebildet.
-
Die
in diesem Beispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und und die Dicken der abgeschiedenen Filme
sind die gleichen wie jene in Beispiel 1.
-
Für das auf
diese Weise erhaltene elektrophotographische photoempfindliche Element
wurde ebenso eine Auswertung für
die gleichen Auswertungsgegenstände
(das heißt,
Anhaftung des Films, Schmelzadhäsion
des Toners, Auftreten von Flecken, Beschädigung der Klingenkante) gemäß des gleichen
Vorgehens und unter den gleichen Auswertungsbedingungen wie jene
in Beispiel 1 vorgenommen. Ebenso wurde auf der Grundlage dieser
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
-
Beispiel 5
-
In
diesem Beispiel wurde ein photoempfindliches Element hergestellt,
in welchem die photoleitfähige a-Si:H
Schicht 602 auf dem leitfähigen zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden, und, nachdem diese Oberfläche des abgeschiedenen Films
dem Polieren in der Atmosphäre unterzogen
worden war, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu entfernen,
so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, und ferner die polierte Oberfläche dem Ätzen mit einem Ätzgas unter
der Entladung von Plasma direkt vor der Abscheidung des nächsten Films
unterzogen worden war, die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 auf
der Oberfläche
gebildet, welche dem Ätzen
unterzogen worden war.
-
Als
erstes wurde unter Verwendung des Bildungsgeräts für den Plasma unterstützten CVD-Film,
das wie in 11 gezeigt konstruiert war,
ein abgeschiedener Film durch alleiniges Bilden einer photoleitfähigen a-Si:H
Schicht auf einem zylindrischen Aluminiumträgermaterial mit 108 mm Außendurchmesser
hergestellt. In diesem abgeschiedenen Film traten ebenfalls, obwohl
keinerlei a-SiC:H Zwischenschicht gebildet wurde, Vorsprünge während der
Abscheidung der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht auf, welche in 6A gezeigt
werden.
-
Als
nächstes
wurde dieses zylindrische Trägermaterial
mit abgeschiedenem Film aus dem Filmbildungsgerät herausgenommen. In Bezug
auf den auf diese Weise gebildeten abgeschiedenen Film mit den Vorsprüngen, welche
in der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht auftraten, wurde nur der Anteil der Vorsprünge selektiv durch
Oberflächenpolieren
in der Atmosphäre
mit Hilfe des Oberflächenpoliergeräts mit der
Konstruktion wegpoliert, die in 7 diagrammartig
gezeigt wird, so dass die Oberfläche
in einer solchen Art und Weise geglättet wurde, dass der Unterschied
in der Höhe,
welcher von den Vorsprüngen
herrührt,
auf ein Niveau herunter gebracht wurde, wie es in 6B gezeigt wird. Hier wurden die Polierbedingungen
vorher experimentell so bestimmt, dass der Anteil mit Ausnahme der
Vorsprünge
sich nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Nachfolgend
wurde das zylindrische Trägermaterial
(mit Film), welches der Oberflächenbearbeitung unterzogen
worden war, erneut in das vorstehende Bildungsgerät für den Plasma
unterstützten
CVD-Film eingesetzt, das wie in
11 gezeigt
konstruiert war. Die Oberfläche
der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht, welche der Oberflächenbearbeitung unterzogen
worden war, wurde einem Gasphasenätzen unterzogen und nachfolgend
die a-C:H Oberflächenschutzschicht
gebildet. In diesem Beispiel wurde das Gasphasenätzen unter Verwendung von CF
4-Gas unter den Bedingungen ausgeführt, die
in Tabelle 3 gezeigt werden. Tabelle
3
-
Die
in diesem Beispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicke der abgeschiedenen Filme
sind die gleichen wie jene in Beispiel 1.
