JP3260912B2 - 柱状構造領域を有する非単結晶シリコンで構成された光受容層を備えた電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基体上に柱状構造領域
を有する非単結晶シリコンで構成された光受容層を配し
て構成した電子写真感光体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体の光導電層を構成する材
料については、高感度で、ＳＮ比が高く、照射する電磁
波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が早く、高い暗抵抗値を有するこ
と、機械的耐久性に優れていること、使用時に於て人体
に対して無公害であること、等の諸特性が要求される。
これらの諸特性を有する材料である水素化アモルファス
シリコンを光導電層に使用した電子写真感光体が、例え
ば特開昭５４−８６３４１号公報に記載されている。こ
うしたアモルファスシリコンを光導電層に使用した電子
写真感光体は現在実用に付されている。

【０００３】特開昭５６−６２２５４号公報及び、特開
昭５７−１１９３５６号公報には、炭素原子を含有する
水素化アモルファスシリコンを電子写真感光体として使
用し、電子写真特性を向上させる技術が開示されてい
る。

【０００４】ところで、こうした電子写真感光体を構成
するアモルファスシリコン膜を形成する成膜方法として
は、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方
法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法
（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方
法（プラズマＣＶＤ法）等が提案されている。これらの
成膜方法の中で、プラズマＣＶＤ法は、現在繁用されて
おり、そのための装置も各種提案されている。こうした
プラズＣＶＤ法の中、マイクロ波グロ−放電分解を用い
たいわゆるマイクロ波プラズマＣＶＤ法が工業的に注目
されている。

【０００５】マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法
に比べて高いデポジション速度と高い原料ガス利用効率
が得られるという利点を有している。こうした利点を生
かしたマイクロ波プラズマＣＶＤ技術の一例が、米国特
許４，５０４，５１８号明細書に記載されている。この
明細書に記載の技術は、０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧下で
のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による成膜で、高速の堆
積速度で良質の堆積膜を得るというものである。

【０００６】また、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により
原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭６０
−１８６８４９号公報に記載されている。該公報に記載
の技術は、概要、マイクロ波エネルギ−の導入手段を取
り囲むように基体を配して内部チャンバ−（即ち、放電
空間）を形成するようにして、原料ガス利用効率を高め
るようにしたものである。

【０００７】更に、特開昭６１−２８３１１６号公報に
は、放電空間中にプラズマ電位制御用の電極（バイアス
電極）を設け、このバイアス電極に所望の電圧を印加し
て堆積膜へのイオン衝撃を制御しながら堆積膜の形成を
行うようにして堆積膜の特性を向上させる技術を開示し
ている。

【０００８】こうしたマイクロ波プラズマＣＶＤ技術に
基づいた電子写真感光体の製造方法が米国特許５，１２
９，３５９号明細書に記載されている。この米国特許
５，１２９，３５９号明細書に記載された電子写真感光
体の製造方法は、例えば、図１２の縦断面図、図１３の
横断面図で示される堆積膜形成装置により実施される。

【０００９】図１２、及び図１３において、６０１は反
応容器であり、真空気密化構造を成している。６０２は
マイクロ波電力を反応容器６０１内に効率よく透過し、
かつ真空気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラ
ス、アルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波
導入誘電体窓である。６０３はマイクロ波電力の伝送を
行う導波管であり、マイクロ波電源から反応容器近傍ま
での矩形の部分と、反応容器に挿入された円筒形の部分
から成っている。導波管６０３はスタブチュ−ナ−（図
示せず）、アイソレ−タ−（図示せず）を介してマイク
ロ波電源（図示せず）に接続されている。６０４は排気
管を示す。該排気管は一端が反応容器６０１内に開口
し、他端が排気装置（図示せず）に連通している。６０
６は基体６０５により囲まれた放電空間を示す。電源６
１１は、バイアス電極６１２に直流電圧を印加するため
の直流電源（バイアス電源）を示す。

【００１０】上述した構成の成膜装置による従来の電子
写真感光体の製造は、以下のようにして行われる。ま
ず、真空ポンプ（図示せず）により排気管６０４を介し
て反応容器６０１内を排気し、反応容器６０１内を１×
１０^-7Ｔｏｒｒ以下の圧力に調整する。ついでヒ−タ−
６０７により基体６０５を２００℃乃至３００℃程度の
温度に加熱保持する。そこで不図示のガス導入手段を介
して、シランガス、水素ガス等の原料ガスが反応容器６
０１内に導入される。これと同時並行的にマイクロ波電
源６０８により周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発
生させ、導波管６０３及び誘電体窓６０２を介して反応
容器６０１内に導入される。更に放電空間６０６内のバ
イアス電極６１２に接続されたバイアス電源６１１よ
り、バイアス電極６１２を介して基体６０５に対してバ
イアス電圧を印加する。かくして基体６０５により囲ま
れた放電空間６０６において、原料ガスはマイクロ波の
エネルギ−により励起されて解離し、更にバイアス電極
６１１と基体６０５の間の電界により定常的に基体６０
５上にイオン衝撃を受けながら、基体６０５表面に堆積
膜が形成される。この成膜時、基体６０５を回転軸６０
９をモ−タ−６１０により回転させることにより回転さ
せる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】この方法によれば、あ
る程度低コストで、実用的な特性と均一性のある電子写
真感光体を得ることがである。しかし、こうした従来の
電子写真感光体には依然として改良すべき問題点が存在
する。即ち、特に成膜時、成膜速度の速い領域では、均
一膜質で光学的及び電気的諸特性の要求を満足し、かつ
電子写真プロセスにより画像形成時に欠陥の少ない堆積
膜を定常的に安定して高収率（高歩留まり）で得るのは
難しいという問題点がある。

【００１２】こうした問題点の１つに、いわゆる感度む
ら係る問題点がある。感度むらは、ラインコピ−（文字
だけよりなる原稿のコピ−）の場合にはたいして問題に
はならない。しかし、最近、写真等、ハ−フト−ンを含
む原稿のコピ−の機会が多くなり、しかも高速複写が要
求されるに従い、この感度むらに係る問題は無視できな
いものとなってきた。そして、近年急速に需要の増加し
てきたカラ−コピ−のように厳密な画像濃度の均一性が
要求される場合においては特に重要視しなければならな
い問題である。

【００１３】他の問題点として、解像度に係る問題点が
ある。複写画像の解像度は、使用する電子写真感光体の
特性以外に、現像、定着等のプロセスにも依存して決ま
ってくる。そして、近年のトナ−の微粒子化等、これら
プロセス発展に対応して、電子写真感光体についても従
来の特性を上回る解像度が要求されるようになってきて
いる。

【００１４】こうした問題点を解消する方法が、ヨ−ロ
ッパ特許公開公報ＥＰ０４５４４５６Ａ１号に記載され
ている。該公開公報には非単結晶炭化珪素光導電層中に
弗素原子を微量（１乃至９５原子ｐｐｍ）含有させ、更
に酸素原子の含有量を制御することにより光導電層中の
内部の歪みを効果的に緩和し、コピ−画像における「ポ
チ」発生、「ガサツキ」発生及び「ゴ−スト」発生を抑
制し、光受容部層表面の「球状突起」発生をも抑制した
光受容部材が記載されている。この技術は、光受容部材
の光受容層の表面の球状突起を減少させてコピ−画質の
安定と向上を図るものである。ところが、非単結晶炭化
珪素光導電層中に所定量の弗素原子及び酸素原子を含有
したところで完全に球状突起をなくすことは不可能であ
る。因に本発明らがこの光受容部材を使用してハ−フト
−ンを含む原稿を５０枚／min以上の高速で長期に亙っ
て連続的に複写してみたところ、感度むらの発生や解像
度の低下が認められた。上述した光受容部材表面の球状
突起に起因するものと考えられる。

【００１５】また、特開昭６２−８４９６５号公報及び
特開昭６２−１８８６６５号公報には電子写真感光体の
表面を研磨することにより、感光体の層厚むらを補正す
る技術が開示されている。しかし、これらの公報に於て
は、画像欠陥と表面研磨の関係については触れられてお
らず、層厚むらを制御したところで、今日要求されてい
るような高速複写においても、高解像度、高感度な複写
画像を安定して得ることは非常に難しい。

【００１６】特に、高速複写において、高解像度、高感
度な複写画像を安定的に得るためには、露光用に使用さ
れる光の反射の問題をも解決しなければならない。露光
用の光源に半導体レ−ザ−を用いたデジタル複写機の感
光体としてにアモルファスシリコン系の感光体を使用す
る場合、アモルファスシリコンのエネルギ−バンドギャ
ップよりも低エネルギ−である近赤外レ−ザ−を使用す
るため、アモルファスシリコン膜中でレ−ザ−光を完全
に吸収することはできない。そのためレ−ザ−光は吸収
されるもののほかに一部透過或は反射されるものもある
ため、感光体表面で反射したレ−ザ−光とアモルファス
シリコン膜と基体との界面或はアモルファスシリコン膜
の積層界面で反射したレ−ザ−光が互いに干渉し合い、
干渉縞が生じてしまう。

【００１７】この干渉縞の問題を解決する技術が米国特
許４，８０８，５０４号明細書に開示されている。該明
細書に開示された電子写真感光体は、感光層が配される
基体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸を設け、感光
体全体に発生する干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せ
しめて干渉縞の発生を防止するというものである。

【００１８】この干渉縞の発生を防止するようにした電
子写真感光体は、有効なものとして評価されている。と
ころがこの電子写真感光体については、基体表面に複数
の球状痕跡窪みによる凹凸を設けるためには、例えば複
数の剛体真球を基体表面に落下させる等の工程が必要で
あるところ、設備的な面と製造工程の面から電子写真感
光体の大幅なコストアップを招いてしまうという問題が
ある。

【００１９】本発明の主たる目的は、従来の電子写真感
光体における上述した感度むらの発生、解像度の低下等
の問題のない改善された電子写真感光体を提供すること
にある。本発明の他の目的は、電子写真感光体用の基体
と、該基体上に設けられた珪素原子を含有する電子写真
感光体であって、前記非単結晶材料で構成された層が、
該層の内部に位置する核より該層の層厚方向に実質的に
平行な柱状構造の領域を５個／ｃｍ²乃至５００個／ｃ
ｍ²の密度で有することを特徴とする電子写真感光体を
提供することにある。本発明の更に別の目的は、前記改
善された電子写真感光体をマイクロ波プラズＣＶＤ法に
より、安定して歩留り良くしかも安価に製造する方法を
提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の電
子写真感光体における上述した問題点を解決し、上記目
的を達成すべく、感光層を構成する非単結晶材料（アモ
ルファスシリコン）の内部に柱状構造の領域を積極的に
形成して検討を行った。その結果、本発明者らは、概
要、（１）基体上に形成される非単結晶材料で構成され
た層の内部に、該層の層厚方向に実質的に平行な柱状構
造の領域を複数配した場合、該柱状構造の領域が前記非
単結晶材料で構成された層の層厚方向に垂直な方向の電
荷の流れがなくなり、解像度が向上する；（２）柱状構
造の領域により、入射光の感光体表面からの反射、積層
された堆積膜の界面からの反射、或は基体表面からの反
射が分散されて、反射のむらが低減（即ち、光の吸収量
の差を低減）する、という知見を得た。

【００２１】本発明は本発明者らが得た上記知見に基づ
いて完成したものである。本発明の骨子は下述するとお
りの内容のものである。即ち、本発明の電子写真感光体
は、電子写真感光体用の基体と、該基体上に設けられた
珪素原子を含有する非単結晶材料で構成された光受容層
と、からなる電子写真感光体であって、前記光受容層
が、該層の内部に位置する複数の核を起点として該層の
層厚方向に実質的に平行な柱状構造の領域を５個／ｃｍ
²乃至５００個／ｃｍ²の密度で有することを特徴とする
ものである。本発明は、上記構成の電子写真感光体の製
造方法を包含する。本発明の電子写真感光体の製造方法
は、減圧にし得る反応容器内に珪素原子を含有するガス
を導入し、前記ガスにマイクロ波エネルギ−を供給し
て、前記反応容器内の放電空間内にプラズマを生起さ
せ、前記反応容器内に配された基体上に珪素原子を含有
する非単結晶材料で構成された光受容層を形成して電子
写真感光体を製造する方法であって、（ｉ）前記光受容
層の一部を形成し、(ii)形成された層の表面に、柱状構
造の領域を形成する起点となるシリコン原子を含有した
粉末で形成されている複数の核を安定した状態で付着さ
せ、(iii)前記複数の核を付着させた層表面上に前記
（ｉ）の工程を行い、前記複数の核を起点として該層の
成長方向に実質的に平行な柱状構造の領域を５個／ｃｍ
²乃至５００個／ｃｍ²の密度で形成することを特徴とす
るものである。

【００２２】上記構成の本発明の電子写真感光体によれ
ば、非単結晶材料で構成された層の内部に、該層の層厚
方向に実質的に平行な柱状構造の領域を複数配すること
により、該柱状構造の領域が前記非単結晶材料で構成さ
れた層の層厚方向に垂直な方向の電荷の流れが抑えら
れ、これにより画像流れの発生がなくなり、解像度が向
上する。また、前記柱状構造の領域により、入射光の感
光体表面からの反射、積層された堆積膜の界面からの反
射、或は基体表面からの反射が分散される。これにより
反射のむらが低減し（即ち、光の吸収量の差のが低
減）、その結果感度むらの発生が低減する。

【００２３】また、本発明の電子写真感光体の製造方法
によれば、上記構成の改善された電子写真感光体を安定
して歩留り良く、しかも安価に製造することができる。

【００２４】本発明者らは、現在の電子写真感光体のほ
とんどは、電荷発生機能、電荷輸送機能、表面保護機
能、電荷注入阻止機能等の機能の異なる複数の層を基体
上に積層して構成されていることに着目し、このような
電子写真感光体における感度むらの発生原因について検
討した。その結果、次のような知見を得た。即ち、積層
した複数の堆積層は各々屈折率が微妙に異なるため、各
層の界面では入射光の反射が生ずる。この反射に加えて
感光体表面からの反射、基体表面からの反射も生じ、こ
れらの全ての反射光はその行路長の違いにより互いに干
渉をおこし、互いに強め合うか、打ち消し合う。たとえ
膜質的に同等な部分であっても、層の厚さ、光の入射角
の違い等により感光体の部分により光の行路長が異なっ
てくるため、干渉により光の強度は感光体の位置によっ
て異なる。これが、反射のむらとなり、感光体の感度の
むらの発生原因となる。

【００２５】また、電子写真感光体における解像度の低
下を引き起こす原因について検討して。その結果、電子
写真感光体においては、基体及び感光層の表面に保持さ
れた電荷で、露光領域に存在するものは露光時に消滅す
るが、露光時に感光層内で発生した電荷によっては非露
光部に残存する電荷の電界により横方向に流れるもの
（即ち、層厚方向に垂直な方向への流れ）が生じ、これ
が解像度の低下を引き起こす。

【００２６】以上述べた知見に基づいて本発明者らは、
上述の感度むらの発生及び、解像度の低下は、基体上に
形成される非単結晶材料で構成された層の内部に、該層
の層厚方向に実質的に平行な柱状構造の領域を複数配し
た場合、防止できるのではないかと考え得るに至った。
本発明者らはこの考えが有効であるか否かを確かめるた
め以下に述べる実験を行った。

【００２７】実験１ 上述した柱状構造の領域の出発点となる核としてＳｉ粉
末をＡｌ基体表面上に散布した後、該Ａｌ基体表面上に
堆積膜（光受容層）を形成して感光体を得た。該堆積膜
をＳＥＭで観察した。また、得られた感光体を用いて、
画像形成を行い、電子写真特性について調べた。

【００２８】成膜装置として、図７及び図８に示した装
置を使用した。図７及び図８に示した装置は以下に述べ
る点を除いて、前述の図１２及び図１３に示した装置と
同じ構成である。即ち、柱状構造の領域の出発点となる
核の導入口として、導入口２１３が設けられている点、
及び基体２０５自転の他に公転するような機構が設けら
れている点で図１２及び図１３に示した装置とは異なっ
ている。図７、及び図８において、２０１は反応容器、
２０２はマイクロ波電力を反応容器２０１内に効率よく
透過し、かつ真空気密を保持し得るアルミナセラミック
スで形成されたマイクロ波導入誘電体窓、２０３はマイ
クロ波電力の伝送を行う導波管である。導波管２０３は
スタブチュ−ナ−（図示せず）、アイソレ−タ−（図示
せず）を介してマイクロ波電源（図示せず）に接続され
ている。２０４は一端が反応容器２０１内に開口し、他
端が排気装置（図示せず）に連通している排気管、２０
６は基体２０５により囲まれた放電空間、２１１はバイ
アス電極２１２に直流電圧を印加するための直流電源
（バイアス電源）である。２１４はシ−ル部材、２１６
は公転プレ−ト、２１５は公転プレ−ト２１６を回転さ
せるためのモ−タ−である。光受容層の形成は以下のよ
うにして行った。

