JPH0822976A - 微細パターン形成用マスクの製造方法 - Google Patents
微細パターン形成用マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0822976A JPH0822976A JP6154659A JP15465994A JPH0822976A JP H0822976 A JPH0822976 A JP H0822976A JP 6154659 A JP6154659 A JP 6154659A JP 15465994 A JP15465994 A JP 15465994A JP H0822976 A JPH0822976 A JP H0822976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- pattern
- etching
- mask
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 化合物半導体薄膜の反応性イオンエッチング
による微細なパターン形成用のマスクの製造方法を提供
する。 【構成】 半導体薄膜１１の表面にシリコン酸化物薄膜
１２を被着させ、その上に被着させたレジスト膜１３の
表面にイオンビームによる描画を施す工程と、レジスト
膜１３を現像しリフトオフ用パターンを形成する工程
と、このパターンを含めて半導体薄膜１１の表面に所望
の金属薄膜１６を被着する工程と、前記パターン上の金
属薄膜１６をパターンと共に除去する工程と、前記金属
薄膜１６をエッチングマスクとして、弗素を含むガスと
水素ガスによる反応性イオンエッチングによって金属薄
膜１６の一部とシリコン酸化物薄膜１２のエッチングと
を同時に行う工程を順次経ることにより形成する。
による微細なパターン形成用のマスクの製造方法を提供
する。 【構成】 半導体薄膜１１の表面にシリコン酸化物薄膜
１２を被着させ、その上に被着させたレジスト膜１３の
表面にイオンビームによる描画を施す工程と、レジスト
膜１３を現像しリフトオフ用パターンを形成する工程
と、このパターンを含めて半導体薄膜１１の表面に所望
の金属薄膜１６を被着する工程と、前記パターン上の金
属薄膜１６をパターンと共に除去する工程と、前記金属
薄膜１６をエッチングマスクとして、弗素を含むガスと
水素ガスによる反応性イオンエッチングによって金属薄
膜１６の一部とシリコン酸化物薄膜１２のエッチングと
を同時に行う工程を順次経ることにより形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細なパターンを化合物
半導体薄膜に形成するための微細パターン形成用マスク
の製造方法に関するものである。
半導体薄膜に形成するための微細パターン形成用マスク
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体薄膜をエッチングす
る方法としては、有機物からなるレジストをスピンコー
トなどの方法により塗布し、紫外線や電子ビーム、イオ
ンビームなどにより露光した後、現像することにより、
レジストの形で所望のパターンを得たのち、エッチング
液を用いた化学エッチングや、反応性イオンエッチング
により、レジストをマスクにしてレジストのない部分を
エッチングする事により化合物半導体薄膜のエッチング
を行なっている。
る方法としては、有機物からなるレジストをスピンコー
トなどの方法により塗布し、紫外線や電子ビーム、イオ
ンビームなどにより露光した後、現像することにより、
レジストの形で所望のパターンを得たのち、エッチング
液を用いた化学エッチングや、反応性イオンエッチング
により、レジストをマスクにしてレジストのない部分を
エッチングする事により化合物半導体薄膜のエッチング
を行なっている。
【０００３】一方、電極や配線パターンの製造方法とし
てリフトオフ法が知られている。リフトオフ法は、ま
ず、半導体薄膜の所望のパターンと逆の配置でレジスト
を露光、現像する。次に、電極材料を真空蒸着などの方
法によりレジストの上に被着させる。このとき、電極材
料の膜厚はレジストの膜厚より薄くすることが必要であ
る。続いて、レジストを溶解させることにより、レジス
トと共にレジストの上に被着した電極材料を除去する。
これにより電極パターンが得られる。
てリフトオフ法が知られている。リフトオフ法は、ま
ず、半導体薄膜の所望のパターンと逆の配置でレジスト
を露光、現像する。次に、電極材料を真空蒸着などの方
法によりレジストの上に被着させる。このとき、電極材
料の膜厚はレジストの膜厚より薄くすることが必要であ
る。続いて、レジストを溶解させることにより、レジス
トと共にレジストの上に被着した電極材料を除去する。
これにより電極パターンが得られる。
【０００４】高精度な微細加工を行なうために、リフト
オフによりレジストパターンを金属薄膜に転写した後、
金属薄膜をマスクとして反応性イオンエッチングにより
エッチングする方法がある。
オフによりレジストパターンを金属薄膜に転写した後、
金属薄膜をマスクとして反応性イオンエッチングにより
エッチングする方法がある。
【０００５】ところで、集束イオンビームによるレジス
