JP2722491B2 - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
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- JP2722491B2 JP2722491B2 JP63081550A JP8155088A JP2722491B2 JP 2722491 B2 JP2722491 B2 JP 2722491B2 JP 63081550 A JP63081550 A JP 63081550A JP 8155088 A JP8155088 A JP 8155088A JP 2722491 B2 JP2722491 B2 JP 2722491B2
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- Japan
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- etching
- gas
- photoresist
- gas plasma
- etched
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体製造過程の中で実施されるレジスト
パターン形成工程におけるレジスト処理方法に関するも
のである。
パターン形成工程におけるレジスト処理方法に関するも
のである。
従来の技術 近年、半導体デバイスは集積化が進み、暗室工程にお
いても、より微細なパターン形成が要求されている。こ
のような要求を満たしたレジストパターンを形成するた
め、従来は第３図に示すような工程によってレジストパ
ターンを形成していた。
いても、より微細なパターン形成が要求されている。こ
のような要求を満たしたレジストパターンを形成するた
め、従来は第３図に示すような工程によってレジストパ
ターンを形成していた。
まず、同図（ａ）の如く被エッチング物21の表面にフ
ォトレジスト22を塗布し、次に同図（ｂ）の如くマスク
23を用いてフォトレジスト22を所望のパターンに露光、
現像する。ここで、マスク23のパターン寸法が小さくな
るに従い、露光時の解像度によって現像の際に未現像部
分24を生じる。そこで、同図（ｃ）の如く、一般に用い
られているドライエッチング装置を用いてO2プラズマ25
によって異方性エッチングを行い、未現像部分24を除去
し、同図（ｄ）の如く、適性なレジストパターンを形成
した。この露光、現像後のフォトレジスト22のエッチン
グ処理を以降ディスカム処理と呼ぶ。このディスカム処
理後、ホットプレート、ベーク炉による加熱や、紫外線
照射等の後処理によりフォトレジスト22を硬化させてい
る。
ォトレジスト22を塗布し、次に同図（ｂ）の如くマスク
23を用いてフォトレジスト22を所望のパターンに露光、
現像する。ここで、マスク23のパターン寸法が小さくな
るに従い、露光時の解像度によって現像の際に未現像部
分24を生じる。そこで、同図（ｃ）の如く、一般に用い
られているドライエッチング装置を用いてO2プラズマ25
によって異方性エッチングを行い、未現像部分24を除去
し、同図（ｄ）の如く、適性なレジストパターンを形成
した。この露光、現像後のフォトレジスト22のエッチン
グ処理を以降ディスカム処理と呼ぶ。このディスカム処
理後、ホットプレート、ベーク炉による加熱や、紫外線
照射等の後処理によりフォトレジスト22を硬化させてい
る。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような方法では、ディスカム処
理後数時間から数日放置すると、熱処理の有無に関係な
く、第３図（ｅ）に示すように、フォトレジスト22の抜
けた部分の被エッチング物21上に円盤状の微粒子26（以
後パーティクルと称す）が成長するという現象が生ずる
ことが判明した。このパーティクル26は、ディスカム処
理直後には存在せず、時間が経つとともに成長する傾向
を示す。そして、このパーティクル26は被エッチング物
21の加工の際に、エッチングマスクとして作用すること
になり、エッチング残りを生ずるために問題となる。
理後数時間から数日放置すると、熱処理の有無に関係な
く、第３図（ｅ）に示すように、フォトレジスト22の抜
けた部分の被エッチング物21上に円盤状の微粒子26（以
後パーティクルと称す）が成長するという現象が生ずる
ことが判明した。このパーティクル26は、ディスカム処
理直後には存在せず、時間が経つとともに成長する傾向
を示す。そして、このパーティクル26は被エッチング物
21の加工の際に、エッチングマスクとして作用すること
になり、エッチング残りを生ずるために問題となる。
本発明は上記問題点に鑑み、ディスカム処理後にパー
ティクルが成長することのないレジスト処理方法を提供
することを目的とする。
ティクルが成長することのないレジスト処理方法を提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するため、本発明はO2ガスプラズマに
よってエッチングした後、N2ガス、不活性ガス、又はH2
ガスによるガスプラズマにてエッチングする２ステップ
のエッチング工程を有することを特徴とする。
よってエッチングした後、N2ガス、不活性ガス、又はH2
ガスによるガスプラズマにてエッチングする２ステップ
のエッチング工程を有することを特徴とする。
作用 本発明は上記構成を有するのでエッチング面に再付着
したレジストの未分解物を除去でき、その結果この未分