【００２９】即ち、Ａｌ製の基体２０５が配された反応
容器２０１内を排気管２０４を介して排気し、該反応容
器２０１内を１×１０^-7Ｔｏｒｒの圧力に調整した。つ
いでヒ−タ−２０７に通電して基体２０５を２５０℃の
温度に加熱保持した。モ−タ−２１０により基体２０５
を自転させると共に、モ−タ−２１５により基体２０５
を公転させた。ここで、平均粒子径１０μｍのＳｉ粉末
を圧力２×１０⁴Ｐａ、流量１０００ｓｃｃｍのＡｒガ
スとともに導入口２１３を介して２分間に亙って反応容
器２０１内に導入し、基体２０５の表面上にＳｉ粉末を
散布した。次に、不図示のガス導入手段を介して、Ｓｉ
Ｈ₄ガス，Ｈｅガス，ＣＨ₄ガス，ＳｉＦ ₄ガスをそれぞ
れ、３５０ｓｃｃｍ，１００ｓｃｃｍ，５０ｓｃｃｍ，
１ｓｃｃｍの流量で反応容器２０１内に導入し、該反応
容器２０１内を４．０ｍＴｏｒｒの圧力に調整した。こ
うしたところで、マイクロ波電源２０８により周波数
２．４５ＧＨｚ、１０００Ｗのマイクロ波を導波管２０
３を介して反応容器２０１内に導入した。これと同時に
バイアス電極２１２に７０Ｖのバイアス電圧を印加し
た。かくして基体２０５により囲まれた放電空間２０６
において、上述の成膜用原料ガスはマイクロ波のエネル
ギ−により励起されて解離し、バイアス電極２１２と基
体２０５の間の電界により定常的にイオン衝撃を受けな
がら、基体２０５上に水素及び弗素を含有するアモルフ
ァス炭化珪素膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）が２０μｍの厚
みで形成された。こうして得られたアモルファス炭化珪
素膜をＡｌ基体２０５の一部より切り出してＳＥＭ観察
用の試料を作成し、ＳＥＭ観察を行った。そうしたとこ
ろ、基体２０５の表面上のＳｉ核から光受容層の自由表
面に向かって複数の亀裂がはしっており、膜質が粗悪な
ものであることが確認できた。また、光受容層の表面に
は、多数の突起が生じていたので、図９に示す研磨装置
を使用して突起の研磨を行った。図９に示される研磨装
置は、電子写真感光体をシャフトに取りつけてこれを回
転させ、回転する電子写真感光体の表面に研磨テ−プを
圧着させて研磨を行う形態のものである。研磨は以下の
ようにして行った。

【００３０】まず研磨装置本体３０１中の研磨ユニット
３０２を上方に上げクランプ３０３により固定したの
ち、電子写真感光体３０５を支持台３０４と組み合わ
せ、シャフト３０６に固定した。ついでクランプ３０３
を緩め、研磨ユニット３０２を下方に降ろし、圧接ロー
ラ−３０７により研磨テープ３０８を電子写真感光体３
０５に圧着した。研磨テープ３０８としてはポリエステ
ルフィルム上に平均粒径８μｍの炭化珪素粉末を塗布し
たものを用いた。圧接ローラ−３０７は表面にウレタン
ゴム（ＪＩＳ硬度；８０）を被覆したものを用いた。こ
の時、圧接用のバネ３０９を調節して、圧接ローラ−３
０７を介して研磨テープ３０８を電子写真感光体３０５
に圧着させる圧力を線圧４０ｇ／ｃｍ、接触幅（以降
「ニップ幅」と略称する）を０．５ｍｍとした。

【００３１】次に、回転数が可変のモーター３１０及び
３１１を回転し、研磨を行なった。研磨テープ３０８の
送り速度は１０ｍｍ／ｍｉｎ、被研磨部材である電子写
真感光体３０５の回転速度は３００ｍｍ／ｓｅｃとし
て、５分間の研磨を行なった。

【００３２】このようにして得られた感光体をキヤノン
（株）製ＮＰ９３３０複写機を実験用に改造した複写機
に搭載して画像形成を行った。複写の初期には原稿の複
写がなんとかできたものの、複写を繰り返すに従い複写
画像の状態が急激に悪くなり、原稿の文字が認識できな
くなってしまった。ここで作製した感光体の特性が非常
に悪いのは、Ｓｉ核のＡｌ基体上への吸着が安定したも
のではなく、このことに起因して、Ｓｉ核上に形成され
る堆積膜に亀裂が生じたためであろうと考えられる。

【００３３】実験２ 実験においては、実験１で得られた結果に鑑みて、Ｓｉ
核のＡｌ基体上への散布をＡｌ基体上にわずかに堆積膜
を形成した後に行った。即ち、実験１におけるＳｉ核の
Ａｌ基体上への散布工程を、Ａｌ基体上にわずかに堆積
膜を形成した後に行う以外、実験１と同様にして行っ
た。具体的には、次のとおりに行った。反応容器２０１
内を減圧排気した後、Ａｌ基体２０５を２５０℃の温度
に加熱保持した。基体２０５を自転公転させると共に、
ＳｉＨ₄ガス，Ｈｅガス，ＣＨ₄ガス，ＳｉＦ₄ガスの成
膜用原料ガスをそれぞれ、３５０ｓｃｃｍ，１００ｓｃ
ｃｍ，５０ｓｃｃｍ，１ｓｃｃｍの流量で反応容器２０
１内に導入し、該反応容器２０１内を４．０ｍＴｏｒｒ
の圧力に調整した。こうしたところで、マイクロ波電源
２０８により周波数２．４５ＧＨｚ、１０００Ｗのマイ
クロ波を導波管２０３を介して反応容器２０１内に導入
した。これと同時にバイアス電極２１２に７０Ｖのバイ
アス電圧を印加した。この操作を、基体２０５上に水素
及び弗素を含有するアモルファス炭化珪素膜（ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ：Ｆ）が５μｍの厚みで形成されるまでつづけた
後、マイクロ波電源２０５の電源を切り、原料ガスの供
給をストップさせた。次に、平均粒子径１０μｍのＳｉ
粉末を圧力２×１０⁴Ｐａ、流量１０００ｓｃｃｍのＡ
ｒガスとともに導入口２１３より２分間に亙って反応容
器２０１内に導入し、５μｍ厚のアモルファス炭化珪素
膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）上にＳｉ粉末を散布した。そ
の後再び、上述の原料ガスを反応容器２０１内に導入す
るとともに、マイクロ波電力の投入及びバイアス電極２
１２へのバイアス電圧の印加を行う上述の成膜操作を繰
り返して、厚さ１５μｍのアモルファス炭化珪素膜（ａ
−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）を積層した。こうして電子写真感光
体を得た。得られた電子写真感光体について実験１と同
様にして評価した。ＳＥＭ観察の結果、最初に形成した
５μｍ厚のアモルファス炭化珪素膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：
Ｆ）上に散布したＳｉ核から膜厚方向に見かけ上平行な
柱状の領域が形成されているのが観察された。これらの
柱状の領域は、すべてのＳｉ核から発生しているわけで
はなく、Ｓｉ核の中には柱状の領域を発生させていない
ものもあった。図９に示す研磨装置を使用して実験１と
同様に感光体表面の研磨を行った後、実験１と同様に画
像形成を行った。その結果、実験１で得られた複写画像
に比べて格段に優れた画像が得られたが、複写枚数が５
万枚を越えたあたりから急激に複写画像の低下（特に解
像度の低下及び白ポチの増加）が認められた。５万枚複
写後の感光体では、該感光体の光受容層を構成する堆積
膜がどのように変化したのかを観察するため、該堆積膜
をＡｌ基体の一部より切り出してＳＥＭ観察用の試料を
作成し、ＳＥＭ観察を行った。そうしたところ、最初に
形成した５μｍ厚のアモルファス炭化珪素膜（ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ：Ｆ）上に散布されたＳｉ核から膜厚方向に見か
け上平行に形成された柱状の領域は存在するものの、他
にＳｉ核の近傍に堆積膜の存在しない粗な領域が存在し
ているのが確認された。この粗な領域の発生が解像度の
低下及び白ポチの増加を引き起こしたものと考えられ
る。また該粗な領域は、堆積膜上に散布されたいくつか
のＳｉ核が安定した状態で堆積膜に吸着しなかったこと
に起因して生じたものと考えられる。

