JPH02256234A - 反応室内部の残留ハロゲン除去方法 - Google Patents
反応室内部の残留ハロゲン除去方法Info
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- JPH02256234A JPH02256234A JP33355987A JP33355987A JPH02256234A JP H02256234 A JPH02256234 A JP H02256234A JP 33355987 A JP33355987 A JP 33355987A JP 33355987 A JP33355987 A JP 33355987A JP H02256234 A JPH02256234 A JP H02256234A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は成膜用又はエツチング用の反応室内部に残留し
たハロゲンを除去して成膜特性の信頼性を高め且つ反応
室内部の腐食を防いで反応室の長期寿命化を達成するこ
とができた反応室内部の残留ハロゲン除去方法に関する
ものである。
たハロゲンを除去して成膜特性の信頼性を高め且つ反応
室内部の腐食を防いで反応室の長期寿命化を達成するこ
とができた反応室内部の残留ハロゲン除去方法に関する
ものである。
アモルファスシリコン膜をグロー放電分解法により形成
した場合には、その成膜用原料であるシランガスの分解
に伴って放電用電極板やその他の反応室内部が粉体等に
より汚染される。このような粉体は、同じグロー放電分
解装置を用いて次のアモルファスシリコン（以下、ａ−
３ｉと略す）膜を形成しようとすると成膜中に取り込ま
れて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で特性劣化が生
じる。
した場合には、その成膜用原料であるシランガスの分解
に伴って放電用電極板やその他の反応室内部が粉体等に
より汚染される。このような粉体は、同じグロー放電分
解装置を用いて次のアモルファスシリコン（以下、ａ−
３ｉと略す）膜を形成しようとすると成膜中に取り込ま
れて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で特性劣化が生
じる。
かかる問題を解決するために、ａ−３ｉ膜を形成したグ
ロー放電分解装置の反応室内部へ、例えばＣＦａガス、
ＳＦ６ガス及びＮＦ、、ガスなどのフッ素系エツチング
ガスを導入してグロー放電を発生させ、これに伴うエツ
チングにより上記粉体をガス化して除去している。
ロー放電分解装置の反応室内部へ、例えばＣＦａガス、
ＳＦ６ガス及びＮＦ、、ガスなどのフッ素系エツチング
ガスを導入してグロー放電を発生させ、これに伴うエツ
チングにより上記粉体をガス化して除去している。
しかしながら、このようなフッ素系エツチングガスなど
を用いた場合には、上記のようなガスエツチング洗浄を
行うことができるが、その反面、そのフッ素が反応室内
部に残留し、これにより、そのガスと反応室の構成金泥
との間で化学反応が生じ、反応室を腐食させる原因とな
っている。
を用いた場合には、上記のようなガスエツチング洗浄を
行うことができるが、その反面、そのフッ素が反応室内
部に残留し、これにより、そのガスと反応室の構成金泥
との間で化学反応が生じ、反応室を腐食させる原因とな
っている。
また、上記フッ素系残留ガスは次回の成膜形成に当たっ
て混入され、そのため、膜の特性が劣化したり或いは安
定した特性が得られないという問題が生じた。
て混入され、そのため、膜の特性が劣化したり或いは安
定した特性が得られないという問題が生じた。
本発明者はかかる問題を解決するために反応室内部に空
気又は不活性ガスを通過させることを既に提案した。
気又は不活性ガスを通過させることを既に提案した。
しかしながら、このように空気などを通過させるに用い
られる排気用ポンプにはフッ素が非常に多く残留し、こ
れにより、その空気の流路が除かれて反応室内部の真空
度が著しく高められた場合には、ポンプより反応室内部
へフッ素が拡散し、その結果、反応室内部が再びフッ素
により汚染される。
られる排気用ポンプにはフッ素が非常に多く残留し、こ
れにより、その空気の流路が除かれて反応室内部の真空
度が著しく高められた場合には、ポンプより反応室内部
へフッ素が拡散し、その結果、反応室内部が再びフッ素
により汚染される。
従って本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的は反応室の腐食を防いでそれ自体の長期信頼性を
達成した反応室内部の残留ハロゲン除去方法を提供する
ことにある。
の目的は反応室の腐食を防いでそれ自体の長期信頼性を
達成した反応室内部の残留ハロゲン除去方法を提供する
ことにある。
本発明の他の目的は高品質又は高倍転性の成膜形成が可
能となった反応室内部の残留ハロゲン除去方法を提供す
ることにある。
能となった反応室内部の残留ハロゲン除去方法を提供す
ることにある。
本発明によれば、ハロゲン元素を含む成膜用ガス又はエ
ツチング用ガスが導入された反応室に、該反応室に接続
された排気用ポンプにより空気又は不活性ガスを通過さ
せて残留ハロゲンを除去し、然る後、次の成膜を行うま
での間、該ポンプを用いて空気又は不活性ガスを反応室
内部に通過させることを特徴とする反応室内部の残留ハ
ロゲン除去方法が提供される。
ツチング用ガスが導入された反応室に、該反応室に接続
された排気用ポンプにより空気又は不活性ガスを通過さ
せて残留ハロゲンを除去し、然る後、次の成膜を行うま
での間、該ポンプを用いて空気又は不活性ガスを反応室
内部に通過させることを特徴とする反応室内部の残留ハ
ロゲン除去方法が提供される。
