JPS5954226A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS5954226A JPS5954226A JP16400282A JP16400282A JPS5954226A JP S5954226 A JPS5954226 A JP S5954226A JP 16400282 A JP16400282 A JP 16400282A JP 16400282 A JP16400282 A JP 16400282A JP S5954226 A JPS5954226 A JP S5954226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- bomb
- temperature
- piping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 13
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 101100166455 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) ccg-4 gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、半導体装置等のドライエツチング方法に係る
。
。
（２）従来技術と問題点
半導体装置等の製造工程においてプラズマエツチングや
活性イオンエツチング等のドライエツチング技術は、特
にＩＣ，ＬＳＩ等の集積度の増大に伴ガつて、より重要
な技術として注目されており、今後とも増々利用されて
ゆくと考えられる。
活性イオンエツチング等のドライエツチング技術は、特
にＩＣ，ＬＳＩ等の集積度の増大に伴ガつて、より重要
な技術として注目されており、今後とも増々利用されて
ゆくと考えられる。
ドライエツチングは、例えば、エツチングを実際に行な
うエツチング装置本体と、それに配管を通してエツチン
グガスを供給するガスボンベとから成るエツチング装置
を用いて実施されるが、半導体装置製造工場等ではなん
らかの都合でガスボンベをエツチング装置本体から分離
される場合があシ、そうした場合にボンベ１６１鳴の温
度がエツチング装置本体の周囲温度よシ高いことが起こ
シうる。すると、下記第１表に記載したようなエッチャ
ントを用いる場合には蒸気圧が商いのでボンベの出口に
ある圧力調整弁を用いて＋ｌ？ンペ内圧より低い圧力の
ガスヶ配管に供給しているので問題はないか、下記第２
表に記載したようなエッチャント（２０℃でｒ−ジ圧２
）φ／ ｃｉｔ以下、又は沸点０００以上のもの）を用
いる場合には蒸気圧が低いので圧力調整弁が使用できず
、ボンベから直接配管にガスを供給し、そうしてエツチ
ング装置本体にガスを供給しているので問題がある。
うエツチング装置本体と、それに配管を通してエツチン
グガスを供給するガスボンベとから成るエツチング装置
を用いて実施されるが、半導体装置製造工場等ではなん
らかの都合でガスボンベをエツチング装置本体から分離
される場合があシ、そうした場合にボンベ１６１鳴の温
度がエツチング装置本体の周囲温度よシ高いことが起こ
シうる。すると、下記第１表に記載したようなエッチャ
ントを用いる場合には蒸気圧が商いのでボンベの出口に
ある圧力調整弁を用いて＋ｌ？ンペ内圧より低い圧力の
ガスヶ配管に供給しているので問題はないか、下記第２
表に記載したようなエッチャント（２０℃でｒ−ジ圧２
）φ／ ｃｉｔ以下、又は沸点０００以上のもの）を用
いる場合には蒸気圧が低いので圧力調整弁が使用できず
、ボンベから直接配管にガスを供給し、そうしてエツチ
ング装置本体にガスを供給しているので問題がある。
以下余白
第１表 ドライエツチングに使用されるガス（１）ＮＦ
Ｓ −１２９，１８Ｃ〃 ＣＩ（Ｆ３ −８２．２ −０ ４４．６４）’４／ｃ
ｎ１． ｇａｕｇｅＣ，ＦＩ＋−７８・２ °Ｃ３２，
３／ｌ ／／ＣｔＦ＋Ｃ１ｌ ３８．’７
’０ ７，１７ ｔｔ ｔｔＣｓＦｓ −３
６，７°Ｃ７，Ｑ ｔｔ ／／ＣＯ＋
−７８，５℃＊５８．３ ｔｔ〃 Ｃ，ｅ２ −３４．１ ℃ ６ 、 Ｏｔｔ ｔ
ｔＣＣｌ、Ｆ２−２９．８ °ｃ４．９ ／／
／／ＣＢｒＦ”、 −５７，８℃ １３．４
／／ ｔｔＳＦ、 −６３，８℃ ２２
．５ ｔｔ Ｈ＊ 昇華点 ｇａｕｇｅ ：グージ圧； 大気に対する圧力ａｂｓｏ
１ｕｔｅ ：絶対圧：Ｘ空に対ｔ−ル圧力したがって
、１ ｋｇ／ｃｒｔｌ ｇａｕｇｅ ＝ ２ ｋｙ／ｃ
ｒｉ ａｂ ｓｏ １ｕｔｅ第２表 ドライエツチング
に便用されるノ１ス（ＩＩ）Ｃｌ３ ７６．７”Ｃ− ＢＣｄ、 １２．５ ”Ｃ！ ０．
３１ ノ＄／ｃＭ ｇａｕｇｅＰＣＩＭ ７６
．０°Ｃ− ＣＣｅｓＦ ２３．８°ＣＯ，９４％／ｃｎｉ ａ
ｂｓｏｌｕｔｅＳｉＣＩＪ４５７，６’Ｃ− ＣＨＣｇ ３ ６１ 、 Ｏ℃ Ｏ’、２１
Ａｙ／ａＡ ａｂｓｏｌｕｔｅＢｒ２ ５９．
５°ＣＯ，２６ｋｖｃｔＡ ａｂｓｏｌｕｔｅＢＢｒ３
９０．００Ｑ − ８ｉＣ６３Ｆ １２．２ ”Ｑ −ＣＢｒ２Ｆ２
２４．５°（：ｊ Ｏ，８４＠／ｃｒＩ ａｂｓ
′ｏｌｕｔｅすなわち、エツチングにおける）ガスの消
費期″は少ないので、ボンベの温度が？１」いとボンベ
からのガスの蒸発鼠がガスの消費：猷を一ヒ回シ、イｎ
対的に温度の低い配管やエツチング装置本体でガスの凝
縮（液化）が起きることがある。特に、エンチング装置
本体の入口付近に装備されるガス流ｆｆ１１．！Ｉ整装
置内に凝縮すると、正しい流量が’？Ｇられなくなり、
エツチングに異常が生ずる。又、配管内に凝縮すると、
ガスの種類にょっでは継手のパツキンをおかし、ガスの
リークが起きる。
Ｓ −１２９，１８Ｃ〃 ＣＩ（Ｆ３ −８２．２ −０ ４４．６４）’４／ｃ
ｎ１． ｇａｕｇｅＣ，ＦＩ＋−７８・２ °Ｃ３２，
３／ｌ ／／ＣｔＦ＋Ｃ１ｌ ３８．’７
’０ ７，１７ ｔｔ ｔｔＣｓＦｓ −３
６，７°Ｃ７，Ｑ ｔｔ ／／ＣＯ＋
−７８，５℃＊５８．３ ｔｔ〃 Ｃ，ｅ２ −３４．１ ℃ ６ 、 Ｏｔｔ ｔ
ｔＣＣｌ、Ｆ２−２９．８ °ｃ４．９ ／／
／／ＣＢｒＦ”、 −５７，８℃ １３．４
／／ ｔｔＳＦ、 −６３，８℃ ２２
．５ ｔｔ Ｈ＊ 昇華点 ｇａｕｇｅ ：グージ圧； 大気に対する圧力ａｂｓｏ
１ｕｔｅ ：絶対圧：Ｘ空に対ｔ−ル圧力したがって
、１ ｋｇ／ｃｒｔｌ ｇａｕｇｅ ＝ ２ ｋｙ／ｃ
ｒｉ ａｂ ｓｏ １ｕｔｅ第２表 ドライエツチング
に便用されるノ１ス（ＩＩ）Ｃｌ３ ７６．７”Ｃ− ＢＣｄ、 １２．５ ”Ｃ！ ０．
３１ ノ＄／ｃＭ ｇａｕｇｅＰＣＩＭ ７６
．０°Ｃ− ＣＣｅｓＦ ２３．８°ＣＯ，９４％／ｃｎｉ ａ
ｂｓｏｌｕｔｅＳｉＣＩＪ４５７，６’Ｃ− ＣＨＣｇ ３ ６１ 、 Ｏ℃ Ｏ’、２１
Ａｙ／ａＡ ａｂｓｏｌｕｔｅＢｒ２ ５９．
５°ＣＯ，２６ｋｖｃｔＡ ａｂｓｏｌｕｔｅＢＢｒ３
９０．００Ｑ − ８ｉＣ６３Ｆ １２．２ ”Ｑ −ＣＢｒ２Ｆ２
２４．５°（：ｊ Ｏ，８４＠／ｃｒＩ ａｂｓ
′ｏｌｕｔｅすなわち、エツチングにおける）ガスの消
費期″は少ないので、ボンベの温度が？１」いとボンベ
からのガスの蒸発鼠がガスの消費：猷を一ヒ回シ、イｎ
対的に温度の低い配管やエツチング装置本体でガスの凝
縮（液化）が起きることがある。特に、エンチング装置
本体の入口付近に装備されるガス流ｆｆ１１．！Ｉ整装
置内に凝縮すると、正しい流量が’？Ｇられなくなり、
エツチングに異常が生ずる。又、配管内に凝縮すると、
ガスの種類にょっでは継手のパツキンをおかし、ガスの
リークが起きる。
これらの対策として、従来、配管及びエツチング装置本
体をりｙｌ？ンヒ ターなどで加熱することが行なわれ
ている。しかし、この従来の方法では、加熱にむらがあ
ると温度の低いところにガスが凝縮することがあり、配
管が長いとコストがががシ、安全面で過熱を防ぐ必要が
あり、又配管が常温の場合よシ腐食され（・すくなる、
等の問題がある。
体をりｙｌ？ンヒ ターなどで加熱することが行なわれ
ている。しかし、この従来の方法では、加熱にむらがあ
ると温度の低いところにガスが凝縮することがあり、配
管が長いとコストがががシ、安全面で過熱を防ぐ必要が
あり、又配管が常温の場合よシ腐食され（・すくなる、
等の問題がある。
（３）発明の目的
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、ドライエツチン
グ操作において、気体エッチャントが配管及びエツチン
グ装置本体に凝縮することを防止することを目［灼とす
る。
グ操作において、気体エッチャントが配管及びエツチン
グ装置本体に凝縮することを防止することを目［灼とす
る。
（４）発り月の１１〜成
そして、本発り槍は、上記目的を達成するために、気体
エッチャント供給ボンベの温度がエツチング装置本体及