【００３４】実験３ 本実験においては、Ｓｉ核がアモルファス炭化珪素膜
（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）上に安定した状態で吸着するよ
うにすべく、核となるＳｉ粉末をあらかじめ帯電させ、
該Ｓｉ粉末と基体の両者の電界を利用してＳｉ核をアモ
ルファス炭化珪素膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）上に吸着さ
せるようにした。本実験における成膜操作は、図７及び
図８に示される堆積膜形成装置に改良を加えたものを使
用して行った。具体的には、導入口２１３の途中に０．
５ｍｍ径のタングステン線で構成された帯電器を配し、
この帯電器に直流電圧を印加することでコロナ放電を発
生させてＳｉ粉末を帯電させるようにした。これに加え
て、基体２０５に直流バイアス電圧を印加できるように
した。本実験における成膜は、実験２におけるＳｉ核の
散布を、Ｓｉ粒子を帯電器により帯電させるとともにＡ
ｌ基体２０５にバイアス電圧を印加して両者の間に生ず
る電界を利用して行った以外実験２におけると同様にし
て行った。具体的には、次のとおりに行った。反応容器
２０１内を減圧排気した後、Ａｌ基体２０５を２５０℃
の温度に加熱保持した。Ａｌ基体２０５を自転公転させ
ると共に、ＳｉＨ₄ガス，Ｈｅガス，ＣＨ₄ガス，ＳｉＦ
₄ガスの成膜用原料ガスをそれぞれ、３５０ｓｃｃｍ，
１００ｓｃｃｍ，５０ｓｃｃｍ，１ｓｃｃｍの流量で反
応容器２０１内に導入し、該反応容器２０１内を４．０
ｍＴｏｒｒの圧力に調整した。こうしたところで、マイ
クロ波電源２０８により周波数２．４５ＧＨｚ、１００
０Ｗのマイクロ波を導波管２０３を介して反応容器２０
１内に導入した。これと同時にバイアス電極２１２に７
０Ｖのバイアス電圧を印加した。この成膜工程を、Ａｌ
基体２０５上に５μｍ厚の水素及び弗素を含有するアモ
ルファス炭化珪素膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）が形成され
るまでつづけた後、マイクロ波電源２０５の電源を切
り、上記成膜用原料ガスの供給をストップさせた。次
に、導入口２１３の近傍に設けられた帯電器に５ｋＶの
直流電圧を印加してコロナ放電を発生させてＳｉ粉末を
帯電させ、Ａｌ基体２０５に−１００Ｖの直流電圧を印
加した状態で、Ｓｉ粉末を圧力２×１０⁴Ｐａ、流量１
０００ｓｃｃｍのＡｒガスとともに導入口２１３より２
分間に亙って反応容器２０１内に導入した。Ａｌ基体２
０５への直流電圧を印加を停止した後、上述の成膜用原
料ガスを反応容器２０１内に導入するとともに、マイク
ロ波電力の投入及びバイアス電極２１２へのバイアス電
圧の印加をする上述の成膜操作を繰り返して厚さ１５μ
ｍのアモルファス炭化珪素膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）を
積層した。こうして電子写真感光体を得た。得られた電
子写真感光体について実験２と同様の手法で評価した。
ＳＥＭ観察の結果、最初に形成した５μｍ厚のアモルフ
ァス炭化珪素膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）上に散布された
全てのＳｉ核から堆積膜の膜厚方向に見かけ上平行に柱
状の領域が形成されているのが観察された。図９に示す
研磨装置を使用して実験２におけると同様に感光体表面
の研磨を行った後、実験２と同様にして画像形成を行っ
た。その結果、実験２で得られた複写画像よりもさらに
優れた画像が得られ、１０万枚の複写後にあっても複写
画像の低下は見られなかった。ここで非常に優れた複写
画像が得られた理由は、堆積膜上にＳｉ核が安定な状態
で吸着し、該Ｓｉ核を起点として柱状の領域が膜厚方向
に見かけ上平行に柱状の領域が形成されたためと考えら
れる。

【００３５】実験４ 本実験においては実験３において得られた結果に鑑みて
堆積膜中に形成される柱状構造領域の密度を種々変化さ
せ、好ましい密度を得べく検討した。本実験では、図１
に示される構成の電子写真感光体を複数種作製した。図
１において１０２は、基体であり、１０４は珪素原子を
母体とする非単結晶（アモルファス、微結晶、あるいは
多結晶）で構成された光導電層としての機能を有する層
である。１０３は電荷注入阻止層、１０５は表面保護層
である。１１０は柱状構造を示し、１１１は柱状構造の
核を示す。それぞれの場合、堆積膜の形成は実験３で使
用した装置を使用して以下のように行った。反応容器２
０１内を減圧排気した後、Ａｌ基体２０５を２５０℃の
温度に加熱保持した。Ａｌ基体２０５を自転公転させる
と共に、ＳｉＨ₄ガス，Ｈｅガス，Ｂ₂Ｈ₆ガス，ＮＯガ
スの成膜用原料ガスをそれぞれ、３５０ｓｃｃｍ，１０
００ｐｐｍ，１０ｓｃｃｍの流量で反応容器２０１内に
導入し、該反応容器２０１内を４．０ｍＴｏｒｒの圧力
に調整した。こうしたところで、マイクロ波電源２０８
により周波数２．４５ＧＨｚ、１０００Ｗののマイクロ
波を導波管２０３を介して反応容器２０１内に導入し
た。これと同時にバイアス電極２１２に７０Ｖのバイア
ス電圧を印加した。こうして電荷注入阻止層１０３を形
成した。この成膜工程を続けてＡｌ基体２０５上に３μ
ｍ厚のａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｎ：Ｂ膜を形成した。次いでＢ₂
Ｈ₆ガス及びＮＯガスの供給をやめ、上述したＳｉＨ₄ガ
ス及びＨｅガスに加えてＣＨ₄及びＳｉＦ₄ガスをそれぞ
れ５０ｓｃｃｍ，１ｓｃｃｍの流量で反応容器２０１内
に導入して５μｍのａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ膜を形成した
後、マイクロ波電源２０５の電源を切り、上記成膜用原
料ガスの供給をストップさせた。それぞれの場合におい
て、次に、導入口２１３の近傍に設けられた帯電器に５
ｋＶの直流電圧を印加してコロナ放電を発生させＳｉ粉
末を帯電させ、Ａｌ基体２０５に−１００Ｖの直流電圧
を印加した状態で、該Ｓｉ粉末を圧力２×１０⁴Ｐａ、
流量８００ｓｃｃｍのＡｒガスとともに導入口２１３よ
り異なった導入時間、即ち、１０秒〜５分間に亙って反
応容器２０１内に導入した。Ａｌ基体２０５への直流電
圧を印加を停止した後、上述の成膜用原料ガスを反応容
器２０１内に導入するとともに、マイクロ波電力の投入
及びバイアス電極２１２へのバイアス電圧の印加を行う
上述の成膜操作を繰り返して１５μｍ厚のａ−ＳｉＣ：
Ｈ：Ｆを積層した。こうして光導電層１０４を形成し
た。次に表１に示した成膜条件で０．５μｍ厚のａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ膜からなる表面層１０５を形成した。上記１０
３層、１０４層、及び１０５層の形成条件を表１にまと
めて示す。得られたそれぞれの感光体について、図９に
示す研磨装置を使用して実験２と同様にその表面の研磨
を行った。得られたそれぞれの感光体をキヤノン（株）
製ＮＰ９３３０複写機を実験用に改造した複写機に搭載
して画像形成及び評価を行った。得られた評価結果は表
２にまとめて示す。表２に示した各評価項目については
以下の評価基準で行った。

【００３６】（１）感度むら：全面ハーフトーンの原稿
を原稿台に置きコピーした時に得られた画像サンプルを
観察し、濃淡のむらを評価した。

【００３７】感光体表面を軸方向に３等分、周方向に３
等分表面に対応するように９つの領域に分け各々の領域
の画像濃度の平均を比較し評価した。 ◎ ・・・・ ９つの領域で画像濃度の差無し。 ○ ・・・・ １〜２の領域で一部僅かな画像濃度の差有
り。 △ ・・・・ 全面に渡り画像濃度の差があるが程度は軽徴
である。 × ・・・・ 全面に渡り問題になる程度の画像濃度の差が
ある。

【００３８】（２）解像度：白地に全面文字よりなる通
常の原稿を原稿台に置きコピーした時に得られた画像サ
ンプルを観察し、画像上の文字がいずれもつぶれずに再
現できたか評価した。

【００３９】但し、この時画像上でむらがある時は、全
画像領域で評価し一番悪い部分の結果を示した。 ◎ ・・・・ 良好。 ○ ・・・・ 一部つぶれ有り。 △ ・・・・ つぶれは多いが文字として認識できる。 × ・・・・ 文字として認識できないものもある。

【００４０】（３）干渉縞：全面ハーフトーンの原稿及
び全面黒の原稿を原稿台に置きコピーした時に得られた
画像サンプルを観察し、感光体の膜厚むらに対応した縞
状の濃淡のむらを評価した。 ◎ ・・・・ いずれの画像でも干渉縞は全く認められな
い。 ○ ・・・・ 詳細に観察するとハーフトーンの画像で一部
に軽徴な干渉縞が認められる。 △ ・・・・ ハーフトーンの画像で干渉縞が、全面黒の画
像上では認められない。 × ・・・・ 何れの画像上でも干渉縞が目立つ。

【００４１】（４）がさつき：全面ハーフトーンの原
稿、及び、白地に全面文字よりなる通常の原稿を交互に
原稿台に置きコピーした時に得られた画像サンプルを観
察し、がさつきの程度を評価した。 ◎ ・・・・ いずれの画像でもがさつきは全く認められな
い。 ○ ・・・・ ハーフトーンの画像に一部わずかにがさつく
部分有り。 △ ・・・・ ハーフトーンの画像ではがさつきが目立つ
が、全面文字の原稿には影響無し。 × ・・・・ 文字として認識できないものもある。

【００４２】

【表１】

【００４３】

【表２】 表２に示した結果から明らかなように、堆積膜中に５個
／ｃｍ²乃至５００個／ｃｍ²の範囲の密度で柱状構造を
形成した場合、感度むら、解像度、干渉縞、がさつきの
それぞれにつき、非常に優れた特性を示す電子写真感光
体が得られることが理解される。

【００４４】以上の実験１乃至実験４の結果から、次の
ことが判明した。

【００４５】基体上に非単結晶材料で構成された層を形
成した後、該層の表面に成長して柱状構造の領域を形成
する起点となる核を安定した状態で吸着させた後、非単
結晶材料で構成された層を更に形成し、該層の層厚方向
に実質的に平行な柱状構造の領域を５個／ｃｍ²乃至５
００個／ｃｍ²の密度で形成してなる光受容部材は、感
度むら、解像度、干渉縞、がさつきのそれぞれにつき、
非常に優れた特性を示す。

【００４６】本発明の電子写真感光体は、電子写真感光
体用の基体と、該基体上に設けられた珪素原子を含有す
る非単結晶材料で構成された光受容層と、からなる電子
写真感光体であって、前記光受容層が、該層の内部に位
置する複数の核を起点として該層の層厚方向に実質的に
平行な柱状構造の領域を５個／ｃｍ²乃至５００個／ｃ
ｍ²の密度で有することを特徴とするものである。

【００４７】本発明の電子写真感光体の製造方法は、減
圧にし得る反応容器内に珪素原子を含有するガスを導入
し、前記ガスにマイクロ波エネルギ−を供給して、前記
反応容器内の放電空間内にプラズマを生起させ、前記反
応容器内に配された基体上に珪素原子を含有する非単結
晶材料で構成された光受容層を形成して電子写真感光体
を製造する方法であって、（ｉ）前記光受容層の一部を
形成し、(ii)形成された層の表面に、柱状構造の領域を
形成する起点となる複数の核を安定した状態で付着さ
せ、(iii)前記複数の核を付着させた層表面上に前記
（ｉ）の工程を行い、前記複数の核を起点として該層の
成長方向に実質的に平行な柱状構造の領域を５個／ｃｍ
²乃至５００個／ｃｍ²の密度で形成することを特徴起点
として該層の成長方向に実質的に平行な柱状構造の領域
を５個／ｃｍ²乃至５００個／ｃｍ²の密度で形成するこ
とを特徴とするものである。

【００４８】本発明の電子写真感光体を図１を参照しな
がら説明する。図１は本発明の電子写真感光体の断面を
模式的に示した図である。

【００４９】図１において１０２は、基体であり、１０
４は珪素原子を母体とする非単結晶（アモルファス、微
結晶、あるいは多結晶）で構成された光導電層としての
機能を有する層である。１１０は柱状構造の領域を示
し、１１１は柱状構造の核を示す。１０３は電荷注入阻
止層を示し、１０５は表面保護層を示す。これらの電荷
注入阻止層１０３及び表面保護層１０５は、必ずしも必
要とされるものではなく、得ようとする電子写真感光体
の特性に応じて適宜設けることのできるものである。

【００５０】本発明の電子写真感光体は、従来の感光体
に見られる感度むらの発生、解像度の低下等の問題はな
く、画像特性に優れたものである。この点について、図
６を参照しながら説明する。図６は珪素原子を母体とす
る非単結晶からなる光導電層１０４に光が入射した際、
どのように光が進むかを示した図である。図６において
柱状構造の領域１１０及び柱状構造の核１１１は、非単
結晶層１０４中に界面を形成している。柱状構造の領域
１１０における屈折率と非単結晶層１０４の領域の屈折
率とは異なっていることから入射光Ｉ₁は、両者の界面
において反射を繰り返し、例えばＲ₁〜Ｒ₆の反射光を発
生する。反射光Ｒ₁〜Ｒ₆はそれぞれ行路長が異なるた
め、互いに干渉を起こし、強め合うか、打ち消し合うが
柱状構造の領域１１０の存在により光の反射機会が増加
する。これにより、反射光どうしの干渉が分散され、特
定位置で光が強め合うあるいは打ち消し合うことがなく
なる。

【００５１】また、本発明の電子写真感光体において
は、露光時に光導電層内で発生する電荷が非露光部に残
存する電荷の電界によって引き寄せられて生ずる横流れ
を柱状構造の領域１１０の存在により阻止できる。

【００５２】本発明の電子写真感光体においては、図２
に示す様に、珪素原子を母体とする非単結晶１０４を、
例えば１０４（Ａ）、１０４（Ｂ）、１０４（Ｃ）のよ
うな複数の層を積層して構成することもできる。また、
図３に示す様に１０３層及び１０５層のそれぞれを相異
なる複数の層を積層して構成することもできる。 １０
３層及び１０５層のそれぞれには、上述した以外に例え
ば基体からの光の反射を防ぐ光吸収層、電荷を輸送する
電荷輸送層、又は電荷を発生する電荷発生層として機能
等を持たせることができる。好ましい態様においては、
１０３層を、光吸収層及び／又は電荷注入阻止層とし、
１０５層を電荷発生層及び／又は表面層とする。１０３
層及び１０５層はそれぞれシリコン原子を母体とし炭
素、ゲルマニウム、窒素、酸素、水素、弗素、ほう素、
燐の中から選択される一種又はそれ以上を含有する非晶
質材料及び多結晶質材料を包含する非単結晶材料の中か
ら選択されるもので構成される。柱状構造領域の形状
は、感光体表面に対して水平に切断した場合の形状とし
て、円形、楕円形またはそれらが重なった形状に近似し
た形状が好ましい。感光体表面に対して垂直に切断した
時の断面の形状は、長方形、三角形、台形、またはそれ
らを組み合わせた形状が好ましい。

【００５３】柱状構造領域の大きさは、感光体表面側か
らみて直径（または長径）１μｍ以上、３００μｍ以
下、より好ましくは５μｍ以上、１００μｍ以下が好ま
しい。これより小さいと本発明の効果は見られず、一方
大きいと、所望の電子写真特性が発揮されない。柱状構
造の密度は、直径（または長径）５μｍ以上１００μｍ
以下のものが１ｃｍ²当たり５個以上５００個以下、好
ましくは１０個以上、３００個以下、最適には１０個以
上、１００個以下とされる。これらの範囲より柱状構造
の密度が小さいと本発明の効果が見られず、一方、大き
いと、画像のがさつき等、画像特性の悪化をもたらして
しまう。

【００５４】柱状構造領域発生の起点となる核は微小な
粒子ならば何でも良いが特にシリコン原子を含有した単
結晶、多結晶等の結晶質粉末が好ましい。しかし、非単
結晶の粉末も使用できる。

【００５５】柱状構造領域の発生起点位置は、該柱状構
造領域を形成する光受容層について、該層の下方界面位
置から層厚方向で上方に１μｍ以上、より好ましくは３
μｍ以上、最適には５μｍ以上のところに設定される。

【００５６】柱状構造領域を発生させる起点となる核を
堆積膜上に散布して付着させる好適な方法としては、核
となる粒子を帯電させた後、ヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、等の希ガス、水素ガス、又はシランガス、メタンガ
ス等の原料ガスと共に反応容器内に導入して堆積膜上に
散布し、基体と帯電した粉体の両者の電界を利用して堆
積膜上に核となる該粒子を付着させる方法が挙げられ
る。

【００５７】核となる粒子を帯電させる方法としては、
コロナ放電、火花放電あるいはグロ−放電のような手段
で電荷を与える方法が望ましいものとして例示できる。
コロナ放電を使用する場合、０．１〜０．５ｍｍ程度の
径のステンレス線、タングステン線等の帯電線で構成さ
れた帯電器に、４〜８ｋＶの直流電圧をかけてコロナ放
電を発生させる。核となる粒子と共に反応容器内に導入
されるガスの流量及び吹き出し圧は、粉体粒子の大き
さ、量、対象となる膜の面積、散布時間等に依存して変
わるものであるが、一般に該ガスの流量を１００ｓｃｃ
ｍ〜１００ｓｌｍとし、圧力を１０⁴Ｐａ〜１０⁵Ｐａに
するのが好ましい。帯電した粒子と基体間の電界を用い
て付着を行う場合には、電界の強度は、１Ｖ／ｃｍ〜１
００Ｖ／ｃｍとするのが好ましい。

【００５８】本発明における珪素原子を含有する非単結
晶層１０４は珪素原子に対して炭素原子を２．０原子％
以上、２５原子％以下含有し、更に、珪素原子に対して
弗素原子を２．０ｐｐｍ以上、９０ｐｐｍ以下含有する
ことが好ましい。

【００５９】珪素原子を含有する非単結晶層１０４の形
成に用いる原料ガスとしては、シラン、ジシラン等の他
に、炭素原子を添加するガスとして、メタン（Ｃ
Ｈ₄）、エタン（Ｃ₂Ｈ₅）、エチレン（Ｃ₂Ｈ₄）、アセ
チレン（Ｃ₂Ｈ₂）、プロパン（Ｃ₃Ｈ₈）等の炭化水素ま
たはこれらの混合ガスが挙げられる。また、テトラメチ
ルシラン（Ｓｉ（ＣＨ₃）₄）の様に珪素原子と炭素原子
を同時に含むガスも原料ガスとして有効である。

【００６０】珪素原子を含有する非単結晶層１０４中に
弗素原子を添加するために使用するガスとしては、四弗
化珪素（ＳｉＦ₄）、（ＣＦ₄）等の弗化物またはこれら
の混合ガスが挙げられる。

【００６１】１０４層中に炭素を含有させる場合、１０
４層中の珪素原子の量に対して２原子％以上、２０原子
％以下、最適には３原子％以上、１０原子％以下含有さ
せることが好ましい。

