JP3913067B2 - 電子写真用感光体、その製造方法、ならびに電子写真装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真装置に使用される感光体、その製造方法、ならびに、この感光体を光受容部材とする電子写真装置に関する。より具体的には、アモルファス炭素（ａ−Ｃ）表面保護層を具えるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系感光体において、その表面に露出する突起の存在に起因する画像欠陥、ならびに電子写真画像形成工程中の光受容部材表面のクリーニング工程における弊害・不具合の発生を防止する改良が施された感光体と、かかる感光体を製造する方法、さらには、かかる感光体を光受容部材として、画像欠陥、ならびにクリーニング工程における弊害・不具合の発生がない電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複写機、ファクシミリ、プリンターなどの電子写真装置では、先ず、導電性の円筒状基体表面に光導電層を設けた感光体の外周面をコロナ帯電、ローラ帯電、ファーブラシ帯電、磁気ブラシ帯電などの帯電手段を用いて一様に帯電させる。次いで、被複写体の被複写像を、反射光あるいは変調信号に応じたレーザー光やＬＥＤ光を用いて、感光体表面の露光を行い、前記感光体の外周面上に静電潜像を形成する。さらに、該感光体上にトナーを付着させることで、この静電潜像よりトナー像を形成し、トナー像を複写用紙などに転写することで、複写（画像形成）が行なわれる。
【０００３】
このようにして電子写真装置で複写を行なった後には、感光体の外周面上にトナーが一部残留しているため、次回の複写工程に進む前に、この残留トナーを除去する必要がある。かかる残留トナー除去は、クリーニングブレード、ファーブラシ、マグネットブラシ等を用いたクリーニング装置によって行うのが一般的である。
【０００４】
また、近年環境への配慮から、廃トナー量の低減あるいは廃トナーの解消を目的として、前記の機械的な除去方式を使用するクリーニング装置を省略した電子写真装置も提案され、また一部上市もされている。この電子写真装置に用いられる残留トナーの除去方式は、例えば、特開平６−１１８７４１号公報に開示されている様なブラシ帯電器の様な直接帯電器を使用し、クリーニング工程と帯電工程を兼ねるもの、特開平１０−３０７４５５号公報（ＵＳＰ ６１２８４５６ 公報）に開示されている様な現像器を使用し、残留トナー回収のクリーニング工程とトナー付着の現像工程を兼ねるものなどがある。上述する、いずれのクリーニング方式においても、トナーと感光体表面が摺擦、除去させる工程を含んでいる。
【０００５】
一方、近年印刷画像の高画質化のために、従来よりも平均粒径の小さいトナーの使用、あるいは省エネルギーに対応した融点の低いトナーの使用が進められている。同時に、周囲の電気回路素子の発達に伴い、電子写真装置の複写速度、すなわち感光体回転数も上昇の一途をたどっている。このような状況において、電子写真装置の複写速度・頻度を増すとともに、感光体表面に残留トナーなどに起因する融着が発生してしまう現象が顕在化している。特に、近年、電子写真装置のデジタル化の進展に伴い、画質に対する要求はますますレベルアップしており、従来のアナログ型装置では許容されうる程度の画像欠陥も問題視せざるを得ないような状況に達している。従って、画像欠陥の要因を除くとともに、残留トナーなどに起因する融着発生に対しても、ますますその解消、防止に有効な方策が要望される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
融着やフィルミング発生の原因は詳細わたって解明されてはいないものの、概略、次の述べる要因に起因していると予想される。例えば、クリーニングブレードなどを用いたクリーニング工程において、感光体と摺擦部分の間に摩擦力が働くと、接触状態にビビリ現象が発生する。それに伴い、感光体表面に対する圧縮効果が高くなり、残留トナーが強く感光体表面に押しつけられるため、融着やフィルミングが発生する。加えて、電子写真装置の画像形成プロセススピードが速くなるにつれ、摺擦部分と感光体との相対速度もますます高くなるため、前記の発生原因の状況が起こりやすいくもなっている。
【０００７】
前記の感光体と摺擦部分との間の摩擦力に起因する、融着やフィルミング発生を抑制するための対策として、例えば、特開平１１−１３３６４０号公報ならびに特開平１１−１３３６４１号公報（ＵＳＰ ６００１５２１ 公報）に示されているように、感光体の表面保護層として、水素を含有したアモルファス炭素層（以下、ａ−Ｃ：Ｈ膜）を用いることが提案され、また、有効であることが示されている。このａ−Ｃ：Ｈ膜は、別名ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）とも呼ばれるように、非常に硬度が高いので、傷、摩耗を防ぐことができることに加えて、特異な固体潤滑性をも持っている。この二つの特質から、融着、フィルミングを防止する最適の材料と考えられる。
【０００８】
ところが、この表面保護層に用いるａ−Ｃ：Ｈ膜と、光導電層に用いられる水素を含有したアモルファスシリコン層（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜）とでは、それぞれ最適な特性が得られる堆積条件が異なることがある。すなわち、一般に、光導電層に用いられるａ−Ｓｉ：Ｈ膜の場合、実用的な特性を得るためには、堆積時の基体温度を２００℃〜４５０℃の範囲に設定することが好ましい。他方、表面保護層に用いるａ−Ｃ：Ｈ膜の場合には、堆積時の基体温度を低く設定する方が良好な膜が得られるため、通常、室温〜１５０℃程度の範囲に基体温度を設定して成膜されることが多い。従って、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜をベースとした感光層上にａ−Ｃ：Ｈ膜からなる表面層を積層した感光体を作製する場合には、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の堆積のために２００℃〜４５０℃に設定されていた基体温度を、室温〜１５０℃程度まで冷却し、その後、表面層用のａ−Ｃ：Ｈ膜を成膜する必要がある。多くの堆積室は、基体の温度を制御するために加熱ヒーターを内蔵しているが、冷却のための部材を具えていないことが多い。その場合には、２００℃〜４５０℃に設定されていた基体温度を、室温〜１５０℃程度まで冷却する際、自然放熱に依らざるをえない。特に、真空環境下では、該自然放熱過程には、非常に長時間を要していた。その結果、１堆積室当たり、１日当りの生産本数が減少し、感光体の製造コストを上昇させる要因となるという問題があった。
【０００９】
また、他の問題として、製造にこのように長時間を要する感光体について、作製後、出荷検査を行った際、予期せぬ画像不良や電位不良などの製品となり得ない不良が発生している場合もあり、このような不良品の発生がさらにコストを上昇させる要因ともなっていた。
【００１０】
更に、それとは別に、特開昭６２−１８９４７７号公報にも記載されているように、ａ−Ｓｉ感光体においては、その製法上の問題として、しばしば堆積膜表面に突起が発生することが知られている。突起発生を抑制する方法は多数提案されているものの、表面にたまたま付着した微細な異物に由来している突起発生を皆無にすることは、技術的にも、またコスト的にも非常に困難とされている。
【００１１】
この突起部分では、その形状因子から、現像剤（トナー粒子）の融着が発生しやすく、表面保護層にａ−Ｃ：Ｈ膜を用いて、突起以外の正常部分における融着発生の抑制を図ったとしても、突起部分における融着発生までも、完全に防止するには到っていない。
【００１２】
加えて、感光体は、電子写真装置内で使用すると、帯電、現像、転写、クリーニングなど、なんらかの接触する部材により、摺擦され摩耗する。その際、正常部分と比較して、突起部分はその形状的な特異性のため、選択的に摩耗が大きくなる。さらに、初期には画像欠陥ではなかったものが、突起の頭頂部が摩耗する結果、電荷保持能力が低下して画像欠陥となり、また、突起頭頂部が摩耗した部分は、ａ−Ｃ：Ｈ膜の表面保護層（以後、ａ−Ｃ表面層と略記）がなくなり、そこを起点として、融着が発生するなど、画像特性を劣化させる要因となる懸念がある。
【００１３】
ちなみに、摩耗の主原因がクリーニング工程による摺擦である系において、アモルファス炭化珪素（ａ−ＳｉＣ）表面層を用いている場合、正常部分の摩耗量は１万枚当り１ｎｍ程度である。また、摩耗の主原因が摺擦力の高い接触帯電工程である系における正常部分の摩耗量は、ａ−ＳｉＣ表面層の場合、１万枚当たり１０ｎｍ程度であるが、ａ−Ｃ表面層の場合には、概ね１万枚当たり１ｎｍ程度である。
【００１４】
さらに、一般にクリーニングブレードを用いている系においては、突起によってブレードがダメージを受けたり、欠けたりして、いわゆる現像剤（トナー）の抜けが生じることもあり、その結果、クリーニング不良が発生する可能性もあった。
【００１５】
本発明は、上記の課題を解決するもので、本発明の目的は、主にａ−Ｃ表面層を用いる系において、光導電層のａ−Ｓｉ膜形成に際して、発生する突起に付随する上述の弊害を無くし、より高い信頼性を有する電子写真用感光体及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の最終的な目的は、かかるより高い信頼性を有する電子写真用感光体を使用する電子写真装置を提供することにある。より具体的には、光導電層のａ−Ｓｉ膜形成に際して、突起の発生があったとしても、その突起に由来する融着、フィルミングの発生を回避でき、また、突起の選択的な摩耗に付随する画像欠陥の発生も回避でき、同時に、ａ−Ｃ表面層を用いた利点をより発揮できる構造を持つ電子写真用感光体及びその製造方法を提供することにある。
【００１６】
加えて、本発明の目的は、主にａ−Ｃ表面層を用いる系において、光導電層のａ−Ｓｉ膜を形成した後、表面保護膜のａ−Ｃ膜を形成する際、基板温度がａ−Ｓｉ膜作製時の温度より、ａ−Ｃ膜作製時の温度が有意に低い条件を選択する際にも、かかる温度の変更を効率的に実施し、高い作業効率性で電子写真用感光体の作製を可能とする製造方法を提供することにある。同時に、本発明の目的は、かかる高い作業効率性を有する製造方法を利用して、画像品質に関連する感光体特性に優れる感光体をより安価なコストで製造することが可能な製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ａ−Ｃを表面層に用いたａ−Ｓｉ感光体の作製条件を検討していた際、上述のように、光導電層のａ−Ｓｉと表面層のａ−Ｃとでは、それぞれの成膜における最適な基体温度が異なることを見出した。そして、光導電層のａ−Ｓｉから表面層のａ−Ｃまでを一貫して製造する場合、それぞれの膜を最適な基体温度で成膜を行うためには、両膜の成膜工程の間で基体温度を変更せざるを得ない。特に、真空状態でかかる温度変更、具体的には、温度降下を自然放熱により行うと、その温度変更に掛かる時間がかなり長く、堆積室の利用効率の向上を阻害する原因となっていることに気が付いた。より具体的には、光導電層のａ−Ｓｉ膜の製造に最適な基体温度は、２００℃〜４５０℃と高いが、表面層のａ−Ｃ膜の製造に最適な温度は、室温〜１５０℃程度であるため、工程途中で基体を冷却する必要があるということである。従来の堆積室には、加熱用ヒーターは設けられているものの、冷却手段は設けられていないため、元々、冷却速度は低くならざるを得ない。加えて、冷却時、堆積室内が真空状態となるため、対流、熱伝導がなく、一種の断熱状態となるので、さらに冷却速度が低くなり、温度降下に多大な時間が必要となっていた。
【００１８】
この問題を解決するため、本発明者らは鋭意検討を行った。基体温度の変更、特に、温度降下を素早く行うために、例えば、水冷パイプなどの冷却手段を基体内部に設けて強制冷却する方法も考えらる。しかしながら、基体ホルダーなど、限られたスペース中に、加熱用ヒーターと冷却パイプとを共存させることは難しく、また、装置構成が複雑になると、製造装置の装置コスト上昇の要因ともなるという新たな問題ともなった。また、加熱は、輻射熱を利用して、真空中においても効率よく行えるものの、冷却では、輻射熱による熱放散効率は温度の低下とともに急速に低下し、従って、冷却パイプなどの熱伝導冷却手段を設けても、満足できる程度まで冷却時間を短縮することはできなかった。
【００１９】
そこで、本発明者らは、減圧状態を維持したまま、光導電層のａ−Ｓｉ膜から表面層のａ−Ｃ膜までを連続的に成膜するという発想に代えて、光導電層のａ−Ｓｉ膜と中間層を成膜した後、一旦、基体を堆積室から取り出し、大気圧下に曝して、冷却した後、再び堆積室に投入して、表面層のａ−Ｃ膜を成膜するというプロセスを考えた。堆積室は、光導電層のａ−Ｓｉ膜と中間層を成膜した基体を取り出し後、例えば、堆積に使用した堆積室内部の浄化を行うため、ドライエッチングによるクリーニングを実施するなど、直ちに、次の工程を実施することで、時間ロスなく、製造工程に供することができるようになる。一方、堆積室から取り出した基体は、大気圧下で熱伝導によって、効率的に自然冷却後、再び堆積室に戻し、ａ−Ｃ膜を成膜することにより、最適な室温〜１５０℃程度の低い基体温度でａ−Ｃ膜の成膜を行うことができる。このサイクルは、感光体作製の１本毎に行っても、十分な効果があるが、さらには、複数本まとめて行ってもよい。例えば、光導電層のａ−Ｓｉ膜と中間層を成膜した基体を、ある程度の本数、作り溜めておき、その後、その複数本に対して、連続して表面層のａ−Ｃ膜を成膜してもよい。
【００２０】
本発明者らは、前記の工程を採用すると、副次的メリットとして、光導電層のａ−Ｓｉ膜と中間層を成膜した基体を堆積室から取り出した際、大気圧下において、種々の検査が行うことも可能となることも見出した。かかる検査としては、例えば、外観検査によって剥がれや球状突起による不良をチェックすることができる。また、該感光体構成が、光導電層と表面層の間に中間層を設ける構成である点を利用し、光導電層と中間層を形成した状態での検査として、場合によっては、画像検査や電位特性検査を行うこともできる。これらの検査において不良が見つかった場合、不良品については、以降の工程、表面層のａ−Ｃ膜の成膜を取りやめることができるため、さらに、堆積室の効率的な利用を図り、あるいは、不必要な原料ガスの消費を防ぐことができ、製造ライン全体として、不要なコストのさらなる削減が可能となるというメリットが生じる。
【００２１】
なお、本発明者らは、光導電層のａ−Ｓｉ膜と中間層を成膜した基体を堆積室から取り出し、大気圧下にその表面を曝した後、表面層のａ−Ｃ膜を成膜した場合の影響については、大気圧下に表面を曝さず、連続成膜を行った場合と、電気特性、画像特性に関して、特に差は見られなかった。また、表面層の密着性においても実用上問題となる弊害は見られなかった。しかし、特に、大気圧下に表面を曝す間に、画像検査や電位特性検査を行う、あるいは、コロナ帯電に伴い、堆積膜表面がオゾンと接触した場合には、表面層の密着性をより上げることを目的として、表面層の成膜前に、大気圧下に曝された表面に水による洗浄を施すことが好ましいことをも見出した。あるいは、水による洗浄以外の方法としては、表面層成膜前に、大気圧下に曝された表面にフッ素などのガスにより軽くエッチングを施すことも好ましいことを見出した。さらに、両者の処理を組み合わせることも、表面層の密着性向上という面で、より好ましい効果を発揮することをも見出した。
【００２２】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく、さらに検討を進めた。その際、従来より提案されている突起の低減方法として、例えば、感光体を製造した後、その表面を研磨し、突起の高さを低くする技術が、特開平１１−２９９６号公報に開示されているが、この方法では、ａ−Ｃ表面層を成膜した後、突起の頭頂部を研磨し、図１０（ｃ）に示す形状とする。この図１０（ｃ）に示す最終形状は、前述の通り、初期から画像欠陥を引き起こすものになったり、あるいは、融着発生の起点となったりする懸念があり、必ずしも好ましいものではなかった。
【００２３】
図１０に、ａ−Ｃ表面層を成膜した後、突起の頭頂部を研磨により平坦化した電子写真用感光体の一例をより詳しく示す。例えば、Ａｌ、ステンレス等の導電性材料からなる円筒状基体１５０１上に、光導電層１５０２、中間層１５０５および表面保護層１５０３を順次積層したものであり、突起１５０４は光導電層１５０２の形成中に発生している。図１０において、（ａ）は中間層１５０５まで成膜した時の突起部の模式的な断面図、（ｂ）は表面保護層１５０３まで成膜した時の突起部の模式的な断面図であり、（ｃ）は表面保護層１５０３を成膜した後、突起の頭頂部を研磨により平坦化した状態の模式的な断面図である。
【００２４】
突起１５０４の材質は、周囲の光導電層１５０２とほとんど同様のものである。その後に堆積する中間層１５０５、表面保護層１５０３は、突起形状に沿う様に形成されている。図１０（ｃ）は、後述するような研磨装置を使用して、突起を研磨した状態を示しており、研磨に伴い、突起頭頂部分の表面保護層は削り取られた状態となっている。
【００２５】
本発明者らは、前記の従来方法に代えて、突起に付随する弊害・課題を解消する手段について、鋭意研究を進めた結果、表面保護膜を形成する前に、堆積膜表面に露呈している突起の頭頂部を除去し、平坦化を行う加工、例えば研磨加工を施し、その平坦化がなされた堆積膜表面に、最表面がａ−Ｃ表面層となる表面保護膜を堆積・積層することによって、得られる電子写真用感光体の電子写真特性は、元来突起が存在した部分と正常部分とで、ほとんど差が無くなることを見出した。特に、突起に由来するトナー融着、フィルミングの発生を回避でき、また、突起の選択的な摩耗に付随する画像欠陥の発生も回避でき、さらには、ａ−Ｃ表面層を用いている利点が維持される、均一で、優れた画像特性の電子写真用感光体が高い再現性で得られることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００２６】
また、突起に由来するトナー融着、フィルミングの発生の回避、突起の選択的な摩耗に付随する画像欠陥の発生も回避に関しては、最表面がａ−Ｃ表面層である場合に後述のような利点を有し、最も高い効果を示すものの、その効果が発揮される範囲は、最表面がａ−Ｃ表面層である場合に限定されるものではなく、より一般的に適用でき、なかでも、ａ−Ｃ表面層に用いると、より好ましい形態となることを見出し、より広範な適用が可能な本発明を完成するに到った。
【００２７】
すなわち、本発明の第一の形態にかかる電子写真用感光体の製造方法は、
円筒状基体と、少なくとも非単結晶材料からなる第一の層および非単結晶材料からなる第二の層とを具えてなる電子写真用感光体の製造方法であって、
導電性の表面を有する前記円筒状基体を、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内に設置し、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、該円筒状基体の表面上に少なくとも非単結晶材料からなる前記第一の層を堆積する第一の工程と、
第一の層を堆積した前記円筒状基体を、大気圧下に曝す処理を施す第二の工程と、
第二の工程の処理を施した前記円筒状基体に対して、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、更に少なくとも非単結晶材料からなる前記第二の層を堆積する第三の工程と
を有することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法である。その際、本発明の第一の形態にかかる電子写真用感光体の製造方法は、例えば、前記第二の工程の処理として、前記第一の層を堆積した前記円筒状基体を、大気圧下に曝し、冷却を行う処理を施す形態とすることができる。なお、前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体を、第一の工程で用いた前記堆積室から取り出す工程を含むことができる。
【００２８】
一方、前記第三の工程では、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる第二の層を堆積させることを特徴とする電子写真用感光体の製造方法とすることが好ましい。
【００２９】
すなわち、前記第一の工程は、前記少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層を堆積した後、
前記光導電層の表面側に設ける中間層として、少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも１つの原子を含有する非単結晶材料からなる層を形成する工程を有する構成を採用する。
【００３０】
加えて、前記第三の工程において、前記第二の層の堆積に先立ち、
前記第二の層に対して円筒状基体側に、少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも１つの原子を含有する非単結晶材料からなる層を形成する工程を有することもできる。
【００３１】
また、本発明の第一の形態にかかる電子写真用感光体の製造方法では、
前記第一の工程における、第一の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度と、前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度とを、異なる温度に選択することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法であってもよい。その際、前記第一の工程における、第一の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、２００℃〜４５０℃の範囲に選択することが好ましい。一方、前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、２０℃〜１５０℃の範囲に選択することが好ましい。特には、前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、室温に選択することがより好ましい。
【００３２】
さらには、本発明の第一の形態にかかる電子写真用感光体の製造方法では、
前記第二の工程における、第一の層を堆積した前記円筒状基体を大気圧下に曝す処理は、大気圧下に３０分間以上放置する工程を有することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法とすることができる。加えて、前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体の検査を行う工程を有することができる。例えば、第二の工程で行う前記検査は、外観検査を含むことができる。また、第二の工程で行う前記検査において、前記第一の層を堆積した円筒状基体に対して、その表面にオゾンを接触させる工程を有することもできる。例えば、第二の工程で行う前記検査は、前記第一の層を堆積した円筒状基体を用いて形成する画像の検査を含むことができる。あるいは、第二の工程で行う前記検査は、前記第一の層を堆積した円筒状基体の電気特性の検査を含むことができる。
【００３３】
なお、本発明の第一の形態にかかる電子写真用感光体の製造方法では、
前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体に対して、その表面に水を接触させる工程を有することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法とすることができる。なかでも、前記表面に水を接触させる工程は、洗浄を含むことが好ましい。あるいは、前記第三の工程においては、
前記第一の層を堆積した円筒状基体に対して、その堆積層の最表面をエッチングした後、少なくとも非単結晶材料からなる前記第二の層を堆積することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法とすることが好ましい。
【００３４】
さらには、上記の本発明の第一の形態は、電子写真用感光体の発明、ならびに、電子写真装置の発明をも提供し、
すなわち、本発明の第一の形態にかかる電子写真用感光体は、上述する本発明の第一の形態にかかる製造方法のいずれか１つの方法によって製造される電子写真用感光体であり、
また、本発明の第一の形態にかかる電子写真装置は、
円筒状基体と、少なくとも非単結晶材料からなる第一の層および非単結晶材料からなる第二の層とを具えてなる電子写真用感光体を利用する電子写真装置であって、
前記電子写真用感光体は、上記の電子写真用感光体であることを特徴とする電子写真装置である。
【００３５】
さらに、本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体は、
導電性材料からなる円筒状基体と、
前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
前記光導電層上に堆積された少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも１つの原子を含有する非単結晶材料からなる中間層と、