トの露光では電子ビームによるレジスト露光と比較した
場合、前方および後方散乱による近接効果の影響を受け
にくいためレジストに微細なパターンを描画するのに都
合がよい。しかし、被加工物質となる化合物半導体薄膜
までイオンが到達すると、化合物半導体薄膜に損傷を与
える恐れがあるためレジストと加工すべき半導体薄膜の
間にＳｉＯ2膜などで形成された緩衝膜がはさまれる。
トの露光では電子ビームによるレジスト露光と比較した
場合、前方および後方散乱による近接効果の影響を受け
にくいためレジストに微細なパターンを描画するのに都
合がよい。しかし、被加工物質となる化合物半導体薄膜
までイオンが到達すると、化合物半導体薄膜に損傷を与
える恐れがあるためレジストと加工すべき半導体薄膜の
間にＳｉＯ2膜などで形成された緩衝膜がはさまれる。
【０００６】集束イオンビームを用いた半導体薄膜のエ
ッチング方法として、半導体薄膜の上にＳｉＯ2薄膜、
アルミニウム薄膜、ネガレジストを順に被着して、まず
ネガレジストを集束イオンビームにより露光した後、レ
ジストをマスクにしてＢＣｌ 3ガスを用いた反応性イオ
ンエッチングによりアルミニウム薄膜をエッチングし、
次にアルミニウム薄膜をマスクにしてＣＨＦ3ガスを用
いた反応性イオンエッチングによりＳｉＯ2薄膜をエッ
チングし、最後に半導体薄膜をＳｉＯ2薄膜をマスクに
して反応性イオンビームエッチングする方法がある。
ッチング方法として、半導体薄膜の上にＳｉＯ2薄膜、
アルミニウム薄膜、ネガレジストを順に被着して、まず
ネガレジストを集束イオンビームにより露光した後、レ
ジストをマスクにしてＢＣｌ 3ガスを用いた反応性イオ
ンエッチングによりアルミニウム薄膜をエッチングし、
次にアルミニウム薄膜をマスクにしてＣＨＦ3ガスを用
いた反応性イオンエッチングによりＳｉＯ2薄膜をエッ
チングし、最後に半導体薄膜をＳｉＯ2薄膜をマスクに
して反応性イオンビームエッチングする方法がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】集束イオンビームを用
いてレジストを露光する場合、露光されたパターンの大
きさはイオンビームのビーム径に依存するため、ビーム
径よりも小さなパターンを形成することは難しい。ビー
ム径は直径0.05〜0.1μｍであるので、例えば線幅0.04
μｍという微細なパターンを形成することはむずかし
い。 リフトオフによりレジストパターンを金属薄膜に
転写した後、金属薄膜をマスクとして反応性イオンエッ
チングによりエッチングする方法においても、露光され
たレジストパターンの線幅は集束イオンビームのビーム
径に依存し、先ほど述べた微細なパターンを形成するこ
とは難しい。
いてレジストを露光する場合、露光されたパターンの大
きさはイオンビームのビーム径に依存するため、ビーム
径よりも小さなパターンを形成することは難しい。ビー
ム径は直径0.05〜0.1μｍであるので、例えば線幅0.04
μｍという微細なパターンを形成することはむずかし
い。 リフトオフによりレジストパターンを金属薄膜に
転写した後、金属薄膜をマスクとして反応性イオンエッ
チングによりエッチングする方法においても、露光され
たレジストパターンの線幅は集束イオンビームのビーム
径に依存し、先ほど述べた微細なパターンを形成するこ
とは難しい。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、化合物半導体薄膜に微細なパターンを形成する
ためのエッチングを可能とする微細パターン形成用マス
クの製造方法を提供することにある。
であり、化合物半導体薄膜に微細なパターンを形成する
ためのエッチングを可能とする微細パターン形成用マス
クの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の微細パターン形
成用マスクの製造方法は、化合物半導体薄膜の表面にシ
リコン酸化物薄膜及びレジスト膜を順次形成する工程
と、前記レジスト膜の表面にイオンビームによる描画を
施す工程と、前記レジスト膜を現像してリフトオフ用パ
ターンを形成する工程と、前記パターン及び前記シリコ
ン酸化物薄膜の表面に金属薄膜を被着する工程と、前記
パターン上の金属薄膜をパターンと共に除去する工程
と、残存した前記金属薄膜をエッチングマスクとして、
弗素を含むガスと水素ガスの混合ガスによる反応性イオ
ンエッチングによって前記金属薄膜の一部と前記酸化物
薄膜のエッチングとを同時に行う工程を有する構成とな
っている。
成用マスクの製造方法は、化合物半導体薄膜の表面にシ
リコン酸化物薄膜及びレジスト膜を順次形成する工程
と、前記レジスト膜の表面にイオンビームによる描画を
施す工程と、前記レジスト膜を現像してリフトオフ用パ
ターンを形成する工程と、前記パターン及び前記シリコ
ン酸化物薄膜の表面に金属薄膜を被着する工程と、前記
パターン上の金属薄膜をパターンと共に除去する工程
と、残存した前記金属薄膜をエッチングマスクとして、
弗素を含むガスと水素ガスの混合ガスによる反応性イオ
ンエッチングによって前記金属薄膜の一部と前記酸化物
薄膜のエッチングとを同時に行う工程を有する構成とな
っている。
【００１０】
【作用】本発明による微細パターン形成用マスクの製造
