JP2654652B2 - 反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法 - Google Patents
反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法Info
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- JP2654652B2 JP2654652B2 JP62333556A JP33355687A JP2654652B2 JP 2654652 B2 JP2654652 B2 JP 2654652B2 JP 62333556 A JP62333556 A JP 62333556A JP 33355687 A JP33355687 A JP 33355687A JP 2654652 B2 JP2654652 B2 JP 2654652B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は成膜用又はエッチング用の反応室内部に残留
したハロゲン元素を除去して成膜特性の信頼性を高め且
つ反応室構成部材の腐食を防いで反応室の長期寿命化を
達成することができた反応室構成部材の残留ハロゲン元
素除去方法に関するものである。
したハロゲン元素を除去して成膜特性の信頼性を高め且
つ反応室構成部材の腐食を防いで反応室の長期寿命化を
達成することができた反応室構成部材の残留ハロゲン元
素除去方法に関するものである。
アモルファスシリコン膜をグロー放電分解法により形
成した場合には、その成膜用原料であるシランガスの分
解に伴って放電用電極板やその他の反応室内部が粉体等
により汚染される。このような粉体は、同じグロー放電
分解装置を用いて次のアモルファスシリコン（以下、ａ
−Siと略す）膜を形成しようとすると成膜中に取り込ま
れて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で特性劣化が生
じる。
成した場合には、その成膜用原料であるシランガスの分
解に伴って放電用電極板やその他の反応室内部が粉体等
により汚染される。このような粉体は、同じグロー放電
分解装置を用いて次のアモルファスシリコン（以下、ａ
−Siと略す）膜を形成しようとすると成膜中に取り込ま
れて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で特性劣化が生
じる。
かかる問題を解決するために、ａ−Si膜を形成したグ
ロー放電分解装置の反応室内部へ、例えばCF4ガス、CIF
3ガス、SF6ガス及びNF3ガスなどのフッ素系エッチング
ガスを導入してグロー放電を発生させ、これに伴うエッ
チングにより上記粉体をガス化して除去している。
ロー放電分解装置の反応室内部へ、例えばCF4ガス、CIF
3ガス、SF6ガス及びNF3ガスなどのフッ素系エッチング
ガスを導入してグロー放電を発生させ、これに伴うエッ
チングにより上記粉体をガス化して除去している。
しかしながら、このようなフッ素系エッチングガスな
どを用いた場合には上記のようなガスエッチング洗浄を
行うことができるが、その反面、そのフッ素が反応室内
部に残留し、これにより、そのガスと反応室の構成金属
との間で化学反応が生じ、反応室を腐食させる原因とな
っている。
どを用いた場合には上記のようなガスエッチング洗浄を
行うことができるが、その反面、そのフッ素が反応室内
部に残留し、これにより、そのガスと反応室の構成金属
との間で化学反応が生じ、反応室を腐食させる原因とな
っている。
また、上記フッ素系残留ガスは次回の成膜形成に当た
って混入され、そのため、膜の特性が劣化したり、或い
は安定した特性が得られないという問題が生じた。
って混入され、そのため、膜の特性が劣化したり、或い
は安定した特性が得られないという問題が生じた。
従って本発明は、叙上に鑑みて案出されたものであ
り、その目的は反応室構成部材の腐食を防いでそれ自体
の長期信頼姓を達成した反応室構成部材の残留ハロゲン
元素除去方法を提供することにある。
り、その目的は反応室構成部材の腐食を防いでそれ自体
の長期信頼姓を達成した反応室構成部材の残留ハロゲン
元素除去方法を提供することにある。
本発明の他の目的は残留ハロゲン元素を除去して高品
質又は高信頼性の成膜形成が可能となった反応室構成部
材の残留ハロゲン元素除去方法を提供することにある。
質又は高信頼性の成膜形成が可能となった反応室構成部
材の残留ハロゲン元素除去方法を提供することにある。
本発明によれば、金属部材及びセラミック体から構成
されるグロー放電分解装置の反応室内でグロー放電分解
法によりアモルファスシリコン膜を成膜した後、該反応
室内にハロゲン元素を含むエッチング用ガスを導入して
グロー放電により、反応室内に存在する汚染物質をガス
化して排出せしめ、しかる後グロー放電分解装置を分解
して、前記金属部材を200℃以上に、セラミック体を500
℃以上に各々加熱処理し、残留ハロゲン元素を除去する
ことを特徴とする反応室構成部材の残留ハロゲン元素除
去方法が提供される。
されるグロー放電分解装置の反応室内でグロー放電分解
法によりアモルファスシリコン膜を成膜した後、該反応
室内にハロゲン元素を含むエッチング用ガスを導入して
グロー放電により、反応室内に存在する汚染物質をガス
化して排出せしめ、しかる後グロー放電分解装置を分解
して、前記金属部材を200℃以上に、セラミック体を500
℃以上に各々加熱処理し、残留ハロゲン元素を除去する
ことを特徴とする反応室構成部材の残留ハロゲン元素除
去方法が提供される。
以下、本発明をａ−Si感光体ドラムを製作できるグロ
ー放電分解装置を例にとって詳細に説明する。
ー放電分解装置を例にとって詳細に説明する。
