JPH01173724A - ガスエッチング方法 - Google Patents
ガスエッチング方法Info
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- JPH01173724A JPH01173724A JP33355887A JP33355887A JPH01173724A JP H01173724 A JPH01173724 A JP H01173724A JP 33355887 A JP33355887 A JP 33355887A JP 33355887 A JP33355887 A JP 33355887A JP H01173724 A JPH01173724 A JP H01173724A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばグロー放電分解法によってアモルファ
スシリコン膜を形成した場合に反応室内部に付着した汚
染物質金ガスエツチングによりガス化するガスエツチン
グ方法に関するものである。
スシリコン膜を形成した場合に反応室内部に付着した汚
染物質金ガスエツチングによりガス化するガスエツチン
グ方法に関するものである。
近年、ガスエツチングは汚染物質をガス化して除去する
という洗浄手段に用いられている。
という洗浄手段に用いられている。
例えば、アモルファスシリコン膜をグロー族を分解法に
よって形成する場合、その成膜用原料であるシランガス
などをグロー放電分解すると放′シ用電極板やその他の
反応室内部が粉体等により汚染される。このような汚染
は、例えばアモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと略
す）から成る電子写真感光体を製作した場合に成膜欠陥
を引き起こす原因となる。
よって形成する場合、その成膜用原料であるシランガス
などをグロー放電分解すると放′シ用電極板やその他の
反応室内部が粉体等により汚染される。このような汚染
は、例えばアモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと略
す）から成る電子写真感光体を製作した場合に成膜欠陥
を引き起こす原因となる。
従って、ａ−３ｉ悪感光を製造した反応室内部へＣＦ４
、ＮＦ３、ＳＦ６ などのガスを導入してグロー放’ａ
ｔ発生させ、これによって汚染物質をガス化して除去す
ることが行われている。
、ＮＦ３、ＳＦ６ などのガスを導入してグロー放’ａ
ｔ発生させ、これによって汚染物質をガス化して除去す
ることが行われている。
上記グロー放電分解用反応室の構成部材にはステンレス
が用いられ、そのようなステンレス部材は強度や硬さの
点で優れているが、その反面、ＣＦ４、Ｎ Ｆ３、ＳＦ
６などのフッ素を構成元素とするガスエツチング雰囲気
に晒された場合、化学反応が生じ、その部材表面に黄色
の粉体が発生し、その結果、ガスエツチングの信頼性を
著しく損なう。
が用いられ、そのようなステンレス部材は強度や硬さの
点で優れているが、その反面、ＣＦ４、Ｎ Ｆ３、ＳＦ
６などのフッ素を構成元素とするガスエツチング雰囲気
に晒された場合、化学反応が生じ、その部材表面に黄色
の粉体が発生し、その結果、ガスエツチングの信頼性を
著しく損なう。
本発明は上記事情に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、ガス
エツチングに際してステンレス部材の温度を１００℃以
下にまで冷却した場合、上記黄色粉体が発生しないこと
を見い出した。
エツチングに際してステンレス部材の温度を１００℃以
下にまで冷却した場合、上記黄色粉体が発生しないこと
を見い出した。
従って、本発明は上記知見に基いて完成されたものであ
り、その目的は、ステンレス部材の汚染物質をガスエツ
チングにより除去してもステンレス部材との反応生成物
が生じないようになった高信頼性のガスエツチング方法
を提供することにある。
り、その目的は、ステンレス部材の汚染物質をガスエツ
チングにより除去してもステンレス部材との反応生成物
が生じないようになった高信頼性のガスエツチング方法
を提供することにある。
本発明によれば、ステンレス部材に付着した被エツチン
グ体をフッ素を構成元素とするガスエツチング雰囲気に
晒してガス化するガスエツチング方法において、前記ス
テンレス部材？ １００℃以下の温度に設定したことを
特徴とするガスエツチング方法が提供される。
グ体をフッ素を構成元素とするガスエツチング雰囲気に
晒してガス化するガスエツチング方法において、前記ス
テンレス部材？ １００℃以下の温度に設定したことを
特徴とするガスエツチング方法が提供される。
〔実施例〕
以下、本発明のガスエツチング方法１ａ−３ｉ悪感光用
グロー放電分解装置を用いた場合を例にとって詳細に説
明する。
グロー放電分解装置を用いた場合を例にとって詳細に説
明する。
（グロー放電分解装置）
第１図はグロー放電分解装置であり、図中、１は円筒形
状の反応室であり、２は感光体ドラム装着用円筒形状の
基板支持体、３は基板加熱用ヒータ、４はａ−３ｉの成
膜に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり、
