JPH01253922A - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
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- JPH01253922A JPH01253922A JP8155088A JP8155088A JPH01253922A JP H01253922 A JPH01253922 A JP H01253922A JP 8155088 A JP8155088 A JP 8155088A JP 8155088 A JP8155088 A JP 8155088A JP H01253922 A JPH01253922 A JP H01253922A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造過程の中で実施されるしシストパ
ターン形成工程におけるレジスト処理方法に関するもの
である。
ターン形成工程におけるレジスト処理方法に関するもの
である。
従来の技術
近年、半導体デバイスは集積化が進み、暗室工程におい
てら、より微細なパターン形成が要求されている。この
ような要求を満たしたレジストノ（ターンを形成するた
め、従来は第３図に示すような工程によってレジストパ
ターンを形成して−１な。
てら、より微細なパターン形成が要求されている。この
ような要求を満たしたレジストノ（ターンを形成するた
め、従来は第３図に示すような工程によってレジストパ
ターンを形成して−１な。
まず、同図（ａ）の如く被エツチング物２１の表面にフ
ォトレジスト２２を塗布し、次に同図（ｂ）の如くマス
ク２３を用いてフォトレジスト２２を所望のパターンに
露光、現像する。ここで、マスク２３のパターン寸法が
小さくなるに従％、％、露光時の解像度によって現像の
際に未現像部分２４を生じる。そこで、同図（Ｃ）の如
（、一般に用ν）られでいるドライエツチング装置を用
いて０２プラズマ２５によって異方性エツチングを行＋
１１、未現像部分２４を除去し、同図（ｄ）の如し適正
なレジストパターンを形成していた。この露光、現像後
のフォトレジスト２２のエツチング処理を以降デイスカ
ム処理と呼ぶ。このデイスカム処理後、ホットプレート
、ベーク炉による加熱や、紫外線照射等の後処理により
フォトレジスト２２を硬化させている。
ォトレジスト２２を塗布し、次に同図（ｂ）の如くマス
ク２３を用いてフォトレジスト２２を所望のパターンに
露光、現像する。ここで、マスク２３のパターン寸法が
小さくなるに従％、％、露光時の解像度によって現像の
際に未現像部分２４を生じる。そこで、同図（Ｃ）の如
（、一般に用ν）られでいるドライエツチング装置を用
いて０２プラズマ２５によって異方性エツチングを行＋
１１、未現像部分２４を除去し、同図（ｄ）の如し適正
なレジストパターンを形成していた。この露光、現像後
のフォトレジスト２２のエツチング処理を以降デイスカ
ム処理と呼ぶ。このデイスカム処理後、ホットプレート
、ベーク炉による加熱や、紫外線照射等の後処理により
フォトレジスト２２を硬化させている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような方法では、デイスカム処理
後数時間から数日放置すると、熱処理の有無に関係なく
、第３図（ｅ）に示すように、フォトレジスト２２の抜
けた部分の被エツチング物２１上に円盤状の微粒子２６
（以降パーティクルと称す）が成長するという現象が
生ずることが判明した。このパーティクル２６は、デイ
スカム処理直後には存在せず、時間が経つとともに成長
する傾向を示す、そして、このパーティクル２６は被エ
ツチング物２１の加工の際に、エツチングマスクとして
作用することになり、エツチング残りを生ずるために問
題となる。
後数時間から数日放置すると、熱処理の有無に関係なく
、第３図（ｅ）に示すように、フォトレジスト２２の抜
けた部分の被エツチング物２１上に円盤状の微粒子２６
（以降パーティクルと称す）が成長するという現象が
生ずることが判明した。このパーティクル２６は、デイ
スカム処理直後には存在せず、時間が経つとともに成長
する傾向を示す、そして、このパーティクル２６は被エ
ツチング物２１の加工の際に、エツチングマスクとして
作用することになり、エツチング残りを生ずるために問
題となる。
本発明は上記問題点に鑑み、デイスカム処理後にパーテ
ィクルが成長することのないレジスト処理方法を提供す
ることを目的とする。
ィクルが成長することのないレジスト処理方法を提供す
ることを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明方法は被エツチング物
上にフォトレジストを塗布する工程、塗布したフォトレ
ジストを所望のパターンに露光現像する工程、現像した
フォトレジストの未現像部分を０２ガスとＮ２が大の混
合がス、又はＯ，ｙスと不活性ガスの混合がスを用いた
ガスブラにマにてエツチングする工程を有することを特
