JPS63128716A - ガスエツチング方法 - Google Patents
ガスエツチング方法Info
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- JPS63128716A JPS63128716A JP27559886A JP27559886A JPS63128716A JP S63128716 A JPS63128716 A JP S63128716A JP 27559886 A JP27559886 A JP 27559886A JP 27559886 A JP27559886 A JP 27559886A JP S63128716 A JPS63128716 A JP S63128716A
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- gas
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Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファス半導体膜の生成に伴って発生する
不要な固体状汚染物質をガス化して取り除（ためのガス
エツチング方法に関するものである。
不要な固体状汚染物質をガス化して取り除（ためのガス
エツチング方法に関するものである。
近時、アモルファスシリコン膜などのアモルファス半導
体膜を光電変換部材に用いる技術分野は目覚ましい発展
を遂げており、その−例として電子写真感光体があり、
アモルファスシリコン（以下、ａ−５ｉと略す）を光キ
ヤリア発生層とし、その成膜にグロー放電分解装置を用
いて高品質な感光体が得られている。
体膜を光電変換部材に用いる技術分野は目覚ましい発展
を遂げており、その−例として電子写真感光体があり、
アモルファスシリコン（以下、ａ−５ｉと略す）を光キ
ヤリア発生層とし、その成膜にグロー放電分解装置を用
いて高品質な感光体が得られている。
しかしながら、その成膜用原料であるシランガスなどを
グロー放電分解すると放電用電極板やその他の反応室内
部を粉体等により汚染する。この汚染物質は粒径がサブ
ミクロン程度のシリコン重合体と考えられ、ａ−Ｓｉ感
光体を一度製造すると反応室の内部には汚染物質が肉眼
ではっきりと確認できる程度に付着しており、成膜終了
後、感光体ドラムを取り出すとこの粉体が舞い上がって
しまう。そのために続けて同じ装置を用いて次のａ−Ｓ
ｉ感光体を製造しようとすると成膜中に粉体が取り込ま
れて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で電子写真特性
が低下し、この感光体を用いて画像を形成すると白抜け
などが発生していた。
グロー放電分解すると放電用電極板やその他の反応室内
部を粉体等により汚染する。この汚染物質は粒径がサブ
ミクロン程度のシリコン重合体と考えられ、ａ−Ｓｉ感
光体を一度製造すると反応室の内部には汚染物質が肉眼
ではっきりと確認できる程度に付着しており、成膜終了
後、感光体ドラムを取り出すとこの粉体が舞い上がって
しまう。そのために続けて同じ装置を用いて次のａ−Ｓ
ｉ感光体を製造しようとすると成膜中に粉体が取り込ま
れて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で電子写真特性
が低下し、この感光体を用いて画像を形成すると白抜け
などが発生していた。
かかる問題を解決するために、ａ−Ｓｉ感光体を製造し
たグロー放電分解装置の反応室内部へＣＦ４ガスを導入
してグロー放電を発生させ、これに伴うエツチングによ
り汚染物質をガス化して除去するガスエツチング洗浄が
行われている。
たグロー放電分解装置の反応室内部へＣＦ４ガスを導入
してグロー放電を発生させ、これに伴うエツチングによ
り汚染物質をガス化して除去するガスエツチング洗浄が
行われている。
しかしながら、このＣＦ、ガスを用いたガスエツチング
洗浄によれば、その洗浄に著しく長い時間を要し、例え
ば上記のようなａ−Ｓｉ感光体を成膜形成する場合であ
れば、その成膜に要した時間と同じ位の時間をガスエツ
チング洗浄に費さなくてはならず、これにより、製造効
率が低下し、製造コストを高めている。
洗浄によれば、その洗浄に著しく長い時間を要し、例え
ば上記のようなａ−Ｓｉ感光体を成膜形成する場合であ
れば、その成膜に要した時間と同じ位の時間をガスエツ
チング洗浄に費さなくてはならず、これにより、製造効
率が低下し、製造コストを高めている。
従って本発明の目的は、ガスエツチング洗浄の時間を短
縮し、これによって製造効率を高めて製造コストを低減
せしめたガスエツチング方法を提供することにある。
縮し、これによって製造効率を高めて製造コストを低減
せしめたガスエツチング方法を提供することにある。
本発明によれば、アモルファス半導体生成用ガスが導入
される反応室の内部にグロー放電を発生させてアモルフ
ァス半導体膜を生成し、このアモルファス半導体膜の生
成に伴って発生する固体状汚染物質をエツチングガスの
放電によりガス化するガスエツチング方法において、前
記エツチングガスがＳＦ、ガスから成ることを特徴とす
るガスエツチング方法が提供される。
される反応室の内部にグロー放電を発生させてアモルフ
ァス半導体膜を生成し、このアモルファス半導体膜の生
成に伴って発生する固体状汚染物質をエツチングガスの
放電によりガス化するガスエツチング方法において、前
記エツチングガスがＳＦ、ガスから成ることを特徴とす
るガスエツチング方法が提供される。
以下、本発明をａ−Ｓｉ感光体をグロー放電分解法によ
り製作する場合を例にとって説明する。
り製作する場合を例にとって説明する。
第１図はグロー放電分解装置であり、図中、１は円筒形
状の反応室、２は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電
性基板支持体、３は基板加熱用ヒータ、４はａ−Ｓｔの
成膜に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり
、この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、そ
して、６は反応室内部へガスを導入するガス導入口、７
はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するため
のガス排出口であり、８は基板支持体２とグロー放電用
電極板４の間でグロー放電を発生させる高周波電源であ
る。
状の反応室、２は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電