この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、そし
て、６は反応室内部へガスを導入するためのガス導入口
、７はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気する
ためのガス排出口である。また、８は基板支持体２とグ
ロー放電用電極板４の間でグロー放電を発生させる高周
波電源、９は排気用ポンプである。
状の反応室であり、２は感光体ドラム装着用円筒形状の
基板支持体、３は基板加熱用ヒータ、４はａ−３ｉの成
膜に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり、
この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、そし
て、６は反応室内部へガスを導入するためのガス導入口
、７はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気する
ためのガス排出口である。また、８は基板支持体２とグ
ロー放電用電極板４の間でグロー放電を発生させる高周
波電源、９は排気用ポンプである。
このグロー放電分解装９ｔヲ用いてａ−３ｉ悪感光全製
作する場合には、ａ−３ｉ成膜用のドラム状基板ｌＯを
基板支持体２に装着し、ａ−３ｉ生成用ガスをガス導入
口６より反応室内部へ尋人し、このガスをガス噴出口５
’を介して基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板
を所要の温度に設定すると共に基板支持体２と電極板４
の間でグロー放電を発生させ、これにより、基板１０の
周面にａ−３ｉが成膜した電子写真感光体ができる。
作する場合には、ａ−３ｉ成膜用のドラム状基板ｌＯを
基板支持体２に装着し、ａ−３ｉ生成用ガスをガス導入
口６より反応室内部へ尋人し、このガスをガス噴出口５
’を介して基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板
を所要の温度に設定すると共に基板支持体２と電極板４
の間でグロー放電を発生させ、これにより、基板１０の
周面にａ−３ｉが成膜した電子写真感光体ができる。
（ガスエツチング）
このようにしてａ−３ｉ悪感光を製作した場合、電極板
４や反応室内面には汚染物質が付着している。そこで、
基板１０と概ね同形状の導電性ダミー基板１１を基板支
持体２に装着し、次いで、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣＦ４
などのフッ素系エツチングガスをガス導入口６より反応
室内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー基板１１
へ向けて噴出し、更に基板支持体２と電極板４の間でグ
ロー放電を発生させ、これにより、エツチングガスが分
解し、この分解に伴って前記汚染物質がガス化される。
４や反応室内面には汚染物質が付着している。そこで、
基板１０と概ね同形状の導電性ダミー基板１１を基板支
持体２に装着し、次いで、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣＦ４
などのフッ素系エツチングガスをガス導入口６より反応
室内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー基板１１
へ向けて噴出し、更に基板支持体２と電極板４の間でグ
ロー放電を発生させ、これにより、エツチングガスが分
解し、この分解に伴って前記汚染物質がガス化される。
このようなガスエツチングにおいて、本発明者はステン
レス部材の温度と、ガスエツチングによる腐食の閥係を
次のようにして調べた。
レス部材の温度と、ガスエツチングによる腐食の閥係を
次のようにして調べた。
第２図は基板支持体２と、これに配設されたダミー基板
１１であり、この基板支持体２には平板状のステンレス
部材１２が付着され、そして、このステンレス部材１２
には温度モニタ用熱電対１３が付設され、これによって
ステンレス部材１２の温度を測定することができる。
１１であり、この基板支持体２には平板状のステンレス
部材１２が付着され、そして、このステンレス部材１２
には温度モニタ用熱電対１３が付設され、これによって
ステンレス部材１２の温度を測定することができる。
また、基板支持体２の下部には冷却水導入口１４が形成
され、一方、基板支持体２の内部には冷却水排出管１５
も配設されており、これにより、冷却水導入口１４より
入る冷却用水は基板支持体２の内部をほぼ満水に近い位
にまで満たし、そして、冷却水排出管１５を介して余分
な水が排出される。
され、一方、基板支持体２の内部には冷却水排出管１５
も配設されており、これにより、冷却水導入口１４より
入る冷却用水は基板支持体２の内部をほぼ満水に近い位
にまで満たし、そして、冷却水排出管１５を介して余分
な水が排出される。
その結果、基板支持体２、ダミー基板１１及びステンレ
ス部材１２が所要通りの温度にまで冷却される。
ス部材１２が所要通りの温度にまで冷却される。