徴とする。
上にフォトレジストを塗布する工程、塗布したフォトレ
ジストを所望のパターンに露光現像する工程、現像した
フォトレジストの未現像部分を０２ガスとＮ２が大の混
合がス、又はＯ，ｙスと不活性ガスの混合がスを用いた
ガスブラにマにてエツチングする工程を有することを特
徴とする。
また、別の本発明方法は、０２ガスプラズマによってエ
ツチングした後、Ｎ、ｆｆス、不活性ガス、又はＮ２ガ
スによるガスプラズマにてエツチングする２ステツプの
エツチング工程を有することを特徴とする。
ツチングした後、Ｎ、ｆｆス、不活性ガス、又はＮ２ガ
スによるガスプラズマにてエツチングする２ステツプの
エツチング工程を有することを特徴とする。
作用
本発明は上記構成を有するので、Ｏｚｙスプラズマによ
るデイスカム処理の際に、炭素と水素から成るレジスト
の組成材料と反応しないＮ２がスや不活性ガスを混合し
て用いることにより、これらのガス粒子によって大きな
スパッタ効果が得られ、エツチング面に再付着したレジ
ストの未分解物を除去でき、その結果この未分解物を核
として大気中の酸素及び水分の影響で酸化成長するもの
と思われるパーティクルの発生を無くすことができる。
るデイスカム処理の際に、炭素と水素から成るレジスト
の組成材料と反応しないＮ２がスや不活性ガスを混合し
て用いることにより、これらのガス粒子によって大きな
スパッタ効果が得られ、エツチング面に再付着したレジ
ストの未分解物を除去でき、その結果この未分解物を核
として大気中の酸素及び水分の影響で酸化成長するもの
と思われるパーティクルの発生を無くすことができる。
また、０２ガスプラズマによるエツチングと、Ｎ２ガス
、不活性ガス、又はＨｚ７ｙスを用いたガスプラズマに
よるエツチングとを２ステツプに分けて行っても同様の
効果が得られる。
、不活性ガス、又はＨｚ７ｙスを用いたガスプラズマに
よるエツチングとを２ステツプに分けて行っても同様の
効果が得られる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第１図にレジスト処理工程を示す。まず、同図（ａ）に
示すように、例えば６インチのシリコン基板から成る被
エツチング物１の上にフォトレジスト２ （例えば、シ
プレ社、ＭＰＳ）を１μ鴫の厚さに塗布する０次に、同
図（ｂ）に示すように、マスク３を用いて所望のパター
ンを露光、現像する。
示すように、例えば６インチのシリコン基板から成る被
エツチング物１の上にフォトレジスト２ （例えば、シ
プレ社、ＭＰＳ）を１μ鴫の厚さに塗布する０次に、同
図（ｂ）に示すように、マスク３を用いて所望のパター
ンを露光、現像する。
その後、この露光、現像工程で発生した未現像部分４を
除去するため、次に同図（ｅ）に示すように、ガスプラ
ズマ５を用いてフォトレジスト２の全体を約１０００λ
エツチングする。
除去するため、次に同図（ｅ）に示すように、ガスプラ
ズマ５を用いてフォトレジスト２の全体を約１０００λ
エツチングする。
このエツチングに用いるエツチング装置の概略構成を示
す第２図において、１１は真空チャンバ、１２はガス導
入口、１３は排気口、１４は上部電極、１５は下部電極
である。上部電極１４は接地され、下部電極１５には高
周波型［１６にて１３゜５６ＭＨｚの高周波電圧が印加
される。
す第２図において、１１は真空チャンバ、１２はガス導
入口、１３は排気口、１４は上部電極、１５は下部電極
である。上部電極１４は接地され、下部電極１５には高
周波型［１６にて１３゜５６ＭＨｚの高周波電圧が印加
される。
そして、上記エツチングは、下部電極１５上に露光、現
像後の被エツチング物１を載置し、ガス導入ロ１２から
真空チャンバ１１内に０ｚｆｆスとＮ２γスの混合がス
（Ｎ２ガスを約１０ｖｏ１％混合したガス）を３０ｓｃ
ｃ跡導入し、真空チャンバ１１内の圧力を３５０ ＋ａ
Ｔ ｏｒｒにし、高周波電源１６よりｉｏｏｗの高周波
出力を印加して行った。尚、このエツチング処理中は上
下の電極１４．１５はともに４０°Ｃの一定温度になる
ように調整した。
像後の被エツチング物１を載置し、ガス導入ロ１２から
真空チャンバ１１内に０ｚｆｆスとＮ２γスの混合がス
（Ｎ２ガスを約１０ｖｏ１％混合したガス）を３０ｓｃ
ｃ跡導入し、真空チャンバ１１内の圧力を３５０ ＋ａ
Ｔ ｏｒｒにし、高周波電源１６よりｉｏｏｗの高周波
出力を印加して行った。尚、このエツチング処理中は上
下の電極１４．１５はともに４０°Ｃの一定温度になる
ように調整した。
又、エツチング中の反応生成物は排気口１３より除去し
た。
た。
このデイスカム処理後、第１図（ｄ）に示すように、被
エツチング物１をホットプレートで１６０℃に上昇させ
ながら、遠紫外ＩＩＡ６を全面に照射してレジスト２を
硬化させた。
エツチング物１をホットプレートで１６０℃に上昇させ
ながら、遠紫外ＩＩＡ６を全面に照射してレジスト２を
硬化させた。
以上の一連の処理工程の後、被エツチング物１を約２０
時間大気にさらした状態で放置し、放置後の被エツチン
グ物１の表面を光学顕微鏡を用いて調べたところパーテ
ィクルの成長は無かった。
時間大気にさらした状態で放置し、放置後の被エツチン
グ物１の表面を光学顕微鏡を用いて調べたところパーテ
ィクルの成長は無かった。
上記実施例では、デイスカム処理に０２ｆｆスとＮ２ガ
スの混合がスを用いた例を示したが、第２実施例として
、Ｎｚｙスに代えてＡｒ、ｆ７ス等の不活性がスを用い
て同様の処理を施したところ、同様にパーティクルの成
長は無かった。
スの混合がスを用いた例を示したが、第２実施例として
、Ｎｚｙスに代えてＡｒ、ｆ７ス等の不活性がスを用い
て同様の処理を施したところ、同様にパーティクルの成
長は無かった。
以上の実施例では、混合ガスを用いて１ステツプでデイ
スカム処理を行ったが、次に第３実施例として、０□ガ
スによって従来と同様にエツチングを行った後、Ｎ２ガ
スプラズマによるエツチングを行い、２ステツプのエツ
チング工程でデイスカムを処理を行った。
スカム処理を行ったが、次に第３実施例として、０□ガ
スによって従来と同様にエツチングを行った後、Ｎ２ガ
スプラズマによるエツチングを行い、２ステツプのエツ
チング工程でデイスカムを処理を行った。
この場合も、処理後大気にさらして放置しても被エツチ
ング物１の表面にパーティクルの成長は無かった。
ング物１の表面にパーティクルの成長は無かった。
また、上記第３実施例におけるＮ２ガスプラズマに代え
て、Ａｒガスプラズマ１こでエツチングを行ったが、こ
の場合も同様の効果が得られた。
て、Ａｒガスプラズマ１こでエツチングを行ったが、こ
の場合も同様の効果が得られた。
さらに、上記第３実施例におけるＮ２ｙスプラズマに代
えて、Ｎ２がスプラズマにてエツチングを行ったが、こ
の場合も同様の効果が得られた。
えて、Ｎ２がスプラズマにてエツチングを行ったが、こ
の場合も同様の効果が得られた。
発明の効果
本発明のレジスト処理方法によれば、以上のようにフォ
トレジストを露光、現像した後の未現像部分をプラズマ
エツチングする際に、０□がスとＮ２ガスの混合がス、
又は０２が又と不活性ガスの混合がスを用いることによ
ってエツチング後に成長するパーティクルの核を無くす
ことができ、パーティクルの発生を無くすことができ、
その後のエツチング加工でのトラブルを無くすことがで
きる。
トレジストを露光、現像した後の未現像部分をプラズマ
エツチングする際に、０□がスとＮ２ガスの混合がス、
又は０２が又と不活性ガスの混合がスを用いることによ
ってエツチング後に成長するパーティクルの核を無くす
ことができ、パーティクルの発生を無くすことができ、
その後のエツチング加工でのトラブルを無くすことがで
きる。
また、同様に０２ｆｆスプラズマによるエツチング後に
、Ｎ２ガス、不活性ガス、又はＮ２ｙスプラズマにより
エツチングを施すという２ステツプのエツチングによっ
てらパーティクルの発生を無くして、その後のエツチン
グ加工でのトラブルを無くすことができる。
、Ｎ２ガス、不活性ガス、又はＮ２ｙスプラズマにより
エツチングを施すという２ステツプのエツチングによっ
てらパーティクルの発生を無くして、その後のエツチン
グ加工でのトラブルを無くすことができる。
第１図午午−刑は本発明の一実施例のレジスト処理工程
の説明図、第２図はエツチング装置の概略構成図、第３
図＃戸柑モは従来例のレジスト処理工程の説明図である
。 １・・・・・・・・・被エツチング物 ２・・・・・・・・・フォトレジスト ３・・・・・・・・・マスク ４・・・・・・・・・未現像部分 ５・・・・・・・・・ガスプラズマ。 代理却υ弁理士 中尾敏男 はか１名 ３・・−マス２ 第２図 、１２
の説明図、第２図はエツチング装置の概略構成図、第３
図＃戸柑モは従来例のレジスト処理工程の説明図である
。 １・・・・・・・・・被エツチング物 ２・・・・・・・・・フォトレジスト ３・・・・・・・・・マスク ４・・・・・・・・・未現像部分 ５・・・・・・・・・ガスプラズマ。 代理却υ弁理士 中尾敏男 はか１名 ３・・−マス２ 第２図 、１２
Claims (5)
- （１）被エッチング物上にフォトレジストを塗布する工
程、塗布したフォトレジストを所望のパターンに露光現
像する工程、現像したフォトレジストの未現像部分をＯ
＿２ガスとＮ＿２ガスの混合ガスを用いたガスプラズマ
にてエッチングする工程を有するレジスト処理方法。 - （２）被エッチング物上にフォトレジストを塗布する工
程、塗布したフォトレジストを所望のパターンに露光現
像する工程、現像したフォトレジストの未現像部分をＯ
＿２ガスと不活性ガスの混合ガスを用いたガスプラズマ
にてエッチングする工程を有するレジスト処理方法。 - （３）被エッチング物上にフォトレジストを塗布する工
程、塗布したフォトレジストを所望のパターンに露光現
像する工程、現像したフォトレジストの未現像部分を、
Ｏ＿２ガスプラズマによってエッチングした後、Ｎ＿２
ガスプラズマによつてエッチングするエッチング工程を
有するレジスト処理方法。 - （４）被エッチング物上にフォトレジストを塗布する工
