JPS6236826A - アツシング方法 - Google Patents
アツシング方法Info
- Publication number
- JPS6236826A JPS6236826A JP17677085A JP17677085A JPS6236826A JP S6236826 A JPS6236826 A JP S6236826A JP 17677085 A JP17677085 A JP 17677085A JP 17677085 A JP17677085 A JP 17677085A JP S6236826 A JPS6236826 A JP S6236826A
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- Japan
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- wafer
- gas
- ashing
- organic polymer
- polymer film
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する分野の説明
本発明は半導体ウェーハなどの上に設けられた有機高分
子膜、例えばフォトレジスト膜を除去するアッシング方
法に関するものである。
子膜、例えばフォトレジスト膜を除去するアッシング方
法に関するものである。
（２）従来技術の説明
半導体集積回路の微細パターンの形成は一般に露光およ
び現象によって形成された有機高分子フォトレジスト膜
をマスクとして、下地膜をエツチングすることにより行
なわれる。
び現象によって形成された有機高分子フォトレジスト膜
をマスクとして、下地膜をエツチングすることにより行
なわれる。
したがって、マスクとして用いられたフォトレジスト膜
はエツチング過程の後にウェーハ表面からアッシングな
どにより除去する必要がある。現在、このフォトレジス
トの除去には酸素プラズマによるアッシング法が一般的
に用いられている。
はエツチング過程の後にウェーハ表面からアッシングな
どにより除去する必要がある。現在、このフォトレジス
トの除去には酸素プラズマによるアッシング法が一般的
に用いられている。
酸素プラズマによるフォトレジストのアッシングは、フ
ォトレジスト膜の付いたウェーハを処理室中に置き、処
理室中に導入された酸素ガスを高周波の電場によりプラ
ズマ化し、発生した酸素原子ラジカルにより有機物であ
るフォトレジストを酸化し、二酸化炭素、−酸化炭素お
よび水に分解・気化せしめる作用を利用したものである
。
ォトレジスト膜の付いたウェーハを処理室中に置き、処
理室中に導入された酸素ガスを高周波の電場によりプラ
ズマ化し、発生した酸素原子ラジカルにより有機物であ
るフォトレジストを酸化し、二酸化炭素、−酸化炭素お
よび水に分解・気化せしめる作用を利用したものである
。
しかし、前記酸素プラズマによるアッシング法では、プ
ラズマ中に存在する電場によって加速されたイオンや電
子がウェーハを照射衝撃するため、シリコンウェーハの
基板シート抵抗の変化、シリコン酸化物とシリコンとの
界面における表面準位。
ラズマ中に存在する電場によって加速されたイオンや電
子がウェーハを照射衝撃するため、シリコンウェーハの
基板シート抵抗の変化、シリコン酸化物とシリコンとの
界面における表面準位。
再結合中心などが発生し、半導体集積回路の電気特性に
悪影響をあたえることがあるという重大なる欠点があっ
た。この悪影響は一般にプラズマダメージといわれるが
、集積度の高いＩ ＭｂＨＤＲＡＭおよび２５６ ｋｂ
ｉｔ ＳＲＡＭの生産ではこのプラズマダメージが特に
大きな問題となりつつある。
悪影響をあたえることがあるという重大なる欠点があっ
た。この悪影響は一般にプラズマダメージといわれるが
、集積度の高いＩ ＭｂＨＤＲＡＭおよび２５６ ｋｂ
ｉｔ ＳＲＡＭの生産ではこのプラズマダメージが特に
大きな問題となりつつある。
さらに近年のウェーハの大口径化に伴い、ウェーハ上に
回路を形成する工程においてウェーハを一枚毎に処理す
る枚葉処理方式が一般化しつつある。フォトレジストア
ッシングを枚葉処理方式で行なう場合、その処理速度は
通常工ないし２μｍ／ｍｉｎ程度が必要とされるが、従
来の酸素プラズマアッシング法で得られるアッシング速
度は０．１μｍ／ｍｉｎ程度であり、フォトレジストア
ッシングの枚葉処理化という技術要求に十分応えられな
い欠点があった。さらに酸素プラズマアッシング法では
、前工程でイオン注入処理などにより硬化されたフォト
レジスト膜などに対するアッシング速度がきわめて低い
ということも大きな問題であった・ （３）発明の目的 本発明は前記の欠点を除去し、プラズマダメージが全く
無く、かつアッシング速度が大きな有機高分子膜のアッ
シング法の提供を目的とするものである。
回路を形成する工程においてウェーハを一枚毎に処理す
る枚葉処理方式が一般化しつつある。フォトレジストア
ッシングを枚葉処理方式で行なう場合、その処理速度は
通常工ないし２μｍ／ｍｉｎ程度が必要とされるが、従
来の酸素プラズマアッシング法で得られるアッシング速
度は０．１μｍ／ｍｉｎ程度であり、フォトレジストア
ッシングの枚葉処理化という技術要求に十分応えられな
