JPS6376333A - 半導体基板の前処理方法 - Google Patents
半導体基板の前処理方法Info
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体基板の洗浄工程のドライ化を実現するために、−
酸化炭素（ＣＯ）を用い、基板表面に付着した重金属を
金属カルボニルとして気化させて除去することにより、
清浄な半導体表面を得る方法を提起する。
酸化炭素（ＣＯ）を用い、基板表面に付着した重金属を
金属カルボニルとして気化させて除去することにより、
清浄な半導体表面を得る方法を提起する。
本発明はドライ化を実現した半導体基板の前処理方法に
関する。
関する。
半導体装置、とくに集積回路（ＩＣ）の高集積化ととも
に、プロセスの洗浄工程も多くなり、これに使用する薬
品の使用量、洗浄処理量はますます増加している。
に、プロセスの洗浄工程も多くなり、これに使用する薬
品の使用量、洗浄処理量はますます増加している。
さらに、従来の薬品を用いたウェットの洗浄工程では微
細なトレンチに入り込んだレジストの残滓や、プロセス
中に受ける汚染が完全に除去されないため、製造歩留を
低下させる原因となっていた。
細なトレンチに入り込んだレジストの残滓や、プロセス
中に受ける汚染が完全に除去されないため、製造歩留を
低下させる原因となっていた。
そのために、洗浄工程のドライ化が要望されている。
一方、半導体装置の微細加工にプラズマエツチングやプ
ラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）等のプラズマ処理が多用
されるようになり、この際反応室を構成する金属、例え
ばＳＯＳ （ステンレスｆ４）等がスパッタされて基
板に付着する。
ラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）等のプラズマ処理が多用
されるようになり、この際反応室を構成する金属、例え
ばＳＯＳ （ステンレスｆ４）等がスパッタされて基
板に付着する。
また、リソグラフィ工程に使用するレジスト中に含まれ
ている重金属が問題となっている。
ている重金属が問題となっている。
これらの鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、
鉛（Ｐｂ）等の重金属は溶液洗浄では除去し難く、気化
して除去する方法が注目されている。
鉛（Ｐｂ）等の重金属は溶液洗浄では除去し難く、気化
して除去する方法が注目されている。
ドライ化された洗浄工程の従来例として、本発明者がさ
きに提起した、塩素（Ｃｉり 、塩酸（ＨＣＩ）等のハ
ロゲン系のガスを用いて、半導体表面を薄くエツチング
しながら、表面に付着した重金属、例えばＦｅを蒸気圧
の高いハロゲン化物、例えばＦｅＣｌ３の形で除去する
方法１）がある。
きに提起した、塩素（Ｃｉり 、塩酸（ＨＣＩ）等のハ
ロゲン系のガスを用いて、半導体表面を薄くエツチング
しながら、表面に付着した重金属、例えばＦｅを蒸気圧
の高いハロゲン化物、例えばＦｅＣｌ３の形で除去する
方法１）がある。
１） 特願昭６０−１８２１９７号明細書〔発明が解決
しようとする問題点〕 従来例のハロゲン系のガスを用いるドライ洗浄工程では
、半導体基板表面が薄くエツチングされるため不都合を
生ずる場合がある。
しようとする問題点〕 従来例のハロゲン系のガスを用いるドライ洗浄工程では
、半導体基板表面が薄くエツチングされるため不都合を
生ずる場合がある。
例えば、ＣＭＯＳのドライ洗浄工程でハロゲン系のガス
を用いるとｐ型とｎ型の領域でエツチングレートに差が
あり、基板は平坦化されない′。
を用いるとｐ型とｎ型の領域でエツチングレートに差が
あり、基板は平坦化されない′。
また、重金属のハロゲン化物、例えば鉄（Ｆｅ）の場合
はその沸点が３１９．０℃と比較的高い欠点がある。
はその沸点が３１９．０℃と比較的高い欠点がある。
上記問題点の解決は、被処理半導体基板を一酸化炭素中
に置いて表面の清浄化を行う半導体基板の前処理方法に
より達成される。
に置いて表面の清浄化を行う半導体基板の前処理方法に
より達成される。
第２図はＣＯと基板表面に付着したＦｅの反応を説明す
る模式的断面図である。
る模式的断面図である。
ＣＯは基板表面に付着したＦｅ、ニッケル（Ｎｉ）等の
重金属とのみ反応し、非常に蒸気圧の高い金属カルボニ
ルを生成する。
重金属とのみ反応し、非常に蒸気圧の高い金属カルボニ
ルを生成する。
Ｆｅの場合はＦｅ （ＣＯ） ｓを生成し、その沸点は
１００．３℃と極めて低い。
１００．３℃と極めて低い。
Ｎｉの場合はＮ ｉ （ＣＯ） ａを生成し、その沸点
は４３．０℃と極めて低い。
は４３．０℃と極めて低い。
第１図は本発明を説明するＣＯを用いたドライ洗浄装置
の断面図である。
の断面図である。
図において、石英製の処理室１はＣＯガスラインと酸素
（Ｏｔ）ガスラインがそれぞれパルプを介して接続され
ている。
（Ｏｔ）ガスラインがそれぞれパルプを介して接続され
ている。
処理室１内の、炭化珪素（ＳｉＣ）でコーティングした
カーボン製のサセプタ２上に処理しようとする半導体基
板３を載せ、基板温度が１５０℃になるように、ヒータ
４に加える電力を制御する。
カーボン製のサセプタ２上に処理しようとする半導体基
板３を載せ、基板温度が１５０℃になるように、ヒータ
４に加える電力を制御する。
まず大気圧でＣＯを１０分間流す。
この間に、半４体基板３に付着している重金属は金属カ
ルボニルとなって気化して除去される。
ルボニルとなって気化して除去される。
つぎに、ガスを０□に切り換え、半導体基板３の表面に
光学窓５を通して処理室１の外側より波長３００〜４５
０ｎｍの紫外線を照射する。この処理により残留、また
は付着しているＣＯを除去し、清浄な半導体表面が得ら
れる。
光学窓５を通して処理室１の外側より波長３００〜４５
０ｎｍの紫外線を照射する。この処理により残留、また
は付着しているＣＯを除去し、清浄な半導体表面が得ら
れる。
第３図（１１、（２）はそれぞれ処理前後の八ＥＳ （
ＡｕｇｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐ
ｙ、オージェ電子分光法）表面分析スペクトルを示す図
である。
ＡｕｇｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐ
ｙ、オージェ電子分光法）表面分析スペクトルを示す図
である。
第３図（１）はＦｅを意図的に付着させた基板のスペク
トルで、第３図（２）は蒸気の処理を行った後の基板の
スペクトルである。
トルで、第３図（２）は蒸気の処理を行った後の基板の
スペクトルである。
これより、Ｆｅが完全に除去さていることが分かる。
以上詳細に説明したように本発明によれば、洗浄ガスに
ＣＯを用いることにより、半導体基板が全くエツチング
されることなく、半導体の電気的特性に悪影響を及ぼす
重金属のみを蒸気圧の高い金属カルボニルとして完全に
除去することができる。
ＣＯを用いることにより、半導体基板が全くエツチング
されることなく、半導体の電気的特性に悪影響を及ぼす
重金属のみを蒸気圧の高い金属カルボニルとして完全に
除去することができる。
すなわち、半導体基板のエツチングをともなわない、ド
ライ化された完全な前処理方法が得られる。
ライ化された完全な前処理方法が得られる。