前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる電子写真用感光体であって、
前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層は、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に堆積せしめた非単結晶材料からなり、前記光導電層上への前記中間層堆積後、その堆積膜表面に加工を施してなる表面を有する層であり、
前記表面保護層は、前記加工を施してなる表面を有する前記中間層を具えてなる前記光導電層上に、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記光導電層上に堆積せしめた非単結晶材料からなる層であり、
前記光導電層上への中間層堆積後、その堆積膜表面に施される加工は、該非単結晶材料からなる層の堆積後、その表面に存在していた突起部の頭頂部の除去を図る加工である
ことを特徴とする電子写真用感光体である。
加えて、光導電層上への中間層堆積後、その堆積膜表面に施される加工が、研磨であることがより好ましい。
【００３６】
従って、本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体においては、
前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層層は、非単結晶材料からなる前記中間層の前記光導電層上への堆積後、研磨により、その表面に存在していた突起の平坦化がなされた表面を有することを特徴とする電子写真用感光体とすることが好ましい。例えば、研磨は、非単結晶材料からなる前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その表面に研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされたものであることができる。
【００３７】
加えて、本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体においては、
表面への加工が、大気中においてなされていることを特徴とする電子写真用感光体であってもよい。さらには、表面への加工中、または、加工後、少なくとも前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層層に対して、該加工対象である、非単結晶材料からなる層の表面を水と接触させ、洗浄する処理が施されていることが好ましい。
【００３８】
また、本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体の製造方法は、
導電性材料からなる円筒状基体と、
前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
前記光導電層上に堆積された少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層と、
前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる電子写真用感光体の製造方法であって、
排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に、非単結晶材料からなる前記光導電層、前記光導電層上に、非単結晶材料からなる中間層を、それぞれ所定の膜厚に堆積する第一の工程と、
前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に加工を施す第二の工程と、
排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記第二の工程で加工を施された前記中間層の表面上に、非単結晶材料からなる前記表面保護層を所定の膜厚に堆積する第三の工程とを有し、
第二の工程において、前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に施す加工が、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面の、少なくとも突起の頭頂部の除去を図る加工である
ことを特徴とする電子写真用感光体の製造方法である。
その際、例えば、第二の工程において、前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に施す加工が、研磨加工であることがより好ましい。その際、研磨加工は、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面の突起を研磨し、表面の平坦化を行うものであることが好ましい。
【００３９】
なお、研磨加工が、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面表面に、研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされることを特徴と電子写真用感光体の製造方法とすることができる。また、第二の工程において、表面への加工が大気中でなされることもできる。
【００４０】
加えて、本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体の製造方法は、
第二の工程において、表面への加工とともに、加工されている表面を水と接触させ、洗浄する処理を施す、あるいは、第二の工程後、第三の工程前に、加工された表面を水と接触させ、洗浄する処理を施すことが好ましい。
【００４１】
本発明の更なる形態は、上記の電子写真用感光体を利用する電子写真装置の発明をも提供し、すなわち、本発明の更なる形態にかかる電子写真装置は、
円筒状基体と、
前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
前記光導電層上に堆積された少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層と、
前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる感光体を用いる電子写真装置であって、
前記感光体は、
前記円筒状基体は、導電性材料からなる円筒状基体であり、
前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層は、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に堆積せしめた非単結晶材料からなり、前記光導電層上への前記中間層の堆積後、その堆積膜表面に加工を施し、その表面に存在していた突起の頭頂部の除去がなされた表面を有する層であり、
前記表面保護層は、前記加工を施してなる表面を有する前記中間層を具えてなる前記光導電層上に、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記光導電層上に堆積せしめた非単結晶材料からなる層である構成を有することを特徴とする電子写真装置である。その際、感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その堆積膜表面に施される加工が、研磨加工であることが好ましい。
【００４２】
例えば、感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その表面に施される研磨加工が、非単結晶材料からなる前記中間層の堆積後、その表面に研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされたものであることができる。なお、感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その堆積膜表面に施される研磨加工が、大気中においてなされていることができる。
【００４３】
加えて、本発明の更なる形態にかかる電子写真装置では、
前記中間層を前記光導電層上へ堆積後、その堆積膜表面への研磨加工中、または、研磨加工後、少なくとも前記表面を水と接触させ、洗浄する処理が施されていることが好ましい。
【００４４】
さらには、前記光導電層は、少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積される、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる層であり、その光導電層上に堆積される中間層として、少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる層を採用している。
【００４５】
一方、前記電子写真用感光体の表面保護層は、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて堆積される、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることが好ましい。
【００４６】
対応して、上述の本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体の製造方法は、
前記第三の工程において、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる表面保護層を堆積することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法とすることが好ましい。
【００４７】
同じく、上述の本発明の更なる形態にかかる電子写真装置では、
前記感光体の表面保護層は、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて堆積される、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする電子写真装置とすることが好ましい。
【００４８】
従って、上述する本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体では、
前記電子写真用感光体は、前記円筒状基体上に、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層を堆積した後、更に、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、堆積せしめた少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層を設け、前記中間層の堆積後、その堆積膜表面に加工を施してなる表面を有しており、
前記電子写真用感光体の表面保護層は、前記加工を施してなる表面上に堆積せしめた前記少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする電子写真用感光体とすることができる。
【００４９】
対応して、上述する本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体の製造方法では、
前記第一の工程において、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる前記光導電層の堆積に引き続き、更に少なくとも排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、原料ガスを高周波電力により分解し、少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層を堆積せしめ、
前記第二の工程では、前記中間層が更に堆積せしめられた堆積膜の表面に加工を施し、
前記第三の工程では、前記第二の工程で加工を施された前記堆積膜の表面上に、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる前記表面保護層を堆積することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法とすることができる。
【００５０】
また、対応させて、上述の本発明の更なる形態にかかる電子写真装置では、
前記感光体は、前記円筒状基体上に、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層を堆積した後、更に、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、堆積せしめた少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層を設け、前記中間層の堆積後、その堆積膜表面に加工を施してなる表面を有しており、
前記感光体の表面保護層は、前記加工を施してなる表面上に堆積せしめた前記少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする電子写真装置とすることができる。
【００５１】
その際、上述する本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体では、
前記中間層の堆積後、その堆積膜表面に加工を施し、その表面に存在していた突起の頭頂部の除去がなされた表面を有しており、
前記電子写真用感光体の表面保護層は、前記突起の頭頂部の除去がなされた表面上に堆積せしめた前記少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする電子写真用感光体とすることができる。
【００５２】
対応させて、上述する本発明の更なる形態にかかる電子写真用感光体の製造方法では、
前記第二の工程において、
前記中間層の堆積後、その堆積膜表面に加工を施し、その表面に存在していた突起の頭頂部の除去がなされた表面とされており、
前記第三の工程において、
前記突起の頭頂部の除去がなされた表面上に、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる表面保護層の堆積がなされることを特徴とする電子写真用感光体の製造方法とすることができる。
【００５３】
従って、上述の本発明の更なる形態にかかる電子写真装置では、
前記感光体の光導電層は、少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積される、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる層であり、
更に堆積される前記中間層は、少なくともシリコン原子と炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であって、前記中間層の堆積後、その堆積膜表面に加工を施し、その表面に存在していた突起の頭頂部の除去がなされた表面を有する層であり、
前記感光体の表面保護層は、前記突起の頭頂部の除去がなされた表面上に堆積された少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする電子写真装置とすることができる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明をより詳細に説明する。
【００５５】
（本発明に係わるａ−Ｓｉ感光体）
図１に、本発明に係わる電子写真用感光体の一例を示す。
【００５６】
図１に例示する電子写真用感光体は、例えばＡl、ステンレス等の導電性材料からなる基体１０１上に、第一の層１０２および第二の層１０３を順次積層したものである。本発明においては、第一の層１０２中に含まれる光導電層１０６の材料として、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料、例えば、ａ−Ｓｉ、第二の層１０３である表面保護層の材料として、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料、例えば、ａ−Ｃを用いることが好ましい。
【００５７】
なお、第一の層１０２中の光導電層１０６には、必要に応じて、基体１０１と接する部分に、さらに、下部阻止層１０４を設けてもよい。この下部阻止層１０４は、その伝導性を制御する、周期律表 13族元素、15族元素といったドーパントを選択して添加することにより、正帯電、負帯電といった帯電極性の制御も可能となる。
【００５８】
さらに、光導電層１０６と表面保護層１０３との間に、中間層１０５をもうける構成を採用している。この中間層１０５は、光導電層１０６とともに、第一の工程中に成膜し、その後、一旦堆積室から取り出し、第二の工程における処理を終えた後、再び、堆積室内に設置し、第三の工程で、その表面に表面保護層１０３を堆積する方法をとることができる。
加えて、第一の工程中に、光導電層１０６とともに第一の中間層を成膜し、その後、一旦堆積室から取り出し、第二の工程における処理を終えた後、再び、堆積室内に設置し、第三の工程で、第二の中間層と表面保護層１０３とを連続的に堆積する方法をとることができる。また、中間層１０５には、少なくともシリコン原子を母材とし、加えて、炭素原子、窒素原子、酸素原子の少なくとも１つ以上を含有する非単結晶材料からなる膜を用いることが好ましい。
【００５９】
なお、本発明に係わる電子写真用感光体において、光導電層や表面保護層に用いられる非単結晶材料は、非晶質に加えて、微結晶や多結晶のものをも含む。一般に、非晶質のものを用いることがより好ましい。
【００６０】
（基体の形状及び材質）
基体形状は、電子写真用感光体の駆動方式などに応じて、適宜選択することができる。例えば、平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状、または板状無端ベルト状であることができ、その厚さは、目的とする電子写真用感光体を形成し得るように適宜決定される。例えば、電子写真用感光体としての可撓性が要求される場合には、シリンダーとしての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、基体の厚さは、シリンダーの製造上および取り扱い上の観点で要求される機械的強度等の点から、通常、高い可撓性が要求される板状無端ベルト状では、１０μｍ以上とされ、形状の安定性が要求される一般的シリンダー状では、１ｍｍ以上とされる。
【００６１】
基体の材質としては、上記Ａlやステンレスなどの導電性材料が一般的であるが、例えば、各種のプラスチックやガラス、セラミックス等、特には導電性を有しないものに、これら導電性材料を少なくとも光導電層などの形成する側の表面に蒸着するなどして、表面に導電性を付与したものも用いることができる。
【００６２】
導電性材料としては、上記Ａｌやステンレスの他、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金が挙げられる。
【００６３】
また、板状無端ベルト状の基体本体の作製に利用可能なプラスチック材料としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等のフィルムまたはシートが挙げられる。
【００６４】
（本発明に係わるａ−Ｓｉ光導電層）
本発明の感光体では、光導電層１０６として、シリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる膜、より具体的には、シリコン原子を母体とし、更に水素原子及び/又はハロゲン原子を含む非晶質材料（「ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」と略記する）からなる膜を利用する。
【００６５】
この光導電層のａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって作製可能であるが、プラズマＣＶＤ法を用いて作製すると、特に高品質の膜が得られるため好ましい。プラズマＣＶＤ法では、原料ガスとして、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化可能な水素化珪素（シラン類）を用い、高周波電力によって分解することによって、堆積膜の作製が可能である。更に、堆積膜作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。
【００６６】
プラズマＣＶＤ法でａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）膜を堆積する際、基体温度を、２００℃〜４５０℃、より好ましくは２５０℃〜３５０℃程度の温度に保つことが、特性上好ましい。これは、基体温度を前記の範囲に保持することで、基体表面での表面反応を促進させ、充分に構造緩和をさせるためである。また、これらの原料ガスに、更にＨ₂あるいはハロゲン原子を含むガスを所望量混合して堆積膜を形成することも、特性を向上する上で好ましい。ハロゲン原子供給用の原料ガスとして、有効な物質として、フッ素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₅、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体を利用することもでき、例えば、ＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等のフッ化珪素を好ましいものとして挙げることができる。また、これらの炭素供給用の原料ガスは、必要に応じて、Ｈ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００６７】
光導電層１０６の膜厚は、特に限定はないが、製造コストなどを考慮すると１５〜５０μｍ程度が適当である。
【００６８】
更に、特性を向上させる目的で、光導電層１０６を、複数の層で構成することもできる。例えば、よりバンドギャップの狭い層を表面側に、よりバンドギャップの広い層を基板側に配置することで、光感度と帯電特性を同時に向上させることができる。特に、半導体レーザーなど、比較的長波長であって且つ波長分布のほとんどない光源を露光光に利用する際、光導電層１０６を、前記する複数層構成を工夫によって、画期的な特性の向上効果が達成できる。
【００６９】
光導電層１０６のａ−Ｓｉ膜には、光キャリア走行性の向上、耐電特性の改善を目的として、必要に応じて、その伝導性を制御するドーパントを添加してもよい。具体的には、ａ−Ｓｉ膜のドーパントに利用される、周期律表 １３族元素としては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に、Ｂ、Ａｌが好適である。また、周期律表 １５族原子としては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特に、Ｐが好適である。ドーパント原子の含有量は、好ましくは１×１０^-2〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³原子ｐｐｍの範囲に選択することが望ましい。
【００７０】
１３族元素導入用の原料物質として、例えば、ホウ素原子導入用として、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化ホウ素、ならびに、ＢＦ₃、ＢＣl₃、ＢＢr₃等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。その他、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができる。中でも、Ｂ₂Ｈ₆は、取り扱いの面からも好ましい原料物質の一つである。
【００７１】
１５族原子導入用に、有効に使用される原料物質として、例えば、リン原子導入用としては、ＰＨ₃，Ｐ₂Ｈ₄等の水素化リン、ＰＦ₃，ＰＦ₅，ＰＣｌ₃，ＰＣｌ₅，ＰＢｒ₃，ＰＩ₃等のハロゲン化リン、さらにＰＨ₄Ｉ等が挙げられる。その他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃等も、１５族原子導入用に有効な原料物質として挙げられる。
【００７２】
次に、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−Ｃ表面保護層との間に設けられる中間層１０５には、ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）をベースとし、更に、Ｃ、Ｎ、Ｏから選ばれた一つ以上の原子を含有した非結晶材料からなる膜が利用でき、より好ましくは、ａ−Ｓｉ光導電層とａ−Ｃ表面保護層の中間的な組成である、ａ−ＳｉＣ（Ｈ、Ｘ）で形成されることが好ましい。ａ−ＳｉＣ膜を中間層１０５に利用する場合、ａ−Ｓｉ光導電層１０６からａ−Ｃ表面保護層１０３に向かって、ａ−ＳｉＣ中間層１０５の組成を連続的に変化させることも可能であり、表面保護層１０３における干渉の防止等に効果的である。また、この中間層１０５に、１３族元素、１５族元素などのドーパントを添加することにより、その伝導型を制御し、上部阻止層としての機能をも持たせることも可能である。
【００７３】