い欠点があった。さらに酸素プラズマアッシング法では
、前工程でイオン注入処理などにより硬化されたフォト
レジスト膜などに対するアッシング速度がきわめて低い
ということも大きな問題であった・ （３）発明の目的 本発明は前記の欠点を除去し、プラズマダメージが全く
無く、かつアッシング速度が大きな有機高分子膜のアッ
シング法の提供を目的とするものである。
（４）発明の特徴
本発明の特徴は、基板上に設けた有機高分子膜を除去す
るアッシング方法において、有機高分子膜を加熱した状
態で反応気体としてオゾンを含有するガスにさらして、
この有機高分子膜を除去するアッシング方法にある。す
なわち、有機高分子膜から構成されるフォトレジスト膜
などを酸化反応により除去するアッシング法において、
反応気体としてオゾンを含有するガスを使用し、熱酸化
反応によりフォトレジスト膜を除去することを特徴とす
るフォトレジスト膜のアッシング方法である。
るアッシング方法において、有機高分子膜を加熱した状
態で反応気体としてオゾンを含有するガスにさらして、
この有機高分子膜を除去するアッシング方法にある。す
なわち、有機高分子膜から構成されるフォトレジスト膜
などを酸化反応により除去するアッシング法において、
反応気体としてオゾンを含有するガスを使用し、熱酸化
反応によりフォトレジスト膜を除去することを特徴とす
るフォトレジスト膜のアッシング方法である。
本発明に関するフォトレジストアッシング法は、きわめ
て強い酸化剤であるオゾンを含有する気体を用いること
により、有機物であるフォトレジストを酸化反応により
除去するものである。
て強い酸化剤であるオゾンを含有する気体を用いること
により、有機物であるフォトレジストを酸化反応により
除去するものである。
（５）発明の実施例
以下９本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための図面である
９図に示すように処理室１内にはウェーハ２を戴置して
加熱するための加熱機構材のウェーハ戴置台３、および
ウェーハ２上に反応気体を３の温度、オゾン濃度、気体
流量、処理室１内の気体圧力は、各々温度調節器５、酸
素供給源６、オゾン濃度が調節できるオゾン発生器７、
気体流量調節器８、排気能力を調節できる排気系９によ
って所定の値に設定することができ、本発明による方法
の具現が可能となる。
９図に示すように処理室１内にはウェーハ２を戴置して
加熱するための加熱機構材のウェーハ戴置台３、および
ウェーハ２上に反応気体を３の温度、オゾン濃度、気体
流量、処理室１内の気体圧力は、各々温度調節器５、酸
素供給源６、オゾン濃度が調節できるオゾン発生器７、
気体流量調節器８、排気能力を調節できる排気系９によ
って所定の値に設定することができ、本発明による方法
の具現が可能となる。
第２図は本発明の作用の一例を説明するための図面であ
る。図において曲線はウェーハ２の温度を２５０℃、オ
ゾン発生器から吐出されるオゾンと酸素の混合気体の流
量を５０００ｃｃ／ｍｉｎ 、処理室１内の気体圧力を
７００Ｔｏｒｒに設定し、オゾン濃度を変化させた場合
のアッシング速度を示す。
る。図において曲線はウェーハ２の温度を２５０℃、オ
ゾン発生器から吐出されるオゾンと酸素の混合気体の流
量を５０００ｃｃ／ｍｉｎ 、処理室１内の気体圧力を
７００Ｔｏｒｒに設定し、オゾン濃度を変化させた場合
のアッシング速度を示す。
ウェーハの処理温度２５０℃は実用上弊害のない温度で
あり、また第２図に示された数ｗｔ％までのオゾン濃度
は通常のオゾン発生器により容易に得られる濃度範囲で
ある。
あり、また第２図に示された数ｗｔ％までのオゾン濃度
は通常のオゾン発生器により容易に得られる濃度範囲で
ある。
なお、第２図に示した結果はエツチング工程においてプ
ラズマの照射を受けて硬化したフォトレジスト膜に対し
て得られたものであり、プラズマエツチング後のフォト
レジスト膜に対して１μｍ／ｍｉｎ以上のにアッシング
速度が容易に得られることは、前述したように枚葉式の
アッシング処理方式に対して充分適用できるアッシング
速度であることを示している。
ラズマの照射を受けて硬化したフォトレジスト膜に対し
て得られたものであり、プラズマエツチング後のフォト
レジスト膜に対して１μｍ／ｍｉｎ以上のにアッシング
速度が容易に得られることは、前述したように枚葉式の
アッシング処理方式に対して充分適用できるアッシング
速度であることを示している。
また、ウェーハに対するイオンあるいは電子などの荷電
粒子によるプラズマダメージは、原理的に発生すること
はない。
粒子によるプラズマダメージは、原理的に発生すること
はない。
６一
（６）効果の説明
以上に説明したように、本発明によればプラズマダメー
ジは全くなく、アッシング速度が十分に大きいフォトレ
ジストアッシング方法が容易に実現でき、高密度半導体
集積回路の製造工程における貢献はきわめて大きい。
ジは全くなく、アッシング速度が十分に大きいフォトレ
ジストアッシング方法が容易に実現でき、高密度半導体
集積回路の製造工程における貢献はきわめて大きい。
第１図は本発明の実施例をするためのアッシング装置の
部分断面図、第２図は本発明実施例によするフォトレジ
ストアッシングの速度とオゾンの濃度との関係を示す図
面である。 なお図において、１・・・処理室、２・・・ウェーハ、