以下、本発明をａ−５ｉ悪感光ドラムを製作できるグロ
ー放電分解装置を例にとって詳細に説明する。
ー放電分解装置を例にとって詳細に説明する。
（グロー放電分解装置）
添付図面はグロー放電分解装置であり、図中、１は円筒
形状の反応室、２は感光体ドラム装着用の円筒形状の導
電性基板支持体、３は基板加熱用ヒータ、４はａ−５ｉ
の成膜に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であ
り、この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、
そして、６は反応室内部へガスを導入するガス導入口、
７はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するた
めのガス排出口であり、８は基板支持体２とグロー放電
用電極板４の間でグロー放電を発生させる高周波電源、
９は排気用のポンプである。
形状の反応室、２は感光体ドラム装着用の円筒形状の導
電性基板支持体、３は基板加熱用ヒータ、４はａ−５ｉ
の成膜に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であ
り、この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、
そして、６は反応室内部へガスを導入するガス導入口、
７はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するた
めのガス排出口であり、８は基板支持体２とグロー放電
用電極板４の間でグロー放電を発生させる高周波電源、
９は排気用のポンプである。
このグロー放電分解装置を用いてａ−３ｔ悪感光を製作
する場合には、ａ−Ｓｔ成膜用のドラム状基板１０を基
板支持体２に装着し、ａ−Ｓｉ生成用ガスをガス導入口
６より反応室内部へ導入し、このガスをガス噴出口５を
介して基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板を所
要の温度に設定すると共に基板支持体２と電極板４の間
でグロー放電を発生させ、これにより、基板１０の周面
にａ−３ｉが成膜した電子写真感光体ができる。
する場合には、ａ−Ｓｔ成膜用のドラム状基板１０を基
板支持体２に装着し、ａ−Ｓｉ生成用ガスをガス導入口
６より反応室内部へ導入し、このガスをガス噴出口５を
介して基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板を所
要の温度に設定すると共に基板支持体２と電極板４の間
でグロー放電を発生させ、これにより、基板１０の周面
にａ−３ｉが成膜した電子写真感光体ができる。
（ガスエツチング）
このようにしてａ−３ｉ悪感光を製作した場合、電極板
４や反応室内面には汚染物質が付着している。
４や反応室内面には汚染物質が付着している。
そこで、基板１０と概ね同形状の導電性ダミー基板を基
板支持体２に装着し、次いで、ＳＦ４ 、ＮＦ：ｌ、Ｃ
Ｆ４などのフッ素系エツチングガスを導入口６より反応
室内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー基板へ向
けて噴出し、更に基板支持体２と電極板４の間でグロー
放電を発生させ、これによってエツチングガスが分解し
てその分解に伴って前記汚染物質をガス化する。
板支持体２に装着し、次いで、ＳＦ４ 、ＮＦ：ｌ、Ｃ
Ｆ４などのフッ素系エツチングガスを導入口６より反応
室内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー基板へ向
けて噴出し、更に基板支持体２と電極板４の間でグロー
放電を発生させ、これによってエツチングガスが分解し
てその分解に伴って前記汚染物質をガス化する。
このようにガスエツチングした場合の反応室内部のフッ
素量をガス検知管を用いて測定したところ、約１１００
ｐｐ以上であった。
素量をガス検知管を用いて測定したところ、約１１００
ｐｐ以上であった。
（残留フッ素の除去）
次に反応室１の内部を大気圧下に戻すと共に排気用ポン
プ９を動作させてガス導入口６より空気を導入し、反応
室１の内部に空気の流路をつくる。
プ９を動作させてガス導入口６より空気を導入し、反応
室１の内部に空気の流路をつくる。
かくして、このようなフッ素除去方法を、約１〜２時間
を行い、反応室１の内部のフッ素量を測定したところ、
約ｏ、ｓｐｐｍ以下となり、フッ素が顕著に除去された
ことが判る。
を行い、反応室１の内部のフッ素量を測定したところ、
約ｏ、ｓｐｐｍ以下となり、フッ素が顕著に除去された
ことが判る。
（次回の成膜に至るまでのフッ素の逆流防止）上記のよ
うなフッ素の除去を行った後、続けて排気用ポンプ９を
用いて不活性ガス（Ｎｚ＋ Ａｒ＋ Ｎｅなど）を反応
室１の内部へ導入し、反応室１の内部をその不活性ガス
で置換し、次いで、Ｓ ｉ Ｈ，ガスなどの成膜用ガス
に置換する。
うなフッ素の除去を行った後、続けて排気用ポンプ９を
用いて不活性ガス（Ｎｚ＋ Ａｒ＋ Ｎｅなど）を反応
室１の内部へ導入し、反応室１の内部をその不活性ガス
で置換し、次いで、Ｓ ｉ Ｈ，ガスなどの成膜用ガス
に置換する。
尚、上記のようにガス置換を行う場合には前段階のガス
の反応室内部圧力を小さくし、然る後、次の段階の導入
ガスを多量に入れており、その場合には一時的に反応室
内部が減圧状態になるが、その状態においては排気用ポ
ンプ９から残留フッ素が逆流しない範囲内でガス圧力が
設定される。
の反応室内部圧力を小さくし、然る後、次の段階の導入
ガスを多量に入れており、その場合には一時的に反応室
内部が減圧状態になるが、その状態においては排気用ポ
ンプ９から残留フッ素が逆流しない範囲内でガス圧力が
設定される。