また、本発明においては、ａ−ＳｉＣ膜などを中間層１０５に利用する際、ａ−ＳｉＣ膜中に水素原子および／またはハロゲン原子を含有させる必要がある。添加される水素原子および／またはハロゲン原子は、例えば、ａ−ＳｉＣ（ならびに、Ｎ，Ｏ）膜中のシリコン原子（あるいは炭素原子）の未結合手を補償し、膜特性の向上、特に、光導電特性ならびに電荷保持特性の向上させる目的で利用される。水素原子の含有量は、ａ−ＳｉＣなどの構成原子の総量（Ｓｉ＋Ｃ（ならびに、Ｎ，Ｏ））に対して、通常の場合、（Ｈ／Ｓｉ＋Ｃ（ならびに、Ｎ，Ｏ））を、３０〜７０原子％、好ましくは、３５〜６５原子％、最適には、４０〜６０原子％の範囲とすることが望ましい。また、ハロゲン原子（Ｘ）の含有量は、ａ−ＳｉＣなどの構成原子の総量（Ｓｉ＋Ｃ（ならびに、Ｎ，Ｏ））に対して、通常の場合、（Ｘ／Ｓｉ＋Ｃ（ならびに、Ｎ，Ｏ））を、０．０１〜１５原子％、好ましくは、０．１〜１０原子％、最適には、０．５〜５原子％の範囲とすることが望ましい。
【００７４】
中間層１０５として、ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）をベースとし、更に、Ｃ、Ｎ、Ｏから選ばれた一つ以上の原子を含有した非結晶材料からなる膜を利用する場合、プラズマＣＶＤ法で堆積する際、上記の光導電層のａ−Ｓｉ膜と同様のシリコン原子供給用ガスに加えて、Ｃ、Ｎ、Ｏの供給用の原料ガスとして、次に記載するものが好適に利用できる。炭素供給用ガスとして利用可能な物質として、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化可能な炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられる。窒素または酸素供給用ガスとして利用可能な物質として、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｎ₂等のガス状態の、またはガス化可能な化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。
【００７５】
中間層１０５として、例えば、ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）をベースとし、更に、Ｃ、Ｎ、Ｏから選ばれた一つ以上の原子を含有した非結晶材料からなる膜を利用する場合、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって作製可能であるが、ａ−Ｓｉ光導電層と同様に、プラズマＣＶＤ法を用いて作製すると好ましい。また、本発明において、中間層１０５を作製する際に利用するプラズマＣＶＤ法では、用いる高周波電力の周波数として、いかなる高周波数をも用いることができるが、工業的には、ＲＦ周波数帯と呼ばれる、１〜５０ＭＨｚ未満、特に、１３．５６ＭＨｚの高周波を好適に用いることができ、また、特に、５０〜４５０ＭＨｚのＶＨＦ帯と呼ばれる周波数帯の高周波も好適に用いることができる。中間層１０５として、例えば、プラズマＣＶＤ法でａ−ＳｉＣ膜を作製する際、基体温度を、５０℃〜４５０℃、より好ましくは１００℃〜３００℃程度の温度に選択することが好ましい。
【００７６】
加えて、下部阻止層１０４を設ける場合には、一般的に、ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）をベースとし、１３族元素、１５族元素などのドーパントを含有させることにより伝導型を制御し、基体からのキャリアの注入阻止能を持たせることが可能である。この下部阻止層１０４には、ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）をベースとし、必要に応じて、Ｃ、Ｎ、Ｏから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含有させることで応力を調整し、基体表面に対する密着性を向上させる機能を持たせることもできる。
【００７７】
下部阻止層のドーパントとして用いられる１３族元素、１５族元素としては、光導電層１０６のａ−Ｓｉ膜に利用可能として、上に記載したものが利用できる。下部阻止層中の、ドーパント原子の含有量は、好ましくは１×１０^-2〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³原子ｐｐｍの範囲に選択することが望ましい。
【００７８】
（本発明に係わるａ−Ｃ表面層）
第二の層として形成される、表面保護層１０３は、例えば、非単結晶炭素などの、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる膜である。ここで言う非単結晶炭素とは、黒鉛（グラファイト）とダイヤモンドとの中間的な性質を持つアモルファス状の炭素を主に表しているが、微結晶や多結晶を部分的に含んでいても良い。この表面保護層１０３は、自由表面を有し、主に長期間の使用における融着や傷、摩耗の防止といった、本発明の目的を達成するために設けられる。
【００７９】
本発明において、この表面保護層１０３は、原料ガスとして、常温常圧でガス状の炭化水素を用いたプラズマＣＶＤ法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって作製可能であるが、プラズマＣＶＤ法を用いて作製されるａ−Ｃ膜は、透明度、硬度共に高く、感光体の表面保護層として好ましい。また、本発明において、表面保護層１０３を作製する際に利用するプラズマＣＶＤ法では、用いる高周波電力の周波数として、いかなる高周波数をも用いることができるが、工業的には、ＲＦ周波数帯と呼ばれる、１〜５０ＭＨｚ未満、特に、１３．５６ＭＨｚの高周波を好適に用いることができる。また、特に、５０〜４５０ＭＨｚのＶＨＦ帯と呼ばれる周波数帯の高周波を用いると、作製されるａ−Ｃ膜は、透明度、硬度共に更に高くできるので、感光体の表面保護層としての用途により好ましい。
【００８０】
炭素供給用ガスまたはアモルファスカーボン系の供給ガスに利用可能な物質としては、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化可能な炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられる。更に、堆積膜作製時の取り扱い易さ、炭素供給効率の良さ等の点で、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。また、これらの炭素供給用の原料ガスは、必要に応じてＨ₂、Ｈe、Ａr、Ｎe等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００８１】
プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｃを堆積する場合、基体温度は低い温度が好ましい。その理由は、基体温度が上昇するとグラファイト成分が増え、硬度の低下、透明度の低下、表面抵抗の低下など好ましくない影響を及ぼすからである。従って、基体温度は、２０〜１５０℃、好ましくは、室温程度、例えば、２５℃を中心とし、その前後５℃の範囲（２０〜３０℃）に選択する。
【００８２】
本発明の感光体において、より高い表面保護効果を達成するためには、更に表面保護層１０３を構成する、ａ−Ｃなどの、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料中に、水素原子を含有させても良い。水素原子を含有させることで、効果的に膜中の構造欠陥が補償され、局在準位密度が低減するため、膜の透明性が改善され、その結果、表面保護層の用途には好ましくない、不要の光吸収が抑えられ、光感度が改善する。また、ａ−Ｃ膜中の水素原子の存在は、その固体潤滑性に重要な役割を果たしているといわれている。
【００８３】
ａ−Ｃなどの、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料中における、水素原子の含有量（Ｈ／Ｃ）は、１０原子％〜６０原子％の範囲に選択することができるが、３５原子％〜５５原子％の範囲に選択することがより望ましい。水素原子の含有量が３５原子％よりも少ない場合には、十分に上記の透明性向上、固体潤滑性の向上効果が得られない場合がある。また、５５原子％を超えて含有する場合、含有量が増すとともに、ａ−Ｃ膜の硬度がしだいに低下し、磨耗などを防止する機能を要する、感光体の表面保護層として適さなくなる場合がある。
【００８４】
さらに、本発明において、表面保護層に用いるａ−Ｃ膜には、必要に応じて、ハロゲン原子が含まれていても良い。
【００８５】
また、表面保護層自体を、光導電層に近い側（第１表面層）と遠い側（第２表面層）との二層に分け、第１表面層には、水素原子を添加したａ−Ｃ：Ｈ膜、後第２表面層には、ハロゲン原子、特にフッ素原子を添加したａ−Ｃ：Ｆ膜を利用する構成にしてもよい。この二層構成では、第１表面層の硬度（ダイナミック硬度）は、第２表面層のそれより高くなるように、各含有量が設定される。例えば、フッ素原子を添加する場合には、フッ素原子の含有量（Ｆ／Ｃ）は、６原子％〜５０原子％の範囲、より好ましくは３０原子％〜５０原子％の範囲とすればよい。
【００８６】
表面保護層に利用するａ−Ｃ膜の光学的バンドギャップは、一般に、１．２ｅＶ〜２．２ｅＶ程度の値であれば好適に用いることができ、さらに、感度の点から、１．６ｅＶ以上とすることが更に望ましい。その屈折率は、１．８〜２．８程度であれば好適に用いられる。
【００８７】
本発明においては、表面保護層１０３に利用する、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料は、更にシリコン原子を含有していても、好適に用いることができる。ａ−Ｃ膜に、少量のシリコン原子を含有させることで、光学的バンドギャップをより広くすることも可能となり、感度の点からは好ましいものである。一方、シリコン原子の含有量があまり多くなりすぎると、融着やフィルミングの防止特性がしだいに低下するため、感度の向上に関与する光学的バンドギャップとの兼ね合いで、シリコン原子の含有量を選択する必要がある。このシリコン原子の含有量の、融着やフィルミングの防止特性への影響は、堆積膜形成時の基板温度にも依存することが分かっている。すなわち、シリコン原子を含有させたａ−Ｃ膜に関して、堆積膜形成時の基板温度を低くすることで、融着やフィルミングの防止特性の低下を抑制することが可能である。従って、表面保護層１０３として、シリコン原子を含有させたａ−Ｃ膜を用いる際には、堆積膜形成時の基体温度は、２０〜１５０℃、好ましくは、室温程度、例えば、２５℃を中心とし、その前後５℃の範囲（２０〜３０℃）に選択することが望ましい。
【００８８】
本発明において、表面保護層１０３として、シリコン原子を含有させたａ−Ｃ膜を用いる際、シリコン原子の含有量は、種々の製造条件、基板温度、原料ガス種などに応じて、適宜選択されるものであるが、代表的には、シリコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の比、Ｓｉ／Ｓｉ＋Ｃを、０．２≦（Ｓｉ／Ｓｉ＋Ｃ）＜１０原子％の範囲に、より好ましくは、０．２≦（Ｓｉ／Ｓｉ＋Ｃ）＜５原子％の範囲に選択することが望ましい。
【００８９】
シリコン原子を含有させたａ−Ｃ膜の作製の際、シリコン原子導入用のガスとして利用可能な物質として、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化可能な水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられる。更に、堆積膜作製時の取り扱い易さ、シリコン供給効率の良さ等の点で、ＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。
【００９０】
プラズマＣＶＤ堆積時、プラズマ放電空間の圧力は、炭化水素のように分解されにくい原料ガスで成膜する場合には、気相中での分解種同士の衝突があると、ポリマーが発生し易いため、比較的高真空が望ましい。通常のＲＦ（代表的には、１３．５６ＭＨｚ）電力を用いる場合には、堆積室内圧を、１３．３Ｐａ〜１３３０Ｐａ、より好ましくは２６．６Ｐａ〜１３３Ｐａ、ＶＨＦ帯（代表的には、５０〜４５０ＭＨｚ）を用いる場合には、１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐａ、より好ましくは６６．７ｍＰａ〜６６．７Ｐａ程度に保持することが好ましい。
【００９１】
高周波電力も、また、堆積膜の種類に応じて、適宜最適範囲が選択されるが、炭素供給用のガスの流量に対する、高周波電力の比［Ｗ・ｍｉｎ／ｍＬ（ｎｏｒｍａｌ）］を、通常の場合、０．５〜３０、好ましくは０．８〜２０、最適には１〜１５の範囲に設定することが望ましい。また、堆積膜の種類に応じて、前記範囲内で、必要に応じて連続的にまたは段階的に変化させてもよい。高周波電力は、できるだけ高いほうが炭化水素ガスの分解が充分に進むため好ましいが、異常放電が発生しない程度の電力が望ましい。
【００９２】
表面保護層に利用するａ−Ｃ膜などの膜厚は、５ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍに選択する。膜厚を５ｎｍより厚くすることで、十分な機械的強度を得ることができる。膜厚を１０００ｎｍ以下とすれば、光感度の点でも何ら問題は発生しない。
【００９３】
本発明において、光導電層１０６、引き続いて、中間層１０５を堆積された基体は、大気圧下に曝し、処理を行うため、一旦堆積室から取り出した際、再び、堆積室内に設置し、表面保護層に利用するａ−Ｃ膜などを堆積する。その堆積に先立ち、フッ素含有ガスあるいは水素ガス中でプラズマ放電を立て、生成するラジカルによるエッチングによって、表面を薄く除去した後、ａ−Ｃ膜などを堆積することもできる。このエッチング処理により、表面の酸化層や不必要な界面などの除去がなされ、その後堆積されるａ−Ｃ膜などの表面保護層の密着性が向上するという効果が得られる。
【００９４】
（本発明の電子写真用感光体作製に使用される堆積膜形成装置）
図２は、高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例を模式的に示した図である。
【００９５】
図２に示す装置は、大別すると、堆積装置２１００、原料ガスの供給装置２２００、堆積室２１１０内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置２１００中の堆積室２１１０内には、アースに接続された基体２１１２、基体の加熱用ヒーター２１１３、原料ガス導入管２１１４が設置され、更に、高周波マッチングボックス２１１５を介して高周波電源２１２０が接続されている。
【００９６】
原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＣＦ₄等の原料ガスボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６及びマスフローコントローラー２２１１〜２２１６から構成される。各ガスのボンベは、バルブ２２６０を介して、堆積室２１１０内のガス導入管２１１４に接続されている。
【００９７】
基体２１１２は、導電性受け台２１２３の上に設置することにより、アースに接続される。
【００９８】
以下、図２の装置を用いた感光体の作製方法の手順の一例について説明する。
【００９９】
堆積室２１１０内に基体２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば、真空ポンプ）により堆積室２１１０内を排気する。続いて、基体加熱用ヒーター２１１３により、基体２１１２の温度を２００℃〜４５０℃、より好ましくは２５０℃〜３５０℃の所望の温度に制御する。次いで、堆積膜形成用の原料ガスを堆積室２１１０内に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２２３６、堆積室のリークバルブ２１１７が閉じられていることを確認し、同時に、流入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６０が開かれていることを確認し、メインバルブ２１１８を開いて、堆積室２１１０及びガス供給配管２１１６を排気する。
【０１００】
その後、真空計２１１９で測定される内圧が０．６７ｍＰａになった時点で、補助バルブ２２６０、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じる。その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よの各種ガスを、バルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。
【０１０１】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、基体２１１２上に、まず光導電層の形成を行う。
【０１０２】
すなわち、基体２１１２が所望の温度に達したところで、各流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要なものと補助バルブ２２６０とを徐々に開き、各ガスボンベ２２２１〜２２２６から所望の原料ガスをガス導入管２１１４を介して堆積室２１１０内に導入する。一方、各マスフローコントローラー２２１１〜２２１６によって、各原料ガスを所望の流量に調整する。その際、堆積室２１１０内圧を、１３．３Ｐａ〜１３３０Ｐａの範囲の所望の圧力になるように、真空計２１１９によりモニターしつつ、メインバルブ２１１８の開口度を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源２１２０を所望の電力に設定して、例えば、周波数１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚ、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波マッチングボックス２１１５を通じてカソード電極２１１１に供給し、高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって、堆積室２１１０内に導入させた各原料ガスが分解され、光導電層として、基体２１１２上に、所望のシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる膜、例えば、ａ−Ｓｉ膜が堆積される。所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じて、堆積室２１１０への各原料ガスの流入を止め、光導電層の形成を終える。
【０１０３】
目的とするａ−Ｓｉ堆積層が多層構造である際には、同様の操作を複数回繰り返すことにより所望の多層構造を形成することができる。つまり、円筒状基体表面に順次堆積した、各層毎にそれぞれ所望の性質と膜厚を有する多層構造構成のａ−Ｓｉ光導電層などの形成がなされる。
【０１０４】
また、図１に示す構成のように、光導電層１０６上に中間層１０５を設ける工程において、例えば、前述の手順に従い、一連のａ−Ｓｉ堆積層を形成して、最後の一層分のａ−Ｓｉ堆積層の形成を終える際、高周波電力の供給を停止せず、また原料ガスの供給も停止せず、それぞれ、次の中間層１０５層の高周波電力供給条件、ガス組成とその供給流量条件へと連続的に堆積条件を変更したり、あるいは、高周波電力は一旦停止するものの、新たに設定した高周波電力供給条件において、原料ガスの供給は、前の層堆積に用いた供給条件から開始し、中間層１０５の所望する構成となる供給条件へと連続的にガス組成と流量を変化させながら成膜させることで中間層１０５と光導電層１０６の界面に組成変化領域を形成すると、この界面での反射を抑制することが可能となる。
【０１０５】
上記の手順で、光導電層、中間層の成膜を終えた基体は、一旦、堆積室（反応容器）２１１０から取り出し、大気圧下で自然冷却する。その間に、堆積室は、その内部の浄化工程、さらには、次の成膜工程に供することができる。また、本発明においては、この自然冷却のため、装置外に取り出している間に、堆積膜の剥がれ、球状突起などの外観検査を併せて行うこともできる。また、光導電層に加えて中間層の成膜がなされている点を利用し、この間に、中間層を帯電層として、更に、画像検査や電位特性検査なども行うこともできる。
【０１０６】
画像検査や電位特性検査など、コロナ帯電に伴い、堆積膜表面がオゾンと接する検査を行った場合、表面保護層の成膜を行う前に、堆積膜表面の水洗浄あるいは有機洗浄を行うことが好ましい。近年の環境への配慮から、有機溶媒を使用しない水洗浄を施すことがより好ましい。堆積膜表面の水洗浄方法は後述する。大気圧下に曝した後、表面保護層の成膜前に水洗浄を施すことで、表面保護層の密着性を更に向上させることができる。
【０１０７】
自然冷却により、表面温度が室温程度まで降下した光導電層の成膜を終えた基体は、再び堆積室に戻され、表面保護層の成膜を行う。その際、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｆ₂などのフッ素系のガス、あるいはＨ₂ガスなどを利用するラジカル・エッチング法により、堆積膜表面を予め軽くエッチングし、表面に付着した汚れを除去した後、表面保護層の成膜を行うと、更に表面保護層の密着性を向上させることができ、好ましい。
【０１０８】
表面保護層の成膜は、ａ−Ｃ堆積膜用の原料ガスとして、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆などの炭化水素ガス、必要に応じてＨ₂など希釈ガスを用いる以外は、基本的にａ−Ｓｉ光導電層の成膜に準じて行うことができるが、a−Ｃを堆積する場合、基体温度は概ね室温で行うため、基体の加熱は行わない。
【０１０９】
上記の表面保護層の成膜を行い、本発明の感光体の作製が終了する。
【０１１０】
図３は、ＶＨＦ電源を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例を模式的に示した図である。
【０１１１】
このＶＨＦプラズマＣＶＤ装置は、図２に示すＲＦプラズマＣＶＤ装置の堆積装置２１００を、図３に示す堆積装置３１００に置き換えることで構成される。
【０１１２】
図３に示すＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用いた堆積膜の形成は、基本的にＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成と同様に行うことができる。但し、印加する高周波電力は、周波数５０ＭＨz〜４５０ＭＨz、例えば、１０５ＭＨzのＶＨＦ電源から供給し、堆積室内圧力は、１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐａ程度の範囲、すなわち、ＲＦプラズマＣＶＤ法における堆積室内圧力よりも低い圧力に保たれる。図３に示す装置では、複数の支持体（基体）３１１２により取り囲まれた放電空間３１３０において、導入された原料ガスは、放電エネルギーにより励起され、解離し、支持体（基体）３１１２上に所定の堆積膜が形成される。この間、径方向において堆積膜形成の均一化を図るため、支持体回転用モーター３１２０によって、支持体（基体）３１１２を所望の回転速度で回転させる。
【０１１３】
図１１に、本発明の電子写真用感光体の作製に使用できる高周波プラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）装置の一例を示す。図１１に示す装置は、電子写真用感光体の製造に使用する一般的な構成を具えたＰＣＶＤ装置である。このＰＣＶＤ装置は、図１１に示す堆積装置１３００と、原料ガス供給装置及び排気装置（ともに図示せず）とから構成されている。
【０１１４】
堆積装置１３００は、堆積室として、縦型の真空容器からなる堆積室１３０１を有し、この堆積室１３０１内、基体１３１２の周囲には縦方向の原料ガス導入管１３０３が複数本配設され、このガス導入管１３０３の側面には、長手方向に沿って多数の細孔が設けられている。堆積室１３０１の中心は、螺旋状に巻線したヒーター１３０２が縦方向に延設される。感光体の基体となる円筒状基体１３１２は、堆積室１３０１の上部蓋１３０１ａを開けて挿入され、ヒーター１３０２を内側にして容反応器１３０１内に垂直に設置される。また、堆積室１３０１の側面の一方に設けた凸部１３０４から高周波電力が供給される。
【０１１５】
堆積室１３０１の下部には、原料ガス導入管１３０３に接続された原料ガス供給管１３０５が取り付けられる。この原料ガス供給管１３０５は、供給バルブ１３０６を介して図示しない原料ガス供給装置と接続されている。また、堆積室１３０１の下部には排気管１３０７が取り付けられ、この排気管１３０７はメイン排気バルブ１３０８を介して図示しない排気装置（真空ポンプ）と接続されている。排気管１３０７には、真空計１３０９と、サブ排気バルブ１３１０とが取り付けられている。
【０１１６】
上記のＰＣＶＤ装置を用いたＰＣＶＤ法によるａ−Ｓｉ膜の形成は、例えば、次のような手順に従って行なわれる。先ず、堆積室１３０１内に感光体ドラムの基体となる円筒状基体１３１２をセットし、上部蓋１３０１ａを閉じる。その後、図示しない排気装置により、堆積室１３０１内を所定の圧力以下まで排気する。次いで、排気を続けながら、ヒーター１３０２により円筒状基体１３１２を内側から加熱して、円筒状基体１３１２の表面温度を２０℃〜４５０℃の範囲内に選択する所定温度に制御する。円筒状基体１３１２の表面温度が所定温度に達し、安定したら、所望の原料ガスを所定流量にそれぞれの流量制御器（図示せず）により調節しながら、原料ガス導入管１３０３を通して堆積室１３０１内に供給する。供給される原料ガスは堆積室１３０１内を満たした後、下部から排気管１３０７を通って堆積室１３０１外に排気される。