-
Für das auf
diese Weise erhaltene elektrophotographische photoempfindliche Element
wurde ebenso eine Auswertung für
die gleichen Auswertungsgegenstände
(das heißt,
Anhaftung des Films, Schmelzadhäsion
des Toners, Auftreten von Flecken, Beschädigung der Klingenkante) gemäß des gleichen
Vorgehens und unter den gleichen Auswertungsbedingungen wie jene
in Beispiel 1 vorgenommen. Ebenso wurde auf der Grundlage dieser
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiel 1
-
In
diesem Vergleichsbeispiel wurden die leitfähige a-Si:H Schicht 602,
die a-SiC:H Zwischenschicht 605 und die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 kontinuierlich
auf dem leitfähigen
zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden. Diese Oberfläche
des in dreifacher Struktur abgeschiedenen Films wurde dem Polieren
in Atmosphäre
unterzogen, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu entfernen, um
die Oberfläche
zu glätten,
so dass ein photoempfindliches Element hergestellt wurde. Auf diese
Weise gingen hier als Ergebnis des Entfernens der Spitzen der Vorsprünge 604 durch
das vorstehenden Polieren die a-C:H Oberflächenschutzschicht und die a-SiC:H
Zwischenschicht 605, welche die Spitzen bedeckten, verloren.
-
Als
erstes wurde unter Verwendung des Bildungsgeräts für den Plasma unterstützen CVD-Film,
dass wie in 11 gezeigt konstruiert war,
ein abgeschiedener Film in dreifacher Struktur durch kontinuierliches
Bilden einer photoleitfähigen
a-Si:H Schicht, einer a-SiC:H Zwischenschicht und einer a-C:H Oberflächenschutzschicht
auf einem zylindrischen Aluminiumträgermaterial mit 108 mm im Außendurchmesser
hergestellt. Auf diesem abgeschiedenen Film, obwohl als obere Schicht
eine a-C:H Oberflächenschutzschicht
ebenso mitwirkte, wurden Vorsprünge,
welche während
der Abscheidung der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht auftraten, beobachtet, wie in 6A gezeigt
wird. An den Spitzen solcher Vorsprünge stand die a-C:H Oberflächenschutzschicht,
wie die a-SiC:H Zwischenschicht, ebenso in einer solchen Form abgeschieden,
dass sie die Oberflächen
der Vorsprünge
bedeckte.
-
Die
in diesem Vergleichsbeispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht, die a-SiC:H Zwischenschicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicken des abgeschiedenen Films
sind die gleichen wie jene in Beispiel 1.
-
Als
nächstes
wurde in Bezug auf den auf diese Weise gebildeten in dreifacher
Struktur abgeschiedenen Film mit den Vorsprüngen, welche in der photoleitfähigen a-Si:H
Schicht aufgetreten waren, nur der Anteil der Vorsprünge selektiv
durch Oberflächenpolieren
in der Atmosphäre
mit Hilfe des Poliergeräts
mit der Konstruktion wegpoliert, die in 7 diagrammartig
gezeigt wird, um die Oberfläche
in einer solchen Art und Weise zu glätten, dass der Unterschied
in der Höhe,
welcher von den Vorsprüngen
herrührt,
auf ein Niveau herunter gebracht wurde, wie es in 6B gezeigt wird. Hier wurden die Polierbedingungen
vorher experimentell so bestimmt, dass der Anteil mit Ausnahme der
Vorsprünge
sich nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Als
Ergebnis verbleiben so wohl die a-SiC:H Zwischenschicht als auch
die a-C:H Oberflächenschutzschicht
an den Anteilen mit Ausnahme der Vorsprünge, aber die a-SiC:H Zwischenschicht
und die a-C:H Oberflächenschutzschicht,
welche die Spitzen der Vorsprünge
bedeckt hatten, welche durch das Oberflächenpolieren entfernt wurden,
wurden wegpoliert und entfernt wie in dem Zustand, der in 6B gezeigt wird, und der Rest der Vorsprünge, welche
aus a-Si:H zusammengesetzt waren, kam unbedeckt an die Oberfläche.
-
Für das auf
diese Weise erhaltene elektrophotographische photoempfindliche Element
wurde ebenso eine Auswertung für
die gleichen Auswertungsgegenstände
(das heißt,
Anhaftung des Films, Schmelzadhäsion
des Toners, Auftreten von Flecken, Beschädigung der Klingenkante) gemäß des gleichen
Vorgehens und unter den gleichen Auswertungsbedingungen wie jene
in Beispiel 1 vorgenommen. Ebenso wurde auf der Grundlage dieser
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiel 2
-
In
diesem Vergleichsbeispiel wurden die photoleitfähige a-Si:H Schicht 602,
die a-SiC:H Zwischenschicht 605 und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
kontinuierlich auf den leitfähigem
zylindrischen Trägermaterials 601 durch
Plasma unterstütze
CVD abgeschieden, um ein photoempfindliches Element wie es war zu
erhalten.