方法では金属薄膜をマスクとして弗素を含むガスと水素
ガスの混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによ
り、酸化物薄膜あるいは窒化物薄膜のエッチングを行
う。また、水素ガスを含有するエッチングガスを利用し
てエッッチングを行った後に、弗素を含有するエッチン
グガスを利用してエッチングを行っている。
方法では金属薄膜をマスクとして弗素を含むガスと水素
ガスの混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによ
り、酸化物薄膜あるいは窒化物薄膜のエッチングを行
う。また、水素ガスを含有するエッチングガスを利用し
てエッッチングを行った後に、弗素を含有するエッチン
グガスを利用してエッチングを行っている。
【００１１】従って、台形上の形状にストライプパター
ンを形成した後、特に酸化物薄膜のエッチングがさらに
進み、垂直な断面を持つ形状に加工で、集束イオンビー
ムのビーム径よりも細いパターンの微細パターン形成用
マスクが製造できる。
ンを形成した後、特に酸化物薄膜のエッチングがさらに
進み、垂直な断面を持つ形状に加工で、集束イオンビー
ムのビーム径よりも細いパターンの微細パターン形成用
マスクが製造できる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例における微細パターン
形成用マスクの製造方法について図面を参照しながら説
明する。図１は、本実施例の微細パターン形成用マスク
の製造方法の工程図を示したものである。
形成用マスクの製造方法について図面を参照しながら説
明する。図１は、本実施例の微細パターン形成用マスク
の製造方法の工程図を示したものである。
【００１３】まず、図１（１）及び（２）に示すよう
に、微細な加工をほどこすべき半導体薄膜試料として、
分子線エピタキシー法でＧａＡｓ基板１０上に膜厚0.8
μｍのＺｎＳｅ薄膜１１を形成する。次に、スパッタリ
ング法あるいはＣＶＤ法などの薄膜作製方法でＳｉＯ2
薄膜１２をＺｎＳｅ薄膜１１上に0.4μｍ０の厚みで被
覆し、さらにポジ型のＰＭＭＡレジスト１３を膜厚0.14
μｍの厚みで被覆する。
に、微細な加工をほどこすべき半導体薄膜試料として、
分子線エピタキシー法でＧａＡｓ基板１０上に膜厚0.8
μｍのＺｎＳｅ薄膜１１を形成する。次に、スパッタリ
ング法あるいはＣＶＤ法などの薄膜作製方法でＳｉＯ2
薄膜１２をＺｎＳｅ薄膜１１上に0.4μｍ０の厚みで被
覆し、さらにポジ型のＰＭＭＡレジスト１３を膜厚0.14
μｍの厚みで被覆する。
【００１４】次に図１（３）に示すように、レジスト膜
１３表面にＡｕ−Ｓｉ−Ｂｅイオン源から得られるイオ
ンエネルギー200keVの２価のＢｅイオンの集束イオンビ
ームを照射する。この時、イオンのドーズ量は１０12/c
m2〜１０13/cm2とした。図１において、１４は集束イオ
ンビームを照射した領域である。
１３表面にＡｕ−Ｓｉ−Ｂｅイオン源から得られるイオ
ンエネルギー200keVの２価のＢｅイオンの集束イオンビ
ームを照射する。この時、イオンのドーズ量は１０12/c
m2〜１０13/cm2とした。図１において、１４は集束イオ
ンビームを照射した領域である。
【００１５】次に図１（４）、（５）に示すように、専
用の現像液を用いて現像することにより、イオンビーム
を照射した領域１４を溶解させた。その後リンスをし、
170度で10分間熱処理を行うことにより、線幅0.14μｍ
のレジストパターンが得られた。さらに、真空蒸着によ
って膜厚50ｎｍのアルミニウムを金属薄膜としてレジス
ト上に被着させる。レジスト膜上のアルミニウムをアセ
トンを用いてリフトオフし、線幅0.14μｍのアルミニウ
ムのパターンを得た。
用の現像液を用いて現像することにより、イオンビーム
を照射した領域１４を溶解させた。その後リンスをし、
170度で10分間熱処理を行うことにより、線幅0.14μｍ
のレジストパターンが得られた。さらに、真空蒸着によ
って膜厚50ｎｍのアルミニウムを金属薄膜としてレジス
ト上に被着させる。レジスト膜上のアルミニウムをアセ
トンを用いてリフトオフし、線幅0.14μｍのアルミニウ
ムのパターンを得た。
【００１６】次に図１（６）に示すように、一対の対向
電極を持つ平行平板型の反応性イオンエッチング装置を
用いて、反応性ガスを４弗化炭素と水素の混合ガスで構
成し、四弗化炭素ガスのガス圧を４パスカル、水素ガス
のガス圧を１パスカル、高周波電力密度を0.1W/ｃｍ2と
して１０分間エッチングを行った。このときＳｉＯ2薄
膜１２のストライプパターンが得られ、断面は台形状で
上底0.04μｍ、下底0.14μｍ、段差0.4μｍであった。
電極を持つ平行平板型の反応性イオンエッチング装置を
用いて、反応性ガスを４弗化炭素と水素の混合ガスで構
成し、四弗化炭素ガスのガス圧を４パスカル、水素ガス
のガス圧を１パスカル、高周波電力密度を0.1W/ｃｍ2と
して１０分間エッチングを行った。このときＳｉＯ2薄
膜１２のストライプパターンが得られ、断面は台形状で
上底0.04μｍ、下底0.14μｍ、段差0.4μｍであった。
【００１７】続いて図１（７）に示すように、水素ガス