このような構成のグロー放電分解装置を用いてガスエツ
チングを行い、ステンレス部材１２の腐食具合を調べた
ところ、冷却水によってその部材１２の温度が１００℃
以下に設定されている場合には何等腐食が発生しないこ
とが確認された。
チングを行い、ステンレス部材１２の腐食具合を調べた
ところ、冷却水によってその部材１２の温度が１００℃
以下に設定されている場合には何等腐食が発生しないこ
とが確認された。
然るに上記のような冷却手段を同等用いないでガスエツ
チングした場合には上記ステンレス部材１２の表面に黄
色の粉体が発生していることが確認された。
チングした場合には上記ステンレス部材１２の表面に黄
色の粉体が発生していることが確認された。
以上の通り、本発明によれば、ステンレスエリ成る各種
反応室構成部材がフッ素を構成元素とするガスエツチン
グ雰囲気に晒された場合、その構成部材を１００℃以下
の温度に設定することによって、そのガス雰囲気と構成
部材が化学反応しなくなり、その結果、高信頼性のガス
エツチング方法が提供できた。
反応室構成部材がフッ素を構成元素とするガスエツチン
グ雰囲気に晒された場合、その構成部材を１００℃以下
の温度に設定することによって、そのガス雰囲気と構成
部材が化学反応しなくなり、その結果、高信頼性のガス
エツチング方法が提供できた。
第１図はグロー放電分解装置の概略図、第２図は基板支
持体に形成された冷却手段を示す概略図である。 ｌ・・・反応室 ２・・・基板支持体４
・・・グロー放電用電極板 １０・・・ドラム状基板１
１・・・ダミー基板 １２・・・ステンレス
部材１３・・・熱電対 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者 安 城
欽 寿 、事件の表示 Ｂ啄ｐ／−年特許願第 υｅ９夕立２ 号：１発明の
名称 η゛ヌ２、／ ”ｙ ；ジ′釘と ：、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都市山科区東野北井ノ上町５番地の２２〉、補
正により増加する発明の数 ｆ、 Ｃ＋１１明細書中
第２頁第８行目のｒＣＦ、 ＪをｒｃＦａ、ＣＩＦｘＪ
に訂正する。 （２）明細筒中第５頁第６行目のｒｃＦ４ＪをｒｃＦｎ
、ＣＩＦ３Ｊに訂正する。 以上
持体に形成された冷却手段を示す概略図である。 ｌ・・・反応室 ２・・・基板支持体４
・・・グロー放電用電極板 １０・・・ドラム状基板１
１・・・ダミー基板 １２・・・ステンレス
部材１３・・・熱電対 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者 安 城
欽 寿 、事件の表示 Ｂ啄ｐ／−年特許願第 υｅ９夕立２ 号：１発明の
名称 η゛ヌ２、／ ”ｙ ；ジ′釘と ：、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都市山科区東野北井ノ上町５番地の２２〉、補
正により増加する発明の数 ｆ、 Ｃ＋１１明細書中
第２頁第８行目のｒＣＦ、 ＪをｒｃＦａ、ＣＩＦｘＪ
に訂正する。 （２）明細筒中第５頁第６行目のｒｃＦ４ＪをｒｃＦｎ
、ＣＩＦ３Ｊに訂正する。 以上
Claims (1)
- ステンレス部材に付着した被エッチング体をフッ素を
構成元素とするガスエッチング雰囲気に晒してガス化す
るガスエッチング方法において、前記ステンレス部材を
１００℃以下の温度に設定したことを特徴とするガスエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33355887A JPH01173724A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ガスエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33355887A JPH01173724A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ガスエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173724A true JPH01173724A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18267386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33355887A Pending JPH01173724A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ガスエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173724A (ja) |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33355887A patent/JPH01173724A/ja active Pending
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