JPH05243163A - 反応炉内部の残留ハロゲン除去方法 - Google Patents
反応炉内部の残留ハロゲン除去方法Info
- Publication number
- JPH05243163A JPH05243163A JP4352492A JP4352492A JPH05243163A JP H05243163 A JPH05243163 A JP H05243163A JP 4352492 A JP4352492 A JP 4352492A JP 4352492 A JP4352492 A JP 4352492A JP H05243163 A JPH05243163 A JP H05243163A
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- Japan
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- oven
- reaction furnace
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Abstract
(57)【要約】
【目的】残留ハロゲンが効率的に除去され、除去のムラ
がなくなる。 【構成】ハロゲン元素を含む成膜用ガス又はエッチング
用ガスが導入された反応炉に５０℃以上に加熱された空
気又は不活性ガスを通過させて残留ハロゲンを除去する
ことを特徴とする。 【効果】５０℃以上に加熱された空気又は不活性ガスを
反応炉内部を通過させることにより、それが反応炉の内
部の隅々にまで行き渡り、その熱により反応炉の各構成
部材がほぼ等しく加熱され、しかも、そのガスにより残
留ハロゲンが効率的に除去され、これにより、反応炉の
各構成部材に付着した残留ハロゲンはムラなく、概ね除
去された。
がなくなる。 【構成】ハロゲン元素を含む成膜用ガス又はエッチング
用ガスが導入された反応炉に５０℃以上に加熱された空
気又は不活性ガスを通過させて残留ハロゲンを除去する
ことを特徴とする。 【効果】５０℃以上に加熱された空気又は不活性ガスを
反応炉内部を通過させることにより、それが反応炉の内
部の隅々にまで行き渡り、その熱により反応炉の各構成
部材がほぼ等しく加熱され、しかも、そのガスにより残
留ハロゲンが効率的に除去され、これにより、反応炉の
各構成部材に付着した残留ハロゲンはムラなく、概ね除
去された。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は成膜用又はエッチング用
の反応炉内部に残留したハロゲンを除去して成膜特性の
信頼性を高め且つ反応炉内部の腐食を防いで反応炉の長
寿命化を達成することのできた反応炉内部の残留ハロゲ
ン除去方法に関するものである。
の反応炉内部に残留したハロゲンを除去して成膜特性の
信頼性を高め且つ反応炉内部の腐食を防いで反応炉の長
寿命化を達成することのできた反応炉内部の残留ハロゲ
ン除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン膜をグロー放電分
解法により形成した場合には、その成膜用原料であるシ
ランガスの分解に伴って放電用電極板やその他の反応炉
内部が粉体等により汚染される。このような粉体は同じ
グロー放電分解装置を用いて次のアモルファスシリコン
（以下、ａ−Ｓｉと略す）膜を形成しようとすると成膜
中に取り込まれて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で
特性劣化が生じる。
解法により形成した場合には、その成膜用原料であるシ
ランガスの分解に伴って放電用電極板やその他の反応炉
内部が粉体等により汚染される。このような粉体は同じ
グロー放電分解装置を用いて次のアモルファスシリコン
（以下、ａ−Ｓｉと略す）膜を形成しようとすると成膜
中に取り込まれて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で
特性劣化が生じる。
【０００３】かかる問題点を解決するために、ａ−Ｓｉ
膜を形成したグロー放電分解装置の反応炉内部へ、例え
ばＣＦ4 ガス、ＳＦ6 ガス、ＣｌＦ3 ガス及びＮＦ3 ガ
ス等のフッ素系エッチングガスを導入してプラズマを発
生させ、これに伴うエッチングにより上記粉体をガス化
して除去している。
膜を形成したグロー放電分解装置の反応炉内部へ、例え
ばＣＦ4 ガス、ＳＦ6 ガス、ＣｌＦ3 ガス及びＮＦ3 ガ
ス等のフッ素系エッチングガスを導入してプラズマを発
生させ、これに伴うエッチングにより上記粉体をガス化
して除去している。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、この
ようなフッ素系エッチングガスなどを用いた場合には上
記のようなガスエッチング洗浄を行うことができるが、
その反面、そのフッ素が反応炉内部に残留する。
ようなフッ素系エッチングガスなどを用いた場合には上
記のようなガスエッチング洗浄を行うことができるが、
その反面、そのフッ素が反応炉内部に残留する。
【０００５】この問題点を解決するために、特開平１−
１５２２７４号と特開平１−１７３７２３号において
は、フッ素系エッチングガスによるガスエッチング洗浄
の後に分子状態にある水素もしくは分子状態にある水素
含有化合物ガスを反応炉に流して汚染物質を水素分子で
除去することが提案されている。
１５２２７４号と特開平１−１７３７２３号において
は、フッ素系エッチングガスによるガスエッチング洗浄
の後に分子状態にある水素もしくは分子状態にある水素
含有化合物ガスを反応炉に流して汚染物質を水素分子で
除去することが提案されている。
【０００６】しかしながら、かかる提案の残留ハロゲン
除去方法によれば、その分子状態にある水素もしくは分
子状態にある水素含有化合物ガスが比較的高価であり、
しかも、反応炉内部を完全に洗浄することは難しいこと
が判った。
除去方法によれば、その分子状態にある水素もしくは分
子状態にある水素含有化合物ガスが比較的高価であり、
しかも、反応炉内部を完全に洗浄することは難しいこと
が判った。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明の反応炉内部の
残留ハロゲン除去方法は、ハロゲン元素を含む成膜用ガ
ス又はエッチング用ガスが導入された反応炉に５０℃以
上に加熱された空気又は不活性ガスを通過させて残留ハ
ロゲンを除去することを特徴とする。
残留ハロゲン除去方法は、ハロゲン元素を含む成膜用ガ
ス又はエッチング用ガスが導入された反応炉に５０℃以
上に加熱された空気又は不活性ガスを通過させて残留ハ
ロゲンを除去することを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記構成の反応炉内部の残留ハロゲン除去方法
によれば、加熱された空気又は不活性ガスが反応炉の内
部の隅々にまで行き渡り、その加熱ガスにより反応炉の
構成部材が適度に加熱されるとともにその加熱ガスによ
り残留ハロゲンが効率的に除去され、しかも、除去のム
ラがなくなる。上記加熱温度は５０℃以上、好ましくは
１００℃以上にするのがよく、これによって反応炉の各
構成部材に付着した残留ハロゲンをより優位に除去でき
る。また、風量は０．２ｍ3 ／ｍｉｎ（分）以上、好ま
しくは０．５ｍ3 ／ｍｉｎ以上にするとよく、この範囲
であれば、再吸着現象が起きにくくなり、約１時間程度
の短時間で除去できるという点でよい。
によれば、加熱された空気又は不活性ガスが反応炉の内
部の隅々にまで行き渡り、その加熱ガスにより反応炉の
構成部材が適度に加熱されるとともにその加熱ガスによ
り残留ハロゲンが効率的に除去され、しかも、除去のム
ラがなくなる。上記加熱温度は５０℃以上、好ましくは
１００℃以上にするのがよく、これによって反応炉の各
構成部材に付着した残留ハロゲンをより優位に除去でき
る。また、風量は０．２ｍ3 ／ｍｉｎ（分）以上、好ま
しくは０．５ｍ3 ／ｍｉｎ以上にするとよく、この範囲
であれば、再吸着現象が起きにくくなり、約１時間程度
の短時間で除去できるという点でよい。
【０００９】
【実施例】以下、本発明をａ−Ｓｉ感光体ドラムを作製
できるグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明す
る。
できるグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明す
る。
【００１０】〔グロー放電分解装置〕図１はグロー放電
分解装置であり、図中、１は円筒形状の金属製反応炉、
２は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電性基板支持
体、３は基板加熱用ヒーター、４はａ−Ｓｉの成膜に用
いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり、この電
極板４にはガス噴出口５は形成されており、そして、６
は反応炉内部へガスを導入するためのガス導入口、７は
グロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するための
ガス排出口であり、８は基板支持体２とグロー放電用電
極板４の間でグロー放電を発生させる高周波電源、９は
排気用ポンプである。また、この反応炉１は円筒体１ａ
と、蓋体１ｂと、底体１ｃとからなり、そして、円筒体
１ａと蓋体１ｂとの間、並びに円筒体１ａと底体１ｃと
の間にはそれぞれ絶縁性のリング１ｄを設けており、こ
れによって高周波電源８の一方の端子は円筒体１ａを介
してグロー放電用電極板４と導通しており、他方の端子
は蓋体１ｂと底体１ｃを介して基板支持体２と導通して
いる。
分解装置であり、図中、１は円筒形状の金属製反応炉、
２は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電性基板支持
体、３は基板加熱用ヒーター、４はａ−Ｓｉの成膜に用
いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり、この電
極板４にはガス噴出口５は形成されており、そして、６
は反応炉内部へガスを導入するためのガス導入口、７は
グロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するための
ガス排出口であり、８は基板支持体２とグロー放電用電
極板４の間でグロー放電を発生させる高周波電源、９は
排気用ポンプである。また、この反応炉１は円筒体１ａ
と、蓋体１ｂと、底体１ｃとからなり、そして、円筒体
１ａと蓋体１ｂとの間、並びに円筒体１ａと底体１ｃと
の間にはそれぞれ絶縁性のリング１ｄを設けており、こ
れによって高周波電源８の一方の端子は円筒体１ａを介
してグロー放電用電極板４と導通しており、他方の端子
は蓋体１ｂと底体１ｃを介して基板支持体２と導通して
いる。
【００１１】このグロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｉ
感光体ドラムを作製する場合には、ａ−Ｓｉ成膜用のド
ラム状基板１０を基板支持体２に装着し、ａ−Ｓｉ生成
用ガスをガス導入口６より反応炉内部へ導入し、このガ
スをガス噴出口５を介して基板面へ噴出し、更にヒータ
ー３によって基板を所要の温度に設定するとともに基板
支持体２と電極板４の間でグロー放電を発生させ、これ
により、基板１０の周面にａ−Ｓｉ膜が成膜できる。
感光体ドラムを作製する場合には、ａ−Ｓｉ成膜用のド
ラム状基板１０を基板支持体２に装着し、ａ−Ｓｉ生成
用ガスをガス導入口６より反応炉内部へ導入し、このガ
スをガス噴出口５を介して基板面へ噴出し、更にヒータ
ー３によって基板を所要の温度に設定するとともに基板
支持体２と電極板４の間でグロー放電を発生させ、これ
により、基板１０の周面にａ−Ｓｉ膜が成膜できる。
【００１２】本実施例の成膜条件は表１に示す通りであ
る。
る。
【００１３】
【表１】
【００１４】〔例１〕上記のようにａ−Ｓｉ感光体ドラ
ムを制作した場合、電極板４や反応炉内部には汚染物質
が付着していた。
ムを制作した場合、電極板４や反応炉内部には汚染物質
が付着していた。
【００１５】そこで、基板１０と概ね同形状のアルミニ
ウム金属からなる導電性ダミー基板を基板支持体２に装
着し、次いでＣｌＦ3 ガスをガス導入口６より反応炉内
部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー基板へ向けて
噴出し、そのガスを反応炉内部に充満させ、これによっ
てエッチングガスが行われて前記汚染物質がガス化す
る。このガスエッチングの条件は表２に示す通りであ
る。
ウム金属からなる導電性ダミー基板を基板支持体２に装
着し、次いでＣｌＦ3 ガスをガス導入口６より反応炉内
部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー基板へ向けて
噴出し、そのガスを反応炉内部に充満させ、これによっ
てエッチングガスが行われて前記汚染物質がガス化す
る。このガスエッチングの条件は表２に示す通りであ
る。
【００１６】
【表２】
【００１７】このようにガスエッチングした場合の上記
ダミー基板の吸着フッ素量をドータイト・アルフッソン
試薬による比色法（和光純薬工業製）並びにガス検知管
（ガステック製を用いてＨＦ、ＨＣｌの量を測定）を用
いて測定したところ、表３の通りであった。
ダミー基板の吸着フッ素量をドータイト・アルフッソン
試薬による比色法（和光純薬工業製）並びにガス検知管
（ガステック製を用いてＨＦ、ＨＣｌの量を測定）を用
いて測定したところ、表３の通りであった。
【００１８】
【表３】
【００１９】次に反応炉１の内部を大気圧下に戻すとと
もに熱風機を作動させてガス導入口６より加熱された空
気を導入し、反応炉１の内部にその空気の流路を作る。
上記熱風機には株式会社竹綱製作所製の熱風発生機（型
式、ニューＴＳＫ−１０）を用いた。そして、この加熱
空気の導入時の温度は２００℃であり、その風量は０．
５ｍ3 ／ｍｉｎである。
もに熱風機を作動させてガス導入口６より加熱された空
気を導入し、反応炉１の内部にその空気の流路を作る。
上記熱風機には株式会社竹綱製作所製の熱風発生機（型
式、ニューＴＳＫ−１０）を用いた。そして、この加熱
空気の導入時の温度は２００℃であり、その風量は０．
５ｍ3 ／ｍｉｎである。
【００２０】上記の方法によれば、反応炉１の各構成部
材の温度は表４の通りである。
材の温度は表４の通りである。
【００２１】
【表４】
【００２２】かくしてこの反応炉内部の残留ハロゲン除
去方法により各構成部材の吸着フッ素量を測定したとこ
ろ、表５に示す通りであり 著しく低減したことが判
る。
去方法により各構成部材の吸着フッ素量を測定したとこ
ろ、表５に示す通りであり 著しく低減したことが判
る。
【００２３】
【表５】
【００２４】〔例２〕 〔例１〕に示すようにＣｌＦ3 ガスによりガスエッチン
グを行った後に、反応炉１の内部を真空にしたままで、
基板加熱用ヒーター３により１時間加熱して各構成部材
を加熱したところ、表６に示すような結果が得られた。
グを行った後に、反応炉１の内部を真空にしたままで、
基板加熱用ヒーター３により１時間加熱して各構成部材
を加熱したところ、表６に示すような結果が得られた。
【００２５】
【表６】
【００２６】次に反応炉１の内部を大気圧下に戻すとと
もに排気用ポンプ９を作動させてガス導入口６より常温
の空気を導入し、反応炉１の内部にその空気の流路を作
り、この導入を約１時間行った。
もに排気用ポンプ９を作動させてガス導入口６より常温
の空気を導入し、反応炉１の内部にその空気の流路を作
り、この導入を約１時間行った。
【００２７】かくしてこの反応炉内部の残留ハロゲン除
去方法により各構成部材の吸着フッ素量を測定したとこ
ろ、表７に示す通りであり、依然としてフッ素が除去さ
れないで残留していることが判る。
去方法により各構成部材の吸着フッ素量を測定したとこ
ろ、表７に示す通りであり、依然としてフッ素が除去さ
れないで残留していることが判る。
【００２８】
【表７】
【００２９】〔例３〕 〔例１〕に示すようにＣｌＦ3 ガスによりガスエッチン
グを行った後に、排気用ポンプ９を作動させてガス導入
口６よりＨ2 ガスを約１時間導入した。
グを行った後に、排気用ポンプ９を作動させてガス導入
口６よりＨ2 ガスを約１時間導入した。
【００３０】かくしてこの反応炉内部の残留ハロゲン除
去方法により各構成部材の吸着フッ素量を測定したとこ
ろ、表８に示す通りであり、依然としてフッ素が残留し
ていることが判る。
去方法により各構成部材の吸着フッ素量を測定したとこ
ろ、表８に示す通りであり、依然としてフッ素が残留し
ていることが判る。
【００３１】
【表８】
【００３２】また、本発明者等は〔例１〕の実施例にお
いて、フッ素系エッチングガスにＣＦ4 、ＳＦ6 、ＮＦ
3 、Ｆ2 等を用いてガスエッチング洗浄を行っても同様
な結果が得られた。
いて、フッ素系エッチングガスにＣＦ4 、ＳＦ6 、ＮＦ
3 、Ｆ2 等を用いてガスエッチング洗浄を行っても同様
な結果が得られた。
【００３３】更に上記実施例においては、大気圧下の空
気を導入してフッ素除去を行ったが、それ以外にＮ2 、
Ａｒなどの不活性ガスを用いても同様な結果が得られ
た。
気を導入してフッ素除去を行ったが、それ以外にＮ2 、
Ａｒなどの不活性ガスを用いても同様な結果が得られ
た。
【００３４】
【発明の効果】以上の通り、本発明の反応炉内部の残留
ハロゲン除去方法によれば、５０℃以上に加熱された空
気又は不活性ガスを反応炉内部を通過させることによ
り、それが反応炉の内部の隅々にまで行き渡り、その熱
により反応炉の各構成部材の間で大きな差がなく加熱さ
れ、しかも、その加熱ガスにより残留ハロゲンが効率的
に除去され、これにより、反応炉の各構成部材に付着し
た残留ハロゲンはムラなく、概ね除去され、これによ
り、ａ−Ｓｉ膜を次に作製しても、その膜にハロゲンが
混入しなくなり、その結果、成膜特性の信頼性を高め且
つ反応炉内部の腐食を防いで反応炉の長寿命化を達成す
ることのできた。
ハロゲン除去方法によれば、５０℃以上に加熱された空
気又は不活性ガスを反応炉内部を通過させることによ
り、それが反応炉の内部の隅々にまで行き渡り、その熱
により反応炉の各構成部材の間で大きな差がなく加熱さ
れ、しかも、その加熱ガスにより残留ハロゲンが効率的
に除去され、これにより、反応炉の各構成部材に付着し
た残留ハロゲンはムラなく、概ね除去され、これによ
り、ａ−Ｓｉ膜を次に作製しても、その膜にハロゲンが
混入しなくなり、その結果、成膜特性の信頼性を高め且
つ反応炉内部の腐食を防いで反応炉の長寿命化を達成す
ることのできた。
【００３５】また、この反応炉内部の残留ハロゲン除去
方法によれば、先のフッ素系エッチングガスによるガス
エッチング洗浄の後に分子状態にある水素もしくは分子
状態にある水素含有化合物ガスを用いる場合に比べて、
空気を採用しているのでその原料コスト上安価であると
いう利点もある。
方法によれば、先のフッ素系エッチングガスによるガス
エッチング洗浄の後に分子状態にある水素もしくは分子
状態にある水素含有化合物ガスを用いる場合に比べて、
空気を採用しているのでその原料コスト上安価であると
いう利点もある。
【図１】実施例におけるグロー放電分解装置の概略図で
ある。
ある。
１ 金属製反応炉 １ａ 円筒体 １ｂ 蓋体 １ｄ リング ３ 基板加熱用ヒーター ４ グロー放電用電極板 ８ 高周波電源
Claims (1)
- 【請求項１】ハロゲン元素を含む成膜用ガス又はエッチ
ング用ガスが導入された反応炉に５０℃以上に加熱され
た空気又は不活性ガスを通過させて残留ハロゲンを除去
することを特徴とする反応炉内部の残留ハロゲン除去方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352492A JPH05243163A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 反応炉内部の残留ハロゲン除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352492A JPH05243163A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 反応炉内部の残留ハロゲン除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243163A true JPH05243163A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12666138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352492A Pending JPH05243163A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 反応炉内部の残留ハロゲン除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243163A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07249585A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
| US5546890A (en) * | 1994-02-21 | 1996-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Removing interhalogen compounds from semiconductor manufacturing equipment |
| US5679204A (en) * | 1995-09-22 | 1997-10-21 | Shikoku Instrumentation Co., Ltd. | Plasma apparatus |
| WO2018043446A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 国立大学法人 横浜国立大学 | 半導体製造用チャンバのクリーニング方法 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4352492A patent/JPH05243163A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5546890A (en) * | 1994-02-21 | 1996-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Removing interhalogen compounds from semiconductor manufacturing equipment |
| JPH07249585A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
| US5679204A (en) * | 1995-09-22 | 1997-10-21 | Shikoku Instrumentation Co., Ltd. | Plasma apparatus |
| DE19614524C2 (de) * | 1995-09-22 | 2001-09-13 | Shikoku Instrumentation Co | Plasmaätzvorrichtung |
| WO2018043446A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 国立大学法人 横浜国立大学 | 半導体製造用チャンバのクリーニング方法 |
| CN109478510A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-03-15 | 国立大学法人横滨国立大学 | 半导体制造用反应室的清洗方法 |
| EP3509089A4 (en) * | 2016-08-31 | 2020-05-06 | National University Corporation Yokohama National University | METHOD FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CHAMBER |
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