の供給を止めて四弗化炭素ガスのガス圧を４パスカルと
して１分間エッチングを行った。このとき線幅0.04μｍ
で高さ0.4μｍのＳｉＯ2１２のマスクがＺｎＳｅ薄膜１
１上に形成された。
の供給を止めて四弗化炭素ガスのガス圧を４パスカルと
して１分間エッチングを行った。このとき線幅0.04μｍ
で高さ0.4μｍのＳｉＯ2１２のマスクがＺｎＳｅ薄膜１
１上に形成された。
【００１８】上記の図１の（５）、（６）、（７）の工
程について、図２を参照しながら詳細に説明する。
程について、図２を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】図２（ａ）に示すように、シリコン酸化膜
１２上に金属薄膜であるアルミニウム１６が形成された
後、水素ガスをエッチングガスに含むエッチングを行
う。その際、第２図（ｂ）に示すように金属薄膜の上面
よりも頂点におけるエッチング速度が速くなり、角が徐
々にとれていくようにエッチングされる。このようにエ
ッチングされる理由については、水素イオンによるスパ
ッタリング作用によりエッチングされるものと考えられ
る。
１２上に金属薄膜であるアルミニウム１６が形成された
後、水素ガスをエッチングガスに含むエッチングを行
う。その際、第２図（ｂ）に示すように金属薄膜の上面
よりも頂点におけるエッチング速度が速くなり、角が徐
々にとれていくようにエッチングされる。このようにエ
ッチングされる理由については、水素イオンによるスパ
ッタリング作用によりエッチングされるものと考えられ
る。
【００２０】次に、弗素を含むガスにより酸化物薄膜あ
るいは窒化物薄膜のエッチングが進むとともに金属薄膜
のエッチングも進み、やがては第２図（ｃ）（ｄ）に示
すような形状にエッチングされ、金属薄膜の線幅が初期
の状態よりも細くなる。このような形状になると、マス
クされる所が狭くなり、エッチングされた酸化物薄膜あ
るいは窒化物薄膜の線幅は初期の状態より細くなる。
るいは窒化物薄膜のエッチングが進むとともに金属薄膜
のエッチングも進み、やがては第２図（ｃ）（ｄ）に示
すような形状にエッチングされ、金属薄膜の線幅が初期
の状態よりも細くなる。このような形状になると、マス
クされる所が狭くなり、エッチングされた酸化物薄膜あ
るいは窒化物薄膜の線幅は初期の状態より細くなる。
【００２１】さらに、エッチング途中で水素ガスの供給
をやめて、弗素を含むガスでエッチングすることによ
り、酸化物薄膜のエッチングがさらに進み、第２図
（ｅ）に示すような垂直な断面を持つ形状に加工でき
る。従って、集束イオンビームのビーム径よりも細いパ
ターンの微細パターン形成用マスクが製造できる。
をやめて、弗素を含むガスでエッチングすることによ
り、酸化物薄膜のエッチングがさらに進み、第２図
（ｅ）に示すような垂直な断面を持つ形状に加工でき
る。従って、集束イオンビームのビーム径よりも細いパ
ターンの微細パターン形成用マスクが製造できる。
【００２２】最後にに図１（８）に示すように、上記の
マスクを用いて、メタンガスと水素ガスの混合ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより、ＺｎＳｅ薄膜１１
のエッチングを行った所、線幅0.04μｍで段差0.4μ
ｍ、アスペクト比１０の微細加工ができた。
マスクを用いて、メタンガスと水素ガスの混合ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより、ＺｎＳｅ薄膜１１
のエッチングを行った所、線幅0.04μｍで段差0.4μ
ｍ、アスペクト比１０の微細加工ができた。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
集束イオンビームによるエッチングだけでなく、反応性
イオンエッチングを用いてマスクを形成することによ
り、非常に微細なパターン形成用マスクを製造すること
ができ、化合物半導体薄膜の微細な加工が可能となる。
集束イオンビームによるエッチングだけでなく、反応性
イオンエッチングを用いてマスクを形成することによ
り、非常に微細なパターン形成用マスクを製造すること
ができ、化合物半導体薄膜の微細な加工が可能となる。
【図１】本発明における微細パターン形成用マスクの製
造方法の工程図
造方法の工程図
【図２】本発明の反応性イオンエッチング工程の概略図
１０ 基板 １１ 化合物半導体薄膜 １２ シリコン酸化物薄膜 １３ レジスト １４ イオンビーム照射領域 １５ イオンビーム非照射領域 １６ 金属薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５５１
Claims (1)
- 【請求項１】化合物半導体薄膜の表面にシリコン酸化物
薄膜及びレジスト膜を順次形成する工程と、前記レジス
ト膜の表面にイオンビームによる描画を施す工程と、前
記レジスト膜を現像してリフトオフ用パターンを形成す
る工程と、前記パターン及び前記シリコン酸化物薄膜の
表面に金属薄膜を被着する工程と、前記パターン上の金
属薄膜をパターンと共に除去する工程と、残存した前記
金属薄膜をエッチングマスクとして、弗素を含むガスと
水素ガスの混合ガスによる反応性イオンエッチングによ