-
Spezieller
ausgedrückt
wurde unter Verwendung des Bildungsgeräts für den Plasma unterstützen CVD
Film, das wie in 11 gezeigt konstruiert war,
ein dreifach strukturierter abgeschiedene Film durch kontinuierliches
Bilden einer photoleitfähigen
a-Si:H Schicht, einer a-SiC:H Zwischenschicht und einer a-C:H Oberflächeschutzschicht
auf einem zylindrischen Aluminiumträgermaterial mit 108 mm Außendurchmesser hergestellt.
In diesem abgeschiedenem Film, obwohl als obere Schicht eine a-C:H
Oberflächenschutzschicht ebenso
mitwirkte, wurden Vorsprünge,
welche während
der Abscheidung der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht aufgetreten waren, beobachtet, wie in 6A gezeigt wird. An den Spitzen von solchen Vorsprüngen wurde die
a-C:H Oberflächenschutzschicht,
wie die a-SiC:H Zwischenschicht, ebenso stark in einer solchen Form
abgeschieden, dass sie die Oberflächen der Vorsprünge bedeckte.
Daher verblieb der Unterschied in der Höhe zwischen dem Anteil von
solchen Vorsprüngen
und dem umgebenden Anteil der flachen Bereiche so, als ob er nicht
behandelt worden wäre.
-
Die
in diesem Vergleichsbeispiel verwendeten Bedingungen, die photoleitfähige a-Si:H
Schicht, die a-SiC:H Zwischenschicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicken des abgeschiedenen Films
sind die gleichen wie jene in Beispiel 1.
-
Für das auf
diese Weise erhaltene elektrophotographische photoempfindliche Element
wurde ebenso eine Auswertung für
die gleichen Auswertungsgegenstände
(das heißt,
Anhaftung des Films, Schmelzadhäsion
des Toners, Auftreten von Flecken, Beschädigung der Klingenkante) gemäß des gleichen
Vorgehens und unter den gleichen Auswertungsbedingungen wie jene
in Beispiel 1 vorgenommen. Ebenso wurde auf der Grundlage dieser
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
-
Beispiel 6
-
In
diesem Beispiel wurde ein photoempfindliches Element mit der in 6C gezeigten Grundkonstruktion hergestellt, das
heißt,
jener, in welcher die photoleitfähige
a-Si:H Schicht 602 und die a-SiC:H Zwischenschicht 605 auf
dem leitfähigen
zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden, und, nachdem die Oberfläche des abgeschiedenen Films
dem Polieren in der Atmosphäre
unterzogen worden war, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu entfernen,
so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 darauf
gebildet wurden.
-
Als
erstes wurden unter Verwendung des Bildungsgeräts für den Plasma unterstützten CVD-Film,
das wie in 11 gezeigt wird konstruiert
war, abgeschiedene Filme durch Bilden einer photoleitfähigen a-Si:H Schicht
und einer a-SiC:H Zwischenschicht kontinuierlich auf einem zylindrischen
Aluminiumträgermaterial
mit 108 mm Außendurchmesser
hergestellt.
-
Als
nächstes
wurde dieses zylindrische Trägermaterial
mit abgeschiedenen Filmen aus dem Filmbildungsgerät herausgenommen.
In Bezug auf die auf diese Weise gebildeten abgeschiedenen Filme
mit den Vorsprüngen,
wie sie in 6A gezeigt werden, wurde nur
der Anteil der Vorsprünge
selektiv durch Oberflächenpolieren
in der Atmosphäre
mit Hilfe des Poliergeräts
mit der Konstruktion wegpoliert, die diagrammartig in 7 gezeigt
wird, so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, wie in 6B gezeigt wird. Hier wurden
die Polierbedingungen vorher experimentell so bestimmt, dass der
Anteil mit Ausnahme der Vorsprünge
sich nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Als
nächstes
wurde das zylindrische Trägermaterial
mit der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht und der a-SiC:H Zwischenschicht, welche oberflächenpoliert
worden waren, erneut in das vorstehende Bildungsgerät für den Plasma
unterstützten
CVD-Film eingesetzt, das wie in 11 gezeigt
konstruiert war, und die a-C:H Oberflächenschutzschicht gebildet.
-
Die
in diesem Beispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht, die a-SiC:H Zwischenschicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicken der abgeschiedenen Filme
werden in Tabelle 4 gezeigt.
-
In
diesem Beispiel war das verwendete zylindrische Trägermaterial
ein zylindrisches leitfähiges
Trägermaterial aus
Aluminium mit einem Außendurchmesser
von 108 mm und einer Wandstärke
von 2,5 mm, dessen Oberfläche
spiegelpoliert wurde, und auf dessen Oberfläche eine untere Sperrschicht,
die photoleitfähige Schicht
und die Zwischenschicht in dieser Abfolge abgeschieden wurden. Nach
dem Polieren wurde die Oberflächenschutzschicht
(Oberflächenschicht)
auf der Oberfläche
abgeschieden, um ein photoempfindliches a-Si Element für die negative
Aufladung herzustellen. Ebenso wurde als Hochfrequenzenergie für das Bildungsgerät für den Plasma
unterstützten
CVD-Film Energie mit einer Frequenz von 1056 MHz (RF) verwendet. Tabelle
4
-
Für das elektrophotographische
photoempfindliche Element, das gemäß des vorstehenden Vorgehens
hergestellt wurde, wurde das äußere Erscheinungsbild
der Oberfläche
seiner abgeschiedenen Filmschicht betrachtet, um die Anhaftung des
Films auszuwerten. Um als nächstes
sein elektrophotographisches Leistungsverhalten auszuwerten, wurden
Bilder unter Verwendung des in diesem Beispiel hergestellten elektrophotographischen
photoempfindlichen Elements erzeugt, welches als Licht empfangendes
Element in ein elektrophotographisches Gerät eingesetzt wurde, das mit
einer primären
Aufladeanordnung, welche Einspritzentladung anwendet, und ebenso
einer Walze für
die Einspritzentladung versehen war. Dies war und so hergestellt,
dass eine Reinigungsfunktion aufgewiesen wurde, um die Reinigungsklinge
weglassen zu können. Speziell
ausgedrückt
wurde das GP405 (Verfahrensgeschwindigkeit: 210 mm/s), hergestellt
von Canon INC., in ein elektrophotographisches Prüfgerät umgebaut,
um ein reinigerloses System gemäß des Verfahrens
aufzustellen, das in der offen gelegten japanischen Patentanmeldung
Nr. 11-190927 offenbart ist, das heißt, durch Ändern seines Aufladeelements
in eine elastische Walze, die aus einer Schicht mit mittlerem Widerstand
gebildet wird, welche ein Verfahren anwendet, in dem eine Spannung
an diese elastische Walze in dem Zustand angelegt wird, in dem die
Walze mit leitfähigen
Teilchen beschichtet gehalten wird, und eine Form bereitgestellt,
in welcher diese Walze in Kontakt mit dem photoempfindlichen Element
in den Zustand gebracht wird, in dem die Walze mit den leitfähigen Teilchen
beschichtet gehalten wird, um verbleibenden Toner usw. zu entfernen.
Unter Verwendung dieses Prüfgeräts wurde
ein Papierzufuhrversuch mit 1.000.000 Blatt unter Verwendung eines
Prüfmusters
mit einem Druckflächenprozentsatz
von 1% geprüft,
welches ein niedrigerer Druckflächenprozentsatz
als gewöhnlich
ist. Während
der Prüfung
wurden vollflächige
Halbtonbilder und vollflächige weiße Bilder
periodisch reproduziert, um eine Auswertung jeglicher Schmelzadhäsion des
Toners an der photoempfindlichen Elementoberfläche und jegliches Auftreten
von Flecken auszuwerten. Auf der Grundlage der Ergebnisse, welche
diese Auswertungsgegenstände
betreffen, wurde eine Gesamtauswertung vorgenommen. Die Ergebnisse
der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiel 3
-
In
diesem Vergleichsbeispiel wurden die photoleitfähige a-Si:H Schicht 602,
die a-SiC:H Zwischenschicht 605 und die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 kontinuierlich
auf dem leitfähigen
zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden. Diese Oberfläche
des in dreifacher Struktur abgeschiedenen Films wurde dem Polieren
in der Atmosphäre
unterzogen, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu entfernen,
um die Oberfläche
zu glätten,
so dass ein photoempfindliches Element hergestellt wurde. Daher gingen
hier als Ergebnis des Entfernens der Spitzen der Vorsprünge 604 durch
das vorstehende Polieren die a-C:H Oberflächenschutzschicht 603 und
die a-SiC:H Zwischenschicht 604, welche die Spitzen bedeckt
hatten, verloren.
-
Als
erstes wurde unter Verwendung des Bildungsgeräts für den Plasma unterstützenden
CVD Film, der wie in 11 gezeigt konstruiert war,
ein in dreifacher Struktur abgeschiedener Film durch kontinuierliches Bilden
einer photoleitfähigen
a-Si:H Schicht, einer a-SiC:H Zwischenschicht und einer a-C:H Oberflächenschutzschicht
auf einem zylindrischen Aluminiumträgermaterial mit 30 mm Außendurchmesser
hergestellt. In diesem abgeschiedenen Film, obwohl als obere Schicht
eine a-C:H Oberflächenschutzschicht
ebenso mitwirkte, wurden Vorsprünge,
welche während
der Abscheidung der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht aufgetreten waren, beobachtet, wie in 6A gezeigt wird. An den Spitzen von solchen Vorsprüngen wurde
die a-C:H Oberflächenschutzschicht,
wie die a-SiC:H Zwischenschicht, ebenso in einer solchen Form abgeschieden,
dass sie die Oberflächen
der Vorsprünge
bedeckte.
-
Die
in diesem Vergleichsbeispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht, die a-SiC:H Zwischenschicht und die a-C:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicken der abgeschiedenen Filme
sind die gleichen wie in Beispiel 6.
-
Als
nächstes
wurde in Bezug auf diesen auf diese Weise gebildeten in dreifacher
Struktur abgeschiedenen Film mit den Vorsprüngen, welche in der photoleitfähigen a-Si:H
Schicht auftraten, nur der Anteil der Vorsprünge selektiv durch Oberflächenpolieren
in der Atmosphäre
mit Hilfe des Poliergeräts
mit der Konstruktion wegpoliert, welche in 7 diagrammartig
gezeigt wird, um die Oberfläche
in einer solchen Art und Weise zu glätten, dass der Unterschied
in der Höhe,
welcher von den Vorsprüngen
herrührt,
auf ein Niveau herunter gebracht wurde, wie es in 6B gezeigt wird Hier wurden die Polierbedingungen
vorher experimentell so bestimmt, dass der Anteil mit Ausnahme der
Vorsprünge
sich nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Als
Ergebnis verblieben sowohl die a-Si:H Zwischenschicht als auch die
a-C:H Oberflächenschutzschicht
an den Anteilen mit Ausnahme der Vorsprünge, aber die a-Sic:H Zwischenschicht
und die a-C:H Oberflächenschutzschicht,
welche die Spitzen der Vorsprünge
bedeckten, die durch das Oberflächenpolieren
entfernt wurden, wurden wegpoliert und entfernt wie in dem Zustand,
der in 6B gezeigt wird, und der Rest der
Vorsprünge,
die aus a-SI:H zusammengesetzt waren, kam unbedeckt an die Oberfläche.
-
Für das auf
diese Weise erhaltene elektrophotographische photoempfindliche Element
wurde ebenso eine Auswertung für
die gleichen Auswertungsgegenstände
(das heißt,
Anhaftung des Films, Schmelzadhäsion
des Toners, Auftreten von Flecken, Beschädigung der Klingenkante) gemäß des gleichen
Vorgehens und unter den gleichen Auswertungsbedingungen wie jene
in Beispiel 6 vorgenommen. Ebenso wurde auf der Grundlage dieser
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
-
Beispiel 7
-
In
diesem Beispiel wurde ein photoempfindliches Element mit der in 6C gezeigten Grundkonstruktion hergestellt, das
heißt,
jener, in welcher die photoleitfähige
a-Si:H Schicht 602 und die a-SiC:H Zwischenschicht 605 auf
dem leitfähigen
zylindrischen Trägermaterial 601 durch
Plasma unterstützte
CVD abgeschieden, und, nachdem die Oberfläche des abgeschiedenen Films
dem Polieren in der Atmosphäre
unterzogen worden war, um die Spitzen der Vorsprünge 604 zu entfernen,
so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, die a-SiC:H Oberflächenschutzschicht 603 darauf
gebildet wurden.