解物を核として大気中の酸素及び水分の影響で酸化成長
するものと思われるパーティクルの発生を無くすことが
できる。
したレジストの未分解物を除去でき、その結果この未分
解物を核として大気中の酸素及び水分の影響で酸化成長
するものと思われるパーティクルの発生を無くすことが
できる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第１図にレジスト処理工程を示す。まず、同図（ａ）
に示すように、例えば６インチのシリコン基板から成る
被エッチング物１の上にフォトレジスト２（例えば、シ
プレ社、MPS）を１μｍの厚さに塗布する。次に、同図
（ｂ）に示すように、マスク３を用いて所望のパターン
を露光、現像する。その後、この露光、現像工程で発生
した未現像部分４を除去するため、次に同図（ｃ）に示
すように、ガスプラズマ５を用いてフォトレジスト２の
全体を約1000Åエッチングする。
に示すように、例えば６インチのシリコン基板から成る
被エッチング物１の上にフォトレジスト２（例えば、シ
プレ社、MPS）を１μｍの厚さに塗布する。次に、同図
（ｂ）に示すように、マスク３を用いて所望のパターン
を露光、現像する。その後、この露光、現像工程で発生
した未現像部分４を除去するため、次に同図（ｃ）に示
すように、ガスプラズマ５を用いてフォトレジスト２の
全体を約1000Åエッチングする。
このエッチングに用いるエッチング装置の概略構成を
示す第２図において、11は真空チャンバ、12はガス導入
口、13は排気口、14は上部電極、15は下部電極である。
上部電極14は接地され、下部電極15には高周波電源16に
て13.56MHzの高周波電圧が印加される。
示す第２図において、11は真空チャンバ、12はガス導入
口、13は排気口、14は上部電極、15は下部電極である。
上部電極14は接地され、下部電極15には高周波電源16に
て13.56MHzの高周波電圧が印加される。
そして、上記エッチングは、下部電極15上に露光、現
像後の被エッチング物１を載置し、ガス導入口12から真
空チャンバ11内にO2ガスとN2ガスの混合ガス（N2ガスを
約10vol％混合したガス）を30sccm導入し、真空チャン
バ11内の圧力を350mTorrにし、高周波電源16より100Wの
高周波出力を印加して行った。尚、このエッチング処理
中は上下の電極14、15はともに40℃の一定温度になるよ
うに調整した。又、エッチング中の反応生成物は排気口
13より除去した。
像後の被エッチング物１を載置し、ガス導入口12から真
空チャンバ11内にO2ガスとN2ガスの混合ガス（N2ガスを
約10vol％混合したガス）を30sccm導入し、真空チャン
バ11内の圧力を350mTorrにし、高周波電源16より100Wの
高周波出力を印加して行った。尚、このエッチング処理
中は上下の電極14、15はともに40℃の一定温度になるよ
うに調整した。又、エッチング中の反応生成物は排気口
13より除去した。
このディスカム処理後、第１図（ｄ）に示すように、
被エッチング物１をホットプレートで160℃に上昇させ
ながら、遠紫外線６を全面に照射してレジスト２を硬化
させた。
被エッチング物１をホットプレートで160℃に上昇させ
ながら、遠紫外線６を全面に照射してレジスト２を硬化
させた。
以上の一連の処理工程の後、被エッチング物１を約20
時間大気にさらした状態で放置し、放置後の被エッチン
グ物１の表面を光学顕微鏡を用いて調べたところパーテ
ィクルの成長は無かった。
時間大気にさらした状態で放置し、放置後の被エッチン
グ物１の表面を光学顕微鏡を用いて調べたところパーテ
ィクルの成長は無かった。
上記実施例では、ディスカム処理にO2ガスとN2ガスの
混合ガスを用いた例を示したが、第２実施例として、N2
ガスに代えてArガス等の不活性ガスを用いて同様の処理
を施したところ、同様にパーティクルの成長は無かっ
た。
混合ガスを用いた例を示したが、第２実施例として、N2
ガスに代えてArガス等の不活性ガスを用いて同様の処理
を施したところ、同様にパーティクルの成長は無かっ
た。
以上の実施例では、混合ガスを用いて１ステップでデ
ィスカム処理を行ったが、次に第３実施例として、O2ガ
スによって従来と同様にエッチングを行った後、N2ガス
プラズマによるエッチングを行い、２ステップのエッチ
ング工程でディスカムを処理を行った。
ィスカム処理を行ったが、次に第３実施例として、O2ガ
スによって従来と同様にエッチングを行った後、N2ガス
プラズマによるエッチングを行い、２ステップのエッチ
ング工程でディスカムを処理を行った。
この場合も、処理後大気にさらして放置しても被エッ
チング物１の表面にパーティクルの成長は無かった。
チング物１の表面にパーティクルの成長は無かった。
また、上記第３実施例におけるN2ガスプラズマに代え
て、Arガスプラズマにてエッチングを行ったが、この場
合も同様の効果が得られた。
て、Arガスプラズマにてエッチングを行ったが、この場
合も同様の効果が得られた。
さらに、上記第３実施例におけるN2ガスプラズマに代
えて、H2ガスプラズマにてエッチングを行ったが、この
場合も同様の効果が得られた。
えて、H2ガスプラズマにてエッチングを行ったが、この
場合も同様の効果が得られた。
発明の効果 本発明によれば同様にO2ガスプラズマによるエッチン
グ後に、N2ガス、不活性ガス、又はH2ガスプラズマによ
りエッチングを施すという２ステップのエッチングによ
りパーティクルの発生を無くして、その後のエッチング
加工でのトラブルを無くすことができる。