【００６２】１０４層中に弗素原子を含有させる場合、
１０４層中の珪素原子の量に対して２ｐｐｍ以上、９０
ｐｐｍ以下、最適には３ｐｐｍ以上、８０ｐｐｍ以下の
量で含有させることが望ましい。

【００６３】１０４層の厚さは、基体上の堆積膜の総膜
厚の３０％以上、１００％以下、更に好ましくは５０％
以上、１００％以下の範囲が好ましい。

【００６４】本発明において、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法により１０４層を形成する場合、放電空間内にバイ
アス電圧を印加した状態で層形成を行なうことは有効で
あり、少なくとも基体に陽イオンが衝突する方向に電界
が掛かることが好ましい。バイアス電圧を全く掛けない
場合、本発明の効果は著しく低減してしまうが、バイア
ス電圧を印加する場合、ＤＣ成分の電圧を１Ｖ以上、５
００Ｖ以下、好ましくは５Ｖ以上、１００Ｖ以下とする
のが望ましい。

【００６５】１０３層及び１０５層の形成方法は、真空
蒸着、スパッタ、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等適宜選択
して使用できる。

【００６６】基体材料としては、例えば、ステンレス、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したポリカーボネート等の合成樹脂、ガラ
ス、セラミックス、紙等が使用できる。

【００６７】基体の形状は任意の物で良いが、複数の基
体で放電空間を取り囲む構成の堆積膜形成方法において
は特に円筒形の物が最適である。基体の大きさには特に
制限はないが実用的には直径２０ｍｍ以上、５００ｍｍ
以下、長さ１０ｍｍ以上、１０００ｍｍ以下が好まし
い。

【００６８】複数の基体で放電空間を取り囲む構成の堆
積膜形成方法においては基体の間隔は１ｍｍ以上、５０
ｍｍ以下が好ましい。基体の数は放電空間を形成できる
ならばいずれでも良いが３本以上、より好ましくは４本
以上が適当である。

【００６９】本発明において、珪素原子を含有する非単
結晶よりなる層は、特に、水素を含むアモルファスシリ
コン、または、他の原子を含み珪素を主体としたアモル
ファス材料が望ましい。

【００７０】本発明の電子写真用感光体では、基体上に
堆積した堆積膜の総膜厚は、５μｍ以上、１００μｍ以
下、更に好ましくは１０μｍ以上、７０μｍ以下、最適
には１５μｍ以上、５０μｍ以下が望ましい。

【００７１】電子写真感光体を構成する堆積膜の形成法
としては、特にプラズマＣＶＤ法が望ましい。そして、
プラズマＣＶＤ法であれば、ＤＣ放電法、ＲＦ放電法、
マイクロ波放電法等を使用することができるが、特にマ
イクロ波を使用した放電法が好ましい。

【００７２】マイクロ波を使用する場合、特に、図７及
び図８に示すように、放電空間を囲むように基体を設
け、少なくとも基体の一端側から導波管によりマイクロ
波を放電空間に導入する構成の方法が望ましい。この
時、マイクロ波を導入のための誘電体窓の材質としては
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化珪素
（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化ベリリウム
（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の損
失の少ない材料が通常使用される。

【００７３】本発明では、堆積膜形成中の放電空間の圧
力は、ＤＣ電力またはＲＦ電力を放電電力として用いる
場合には、特に１００ｍｔｏｒｒ以上、５ｔｏｒｒ以
下、好ましくは２００ｍｔｏｒｒ以上、２ｔｏｒｒ以下
が好ましい。マイクロ波を放電電力として用いる場合に
は、０．５ｍｔｏｒｒ以上、１００ｍｔｏｒｒ以下、好
ましくは１ｍｔｏｒｒ以上、２０ｍｔｏｒｒ以下の圧力
が、放電の安定性及び堆積膜の均一性を考慮すると望ま
しい。

【００７４】堆積膜形成時の基体温度は、１００℃以
上、５００℃以下の範囲がとり得るが、特に１５０℃以
上、４５０℃以下、好ましくは２００℃以上、４００℃
以下、最適には２３０℃以上、３５０℃以下が望まし
い。

【００７５】基体の加熱方法は、真空仕様である発熱体
であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き
付けヒーター、板状ヒーター、セラミックスヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。また、それ以外にも、反応容器とは別に加熱
専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で
基体を搬送する等の方法も使用することができる。更
に、放電に使用するマイクロ波自身により（例えば、必
要に応じて強度を変えることにより）基体温度を制御す
ることも可能である。以上のいずれの手段を単独にまた
は併用して用いることができる。

【００７６】堆積膜形成中の放電電力は、ＤＣ電力また
はＲＦ電力を放電電力として用いる場合、特に２０Ｗ以
上、２ｋＷ以下、好ましくは５０Ｗ以上、１ｋＷ以下
が、マイクロ波放電電力として用いる場合、１００Ｗ以
上、１０ｋＷ以下、好ましくは５００Ｗ以上、２ｋＷ以
下が望ましい。

【００７７】本発明に使用される研磨工程は、研磨材を
塗布した研磨テープを用いる場合特に効果が大きい。好
適な研磨材としてはシリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ（Ａ
ｌ₂Ｏ ₃）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、炭化珪素（ＳｉＣ）、
窒化炭素（Ｃ₃Ｎ₄）、酸化セリウム（ＣｅＯ）等の微粉
末がある。研磨材の平均粒径としては、平均粒径が小さ
すぎると研磨速度が低下し、実質的な研磨時間の増大を
招き、大きすぎると研磨速度が非常に速くなり、目的と
する柱状構造以外の部分にも影響を与えてしまう。具体
的には、１μｍ以上、２０μｍ以下が望ましい。

【００７８】研磨材の微粉末を塗布するベース材料とし
てはフィルム状の形状のものならばいずれでも良く、ポ
リアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリ尿素、ポ
リオレフィン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリ弗化エチレン、ポリアクリロニトリ
ル、ポリビニルアルコール、ポリシアン化ビニリデン等
の有機高分子、ステンレス等の金属薄膜、紙等が挙げら
れる。中でも計量且つ強度もあること、安価で大量生産
が可能で環境変化に強い等の理由により有機高分子フィ
ルムが最適である。

【００７９】研磨装置に用いられる圧接ローラーとして
は、いずれの材質でも良いが、圧接ローラーが必要以上
に堅い場合には研磨テープによる傷が被研磨部材である
電子写真感光体に発生し、又、必要以上に柔らかい場合
には圧接圧力が研磨テープに伝わらず、実質的に研磨速
度の低下を招くため、例えば表面をシリコンゴムあるい
はウレタン等の材料で被覆したものが望ましい。更に、
圧接圧力に応じて研磨テープと電子写真感光体との間
で、適切な量のニップ幅をもたせることが可能なローラ
ーが好ましい。この時ニップ幅としては、０．０１ｍｍ
以上、３ｍｍ以下が望ましい。圧接圧力としては線圧と
して１０ｇ／ｃｍ以上、５００ｇ／ｃｍ以下が望まし
い。

【００８０】圧接ローラーの代わりに凸型に湾曲した圧
接部材を用いても良い。

【００８１】溶剤に分散させた研磨材を用いる方法も有
効である。この時好適な研磨材としてはシリカ（ＳｉＯ
₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、炭
化珪素（ＳｉＣ）、窒化炭素（Ｃ₃Ｎ₄）、酸化セリウム
（ＣｅＯ）等の微粉末がある。研磨材の平均粒径として
は、平均粒径が小さすぎると研磨速度が低下し、実質的
な研磨時間の増大を招き、大きすぎると研磨速度が非常
に速くなり、目的とする柱状構造以外の部分にも影響を
与えてしまう。具体的には、１μｍ以上、２０μｍ以下
が望ましい。

【００８２】溶剤としては研磨材が分散可能であればい
ずれの液体でも良いが、取り扱いの容易さから特に水が
好ましい。研磨材の濃度は流動性と研磨速度の最適化の
ため、体積比率で５％以上、５０％以下が望ましい。研
磨材を分散した溶液を保持する部材は、溶剤を保持でき
るならばいずれでも良いが、実用上特に布、紙等、繊維
質の物が望ましい。

【００８３】保持部材の形状としてはいずれでも良く、
ローラー状、平面状、円筒形の電子写真感光体を包み込
むような曲面を持ったもの等が挙げられる。この時ニッ
プ幅としては、０．１ｍｍ以上、１００ｍｍ以下が望ま
しい。圧接圧力としては１ｇ／ｃｍ²以上、１０００ｇ
／ｃｍ²以下が望ましい。

【００８４】何れの研磨方法でも、被研磨材である電子
写真感光体の回転速度は１ｍｍ／ｓｅｃ以上、１０００
ｍｍ／ｓｅｃ以下が望ましい。研磨時間は１０秒以上、
６０分以下、好ましくは１分以上、１０分以下が本発明
を実施するに当たり適当である。

【００８５】堆積膜の断面構造の観察は、感光体の切断
面を必要に応じてバフ研磨等の研磨を行った後、光学顕
微鏡または電子顕微鏡等を使用して行うことが望まし
い。

【００８６】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明の電子写真感光
体及びその製造方法をより具体的に説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。

【００８７】実施例１ 実験４で使用した成膜装置を使用して、図１に示される
３層構成のアモルファスシリコン系電子写真感光体を複
数種作製した。それぞれの電子写真感光体は、光導電層
１０４の形成条件を下述するように一部変更した以外
は、実験４におけると同様の方法で作製した即ち、それ
ぞれの場合において、１０４層形成の際のＣＨ₄の流量
は表１においては一点のみが示されているがこれを種々
変化させ、Ｓｉ粉末の付着工程の際の平均粒子径１０μ
ｍのＳｉ粉末を圧力２．５×１０⁴Ｐａ、流量１０００
ｓｃｃｍのＡｒガスとともに導入口２１３より２分間に
亙って反応容器２０１内に導入した以外は実験４におけ
ると同様にして、電子写真感光体を作製した。

【００８８】このようにして得られた電子写真感光体の
それぞれについて、実験４で行ったのと同様にして評価
を行った。得られた評価結果を表３に示す。表３におけ
る「白ポチ」の評価基準は次のとおりである。

【００８９】白ポチ：黒原稿を原稿台に置きコピーした
時に得られた画像サンプルの同一面積内にある白点の数
により評価を行なった。 ◎ ・・・・ 良好。 ○ ・・・・ 一部小さい白点有り。 △ ・・・・ 全面に白点があるが文字の認識には支障無
し。 × ・・・・ 文字が読みにくい程白点が多い。

【００９０】

【表３】 表３に示した結果から明らかなように、本発明の電子写
真感光体は、１０４層中に炭素原子を２．０原子％乃至
２５原子％の範囲で含有する場合に特に有効であること
がわかる。

【００９１】実施例２ 実験４で使用した成膜装置を使用して、図１に示される
３層構成のアモルファスシリコン系電子写真感光体を複
数種形成した。それぞれの電子写真感光体は、光導電層
１０４の形成条件を下述するように一部変更した以外
は、実験４におけると同様の方法で作製した即ち、それ
ぞれの場合において、１０４層形成の際のＳｉＦ₄の流
量は表１においては一点のみが示されているがこれを種
々変化させ、Ｓｉ粉末の付着工程の際の平均粒子径１０
μｍのＳｉ粉末を圧力２．５×１０ ⁴Ｐａ、流量１００
０ｓｃｃｍのＡｒガスとともに導入口２１３より２分間
に亙って反応容器２０１内に導入した以外は実験４にお
けると同様にして、電子写真感光体を作成した。このよ
うにして得られた電子写真感光体を使用して、画像形成
を行い、感度むら及び解像度について実験４で行ったの
と同様にして評価を行った。得られた評価結果を表４に
示す。表４から理解されるように本発明の電子写真感光
体は、１０４層中に弗素原子を２．０ｐｐｍ乃至９０ｐ
ｐｍの範囲で含有する場合に特に有効である。尚、この
傾向は、１０４層中の炭素量を変化させても同様であっ
た。

【００９２】

【表４】 実施例３ 実験４で使用した成膜装置を使用して、図４に示される
３層構成のアモルファスシリコン系電子写真感光体を複
数種作成した。３層の形成条件は表５に示したとおりで
ある。本実施例においては、１０４（Ｂ）層と１０５層
の層厚を変化させて感光体を製造し、得られたそれぞれ
の感光体について評価を行った。ここで、感光体を構成
する堆積膜の総膜厚を２０μｍ，３０μｍ，４０μｍ，
として検討した。また、１０４（Ａ）層形成の条件につ
いて、珪素原子に対して炭素原子が１４原子％、且つ弗
素原子が７０ｐｐｍ含有されるようにＣＨ₄ガス及びＳ
ｉＦ₆ガスを反応容器内に導入した。１０４（Ｂ）層形
成の条件については、珪素原子に対して炭素原子が７原
子％、且つ弗素原子が３０ｐｐｍ含有されるようにＣＨ
₄ガス及びＳｉＦ₆ガスを反応容器内に導入した。柱状構
造の成長起点となる成長核の堆積膜上への散布工程は、
１０４（Ｂ）層を５μｍ形成した後、実験４で示したの
と同様の方法で行った。得られた結果を表６に示す。表
６より１０４層の層膜厚が感光体を構成する堆積膜の総
膜厚３０％以上、１００％未満の範囲にあるとき本発明
の電子写真感光体は、特に有用であることがわかる。
尚、この傾向は１０４層中の炭素量及び弗素量を変化さ
せても同様であった。

【００９３】

【表５】

【００９４】

【表６】 実施例４ 表７に示す条件で、Ｓｉ粉末の付着工程の際の平均粒子
径１０μｍのＳｉ粉末を圧力２．５×１０⁴Ｐａ、流量
１０００ｓｃｃｍのＡｒガスとともに導入口２１３より
２分間に亙って反応容器２０１内に導入した以外は実験
４におけると同様にして、複数種の電子写真感光体を作
成した。得られた電子写真感光体のそれぞれについて、
実験４で行ったのと同様にして評価を行った。得られた
評価結果を表８に示す。表８における「細線再現性」
「クリ−ニング性」「耐久性」「サ−ビス性」の評価基
準は次のとおりである。

【００９５】細線再現性：白地に全面文字よりなる通常
の原稿を原稿台に置きコピーした時に得られた画像サン
プルを観察し、画像上の細線が途切れずにつながってい
るか評価した。但しこの時画像上のむらがある時は、全
画像領域で評価し一番悪い部分の結果を示した。 ◎ ・・・・ 良好。 ○ ・・・・ 一部途切れあり。 △ ・・・・ 途切れは多いが文字として認識できる。 × ・・・・ 文字として認識できないものもある。

【００９６】クリーニング性：全面黒原稿、ハーフトー
ン原稿、全面文字の原稿を各１０枚づつコピーを行な
い、クリーナーによるクリーニング性を評価した。 ◎ ・・・・ 良好。 ○ ・・・・ 一部小さなクリーニング不良が認められたが
ブレード清掃後治まった。 △ ・・・・ 筋状にクリーニング不良が数カ所認められた
が実用上支障無し。 × ・・・・ 全面クリーニング不良。

【００９７】耐久性：上記の評価を行なった電子写真感
光体を複写機にいれ、１万枚通紙耐久後次のようにして
評価した。 ◎ ・・・・ いずれの項目においても初期と同等である。 ○ ・・・・ いずれか１つの項目において初期に比べ僅か
に劣化が認められた。 △ ・・・・ いずれかの項目において初期に比べかなりの
劣化が認められるが、実用上支障無し。 × ・・・・ 実用上支障がある劣化が認められた。

【００９８】サービス性：ブレード傷によるクリーニン
グ不良か、分離爪摩耗による紙の分離不良が発生するま
で連続的に通紙耐久を行ない、通紙枚数を市場でのサー
ビスマンの出動実績と比較した。 ◎ ・・・・ 他の定期交換部品の補償枚数以上であった。 ○ ・・・・ 定期点検で充分対応可能な枚数であった。 △ ・・・・ サービスマンが定期点検以外に呼ばれる可能
性のある枚数であった。 × ・・・・ サービスが困難な枚数であった。

【００９９】

【表７】

【０１００】

【表８】 比較例１ 図１２及び図１３に示す成膜装置を使用して、表９に示
す条件で柱状構造領域のないアモルファスシリコン電子
写真感光体を作成した。得られた感光体を使用して、実
施例４と同様にして評価を行った。評価結果を表８に示
す。

【０１０１】

【表９】 比較例２ ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて表１０に示す条件によ
り、図１１に示す構成のアモルファスシリコン電子写真
感光体を作製した。図１１において５０２はＡｌ基体、
５０３は電荷注入阻止層、５０４は光導電層、５０４は
表面保護層をそれぞれ示している。ここでは図１４に示
した成膜装置を使用して通常行われる手順によりＡｌ基
体７０５上にアモルファスシリコン膜の形成を行ない電
子写真感光体を作製した。図１４において、７０１は真
空容器、７０２はＲＦ電源、７０３は原料ガス導入口、
７０６は放電空間、７０７は支持体、７０８絶縁体、７
０９は回転シャフトである。得られた感光体は図１５に
示す研磨装置８０１を用いて表面の研磨を行った。感光
体８０５を回転シャフト８０６にセットしてモ−タ−８
１１により回転させた。回転する感光体８０５に粒径２
μｍのシリカ粉末を分散させたノルマルヘプタン液を塗
布した研磨布８０７を押し当てて１０分間研磨した。８
０２は押し当て機構である。こうして得られた電子写真
感光体について、実施例４と同様にして評価を行った。
評価結果を表８に示す。

【０１０２】

【表１０】 実施例５ 実験４で使用した成膜装置を使用して、表１１に示す条
件に従い、図５に示す４層構成の電子写真感光体を作製
した。柱状構造成長の核となるＳｉ粉末の散布工程は、
１０４層を５μｍ堆積させた後、平均粒子径１２μｍの
Ｓｉ粉末を圧力２．５×１０⁴Ｐａ、流量８００ｓｃｃ
ｍのＡｒガスとともに導入口２１３より２分間に亙って
反応容器２０１内に導入して行った。細かい操作手順は
実験４に示したのと類似のものとした。得られた電子写
真感光体について、実施例４と同様にして評価を行っ
た。その結果、実施例４と同様に優れた特性を有するも
のであることが確認された。

