JPS63151025A - ガスエツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファス半導体膜の生成に伴って発生する
不要な個体状汚染物質をガス化して取り除くためのガス
エツチング方法に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近時、アモルファスシリコン膜などのアモルファス半導
体膜を光電変換部材に用いる技術分野は目覚ましい発展
を遂げており、その−例として電子写真感光体があり、
アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｔと略す）を光キ
ヤリア発生層とし、その成膜にグロー放電分解装置を用
いて高品質な感光体が得られてい′る。

しかしながら、その成膜用原料であるシランガスなどを
グロー放電分解すると放電用電極板やその他の反応室内
部を粉体等によめ汚染する。この汚染物質は粒径がサブ
ミクロン程度のシリコン重合体と考えられ、ａ−Ｓｉ感
光体を一度製造すると反応室の内部には汚染物質が肉眼
ではっきりと確認できる程度に付着し、ており、成膜終
了後、感光体ドラムを取り出すとこの粉体が舞い上がっ
てしまう。そのために続けて同じ装置を用いて次のａ−
３ｉ悪感光を製造しようとすると成膜中に粉体が取り込
まれて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で電子写真特
性が低下し、この感光体を用いて画像を形成すると白抜
けなどが発生していた。

かかる問題を解決するために、ａ−５ｉ悪感光を製造し
たグロー放電分解装置の反応室内部へＣＦａガスを導入
してグロー放電を発生させ、これに伴うエツチングによ
り汚染物質をガス化して除去するガスエツチング洗浄が
行われている。

しかしながら、このＣＦ４ガスを用いたガスエツチング
洗浄によれば、その洗浄に著しく長い時間を要し、例え
ば上記のようなａ−Ｓｉ感光体を成膜形成する場合であ
れば、その成膜に要した時間と同じ位の時間をガスエツ
チング洗浄に費さなくてはならず、これにより、製造効
率が低下し、製造コストを高めている。

〔発明の目的〕

従って本発明の目的は、ガスエツチング洗浄の時間を短
縮し、これによって製造効率を高めて製造コストを低減
せしめたガスエツチング方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、アモルファス半導体生成用ガスが導入
される反応室の内部にグロー放電を発生させてアモルフ
ァス半導体膜を生成し、このアモルファス半導体膜の生
成に伴って発生する個体状汚染物質をエツチングガスの
放電によりガス化するガスエツチング方法において、前
記エツチングガスがＣＣ１，ガスから成ることを特徴と
するガスエツチング方法が提供される。

以下、本発明をａ−３ｔ悪感光をグロー放電分解法によ
り製作する場合を例にとって説明する。

第１図はグロー放電分解装置であり、図中、１は円筒形
状の反応室、２は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電
性基板支持体、３は基板加熱用ヒータ、４はａ−Ｓｉの
成膜に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり
、この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、そ
して、６は反応室内部へガスを導入するガス導入口、７
はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するため
のガス排出口であり、８は基板支持体２とグロー放電用
電極板４の間でグロー放電を発生させる高周波電源であ
る。

このグロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｉ感光体を製作
する場合には、ａ−Ｓｉ成膜用のドラム状基板９を基板
支持体２に装着し、ａ−Ｓｉ生成用ガスをガス導入口６
より反応室内部へ導入し、このガスをガス噴出口５を介
して基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板を所要
の温度に設定すると共に基板支持体２と電極板４の間で
グロー放電を発生させ、これにより、基板９の周面にａ
−Ｓｔが成膜した電子写真感光体ができる。

このようにしてａ−Ｓｉ感光体を製作した場合、電極板
４や反応室内面には汚染物質が付着している。

そこで、基板９と概ね同形状の導電性ダミー基板を基板
支持体２に装着し、次いで、ＣＣｌ４ガスをガス導入口
６より反応室内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミ
ー基板へ向けて噴出し、更に基板支持体２と電極板４の
間でグロー放電を発生させ、これによってＣＣ１ａガス
を分解してその分解に伴って前記汚染物質をガス化する
。

このガスエツチング方法によれば、ａ−Ｓｉの成膜に用
いた高周波電源（例えば１３．５６ＭＨｚ　）と同じ電
源を用いてエツチングした場合、汚染物質を完全にガス
化し得る所要時間が約２．２時間であった。

然るに、エツチングガスにＣＦ２・ガスを用いた以外は
上記と全く同じエツチング条件に設定した場合、その所
要時間は約４．５時間であった。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明のガスエツチング方法によれば、エ
ツチングガスのなかでＣＣ１ａガスを用いたことによっ
てガスエツチング洗浄の所要時間を顕著に短くすること
ができ、これにより、同じ成膜装置を用いてアモルファ
ス半導体膜を連続的に製作する効率を高め、その結果、
製造コストが低減できる。

尚、本発明は上記の実施例に何ら限定されるものではな
（、ａ−Ｓｉ以外のアモルファス半導体を成膜したり、
或いは電子写真感光体以外の種々の光電変換部材にも適
用し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に用いられるグロー放電分解装
置の概略図である。 １・・・反応室　２・・・基板支持体 ３・・・ヒータ　４・・・グロー放電用電極板９・・・
ドラム状基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. アモルファス半導体生成用ガスが導入される反応室の内
   部にグロー放電を発生させてアモルファス半導体膜を生
   成し、このアモルファス半導体膜の生成に伴って発生す
   る個体状汚染物質をエッチングガスの放電によりガス化
   するガスエッチング方法において、前記エッチングガス
   がＣＣｌ＿４ガスから成ることを特徴とするガスエッチ
   ング方法。