って前記金属薄膜の一部と前記酸化物薄膜のエッチング
とを同時に行う工程を有する微細パターン形成用マスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6154659A JPH0822976A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 微細パターン形成用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6154659A JPH0822976A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 微細パターン形成用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822976A true JPH0822976A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15589081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6154659A Pending JPH0822976A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 微細パターン形成用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017771B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2011-02-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수직 트랜지스터를 구비한 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP6154659A patent/JPH0822976A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017771B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2011-02-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수직 트랜지스터를 구비한 반도체 소자의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63297435A (ja) | パタ−ンの形成方法 | |
| JPS61194834A (ja) | ポリシリコンのエツチング方法 | |
| US4814244A (en) | Method of forming resist pattern on substrate | |
| US4101782A (en) | Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith | |
| JPH035573B2 (ja) | ||
| JPH0466345B2 (ja) | ||
| JPH0822976A (ja) | 微細パターン形成用マスクの製造方法 | |
| JP2531608B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2543947B2 (ja) | 微細パタ―ンの形成方法 | |
| JPS6376438A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3304263B2 (ja) | Ｉｔｏのパターニング方法 | |
| JPS61204933A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06252035A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS63177521A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPS6354728A (ja) | エツチング方法 | |
| JPH02257635A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02961A (ja) | フォトマスク製造方法 | |
| JPH10274700A (ja) | 超微細加工方法 | |
| JP2625107B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JPH06168932A (ja) | 半導体装置のパターニング装置 | |
| JPH0247848B2 (ja) | ||
| JPH07228989A (ja) | 金属薄膜表面の汚れ除去方法 | |
| JPS5848334A (ja) | メッシュ製造用ガラス基板の製造方法 | |
| JPS6354726A (ja) | レジスト膜のエツチング方法 | |
| JPH07325385A (ja) | ホトレジスト膜の形成方法とホトプレート |