３・・・ウェーハ戴置台、４・・・気体拡散板、５・・
・温度調節器、６・・・酸素供給源、７・・・オゾン発
生器、８・・・気体流量調節器、９・・・排気系、であ
る。
部分断面図、第２図は本発明実施例によするフォトレジ
ストアッシングの速度とオゾンの濃度との関係を示す図
面である。 なお図において、１・・・処理室、２・・・ウェーハ、
３・・・ウェーハ戴置台、４・・・気体拡散板、５・・
・温度調節器、６・・・酸素供給源、７・・・オゾン発
生器、８・・・気体流量調節器、９・・・排気系、であ
る。
Claims (1)
- 基板上に設けた有機高分子膜を除去するアッシング方法
において、前記有機高分子膜を加熱した状態で反応気体
としてオゾンを含有するガスを使用し前記有機高分子膜
を除去することを特徴とするアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17677085A JPS6236826A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | アツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17677085A JPS6236826A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | アツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236826A true JPS6236826A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16019519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17677085A Pending JPS6236826A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | アツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236826A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250125A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63276225A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Tokyo Electron Ltd | アッシング装置 |
| JPS63291422A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Tokyo Electron Ltd | アッシング方法 |
| JPS63299341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
| JPS6412530A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Ube Industries | Ozone reaction treatment |
| JPH0248667A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Agency Of Ind Science & Technol | レジストの現像方法，現像装置およびベーク炉 |
| KR20010034087A (ko) * | 1998-11-13 | 2001-04-25 | 다니구찌 이찌로오 | 포토레지스트막 제거방법 및 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220766A (en) * | 1975-08-04 | 1977-02-16 | Texas Instruments Inc | Method of removing phtoresist layer and processing apparatus thereof |
| JPS5954226A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17677085A patent/JPS6236826A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220766A (en) * | 1975-08-04 | 1977-02-16 | Texas Instruments Inc | Method of removing phtoresist layer and processing apparatus thereof |
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| KR20010034087A (ko) * | 1998-11-13 | 2001-04-25 | 다니구찌 이찌로오 | 포토레지스트막 제거방법 및 장치 |
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