びこれらの間を結ぶ配管の温度より高くならないように
、Ｔ、；ｉＪ記気体エッチャント供給ボンベを冷却する
ことを特徴とするドライエツチング方法を１２供する。
エッチャント供給ボンベの温度がエツチング装置本体及
びこれらの間を結ぶ配管の温度より高くならないように
、Ｔ、；ｉＪ記気体エッチャント供給ボンベを冷却する
ことを特徴とするドライエツチング方法を１２供する。
この方法に依れば、配管及びエツチング装置本体はほぼ
室温になり、半２！す体装置製造工」５）頴゛）の通常
のクリーンルームのように温Ｉｆｆ ′＋１ｉｌＪ （
：ｉ’ｌｌされた環境では、温度むらもなく、ンｉ：縮
は起こらない。又、長い配管を加チ、もするのに較べて
コストが安く、更に女全でもある。尚、本発すｊの方法
における冷却は、室温より３〜１３°Ｃ４！２度低い温
Ｉ現に冷却することが望ましい。
室温になり、半２！す体装置製造工」５）頴゛）の通常
のクリーンルームのように温Ｉｆｆ ′＋１ｉｌＪ （
：ｉ’ｌｌされた環境では、温度むらもなく、ンｉ：縮
は起こらない。又、長い配管を加チ、もするのに較べて
コストが安く、更に女全でもある。尚、本発すｊの方法
における冷却は、室温より３〜１３°Ｃ４！２度低い温
Ｉ現に冷却することが望ましい。
（５） 発明の呆施例
第１図に略示したような装置を用い゛Ｃ本発明の方法の
一例勿−Ｉ！：施した。
一例勿−Ｉ！：施した。
プラズマエツチング装置本体１０は真空、Ｉ？ンプ（図
示せず）で排気するための排気口１２及びエツチングガ
ス全供給するだめの人口１４を有し、この人口１４は弁
１６でＮ閉される。他方、エツチングガス供給用７Ｐン
ベ１８は開閉弁２０を介してエツチングガスを１配管２
２へ供給する。配管内のエツチングガスはガス流％；ｔ
ｉｌｔ ８装昭２４で流量を制御されてエツチング装置
本体１０に供給されている。以上は従来技術におけるエ
ツチング装置と同じである。しかし、この実施例の装置
では、さらに、エツチングガス供給用ボンベ１８を冷却
ボックス２６内に収納し、入口２８から冷風を送り、排
出１コ３０から排気することによってボンベ１８を冷却
できるようにされている。
示せず）で排気するための排気口１２及びエツチングガ
ス全供給するだめの人口１４を有し、この人口１４は弁
１６でＮ閉される。他方、エツチングガス供給用７Ｐン
ベ１８は開閉弁２０を介してエツチングガスを１配管２
２へ供給する。配管内のエツチングガスはガス流％；ｔ
ｉｌｔ ８装昭２４で流量を制御されてエツチング装置
本体１０に供給されている。以上は従来技術におけるエ
ツチング装置と同じである。しかし、この実施例の装置
では、さらに、エツチングガス供給用ボンベ１８を冷却
ボックス２６内に収納し、入口２８から冷風を送り、排
出１コ３０から排気することによってボンベ１８を冷却
できるようにされている。
操作において、シリコンウェーハ上のＡｌをエツチング
するためＣＣｆ？４をエツチングガスとして用い、真空
ポンプで０．３Ｔｏｒｒに排気しつつ、電極間に１ ：
３．５６ ＭＨｚ の′ｎ３．圧を印加した。この場
合のエツチングガスの消費量はおおよそ２００ＳＣＣＭ
である。配管２２は肉厚ｌＢ、内径１０肌のステン
レス製、長さは約１０ｍであった。
するためＣＣｆ？４をエツチングガスとして用い、真空
ポンプで０．３Ｔｏｒｒに排気しつつ、電極間に１ ：
３．５６ ＭＨｚ の′ｎ３．圧を印加した。この場
合のエツチングガスの消費量はおおよそ２００ＳＣＣＭ
である。配管２２は肉厚ｌＢ、内径１０肌のステン
レス製、長さは約１０ｍであった。
ｃｃ、ｇ、のガスボンベは３１用で、その開閉弁２０を
開放して使用した。当初冷却＋ｒボックス使用しなかっ
た場合、エツチング装置本体１０の周囲温度約２３°Ｃ
に対し、？ンベ１８の周囲温度が例えば３〜５℃より高
い温度条件下で、配管２２及びエツチング装［本体１０
内にｃｃｇ４の凝縮が見られ、前に述べた不都合が生じ
た。しかし、ボンベ１８を冷却ボックス２６に収納し、
冷風全１若り、？ンペ１８の温度をエツチング装置Ｉ″
イ０本体１０の周囲温度約２３”（３ｊ＃）約３〜１３
°Ｃ低い約１０〜２０″Ｃに保持したところ、上記の凝
縮が見られなくなり、エツチングの留常もなくなつプζ
。この例におい−Ｃ冷却ボックス２６は】ｉハ常の＋’
＜Ｉｓ ｌ・、芝であってもよい。
開放して使用した。当初冷却＋ｒボックス使用しなかっ
た場合、エツチング装置本体１０の周囲温度約２３°Ｃ