第１図は本発明を説明するＣＯを用いたドライ洗浄装置
の断面図、 第２図はＣＯと基板表面に付着したＦｅの反応を説明す
る模式的断面図、 第３図（１）、（２）はそれぞれ処理前後のＸ線表面分
析スペクトルを示す図である。 図において、 １は処理室、 ２はサセプタ、 ３は半導体基板、 ４はヒータ、 ５は光学窓 木発θ月２言え日月１う茗置ｆ目月“面口筒１ 周 ＣＯと Ｆこの々応芝名工日月Ｔう図 ゐ２ 層
の断面図、 第２図はＣＯと基板表面に付着したＦｅの反応を説明す
る模式的断面図、 第３図（１）、（２）はそれぞれ処理前後のＸ線表面分
析スペクトルを示す図である。 図において、 １は処理室、 ２はサセプタ、 ３は半導体基板、 ４はヒータ、 ５は光学窓 木発θ月２言え日月１う茗置ｆ目月“面口筒１ 周 ＣＯと Ｆこの々応芝名工日月Ｔう図 ゐ２ 層
Claims (1)
- 被処理半導体基板を一酸化炭素中に置いて表面の清浄化
を行うことを特徴とする半導体基板の前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220409A JP2570701B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体基板の前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220409A JP2570701B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体基板の前処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376333A true JPS6376333A (ja) | 1988-04-06 |
| JP2570701B2 JP2570701B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16750665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61220409A Expired - Lifetime JP2570701B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体基板の前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570701B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204729A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の乾式洗浄方法 |
| JPH05259146A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| US6409564B1 (en) | 1998-05-14 | 2002-06-25 | Micron Technology Inc. | Method for cleaning phosphor screens for use with field emission displays |
| WO2022186775A1 (en) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | Agency For Science, Technology And Research | A preparation chamber for cleaning and repair sapphire surface for the epitaxial growth of compound materials |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7530458B2 (en) | 2001-09-28 | 2009-05-12 | Max Kabushiki Kaisha | Connecting fastener |
| EP1433572A4 (en) | 2001-10-03 | 2009-09-16 | Max Co Ltd | FIXING ELEMENT MACHINE FOR FIXING MACHINE |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195831A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPS6037736A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-02-27 | Toshiba Corp | 表面清浄方法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61220409A patent/JP2570701B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195831A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPS6037736A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-02-27 | Toshiba Corp | 表面清浄方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204729A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の乾式洗浄方法 |
| JPH05259146A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| US6409564B1 (en) | 1998-05-14 | 2002-06-25 | Micron Technology Inc. | Method for cleaning phosphor screens for use with field emission displays |
| US6500040B2 (en) * | 1998-05-14 | 2002-12-31 | Micron Technology, Inc. | Method for cleaning phosphor screens for use with field emission displays |
| WO2022186775A1 (en) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | Agency For Science, Technology And Research | A preparation chamber for cleaning and repair sapphire surface for the epitaxial growth of compound materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570701B2 (ja) | 1997-01-16 |
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