グロー放電分解装置はアルミニウム（Al）、ステンレ
ス（SUS）などの金属部材により形成された電極板、反
応室壁材、基板支持部材、そして絶縁性が要求される部
分はセラミック体によって構成される。
ス（SUS）などの金属部材により形成された電極板、反
応室壁材、基板支持部材、そして絶縁性が要求される部
分はセラミック体によって構成される。
本発明において、このような反応室構成部材のうち金
属部材を200℃以上に加熱した場合、それに付着された
残留ハロゲン元素が除去されることが特徴である。
属部材を200℃以上に加熱した場合、それに付着された
残留ハロゲン元素が除去されることが特徴である。
また、耐熱性に優れたセラミック体の場合には、500
℃以上、好適には1000℃以上に加熱する。
℃以上、好適には1000℃以上に加熱する。
また、一般的にこの加熱温度が高いほどハロゲン元素
除去効果が高められ、しかも、その加熱時間をより一層
短縮することができる。
除去効果が高められ、しかも、その加熱時間をより一層
短縮することができる。
次に本発明の実施例を述べる。
（グロー放電分解装置） 第１図はグロー放電分解装置であり、図中、１は円筒
形状のステンレス製反応室であり、上面及び下面並びに
周壁ともに同一部材により形成されている。２は感光体
ドラム装着用の円筒形状のアルミニウム製基板支持体、
３は基板加熱用ヒータ、４はａ−Siの成膜に用いられる
円筒形状のアルミニウム製グロー放電用電極板であり、
この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、そし
て、６は反応室内部へガスを導入するためのガス導入
口、７はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気す
るためのガス排出口である。８は反応室１の上面及び下
面のそれぞれをグロー放電用電極板４と電気的に絶縁す
るためのセラミックリングであり、９は基板支持体２と
グロー放電用電極板４の間でグロー放電を発生させる高
周波電源、10は排気用ポンプである。
形状のステンレス製反応室であり、上面及び下面並びに
周壁ともに同一部材により形成されている。２は感光体
ドラム装着用の円筒形状のアルミニウム製基板支持体、
３は基板加熱用ヒータ、４はａ−Siの成膜に用いられる
円筒形状のアルミニウム製グロー放電用電極板であり、
この電極板４にはガス噴出口５が形成されており、そし
て、６は反応室内部へガスを導入するためのガス導入
口、７はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気す
るためのガス排出口である。８は反応室１の上面及び下
面のそれぞれをグロー放電用電極板４と電気的に絶縁す
るためのセラミックリングであり、９は基板支持体２と
グロー放電用電極板４の間でグロー放電を発生させる高
周波電源、10は排気用ポンプである。
このグロー放電分解装置を用いてａ−Si感光体を製作
する場合には、ａ−Si成膜用のドラム状基板11を基板支
持体２に装着し、ａ−Si生成用ガスをガス導入口６より
反応室内部へ導入し、このガスをガス噴出口５を介して
基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板を所要の温
度に設定すると共に基板支持体２と電極板４の間でグロ
ー放電を発生させ、これにより、基板11の周面にａ−Si
が成膜した電子写真感光体ができる。
する場合には、ａ−Si成膜用のドラム状基板11を基板支
持体２に装着し、ａ−Si生成用ガスをガス導入口６より
反応室内部へ導入し、このガスをガス噴出口５を介して
基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板を所要の温
度に設定すると共に基板支持体２と電極板４の間でグロ
ー放電を発生させ、これにより、基板11の周面にａ−Si
が成膜した電子写真感光体ができる。
（ガスエッチング） このようにしてａ−Si感光体を製作した場合、電極板
４や反応室内面には汚染物質が付着している。そこで、
基板11と概ね同形状の導電性ダミー基板を基板支持体２
に装着し、次いで、SF6、NF3、CF4、CIF3などのフッ素
系エッチングガスをガス導入口６より反応室内部へ導入
し、ガス噴出口５を介してダミー基板へ向けて噴出し、
更に基板支持体２と電極板４の間でグロー放電を発生さ
せこれにより、エッチングガスが分解し、この分解に伴
って前記汚染物質がガス化される。
４や反応室内面には汚染物質が付着している。そこで、
基板11と概ね同形状の導電性ダミー基板を基板支持体２
に装着し、次いで、SF6、NF3、CF4、CIF3などのフッ素
系エッチングガスをガス導入口６より反応室内部へ導入
し、ガス噴出口５を介してダミー基板へ向けて噴出し、
更に基板支持体２と電極板４の間でグロー放電を発生さ
せこれにより、エッチングガスが分解し、この分解に伴
って前記汚染物質がガス化される。
このようにしてガスエッチングした場合の反応室内部
のフッ素量をガス検知管を用いて測定したところ、約10
0ppm以上であった。
のフッ素量をガス検知管を用いて測定したところ、約10
0ppm以上であった。
（残留フッ素の除去） 次に上記グロー放電分解装置を分解し、グロー放電用
電極板を電気炉の内部に設置し、150℃又は250℃の一定
温度により加熱し、フッ素除去の効果を測定したとこ
ろ、第２図に示す通りの結果が得られた。
電極板を電気炉の内部に設置し、150℃又は250℃の一定
温度により加熱し、フッ素除去の効果を測定したとこ
ろ、第２図に示す通りの結果が得られた。
同図中、○印及び●印はそれぞれ150℃及び250℃の温
度に設定した場合のフッ素量を表わすプロットであり、
ａ、ｂはそれぞれの特性曲線である。尚、フッ素量は被