に対し、？ンベ１８の周囲温度が例えば３〜５℃より高
い温度条件下で、配管２２及びエツチング装［本体１０
内にｃｃｇ４の凝縮が見られ、前に述べた不都合が生じ
た。しかし、ボンベ１８を冷却ボックス２６に収納し、
冷風全１若り、？ンペ１８の温度をエツチング装置Ｉ″
イ０本体１０の周囲温度約２３”（３ｊ＃）約３〜１３
°Ｃ低い約１０〜２０″Ｃに保持したところ、上記の凝
縮が見られなくなり、エツチングの留常もなくなつプζ
。この例におい−Ｃ冷却ボックス２６は】ｉハ常の＋’
＜Ｉｓ ｌ・、芝であってもよい。
上記の例は冷風を用いてボンベを冷却したが、第２図に
示したように、ボンベ１８を冷却浴３２で冷却しても同
（カミの効果がイ↓）られる。例え（／二１、油浴中に
冷却水３４を通過させて前記のような温既に保持する。
示したように、ボンベ１８を冷却浴３２で冷却しても同
（カミの効果がイ↓）られる。例え（／二１、油浴中に
冷却水３４を通過させて前記のような温既に保持する。
この時、水浴を用いることも可能であるが、塩累ガスの
：ｌハ合にはザック・々ツクすると危険であり、又ボン
ベを錆さ→ジるので好葦しくないこともある。
：ｌハ合にはザック・々ツクすると危険であり、又ボン
ベを錆さ→ジるので好葦しくないこともある。
（６）発明の効果
本発明に依り、エツチングガス供給ボンベからエツチン
グ装置本体へ供給されるエツチングガスが配管やエツチ
ング装置本体内で凝縮する不都合が簡単かつ経済的な手
段で抑止され、ひいてガスの凝縮に基づくエツチングの
異常が除去される。
グ装置本体へ供給されるエツチングガスが配管やエツチ
ング装置本体内で凝縮する不都合が簡単かつ経済的な手
段で抑止され、ひいてガスの凝縮に基づくエツチングの
異常が除去される。
第１図は本発明の方法を実施する一例のエツチング装置
の概略図、第２図は別の例の冷却部の概略図である。 １０：エツチング装置本体、１６二弁、１８：ガスボン
ベ、２０：弁、２２：配管、２４：赤光量制御装置、２
６：冷却ボックス、３２：冷却浴。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 プＰ理士 西舘和之 弁理士 内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 −１０；
の概略図、第２図は別の例の冷却部の概略図である。 １０：エツチング装置本体、１６二弁、１８：ガスボン
ベ、２０：弁、２２：配管、２４：赤光量制御装置、２
６：冷却ボックス、３２：冷却浴。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 プＰ理士 西舘和之 弁理士 内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 −１０；
Claims (1)
- １ 気体エッチャント供給ボンベの温度がエツチング装
置本体及びこれらの間を結ぶ配管の温度よシ高くならな
いように、前記気体エッチャント供給ボンベを冷却する
ことを特徴とするドライエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16400282A JPS5954226A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16400282A JPS5954226A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954226A true JPS5954226A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15784886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16400282A Pending JPS5954226A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236826A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Tokyo Electron Ltd | アツシング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162295A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-22 | Ulvac Corp | Gas introducing device |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP16400282A patent/JPS5954226A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162295A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-22 | Ulvac Corp | Gas introducing device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236826A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Tokyo Electron Ltd | アツシング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7604042B2 (en) | Cooling mechanism with coolant, and treatment device with cooling mechanism | |
| US6107198A (en) | Ammonium chloride vaporizer cold trap | |
| JPH08290050A (ja) | 混入物の除去装置、これを用いた処理装置の真空排気系及びそのメンテナンス方法 | |
| US5303558A (en) | Thermal trap for gaseous materials | |
| KR19990029830A (ko) | 사용장소까지초고순도가스를이송하기위한시스템및방법 | |
| US2453033A (en) | Vacuum drying apparatus using a refrigerant system for heating and cooling | |
| US6739073B2 (en) | Method and apparatus for performing multiple cleaning and vacuum drying operations in enclosed vessels | |
| JPS6312336A (ja) | 超高純度ガスの供給方法及び供給系 | |
| JPS5954226A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH0471147B2 (ja) | ||
| JP2002015854A (ja) | 誘導コイルの冷却方法 | |
| US7290572B2 (en) | Method for purging a high purity manifold | |
| JPH0729962A (ja) | 真空排気方法及び装置 | |
| JPH03106432A (ja) | 真空装置の脱ガス方法及び脱ガス装置 | |
| GB2163841A (en) | Drying inner walls of pipelines | |
| JP3729578B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP3217706B2 (ja) | 水溶液の自己蒸発圧縮式濃縮方法及びその装置 | |
| JP4322346B2 (ja) | 成膜装置のクリーニング方法 | |
| JP3337164B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US4100757A (en) | Closed circuit ammonia system for liquid heating from water | |
| KR101029522B1 (ko) | 반도체 제조공정용 감광액의 온도유지를 위한 보관장치 | |
| JP2729421B2 (ja) | 減圧気化冷却装置 | |
| TW202245920A (zh) | 用於清潔半導體腔室部件的高壓清潔方法以及設備 | |
| JP3282006B2 (ja) | 蒸気加熱装置 | |
| JP2616853B2 (ja) | ヒートパイプ製造装置 |