-
Als
erstes wurden unter Verwendung des Bildungsgeräts für den Plasma unterstützten CVD-Film,
das wie in 11 gezeigt wird konstruiert
war, abgeschiedene Filme durch Bilden einer photoleitfähigen a-Si:H Schicht
und einer a-SiC:H Zwischenschicht kontinuierlich auf einem zylindrischen
Aluminiumträgermaterial
mit 108 mm Außendurchmesser
hergestellt.
-
Als
nächstes
wurde dieses zylindrische Trägermaterial
mit abgeschiedenen Filmen aus dem Filmbildungsgerät herausgenommen.
In Bezug auf die auf diese Weise gebildeten abgeschiedenen Filme
mit den Vorsprüngen,
wie sie in 6A gezeigt werden, wurde nur
der Anteil der Vorsprünge
selektiv durch Oberflächenpolieren
in der Atmosphäre
mit Hilfe des Poliergeräts
mit der Konstruktion wegpoliert, die diagrammartig in 7 gezeigt
wird, so dass die Oberfläche
geglättet
wurde, wie in 6B gezeigt wird. Hier wurden
die Polierbedingungen vorher experimentell so bestimmt, dass der
Anteil mit Ausnahme der Vorsprünge
sich nur wenig im Oberflächenzustand
von dem vor dem Polieren unterschied, wie durch den Buchstaben A
in 9 gezeigt wird. Die Oberflächenbearbeitung wurde unter
solchen Polierbedingungen ausgeführt.
-
Als
nächstes
wurde das zylindrische Trägermaterial
mit der photoleitfähigen
a-Si:H Schicht und der a-SiC:H Zwischenschicht, welche oberflächenpoliert
worden waren, erneut in das vorstehende Bildungsgerät für den Plasma
unterstützten
CVD-Film eingesetzt, das wie in 11 gezeigt
konstruiert war, und die a-SiC:H Oberflächenschutzschicht gebildet.
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Die
in diesem Beispiel verwendeten Bedingungen, wenn die photoleitfähige a-Si:H
Schicht, die a-SiC:H Zwischenschicht und die a-SiC:H Oberflächenschutzschicht
durch Plasma unterstützte
CVD abgeschieden wurden, und die Dicken der abgeschiedenen Filme
werden in Tabelle 5 gezeigt.
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Das
in diesem Beispiel verwendete zylindrische Trägermaterial war ein zylindrisches
leitfähiges
Trägermaterial
aus Aluminium mit einem Außendurchmesser
von 108 mm und einer Wandstärke
von 5 mm, dessen Oberfläche
spiegelpoliert wurde, und auf dessen Oberfläche eine untere Sperrschicht,
die photoleitfähige Schicht
und die Zwischenschicht in dieser Abfolge abgeschieden wurden. Nach
dem Polieren wurde die Oberflächenschutzschicht
(Oberflächenschicht)
auf der Oberfläche
abgeschieden, um ein photoempfindliches a-Si Element für die negative Aufladung
herzustellen. Ebenso wurde als Hochfrequenzenergie für das Bildungsgerät für den Plasma
unterstützten
CVD-Film Energie mit einer Frequenz von 13, 56 MHz (RF) verwendet. Tabelle
5
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Für das elektrophotographische
photoempfindliche Element, das gemäß des vorstehenden Vorgehens
hergestellt wurde, wurde das äußere Erscheinungsbild
der Oberfläche
seiner abgeschiedenen Filmschicht betrachtet, um die Anhaftung des
Films auszuwerten. Um als nächstes
sein elektrophotographisches Leistungsverhalten auszuwerten, wurden
Bilder unter Verwendung des in diesem Beispiel hergestellten elektrophotographischen
photoempfindlichen Elements erzeugt, welches als Licht empfangendes
Element in ein elektrophotographisches Gerät eingesetzt wurde, das mit
einer primären
Aufladeanordnung, die Korona-Entladung anwendet, und ebenso einem
Reiniger mit einer Reinigungsklinge versehen war. Spezieller ausgedrückt wurde
unter Verwendung eines GP605 (Verfahrensgeschwindigkeit: 300 mm/s),
hergestellt von CANON INC., als elektrophotographisches Prüfgerät, ein Papierzufuhrversuch
mit 5.000.000 Blatt unter Verwendung eines Prüfmusters mit einem Druckflächenprozentsatz
von 1% geprüft,
welches ein niedrigerer Druckflächenprozentsatz
als gewöhnlich
ist. Während
der Prüfung
wurden vollflächige
Halbtonbilder und vollflächige
weiße Bilder
periodisch reproduziert, um eine Auswertung jeglicher Schmelzadhäsion des
Toners an der Oberfläche des
photoempfindlichen Elements und jegliches Auftreten von Flecken
auszuwerten. Ebenso wurde, nachdem der Papierzufuhrversuch mit 5.000.000
Blatt beendet worden war, untersucht, ob die stehende Klingenkante beschädigt wurde
oder nicht, um eine Auswertung vorzunehmen. Auf der Grundlage der
Ergebnisse, welche diese Auswertungsgegenstände betreffen, wurde eine Gesamtauswertung
vorgenommen. Die Ergebnisse der Auswertung werden in Tabelle 6 gezeigt.