検知体を一定容量の水のなかへ浸漬し、その水に含まれ
るフッ素量を測定することにより表わされる相対値であ
る。
度に設定した場合のフッ素量を表わすプロットであり、
ａ、ｂはそれぞれの特性曲線である。尚、フッ素量は被
検知体を一定容量の水のなかへ浸漬し、その水に含まれ
るフッ素量を測定することにより表わされる相対値であ
る。
第２図より明らかな通り、加熱に伴ってフッ素が著し
く除去されることが判り、しかも、その加熱温度が高い
ほど、その除去効果に優れることも明らかである。
く除去されることが判り、しかも、その加熱温度が高い
ほど、その除去効果に優れることも明らかである。
本発明者は上記電極板以外に反応室１の上面、下面及
び周壁並びに基板支持体２についても同様の実験を行
い、そして、残留フッ素の除去効果を確認した。
び周壁並びに基板支持体２についても同様の実験を行
い、そして、残留フッ素の除去効果を確認した。
また、本発明者はセラミックリング８を1100℃の温度
に設定された電気炉に設置し、加熱したところ、約２時
間でほとんどのフッ素を除去することができたことも確
認した。
に設定された電気炉に設置し、加熱したところ、約２時
間でほとんどのフッ素を除去することができたことも確
認した。
以上の通り、本発明の反応室構成部材の残留ハロゲン
元素除去方法によれば、金属部材を200℃以上、セラミ
ック体を500℃以上の温度で加熱処理することによって
容易にハロゲン元素が除去され、これにより、構成部材
が腐食されなくなり、その結果、長期に亘って高品質且
つ高信頼性の成膜形成又はエッチングが可能となった。
元素除去方法によれば、金属部材を200℃以上、セラミ
ック体を500℃以上の温度で加熱処理することによって
容易にハロゲン元素が除去され、これにより、構成部材
が腐食されなくなり、その結果、長期に亘って高品質且
つ高信頼性の成膜形成又はエッチングが可能となった。
また、本発明によれば、成膜形成に当たって残留ハロ
ゲン元素が混入しなくなり、その結果、膜特性の信頼性
を著しく高めることができるという利点も有する。
ゲン元素が混入しなくなり、その結果、膜特性の信頼性
を著しく高めることができるという利点も有する。
第１図はグロー放電分解装置の概略図、そして第２図は
フッ素量の減少経過を示す線図である。 １……反応室、２……基板支持体 ４……グロー放電用電極板 ８……セラミックリング
フッ素量の減少経過を示す線図である。 １……反応室、２……基板支持体 ４……グロー放電用電極板 ８……セラミックリング
Claims (1)
- 【請求項１】金属部材及びセラミック体から構成される
グロー放電分解装置の反応室内でグロー放電分解法によ
りアモルファスシリコン膜を成膜した後、該反応室内に
ハロゲン元素を含むエッチング用ガスを導入してグロー
放電により、反応室内に存在する汚染物質をガス化して
排出せしめ、しかる後グロー放電分解装置を分解して、
前記金属部材を200℃以上に、セラミック体を500℃以上
に各々加熱処理し、残留ハロゲン元素を除去することを
特徴とする反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333556A JP2654652B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333556A JP2654652B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173723A JPH01173723A (ja) | 1989-07-10 |
| JP2654652B2 true JP2654652B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=18267360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62333556A Expired - Fee Related JP2654652B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654652B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110571129B (zh) * | 2018-06-05 | 2022-08-02 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种导电金属氧化物的加工方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767473A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | Controller for group of elevator |
| JPS6056431B2 (ja) * | 1980-10-09 | 1985-12-10 | 三菱電機株式会社 | プラズマエツチング装置 |
| JPS60174242U (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-19 | 株式会社日立国際電気 | リアクテイブイオンエツチング装置 |
| JPS61216327A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62333556A patent/JP2654652B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01173723A (ja) | 1989-07-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |