JPS61152018A - 有機物の灰化方法 - Google Patents
有機物の灰化方法Info
- Publication number
- JPS61152018A JPS61152018A JP27867084A JP27867084A JPS61152018A JP S61152018 A JPS61152018 A JP S61152018A JP 27867084 A JP27867084 A JP 27867084A JP 27867084 A JP27867084 A JP 27867084A JP S61152018 A JPS61152018 A JP S61152018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- film
- resist
- organic substance
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004380 ashing Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 5
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 26
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010007559 Cardiac failure congestive Diseases 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000009563 continuous hemofiltration Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-N methane trihydrofluoride Chemical compound C.F.F.F UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は有機物の灰化方法に係り、特に、有機高分子膜
を灰化し除去するための方法に関する。
を灰化し除去するための方法に関する。
半導体技術の進歩と共に超ＬＳＩはじめ、半導体装置の
高集積化が進められてきており、高精度の微細パターン
形成技術が要求されている。
高集積化が進められてきており、高精度の微細パターン
形成技術が要求されている。
パターン形成にあたっては、通常、加工されるべき膜す
なわち被加工膜上に感光性高分子膜を塗布し、写真食刻
法等により、該感光性高分子膜を選択的に除去すること
により、感光性高分子膜からなる所望の形状のマスクパ
ターンを得る。そして、該マスクパターンに基づき、エ
ツチング等の処理を行い、所望のパターン形状を有する
膜を得るという方法がとられている。
なわち被加工膜上に感光性高分子膜を塗布し、写真食刻
法等により、該感光性高分子膜を選択的に除去すること
により、感光性高分子膜からなる所望の形状のマスクパ
ターンを得る。そして、該マスクパターンに基づき、エ
ツチング等の処理を行い、所望のパターン形状を有する
膜を得るという方法がとられている。
このマスクパターンすなわち感光性高分子膜は被加工膜
に対しエツチング等の処理を行った後、除去されるわけ
であるが、この除去に際しては、一般に酸素プラズマに
よるエツチング処理が用いられている。
に対しエツチング等の処理を行った後、除去されるわけ
であるが、この除去に際しては、一般に酸素プラズマに
よるエツチング処理が用いられている。
第４図は、この感光性有機高分子膜の除去に用いられる
酸素プラズマ装置の概略を示す図である。
酸素プラズマ装置の概略を示す図である。
この装置は、石英製の円筒型処理室１．０１内に、除去
すべき感光性有機高分子膜の付着した基板を入れ、真空
ポンプ１０２により排気を行うもので、該処理室１０１
の両側には夫々金属製の第１および第２の電極１０３，
１０３’が配設されている。
すべき感光性有機高分子膜の付着した基板を入れ、真空
ポンプ１０２により排気を行うもので、該処理室１０１
の両側には夫々金属製の第１および第２の電極１０３，
１０３’が配設されている。
これらの電極のうち、第１の電極１０３は接地されてお
り、第２の電極１０３′はマツチング回路１０４を経て
高周波発振器１０５に接続されている。そして、まず、
真空ポンプ１０２による排気の後、ガス導入系１０６か
ら酸素ガスを導入して圧力をＩ ＴＯｒｒ程度に保ちつ
つ、高周波電力を印加し、プラズマを発生させて、前記
感光性有機高分子膜を除去する。
り、第２の電極１０３′はマツチング回路１０４を経て
高周波発振器１０５に接続されている。そして、まず、
真空ポンプ１０２による排気の後、ガス導入系１０６か
ら酸素ガスを導入して圧力をＩ ＴＯｒｒ程度に保ちつ
つ、高周波電力を印加し、プラズマを発生させて、前記
感光性有機高分子膜を除去する。
この装置では、イオン注入工程や反応性イオンエツチン
グ工程等を経た感光性有機高分子膜（以下レジスト膜）
をも容易に除去し得るが、−（１）温度上昇を伴うため
、例えばアルミニウム（Ａ７）配線パターン形成ｌこ使
用したレジスト膜の除去に用いると、ヒロック（ｈｉ
１１ｏｃｋ ）を生じることがある。
グ工程等を経た感光性有機高分子膜（以下レジスト膜）
をも容易に除去し得るが、−（１）温度上昇を伴うため
、例えばアルミニウム（Ａ７）配線パターン形成ｌこ使
用したレジスト膜の除去に用いると、ヒロック（ｈｉ
１１ｏｃｋ ）を生じることがある。
（１１）プラズマ中の荷電粒子によって酸化膜の絶縁破
壊を生じたり、中性トラップが発生したりする等、照射
による損傷を伴なう。− 等の不都合があった。
壊を生じたり、中性トラップが発生したりする等、照射
による損傷を伴なう。− 等の不都合があった。
一方、プラズマを用いない新しい有機物の灰化（分解）
方法として、スリニバサン（５ｒｉｎｉｖａｓａｎ）に
より、有機物にフッ化アルゴンレーザ光（λ＝１９３ｎ
ｍ）を照射する方法が提案されている。
方法として、スリニバサン（５ｒｉｎｉｖａｓａｎ）に
より、有機物にフッ化アルゴンレーザ光（λ＝１９３ｎ
ｍ）を照射する方法が提案されている。
ハ′１Ｉ３−ム−”ｌｌｃ／スｙ７ｓｌ）ＭＱ’、（Ｒ
、Ｓ ｒ ｉｎ １ｖａｓａｎ 、 Ｊ 。
、Ｓ ｒ ｉｎ １ｖａｓａｎ 、 Ｊ 。
ｖａｃ 、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ 、 ８１
９２３ （１９８３）この方法は、空気中で有機物にフ
ッ化アルゴンレーザ光を照射し、被照射領域の有機物を
分解し蒸発せしめるもので、この現象はレジスト膜の除
去に応用し得る。しかしながら、レジスト膜の除去番こ
適用した場合、 −（υ λ＝１９３ｎｍの光ではゲート酸化膜内に中性
子トラップを生じる。（第６回ドライ≠プロセスシンポ
ジウム： （Ｍ 、 ５ｅｋｉｎｅ ｅｔａｌ 、 Ｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｏｆ ６ｔｈ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｆ Ｄｒｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ 、 Ｔｏｋｙ。
９２３ （１９８３）この方法は、空気中で有機物にフ
ッ化アルゴンレーザ光を照射し、被照射領域の有機物を
分解し蒸発せしめるもので、この現象はレジスト膜の除
去に応用し得る。しかしながら、レジスト膜の除去番こ
適用した場合、 −（υ λ＝１９３ｎｍの光ではゲート酸化膜内に中性
子トラップを生じる。（第６回ドライ≠プロセスシンポ
ジウム： （Ｍ 、 ５ｅｋｉｎｅ ｅｔａｌ 、 Ｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｏｆ ６ｔｈ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｆ Ｄｒｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ 、 Ｔｏｋｙ。
（１１）空気中で照射した部分には分解物が再付着し、
完全に除去し得ない。− 等の難点を残していた。
完全に除去し得ない。− 等の難点を残していた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、下地の基
板に悪影響を与えることなく有機物を灰化することを特
徴とする特に半導体基板に悪影響を与えることなく、レ
ジスト膜を灰化することを目的とする。
板に悪影響を与えることなく有機物を灰化することを特
徴とする特に半導体基板に悪影響を与えることなく、レ
ジスト膜を灰化することを目的とする。
そこで、本発明は、減圧（Ｉ Ｔｏｒｒ以下）下におい
て紫外レーザ光を照射した場合、分解物の再付着はなく
、完全に除去し得る点番ζ着目してなされたもので、有
機物に対し、減圧下で紫外レーザ光を照射することによ
り、該有機物を灰化せしめるようｌこしたものである。
て紫外レーザ光を照射した場合、分解物の再付着はなく
、完全に除去し得る点番ζ着目してなされたもので、有
機物に対し、減圧下で紫外レーザ光を照射することによ
り、該有機物を灰化せしめるようｌこしたものである。
更に、フッ化クリプトンレーザ光を減圧下で照射するこ
とにより中性子トラップの発生も抑えることができる。
とにより中性子トラップの発生も抑えることができる。
すなわち、例えば、除去すべきレジスト膜を有する半導
体基板を真空容器中に配置し、フッ化りＩＪ ７’ ｌ
−ンレーザ光を照射することにより、該レジスト膜を除
去するようにしている。
体基板を真空容器中に配置し、フッ化りＩＪ ７’ ｌ
−ンレーザ光を照射することにより、該レジスト膜を除
去するようにしている。
上記構成により、分解物は再付着することなく、完全に
除去することができる。
除去することができる。
また、波長λ＝２４９ｎｍのフッ化クリプトンレーザ光
は、熱酸化膜には全く吸収されないため、中性子トラッ
プを発生することなくレジスト膜を完全に除去すること
が可能となる。
は、熱酸化膜には全く吸収されないため、中性子トラッ
プを発生することなくレジスト膜を完全に除去すること
が可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明実施例のレジストパターンの灰化方法
に使用される装置の概要を示す図である。
に使用される装置の概要を示す図である。
この装置は、透光性の石英板のはめこまれた窓１を有す
ると共にバルブ２を介して真空ポンプ３に接続された真
空室４と、該窓１の方向にフッ化クリプトンレーザ光５
を照射せしめるように配設されたエキシマレーザ６と力
掲なるもので、前記真空室４内には、前記窓１から入射
せしめられるフッ化クリプトンレーザ光５を効率良く受
光できるように、試料７を載置せしめる試料台８が配置
されている。
ると共にバルブ２を介して真空ポンプ３に接続された真
空室４と、該窓１の方向にフッ化クリプトンレーザ光５
を照射せしめるように配設されたエキシマレーザ６と力
掲なるもので、前記真空室４内には、前記窓１から入射
せしめられるフッ化クリプトンレーザ光５を効率良く受
光できるように、試料７を載置せしめる試料台８が配置
されている。
前記試料７は、第２図に示す如く、所望の半導体領域の
形成されたシリコン基板７１上ｔこ形成されたタンタル
（Ｔａ）薄膜７２上に更にポリメチルメタクリレート（
ＰＭＭＡ）からなるレジストパターン７３を形成し、こ
のレジストパターンをマスクとして、反応性イオンエツ
チング法により、前記タンタル薄膜７２を選択的に除去
する工程を経たものである。この反応性イオンエツチン
グ工程は３弗化メタン（ＣＨＦｓ）ガスを用いて、０．
ＩＴｏｒｒで行うものとする。
形成されたシリコン基板７１上ｔこ形成されたタンタル
（Ｔａ）薄膜７２上に更にポリメチルメタクリレート（
ＰＭＭＡ）からなるレジストパターン７３を形成し、こ
のレジストパターンをマスクとして、反応性イオンエツ
チング法により、前記タンタル薄膜７２を選択的に除去
する工程を経たものである。この反応性イオンエツチン
グ工程は３弗化メタン（ＣＨＦｓ）ガスを用いて、０．
ＩＴｏｒｒで行うものとする。
レジストパターン７３を灰化除去するに際しては、まず
、上記工程を経た試料７を第１図に示したように、試料
台８に載置し、バルブ２を開き、真空ポンプ３によって
真空室４を真空排気する。
、上記工程を経た試料７を第１図に示したように、試料
台８に載置し、バルブ２を開き、真空ポンプ３によって
真空室４を真空排気する。
この後、エキシマレーザ６から波長λ＝２４９ｎｍのフ
ッ化クリプトンレーザ光５を照射し、レジストパターン
７３を除去する。
ッ化クリプトンレーザ光５を照射し、レジストパターン
７３を除去する。
このときのレジストパターン７３の膜減りとフッ化クリ
プトンレーザ光５による照射エネルギーとの関係を第３
図の曲線ａに示す。図中、縦軸はレジストパターンの膜
厚（μｍ）を表わし、横軸は、除去に要した照射エネル
ギー（Ｊ／ｃＩｄ）を表わす。
プトンレーザ光５による照射エネルギーとの関係を第３
図の曲線ａに示す。図中、縦軸はレジストパターンの膜
厚（μｍ）を表わし、横軸は、除去に要した照射エネル
ギー（Ｊ／ｃＩｄ）を表わす。
比較のために、前記反応性イオンエツチング工程を経る
前のレジストパターンすなわち無処理のレジストパター
ン、および反応性イオンエツチング工程に代えて、該レ
ジストパターンを介してボロン（Ｂ）のイオン注入工程
を経たレジストパターンの灰化を同様にしてフッ化クリ
プトンレーザ光５の照射によって行った場合の膜減りと
照射エネルギーとの関係を夫々、曲線す、ｃで示す。
前のレジストパターンすなわち無処理のレジストパター
ン、および反応性イオンエツチング工程に代えて、該レ
ジストパターンを介してボロン（Ｂ）のイオン注入工程
を経たレジストパターンの灰化を同様にしてフッ化クリ
プトンレーザ光５の照射によって行った場合の膜減りと
照射エネルギーとの関係を夫々、曲線す、ｃで示す。
これらの比較からも明らかなように、夫々反応性イオン
エツチング工程、イオン注入工程を経て除去しにくかっ
たレジストパターンも本発明の方法によれば、無処理の
レジストパターンに比べて大幅には劣ることなく、速く
除去し得ることがわかる。
エツチング工程、イオン注入工程を経て除去しにくかっ
たレジストパターンも本発明の方法によれば、無処理の
レジストパターンに比べて大幅には劣ることなく、速く
除去し得ることがわかる。
また、除去後の試料−こ対して緒特性を測定した結果、
各半導体領域は良好な状態で維持されており、中性子ト
ラップ等の発生もなかつたことがわかった。
各半導体領域は良好な状態で維持されており、中性子ト
ラップ等の発生もなかつたことがわかった。
なお、実施例ではポリメチルメタクリレート力）らなる
レジストパターンの除去について説明したが、必ずしも
これに限定されるものではなく、他の有機高分子膜等に
も適用可能である。
レジストパターンの除去について説明したが、必ずしも
これに限定されるものではなく、他の有機高分子膜等に
も適用可能である。
また、本発明の方法は、半導体工業におけるレジストの