【０１１７】
排気速度を調整して、供給する原料ガスで満たされる堆積室１３０１内が所定の圧力に制御され、安定したことを真空計１３０９により確認する。その段階で、図示しない高周波電源（１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯域、または５０ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚのＶＨＦ帯域など）から、高周波電力を所望の投入電力量で堆積室１３０１内に導入し、堆積室１３０１内にグロー放電を発生させる。このグロー放電のエネルギーによって、原料ガスの成分が分解され、プラズマイオンが生成し、円筒状基体１３１２の表面にシリコン原子を主体としたａ−Ｓｉ堆積層が形成される。この際、原料ガスなどのガス種、その供給流量、ガス導入比率、堆積室内の圧力、基体表面温度、投入電力量などのパラメータを調整することにより、様々な特性のａ−Ｓｉ堆積層を形成することことができる。この堆積条件と堆積膜の膜厚を適宜選択することにより、得られるａ−Ｓｉ堆積層を光導電層とする感光体の電子写真特性を制御することができる。
【０１１８】
円筒状基体１３１２の表面にａ−Ｓｉ堆積層が所望の膜厚で形成された時点で、高周波電力の供給を止め、供給バルブ１３０６等を閉じて、堆積室１３０１内への原料ガス供給を停止し、一層分のａ−Ｓｉ堆積層の形成を終える。目的とするａ−Ｓｉ堆積層が多層構造である際には、同様の操作を複数回繰り返すことにより所望の多層構造を形成することができる。つまり、円筒状基体表面に順次堆積した、各層毎にそれぞれ所望の性質と膜厚を有する多層構造構成のａ−Ｓｉ光導電層などの形成がなされる。
【０１１９】
また、図６に示す構成のように、光導電層６０２上に中間層６０５を設ける工程において、例えば、前述の手順に従い、一連のａ−Ｓｉ堆積層を形成して、最後の一層分のａ−Ｓｉ堆積層の形成を終える際、高周波電力の供給を停止せず、また原料ガスの供給も停止せず、それぞれ、次の中間層６０５層の高周波電力供給条件、ガス組成とその供給流量条件へと連続的に堆積条件を変更する、あるいは、高周波電力は一旦停止するものの、新たに設定した高周波電力供給条件において、原料ガスの供給は、前の層堆積に用いた供給条件から開始し、中間層６０５の所望する構成となる供給条件へと連続的にガス組成と流量を変化させながら成膜させることで中間層６０５と光導電層６０２の界面に組成変化領域を形成すると、この界面での反射を抑制することが可能となる。
【０１２０】
本発明の電子写真用感光体において、表面加工後、ａ−Ｃ：Ｈからなる表面保護層を形成する際にも、図１１に示す構成のＰＣＶＤ装置を使用することができる。
【０１２１】
なお、ａ−Ｃ：Ｈ堆積膜形成前にエッチングを行う際には、成膜に用いる原料ガスの代わりに、所定のエッチングガス、一般的には、フッ素含有ガスまたは水素ガスを供給し、高周波電力を供給してプラズマ放電を立て、エッチングを起すとよい。
【０１２２】
（本発明の電子写真用感光体の製造工程において使用される水洗浄装置）
本発明の電子写真用感光体の製造工程においては、例えば、第二の工程における、表面加工の工程中、あるいは、その後の第三の工程において、表面保護膜の作製工程前に、表面加工、例えば、研磨を施した表面に水を接触させる処理を設けることが好ましい。この水を接触させる処理は、水洗浄に相当し、その水洗浄の手順、条件など関しては、例えば、特許第２７８６７５６号公報などに開示されている。図４に、本発明の電子写真用感光体の製造工程において使用される水洗浄装置一例を示す。
【０１２３】
図４に示す処理装置は、処理部４０２と被処理部材搬送機構４０３とから構成されている。処理部４０２は、被処理部材投入台４１１、被処理部材洗浄槽４２１、純水接触槽４３１、乾燥槽４４１、被処理部材搬出台４５１とからなっている。洗浄槽４２１、純水接触槽４３１ともに、それぞれの槽で用いる液温度を一定に保持するため、温度調節装置（図示せず）が付属されている。搬送機構４０３は、搬送レール４６５と搬送アーム４６１とを具え、搬送アーム４６１は、レール４６５上を移動する移動機構４６２、被処理部材４０１である堆積膜が形成された導電性基体を保持するチャッキング機構４６３、及びチャキング機構４６３を上下させるためのエアーシリンダー４６４よりなっている。投入台４１１上に置かれた被処理部材４０１は、搬送機構４０３により洗浄槽４２１に搬送される。洗浄槽４２１中には、例えば、界面活性剤水溶液によりなる洗浄液４２２が入れられており、その中に被処理部材４０１を浸し、超音波洗浄処理を施すことにより表面に付着している異物、例えば、油や粉体などの洗浄・除去が行なわれる。次に、洗浄済みの被処理部材４０１は、搬送機構４０３により純水接触槽４３１へと運ばれ、所定の液温、例えば２５℃に保たれた、抵抗率１７５ｋ・ｍ（１７．５Ｍ・ｃｍ）の純水がノズル４３２から４．９ＭＰａ（５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ²）の圧力で吹き付けられる。この純水吹き付けにより、前工程で残留している洗浄液が洗い流される。純水接触工程の終わった被処理部材４０１は、搬送機構４０３により乾燥槽４４１へと移動され、ノズル４４２から高温の高圧空気を吹き付けて乾燥される。この乾燥工程の終了した被処理部材４０１は、搬送機構４０３により搬出台４５１に運ばれる。
【０１２４】
（本発明の電子写真装置）
本発明の電子写真用感光体を用いた電子写真装置の一例を図５に示す。なお、この図５に例示する装置構成は、通常の円筒状基体を持つ電子写真用感光体を用いる場合に好適なものである。本発明の電子写真装置は、図５に示される構成に限定されるものではない。例えば、感光体は、前記円筒状基体として、容易に曲がる無端ベルト状の材料から構成された広義の円筒状基体を用いて作製される、無端ベルト状の感光体形状等の所望の形状とすることができる。
【０１２５】
図５に示す電子写真装置において、光受容部材として、本発明の電子写真用感光体５０４が用いられる。一次帯電器５０５は、感光体５０４の表面に静電潜像形成のための帯電を行なう。図５に示す装置構成例では、一次帯電器５０５としてコロナ帯電器を用いる例が示されているが、一次帯電器５０５には、例えば、特開昭６３−２１０８６４号公報記載のような接触帯電器を用いることもできる。現像器５０６は、静電潜像の形成された感光体５０４の表面に現像剤（トナー）５０６ａを供給し、静電潜像をトナー像とする。転写帯電器５０７は、現像器５０６による顕像化（現像）により形成されている、感光体５０４表面のトナー像を転写材５１３に転写させる。図２に示す装置構成例では、転写帯電器５０７にコロナ帯電器を用いる例を示しているが、例えば、特開昭６２−１７５７８１号公報記載のようなローラ電極を用いることもできる。クリーナー５０８は、前記の転写材へのトナー像を転写した後、なお、感光体５０４の表面に残留している現像剤（トナー）の除去、あるいは、逆に転写材５１３などから遊離・剥離した残存物（繊維屑など）の除去を行って、感光体５０４表面の浄化を図る。図５に示す例では、クリーナー５０８は、弾性ローラ５０８−１とクリーニングブレード５０８−２とを組み合わせて、表面の均一浄化をより有効に行う構成とされている。
【０１２６】
なお、図５に示す構成例では、弾性ローラ５０８−１とクリーニングブレード５０８−２とを組み合わせているが、残留する現像剤（トナー）や転写材５１３に由来する付着物の量などに応じて、いずれか一方のみを用いる構成とすることもできる。あるいは、残留する現像剤（トナー）の除去・回収機構を現像器５０６に付設するなどして、感光体５０４表面浄化の機能を他の部材に分散させて、クリーナー５０８を設けない構成に装置設計を行うことも可能である。ＡＣ除電器５０９と除電ランプ５１０は、前回の複写工程で残留している感光体５０４表面の帯電電位を一旦除電し、その直後において、一次帯電器５０５による次回の複写工程のための帯電電位を一定・均一とさせる。なお、図５に示す構成例では、ＡＣ除電器５０９と除電ランプ５１０を併用する構成としているが、所定の除電がなされる限り、その一方のみを用いる構成とすることもできる。一次帯電器５０５に用いる帯電器の種類によっては、例えば、接触帯電器などを用いて、次回の複写工程のための帯電電位が一定・均一になるならば、 ＡＣ除電器５０９や除電ランプ５１０などの除電手段を具えていない構成に設計することも可能である。転写材５１３は紙等の媒体が使用され、転写材の送りローラ５１４により、転写帯電器５０７上において、感光体５０４表面と接する配置へ供給・搬入される。露光光Ａの光源は、アナログ方式で使用されるハロゲン光源、あるいは、デジタル方式などに使用される単一波長または波長分布の狭いレーザー、ＬＥＤ光源などが、画像形成方式に応じてそれぞれ用いられる。
【０１２７】
例えば、図５に示すような構成を持つ電子写真装置を用い、画像形成は、次に述べる一連の工程により行なわれる。先ず、感光体５０４を所定の速度で矢印の方向へ回転させ、一次帯電器５０５を用いて感光体５０４の表面を一様に帯電させる。次に、帯電された感光体５０４の表面に、露光光Ａによる目的とする画像の露光を行い、この画像に対応する静電潜像を感光体５０４の表面に形成する。そして、感光体５０４表面の静電潜像の形成された部分が現像器５０６の設置部を通過する際に、現像器５０６によってトナー５０６ａ（現像剤）が感光体５０４の表面に供給される。この静電潜像はトナー５０６ａによる画像として顕像化（現像）され、更に、このトナー画像は感光体５０４の回転とともに転写帯電器５０７の設置部に到達する。ここで、送りローラ５１４によって送られてくる転写材５１３表面と接し、裏面側に配置されている転写帯電器５０７により転写がなされる。
【０１２８】
転写終了後、次回の複写工程に備え、クリーナー５０８によって感光体５０４の表面から残留トナーが除去され、更に、ＡＣ除電器５０９および除電ランプ５１０により表面電位がゼロ若しくは殆どゼロとなるように除電され、１回の複写工程に含まれる一連の工程を終了する。
【０１２９】
図６に、本発明に係わる電子写真用感光体の構成、特に、堆積膜の作製時に生じる突起部の一例を模式的に示す。
【０１３０】
図６に例示する本発明の電子写真用感光体の構成例では、例えば、Ａｌ、ステンレス等の導電性材料からなる基体１０１上に、第一の工程において形成される光導電層６０２ならびに中間層６０５と、第三の工程において形成される表面保護層６０３とが、順次堆積されている積層構造を有する。なお、本発明の電子写真用感光体では、これら必須な構成要素である光導電層６０２、中間層６０５および表面保護層６０３の三層の他に、基体６０１と光導電層６０２との間に設ける電荷注入阻止層（不図示）などの種々の機能層を必要に応じて設けてもよい。この図６に例示する構成例では、第一の工程において、光導電層６０２の形成に引き続き、中間層６０５の積層を実施している。また、突起６０４は、前述のように、ａ−Ｓｉ感光体特有の光導電層６０２の作製工程で外因性の成長核などに起因して発生する突起である。
【０１３１】
図６の（ａ）は、光導電層１０２に引き続き、中間層６０５の成膜が終了した時点における突起部の模式的な断面図である。突起６０４の材質は、その周囲の光導電層６０２とほとんど同様のものであり、光導電層６０２と突起６０４の表面には、突起形状に沿う様に中間層１０５が形成されている。図６の（ｂ）は、中間層６０５の成膜が終了した堆積膜について、後述するような研磨装置を用いることにより、表面に突出している突起６０４の頭頂部を除去し、平坦化する加工、この例では研磨加工を施した状態を模式的に示す。
【０１３２】
図６の（ｃ）は、表面加工を終えた、図６の（ｂ）に示す状態の表面に表面保護層６０３を成膜した状態を示す。この例に示すように、表面の平坦化がなされた加工済み表面上に堆積される表面保護層は、全面を均一に覆う状態となり、その最表面は、ａ−Ｃ：Ｈ膜がいずれの部分においても、実質的に同じ膜厚で形成されている。
【０１３３】
第２工程において、表面加工、例えば、研磨を施す際、加工後の表面酸化を抑制するため、表面加工を真空中など、酸化が起こらない環境下で行うのも好ましいが、通常、表面加工に伴う酸化による影響はほとんど無い。仮に、酸化による影響が懸念される表面加工手段を使用する場合には、その後、表面保護層６０３を成膜する前に、加工表面を洗浄したり、あるいは、直前に、表面のエッチングを行えば、酸化の影響を大幅に軽減できる。従って、表面加工を、真空中で実施する必要性は少なく、大気中で実施することが可能であり、また、多様な表面加工手段を使用できる観点からは、大気中で実施することは寧ろ好ましいものとなる。
【０１３４】
なお、表面加工は、表面に突出している突起６０４の頭頂部を除去し、平坦化することを目的とするものであり、研磨手段が好適な手段ではあるものの、突起部を選択的に除去可能なエッチング手段を用いることもできる。かかる突起部は、正常部と比較して、堆積速度に局所的な相違を生じた結果形成されたものであり、ある意味では、構造的に異質なものとなっている。その相違を利用して、エッチング条件を選択することで、突起部において、エッチング速度が選択的に大きくなる条件を設定することも可能である。かかる構造選択的なエッチング条件により、突起部のみが速やかにエッチングされ、一方、正常部では、エッチングが僅かにしか進行しない条件を設定することにより、表面に突出している突起６０４の頭頂部を除去し、平坦化を図ることもできる。
【０１３５】
（本発明の電子写真用感光体の製造工程に使用される表面研磨装置）
図７に、本発明の電子写真用感光体の製造工程において、表面加工に際して使用される表面加工装置の一例、具体的には、表面加工として、研磨を行う際に使用される表面研磨装置の一例を示す。図７に示す表面研磨装置の構成例において、加工対象物（円筒状基体上の堆積膜表面）７００は、その表面にａ−Ｓｉ光導電層、引き続いて中間層が堆積された円筒状基体であり、弾性支持機構７２０に取り付けられる。図７に示す装置において、弾性支持機構７２０は、例えば、空気圧ホルダーが使用され、具体的には、ブリジストン社製空気圧式ホルダー（商品名：エアーピック、型番：ＰＯ４５ＴＣＡ＊８２０）が用いられている。加圧弾性ローラ７３０は、研磨テープ７３１を巻回して、加工対象物７００のａ−Ｓｉ光導電層上に堆積されている中間層表面に押圧させる。研磨テープ７３１は、送り出しロール７３２から供給され、巻き取りロール７３３に回収される。その送り出し速度は、定量送りだしロール７３４とキャプスタンローラ７３５により調整され、また、その張力も調整されている。研磨テープ７３１には、通常ラッピングテープと呼ばれるものが好適に使用される。ａ−Ｓｉ光導電層または中間層の表面を加工する際、ラッピングテープには、砥粒としてはＳｉＣ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｆｅ₂Ｏ₃などが用いられる。具体的には、富士フィルム社製ラッピングテープＬＴ−Ｃ２０００を用いた。加圧弾性ローラ７３０は、そのローラ部は、ネオプレンゴム、シリコンゴムなどの材質からなり、ＪＩＳゴム硬度２０〜８０の範囲、より好ましくはＪＩＳゴム硬度３０〜４０の範囲とされている。また、ローラ部形状は、長手方向において、中央部の直径が両端部の直径より若干太いものが好ましく、例えば、両者の直径差が０．０〜０．６ｍｍの範囲、より好ましくは、０．２〜０．４ｍｍの範囲となる形状が好適である。加圧弾性ローラ７３０は、回転する加工対象物（円筒状基体上の堆積膜表面）７００に対して、加圧圧力０．５ｋｇ重／ｃｍ²〜２．０ｋｇ重／ｃｍ²の範囲で加圧しながら、研磨テープ７３１、例えば、上記のラッピングテープを送り堆積膜表面の研磨を行う。
【０１３６】
なお、大気中で実施される表面研磨に対しては、前記研磨テープを使用する手段以外に、バフ研磨のような湿式研磨の手段を使用することも可能である。また、湿式研磨の手段を使用する際には、研磨加工後、研磨に使用する液の洗浄除去を施す工程を設けるが、その際、表面を水と接触させ、洗浄する処理を併せて実施することができる。
【０１３７】
（本発明の電子写真用感光体の製造工程に使用される真空式表面研磨装置）
図８に、本発明の電子写真用感光体の製造工程において、表面加工に際して使用される表面加工装置の一例、具体的には、真空中において、表面加工として、研磨を行う際に使用される真空式表面研磨装置の一例を示す。
【０１３８】
図８に示す真空式表面研磨装置は、研磨処理部自体の構成は、前記の図７に示す表面研磨装置と実質的に同一であるが、研磨加工を真空中で実施するため、真空容器８００内に研磨処理部が入っており、加工対象物８０１を真空中で搬送するため搬送機構が付加されている。
【０１３９】
図８において、真空容器８００は、排気バルブ８５１を設けた排気管８５０に接続された排気装置（図示せず）により、真空に減圧可能となっている。また、真空容器８００には、加工対象物８０１の搬入・搬出口にゲートバルブ８１０が設置されており、さらに、排気バルブ８１３を設けた排気管８１２を有する搬送機接合部８１１がゲートバルブ８１０に接続して設置されている。
【０１４０】
不図示の堆積膜形成装置でａ−Ｓｉ光導電層、中間層の成膜を終えた加工対象物８０１（円筒状基体上の堆積膜表面）は、真空状態を保ったまま、堆積膜形成装置から一旦ゲートバルブ８６１を有する搬送容器８６０内に取り込まれる。この真空状態にされた搬送容器８６０ごと移動して、堆積膜形成装置から真空式研磨装置まで搬送される。ゲートバルブ８６１を搬送機接合部８１１に接合させた後、排気管８１２に接続された排気装置（図示せず）により、搬送機接合部８１１を所定の真空度（圧力）まで真空排気する。その後、ゲートバルブ８１０、８６１を開き、加工対象物７０１（円筒状基体上の堆積膜表面）を搬送容器８６０から真空容器８００内の研磨処理部に移動し、設置する。具体的には、加工対象物８０１を図８に示す設置位置近傍に移動させ、空気圧ホルダー８２０でホールドする。加工対象物８０１は、弾性支持機構８２０、例えば、空気圧ホルダーを使用した、具体的には、ブリジストン社製空気圧式ホルダー（商品名：エアーピック、型番：ＰＯ４５ＴＣＡ＊８２０）を用いて保持される。加圧弾性ローラ８３０は、研磨テープ８３１を巻回して、加工対象物８００のａ−Ｓｉ光導電層上に堆積されている中間層表面に押圧させる。研磨テープ８３１は、送り出しロール８３２から供給され、巻き取りロール８３３に回収される。その送り出し速度は、定量送りだしロール８３４とキャプスタンローラ８３５により調整され、また、その張力も調整されている。研磨テープ８３１には、通常ラッピングテープと呼ばれるものが好適に使用される。表面に中間層が堆積されているａ−Ｓｉ光導電層ならびに中間層からなる堆積膜表面を加工する際、ラッピングテープには、砥粒としてはＳｉＣ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｆｅ₂Ｏ₃などが用いられる。具体的には、富士フィルム社製ラッピングテープＬＴ−Ｃ２０００を用いた。加圧弾性ローラ８３０は、そのローラ部は、ネオプレンゴム、シリコンゴムなどの材質からなり、ＪＩＳゴム硬度２０〜８０の範囲、より好ましくはＪＩＳゴム硬度３０〜４０の範囲とされている。また、ローラ部形状は、長手方向において、中央部の直径が両端部の直径より若干太いものが好ましく、例えば、両者の直径差が０．０〜０．６ｍｍの範囲、より好ましくは、０．２〜０．４ｍｍの範囲となる形状が好適である。加圧弾性ローラ８３０は、回転する加工対象物（円筒状基体上の堆積膜表面）８００に対して、加圧圧力０．５ｋｇ重／ｃｍ²〜２．０ｋｇ重／ｃｍ²の範囲で加圧しながら、研磨テープ８３１、例えば、上記のラッピングテープを送り堆積膜表面の研磨を行う。
【０１４１】
研磨処理後は、搬入・設置と全く逆の動作で、取り外しと真空容器８００外へ、搬送容器８６０を介して搬出がなされる。その後、この表面加工の工程に続く、例えば、上記の水洗浄などの後工程に進む。
【０１４２】
（本発明の電子写真用感光体の製造工程における、表面加工前後での表面粗さを確認する手段）
本発明の電子写真用感光体において、前記の表面加工を施したａ−Ｓｉ光導電層ならびに中間層からなる堆積膜表面上に、表面保護層が堆積される。その際、表面加工、例えば、研磨を施した結果、突起のみに選択的な加工（研磨）がなされ、それ以外の正常部分においては、実質的に加工（研磨）がなされない状態がより好ましい。すなわち、不要な突起の頭頂部は選択的な加工（研磨）により除かれ、平坦化されるが、それ以外の正常部分には、加工（研磨）にともに歪みや表面（界面）局在準位の要因ともなる原子レベルでの加工損傷がないことがより好ましい。
【０１４３】
この表面加工前後での微視的な表面の変化は、マクロな表面粗さとは異なり、よりミクロな表面形状の変化を観察することが必要となる。このミクロな表面形状の変化を評価することで、本発明の電子写真用感光体の製造工程における、表面加工の条件をより適するものとすることができる。
【０１４４】
具体的には、正常部分では、表面加工前後において実質的な表面状態に変化がないことのを確認する手段として、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、具体的には、市販される原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）［Ｑｕｅｓａｎｔ社製 Ｑ−Ｓｃｏｐｅ２５０］などを用いて、表面の原子レベルでの変化を検証することが好ましい。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を使用するほど、高い分解能を持つ観察手段を用いる理由は、表面加工、例えば、研磨による正常部分の変化の有無の確認は、用いた円筒状基体自体の表面粗さに支配される、数１００ｎｍオーダーの粗さではなく、光導電層や中間層などの堆積膜そのものの性質に起因する、より微細な粗さに注目し、その変化を的確に観察することがより重要であるからである。
【０１４５】
このような微細な粗さは、例えば、ＡＦＭにより、１０μｍ１０μｍと測定範囲を狭くし、かつサンプル面の曲率傾き（ｔｉｌｔ）による系統誤差を避けるようにすることで、高い精度で再現性良く測定することが可能である。具体的には、前記のＱｕｅｓａｎｔ社製 Ｑ−Ｓｃｏｐｅ２５０の測定モードとして、Ｔｉｌｔ Ｒｅｍｏｖａｌモードを選択し、試料のＡＦＭ像の持つ曲率を放物線にフィットさせた後、平坦化する補正（Parabolic）があげられる。電子写真用感光体の表面形状は、概ね円筒形状をとっているため、前記の平坦化補正を使用する観察方法は、より好適な手法である。更に、像全体に傾きが残る場合には、傾きを除去する補正（Line by line）を行う。この様に、データに歪みを生じさせない範囲で、サンプル面の傾きを適宜補正することで、目的とする堆積膜そのものの性質に起因する、より微細な粗さ情報のみを抽出することが可能である。
【０１４６】
図９に、前記のような、補正を施して得られた、堆積膜表面のＡＦＭ観察像の一例を示す。本発明の電子写真用感光体において、ａ−Ｓｉ光導電層ならびに中間層自体は非晶質の堆積膜であり、その正常部分は本来、図９のＡに示すような自然な緩やかな凹凸を示すものである。従って、前記の表面加工を施したａ−Ｓｉ光導電層上を被覆している中間層の表面も、この状態を保持している、図９のＡに例示する形状のままであることがより好ましい。さらに、加工量を増し、例えば、図９のＢ、Ｃに示す段階まで表面加工、例えば、研磨を行っても特に問題はないが、本発明の目的を達成する上では、このように過剰とも言える平坦化を行う必要はない。あるいは、場合によっては、成膜した膜を剥ぎ取ってしまい、加工歪みを導入することもある。導入された加工歪みは、上述するように、エッチング処理を施すと、解消されるので、実用上の障害とはならないものの、必要以上に過剰な研磨を行う必要はない。
【０１４７】
具体的には、研磨加工などの、突起部の頭頂部の除去により対象は、その頭頂部における高さが、周辺の正常部と比較した際、高さの差異（段差）が約５μｍを超える部分が主となる。すなわち、研磨加工などの、平坦化を施す処理後において、当初は突起部の頭頂部であった部位の高さは、周辺の正常部と比較した際、約５μｍを超えることのない範囲まで処理を施すことが望ましい。目標とする堆積膜の総膜厚に対して、その１０％以下に突起部の高さを低減させることが好ましい。その際、処理を施す前において、正常部の表面にも若干の凹凸が存在し、目標とする堆積膜の総膜厚の０．１％程度の範囲であるが、研磨加工により、かかる正常部表面に存在する若干の凹凸も消失までに、必要以上に過剰な研磨とならないことが好ましい。
【０１４８】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する。以下に記載する実施例は、本発明における最良の実施形態の一例ではあるものの、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【０１４９】
（参考例１）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表１に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層を成膜した。
【０１５０】
【表１】