程、塗布したフォトレジストを所望のパターンに露光現
像する工程、現像したフォトレジストの未現像部分を、
Ｏ＿２ガスプラズマによってエッチングした後、不活性
ガスプラズマによってエッチングするエッチング工程を
有するレジスト処理方法。 - （５）被エッチング物上にフォトレジストを塗布する工
程、塗布したフォトレジストを所望のパターンに露光現
像する工程、現像したフォトレジストの未現像部分を、
Ｏ＿２ガスプラズマによってエッチングした後、Ｈ＿２
ガスプラズマによってエッチングするエッチング工程を
有するレジスト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081550A JP2722491B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081550A JP2722491B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253922A true JPH01253922A (ja) | 1989-10-11 |
| JP2722491B2 JP2722491B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=13749402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63081550A Expired - Fee Related JP2722491B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2722491B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008545271A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | ラム リサーチ コーポレーション | クリティカルディメンション低減およびピッチ低減のためのシステムおよび方法 |
| US8529728B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | System and method for critical dimension reduction and pitch reduction |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5449072A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Developing method for resist film |
| JPS59163826A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS6332925A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Tokyo Electron Ltd | アツシング装置 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63081550A patent/JP2722491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5449072A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Developing method for resist film |
| JPS59163826A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS6332925A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Tokyo Electron Ltd | アツシング装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2008545271A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | ラム リサーチ コーポレーション | クリティカルディメンション低減およびピッチ低減のためのシステムおよび方法 |
| US8529728B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | System and method for critical dimension reduction and pitch reduction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2722491B2 (ja) | 1998-03-04 |
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