性基板支持体、３は基板加熱用ヒータ、４はａ−Ｓｔの
成膜に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり
、この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、そ
して、６は反応室内部へガスを導入するガス導入口、７
はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するため
のガス排出口であり、８は基板支持体２とグロー放電用
電極板４の間でグロー放電を発生させる高周波電源であ
る。
このグロー放電分解装置を用いてａ−３ｔ悪感光を製作
する場合には、ａ −Ｓ’ｉ成膜用のドラム状基板９を
基板支持体２に装着し、ａ−Ｓｉ生成用ガスをガス導入
口６より反応室内部へ導°入し、このガスをガス噴出口
５を介して基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板
を所要の温度に設定すると共に基板支持体２と電極板４
の間でグロー放電を発生させ、これにより、基板９の周
面にａ−５ｉが成膜した電子写真感光体ができる。
する場合には、ａ −Ｓ’ｉ成膜用のドラム状基板９を
基板支持体２に装着し、ａ−Ｓｉ生成用ガスをガス導入
口６より反応室内部へ導°入し、このガスをガス噴出口
５を介して基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板
を所要の温度に設定すると共に基板支持体２と電極板４
の間でグロー放電を発生させ、これにより、基板９の周
面にａ−５ｉが成膜した電子写真感光体ができる。
このようにしてａ−３ｔ悪感光を製作した場合、電極板
４や反応室内面には汚染物質が付着している。
４や反応室内面には汚染物質が付着している。
そこで、基板９と概ね同形状の導電性ダミー基板を基板
支持体２に装着し、次いで、ＳＦ、ガスをガス導入口６
より反応室内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー
基板へ向けて噴出し、更に基板支持体２と電極板４の間
でグロー放電を発生させ、これによってＳＦ６ガスを分
解してその分解に伴って前記汚染物質をガス化する。
支持体２に装着し、次いで、ＳＦ、ガスをガス導入口６
より反応室内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー
基板へ向けて噴出し、更に基板支持体２と電極板４の間
でグロー放電を発生させ、これによってＳＦ６ガスを分
解してその分解に伴って前記汚染物質をガス化する。
このガスエツチング方法によれば、ａ−３ｉの成膜に用
いた高周波電源（例えば１３．５６ＭＨｚ ）と同じ電
源を用いてエツチングした場合、汚染物質を完全にガス
化し得る所要時間が約１．５時間であった。
いた高周波電源（例えば１３．５６ＭＨｚ ）と同じ電
源を用いてエツチングした場合、汚染物質を完全にガス
化し得る所要時間が約１．５時間であった。
然るに、エツチングガスにＣＦ、ガスを用いた以外は上
記と全く同じ工・ノチング条件に設定した場合、その所
要時間は約４．５時間であった。
記と全く同じ工・ノチング条件に設定した場合、その所
要時間は約４．５時間であった。
以上の通り、本発明のガスエツチング方法によれば、エ
ツチングガスのなかでＳＦ６ガスを用いたことによって
所要時間を顕著に短（することができ、これにより、同
じ成膜装置を用いてアモルファス半導体膜を連続的に製
作する効率を高め、その結果、製造コストが低減できる
。
ツチングガスのなかでＳＦ６ガスを用いたことによって
所要時間を顕著に短（することができ、これにより、同
じ成膜装置を用いてアモルファス半導体膜を連続的に製
作する効率を高め、その結果、製造コストが低減できる
。
尚、本発明は上記の実施例に何ら限定されるものではな
く 、ａ−３ｉ以外のアモルファス半導体を成膜したり
、或いは電子写真感光体以外の種々の光電変換部材にも
適用し得る。
く 、ａ−３ｉ以外のアモルファス半導体を成膜したり
、或いは電子写真感光体以外の種々の光電変換部材にも
適用し得る。
第１図は本発明の実施例に用いられるグロー放電分解装
置の概略図である。 ｌ・・・反応室 ２・・・基板支持体 ３・・・ヒータ ４・・・グロー放電用電極板９・・・
ドラム状基板
置の概略図である。 ｌ・・・反応室 ２・・・基板支持体 ３・・・ヒータ ４・・・グロー放電用電極板９・・・
ドラム状基板
Claims (1)
- アモルファス半導体生成用ガスが導入される反応室の
内部にグロー放電を発生させてアモルファス半導体膜を
生成し、このアモルファス半導体膜の生成に伴って発生
する固体状汚染物質をエッチングガスの放電によりガス
化するガスエッチング方法において、前記エッチングガ
スがＳＦ＿６ガスから成ることを特徴とするガスエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27559886A JPS63128716A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | ガスエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27559886A JPS63128716A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | ガスエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128716A true JPS63128716A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17557673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27559886A Pending JPS63128716A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | ガスエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128716A (ja) |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27559886A patent/JPS63128716A/ja active Pending
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