【０１５１】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を３００℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０１５２】
【表２】

【０１５３】
堆積室のドライエッチング終了後、室温まで冷却された、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、表３に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。
【０１５４】
【表３】

【０１５５】
以上の手順では、１バッチを終了するのに要する時間は３６０分であった。
【０１５６】
前記の工程で作製した感光体について、下記する項目を評価した。
（融着の評価）
得られた感光体を、キヤノン製複写機ＮＰ−6085の改造機に搭載し、感光体加温手段により感光体の表面温度を５０℃となるようにコントロールし、温度２５℃、相対湿度１０％の環境条件下、プロセススピード ４００ｍｍ／ｓで、Ａ４版の連続通紙耐久を１０万枚行った。その際、融着発生の評価を行った。なお、原稿には、白地に１ｍｍ幅の黒ラインがたすき状に１本プリントされた１ラインチャートを使用し、転写後に感光体表面に残留するトナー量が多く、クリーニング条件としては、厳しい状況に設定した。
【０１５７】
耐久終了後、全面ハーフトーン画像、全面白画像を出力し、現像剤の融着により発生する黒ポチを観察し、更に顕微鏡により感光体表面を観察した。
【０１５８】
得られた結果は、下記する基準に従って、評価した。
【０１５９】
◎：非常に良好； 画像では、融着に起因する黒ポチは観察されず、感光体表面の全面に、現像剤の融着が全く観察されない。
【０１６０】
○：良好； 画像では、融着に起因する黒ポチは観察されないが、感光体表面には、微小な融着が観察される。
【０１６１】
△：実用上問題なし； 画像上において、僅かに黒ポチとして観察される融着が、経時的に発生と消滅とを繰り返す。
【０１６２】
×：実用上問題あり； 画像上において、黒ポチとして観察される融着が発生し、経時的に増加している。
（フィルミングの評価）
上記の条件で１０万枚の連続通紙耐久を行った感光体について、耐久終了後、表面層の膜厚を反射分光計で測定した。次に、粒径１００μｍのアルミナ粉を濡れた柔らかい布につけ、感光体表面を軽く１０回擦った。この擦り取りの際の力加減は、新品の感光体表面を擦った際に表面層が削れないことを予め確認した程度の力で行った。
【０１６３】
その後、再度反射分光計で表面層の膜厚を測定した。擦り取り処理の前後における、表面層膜厚の測定値の差分をフィルミング量と規定した。
【０１６４】
得られた結果は、下記する基準に従って、評価した。
【０１６５】
◎：非常に良好； フィルミング量は、測定誤差以内であり、フィルミングの発生は認められない。
【０１６６】
○：良好； フィルミング量は、５０Å以下である。
【０１６７】
△：実用上問題なし； フィルミング量は、５０Åを超えるが、１００Å以下である。
【０１６８】
×：実用上問題あり； フィルミング量は、１００Åを超えており、クリーニング不良などのフィルミングを誘起する不良が発生している可能性がある。
（クリーニングブレードのエッジ損傷）
上記の条件で１０万枚の連続通紙耐久を終了した後、クリーニングブレードについて、エッジの損傷状態を光学顕微鏡で観察し、評価した。
【０１６９】
得られた結果は、下記する基準に従って、評価した。
【０１７０】
◎：非常に良好； 新品ブレードと比較しても、エッジ部分の磨耗は認められない。
【０１７１】
○：良好； エッジ部分に、多少の磨耗は認められるが、欠けはない。
【０１７２】
△：実用上問題なし； エッジ部分に、多少の欠けはあるが、その欠けの程度は、クリーニングに支障を及ぼさないレベルである。
【０１７３】
×：実用上問題あり； エッジ部分に、相当の欠けがあり、クリーニング不良を発生している可能性がある。
（表面層の密着性）
上記の条件で１０万枚の連続通紙耐久を行った感光体について、耐久終了後、スクラッチテスター（島津製作所製ＳＴ−１０１）で表面層の剥落を生じる臨界荷重を測定し、表面層の密着性を調べた。
【０１７４】
得られた結果は、下記する基準に従って、評価した。
【０１７５】
◎：非常に良好； 臨界荷重は、２０ｇ重以上である。
【０１７６】
○：良好； 臨界荷重は、２０ｇ重には満たないが、１５ｇ重以上である。
【０１７７】
△：実用上問題なし； 臨界荷重は、１５ｇ重には満たないが、１０ｇ重以上ではある。
【０１７８】
×：実用上問題を生ずる可能性あり； 臨界荷重は、１０ｇ重を下回っている。
（堆積膜形成装置の利用効率）
１バッチに要する時間に基づき、堆積膜形成装置の利用効率を評価した。
【０１７９】
得られた結果は、下記する比較例１における１バッチに要する時間を基準（実用上問題なし）として、相対比較を行い、下記する基準に従って、評価した。
【０１８０】
◎：非常に優れている； 比較例１における１バッチに要する時間より大幅に短い。
【０１８１】
○：優れている； 比較例１における１バッチに要する時間より有意に短い。
【０１８２】
△：実用上問題なし； 比較例１における１バッチに要する時間と同程度である。
【０１８３】
×：実用上問題あり； 比較例１における１バッチに要する時間より有意に長い。
加えて、以上の評価項目の結果に基づき、総合評価を行った。この総合評価は、良品感光体の生産性の観点から、下記する基準に従って、判定した。表５に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
【０１８４】
◎：非常に優れている
○：優れている
△：実用上問題なし
×：実用上問題あり
（参考比較例１）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表１に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層を成膜した。その後、堆積室の中で真空状態を維持したまま、基体温度が３００℃から室温に下がるまで放置した。なお、この基体温度は、ホルダー２１２３内部に取り付けた不図示の熱電対でモニターした。前記の真空状態における放置冷却により、基体温度が室温まで降下するには、２時間を要した。
【０１８５】
次いで、同堆積室の中で、表３に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。成膜後、第２の層の堆積を終え、作製された感光体を堆積室から取り出した。その後、次回の製造バッチに先立ち、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。但し、この比較例１の工程では、付着したポリシランを完全に除去するためには、エッチング処理時間は、１２０分間では十分でなく、１８０分を要した。
【０１８６】
以上の手順では、堆積室内部の浄化工程を含め、１バッチを終了するのに要する時間は５４０分であった。前記の工程で作製した感光体について、実施例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表５に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
（参考比較例２）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表１に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層を成膜した。引き続き、同堆積室の中で、表４に示す条件で第２の層のa−ＳｉCからなる表面保護層を成膜した。成膜後、第２の層の堆積を終え、作製された感光体を堆積室から取り出した。その後、次回の製造バッチに先立ち、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０１８７】
【表４】