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In
Tabelle 6 wird durch die Buchstaben angezeigt:
- AA:
- sehr gut
- A:
- gut
- B:
- kein Problem bei der
praktischen Verwendung
- C:
- Problem bei der praktischen
Verwendung
- -:
- nicht ausgewertet.
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Vergleich
der Auswertungsergebnisse, welche zusammen in Tabelle 6 gezeigt
werden.
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Gemäß der Konstruktion
des photoempfindlichen Elements der vorliegenden Erfindung, genauer
gesagt in den photoempfindlichen Elementen der Beispiele 1 bis 6,
in welchen in Bezug auf die Vorsprünge, die in der photoempfindlichen
a-Si:H-Schicht auftraten, wurde die Oberfläche ein Mal dem Polieren unterzogen. Bei
diesem Polieren wurden nur die Spitzen der Vorsprünge entfernt,
so dass die Oberfläche
in einer solchen Art und Weise geglättet wurde, dass die umgebende
abgeschiedene Filmschicht mit Ausnahme der Vorsprünge im Wesentlichen
unpoliert verblieb. Danach wurde eine a-C:H Oberflächenschutzschicht
an der äußeren Oberfläche gebildet.
Auf diese Weise wurde der abgeschiedene Film, insbesondere die Oberflächenschutzschicht
an der äußeren Oberfläche, mit
einer guten Haftung aufrecht erhalten. Ebenso wurden nur die Spitzen der
Vorsprünge
entfernt und jeder mechanische Schaden, welcher durch das Polieren
hervorgerufen wurde, trat um diese herum nicht auf. Daher kann das
photoempfindliche Element ein überlegenes
Leistungsverhalten als Licht empfangendes Element aufweisen. Speziell
ausgedrückt,
da es keine Erhebungen gibt, die von den Vorsprüngen herrühren, können die Schmelzadhäsion am
Auftreten gehindert und ebenso jegliche Schäden an der Klinge, die beim
Reinigen verwendet wird, ebenso verhindert werden. Da zusätzlich das
photoempfindliche Element eine Form aufweist, in welcher die a-C:H
Oberflächenschutzschicht
dessen äußere Oberfläche gleichmäßig bedeckt,
können
jegliche Bildfehler, wie sie durch anfängliche Flecken (Flecken, welche
im anfänglichen
Zustand auftreten) typischer Weise dargestellt werden, weniger auftreten,
und die Bildfehler wie laufende Flecken (Flecken, welche mit dem
Laufen auftreten), die von einem Anstieg jeglicher Fehler der a-C:H Oberflächenschutzschicht
während
der wiederholten Benutzung auftreten, können ebenso gut am Vermehren gehindert
werden.
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Wenn
das Polieren ausgeführt
wird, um nur die Vorsprünge
zu entfernen, die in der photoempfindlichen a-Si:H Schicht auftraten,
kann das Polieren in der Atmosphäre
ausgeführt
werden. Danach kann, bevor die Abscheidung erneut ausgeführt wird,
um die a-C:H Oberflächenschutzschicht
an der äußeren Oberfläche zu bilden,
die Oberfläche
einem Waschen mit Wasser oder Gasphasenätzen unmittelbar vor der Abscheidung unterzogen
werden. Dies kann jeglichen Einfluss eliminieren, der durch das
Freisetzen der Oberfläche
gegenüber
der Atmosphäre
begleitet wird, und eine noch überlegenere
Anhaftung erreichen. Indessen kann das Polieren ebenso im Vakuum
ausgeführt
werden, wobei die Abscheidung erneut ausgeführt wird, um die a-C:H Oberflächenschutzschicht
ohne Aussetzen der Oberfläche
gegenüber
der Atmosphäre
ausgeführt
wird. Dies kann eine noch überlegenere
Anhaftung erreichen.
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In
dem photoempfindlichen Element des Beispiels 7, in welchem die a-SiC:H
Oberflächenschutzschicht
an der äußeren Oberfläche gebildet
wurde, ist diese ein wenig in Bezug auf die Schmelzadhäsion unterlegen,
verglichen zu dem photoempfindlichen Element von Beispiel 1, in
welchem die a-C:H Oberflächenschutzschicht
gebildet wurde. Für
das andere Leistungsverhalten jedoch können zufrieden stellende Ergebnisse
erhalten werden, wie vorstehend erwähnt wurde.
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Wie
vorstehend beschrieben wurde, wird das Herstellungsverfahren für das elektrophotographische photoempfindliche
Element der vorliegenden Erfindung durch die Schritte ausgeführt, die
in Patentanspruch 1 definiert sind. Dies hat es möglich gemacht,
mit niedrigen Kosten das elektrophotographischen photoempfindliche
Element herzustellen, welches die Bildung von guten Bildern über einen
langen Zeitraum aufrecht erhalten sowie fehlerhafte Bilder und Schmelzadhäsion des
Toners verhindern kann.
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Es
ist noch vorteilhafter, dass das Trägermaterial, auf welchem die
Abscheidung oder das Polieren abgeschlossen wurden, ferner in Kontakt
mit Wasser gebracht wird. Spezieller ausgedrückt bringt das Waschen mit
Wasser eine Verbesserung der Anhaftung hervor, wenn die Oberflächenschicht
danach gebildet wird, und bietet eine sehr breite Abgrenzung für jegliche
Filmablösung.
In dem elektrophotographischen photoempfindlichen Element, das durch
die vorliegende Erfindung bereitgestellt wird, werden, wenn zum
Beispiel Filme in einer dreilagigen Struktur abgeschieden werden,
die aus der photoleitfähigen
Schicht a-Si:H, der Zwischenschicht a-SiC:H und der Oberflächenschutzschicht
a-C:H bestehen, die vorspingenden Abschnitte mit deren Anfangspunkten
in der photoleitfähigen
Schicht a-Si:H einer Oberflächenbearbeitung
unterzogen, um sie ein Mal nur in dem Anteil der Vorsprünge zu entfernen,
bevor die Oberflächenschutzschicht
a-C:H gebildet wird. Die Oberflächenbearbeitung
wird unter Bearbeitungsbedingungen ausgeführt, die keinen Schaden in
den umgebenden normalen Wachstumsbereichen verursachen, der der
Bearbeitung zuzuschreiben ist. Daher kann die Oberfläche des
erhaltenen elektrophotographischen photoempfindlichen Elements glatt
sein und ruft keine Schmelzadhäsion
oder jeglichen Schaden an der Reinigungsklinge hervor.
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Zusätzlich weist
das elektrophotographische Gerät,
welches ein solches photoempfindliches Element verwendet, einen
Vorteil auf, das die Bildfehler, wie sie durch anfängliche
Flecken typischer Weise dargestellt werden, am Auftreten gehindert
werden, und ebenso selbst nach Langzeiteinsatz die Bildfehler, wie
sie durch Flecken typischer Weise dargestellt werden, die durch
den Betrieb hervorgerufen werden, in großem Umfang am Auftreten gehindert
werden können.
Ebenso kann die. Oberflächenbearbeitung,
die ausgeführt
wird, bevor die Oberflächenschutzschicht
a-C:H abgeschieden wird, eine schlechtere Anhaftung verhindern,
so dass zum Beispiel das Ablösen
der äußeren Oberflächenschutzschicht
a-C:H nicht hervorgerufen wird. Auf diese Weise kann ein elektrophotographisches
photoempfindliches Element mit guter Qualität hergestellt werden.