また、上記のように不活性ガスを用いる以外に、成膜に
至るまでの間空気を用いてもよく、その場合には反応室
内部を成膜前に計などの不活性ガスと置換し、次いで、
５ｉ）Ｉ４ガスなどの成膜ガスに置換すればよい。
至るまでの間空気を用いてもよく、その場合には反応室
内部を成膜前に計などの不活性ガスと置換し、次いで、
５ｉ）Ｉ４ガスなどの成膜ガスに置換すればよい。
かくして上記実施例によれば、反応室内部のフッ素が空
気又は不活性ガスにより除去され、更に続けて次回の成
膜に至るまで空気又は不活性ガスを流し続けることによ
り反応室内部が完全にフッ素除去される。
気又は不活性ガスにより除去され、更に続けて次回の成
膜に至るまで空気又は不活性ガスを流し続けることによ
り反応室内部が完全にフッ素除去される。
また、本発明者は上記フッ素系エツチングガスに代わっ
てＣＣＩｚＦｚ、ＣＣ１ｈ、ＣＣｈＦ、ＣＣ１ｎなどを
用いてガスエツチング洗浄を行っても同様な結果が得ら
れることを確認した。
てＣＣＩｚＦｚ、ＣＣ１ｈ、ＣＣｈＦ、ＣＣ１ｎなどを
用いてガスエツチング洗浄を行っても同様な結果が得ら
れることを確認した。
以上の通り、本発明によれば、ハロゲン元素を含むガス
が反応室内部へ導入された場合に生じるハロゲン汚染が
なくなり、これにより、反応室の腐食がなくなり、その
結果、反応室の長期信頬性を達成した反応室内部の残留
ハロゲン除去方法を提供することができた。
が反応室内部へ導入された場合に生じるハロゲン汚染が
なくなり、これにより、反応室の腐食がなくなり、その
結果、反応室の長期信頬性を達成した反応室内部の残留
ハロゲン除去方法を提供することができた。
また、本発明によれば、ハロゲンが成膜に入らなくなり
、これにより、所要通りの高品質又は高信顛性の成膜形
成ができるようになった反応室内部の残留ハロゲン除去
方法を提供することができた。
、これにより、所要通りの高品質又は高信顛性の成膜形
成ができるようになった反応室内部の残留ハロゲン除去
方法を提供することができた。
添付図面はグロー放電分解装置の概略図である。
１ ・・反応室 ３・・ヒータ
４ ・・グロー放電用電穫板
５ ・
ガス噴出口
・ガス導入口
・ガス排出口
・排気用ポンプ
Claims (1)
- ハロゲン元素を含む成膜用ガス又はエッチング用ガスが
導入された反応室に、該反応室に接続された排気用ポン
プにより空気又は不活性ガスを通過させて残留ハロゲン
を除去し、然る後、次の成膜を行うまでの間該ポンプを
用いて空気又は不活性ガスを反応室内部に通過させるこ
とを特徴とする反応室内部の残留ハロゲン除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33355987A JPH02256234A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反応室内部の残留ハロゲン除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33355987A JPH02256234A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反応室内部の残留ハロゲン除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02256234A true JPH02256234A (ja) | 1990-10-17 |
Family
ID=18267397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33355987A Pending JPH02256234A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反応室内部の残留ハロゲン除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02256234A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106127A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反応管洗浄方法 |
| JPS62204534A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Nec Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPS62232126A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Kyocera Corp | ガスエツチング方法 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33355987A patent/JPH02256234A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106127A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反応管洗浄方法 |
| JPS62204534A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Nec Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPS62232126A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Kyocera Corp | ガスエツチング方法 |
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