【０１８８】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３６０分であった。
【０１８９】
前記の工程で作製した感光体について、参考例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表５に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。また、この評価を終えた後、感光体の一部を切り出し、表面層のa−ＳｉCの組成分析を、XPS（X線電子分光法）によって行った。その結果、前記表４の条件で堆積されたa−ＳｉCの組成は、シリコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の比、（Ｓｉ／Ｓｉ＋Ｃ）は、５０原子％であった。
【０１９０】
【表５】

【０１９１】
表５に示す結果から、本発明の製造方法に準じて作製した参考例１の感光体は、融着、フィルミング、ブレードエッジの損傷に関して、参考比較例２の感光体と比較して、著しい改善効果が見られると共に、参考比較例２の工程と比較すると、１バッチ当たりの時間が短縮されており、堆積膜形成装置の利用効率も非常に優れたものである。このことから、本発明の製造方法によれば、高品質の感光体を高い効率で、従って、安価に製造できることが分かる。
（実施例１）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表６に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
【０１９２】
【表６】

【０１９３】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を２５０℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０１９４】
堆積室のドライエッチング終了後、室温まで冷却された、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、表３に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。
【０１９５】
【表７】

【０１９６】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３６０分であった。
【０１９７】
前記の工程で作製した感光体について、実施例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表１１に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
（参考例２）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表１に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層を成膜した。
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を３００℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０１９８】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を３００℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０１９９】
堆積室のドライエッチング終了後、室温まで冷却された、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、表８に示す条件で第２の層のa−ＳiＣ：Ｈ中間層およびa−C：Ｈ表面保護層を連続的に成膜した。
【０２００】
【表８】

【０２０１】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３６０分であった。
【０２０２】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３６０分であった。
前記の工程で作製した感光体について、実施例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表１１に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
（実施例２）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表６に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
【０２０３】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を２５０℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０２０４】
堆積室のドライエッチング終了後、室温まで冷却された、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、表８に示す条件で第２の層のa−ＳiＣ：Ｈ中間層およびa−C：Ｈ表面保護層を連続的に成膜した。
【０２０５】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３８０分であった。
【０２０６】
前記の工程で作製した感光体について、参考例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表１１に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
（実施例３）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表６に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
【０２０７】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を２５０℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０２０８】
加えて、堆積室内部をドライエッチングする処理を行っている間に、室温まで冷却された第一の層を堆積した円筒状基体に対して、外観検査、電位検査、画像検査を行った。検査を終了した後、第一の層を堆積した円筒状基体は、図４に示す洗浄装置を用いて、上述の洗浄手順に従って、界面活性剤水溶液中で超音波洗浄し、液温２５℃、比抵抗率１７．５ＭΩ・ｃｍの純水を高圧（４．９ＭＰａ）で噴き付けることによるリンス洗浄、高温気体の吹き付けによる乾燥を行う条件を用いて、水洗浄を施した。
【０２０９】
堆積室のドライエッチング終了後、水洗浄を施した、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、表７に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。
【０２１０】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３８０分であった。
【０２１１】
前記の工程で作製した感光体について、参考例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表１１に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
（実施例４）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表６に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
【０２１２】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を２５０℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０２１３】
加えて、堆積室内部をドライエッチングする処理を行っている間に、室温まで冷却された第一の層を堆積した円筒状基体に対して、外観検査、電位検査、画像検査を行った。
【０２１４】
堆積室のドライエッチング終了後、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、先ず、表９に示す条件で第一の層の表面にフッ素ラジカルによる軽いエッチンク処理を施し、続いて、表７に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。
【０２１５】
【表９】

【０２１６】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３６５分であった。
【０２１７】
前記の工程で作製した感光体について、参考例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表１１に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
（実施例５）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表６に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
【０２１８】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を２５０℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０２１９】
加えて、堆積室内部をドライエッチングする処理を行っている間に、室温まで冷却された第一の層を堆積した円筒状基体に対して、外観検査、電位検査、画像検査を行った。検査を終了した後、第一の層を堆積した円筒状基体は、図４に示す洗浄装置を用いて、実施例５に記載した洗浄手順・条件に従って、水洗浄を施した。
【０２２０】
堆積室のドライエッチング終了後、水洗浄を施した、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、先ず、表９に示す条件で第一の層の表面にフッ素ラジカルによる軽いエッチンク処理を施し、続いて、表７に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。
【０２２１】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３６５分であった。
【０２２２】
前記の工程で作製した感光体について、参考例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表１１に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
（実施例６）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表６に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
【０２２３】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を２５０℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０２２４】
加えて、堆積室内部をドライエッチングする処理を行っている間に、室温まで冷却された第一の層を堆積した円筒状基体に対して、外観検査、電位検査、画像検査を行った。
【０２２５】
堆積室のドライエッチング終了後、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、先ず、表１０に示す条件で第一の層の表面に水素ラジカルによる軽いエッチンク処理を施し、続いて、表７に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。
【０２２６】
【表１０】

【０２２７】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３６５分であった。
【０２２８】
前記の工程で作製した感光体について、参考例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表１１に、各評価項目と総合評価の結果を併せて示す。
【０２２９】
【表１１】

【０２３０】
表１１に示す結果から、a−Ｓi：Ｈ光導電層とa−C：Ｈ表面保護層との間に、a−ＳiＣ：Ｈ中間層を設ける構造とする、あるいは、第二の層を堆積するに先立ち、堆積膜表面に水洗浄処理やエッチング処理を施す、さらには、双方の手段を採用することで、表５に示す参考例１の結果と比較しても、表面膜の密着性が向上し、さらに良好な結果が得られていることが判明した。
（参考例３）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表１に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層を成膜した。
【０２３１】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を３００℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０２３２】
堆積室のドライエッチング終了後、室温まで冷却された、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、表１２に示す条件で第２の層の表面保護層として、種々の比率で少量のシリコンを添加したa−C：Ｈ膜を成膜した。
【０２３３】
【表１２】

【０２３４】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は３６０分であった。
【０２３５】
前記の工程で作製した、種々の比率で少量のシリコンを添加したa−C：Ｈ膜を表面保護層とする感光体、ドラム番号Ａ〜Ｇの合計７種について、参考例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。また、この評価を終えた後、感光体の一部を切り出し、表面層の組成分析を、XPS（X線電子分光法）によって行った。その分析結果に基づき、少量のシリコンを添加したa−C：Ｈ膜中のシリコン含有量を、シリコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の比、（Ｓｉ／Ｓｉ＋Ｃ）として、また、堆積条件中のＳｉＨ₄の流量を、表１３に示す。表１１には、各評価項目と総合評価の結果をも併せて示す。
【０２３６】
【表１３】

【０２３７】
表１３に示す結果から、a−C：Ｈ表面保護層に対して、シリコン原子が１０原子％程度含有される範囲では、表５に示す参考例１の結果と同様に、良好な結果が得られていることが判明した。
（実施例７）
図３に示すＶＨＦプラズマＣＶＤ法を用いる堆積膜形成装置を用いて、表１４に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
【０２３８】
【表１４】

【０２３９】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を２００℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表１５に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０２４０】
【表１５】

【０２４１】
加えて、堆積室内部をドライエッチングする処理を行っている間に、室温まで冷却された第一の層を堆積した円筒状基体に対して、外観検査、電位検査、画像検査を行った。検査を終了した後、第一の層を堆積した円筒状基体は、図４に示す洗浄装置を用いて、実施例５に記載した洗浄手順・条件に従って、水洗浄を施した。
【０２４２】
堆積室のドライエッチング終了後、水洗浄を施した、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、先ず、表１６に示す条件で第一の層の表面にフッ素ラジカルによる軽いエッチンク処理を施し、続いて、表１７に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。なお、a−C：Ｈ表面保護層の成膜時における基体温度を、室温（加熱なし）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃に選択して、合計５種の感光体を作製した。
【０２４３】
【表１６】

【０２４４】
【表１７】

【０２４５】
以上の手順では、１バッチ終了するために要した時間は、a−C：Ｈ表面保護層の成膜時における基体温度を室温（加熱なし）とする際には、３８５分であり、その他の基体温度を選択する際には、それぞれ加熱に要する時間が更に加わった時間となった。
【０２４６】
前記の工程で作製した感光体、合計５種について、下記する手順で感度の評価を行い、加えて、参考例１に記載する各評価項目の評価と併せて、総合評価を行った。表１８に、感度の評価、参考例１に記載する各評価項目の評価、総合評価の結果を併せて示す。
（感度の評価）
電子写真用感光体を、その表面を一定の暗部表面電位に帯電させる。帯電後、直ちに露光光像を照射する。この露光光には、キセノンランプ光源から、波長６００ｎｍ以上の波長域をフィルターを用いて除去した光を利用する。露光光を照射した後、表面電位計により、感光体表面の明部表面電位を測定する。測定される明部表面電位が所定の電位に達するに必要な露光光量に調整し、その時の露光光量を、感度とする。なお、一定の暗部表面電位は、４００Ｖ、明部表面電位の目標電位は、５０Ｖとして、本評価を行った。
【０２４７】
得られた感度の結果は、上記する参考比較例２で作製した感光体の感度（露光光量）を基準（相対値５０）として、各感光体の感度（露光光量）の相対比較を行い、下記する基準に従って、評価した。
【０２４８】
◎：非常に優れている； 相対値 ３０以下。
【０２４９】
○：優れている； 相対値 ３０〜４０。
【０２５０】
△：実用上問題なし； 相対値 ４０〜５０。
【０２５１】
×：実用上問題あり； 相対値 ５０以上。
（比較例１）
図３に示すＶＨＦプラズマＣＶＤ法を用いる堆積膜形成装置を用いて、表１４に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
その後、堆積室の中で真空状態を維持したまま、基体温度が２００℃から室温に下がるまで放置した。なお、この基体温度は、ホルダー内部に取り付けた不図示の熱電対でモニターした。前記の真空状態における放置冷却により、基体温度が室温まで降下するには、２時間を要した。
【０２５２】
次いで、同堆積室の中で、表１７に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。成膜後、第２の層の堆積を終え、作製された感光体を堆積室から取り出した。その後、次回の製造バッチに先立ち、堆積室内部を表１５に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したａ−Ｓｉ膜を除去した。
【０２５３】
以上の手順では、堆積室内部の浄化工程を含め、１バッチを終了するのに要する時間は５００分であった。前記の工程で作製した感光体について、実施例７に記載する感度の評価、参考例１に記載する各評価項目の評価と、総合評価を行った。表１８に、感度の評価、参考例１に記載する各評価項目の評価、総合評価の結果を併せて示す。
【０２５４】
【表１８】