除去のみならず、有機物中の微量不純物元素の定性分析
等にも適用可能であり、このとき、該微量不純物元素は
酸化物としてではなく単体として収集できるため、極め
て作業効率を向上せしめることが可能となる。
除去のみならず、有機物中の微量不純物元素の定性分析
等にも適用可能であり、このとき、該微量不純物元素は
酸化物としてではなく単体として収集できるため、極め
て作業効率を向上せしめることが可能となる。
第１図は、本発明実施例のレジストパターンの除去方法
で用いられる装置の概要を示す図、第２図は、試料を示
す断面図、第３図は、本発明実施例のレジストパターン
の除去方法における除去膜厚と照射エネルギーとの関係
を示す図、第４図は従来のレジストパターン除去方法（
プラズマエツチング法）で用いられる装置の概要を示す
図である。 １０１・処理室、１０２・・・真空ポンプ、１０３・−
・第１の電極、１０３′・・・第２の電極、１０４・・
・マツチング回路、１０５・・・高周波発振器、１０６
・・・ガス導入系、 １・−窓、２・・・バルブ、３・・・真空ポンプ、４・
・・真空室、５・−フッ化クリプトンレーザ光、６・・
・エキシマレーザ、７・・・試料、８・・・試料台、７
１・・・シリコン基板、７２・・・タンタル薄膜、７３
・・・レジストパターン。 ａ・・・反応性イオンエツチング後のレジストパターン
の除去を示す曲線 ｂ・・・無処理のレジストパターンの除去を示す曲線 Ｃ・・・イオン注入後のレジストパターンの除去を示す
曲線。 第１図 第２ 図 第３図 詭ｆｆｔ（衿ｍ２ ）
で用いられる装置の概要を示す図、第２図は、試料を示
す断面図、第３図は、本発明実施例のレジストパターン
の除去方法における除去膜厚と照射エネルギーとの関係
を示す図、第４図は従来のレジストパターン除去方法（
プラズマエツチング法）で用いられる装置の概要を示す
図である。 １０１・処理室、１０２・・・真空ポンプ、１０３・−
・第１の電極、１０３′・・・第２の電極、１０４・・
・マツチング回路、１０５・・・高周波発振器、１０６
・・・ガス導入系、 １・−窓、２・・・バルブ、３・・・真空ポンプ、４・
・・真空室、５・−フッ化クリプトンレーザ光、６・・
・エキシマレーザ、７・・・試料、８・・・試料台、７
１・・・シリコン基板、７２・・・タンタル薄膜、７３
・・・レジストパターン。 ａ・・・反応性イオンエツチング後のレジストパターン
の除去を示す曲線 ｂ・・・無処理のレジストパターンの除去を示す曲線 Ｃ・・・イオン注入後のレジストパターンの除去を示す
曲線。 第１図 第２ 図 第３図 詭ｆｆｔ（衿ｍ２ ）
Claims (2)
- （１）減圧下で紫外レーザ光を有機物に照射することに
より、該有機物を灰化せしめるようにしたことを特徴と
する有機物の灰化方法。 - （２）前記紫外レーザ光はフッ化クリプトン光（λ＝２
４９ｎｍ）であることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の有機物の灰化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59278670A JPH0727887B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 有機物の灰化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59278670A JPH0727887B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 有機物の灰化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61152018A true JPS61152018A (ja) | 1986-07-10 |
| JPH0727887B2 JPH0727887B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17600522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59278670A Expired - Lifetime JPH0727887B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 有機物の灰化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727887B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151022A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ン耐性向上方法 |
| JPH02288332A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-28 | Galram Technol Ind Ltd | 半導体ウェーハからパターンが描かれた焼成後のフォトレジスト層を除去する方法 |
| JP2012149576A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | エンジンシステム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969931A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-20 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ポリイミドを遠紫外線で食刻する方法 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP59278670A patent/JPH0727887B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969931A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-20 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ポリイミドを遠紫外線で食刻する方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151022A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ン耐性向上方法 |
| JPH02288332A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-28 | Galram Technol Ind Ltd | 半導体ウェーハからパターンが描かれた焼成後のフォトレジスト層を除去する方法 |
| JP2012149576A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | エンジンシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727887B2 (ja) | 1995-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0714119B1 (en) | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process | |
| US9466502B2 (en) | Line width roughness improvement with noble gas plasma | |
| US4950498A (en) | Process for repairing pattern film | |
| JPS5969931A (ja) | ポリイミドを遠紫外線で食刻する方法 | |
| JPS61152018A (ja) | 有機物の灰化方法 | |
| US6265138B1 (en) | Process and apparatus for oblique beam revolution, for the effective laser stripping of sidewalls | |
| JPS5936257B2 (ja) | レジスト材料の剥離方法 | |
| JPS6032322A (ja) | レジスト膜除去装置 | |
| JPH04171918A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03131024A (ja) | 半導体のエッチング方法 | |
| JP3034259B2 (ja) | 有機化合物膜の除去方法 | |
| JPH0573052B2 (ja) | ||
| JP2623672B2 (ja) | エッチング加工方法 | |
| JP2966036B2 (ja) | エッチングパターンの形成方法 | |
| JPS6191930A (ja) | 半導体基板の清浄方法 | |
| JP3520312B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2565740B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH05136097A (ja) | 微細加工方法および微細加工装置 | |
| JPS6132523A (ja) | 有機膜の除去方法 | |
| JP3078164B2 (ja) | 微細加工方法 | |
| JP2699196B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| KR940020475A (ko) | 패턴형성방법 및 그 장치(pattern forming method and apparatus the same) | |
| JP2000100800A (ja) | 有機化合物膜の除去方法 | |
| JP2709175B2 (ja) | エッチングパターンの形成方法 | |
| JPH0483330A (ja) | 半導体装置の製造方法 |