EP0872771B1 - Lichtempfindliches Element, Verfahren zu dessen Herstellung, Bildherstellungsapparat dieses lichtempfindliche Element umfassend, und Bildherstellungsverfahren - Google Patents

Lichtempfindliches Element, Verfahren zu dessen Herstellung, Bildherstellungsapparat dieses lichtempfindliche Element umfassend, und Bildherstellungsverfahren Download PDF

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Claims (22)

  1. Lichtempfindliches Element mit einem leitenden Substrat (101), einem photoleitenden Bereich (103), der auf dem Substrat vorgesehen ist, und einem Oberflächenbereich (104), der sich auf dem photoleitenden Bereich befindet, wobei der Oberflächenbereich (104) aus einem Nicht-Einkristall-Kohlenstoffilm, der mindestens ein Wasserstoffatom enthält und eine Spindichte von 1 x 1020 spins/cm3 oder weniger aufweist, geformt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Nicht-Einkristall-Kohlenstoffilm eine Spinrelaxationszeit von 10-2 sec oder weniger hat.
  2. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 1, bei dem der Nicht-Einkristall-Kohlenstoffilm ein Fluoratom im Film enthält.
  3. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 2, bei dem der Nicht-Einkristall-Kohlenstoffilm eine Fluor-Kohlenstoff-Bindung auf seiner Oberfläche in der Nachbarschaft der Oberfläche besitzt.
  4. Lichtempfindliches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 3, das des weiteren zwischen dem photoleitenden Bereich (103) und dem Oberflächenbereich (104) einen Zwischenbereich mit einer zwischen den beiden Bereichen liegenden Zusammensetzung besitzt.
  5. Lichtempfindliches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der photoleitende Bereich (103) und der Oberflächenbereich (104) eine photoleitende Schicht und eine Oberflächenschicht besitzen.
  6. Lichtempfindliches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Oberflächenbereich (104) unter Verwendung eines ein Fluoratom enthaltenden Quellengases geformt ist.
  7. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 6, bei dem das ein Fluoratom enthaltende Quellengas ein CF4-Gas umfaßt.
  8. Lichtempfindliches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Oberflächenbereich (104) durch plasmaverstärktes chemisches Bedampfen unter Verwendung einer Hochfrequenz von 1 MHz bis 450 MHz geformt ist.
  9. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 8, bei dem die Hochfrequenz in einem Bereich von 50 MHz bis 450 MHz liegt.
  10. Lichtempfindliches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem der photoleitende Bereich (103) ein Nicht-Einkristall-Material umfaßt, das hauptsächlich aus Siliciumatomen besteht.
  11. Lichtempfindliches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem der Nicht-Einkristall-Kohlenstoffilm einen amorphen Kohlenstoffilm umfaßt.
  12. Bilderzeugungsvorrichtung mit
    einem lichtempfindlichen Element (401) nach einem der vorangehenden Ansprüche;
    einer Aufladevorrichtung (402) zum elektrostatischen Aufladen der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes (401) ;
    einer Lichtquelle (403) zum Belichten der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes (401) ;
    einer Entwicklungsvorrichtung (404) zum Aufbringen eines Toners auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes (401) in Abhängigkeit von an der Oberfläche gehaltenen elektrischen Ladungen;
    einer Übertragungsvorrichtung (405, 406 (a) (b)) zum Übertragen des auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes (401) gebrachten Toners; und
    einer Reinigungsvorrichtung (407) zum Reinigen der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes (401).
  13. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 12, bei der die Reinigungsvorrichtung (407) ein Blatt (421) aufweist.
  14. Bilderzeugungsverfahren mit den folgenden Schritten:
    Elektrostatisches Aufladen einer Oberfläche eines lichtempfindlichen Elementes nach einem der Ansprüche 1 bis 11;
    Belichten des auf diese Weise aufgeladenen lichtempfindlichen Elementes;
    Ausbilden eines Tonerbildes auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes in Abhängigkeit von der Belichtung;
    Übertragen des Tonerbildes; und
    Reinigen der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes nach der Übertragung des Tonerbildes.
  15. Bilderzugungsverfahren nach Anspruch 14, bei dem die Reinigung unter Verwendung eines Blattes durchgeführt wird.
  16. Bilderzeugungsverfahren nach Anspruch 14 oder 15, bei dem die Belichtung eine Leerbelichtung umfaßt.
  17. Bilderzeugungsverfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, bei dem die Schritte in dieser Reihenfolge wiederholt werden.
  18. Verfahren zum Herstellen eines lichtempfindlichen Elementes nach einem der Ansprüche 1 bis 11 mit den folgenden Schritten:
    Aufbringen einer Energie auf eine ein Kohlenstoffatom und ein Wasserstoffatom enthaltende Atmosphäre in einem Zustand reduzierten Drucks, der in einer Kammer ausgebildet ist, die evakuiert werden kann und in der ein Substrat (101) vorgesehen ist, auf dem sich ein photoleitender Bereich (103) befindet,
    und auf diese Weise Erzeugen eines Plasmas zur Ausbildung des Oberflächenbereiches (104) auf dem photoleitenden Bereich (103), wobei der Oberflächenbereich aus einem Nicht-Einkristall-Kohlenstoffilm geformt wird, der mindestens ein Wasserstoffatom enthält und eine Spindichte von 1 x 1020 spins/cm3 oder weniger und eine Spinrelaxationszeit von 10-2 sec oder weniger besitzt.
  19. Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Elementes nach Anspruch 18, bei dem die Atmosphäre ein Fluoratom enthält.
  20. Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Elementes nach Anspruch 19, bei dem das Fluoratom über ein CF4-Gas zugeführt wird.
  21. Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Elementes nach einem der Ansprüche 18 bis 20, bei dem das Plasma unter Anwendung einer Hochfrequenz von 1 MHz bis 450 MHz erzeugt wird.
  22. Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Elementes nach Anspruch 21, bei dem die Hochfrequenz in einem Bereich von 50 MHz bis 450 MHz liegt.
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