【０２５５】
表１８に示す結果から、a−C：Ｈ表面保護層の成膜時における基体温度を、室温（加熱なし）と選択する際、比較例１と比較して、本発明の製造方法を採用することで、特性に優れた感光体を、従来の１バッチの所要時間５００分間に対して、１１５分間も短縮された３８５分間の所要時間で製造可能であることが分かる。１バッチの所要時間が短縮される結果、１堆積膜形成装置当たり、単位期間当たりに製造可能な感光体数量を増すことが可能となり、最終的に製造装置コストを含めた生産コストダウンを図ることが可能となることが判明した。
（実施例８）
図２に示すプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、表６に示す条件でφ１０８ｍｍ円筒状基体上に、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜した。
【０２５６】
次いで、第一の層を堆積した円筒状基体を一旦堆積室から取り出し、大気中に放置することで基体温度を２５０℃から室温まで自然冷却した。大気中では、熱伝導による冷却効率が高いため、約１時間で室温まで冷却された。その間に、堆積室内部を表２に示す条件でドライエッチングし、その内部に付着したポリシランを除去した。
【０２５７】
加えて、堆積室内部をドライエッチングする処理を行っている間に、室温まで冷却された第一の層を堆積した円筒状基体に対して、外観検査、電位検査、画像検査を行った。
【０２５８】
前記の中間検査において、合格と判定されたものに関しては、堆積室のドライエッチング終了後、第一の層を堆積した円筒状基体を前記堆積膜形成装置内にセットし、表７に示す条件で第２の層のa−C：Ｈ表面保護層を成膜した。一方、中間検査において、不合格と判定されたものに関しては、第２の層のa−C：Ｈ表面保護層の成膜を行わず、不合格バッチとした。従って、堆積室のドライエッチングを終了後、堆積膜形成装置は、次のバッチにおける、第１の層のa−Ｓi：Ｈ光導電層ならびにa−ＳiＣ：Ｈ中間層を連続的に成膜する第一の工程に使用した。
【０２５９】
以上の手順に従って、２０バッチの感光体作製を実施した。その間、前記の中間検査において、不合格と判定され、第２の層のa−C：Ｈ表面保護層の成膜を行わず、不合格バッチとされたものが、２バッチ発生した。この不合格バッチの２バッチに対しては、不要な第２の層のa−C：Ｈ表面保護層の成膜を実施していないので、それに要する時間、各２０分間、合計４０分間が結果的に短縮された。また、不要な原料ガスの消費も無く、前記した堆積膜形成装置の利用効率の向上と併せて、トータル的な生産コストの低減に貢献している。
（実施例９）
本実施例では、図６（ｃ）に示す構成、すなわち、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積し、この堆積膜表面に大気中で研磨加工を施し、突起６０４の頭頂部を除去・平坦化し、その上に表面保護膜６０３ａ−Ｃ：Ｈを成膜した感光体を作製した。
【０２６０】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径１０８ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈとを連続して成膜した堆積膜を作製した。
【０２６１】
次いで、図６（ａ）に示すような突起を有する成膜済みの堆積膜について、図６に構成を模式的に示す研磨装置を用いて、大気中における表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すような平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。
【０２６２】
次いで、表面研磨済みの、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈとが形成された円筒状基体を前記図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置に再びセットし、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを成膜した。
【０２６３】
なお、本実施例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚を表１９に示す。
【０２６４】
本実施例では、用いた円筒状基体は、外径１０８（ｍｍ）、肉厚５ｍｍのアルミニウム性導電性基体であり、その表面に鏡面加工を施したシリンダーを用い、その表面に、下部阻止層、光導電層ならびに中間層を順次積層した。研磨処理後、その表面に、表面保護層（表面層）を積層して、負帯電用のａ−Ｓｉ感光体を作製した。また、プラズマＣＶＤ堆積膜形成装置の高周波電力は、周波数１３．５６ＭＨｚ（ＲＦ）を用いている。
【０２６５】
【表１９】

【０２６６】
以上の手順で作製した電子写真用感光体について、その堆積膜層の表面外観を観察して、膜の密着性を評価した。次に、電子写真特性の評価として、一次帯電器としてコロナ放電を採用し、また、クリーナーにクリーニングブレードを具える電子写真装置に、本実施例で作製した電子写真用感光体を光受容部材として装着して、画像形成を行った。具体的には、キヤノン製ＧＰ６０５（プロセススピード ３００ｍｍ／ｓｅｃ）を試験用電子写真装置として用いて、印字率１％と通常より印字率を下げたテストパターンにて５００万枚の通紙耐久を行った。その間、定期的に全面ハーフトーン画像、全面白画像を出力し、感光体表面へのトナー融着、ぽち発生の評価を行った。また、５００万枚の通紙耐久終了後、クリーナーのブレードエッジの損傷状態を評価した。これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（実施例１０）
本実施例では、図６（ｃ）に示す構成、すなわち、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積し、この堆積膜表面に真空中で研磨加工を施し、突起６０４の頭頂部を除去・平坦化し、その上に表面保護膜６０３ａ−Ｃ：Ｈを成膜した感光体を作製した。
【０２６７】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径１０８ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈとを連続して成膜した堆積膜を作製した。
【０２６８】
次いで、図６（ａ）に示すような突起を有する成膜済みの堆積膜について、堆積膜形成装置から真空中に保持したまま、図８に構成を模式的に示す真空式研磨装置に移送して、真空中において表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すような平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。
【０２６９】
次いで、表面研磨済みの、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈとが形成された円筒状基体を、真空に保ったまま、真空式研磨装置から前記図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置に移送し、再びセットし、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを成膜した。
【０２７０】
なお、本実施例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚は、上記実施例９と同じである。
【０２７１】
得られた電子写真用感光体についても、上記実施例９と同じ手順、同じ評価条件で、同じ評価項目、すなわち、膜の密着性、トナー融着、ぽち発生、ブレードエッジの損傷状態に関する評価を実施した。また、これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（実施例１１）
本実施例では、図６（ｃ）に示す構成、すなわち、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積し、この堆積膜表面に大気中で研磨加工を施し、突起６０４の頭頂部を除去・平坦化し、さらに、加工表面の水洗浄処理を行った後、その上に表面保護膜６０３ａ−Ｃ：Ｈを成膜した感光体を作製した。
【０２７２】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径１０８ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈとを連続して成膜した堆積膜を作製した。
【０２７３】
次いで、図６（ａ）に示すような突起を有する成膜済みの堆積膜について、図７に構成を模式的に示す研磨装置を用いて、大気中における表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すような平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。
【０２７４】
さらに、表面加工を行った円筒状基体の表面の堆積膜に水洗浄を施した後、前記図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置に再びセットし、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを成膜した。本実施例では、前記水洗浄として、図４に示す、洗浄槽、純水接触槽、乾燥槽からなる水洗浄装置を用いて、表２０に示す条件で行った。
【０２７５】
【表２０】

【０２７６】
なお、本実施例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚は、上記実施例９と同じである。
【０２７７】
得られた電子写真用感光体についても、上記実施例９と同じ手順、同じ評価条件で、同じ評価項目、すなわち、膜の密着性、トナー融着、ぽち発生、ブレードエッジの損傷状態に関する評価を実施した。また、これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（参考例４）
本参考例では、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積し、この堆積膜表面に大気中で研磨加工を施し、突起６０４の頭頂部を除去・平坦化し、さらに、その上に表面保護膜６０３ａ−Ｃ：Ｈを成膜した感光体を作製した。
【０２７８】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径１０８ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈのみを成膜した堆積膜を作製した。この堆積膜においても、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈはないものの、図６（ａ）に示すように、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈの堆積中に発生した突起が見出される。
【０２７９】
次いで、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ中に発生した突起を有する成膜済みの堆積膜について、図７に構成を模式的に示す研磨装置を用いて、大気中における表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すようと同程度まで突起に由来する段差を減じて、平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。
【０２８０】
さらに、表面加工を行った円筒状基体を、前記図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置に再びセットし、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを成膜した。
【０２８１】
なお、本参考例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚は、上記実施例９と同じである。
【０２８２】
得られた電子写真用感光体についても、上記実施例９と同じ手順、同じ評価条件で、同じ評価項目、すなわち、膜の密着性、トナー融着、ぽち発生、ブレードエッジの損傷状態に関する評価を実施した。また、これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（参考例５）
本参考例では、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積し、この堆積膜表面に大気中で研磨加工を施し、突起６０４の頭頂部を除去・平坦化し、さらに、再堆積を行う直前に研磨加工された表面をエッチングガスを使用し、プラズマ放電下にエッチングを施した。引き続き、そのエッチングを施した表面上に表面保護膜６０３ａ−Ｃ：Ｈを成膜した感光体を作製した。
【０２８３】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径１０８ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈのみを成膜した堆積膜を作製した。この堆積膜においても、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈはないものの、図６（ａ）に示すように、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈの堆積中に発生した突起が見出される。
【０２８４】
次いで、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ中に発生した突起を有する成膜済みの堆積膜について、図７に構成を模式的に示す研磨装置を用いて、大気中における表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すようと同程度まで突起に由来する段差を減じて、平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。
【０２８５】
さらに、表面加工を行った円筒状基体を、前記図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置に再びセットし、表面加工を施した光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈの表面を気相エッチングし、引き続き表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを成膜した。本実施例では、気相エッチングを、ＣＦ₄ガスを使用して、表２１の条件で行った。
【０２８６】
【表２１】

【０２８７】
なお、本参考例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚は、上記実施例９と同じである。
【０２８８】
得られた電子写真用感光体についても、上記実施例９と同じ手順、同じ評価条件で、同じ評価項目、すなわち、膜の密着性、トナー融着、ぽち発生、ブレードエッジの損傷状態に関する評価を実施した。また、これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（比較例２）
本比較例では、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護層６０３ａ−Ｃ：Ｈを連続的にプラズマＣＶＤ法で堆積した。この三層構造の堆積膜表面に大気中で研磨加工を施し、突起１０４の頭頂部を除去・平坦化して、感光体を作製した。従って、前記の研磨加工により、突起６０４の頭頂部を除去する結果、かかる頭頂部上を被覆している表面保護層６０３ａ−Ｃ：Ｈ、ならびに、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：Ｈも、失われた状態となる。
【０２８９】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径１０８ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを連続的に成膜した三層構造堆積膜を作製した。この堆積膜においては、最上層の表面保護層ａ−Ｃ：Ｈも加わっているものの、図６（ａ）に示すように、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈの堆積中に発生した突起が見出される。かかる突起の頭頂部では、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈと同じく、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈもその表面を被覆する形態で堆積されている。
【０２９０】
なお、本比較例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚は、上記実施例９と同じである。
【０２９１】
次いで、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ中に発生した突起を有する成膜済みの三層構造堆積膜について、図７に構成を模式的に示す研磨装置を用いて、大気中における表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すようと同程度まで突起に由来する段差を減じて、平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。その結果、突起以外の部分では、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈと表面保護層ａ−Ｃ：Ｈはともに残るが、表面研磨により除去される突起の頭頂部を被覆している、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈと表面保護層ａ−Ｃ：Ｈは、図６（ｂ）に示す状態と同様に研磨除去され、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる突起が表面に露呈する状態となる。
【０２９２】
得られた電子写真用感光体についても、上記実施例９と同じ手順、同じ評価条件で、同じ評価項目、すなわち、膜の密着性、トナー融着、ぽち発生、ブレードエッジの損傷状態に関する評価を実施した。また、これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（比較例３）
本比較例では、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護層６０３ａ−Ｃ：Ｈを連続的にプラズマＣＶＤ法で堆積し、そのまま感光体とした。
【０２９３】
具体的には、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径１０８ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを連続的に成膜した三層構造堆積膜を作製した。この三層構造の堆積膜は、最上層の表面保護層ａ−Ｃ：Ｈも加わっているものの、図６（ａ）に示すように、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈの堆積中に発生した突起が見出される。かかる突起の頭頂部では、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈと同じく、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈもその表面を被覆する形態で堆積されている。従って、かかる突起部分とその周囲の平坦な部分の段差は全く改善されていない状態である。
【０２９４】
なお、本比較例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚は、上記実施例９と同じである。
【０２９５】
得られた電子写真用感光体についても、上記実施例９と同じ手順、同じ評価条件で、同じ評価項目、すなわち、膜の密着性、トナー融着、ぽち発生、ブレードエッジの損傷状態に関する評価を実施した。また、これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（実施例１２）
本実施例では、図６（ｃ）に示す構成、すなわち、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積し、この堆積膜表面に大気中で研磨加工を施し、突起６０４の頭頂部を除去・平坦化し、その上に表面保護膜６０３ａ−Ｃ：Ｈを成膜した感光体を作製した。
【０２９６】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径３０ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈとを連続して成膜した堆積膜を作製した。
【０２９７】
次いで、図６（ａ）に示すような突起を有する成膜済みの堆積膜について、図７に構成を模式的に示す研磨装置を用いて、大気中における表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すような平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。
【０２９８】
次いで、表面研磨済みの、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈとが形成された円筒状基体を前記図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置に再びセットし、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを成膜した。
【０２９９】
なお、本実施例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚を表２２に示す。
【０３００】
本実施例では、用いた円筒状基体は、外径３０（ｍｍ）、肉厚２．５ｍｍのアルミニウム性導電性基体であり、その表面に鏡面加工を施したシリンダーを用い、その表面に、下部阻止層、光導電層ならびに中間層を順次積層した。研磨処理後、その表面に、表面保護層（表面層）を積層して、負帯電用のａ−Ｓｉ感光体を作製した。また、プラズマＣＶＤ堆積膜形成装置の高周波電力は、周波数１０５ＭＨｚ（ＶＨＦ）を用いている。
【０３０１】
【表２２】

【０３０２】
以上の手順で作製した電子写真用感光体について、その堆積膜層の表面外観を観察して、膜の密着性を評価した。次に、電子写真特性の評価として、一次帯電器として注入放電を採用し、また、前記の注入放電用ローラにクリーニング機能を持たせ、クリーニング用ブレードを省いた電子写真装置に、本実施例で作製した電子写真用感光体を光受容部材として装着して、画像形成を行った。具体的には、キヤノン製ＧＰ４０５（プロセススピード ２１０ｍｍ／ｓｅｃ）を試験用電子写真装置に改造し、特開平１１−１９０９２７号公報記載の手法に従い、帯電部分は中抵抗層からなる弾性ローラに変更し、この弾性ローラに導電性粒子を塗布した状態で電圧を印加する方式を用い、また、前記導電性粒子を塗布した状態で感光体表面と当接して、残留トナーなどの除去を行う形態とすることで、クリーナー無しのシステムに構成した。この試験用装置を用いて、印字率１％と通常より印字率を下げたテストパターンにて１００万枚の通紙耐久を行った。その間、定期的に全面ハーフトーン画像、全面白画像を出力し、感光体表面へのトナー融着、ぽち発生の評価を行った。これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（比較例４）
本比較例では、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護層６０３ａ−Ｃ：Ｈを連続的にプラズマＣＶＤ法で堆積した。この三層構造の堆積膜表面に大気中で研磨加工を施し、突起６０４の頭頂部を除去・平坦化して、感光体を作製した。従って、前記の研磨加工により、突起６０４の頭頂部を除去する結果、かかる頭頂部上を被覆している表面保護層６０３ａ−Ｃ：Ｈ、ならびに、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：Ｈも、失われた状態となる。
【０３０３】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径３０ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを連続的に成膜した三層構造堆積膜を作製した。この堆積膜においては、最上層の表面保護層ａ−Ｃ：Ｈも加わっているものの、図６（ａ）に示すように、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈの堆積中に発生した突起が見出される。かかる突起の頭頂部では、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈと同じく、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈもその表面を被覆する形態で堆積されている。
【０３０４】
なお、本比較例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚は、上記実施例１２と同じである。
【０３０５】
次いで、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ中に発生した突起を有する成膜済みの三層構造堆積膜について、図７に構成を模式的に示す研磨装置を用いて、大気中における表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すようと同程度まで突起に由来する段差を減じて、平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。その結果、突起以外の部分では、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈと表面保護層ａ−Ｃ：Ｈはともに残るが、表面研磨により除去される突起の頭頂部を被覆している、中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈと表面保護層ａ−Ｃ：Ｈは、図６（ｂ）に示す状態と同様に研磨除去され、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる突起が表面に露呈する状態となる。
【０３０６】
得られた電子写真用感光体についても、上記実施例１２と同じ手順、同じ評価条件で、同じ評価項目、すなわち、膜の密着性、トナー融着、ぽち発生に関する評価を実施した。また、これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
（実施例１３）
本実施例では、図６（ｃ）に示す構成、すなわち、導電性円筒状基体６０１上に、光導電層６０２ａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層６０５ａ−ＳｉＣ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積し、この堆積膜表面に大気中で研磨加工を施し、突起６０４の頭頂部を除去・平坦化し、その上に表面保護膜６０３ａ−ＳｉＣ：Ｈを成膜した感光体を作製した。
【０３０７】
先ず、図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置を用いて、外径１０８ｍｍの円筒状Ａｌ製基体上に、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈとを連続して成膜した堆積膜を作製した。
【０３０８】
次いで、図６（ａ）に示すような突起を有する成膜済みの堆積膜について、図７に構成を模式的に示す研磨装置を用いて、大気中における表面研磨により突起部分のみを選択的に研磨し、図６（ｂ）に示すような平坦化を行った。この際、突起以外の部分は図９のＡに示すように、研磨前とほとんど変化が無いような研磨条件を予め実験によって求め、その研磨条件で表面加工を行った。
【０３０９】
次いで、研磨済みの中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈ表面を持つ、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈと中間層ａ−ＳｉＣ：Ｈを形成した円筒状基体を前記図１１に示す構成をとるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置に再びセットし、表面保護層ａ−ＳｉＣ：Ｈを成膜した。
【０３１０】
なお、本実施例において用いた、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−ＳｉＣ：ＨをプラズマＣＶＤ法で堆積する際の条件、ならびに、その堆積膜厚を表２３に示す。
【０３１１】
本実施例で用いた円筒状基体は、外径１０８（ｍｍ）、肉厚５ｍｍのアルミニウム性導電性基体であり、その表面に鏡面加工を施したシリンダーを用い、その表面に、下部阻止層、光導電層ならびに中間層を順次積層した。研磨処理後、その表面に、表面保護層（表面層）を積層して、正帯電用のａ−Ｓｉ感光体を作製した。また、プラズマＣＶＤ堆積膜形成装置の高周波電力は、周波数１３．５６ＭＨｚ（ＲＦ）を用いている。
【０３１２】
【表２３】

【０３１３】
以上の手順で作製した電子写真用感光体について、その堆積膜層の表面外観を観察して、膜の密着性を評価した。次に、電子写真特性の評価として、一次帯電器としてコロナ放電を採用し、また、クリーナーにクリーニングブレードを具える電子写真装置に、本実施例で作製した電子写真用感光体を光受容部材として装着して、画像形成を行った。具体的には、キヤノン製ＧＰ６０５（プロセススピード ３００ｍｍ／ｓｅｃ）を試験用電子写真装置として用いて、印字率１％と通常より印字率を下げたテストパターンにて５００万枚の通紙耐久を行った。その間、定期的に全面ハーフトーン画像、全面白画像を出力し、感光体表面へのトナー融着、ぽち発生の評価を行った。また、５００万枚の通紙耐久終了後、クリーナーのブレードエッジの損傷状態を評価した。これらの評価項目に関する結果に基づき、総合評価を行った。表２４に、評価結果を示す。
【０３１４】
【表２４】

【０３１５】
表２４中の記号は、
◎：非常に優れている
○：優れている
△：実用上問題なし
×：実用上問題あり
−：評価対象がない
を意味する。
表２４にまとめる評価結果を対比すると、本発明の感光体の構成、具体的には、光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ中に発生した突起を一旦表面を研磨加工を施し、その際、その突起の頭頂部のみを除去し、その突起以外の周囲の堆積膜層は実質的に加工がなされない状態となるように平坦化を行い、その後、最表面に表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを形成した実施例９〜１２、ならびに参考例４、５の感光体においては、堆積膜、特に、最表面に表面保護層ａ−Ｃ：Ｈ膜の密着性が優れた状態となっている。また、突起の頭頂部のみが除去され、その周囲には研磨加工による機械的な損傷もなく、光受容体としても、優れた特性を有する。具体的には、突起に伴う凸部がないことにより、融着の発生が抑制され、また、クリーニングに使用されるブレードへの損傷を生むことも回避されている。加えて、最表面に表面保護層ａ−Ｃ：Ｈが均一に被覆する形態となるので、初期ぽちで代表される画像欠陥も少なく、使用を重ねる間に、表面保護層ａ−Ｃ：Ｈなどの欠損の増加に由来する耐久ぽちなどの画像不良点の増加も十分に抑制されている。
【０３１６】
なお、前記の光導電層ａ−Ｓｉ：Ｈ中に発生した突起の頭頂部のみを除去するため、研磨加工を施す際、大気中で研磨処理した後、再堆積して、最表面に表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを形成する前に、水洗浄を施す、あるいは、堆積直前に気相エッチングを施すことで、表面を大気に曝すことに伴う影響を排除でき、密着性も一段と優れたものとできる。一方、研磨加工を真空中で実施し、表面を大気に曝すことなく、再堆積して、最表面に表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを形成することで、密着性も一段と優れたものとできる。
【０３１７】
また、最表面に表面保護層ａ−ＳｉＣ：Ｈを形成した実施例１３の感光体においても、融着の面で最表面に表面保護層ａ−Ｃ：Ｈを形成した実施例９の感光体より若干劣るものの、他の特性については、前述のような充分な効果が得られた。
【０３１８】
【発明の効果】
本発明により提供される電子写真用感光体の製造方法では、より具体的には、
第１ステップとして、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内に導電性の表面を有する円筒状基体を設置し、少なくともシリコン原子を含んだ原料ガスを高周波電力により分解し、該円筒状基体の導電性の表面上に少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる感光体用光導電層、中間層を堆積させて、光導電層と中間層からなる第一の層を形成する工程と、
第２ステップとして、第一の層を堆積した円筒状基体を、例えば、堆積室外に取り出し、大気圧下に曝す処理を施す工程と、
その後、第３ステップとして、再び堆積室内に第一の層を堆積した円筒状基体を設置し、少なくとも炭素原子を含んだ原料ガスを高周波電力により分解し、先に堆積した第一の層の上に、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる第二の層を堆積させて、感光体の表面保護層を形成する工程とを行うことにより、長期にわたって、画像欠陥やトナー融着を防止して、良好な画像形成特性の維持が可能となる電子写真用感光体を、高い効率で、安価に製造することが可能となる。
【０３１９】
さらに、第２ステップと第３ステップの中間、あるいは、いずれかのステップと同時に、大気圧下に曝された堆積膜の表面あるいは、研磨等の加工を施した表面を水と接触させることによって、最表面に堆積される非単結晶炭素の膜の密着性も増し、さらに好ましいものとなる。具体的には、水洗浄を行うことにより、その後、表面保護層を成膜した際の密着性が向上し、膜ハガレに対するラチチュードが非常に広くなる。同じく、第３ステップで成膜する直前に、大気圧下に曝された堆積膜表面に残留する酸化層を取り除いたり、不必要な表面欠陥が残留する再成長界面の生成を極力排除するため、軽くエッチングを施した後、表面保護層を成膜することも好ましい。
【０３２０】
加えて、本発明により提供される電子写真用感光体は、例えば、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈ、中間層のａ−ＳｉＣ：Ｈ、表面保護膜のａ−Ｃ：Ｈからなる三層構造を堆積する際、主に、光導電層のａ−Ｓｉ：Ｈに起点を有する突起状の部位に対して、表面保護膜のａ−Ｃ：Ｈを成長する前に、一旦その突起部分のみを加工により除き、その周囲の正常な成長領域に対しては、加工に伴う損傷を及ぼさない加工条件で処理を施すので、得られる電子写真感光体の表面は平坦となり、融着やクリーニング用のブレードの損傷を引き起こすこともない。加えて、かかる感光体を使用する電子写真装置においては、初期ぽちに代表される画像欠陥も抑制され、また、長期間使用後においても、耐久ぽちに代表される画像欠陥の増加も防止できる利点を有する。また、前記の表面保護膜のａ−Ｃ：Ｈなどの堆積前に、表面に加工を施すとも、その後に堆積される最表面の表面保護層ａ−Ｃ：Ｈなどの膜剥がれの発生など、密着性の低下も回避でき、優れた品質の電子写真感光体となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる電子写真用感光体の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の電子写真用感光体の作製工程において、堆積膜形成に使用されるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置の構成の一例を模式的に示す図である。
【図３】本発明の電子写真用感光体の作製工程において、堆積膜形成に使用されるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置の構成の他の一例を模式的に示す図である。
【図４】本発明の電子写真用感光体の作製工程において、水洗浄に使用される洗浄装置の構成の一例を模式的に示す図である。
【図５】本発明にかかる電子写真装置の装置構成の一例を模式的に示す図である。
【図６】本発明にかかる電子写真用感光体の構成、特に、堆積膜形成時に発生する突起部の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の電子写真用感光体の作製工程において、表面加工に使用される表面研磨装置の一例を示す概略断面図である。
【図８】本発明の電子写真用感光体の作製工程において、表面加工に使用される真空式表面研磨装置の一例を示す概略断面図である。
【図９】本発明に電子写真用感光体の作製工程において、表面加工の最適状態と過剰な加工が施された状態とを対比させる、研磨加工後のａ−Ｓｉ光導電層表面の原子間力顕微鏡観察像の一例と、その表面形状を模式的に説明する図である。
【図１０】従来の電子写真用感光体の構成を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明の電子写真用感光体の作製工程において、堆積膜形成に使用されるプラズマＣＶＤ堆積膜形成装置の構成の他の一例を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１０１、６０１、１５０１ 導電性円筒状基体
１０６、６０２、１５０２ 光導電層
１０３、６０３、１５０３ 表面保護層
６０４、１５０４ 突起
１０５、６０５、１５０５ 中間層
５０４ 光受容部材（電子写真用感光体）
５０５ 一次帯電器
５０６ 現像器
５０６ａ 現像剤（トナー）
５０７ 転写帯電器
５０８ クリーナー
５０８−１ 弾性ローラ
５０８−２ クリーニングブレード
５０９ ＡＣ除電器
５１０ 除電光源（ランプ）
５１３ 転写材
５１４ 送りローラ
Ａ 画像露光光（アナログ露光光、あるいはデジタル露光光）
１３００ 堆積装置
１３０１ 反応容器（堆積室）
１３０２ ヒーター
１３０３ 原料ガス導入管
１３０４ 凸部
１３０５ 原料ガス供給管
１３０６ 供給バルブ
１３０７ 排気管
１３０８ メイン排気バルブ
１３０９ 真空計
１３１０ サブ排気バルブ
１３１２ 基体
４０１ 導電性基体
４０２ 処理部
４０３ 被処理部材搬送機構
４１１ 被処理部材投入台
４２１ 被処理部材洗浄槽
４２２ 洗浄液
４３１ 純水接触槽
４３２ ノズル（純水噴出用）
４４１ 乾燥槽
４４２ ノズル（乾燥気体噴出用）
４５１ 被処理部材搬出台
４６１ 搬送アーム
４６２ 移動機構
４６３ チャッキング機構
４６４ エアーシリンダー
４６５ 搬送レール
７００、８０１ 加工対象物（円筒状基体上の光導電層堆積膜表面）
７２０、８２０ 弾性支持機構
７３０、８３０ 加圧弾性ローラ
７３１、８３１ 研磨テープ
７３２、８３２ 送り出しロール
７３３、８３３ 巻き取りロール
７３４、８３４ 定量送りだしロール
７３５、８３５ キャプスタンローラ
８００ 真空容器
８１０ ゲートバルブ
８１１ 搬送機接合部
８１２ 排気管
８１３ 排気バルブ
８５１ 排気バルブ
８５０ 排気管
８６１ ゲートバルブ
８６０ 搬送容器

Claims (39)

1. 円筒状基体と、少なくとも非単結晶材料からなる第一の層および非単結晶材料からなる第二の層とを具えてなる電子写真用感光体の製造方法であって、
   導電性の表面を有する前記円筒状基体を、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内に設置し、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、該円筒状基体の表面上に、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層を堆積し、該光導電層上に、少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも１つの原子を含有する非単結晶材料からなる中間層を堆積し、前記光導電層上に堆積された中間層と前記光導電層とで構成される前記第一の層を堆積する第一の工程と、
   前記第一の層を堆積した前記円筒状基体を、大気圧下に曝す処理を施す第二の工程と、
   前記第二の工程の処理を施した前記円筒状基体に対して、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、更に少なくとも非単結晶材料からなる前記第二の層を堆積する第三の工程と
   を有することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法。
2. 前記第二の工程の処理は、前記第一の層を堆積した前記円筒状基体を、大気圧下に曝し、冷却を行う処理であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
3. 前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体を、第一の工程で用いた前記堆積室から取り出す工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真用感光体の製造方法。
4. 前記第三の工程では、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる第二の層を堆積させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
5. 前記第三の工程は、前記第二の層の堆積に先立ち、
   前記第二の層に対して円筒状基体側に、少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも１つの原子を含有する非単結晶材料からなる層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
6. 前記第一の工程における、第一の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度と、前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度とを、異なる温度に選択することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
7. 前記第一の工程における、第一の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、２００℃〜４５０℃の範囲に選択することを特徴とする請求項６に記載の電子写真用感光体の製造方法。
8. 前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、２０℃〜１５０℃の範囲に選択することを特徴とする請求項６または７に記載の電子写真用感光体の製造方法。
9. 前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、室温に選択することを特徴とする請求項８に記載の電子写真用感光体の製造方法。
10. 前記第二の工程における、第一の層を堆積した前記円筒状基体を大気圧下に曝す処理は、大気圧下に３０分間以上放置する工程を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造
    方法。
11. 前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体の検査を行う工程を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
12. 第二の工程で行う前記検査は、外観検査を含むことを特徴とする請 求項１１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
13. 第二の工程で行う前記検査において、前記第一の層を堆積した円筒状基体に対して、その表面にオゾンを接触させる工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
14. 第二の工程で行う前記検査は、前記第一の層を堆積した円筒状基体を用いて形成する画像の検査を含むことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
15. 第二の工程で行う前記検査は、前記第一の層を堆積した円筒状基体の電気特性の検査を含むことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
16. 前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体に対して、その表面に水を接触させる工程を有することを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
17. 前記表面に水を接触させる工程は、洗浄を含むことを特徴とする請求項１６に記載の電子写真用感光体の製造方法。
18. 前記第三の工程においては、
    前記第一の層を堆積した円筒状基体に対して、その堆積層の最表面をエッチングした後、少なくとも非単結晶材料からなる前記第二の層を堆積することを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
19. 請求項１〜１８のいずれか１項に記載の製造方法によって製造される電子写真用感光体。
20. 円筒状基体と、少なくとも非単結晶材料からなる第一の層および非単結晶材料からなる第二の層とを具えてなる電子写真用感光体を利用する電子写真装置であって、
    前記電子写真用感光体は、請求項１９に記載の電子写真用感光体であることを特徴とする電子写真装置。
21. 導電性材料からなる円筒状基体と、
    前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
    前記光導電層上に堆積された少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも１つの原子を含有する非単結晶材料からなる中間層と、
    前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる電子写真用感光体であって、
    前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層は、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に堆積せしめた非単結晶材料からなり、前記光導電層上への前記中間層堆積後、その堆積膜表面に加工を施してなる表面を有する層であり、
    前記表面保護層は、前記加工を施してなる表面を有する前記中間層を具えてなる前記光導電層上に、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記光導電層上に堆積せしめた非単結晶材料からなる層であり、
    前記光導電層上への中間層堆積後、その堆積膜表面に施される加工は、該非単結晶材料からなる層の堆積後、その表面に存在していた突起部の頭頂部の除去を図る加工である
    ことを特徴とする電子写真用感光体。
22. 前記光導電層上への中間層堆積後、その堆積膜表面に施される加工が、研磨であることを特徴とする請求項２１に記載の電子写真用感光体。
23. 研磨は、非単結晶材料からなる前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その表面に研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされたものであることを特徴とする請求項２２に記載の電子写真用感光体。
24. 表面への加工が、大気中においてなされていることを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の電子写真用感光体。
25. 表面への加工中、または、加工後、少なくとも前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、該加工対象である、非単結晶材料からなる層の表面を水と接触させ、洗浄する処理が施されていることを特徴とする請求項２２〜２４のいずれか１項に記載の電子写真用感光体。
26. 導電性材料からなる円筒状基体と、
    前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
    前記光導電層上に堆積された少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層と、
    前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる電子写真用感光体の製造方法であって、
    排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に、非単結晶材料からなる前記光導電層、前記光導電層上に、非単結晶材料からなる中間層を、それぞれ所定の膜厚に堆積する第一の工程と、
    前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に加工を施す第二の工程と、
    排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記第二の工程で加工を施された前記中間層の表面上に、非単結晶材料からなる前記表面保護層を所定の膜厚に堆積する第三の工程とを有し、
    第二の工程において、前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に施す加工が、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面の、少なくとも突起の頭頂部の除去を図る加工である
    ことを特徴とする電子写真用感光体の製造方法。
27. 第二の工程において、前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に施す加工が、研磨加工であることを特徴とする請求項２６に記載の電子写真用感光体の製造方法。
28. 研磨加工は、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面の突起を研磨し、表面の平坦化を行うものであることを特徴とする請求項２７に記載の電子写真用感光体の製造方法。
29. 研磨加工が、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面に、研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされることを特徴とする請求項２７または２８に記載の電子写真用感光体の製造方法。
30. 第二の工程において、表面への加工が大気中でなされることを特徴とする請求項２６〜２９のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
31. 第二の工程において、表面への加工とともに、加工されている表面を水と接触させ、洗浄する処理を施す、あるいは、第二の工程後、第三の工程前に、加工された表面を水と接触させ、洗浄する処理を施すことを特徴とする請求項２６〜３０のいずれか１項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
32. 円筒状基体と、
    前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
    前記光導電層上に堆積された少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層と、
    前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる感光体を用いる電子写真装置であって、
    前記感光体は、
    前記円筒状基体は、導電性材料からなる円筒状基体であり、
    前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層は、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に堆積せしめた非単結晶材料からなり、前記光導電層上への前記中間層の堆積後、その堆積膜表面に加工を施し、その表面に存在していた突起の頭頂部の除去がなされた表面を有する層であり、
    前記表面保護層は、前記加工を施してなる表面を有する前記中間層を具えてなる前記光導電層上に、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記光導電層上に堆積せしめた非単結晶材料からなる層である構成を有することを特徴とする電子写真装置。
33. 感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その堆積膜表面に施される加工が、研磨加工であることを特徴とする請求項３２に記載の電子写真装置。
34. 感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その表面に施される研磨加工が、非単結晶材料からなる前記中間層の堆積後、その表面に研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされたものであることを特徴とする請求項３３に記載の電子写真装置。
35. 感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その堆積膜表面に施される研磨加工が、大気中においてなされていることを特徴とする請求項３３に記載の電子写真装置。
36. 前記中間層を前記光導電層上へ堆積後、その堆積膜表面への研磨加工中、または、研磨加工後、少なくとも前記表面を水と接触させ、洗浄する処理が施されていることを特徴とする請求項３３に記載の電子写真装置。
37. 前記電子写真用感光体の表面保護層は、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて堆積される、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする請求項２１に記載の電子写真用感光体。
38. 前記第三の工程において、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる表面保護層を堆積することを特徴とする請求項２６に記載の電子写真用感光体の製造方法。
39. 前記感光体の表面保護層は、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて堆積される、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする請求項３２に記載の電子写真装置。

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