【０１０３】

【表１１】 実施例６ 炭素原子の供給ガスとして、メタンガスに代えて、アセ
チレンガスを用い、実験４で使用した成膜装置を使用し
て、表１２に示す条件に従い、図１に示す３層構成の電
子写真感光体を作製した。柱状構造成長の核となるＳｉ
粉末の付着工程は、１０４層を５μｍ堆積させた後、平
均粒子径８μｍのＳｉ粉末を圧力２．５１０⁴Ｐａ、流
量８００ｓｃｃｍのＡｒガスとともに導入口２１３より
３分間に亙って反応容器２０１内に導入して行った。細
かい操作手順は実験４に示したのと類似のものとした。
得られた電子写真感光体について、実施例４と同様にし
て評価を行った。その結果、実施例４と同様にして評価
を行った。その結果、実施例４と同様に優れた特性を有
するものであることが確認された。

【０１０４】

【表１２】 実施例７ 実験４で使用した成膜装置を使用して、表７に示す条件
に従い、実施例４と同様の工程により基体上に堆積膜を
形成した。堆積膜形成後、図１０に示される研磨装置を
使用して感光体表面の研磨を行った。図１０に示される
研磨装置は、電子写真感光体をシャフトに取りつけてこ
れを回転させ、回転する電子写真感光体の表面に研磨液
４１３を供給して研磨を行う形態のものである。

【０１０５】まず研磨装置本体４０１中の研磨ユニット
４０２を上方に上げクランプ４０３により固定した後、
電子写真感光体４０５を支持体４０４と組み合わせ、シ
ャフト４０６に固定した。ついでクランプ４０３を緩
め、研磨ユニット４０２を下方に降ろし、研磨ローラー
４０７を電子写真感光体４０５に圧着した。研磨ローラ
ー４０７の表面の材質として布を用いた。この時、圧差
用のバネ４０９を調節して、研磨ローラー４０７を電子
写真感光体４０５に圧着させる圧力を１０ｇ／ｃｍ²、
ニップ幅を１０ｍｍとした。

【０１０６】上部タンク４０８に蓄えられた、研磨材と
して平均粒径が８μｍの炭化珪素を使用した研磨液４１
３をバルブ４１４で流量を調節しながら、注入管４１５
を通して研磨ローラー４０７に滴下した。研磨液の滴下
と同時に、モーター４１０及び４１１を回転させ、研磨
を行なった。研磨ローラー４０７の回転速度は１０ｍｍ
／ｍｉｎ，被研磨部材である電子写真感光体４０５の回
転速度は３００ｍｍ／ｓｅｃとして５分間の研磨を行な
った。以上のようにして研磨を終了した電子写真感光体
は、その表面をイオン交換水にて洗浄し、表面に残存し
ている研磨液を取り除き、続いて温度４０℃の乾燥室に
て１時間放置して表面の水分を取り除いた。

【０１０７】こうして得られた電子写真感光体を実施例
４と同様の手順で評価した。その結果、実施例４の場合
と同様に、優れた電子写真感光体であることが確認でき
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す
模式図である。

【図２】本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す
模式図である。

【図３】本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す
模式図である。

【図４】本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す
模式図である。

【図５】本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す
模式図である。

【図６】本発明の電子写真感光体における光の入射行路
及び反射行路を模式的に示す模式図である。

【図７】本発明の電子写真感光体を製造するのに使用可
能な成膜装置の一例を示す模式図である。

【図８】本発明の電子写真感光体を製造するのに使用可
能な成膜装置の一例を示す模式図である。

【図９】研磨装置を示す模式図である。

【図１０】研磨装置を示す模式図である。

【図１１】従来の電子写真感光体を模式的に示す模式図
である。

【図１２】マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の一例を示す
模式図である。

【図１３】マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の一例を示す
模式図である。

【図１４】ＲＦプラズマＣＶＤ装置を示す模式図であ
る。

【図１５】研磨装置を示す模式図である。

【符号の説明】

１０１ 本発明による電子写真感光体の断面 １０２，５０２ 基体 １０３ 電荷注入阻止層 １０４ 光導電層 １０５ 表面保護層 １１０ 柱状構造の領域 １１１ 柱状構造の核 ２０１，６０１，７０１ 反応容器 ２０２，６０２ マイクロ波導入管 ２０３，６０３ 導波管 ２０４，６０４，７０４ 排気管 ２０５，６０５，７０５ 基体 ２０６，６０６，７０６ 放電空間 ２０７，６０７，７０７ ヒーター ２０９，６０９，７０９ 回転軸 ２１０，６１０，７１０ モーター ２１１ 直流電源 ２１２ バイアス電極 ２１３ 粒子導入口 ３０１，４０１，８０１ 研磨装置 ３０２，４０２ 研磨ユニット ３０３，４０３ クランプ ３０４，４０４ 支持体 ３０５，４０５，８０５ 電子写真感光体 ３０６，４０６，８０６ シャフト ３０７ 圧接ローラー ３０８ 研磨テープ ３０９，４０９ バネ ３１０，４１０ モーター ３１１，４１１，８１１ モーター ４０７ 研磨ローラー ４０８ タンク ４１３ 研磨液 ４１４ バルブ ４１５ 注入管 ５０１ 従来の電子写真感光体の断面 ５０３ 電荷注入阻止層 ５０４ 光導電層 ５０５ 表面保護層 ７０２ ＲＦ電極 ７０３ 原料ガス導入管 ７０８ 絶縁がいし ８０２ 押し当て機構 ８０７ 研磨布

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−295567（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−83753（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−83754（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−295568（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−76117（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−121759（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−191749（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 5/08

Claims (15)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子写真感光体用の基体と、該基体上に
   設けられた珪素原子を含有する非単結晶材料で構成され
   た光受容層と、からなる電子写真感光体であって、前記
   光受容層が、該層の内部に位置する複数の核を起点とし
   て該層の層厚方向に実質的に平行な柱状構造の領域を５
   個／ｃｍ²乃至５００個／ｃｍ²の密度で有することを特
   徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】 前記核を構成する材料は、結晶性材料で
   ある請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 【請求項３】 前記柱状構造の領域の直径は、１μｍ乃
   至３００μｍの範囲にある請求項１に記載の電子写真感
   光体。
4. 【請求項４】 前記核は前記光受容層の前記基体側の界
   面位置から１μｍ以上の位置に設けられる請求項１に記
   載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 前記光受容層を構成する前記非単結晶材
   料は、珪素原子に対して炭素原子を２．０原子％乃至２
   ５原子％の範囲で含有する請求項１に記載の電子写真感
   光体。
6. 【請求項６】 前記光受容層を構成する非単結晶材料
   は、珪素原子に対して弗素原子を２．０ｐｐｍ乃至９０
   ｐｐｍの範囲で含有する請求項１に記載の電子写真感光
   体。
7. 【請求項７】 減圧にし得る反応容器内に珪素原子を含
   有するガスを導入し、前記ガスにマイクロ波エネルギ−
   を供給して、前記反応容器内の放電空間内にプラズマを
   生起させ、前記反応容器内に配された基体上に珪素原子
   を含有する非単結晶材料で構成された光受容層を形成し
   て電子写真感光体を製造する方法であって、（ｉ）前記
   光受容層の一部を形成し、(ii)形成された層の表面に、
   柱状構造の領域を形成する起点となるシリコン原子を含
   有した粉末で形成されている複数の核を安定した状態で
   付着させ、(iii)前記複数の核を付着させた層表面上に
   前記（ｉ）の工程を行い、前記複数の核を起点として該
   層の成長方向に実質的に平行な柱状構造の領域を５個／
   ｃｍ²乃至５００個／ｃｍ²の密度で形成することを特徴
   とする電子写真感光体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記核を構成する材料は、結晶性材料で
   ある請求項７に記載の電子写真感光体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記柱状構造の領域の直径は、１μｍ乃
   至３００μｍの範囲にある請求項７に記載の電子写真感
   光体の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記核は前記光受容層の前記基体側の
    界面位置から１μｍ以上の位置に配置させる請求項７に
    記載の電子写真感光体の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記光受容層を構成する前記非単結晶
    材料は、珪素原子に対して炭素原子を２．０原子％乃至
    ２５原子％の範囲で含有する請求項７に記載の電子写真
    感光体の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記光受容層を構成する前記非単結晶
    は、珪素原子に対して弗素原子を２．０ｐｐｍ乃至９０
    ｐｐｍの範囲で含有する請求項７に記載の電子写真感光
    体の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記核を構成する材料を帯電させて前
    記反応容器内に導入する請求項７に記載の電子写真感光
    体の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記帯電はコロナ帯電である請求項１
    ３に記載の電子写真感光体の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記核の前記層表面への付着は、１Ｖ
    ／ｃｍ〜１００Ｖ／ｃｍの電界のもとで行われる請求項
    １３に記載の電子写真感光体の製造方法。