グ後に、N2ガス、不活性ガス、又はH2ガスプラズマによ
りエッチングを施すという２ステップのエッチングによ
りパーティクルの発生を無くして、その後のエッチング
加工でのトラブルを無くすことができる。
第１図は本発明の一実施例のレジスト処理工程の説明
図、第２図はエッチング装置の概略構成図、第３図は従
来例のレジスト処理工程の説明図である。 １……被エッチング物 ２……フォトレジスト ３……マスク ４……未現像部分 ５……ガスプラズマ。
図、第２図はエッチング装置の概略構成図、第３図は従
来例のレジスト処理工程の説明図である。 １……被エッチング物 ２……フォトレジスト ３……マスク ４……未現像部分 ５……ガスプラズマ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 厚 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 野村 登 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−163826（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−32925（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−49072（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】被エッチング物上にフォトレジストを塗布
する工程、塗布したフォトレジストを所望のパターンに
露光現像する工程、現像したフォトレジストの未現像部
の一部のみを、O2ガスプラズマによってエッチングした
後、N2ガスプラズマによってエッチングするエッチング
工程を有するレジスト処理方法。 - 【請求項２】被エッチング物上にフォトレジストを塗布
する工程、塗布したフォトレジストを所望のパターンに
露光現像する工程、現像したフォトレジストの未現像部
の一部のみを、O2ガスプラズマによってエッチングした
後、不活性ガスプラズマによってエッチングするエッチ
ング工程を有するレジスト処理方法。 - 【請求項３】被エッチング物上にフォトレジストを塗布
する工程、塗布したフォトレジストを所望のパターンに
露光現像する工程、現像したフォトレジストの未現像部
の一部のみを、O2ガスプラズマによってエッチングした
後、H2ガスプラズマによってエッチングするエッチング
工程を有するレジスト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081550A JP2722491B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081550A JP2722491B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253922A JPH01253922A (ja) | 1989-10-11 |
| JP2722491B2 true JP2722491B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=13749402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63081550A Expired - Fee Related JP2722491B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2722491B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7427458B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-09-23 | Lam Research Corporation | System and method for critical dimension reduction and pitch reduction |
| US8529728B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | System and method for critical dimension reduction and pitch reduction |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5449072A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Developing method for resist film |
| JPS59163826A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS6332925A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Tokyo Electron Ltd | アツシング装置 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63081550A patent/JP2722491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01253922A (ja) | 1989-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |