JP2007531996A5 - - Google Patents

Claims (26)

1. プラズマ処理システムからフルオロカーボン高分子チャンバ残渣を除去する方法であって、
   プラズマ処理システムの処理チャンバに、ＣＯ、ＣＯ _２ 、または、これらの分子の少なくとも１つとＨ _２ ，ＮＨ _３ 、Ｈ _２ Ｏ、Ｎ _２ 、若しくは不活性ガスの１つ以上との組み合わせからなるプロセスガスを導入することと；
   前記プロセスガスからプラズマを生成することと；
   前記残渣から揮発性の反応生成物を形成するために、前記フルオロカーボン高分子チャンバ残渣を、基板ホルダがウェハのないドライクリーニングプロセスによってクリーニングされるように前記プラズマ処理システムの前記基板ホルダにシールドウェハが提供されていない前記ウェハのないドライクリーニングプロセスの前記プラズマにさらすことと；
   前記処理チャンバから前記反応生成物を排気することとを具備する方法。
2. 前記さらすことは、前記処理チャンバの基板ホルダ上に基板を提供することを更に備えている請求項１に記載の方法。
3. 前記導入すること、前記生成すること、前記さらすこと、および前記排気することを繰り返す前に、前記処理チャンバ内で少なくとも１つの製造工程を実行することを更に具備する請求項１に記載の方法。
4. 前記プロセスガスを導入することは、Ａｒ、Ｈｅ，またはＸｅのうちの少なくとも１つを含む不活性ガスを導入することを備えている請求項１に記載の方法。
5. 前記導入することは、約１００ｓｃｃｍと、約５，０００ｓｃｃｍとの間のガス流量で前記プロセスガスを流すことを備えている請求項１に記載の方法。
6. 前記導入することは、約１００ｓｃｃｍと、約２，０００ｓｃｃｍとの間のガス流量で、ＣＯ又はＣＯ _２ のうちの少なくとも１つを流すことを備えている請求項１に記載の方法。
7. 前記導入することは、約２０ｓｃｃｍと、約１０００ｓｃｃｍとの間のガス流量で、Ｈ _２ 、ＮＨ _３ 、Ｈ _２ Ｏ、またはＮ _２ のうちの少なくとも１つを流すことを備えている請求項１に記載の方法。
8. 前記導入することは、約２，０００ｓｃｃｍ未満のガス流量で、前記不活性ガスを流すことを備えている請求項１に記載の方法。
9. 前記導入することは、約１０ｍＴｏｒｒと、約５Ｔｏｒｒとの間に前記処理チャンバの圧力を維持することを更に備えている請求項１に記載の方法。
10. 前記導入することは、約２０ｍＴｏｒｒと、約１Ｔｏｒｒとの間に前記処理チャンバの圧力を維持することを更に備えている請求項１に記載の方法。
11. 前記プラズマ処理システムは、上部電極および下部電極を備えており、
    前記生成することは、前記電極へ、約１ＭＨｚと、約１００ＭＨｚとの間のＲＦ周波数、および約１００Ｗと、約４，０００Ｗとの間のＲＦ電力を印加することを備えている請求項１に記載の方法。
12. 前記上部電極に印加される前記ＲＦ周波数は、約４０ＭＨｚと、約８０ＭＨｚとの間であり、
    前記上部電極に印加される前記ＲＦ電力は、約６００Ｗと、約９００Ｗとの間であり、
    前記下部電極に印加される前記ＲＦ周波数は、約１ＭＨｚと、約３ＭＨｚとの間であり、
    前記下部電極に印加される前記ＲＦ電力は、約１００Ｗと、約４００Ｗとの間である請求項１１に記載の方法。
13. 前記さらすことは、約２秒と、約２４０秒との間の時間、実行される請求項１に記載の方法。
14. 前記さらすことは、約１５秒と、約４０秒との間の時間、実行される請求項１に記載の方法。
15. 前記プラズマ処理システムからの前記ドライクリーニングの方法の進行を表す信号をモニタすることと、
    前記信号に基づき、次の１つを実行することとを更に具備する請求項１に記載の方法。
    （ａ）前記ドライクリーニングプロセスを実行することを継続し、モニタリングすることを継続する。
    または
    （ｂ）前記クリーニングプロセスをストップさせる。
16. 前記モニタリングすることは、もし前記信号の強さのレベルが閾値に到達したならば、決定することを更に備えている請求項１５に記載の方法。
17. 前記閾値に到達されたと前記決定することがされたあとに、前記（ｂ）の実行をする請求項１６に記載の方法。
18. 前記モニタリングすることは、前記処理チャンバからの光発光を検出するために光学的モニタリングシステムを使用することを備えている請求項１５に記載の方法。
19. 前記モニタリングすることは、一酸化炭素、弗素、または四フッ化ケイ素のうちの少なくとも１つから生じる光の放射をモニタリングすることである請求項１８に記載の方法。
20. 前記モニタリングすることは、前記処理チャンバのガスのマス信号を検出するためにマスセンサを使用することを備えている請求項１５に記載の方法。
21. 前記モニタリングすることは、前記処理チャンバのパーティクルレベルを検出するためにパーティクルモニタリングシステムを使用することを備えている請求項１５に記載の方法。
22. 前記モニタリングは、前記処理チャンバのプラズマ条件を検出するために、ＲＦ発振器ピーク間電圧またはインピーダンスマッチングネットワークのコンデンサポジションのうちの一方を含むプロセスパラメータを使用することを備えている請求項１５に記載の方法。
23. プラズマ処理システムからフルオロカーボン高分子チャンバ残渣を除去するシステムであって、
    前記プラズマ処理システムの処理チャンバに、ＣＯ、ＣＯ _２ 、または、これらの分子の少なくとも１つとＨ _２ ，ＮＨ _３ 、Ｈ _２ Ｏ、Ｎ _２ 、若しくは不活性ガスの１つ以上との組み合わせからなるプロセスガスを導入するように構成されたガス導入システムと；
    前記残渣から揮発性の反応生成物を形成するために、前記フルオロカーボン高分子チャンバ残渣が、基板ホルダがウェハのないドライクリーニングプロセスによってクリーニングされるように前記プラズマ処理システムの前記基板ホルダにシールドウェハが提供されていない前記ウェハのないドライクリーニングプロセスの前記プラズマにさらされるように、前記プロセスガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成システムと；
    前記処理チャンバから反応生成物を排気するように構成された排気システムとを具備するシステム。
24. プラズマ処理システムからフルオロカーボン高分子チャンバ残渣を除去するシステムであって、
    前記プラズマ処理システムの処理チャンバに、ＣＯ、ＣＯ _２ 、または、これらの分子の少なくとも１つとＨ _２ ，ＮＨ _３ 、Ｈ _２ Ｏ、Ｎ _２ 、若しくは不活性ガスの１つ以上との組み合わせからなるプロセスガスを導入するための手段と；
    前記残渣から揮発性の反応生成物を形成するために、前記フルオロカーボン高分子チャンバ残渣が、基板ホルダがウェハのないドライクリーニングプロセスによってクリーニングされるように前記プラズマ処理システムの前記基板ホルダにシールドウェハが提供されていないドライクリーニングプロセスの前記プラズマにさらされるように、前記プロセスガスからプラズマを生成するための手段と；
    前記処理チャンバから反応生成物を排気するための手段とを具備するシステム。
25. 前記プロセスガスは、ＣＯ，ＣＯ _２ 、または、これらの分子のうちの少なくとも１つと不活性ガスとの組み合わせからなる請求項１に記載の方法。
26. 前記プロセスガスは、純粋なＣＯ，ＣＯ _２ 、または、ＣＯとＡｒとの組み合わせからなる請求項２５に記載の方法。